JPH0393240A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH0393240A JPH0393240A JP23089489A JP23089489A JPH0393240A JP H0393240 A JPH0393240 A JP H0393240A JP 23089489 A JP23089489 A JP 23089489A JP 23089489 A JP23089489 A JP 23089489A JP H0393240 A JPH0393240 A JP H0393240A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
樹脂表面にレーザ照射によりマークが形威される樹脂封
止型半導体装置の製造方法に関し、レーザ照射によりマ
ーク形戒の際に生じる付着物等を良好に除去でき、且つ
作業性良く洗浄できるようにすることを目的とし、 樹脂封止パッケージの樹脂表面に部分的にレーザを照射
してマークを形成した後、該樹脂表面に流体を高圧力で
吹きつけて洗浄する工程を含むように構戒する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂表面にレーザ照射によりマークが形成さ
れる樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する． 〔従来の技術〕 樹脂封止型半導体装置のパッケージング（アセンブリ）
工程では、その中に搭載する半導体チップの種類及びそ
の他の情報をパッケージ表面にマーキングしている．そ
のマーキングの方法としては、従来から広く採用されて
いるインク・マーク方式、ここ数年の間に採用が広がり
つつあるレーザ・マーク方式等がある． インク・マーク方式では、例えばエポキシ系のインクを
用いて捺印によりマーキングするが、この捺印のときに
静電気が発生する問題がある．レーザ・マーク方式では
、第４図及び第５図に示すように、ＣＯ２レーザ，ＹＡ
Ｇレーザ等のレーザ３の照射でマーキングするので、静
電気が発生しないが、レーザ照射により樹脂２中に含ま
れているカーボンが飛び、又レーザ照射による溝掘込み
でエボキシ系の樹脂粉．シリカ（ＳｉＯｚ）等の加工ク
ズが発生し、これらのカーボン．樹脂粉，シリカ等がパ
ッケージ表面に付着する問題がある． この問題について、例えばレーザ・マーキングによって
生じたススを、導電性の回転ブラシで除去することが提
案されている（特開昭６２−２０９８４２号公報）。
止型半導体装置の製造方法に関し、レーザ照射によりマ
ーク形戒の際に生じる付着物等を良好に除去でき、且つ
作業性良く洗浄できるようにすることを目的とし、 樹脂封止パッケージの樹脂表面に部分的にレーザを照射
してマークを形成した後、該樹脂表面に流体を高圧力で
吹きつけて洗浄する工程を含むように構戒する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂表面にレーザ照射によりマークが形成さ
れる樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する． 〔従来の技術〕 樹脂封止型半導体装置のパッケージング（アセンブリ）
工程では、その中に搭載する半導体チップの種類及びそ
の他の情報をパッケージ表面にマーキングしている．そ
のマーキングの方法としては、従来から広く採用されて
いるインク・マーク方式、ここ数年の間に採用が広がり
つつあるレーザ・マーク方式等がある． インク・マーク方式では、例えばエポキシ系のインクを
用いて捺印によりマーキングするが、この捺印のときに
静電気が発生する問題がある．レーザ・マーク方式では
、第４図及び第５図に示すように、ＣＯ２レーザ，ＹＡ
Ｇレーザ等のレーザ３の照射でマーキングするので、静
電気が発生しないが、レーザ照射により樹脂２中に含ま
れているカーボンが飛び、又レーザ照射による溝掘込み
でエボキシ系の樹脂粉．シリカ（ＳｉＯｚ）等の加工ク
ズが発生し、これらのカーボン．樹脂粉，シリカ等がパ
ッケージ表面に付着する問題がある． この問題について、例えばレーザ・マーキングによって
生じたススを、導電性の回転ブラシで除去することが提
案されている（特開昭６２−２０９８４２号公報）。
しかし、このようなブラシの場合、樹脂表面に傷を付け
恐れがあり、傷を付けないような柔らかいブラシではカ
ーボン等を良好に除去できず、又ブラッシングで飛散し
たカーボン等がリード部分や周辺部分を汚したりする問
題がある。
恐れがあり、傷を付けないような柔らかいブラシではカ
ーボン等を良好に除去できず、又ブラッシングで飛散し
たカーボン等がリード部分や周辺部分を汚したりする問
題がある。
また、ブラシによる除去を多数のパッケージに対して行
うと、ブラシが汚れて洗浄できなくなるので、ブラシの
交換を頻繁に行わなければならず、作業性がわるい問題
がある。このブラシの代わりに布等を用いることも考え
られるが、この場合もブラシの場合と同様な問題がある
。
うと、ブラシが汚れて洗浄できなくなるので、ブラシの
交換を頻繁に行わなければならず、作業性がわるい問題
がある。このブラシの代わりに布等を用いることも考え
られるが、この場合もブラシの場合と同様な問題がある
。
本発明は、レーザ照射によりマーク形或の際に生じるカ
ーボン等の付着物を良好に除去でき、且つ作業性良べ洗
浄できるようにすることを目的とする。
ーボン等の付着物を良好に除去でき、且つ作業性良べ洗
浄できるようにすることを目的とする。
本発明によれば、上記目的は、樹脂封止パッケージの樹
脂表面に部分的にレーザを照射してマークを形戒した後
、該樹脂表面に流体を高圧力で吹きつけて洗浄する工程
を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法により達威される。
脂表面に部分的にレーザを照射してマークを形戒した後
、該樹脂表面に流体を高圧力で吹きつけて洗浄する工程
を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法により達威される。
本発明では、レーザ照射によりマーク形或で生じたカー
ボン等が付着した樹脂表面を、流体を高圧力で吹きつけ
て洗浄するので、樹脂表面に傷を付けることがなく、ま
たカーボン等の付着物を他の部分に付着させることなく
、洗い流すことができ、作業性良く良好な洗浄が行える
。
ボン等が付着した樹脂表面を、流体を高圧力で吹きつけ
て洗浄するので、樹脂表面に傷を付けることがなく、ま
たカーボン等の付着物を他の部分に付着させることなく
、洗い流すことができ、作業性良く良好な洗浄が行える
。
［実施例〕
第１図乃至第３図は本発明の実施例に係る洗浄工程を説
明するための側面図である。以下、図面を参照して本発
明の実施例を説明する． まず第４図又は第５図のように、樹脂封止パッケージに
レーザ・マーキングを施す。第４図（ａ）． （ｂ）は
、樹脂封止パッケージ１がリードフレーム６により一体
化され、個々の樹脂封止パッケージ１が分離される前の
状態でマーキングする場合である．樹脂封止パッケージ
１を矢印１０の方向に順次送り、樹脂２の表面にレーザ
３を照射してマーク４を順次形或する，第５図（ａ）．
（ｂ）は、樹脂封止パッケージｌが個々に分離された
状態でマーキングする場合である。この場合は、樹脂封
止パッケージｌをレール９上で矢印１０の方向に順次送
り、樹脂２の表面にレーザ３を照射してマーク４を順次
形威する。
明するための側面図である。以下、図面を参照して本発
明の実施例を説明する． まず第４図又は第５図のように、樹脂封止パッケージに
レーザ・マーキングを施す。第４図（ａ）． （ｂ）は
、樹脂封止パッケージ１がリードフレーム６により一体
化され、個々の樹脂封止パッケージ１が分離される前の
状態でマーキングする場合である．樹脂封止パッケージ
１を矢印１０の方向に順次送り、樹脂２の表面にレーザ
３を照射してマーク４を順次形或する，第５図（ａ）．
（ｂ）は、樹脂封止パッケージｌが個々に分離された
状態でマーキングする場合である。この場合は、樹脂封
止パッケージｌをレール９上で矢印１０の方向に順次送
り、樹脂２の表面にレーザ３を照射してマーク４を順次
形威する。
この第４図又は第５図のようにして、レーザ・マーキン
グを施すと、マーク４の形成領域にカーボン、エボキシ
系の樹脂粉，シリカ（Ｓｔａｇ）の加工クズ等が発生し
、付着物７となる。
グを施すと、マーク４の形成領域にカーボン、エボキシ
系の樹脂粉，シリカ（Ｓｔａｇ）の加工クズ等が発生し
、付着物７となる。
次に第４図の場合は、第１図のように樹脂封止パッケー
ジｌを矢印１０の方向に順次送り、樹脂封止パッケージ
１に流体噴出ノズル１１から流体５を高圧で吹きつけて
付着物７を洗い流す。
ジｌを矢印１０の方向に順次送り、樹脂封止パッケージ
１に流体噴出ノズル１１から流体５を高圧で吹きつけて
付着物７を洗い流す。
流体５としては、水、水に粉体を入れたもの、空気等が
利用できる。流体５として水、水に粉体を入れたもの、
空気をそれぞれ用いた場合を以下に説明する。
利用できる。流体５として水、水に粉体を入れたもの、
空気をそれぞれ用いた場合を以下に説明する。
（１）水の場合
水又は温水をポンプで、例えば４ ０ ｋｇ／ｃｍ”程
度の圧力にして噴出させ、付着物７を除去した。
度の圧力にして噴出させ、付着物７を除去した。
付着物７は良好に除去できた。この場合、水圧が低いと
除去できず、２ ０ ｋｇ／ｃｍ”以上とするのが好ま
しい。
除去できず、２ ０ ｋｇ／ｃｍ”以上とするのが好ま
しい。
（２）水に粉体を入れたものの場合
水又は温水に、径が１５０μｍ程度のエポキシ樹脂の粉
体を入れ、これを噴出させ付着物７を除去した．水の場
合より良好に除去でき、０． ５ ｋｇ／ｃｍ”程度の
水圧でも十分な除去ができた．粉体には、エポキシ樹脂
の他に、石英ガラス、シリコンゴム等を用いることがで
きる。
体を入れ、これを噴出させ付着物７を除去した．水の場
合より良好に除去でき、０． ５ ｋｇ／ｃｍ”程度の
水圧でも十分な除去ができた．粉体には、エポキシ樹脂
の他に、石英ガラス、シリコンゴム等を用いることがで
きる。
（３）空気の場合
空気を高圧で噴出させ、付着物７を除去した．空気では
、水の場合より、ガーボンがとれにくい。
、水の場合より、ガーボンがとれにくい。
流体５を噴出する流体噴出ノズルは、第２図の１２のよ
うに斜めから流体５が吹きつけられるようにしてもよく
、又横から流体５が吹きつけられるようにしてもよく、
これらを適当に組合わせて使用してもよい。
うに斜めから流体５が吹きつけられるようにしてもよく
、又横から流体５が吹きつけられるようにしてもよく、
これらを適当に組合わせて使用してもよい。
又第５図の状態でレーザ・マーキングをした場合には、
レーザ・マーキング後、第３図のように樹脂封止パッケ
ージｌをレール９上で矢印ｌＯの方向に順次送り、樹脂
封止パッケージｌに流体噴出ノズル１１から流体５を高
圧で吹きつけて付着物７を洗い流す．第１図、第２図の
場合には、樹脂封止パッケージ１がリードフレーム６と
一体化されている状態でリードを汚すことなく、良好に
洗浄できるので、この洗浄工程後、リードの電解めっき
処理が良好に行える。
レーザ・マーキング後、第３図のように樹脂封止パッケ
ージｌをレール９上で矢印ｌＯの方向に順次送り、樹脂
封止パッケージｌに流体噴出ノズル１１から流体５を高
圧で吹きつけて付着物７を洗い流す．第１図、第２図の
場合には、樹脂封止パッケージ１がリードフレーム６と
一体化されている状態でリードを汚すことなく、良好に
洗浄できるので、この洗浄工程後、リードの電解めっき
処理が良好に行える。
又、第３図の場合には、リードのめっき処理後にレーザ
・マーキングを施すようにすれば、リードのめっき面を
汚すことなく、良好に洗浄できる。
・マーキングを施すようにすれば、リードのめっき面を
汚すことなく、良好に洗浄できる。
本発明によれば、レーザを照射してマークを形威した後
、高圧の流体を吹きつけて洗浄することにより、レーザ
照射によりマーク形戒の際に生じる付着物等を良好に、
且つ作業性良く除去することができ、レーザ照射形或に
おいて明瞭に識別可能なマークを得ることができる。
、高圧の流体を吹きつけて洗浄することにより、レーザ
照射によりマーク形戒の際に生じる付着物等を良好に、
且つ作業性良く除去することができ、レーザ照射形或に
おいて明瞭に識別可能なマークを得ることができる。
第１図乃至第３図は本発明の実施例に係る側面図、第４
図及び第５図はレーザ・マーキング工程を説明するため
の図である。 図中、 ｌ・・・ ２・・・ ３・・・ ４・・・ ５・・・ ６・・・ ７・・・ ８・・・ ９・・・ １１．１２ 樹脂封止パッケージ 樹脂 レーザ マーク 流体 リードフレーム 付着物 リード レーノレ ・・・ 流体噴出ノズル ６ 木亮明の犬ａＰＪｌ４ろ捌面日 第 １ 図 ６ 本発明の実施例に係る｛ＩＩＩ ’ｆｆｉ図昂 ２ 図 未発明の＊施例にイ系る側面図 夷 ３ 因 （ｂ）
図及び第５図はレーザ・マーキング工程を説明するため
の図である。 図中、 ｌ・・・ ２・・・ ３・・・ ４・・・ ５・・・ ６・・・ ７・・・ ８・・・ ９・・・ １１．１２ 樹脂封止パッケージ 樹脂 レーザ マーク 流体 リードフレーム 付着物 リード レーノレ ・・・ 流体噴出ノズル ６ 木亮明の犬ａＰＪｌ４ろ捌面日 第 １ 図 ６ 本発明の実施例に係る｛ＩＩＩ ’ｆｆｉ図昂 ２ 図 未発明の＊施例にイ系る側面図 夷 ３ 因 （ｂ）
Claims (1)
- 樹脂封止パッケージ（１）の樹脂（２）表面に部分的に
レーザ（３）を照射してマーク（４）を形成した後、該
樹脂（２）表面に流体（５）を高圧力で吹きつけて洗浄
する工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23089489A JPH0393240A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23089489A JPH0393240A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0393240A true JPH0393240A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16914968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23089489A Pending JPH0393240A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0393240A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7186945B2 (en) * | 2003-10-15 | 2007-03-06 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Sprayable adhesive material for laser marking semiconductor wafers and dies |
| JP2013157626A (ja) * | 2013-04-11 | 2013-08-15 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015228531A (ja) * | 2015-09-18 | 2015-12-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9287142B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-15 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device using markings on both lead frame and sealing body |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP23089489A patent/JPH0393240A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7186945B2 (en) * | 2003-10-15 | 2007-03-06 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Sprayable adhesive material for laser marking semiconductor wafers and dies |
| US9287142B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-15 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device using markings on both lead frame and sealing body |
| JP2013157626A (ja) * | 2013-04-11 | 2013-08-15 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015228531A (ja) * | 2015-09-18 | 2015-12-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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