JPH08279583A - 半導体装置及び半導体装置の加工方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の加工方法Info
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- JPH08279583A JPH08279583A JP7078923A JP7892395A JPH08279583A JP H08279583 A JPH08279583 A JP H08279583A JP 7078923 A JP7078923 A JP 7078923A JP 7892395 A JP7892395 A JP 7892395A JP H08279583 A JPH08279583 A JP H08279583A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多ピンかつ狭ピッチのリードフレームを用いた
半導体装置を電子回路基板上に実装する際にも、接合上
の欠陥を発生させない半導体装置及び半導体装置の加工
方法を提供する。 【構成】樹脂モールド１０１でインナーリード１５１お
よび半導体チップ１２０を封止した後に、アウターリー
ド１０２ａ，１０２ｂをそれぞれ樹脂モールド１０１に
対し外側向きおよび内側向きに交互に折り曲げる。この
時、アウターリード１０２ａ，１０２ｂの折り曲げ形状
を、各々のアウターリード１０２ａ，１０２ｂ側面より
見て倒立した略Ｖ字形となるようにする。また、このア
ウターリード１０２ａ，１０２ｂの折り曲げ成形は、ダ
ムバー１０４を連結部として残したまま行い、その成形
後にレーザ光３００によりダムバー１０４を切断する。
半導体装置を電子回路基板上に実装する際にも、接合上
の欠陥を発生させない半導体装置及び半導体装置の加工
方法を提供する。 【構成】樹脂モールド１０１でインナーリード１５１お
よび半導体チップ１２０を封止した後に、アウターリー
ド１０２ａ，１０２ｂをそれぞれ樹脂モールド１０１に
対し外側向きおよび内側向きに交互に折り曲げる。この
時、アウターリード１０２ａ，１０２ｂの折り曲げ形状
を、各々のアウターリード１０２ａ，１０２ｂ側面より
見て倒立した略Ｖ字形となるようにする。また、このア
ウターリード１０２ａ，１０２ｂの折り曲げ成形は、ダ
ムバー１０４を連結部として残したまま行い、その成形
後にレーザ光３００によりダムバー１０４を切断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの中央
部に半導体チップを搭載し樹脂モールドにより封止した
半導体装置に係わり、特にアウターリードの端子接合が
良好に行える半導体装置および半導体装置の加工方法に
関する。
部に半導体チップを搭載し樹脂モールドにより封止した
半導体装置に係わり、特にアウターリードの端子接合が
良好に行える半導体装置および半導体装置の加工方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームの中央部に半導体チップ
を搭載し樹脂モールドにより封止した半導体装置（以
下、樹脂モールド型半導体装置という）のうち、近年要
求が高まっている多ピンかつ狭ピッチのリードフレーム
を用いたものは、アウターリードの配列ピッチもまた狭
くする必要がある。アウターリードの配列ピッチが狭く
なると、リードとリードの隙間が非常に狭くなる。例え
ば、アウターリードの配列ピッチが０．３ｍｍの場合、
リードとリードの間の隙間は０．１〜０．１７ｍｍであ
り、板厚と同程度かそれよりも少し広い寸法となってい
る。また、０．１５〜０．２５ｍｍ程度と、さらに狭い
配列ピッチの要求もある。
を搭載し樹脂モールドにより封止した半導体装置（以
下、樹脂モールド型半導体装置という）のうち、近年要
求が高まっている多ピンかつ狭ピッチのリードフレーム
を用いたものは、アウターリードの配列ピッチもまた狭
くする必要がある。アウターリードの配列ピッチが狭く
なると、リードとリードの隙間が非常に狭くなる。例え
ば、アウターリードの配列ピッチが０．３ｍｍの場合、
リードとリードの間の隙間は０．１〜０．１７ｍｍであ
り、板厚と同程度かそれよりも少し広い寸法となってい
る。また、０．１５〜０．２５ｍｍ程度と、さらに狭い
配列ピッチの要求もある。
【０００３】上記のようなリードフレームの多ピン化や
狭ピッチ化を進めるに当たっては、アウターリードの配
列ピッチ精度や、電子回路基板の接合用パッドの配列ピ
ッチ精度や、さらには樹脂モールド封止後のアウターリ
ードの折り曲げ成形時における加工精度も重要で、それ
らの精度を向上し維持することが必要となってくる。も
し、上記寸法精度が低下すると、半導体装置を電子回路
基板にハンダ付け等により実装する際の接合上の不具合
（以下、接合上の欠陥という）を招く危険性がある。従
って、良好な表面実装を行うためには非常に厳しい寸法
精度の管理が必要となってくる。
狭ピッチ化を進めるに当たっては、アウターリードの配
列ピッチ精度や、電子回路基板の接合用パッドの配列ピ
ッチ精度や、さらには樹脂モールド封止後のアウターリ
ードの折り曲げ成形時における加工精度も重要で、それ
らの精度を向上し維持することが必要となってくる。も
し、上記寸法精度が低下すると、半導体装置を電子回路
基板にハンダ付け等により実装する際の接合上の不具合
（以下、接合上の欠陥という）を招く危険性がある。従
って、良好な表面実装を行うためには非常に厳しい寸法
精度の管理が必要となってくる。
【０００４】つまり、上記配列ピッチや加工寸法がわず
かでも狂ってしまうと、それらの誤差を修正すること
は、リードの数が非常に多いためにほとんど不可能であ
る。また、たとえ接合用パッドの配列ピッチ精度の良好
な電子回路基板を用いて、その上に半導体装置を寸法精
度良く位置決めしたとしても、多数あるアウターリード
の配列ピッチ精度が悪ければ、アウターリードのどれか
が所定の接合用パッドから外れてしまい、隣りの接合用
パッドの方にずれてその隣の接合用パッドと干渉を起こ
してしまう。このような状態で、端子接合用の低融点金
属（以下、接合用金属という）を用いたアウターリード
と接合用パッドの接合（例えば、ハンダ付け）を行う
と、隣接する接合用パッド間で接合用金属のブリッジが
発生し短絡してしまう。このようなブリッジが生じる
と、電子回路基板上の全ての電子部品を含め、その電子
回路全体が欠陥品となってしまう。
かでも狂ってしまうと、それらの誤差を修正すること
は、リードの数が非常に多いためにほとんど不可能であ
る。また、たとえ接合用パッドの配列ピッチ精度の良好
な電子回路基板を用いて、その上に半導体装置を寸法精
度良く位置決めしたとしても、多数あるアウターリード
の配列ピッチ精度が悪ければ、アウターリードのどれか
が所定の接合用パッドから外れてしまい、隣りの接合用
パッドの方にずれてその隣の接合用パッドと干渉を起こ
してしまう。このような状態で、端子接合用の低融点金
属（以下、接合用金属という）を用いたアウターリード
と接合用パッドの接合（例えば、ハンダ付け）を行う
と、隣接する接合用パッド間で接合用金属のブリッジが
発生し短絡してしまう。このようなブリッジが生じる
と、電子回路基板上の全ての電子部品を含め、その電子
回路全体が欠陥品となってしまう。
【０００５】多ピンかつ狭ピッチのリードフレームを用
いた半導体装置を電子回路基板上に実装する際の上記の
ような接合上の欠陥を回避することが可能な技術として
は、特開平３−２４８４５３号公報や特開平４−１７６
１５８号公報に記載のものがある。これらの従来技術で
は、アウターリードの各々を樹脂モールドに対して外側
向きおよび内側向きに交互に折り曲げ、アウターリード
の端子接合部分が千鳥配置となるようにしており、これ
に従って接合用パッドの配列ピッチをアウターリードの
幅に対して相対的に２倍程度広くすることができる。
いた半導体装置を電子回路基板上に実装する際の上記の
ような接合上の欠陥を回避することが可能な技術として
は、特開平３−２４８４５３号公報や特開平４−１７６
１５８号公報に記載のものがある。これらの従来技術で
は、アウターリードの各々を樹脂モールドに対して外側
向きおよび内側向きに交互に折り曲げ、アウターリード
の端子接合部分が千鳥配置となるようにしており、これ
に従って接合用パッドの配列ピッチをアウターリードの
幅に対して相対的に２倍程度広くすることができる。
【０００６】これにより、相隣り合う接合用パッド間の
見かけ上の距離が広くできるため、アウターリードの端
子接合部分を接合用パッドに接合する時に、前述のアウ
ターリードや接合用パッドの配列ピッチ精度、またはア
ウターリードの折り曲げ成形精度が少々悪くても接合用
金属のブリッジの発生する危険性が大幅に減少する。従
って、許容される誤差（位置ずれ量）をある程度大きく
設定でき、アウターリードや電子回路基板の加工および
接合作業が容易になる。さらに、アウターリードの幅に
比べて接合用パッドの幅をある程度広くすることもで
き、位置決め精度に対する許容誤差もある程度大きく設
定できる。
見かけ上の距離が広くできるため、アウターリードの端
子接合部分を接合用パッドに接合する時に、前述のアウ
ターリードや接合用パッドの配列ピッチ精度、またはア
ウターリードの折り曲げ成形精度が少々悪くても接合用
金属のブリッジの発生する危険性が大幅に減少する。従
って、許容される誤差（位置ずれ量）をある程度大きく
設定でき、アウターリードや電子回路基板の加工および
接合作業が容易になる。さらに、アウターリードの幅に
比べて接合用パッドの幅をある程度広くすることもで
き、位置決め精度に対する許容誤差もある程度大きく設
定できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平３−２４８
４５３号公報および特開平４−１７６１５８号公報に記
載の半導体装置において、折り曲げ成形後のアウターリ
ードの形状に注目すると、千鳥配置をなす端子接合部分
からアウターリードがほぼ垂直に立ち上がっており、し
かも、その垂直に立ち上がった部分での隣接するアウタ
ーリード間の隙間はせまい間隔となっている。特に、多
ピンかつ狭ピッチのリードフレームを用いた半導体装置
の場合には、垂直に立ち上がった部分でのアウターリー
ド間の隙間は著しく狭くなる。
４５３号公報および特開平４−１７６１５８号公報に記
載の半導体装置において、折り曲げ成形後のアウターリ
ードの形状に注目すると、千鳥配置をなす端子接合部分
からアウターリードがほぼ垂直に立ち上がっており、し
かも、その垂直に立ち上がった部分での隣接するアウタ
ーリード間の隙間はせまい間隔となっている。特に、多
ピンかつ狭ピッチのリードフレームを用いた半導体装置
の場合には、垂直に立ち上がった部分でのアウターリー
ド間の隙間は著しく狭くなる。
【０００８】このような形状を有するアウターリードの
端子接合部分をハンダ付け等により接合用パッドに接合
する際には、溶融した接合用金属が上述の垂直に立ち上
がったアウターリード間のせまい隙間を這い上がること
があり、その接合用金属の量が多い場合にはアウターリ
ードの折れ曲がり部分に接合用金属だまりが形成される
こともある。このように接合用金属が這い上ったり接合
用金属だまりが形成されると、アウターリード間に接合
用金属のブリッジが形成されたこと、即ち相隣り合うア
ウターリード間が短絡したのと同じことになり、結局、
電子回路基板上の全ての電子部品を含め、その電子回路
全体が欠陥品となってしまう。また、アウターリードの
垂直に立ち上がった部分にも接合用金属だまりが形成さ
れて、この部分にもブリッジが形成されることもある。
端子接合部分をハンダ付け等により接合用パッドに接合
する際には、溶融した接合用金属が上述の垂直に立ち上
がったアウターリード間のせまい隙間を這い上がること
があり、その接合用金属の量が多い場合にはアウターリ
ードの折れ曲がり部分に接合用金属だまりが形成される
こともある。このように接合用金属が這い上ったり接合
用金属だまりが形成されると、アウターリード間に接合
用金属のブリッジが形成されたこと、即ち相隣り合うア
ウターリード間が短絡したのと同じことになり、結局、
電子回路基板上の全ての電子部品を含め、その電子回路
全体が欠陥品となってしまう。また、アウターリードの
垂直に立ち上がった部分にも接合用金属だまりが形成さ
れて、この部分にもブリッジが形成されることもある。
【０００９】本発明の目的は、多ピンかつ狭ピッチのリ
ードフレームを用いた半導体装置を電子回路基板上に実
装する際にも、接合上の欠陥を発生させない半導体装置
及び半導体装置の加工方法を提供することである。
ードフレームを用いた半導体装置を電子回路基板上に実
装する際にも、接合上の欠陥を発生させない半導体装置
及び半導体装置の加工方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、リードフレームの中央部に半導体
チップが搭載され樹脂モールドにより前記リードフレー
ム中央部および前記半導体チップが封止された半導体装
置において、上記リードフレームの各アウターリードの
外方部分が、上記樹脂モールドに対して外側向きおよび
内側向きに交互に折り曲げられ、かつその折り曲げ形状
が各々のアウターリード側面より見て略Ｖ字形をなすこ
とを特徴とする半導体装置が提供される。
め、本発明によれば、リードフレームの中央部に半導体
チップが搭載され樹脂モールドにより前記リードフレー
ム中央部および前記半導体チップが封止された半導体装
置において、上記リードフレームの各アウターリードの
外方部分が、上記樹脂モールドに対して外側向きおよび
内側向きに交互に折り曲げられ、かつその折り曲げ形状
が各々のアウターリード側面より見て略Ｖ字形をなすこ
とを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１１】上記半導体装置において、好ましくは、前
記アウターリードの外方部分における端子接合部分付近
に、端子接合用の低融点金属のぬれ性を向上させる材料
が被覆される。
記アウターリードの外方部分における端子接合部分付近
に、端子接合用の低融点金属のぬれ性を向上させる材料
が被覆される。
【００１２】また、好ましくは、前記アウターリードの
外方部分における略Ｖ字型折り曲げ形状におけるかなめ
部分付近に、端子接合用の低融点金属のぬれ性を劣化さ
せる材料が被覆される。
外方部分における略Ｖ字型折り曲げ形状におけるかなめ
部分付近に、端子接合用の低融点金属のぬれ性を劣化さ
せる材料が被覆される。
【００１３】また、上記目的を達成するため、本発明に
よれば、リードフレームの中央部に半導体チップを搭載
し樹脂モールドにより前記リードフレーム中央部および
前記半導体チップを封止した半導体装置の加工方法にお
いて、上記樹脂モールドによる封止後のリードフレーム
の各アウターリードの外方部分を、前記樹脂モールドに
対して外側向きおよび内側向きに交互に折り曲げ成形
し、かつその折り曲げ形状を各々のアウターリード側面
より見て略Ｖ字形をなすような形状とすることを特徴と
する半導体装置の加工方法が提供される。
よれば、リードフレームの中央部に半導体チップを搭載
し樹脂モールドにより前記リードフレーム中央部および
前記半導体チップを封止した半導体装置の加工方法にお
いて、上記樹脂モールドによる封止後のリードフレーム
の各アウターリードの外方部分を、前記樹脂モールドに
対して外側向きおよび内側向きに交互に折り曲げ成形
し、かつその折り曲げ形状を各々のアウターリード側面
より見て略Ｖ字形をなすような形状とすることを特徴と
する半導体装置の加工方法が提供される。
【００１４】上記半導体装置の加工方法において、好ま
しくは、前記アウターリードの外方部分の折り曲げ成形
前に各アウターリード同士を連結する連結部を設けてお
き、その連結部の外側位置を前記略Ｖ字型折り曲げ形状
のかなめ部分としてアウターリードの折り曲げ成形を行
い、そのアウターリードの折り曲げ成形後に前記連結部
をレーザ光照射によって切り取る。
しくは、前記アウターリードの外方部分の折り曲げ成形
前に各アウターリード同士を連結する連結部を設けてお
き、その連結部の外側位置を前記略Ｖ字型折り曲げ形状
のかなめ部分としてアウターリードの折り曲げ成形を行
い、そのアウターリードの折り曲げ成形後に前記連結部
をレーザ光照射によって切り取る。
【００１５】上記の場合、前記アウターリードの外方部
分における端子接合部分付近に、端子接合用の低融点金
属のぬれ性を向上させる材料を被覆することが好まし
い。
分における端子接合部分付近に、端子接合用の低融点金
属のぬれ性を向上させる材料を被覆することが好まし
い。
【００１６】さらに、前記アウターリードの外方部分に
おける略Ｖ字型折り曲げ形状におけるかなめ部分付近
に、端子接合用の低融点金属のぬれ性を劣化させる材料
を被覆することが好ましい。
おける略Ｖ字型折り曲げ形状におけるかなめ部分付近
に、端子接合用の低融点金属のぬれ性を劣化させる材料
を被覆することが好ましい。
【００１７】
【作用】上記のように構成した本発明においては、樹脂
モールドによる封止後のリードフレームのアウターリー
ドの外方部分を折り曲げ成形する際に、各アウターリー
ドを樹脂モールドに対して外側向きおよび内側向きに交
互に折り曲げることにより、前述の従来技術と同様に、
接合用パッドの配列ピッチをアウターリードの幅に対し
て相対的に広くすることができ、接合用金属のブリッジ
の発生を回避できる。これに加え、本発明では、アウタ
ーリードの折り曲げ形状を、各々のアウターリード側面
より見て略Ｖ字形、即ち一点をかなめとし、そのかなめ
部分を中心に二またに開くような形状をなすようにする
ことにより、前述の従来技術のように端子接合部分から
アウターリードが垂直に立ち上がる形状とはならず、ア
ウターリードは端子接合部分から上記かなめ部分の方向
に向かって斜めに立ち上がることになる。
モールドによる封止後のリードフレームのアウターリー
ドの外方部分を折り曲げ成形する際に、各アウターリー
ドを樹脂モールドに対して外側向きおよび内側向きに交
互に折り曲げることにより、前述の従来技術と同様に、
接合用パッドの配列ピッチをアウターリードの幅に対し
て相対的に広くすることができ、接合用金属のブリッジ
の発生を回避できる。これに加え、本発明では、アウタ
ーリードの折り曲げ形状を、各々のアウターリード側面
より見て略Ｖ字形、即ち一点をかなめとし、そのかなめ
部分を中心に二またに開くような形状をなすようにする
ことにより、前述の従来技術のように端子接合部分から
アウターリードが垂直に立ち上がる形状とはならず、ア
ウターリードは端子接合部分から上記かなめ部分の方向
に向かって斜めに立ち上がることになる。
【００１８】言い換えれば、かなめ部分はアウターリー
ドの端子接続部分よりは十分上方にある状態で、隣接す
るアウターリード間の隙間はかなめ部分から下方へ次第
に広くなり、従来技術のようにアウターリード間の隙間
が常にせまい状態ではなくなる。また、たとえ多ピンか
つ狭ピッチのリードフレームを用いていても、アウター
リード間の隙間が著しく狭くなることもない。従って、
溶融した接合用金属は、アウターリード間の隙間を這い
上がることができなくなり、相隣り合うアウターリード
間が短絡することが避けられる。
ドの端子接続部分よりは十分上方にある状態で、隣接す
るアウターリード間の隙間はかなめ部分から下方へ次第
に広くなり、従来技術のようにアウターリード間の隙間
が常にせまい状態ではなくなる。また、たとえ多ピンか
つ狭ピッチのリードフレームを用いていても、アウター
リード間の隙間が著しく狭くなることもない。従って、
溶融した接合用金属は、アウターリード間の隙間を這い
上がることができなくなり、相隣り合うアウターリード
間が短絡することが避けられる。
【００１９】また、アウターリードの外方部分における
端子接合部分付近に、接合用金属のぬれ性を向上させる
材料を被覆することにより、アウターリードの端子接合
部分と接合用パッドとの間の接合性が良好となり、その
部分に接合用金属を集中させることができる。
端子接合部分付近に、接合用金属のぬれ性を向上させる
材料を被覆することにより、アウターリードの端子接合
部分と接合用パッドとの間の接合性が良好となり、その
部分に接合用金属を集中させることができる。
【００２０】また、アウターリードの略Ｖ字型折り曲げ
形状のかなめ部分付近に、端子接合用の低融点金属のぬ
れ性を劣化させる材料を被覆することにより、接合用金
属が何らかの原因、例えば量が多い場合などによってア
ウターリード間の隙間を這い上がろうとした場合でも、
その這い上がりを防止することができる。
形状のかなめ部分付近に、端子接合用の低融点金属のぬ
れ性を劣化させる材料を被覆することにより、接合用金
属が何らかの原因、例えば量が多い場合などによってア
ウターリード間の隙間を這い上がろうとした場合でも、
その這い上がりを防止することができる。
【００２１】また、本発明の半導体装置の加工方法にお
けるアウターリードの外方部分の折り曲げ成形前に、各
アウターリード同士を連結する連結部を設けることによ
り、アウターリードの各々がしっかり拘束された状態
で、その連結部の外側位置を略Ｖ字型折り曲げ形状のか
なめ部分としてアウターリードの折り曲げ成形を行うこ
とができ、また折り曲げ成形以外の種々の処理を形状を
乱さずに行うことができ、従って折り曲げ成形時の寸法
精度を向上および維持することが可能となる。
けるアウターリードの外方部分の折り曲げ成形前に、各
アウターリード同士を連結する連結部を設けることによ
り、アウターリードの各々がしっかり拘束された状態
で、その連結部の外側位置を略Ｖ字型折り曲げ形状のか
なめ部分としてアウターリードの折り曲げ成形を行うこ
とができ、また折り曲げ成形以外の種々の処理を形状を
乱さずに行うことができ、従って折り曲げ成形時の寸法
精度を向上および維持することが可能となる。
【００２２】さらに、アウターリードの折り曲げ成形後
に上記連結部をレーザ光照射によって切り取ることによ
り、各アウターリードが個々に分離される。このレーザ
光照射による切断は、レーザ光を照射するだけで切断が
完了する容易な切断方法であり、また切断すべき位置を
自由に選択および位置決めすることができる。また、こ
の場合、プレス打抜き加工などのような切断用治具は不
要であり、拘束治具等で切断すべき部分周辺を堅固に拘
束する必要もなく、立体的に折り曲げ成形されたアウタ
ーリードの形状を乱すことなく、その間に設けられた連
結部を適切かつ正確に切り取ることができる。
に上記連結部をレーザ光照射によって切り取ることによ
り、各アウターリードが個々に分離される。このレーザ
光照射による切断は、レーザ光を照射するだけで切断が
完了する容易な切断方法であり、また切断すべき位置を
自由に選択および位置決めすることができる。また、こ
の場合、プレス打抜き加工などのような切断用治具は不
要であり、拘束治具等で切断すべき部分周辺を堅固に拘
束する必要もなく、立体的に折り曲げ成形されたアウタ
ーリードの形状を乱すことなく、その間に設けられた連
結部を適切かつ正確に切り取ることができる。
【００２３】
【実施例】本発明による半導体装置及び半導体装置の加
工方法の一実施例について、図１から図７を参照しなが
ら説明する。本実施例は、多ピンかつ狭ピッチのリード
フレームを用いた半導体装置を中心に説明する。
工方法の一実施例について、図１から図７を参照しなが
ら説明する。本実施例は、多ピンかつ狭ピッチのリード
フレームを用いた半導体装置を中心に説明する。
【００２４】図１は、本実施例の半導体装置１００のア
ウターリード近傍を示す図である。図１（ａ）〜（ｃ）
に示すように、アウターリード１０２ａ，１０２ｂを、
それぞれ樹脂モールド１０１に対して外側向きおよび内
側向きに交互に折り曲げる。これにより、特開平３−２
４８４５３号公報や特開平４−１７６１５８号公報に記
載の従来技術と同様に、外側の接合用パッド２０１ａの
配列ピッチをアウターリード１０２ａ，１０２ｂの幅に
対して相対的に広くすることができ、同時に内側の接合
用パッド２０１ｂの配列ピッチをアウターリード１０２
ａおよび１０２ｂの幅に対して相対的に広くすることが
でき、さらに接合用パッド２０１ａと２０１ｂのリード
長手方向の離間距離ｗもある程度確保できるため、接合
用金属であるハンダ２１０のブリッジの発生を回避でき
る。上記アウターリード１０２ａ，１０２ｂ外方先端の
幅は、理論的には接合用パッド２０１ａ（または２０１
ｂ）の配列ピッチの１／２以下であればよいが、実用的
には１／４以下の寸法とするのがよい。
ウターリード近傍を示す図である。図１（ａ）〜（ｃ）
に示すように、アウターリード１０２ａ，１０２ｂを、
それぞれ樹脂モールド１０１に対して外側向きおよび内
側向きに交互に折り曲げる。これにより、特開平３−２
４８４５３号公報や特開平４−１７６１５８号公報に記
載の従来技術と同様に、外側の接合用パッド２０１ａの
配列ピッチをアウターリード１０２ａ，１０２ｂの幅に
対して相対的に広くすることができ、同時に内側の接合
用パッド２０１ｂの配列ピッチをアウターリード１０２
ａおよび１０２ｂの幅に対して相対的に広くすることが
でき、さらに接合用パッド２０１ａと２０１ｂのリード
長手方向の離間距離ｗもある程度確保できるため、接合
用金属であるハンダ２１０のブリッジの発生を回避でき
る。上記アウターリード１０２ａ，１０２ｂ外方先端の
幅は、理論的には接合用パッド２０１ａ（または２０１
ｂ）の配列ピッチの１／２以下であればよいが、実用的
には１／４以下の寸法とするのがよい。
【００２５】但し、図１（ａ）はアウターリード１０２
ａ，１０２ｂの折り曲げ形状と電子回路基板２００上の
接合用パッド２０１ａ，２０１ｂとの位置関係を示す側
面図、（ｂ）は樹脂モールド１０１に対して外側向きに
折り曲げたアウターリード１０２ａを示す断面図、
（ｃ）は樹脂モールド１０１に対して内側向きに折り曲
げたアウターリード１０２ｂを示す断面図である。ま
た、樹脂モールド１０１の内部においては、図１（ｂ）
および（ｃ）に示すように、リードフレーム１１０のダ
イパッド１５０に半導体チップ１２０が載置され、リー
ドフレーム１１０のインナーリード１５１と半導体チッ
プ１２０の各端子とがボンディングワイヤ１５２によっ
て電気的に接続された上で、樹脂モールド１０１により
一体に封止されている。
ａ，１０２ｂの折り曲げ形状と電子回路基板２００上の
接合用パッド２０１ａ，２０１ｂとの位置関係を示す側
面図、（ｂ）は樹脂モールド１０１に対して外側向きに
折り曲げたアウターリード１０２ａを示す断面図、
（ｃ）は樹脂モールド１０１に対して内側向きに折り曲
げたアウターリード１０２ｂを示す断面図である。ま
た、樹脂モールド１０１の内部においては、図１（ｂ）
および（ｃ）に示すように、リードフレーム１１０のダ
イパッド１５０に半導体チップ１２０が載置され、リー
ドフレーム１１０のインナーリード１５１と半導体チッ
プ１２０の各端子とがボンディングワイヤ１５２によっ
て電気的に接続された上で、樹脂モールド１０１により
一体に封止されている。
【００２６】本実施例では、アウターリード１０２ａ，
１０２ｂの折り曲げ形状を、各々のアウターリード１０
２ａ，１０２ｂ側面より見て倒立した略Ｖ字形となるよ
うにする。即ち、一点をかなめ部分１０３とし、そのか
なめ部分１０３を中心に二またに開くような形状をなす
ようにする。これにより、接合用パッド２０１ａ，２０
１ｂへの端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂからそれぞれ
のアウターリード１０２ａ，１０２ｂが垂直に立ち上が
る形状とはならず、アウターリード１０２ａ，１０２ｂ
はいずれも端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂから上記か
なめ部分１０３の方向に向かって斜めに立ち上がること
になる。
１０２ｂの折り曲げ形状を、各々のアウターリード１０
２ａ，１０２ｂ側面より見て倒立した略Ｖ字形となるよ
うにする。即ち、一点をかなめ部分１０３とし、そのか
なめ部分１０３を中心に二またに開くような形状をなす
ようにする。これにより、接合用パッド２０１ａ，２０
１ｂへの端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂからそれぞれ
のアウターリード１０２ａ，１０２ｂが垂直に立ち上が
る形状とはならず、アウターリード１０２ａ，１０２ｂ
はいずれも端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂから上記か
なめ部分１０３の方向に向かって斜めに立ち上がること
になる。
【００２７】ところで、特開平３−２４８４５３号公報
や特開平４−１７６１５８号公報に記載の従来技術によ
る半導体装置は、図２に示すような形状となっており、
折り曲げ成形後のアウターリード９０２ａ，９０２ｂの
形状に注目すると、千鳥配置をなす端子接合部分９０２
Ａ，９０２Ｂからアウターリード９０２ａ，９０２ｂが
ほぼ垂直に立ち上がっており、しかも、その垂直に立ち
上がった部分での隣接するアウターリード９０２ａ，９
０２ｂ間の隙間はせまい間隔となっている。特に、多ピ
ンかつ狭ピッチのリードフレームを用いた半導体装置の
場合には、垂直に立ち上がった部分でのアウターリード
９０２ａ，９０２ｂ間の隙間は著しく狭くなる。但し、
図２ではリードフレームおよび半導体チップが樹脂モー
ルド９０１により一体封止されている。
や特開平４−１７６１５８号公報に記載の従来技術によ
る半導体装置は、図２に示すような形状となっており、
折り曲げ成形後のアウターリード９０２ａ，９０２ｂの
形状に注目すると、千鳥配置をなす端子接合部分９０２
Ａ，９０２Ｂからアウターリード９０２ａ，９０２ｂが
ほぼ垂直に立ち上がっており、しかも、その垂直に立ち
上がった部分での隣接するアウターリード９０２ａ，９
０２ｂ間の隙間はせまい間隔となっている。特に、多ピ
ンかつ狭ピッチのリードフレームを用いた半導体装置の
場合には、垂直に立ち上がった部分でのアウターリード
９０２ａ，９０２ｂ間の隙間は著しく狭くなる。但し、
図２ではリードフレームおよび半導体チップが樹脂モー
ルド９０１により一体封止されている。
【００２８】上記のような形状の端子接合部分９０２
Ａ，９０２Ｂをハンダ付けにより接合用パッドに接合す
る際には、溶融したハンダが垂直に立ち上がったアウタ
ーリード９０２ａ，９０２ｂ間のせまい隙間を這い上が
ることがあり、ハンダの量が多い場合にはアウターリー
ド９０２ａ，９０２ｂの折れ曲がり部分９０２ｃ，９０
２ｄにハンダだまりが形成されることもある。このよう
にハンダが這い上ったりハンダだまりが形成されると、
相隣り合うアウターリード９０２ａ，９０２ｂ間が短絡
したのと同じことになり、結局、電子回路基板上の全て
の電子部品を含め、その電子回路全体が欠陥品となって
しまう。
Ａ，９０２Ｂをハンダ付けにより接合用パッドに接合す
る際には、溶融したハンダが垂直に立ち上がったアウタ
ーリード９０２ａ，９０２ｂ間のせまい隙間を這い上が
ることがあり、ハンダの量が多い場合にはアウターリー
ド９０２ａ，９０２ｂの折れ曲がり部分９０２ｃ，９０
２ｄにハンダだまりが形成されることもある。このよう
にハンダが這い上ったりハンダだまりが形成されると、
相隣り合うアウターリード９０２ａ，９０２ｂ間が短絡
したのと同じことになり、結局、電子回路基板上の全て
の電子部品を含め、その電子回路全体が欠陥品となって
しまう。
【００２９】これに対し、本実施例では、かなめ部分１
０３は端子接続部分１０２Ａおよび１０２Ｂよりは十分
離れた距離ｈだけ上方にある状態となり、隣接するアウ
ターリード１０２ａとアウターリード１０２ｂとの隙間
はかなめ部分１０３から下方へ次第に広くなり、その隙
間が常にせまい状態となることはない。従って、溶融し
たハンダ２１０は、アウターリード１０２ａとアウター
リード１０２ｂとの隙間を這い上がることができなくな
り、相隣り合うアウターリード１０２ａとアウターリー
ド１０２ｂとが短絡することが避けられる。
０３は端子接続部分１０２Ａおよび１０２Ｂよりは十分
離れた距離ｈだけ上方にある状態となり、隣接するアウ
ターリード１０２ａとアウターリード１０２ｂとの隙間
はかなめ部分１０３から下方へ次第に広くなり、その隙
間が常にせまい状態となることはない。従って、溶融し
たハンダ２１０は、アウターリード１０２ａとアウター
リード１０２ｂとの隙間を這い上がることができなくな
り、相隣り合うアウターリード１０２ａとアウターリー
ド１０２ｂとが短絡することが避けられる。
【００３０】また、端子接合部分１０２Ａおよび１０２
Ｂの付近に、金属膜１３０が被覆される。この金属膜１
３０はハンダ２１０のぬれ性を向上させる金属材料であ
ってハンダ、金、銀、銅などが用いられ、アウターリー
ド１０２ａ，１０２ｂの折り曲げ成形前にあらかじめそ
の端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂとなる部分付近にメ
ッキ層として被覆しておけばよい。このメッキ層の被覆
は、溶融浴浸漬や真空蒸着などの方法によって行うのが
よい。これにより、端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂと
接合用パッド２０１ａ，２０１ｂの間にハンダ２１０を
集中させてその部分の接合性を良好にすることができ
る。
Ｂの付近に、金属膜１３０が被覆される。この金属膜１
３０はハンダ２１０のぬれ性を向上させる金属材料であ
ってハンダ、金、銀、銅などが用いられ、アウターリー
ド１０２ａ，１０２ｂの折り曲げ成形前にあらかじめそ
の端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂとなる部分付近にメ
ッキ層として被覆しておけばよい。このメッキ層の被覆
は、溶融浴浸漬や真空蒸着などの方法によって行うのが
よい。これにより、端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂと
接合用パッド２０１ａ，２０１ｂの間にハンダ２１０を
集中させてその部分の接合性を良好にすることができ
る。
【００３１】さらに、アウターリード１０２ａ，１０２
ｂのかなめ部分１０３付近に、有機材料膜１４０が被覆
される。この有機材料膜１４０はハンダ２１０のぬれ性
を劣化させる被膜であってテフロンやナイロン等の有機
樹脂が用いられる。また、上記有機材料膜としては、テ
フロンやナイロン以外の有機樹脂、または有機材料では
なくセラミック系材料や二酸化珪素や水ガラス等の無機
材料を用いてもよい。この有機材料膜１４０もアウター
リード１０２ａ，１０２ｂの折り曲げ成形前にあらかじ
めそのかなめ部分１０３となる部分付近に被覆しておけ
ばよい。これにより、ハンダ２１０の量が多い場合など
にそのハンダ２１０がアウターリード１０２ａとアウタ
ーリード１０２ｂとの隙間を這い上がろうとした場合で
も、その這い上がりを防止することができる。
ｂのかなめ部分１０３付近に、有機材料膜１４０が被覆
される。この有機材料膜１４０はハンダ２１０のぬれ性
を劣化させる被膜であってテフロンやナイロン等の有機
樹脂が用いられる。また、上記有機材料膜としては、テ
フロンやナイロン以外の有機樹脂、または有機材料では
なくセラミック系材料や二酸化珪素や水ガラス等の無機
材料を用いてもよい。この有機材料膜１４０もアウター
リード１０２ａ，１０２ｂの折り曲げ成形前にあらかじ
めそのかなめ部分１０３となる部分付近に被覆しておけ
ばよい。これにより、ハンダ２１０の量が多い場合など
にそのハンダ２１０がアウターリード１０２ａとアウタ
ーリード１０２ｂとの隙間を這い上がろうとした場合で
も、その這い上がりを防止することができる。
【００３２】次に、上記半導体装置１００の加工方法を
図３により説明する。まず、図３のステップＳ１００に
おいて、リードフレーム１１０の素材となる金属板をレ
ベラーにかけて巻きぐせをとり、ステップＳ１１０でリ
ードフレーム１１０のアウターリード１０２ａ，１０２
ｂを加工し、ステップＳ１１１で洗浄および乾燥を行
い、ステップＳ１２０でリードフレーム１１０のインナ
ーリード１５１を加工し、ステップＳ１２１で洗浄およ
び乾燥を行う。ここで、アウターリード１０２ａ，１０
２ｂの加工はプレスやエッチングによって行うことがで
きるが、インナーリード１５１の特に内方先端部分の加
工はレーザ光照射による微細加工を行うのが望ましい。
図３により説明する。まず、図３のステップＳ１００に
おいて、リードフレーム１１０の素材となる金属板をレ
ベラーにかけて巻きぐせをとり、ステップＳ１１０でリ
ードフレーム１１０のアウターリード１０２ａ，１０２
ｂを加工し、ステップＳ１１１で洗浄および乾燥を行
い、ステップＳ１２０でリードフレーム１１０のインナ
ーリード１５１を加工し、ステップＳ１２１で洗浄およ
び乾燥を行う。ここで、アウターリード１０２ａ，１０
２ｂの加工はプレスやエッチングによって行うことがで
きるが、インナーリード１５１の特に内方先端部分の加
工はレーザ光照射による微細加工を行うのが望ましい。
【００３３】次に、ステップＳ１３０で、ダイパッド１
５０およびインナーリード内方先端に、ワイヤボンディ
ングがしやすいように銀メッキを施し、ステップＳ１３
１で、アウターリード１０２ａ，１０２ｂの一部分に有
機材料膜１４０を被覆する。この有機材料膜１４０を被
覆する箇所は、前述のようにアウターリード１０２ａ，
１０２ｂのかなめ部分１０３付近である。さらに、ステ
ップＳ１４０およびステップＳ１４１で、ダイパッド１
５０に半導体チップ１２０を搭載および接着し、ステッ
プＳ１４２で、半導体チップ１２０の各端子とインナー
リード１５１とをボンディングワイヤ１５２によってワ
イヤボンディング（つまり電気的に接続）する。
５０およびインナーリード内方先端に、ワイヤボンディ
ングがしやすいように銀メッキを施し、ステップＳ１３
１で、アウターリード１０２ａ，１０２ｂの一部分に有
機材料膜１４０を被覆する。この有機材料膜１４０を被
覆する箇所は、前述のようにアウターリード１０２ａ，
１０２ｂのかなめ部分１０３付近である。さらに、ステ
ップＳ１４０およびステップＳ１４１で、ダイパッド１
５０に半導体チップ１２０を搭載および接着し、ステッ
プＳ１４２で、半導体チップ１２０の各端子とインナー
リード１５１とをボンディングワイヤ１５２によってワ
イヤボンディング（つまり電気的に接続）する。
【００３４】次に、ステップＳ１５０でインナーリード
１５１と半導体チップ１２０とを樹脂モールド１０１に
より一体に封止し、ステップＳ１５１で樹脂のバリを除
去し、ステップＳ１５２でアウターリード１０２ａ，１
０２ｂの一部分にハンダメッキを施す。このハンダメッ
キを施す箇所は前述のように端子接合部分１０２Ａ，１
０２Ｂとなる部分付近である。
１５１と半導体チップ１２０とを樹脂モールド１０１に
より一体に封止し、ステップＳ１５１で樹脂のバリを除
去し、ステップＳ１５２でアウターリード１０２ａ，１
０２ｂの一部分にハンダメッキを施す。このハンダメッ
キを施す箇所は前述のように端子接合部分１０２Ａ，１
０２Ｂとなる部分付近である。
【００３５】ステップＳ１５２まで終了した時点におけ
る本実施例の半導体装置１００の中間製品の平面図を図
４に示す。図４において、リードフレーム１１０の中央
部は樹脂モールド１０１により封止されており樹脂モー
ルド１０１の四方向からはリード（アウターリード１０
２ａ，１０２ｂ）が突出している。また、アウターリー
ド１０２ａ，１０２ｂの各々はダムバー１０４により連
結されており、アウターリード１０２ａ，１０２ｂの外
方先端は枠材１０５によって連結されている。ダムバー
１０４は、本来、樹脂モールド１０１による一体封止時
に、樹脂が各アウターリード１０２ａ，１０２ｂ間に流
れ出てくるのを堰止める役割を果たすものである。な
お、枠材１０５には位置決め用穴１０７があけられてい
る。
る本実施例の半導体装置１００の中間製品の平面図を図
４に示す。図４において、リードフレーム１１０の中央
部は樹脂モールド１０１により封止されており樹脂モー
ルド１０１の四方向からはリード（アウターリード１０
２ａ，１０２ｂ）が突出している。また、アウターリー
ド１０２ａ，１０２ｂの各々はダムバー１０４により連
結されており、アウターリード１０２ａ，１０２ｂの外
方先端は枠材１０５によって連結されている。ダムバー
１０４は、本来、樹脂モールド１０１による一体封止時
に、樹脂が各アウターリード１０２ａ，１０２ｂ間に流
れ出てくるのを堰止める役割を果たすものである。な
お、枠材１０５には位置決め用穴１０７があけられてい
る。
【００３６】ステップＳ１５２の後、ステップＳ１６０
において、内側方向に折り曲げるべきアウターリード１
０２ｂを図４の切断線１０６のところで切断し、枠材１
０５より切り離す。そして、ステップＳ１６１で、枠材
１０５より切り離したアウターリード１０２ｂを内側向
きに折り曲げる。
において、内側方向に折り曲げるべきアウターリード１
０２ｂを図４の切断線１０６のところで切断し、枠材１
０５より切り離す。そして、ステップＳ１６１で、枠材
１０５より切り離したアウターリード１０２ｂを内側向
きに折り曲げる。
【００３７】次に、ステップＳ１７０で枠材１０５と連
結されているアウターリード１０２ａを枠材１０５と共
に外側向きに折り曲げる。さらに、ステップＳ１７１で
ダムバー１０４のすぐ内側を下側向きに折り曲げ、折り
曲げ形状が図１の通りになるようにする。
結されているアウターリード１０２ａを枠材１０５と共
に外側向きに折り曲げる。さらに、ステップＳ１７１で
ダムバー１０４のすぐ内側を下側向きに折り曲げ、折り
曲げ形状が図１の通りになるようにする。
【００３８】本実施例の場合、ダムバー１０４がアウタ
ーリード１０２ａ，１０２ｂ同士を連結し補強する連結
部を兼ねている。このように、ダムバー１０４を連結部
として残したままアウターリード１０２ａおよび１０２
ｂを折り曲げ成形するため、各々のアウターリード１０
２ａ，１０２ｂがしっかり拘束された状態で、ダムバー
１０４の外側位置を略Ｖ字型折り曲げ形状のかなめ部分
１０３として折り曲げ成形を行うことができる。また、
図示していない折り曲げ成形以外の種々の処理を形状を
乱さずに行うことができ、従って折り曲げ成形時の寸法
精度を向上および維持することが可能となる。ステップ
Ｓ１７１まで終了した時点におけるアウターリード１０
２ａ，１０２ｂの俯瞰図を図５に示す。但し、図５で
は、樹脂モールド１０１を二点鎖線で表し、またアウタ
ーリード１０２ａ外方先端を連結している枠材１０５を
省略した。なお、ダムバー１０４とは別に、連結部を設
けておき、その連結部の外側位置を略Ｖ字型折り曲げ形
状のかなめ部分として折り曲げ成形してもよい。
ーリード１０２ａ，１０２ｂ同士を連結し補強する連結
部を兼ねている。このように、ダムバー１０４を連結部
として残したままアウターリード１０２ａおよび１０２
ｂを折り曲げ成形するため、各々のアウターリード１０
２ａ，１０２ｂがしっかり拘束された状態で、ダムバー
１０４の外側位置を略Ｖ字型折り曲げ形状のかなめ部分
１０３として折り曲げ成形を行うことができる。また、
図示していない折り曲げ成形以外の種々の処理を形状を
乱さずに行うことができ、従って折り曲げ成形時の寸法
精度を向上および維持することが可能となる。ステップ
Ｓ１７１まで終了した時点におけるアウターリード１０
２ａ，１０２ｂの俯瞰図を図５に示す。但し、図５で
は、樹脂モールド１０１を二点鎖線で表し、またアウタ
ーリード１０２ａ外方先端を連結している枠材１０５を
省略した。なお、ダムバー１０４とは別に、連結部を設
けておき、その連結部の外側位置を略Ｖ字型折り曲げ形
状のかなめ部分として折り曲げ成形してもよい。
【００３９】続いて、ステップＳ１８０で、連結部を兼
ねたダムバー１０４をレーザ光照射によって切り取る。
この時のダムバー１０４の切断時の状況を図６に断面図
で示す。即ち、図６のようにレーザ光３００をガスノズ
ル３０１内に設けられた集光レンズ３０２で集光し、レ
ーザ光３００をガスノズル３０１先端よりダムバー１０
４に照射し、ダムバー１０４を溶融させる。また、レー
ザ光３００と同時にアシストガス供給口３０３ａから供
給されたアシストガス３０３を噴射して溶融金属を吹き
飛ばす。なお、図６では樹脂モールド１０１内部の構成
を省略した。また、この時には、枠材１０５とアウター
リード１０２ａの外方先端とは連結されたままである。
ねたダムバー１０４をレーザ光照射によって切り取る。
この時のダムバー１０４の切断時の状況を図６に断面図
で示す。即ち、図６のようにレーザ光３００をガスノズ
ル３０１内に設けられた集光レンズ３０２で集光し、レ
ーザ光３００をガスノズル３０１先端よりダムバー１０
４に照射し、ダムバー１０４を溶融させる。また、レー
ザ光３００と同時にアシストガス供給口３０３ａから供
給されたアシストガス３０３を噴射して溶融金属を吹き
飛ばす。なお、図６では樹脂モールド１０１内部の構成
を省略した。また、この時には、枠材１０５とアウター
リード１０２ａの外方先端とは連結されたままである。
【００４０】上記のようなレーザ光３００の照射による
切断は、レーザ光３００を照射するだけで切断が完了す
る容易な切断方法であり、また切断すべき位置を自由に
選択および位置決めすることができる。また、この場
合、プレス打抜き加工などのような切断用治具は不要で
あり、拘束治具等で切断すべき部分周辺を堅固に拘束す
る必要もなく、立体的に折り曲げ成形されたアウターリ
ード１０２ａ，１０２ｂの形状を乱すことなく、その間
に設けられたダムバー１０４を適切かつ正確に切り取る
ことができる。
切断は、レーザ光３００を照射するだけで切断が完了す
る容易な切断方法であり、また切断すべき位置を自由に
選択および位置決めすることができる。また、この場
合、プレス打抜き加工などのような切断用治具は不要で
あり、拘束治具等で切断すべき部分周辺を堅固に拘束す
る必要もなく、立体的に折り曲げ成形されたアウターリ
ード１０２ａ，１０２ｂの形状を乱すことなく、その間
に設けられたダムバー１０４を適切かつ正確に切り取る
ことができる。
【００４１】ステップＳ１８０に続いてステップＳ１８
１でホコリやスパッタの除去および洗浄を行い、所定の
寸法および形状に加工されているか、樹脂モールド１０
１やアウターリード１０２ａ，１０２ｂに欠陥部分がな
いかなどを調べるため、ステップＳ１７２で外観検査を
行う。
１でホコリやスパッタの除去および洗浄を行い、所定の
寸法および形状に加工されているか、樹脂モールド１０
１やアウターリード１０２ａ，１０２ｂに欠陥部分がな
いかなどを調べるため、ステップＳ１７２で外観検査を
行う。
【００４２】その後、ステップＳ１９０でアウターリー
ド１０２ａ外方先端の枠材１０５を切断し、さらにステ
ップＳ１９１で半導体チップ１２０とリードフレーム１
１０の接合状態を検査する。この検査は製品としての半
導体装置１００の動作確認にもなっている。
ド１０２ａ外方先端の枠材１０５を切断し、さらにステ
ップＳ１９１で半導体チップ１２０とリードフレーム１
１０の接合状態を検査する。この検査は製品としての半
導体装置１００の動作確認にもなっている。
【００４３】さらに、ステップＳ１９１で良品と判定さ
れた半導体装置１００に製品番号や製造番号等をマーキ
ングし（ステップＳ２００）、包装して出荷する（ステ
ップＳ２０１）。上記のようにして最終的に製品となっ
た半導体装置１００のアウターリード１０２ａ，１０２
ｂの俯瞰図を図７に示す。但し、図７では、樹脂モール
ド１０１を二点鎖線で表した。
れた半導体装置１００に製品番号や製造番号等をマーキ
ングし（ステップＳ２００）、包装して出荷する（ステ
ップＳ２０１）。上記のようにして最終的に製品となっ
た半導体装置１００のアウターリード１０２ａ，１０２
ｂの俯瞰図を図７に示す。但し、図７では、樹脂モール
ド１０１を二点鎖線で表した。
【００４４】上記のような半導体装置１００の端子接合
部分１０２Ａ，１０２Ｂを接合用パッド２０１ａ，２０
１ｂにハンダ２１０により接合する際に、ハンダ２１０
の量が少なすぎると端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂと
接合用パッド２０１ａ，２０１ｂとを接合することがで
きず、接触不良を起こす心配がある。一方、ハンダ２１
０の量が多すぎると、隣接するアウターリード１０２
ａ，１０２ｂの隙間をハンダ２１０が埋めてしまい、リ
ード間が短絡する危険性がある。従って、ハンダ２１０
の量を適切にすることが良好なハンダ付けを行うために
は必須である。
部分１０２Ａ，１０２Ｂを接合用パッド２０１ａ，２０
１ｂにハンダ２１０により接合する際に、ハンダ２１０
の量が少なすぎると端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂと
接合用パッド２０１ａ，２０１ｂとを接合することがで
きず、接触不良を起こす心配がある。一方、ハンダ２１
０の量が多すぎると、隣接するアウターリード１０２
ａ，１０２ｂの隙間をハンダ２１０が埋めてしまい、リ
ード間が短絡する危険性がある。従って、ハンダ２１０
の量を適切にすることが良好なハンダ付けを行うために
は必須である。
【００４５】以上のような本実施例によれば、アウター
リード１０２ａ，１０２ｂを、それぞれ樹脂モールド１
０１に対して外側向きおよび内側向きに交互に折り曲げ
るので、接合用パッド２０１ａまたは２０１ｂの配列ピ
ッチをアウターリード１０２ａ，１０２ｂの幅に対して
相対的に広くすることができ、接合用パッド２０１ａ，
２０１ｂのリード長手方向の離間距離もある程度確保で
きるため、ハンダ２１０のブリッジの発生を回避でき、
接合欠陥が生じることが避けられる。
リード１０２ａ，１０２ｂを、それぞれ樹脂モールド１
０１に対して外側向きおよび内側向きに交互に折り曲げ
るので、接合用パッド２０１ａまたは２０１ｂの配列ピ
ッチをアウターリード１０２ａ，１０２ｂの幅に対して
相対的に広くすることができ、接合用パッド２０１ａ，
２０１ｂのリード長手方向の離間距離もある程度確保で
きるため、ハンダ２１０のブリッジの発生を回避でき、
接合欠陥が生じることが避けられる。
【００４６】上記に加え、アウターリード１０２ａ，１
０２ｂの折り曲げ形状を、各々のアウターリード１０２
ａ，１０２ｂ側面より見て倒立した略Ｖ字形となるよう
にするので、隣接するアウターリード１０２ａとアウタ
ーリード１０２ｂとの隙間はかなめ部分１０３から下方
へ次第に広くなり、溶融したハンダ２１０がアウターリ
ード１０２ａとアウターリード１０２ｂとの隙間を這い
上がらず、アウターリード１０２ａ，１０２ｂの短絡が
防止される。
０２ｂの折り曲げ形状を、各々のアウターリード１０２
ａ，１０２ｂ側面より見て倒立した略Ｖ字形となるよう
にするので、隣接するアウターリード１０２ａとアウタ
ーリード１０２ｂとの隙間はかなめ部分１０３から下方
へ次第に広くなり、溶融したハンダ２１０がアウターリ
ード１０２ａとアウターリード１０２ｂとの隙間を這い
上がらず、アウターリード１０２ａ，１０２ｂの短絡が
防止される。
【００４７】また、端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂ付
近に、ハンダ２１０のぬれ性を向上させる金属膜１３０
を被覆するので、端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂと接
合用パッド２０１ａ，２０１ｂの間にハンダ２１０を集
中させてその部分の接合性を良好にすることができる。
近に、ハンダ２１０のぬれ性を向上させる金属膜１３０
を被覆するので、端子接合部分１０２Ａ，１０２Ｂと接
合用パッド２０１ａ，２０１ｂの間にハンダ２１０を集
中させてその部分の接合性を良好にすることができる。
【００４８】さらに、アウターリード１０２ａ，１０２
ｂのかなめ部分１０３付近に、ぬれ性を劣化させる有機
材料膜１４０を被覆するので、ハンダ２１０の量が多い
場合などにそのハンダ２１０がアウターリード１０２
ａ，１０２ｂの隙間を這い上がることを防止することが
できる。
ｂのかなめ部分１０３付近に、ぬれ性を劣化させる有機
材料膜１４０を被覆するので、ハンダ２１０の量が多い
場合などにそのハンダ２１０がアウターリード１０２
ａ，１０２ｂの隙間を這い上がることを防止することが
できる。
【００４９】また、ダムバー１０４を連結部として残し
たままアウターリード１０２ａ，１０２ｂを折り曲げ成
形するので、各々のアウターリード１０２ａ，１０２ｂ
をしっかり拘束された状態で折り曲げ成形を行うことが
でき、折り曲げ成形以外の種々の処理を形状を乱さずに
行うことができる。これにより、折り曲げ成形時の寸法
精度を向上および維持することが可能となる。
たままアウターリード１０２ａ，１０２ｂを折り曲げ成
形するので、各々のアウターリード１０２ａ，１０２ｂ
をしっかり拘束された状態で折り曲げ成形を行うことが
でき、折り曲げ成形以外の種々の処理を形状を乱さずに
行うことができる。これにより、折り曲げ成形時の寸法
精度を向上および維持することが可能となる。
【００５０】さらに、レーザ光３００の照射を利用して
ダムバー１０４を切断するので、切断すべき位置を自由
に選択および位置決めして容易に切断を実施でき、立体
的に折り曲げ成形されたアウターリード１０２ａ，１０
２ｂの形状を乱すことがない。
ダムバー１０４を切断するので、切断すべき位置を自由
に選択および位置決めして容易に切断を実施でき、立体
的に折り曲げ成形されたアウターリード１０２ａ，１０
２ｂの形状を乱すことがない。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、各アウターリードを樹
脂モールドに対して外側向きおよび内側向きに交互に折
り曲げるので、接合用金属のブリッジ発生を回避でき、
接合欠陥が生じることが避けられる。それに加え、アウ
ターリードの折り曲げ形状を、各々のアウターリード側
面より見て略Ｖ字形となるようにするので、隣接するア
ウターリード間の隙間はかなめ部分から下方へ次第に広
くなり、溶融した接合用金属がアウターリード間の隙間
を這い上がることによるアウターリード間の短絡が防止
される。
脂モールドに対して外側向きおよび内側向きに交互に折
り曲げるので、接合用金属のブリッジ発生を回避でき、
接合欠陥が生じることが避けられる。それに加え、アウ
ターリードの折り曲げ形状を、各々のアウターリード側
面より見て略Ｖ字形となるようにするので、隣接するア
ウターリード間の隙間はかなめ部分から下方へ次第に広
くなり、溶融した接合用金属がアウターリード間の隙間
を這い上がることによるアウターリード間の短絡が防止
される。
【００５２】従って、多ピンかつ狭ピッチのリードフレ
ームを用いた半導体装置を電子回路基板上に実装する際
にも、接合上の欠陥を発生させることがない。
ームを用いた半導体装置を電子回路基板上に実装する際
にも、接合上の欠陥を発生させることがない。
【００５３】また、端子接合部分付近に接合用金属のぬ
れ性を向上させる材料を被覆するので、端子接合部分と
接合用パッドの間に接合用金属を集中させてその部分の
接合性を良好にすることができる。
れ性を向上させる材料を被覆するので、端子接合部分と
接合用パッドの間に接合用金属を集中させてその部分の
接合性を良好にすることができる。
【００５４】さらに、アウターリードの略Ｖ字型折り曲
げ形状のかなめ部分付近に、端子接合用の低融点金属の
ぬれ性を劣化させる材料を被覆するので、接合用金属が
アウターリード間の隙間を這い上がることを防止するこ
とができる。
げ形状のかなめ部分付近に、端子接合用の低融点金属の
ぬれ性を劣化させる材料を被覆するので、接合用金属が
アウターリード間の隙間を這い上がることを防止するこ
とができる。
【００５５】また、各アウターリード同士を連結する連
結部として残したままアウターリードを折り曲げ成形す
るので、各アウターリードをしっかり拘束された状態で
折り曲げ成形を行うことができ、折り曲げ成形以外の種
々の処理を形状を乱さずに行うことができる。これによ
り、折り曲げ成形時の寸法精度を向上および維持するこ
とが可能となる。さらに、レーザ光の照射を利用して連
結部を切断するので、容易に切断が実施でき、立体的に
折り曲げ成形されたアウターリードの形状を乱すことが
ない。
結部として残したままアウターリードを折り曲げ成形す
るので、各アウターリードをしっかり拘束された状態で
折り曲げ成形を行うことができ、折り曲げ成形以外の種
々の処理を形状を乱さずに行うことができる。これによ
り、折り曲げ成形時の寸法精度を向上および維持するこ
とが可能となる。さらに、レーザ光の照射を利用して連
結部を切断するので、容易に切断が実施でき、立体的に
折り曲げ成形されたアウターリードの形状を乱すことが
ない。
【００５６】さらに、本発明によれば、電子回路の小型
化、高性能化を実現することができる。
化、高性能化を実現することができる。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置のアウター
リード近傍を示す図であり、（ａ）はアウターリードの
折り曲げ形状と電子回路基板上の接合用パッドとの位置
関係を示す側面図、（ｂ）は樹脂モールドに対して外側
向きに折り曲げたアウターリードを示す断面図、（ｃ）
は樹脂モールドに対して内側向きに折り曲げたアウター
リードを示す断面図である。
リード近傍を示す図であり、（ａ）はアウターリードの
折り曲げ形状と電子回路基板上の接合用パッドとの位置
関係を示す側面図、（ｂ）は樹脂モールドに対して外側
向きに折り曲げたアウターリードを示す断面図、（ｃ）
は樹脂モールドに対して内側向きに折り曲げたアウター
リードを示す断面図である。
【図２】従来技術による半導体装置のアウターリードの
形状を示す図である。
形状を示す図である。
【図３】本発明の一実施例による半導体装置の加工方法
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図４】図３のフローチャートにおける工程のうち、イ
ンナーリードと半導体チップとを樹脂モールドにより一
体に封止した後の半導体装置の中間製品を示す平面図で
ある。
ンナーリードと半導体チップとを樹脂モールドにより一
体に封止した後の半導体装置の中間製品を示す平面図で
ある。
【図５】図３のフローチャートにおける工程のうち、折
り曲げ成形が終了したアウターリードの俯瞰図である。
り曲げ成形が終了したアウターリードの俯瞰図である。
【図６】図３のフローチャートにおける工程のうち、連
結部を兼ねたダムバーをレーザ光照射によって切り取る
状況を示す断面図である。
結部を兼ねたダムバーをレーザ光照射によって切り取る
状況を示す断面図である。
【図７】図３のフローチャートにおける工程が終了し、
最終的に製品となった半導体装置のアウターリードの俯
瞰図である。
最終的に製品となった半導体装置のアウターリードの俯
瞰図である。
１００ 半導体装置 １０１ 樹脂モールド １０２ａ，１０２ｂ アウターリード １０２Ａ，１０２Ｂ 端子接合部分 １０３ かなめ部分 １０４ ダムバー １０５ 枠材 １１０ リードフレーム １２０ 半導体チップ １３０ 金属膜 １４０ 有機材料膜 １５０ ダイパッド １５１ インナーリード １５２ ボンディングワイヤ ２００ 電子回路基板 ２０１ａ，２０１ｂ 接合用パッド ２１０ ハンダ ３００ レーザ光 ３０１ ガスノズル ３０２ 集光レンズ ３０３ アシストガス ３０３ａ アシストガス供給口
Claims (7)
- 【請求項１】 リードフレームの中央部に半導体チップ
が搭載され樹脂モールドにより前記リードフレーム中央
部および前記半導体チップが封止された半導体装置にお
いて、 前記リードフレームの各アウターリードの外方部分が、
前記樹脂モールドに対して外側向きおよび内側向きに交
互に折り曲げられ、かつその折り曲げ形状が各々のアウ
ターリード側面より見て略Ｖ字形をなすことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記アウターリードの外方部分における端子接合部分付近
に、端子接合用の低融点金属のぬれ性を向上させる材料
を被覆したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置において、前
記アウターリードの外方部分における略Ｖ字型折り曲げ
形状のかなめ部分付近に、端子接合用の低融点金属のぬ
れ性を劣化させる材料を被覆したことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項４】 リードフレームの中央部に半導体チップ
を搭載し樹脂モールドにより前記リードフレーム中央部
および前記半導体チップを封止した半導体装置の加工方
法において、 前記樹脂モールドによる封止後の前記リードフレームの
各アウターリードの外方部分を、前記樹脂モールドに対
して外側向きおよび内側向きに交互に折り曲げ成形し、
かつその折り曲げ形状を各々のアウターリード側面より
見て略Ｖ字形をなすような形状とすることを特徴とする
半導体装置の加工方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の加工方法に
おいて、前記アウターリードの外方部分の折り曲げ成形
前に各アウターリード同士を連結する連結部を設けてお
き、前記連結部の外側位置を前記略Ｖ字型折り曲げ形状
のかなめ部分として前記アウターリードの折り曲げ成形
を行い、前記アウターリードの折り曲げ成形後に前記連
結部をレーザ光照射によって切り取ることを特徴とする
半導体装置の加工方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の加工方法に
おいて、前記アウターリードの外方部分における端子接
合部分付近に、端子接合用の低融点金属のぬれ性を向上
させる材料を被覆することを特徴とする半導体装置の加
工方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の半導体装置の加工方法に
おいて、前記アウターリードの外方部分における略Ｖ字
型折り曲げ形状におけるかなめ部分付近に、端子接合用
の低融点金属のぬれ性を劣化させる材料を被覆すること
を特徴とする半導体装置の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7078923A JPH08279583A (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 半導体装置及び半導体装置の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7078923A JPH08279583A (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 半導体装置及び半導体装置の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279583A true JPH08279583A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13675390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7078923A Pending JPH08279583A (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 半導体装置及び半導体装置の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279583A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7791178B2 (en) | 2006-11-22 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame unit, semiconductor package having a lead frame unit, stacked semiconductor package having a semiconductor package and methods of manufacturing the same |
| CN106826245A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-06-13 | 温州市科泓机器人科技有限公司 | 芯片引脚的全自动加工装备 |
-
1995
- 1995-04-04 JP JP7078923A patent/JPH08279583A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7791178B2 (en) | 2006-11-22 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame unit, semiconductor package having a lead frame unit, stacked semiconductor package having a semiconductor package and methods of manufacturing the same |
| CN106826245A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-06-13 | 温州市科泓机器人科技有限公司 | 芯片引脚的全自动加工装备 |
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