JP2024036326A - 半導体装置 - Google Patents

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oxide semiconductor
electrode
insulating film
semiconductor film
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舜平 山崎
Shunpei Yamazaki
肇 木村
Hajime Kimura
正美 神長
Masami Kaminaga
泰靖 保坂
Hiroyasu Hosaka
尚人 後藤
Naohito Goto
貴弘 井口
Takahiro Iguchi
大輔 黒崎
Daisuke Kurosaki
純一 肥塚
Junichi Hizuka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

【課題】導電性を有する酸化物半導体膜を備えたタッチパネルを提供する。【解決手段】トランジスタと、第２の絶縁膜と、タッチセンサと、を有するタッチパネルであって、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極と、第１の絶縁膜と、第２の酸化物半導体膜と、を有し、第２の絶縁膜は、第２の酸化物半導体膜が第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とによって挟持されるように、第２の酸化物半導体膜上に設けられ、タッチセンサは、第１の電極と、第２の電極と、を有し、第１の電極及び第２の電極のいずれか一方が、第２の酸化物半導体膜を含む、タッチパネル。【選択図】図８

Description

本発明の一態様は、半導体装置に関する。または、本発明の一態様は、タッチパネルに
関する。または、本発明の一態様は、表示装置に関する。または、本発明の一態様は、入
出力装置に関する。または、本発明の一態様は、入力装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのた
め、より具体的に本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置
、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装
置、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶
装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、入
力装置、入出力装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含
む）、及び電子機器は、半導体装置を有している場合がある。
液晶表示装置や発光表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイの多くに用いら
れているトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリ
コン又は多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリコ
ン半導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）などにも利用されている。
近年、シリコン半導体に代わって、半導体特性を示す金属酸化物をトランジスタに用い
る技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を酸化物
半導体とよぶことにする。例えば、酸化物半導体として、酸化亜鉛、またはＩｎ－Ｇａ－
Ｚｎ系酸化物を用いたトランジスタを作製し、該トランジスタを表示装置の画素のスイッ
チング素子などに用いる技術が開示されている（特許文献１及び特許文献２参照）。また
、様々なタッチセンサが開発されている（特許文献３乃至特許文献７参照）。
特開２００７－１２３８６１号公報 特開２００７－９６０５５号公報 特開２０１１－１９７６８５号公報 特開２０１４－４４５３７号公報 特開２０１４－１７８８４７号公報 米国特許第７９２０１２９号明細書 特開２００９－２４４９５８号公報
本発明の一態様は、導電性を有する酸化物半導体膜を備えたタッチパネルを提供するこ
とを課題の一とする。または、構成が簡素化したタッチパネルを提供することを課題の一
とする。または、新規な入力装置を提供することを課題の一とする。または、新規な入出
力装置を提供することを課題の一とする。
本発明の一態様は、トランジスタと、第２の絶縁膜と、タッチセンサと、を有する半導
体装置であって、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極に接して設けられたゲート
絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接して設けられ、ゲート電極と重畳する位置に設けられた第１
の酸化物半導体膜と、第１の酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイ
ン電極と、第１の酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に設けられた第１の
絶縁膜と、第１の絶縁膜上に、第１の酸化物半導体膜と重畳する位置に設けられた第２の
酸化物半導体膜と、を有し、第２の絶縁膜は、第２の酸化物半導体膜が第１の絶縁膜と第
２の絶縁膜とによって挟持されるように、第２の酸化物半導体膜上に設けられ、タッチセ
ンサは、第１の電極と、第２の電極と、を有し、第１の電極及び第２の電極のいずれか一
方が、第３の酸化物半導体膜を含み、第２の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜
は同時に形成される、半導体装置である。
上記において、第２の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜の厚さが、３０ｎｍ
以上７０ｎｍ以下であることが好ましい。
また、第１の酸化物半導体膜、第２の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜は、
Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎまた
はＨｆを表す）である上記の半導体装置も、本発明の一態様である。
また、第１の絶縁膜は、酸素を含み、第２の絶縁膜は、水素を含む上記の半導体装置も
、本発明の一態様である。
また、一対の電極間に第２の絶縁膜を含む容量素子を有し、容量素子は、可視光におい
て透光性を有し、容量素子の一対の電極の一方が、第３の酸化物半導体膜を含む上記の半
導体装置も本発明の一態様である。
また、第１の電極及び第２の電極が、第３の酸化物半導体膜を含む上記の半導体装置も
、本発明の一態様である。
また、上記に記載の半導体装置と、導電膜と、液晶素子と、を有するタッチパネルであ
って、導電膜は画素電極としての機能を有し、第３の酸化物半導体膜はコモン電極として
の機能を有し、容量素子の一対の電極の他方が導電膜を含むタッチパネルも本発明の一態
様である。
また、上記に記載の半導体装置と、発光素子と、を有するタッチパネルであって、発光
素子は、下部電極と、上部電極と、下部電極および上部電極に挟持されたＥＬ層と、を備
えるタッチパネルも本発明の一態様である。
また、第１の電極及び第２の電極が、第３の酸化物半導体膜を含む上記のタッチパネル
も、本発明の一態様である。
また、第１の電極及び第２の電極のいずれか他方が、上部電極を含む上記のタッチパネ
ルも、本発明の一態様である。
また、上記に記載の半導体装置と、スイッチ、スピーカ、表示部または筐体と、を有す
る電子機器も本発明の一態様である。
また、上記に記載のタッチパネルと、スイッチ、スピーカ、表示部または筐体と、を有
する電子機器も本発明の一態様である。
本発明の一態様によれば、導電性を有する酸化物半導体膜を備えたタッチパネルを提供
することができる。または、構成が簡素化したタッチパネルを提供することができる。ま
たは、新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入出力装置を提供するこ
とができる。
実施の形態に係る、タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 実施の形態に係る、タッチセンサを備える画素を説明する図。 実施の形態に係る、タッチセンサを備える画素を説明する図。 実施の形態に係る、タッチセンサを備える画素を説明する図。 実施の形態に係る、タッチセンサ及び画素の動作を説明する図。 実施の形態に係る、タッチパネルの方式を示す断面概略図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す斜視図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチセンサ電極の構成を示す上面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチセンサ電極の構成を示す上面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチセンサ電極の構成を示す上面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチセンサ電極の構成を示す上面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチセンサ電極の構成を示す上面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチセンサ電極の構成を示す上面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す断面図。 実施の形態に係る、タッチセンサ電極の構成を示す上面図。 実施の形態に係る、トランジスタ等の作製方法を示す断面図。 実施の形態に係る、トランジスタ等の作製方法を示す断面図。 実施の形態に係る、トランジスタ等の作製方法を示す断面図。 実施の形態に係る、トランジスタ等の作製方法を示す断面図。 実施の形態に係る、トランジスタ等の構成を示す断面図。 ＣＡＡＣ－ＯＳの断面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像、およびＣＡＡＣ－ＯＳの断面模式図。 ＣＡＡＣ－ＯＳの平面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像。 ＣＡＡＣ－ＯＳおよび単結晶酸化物半導体のＸＲＤによる構造解析を説明する図。 ＣＡＡＣ－ＯＳの電子回折パターンを示す図。 Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。 ＣＡＡＣ－ＯＳの成膜方法を説明する図。 ＩｎＭＺｎＯ４の結晶を説明する図。 ＣＡＡＣ－ＯＳの成膜方法を説明する図。 トランジスタの一例を示す上面図及び断面図。 トランジスタの一例を示す断面図。 バンド構造を説明する図。 トランジスタの一例を示す断面図。 発光素子の構成例を説明する図。 実施の形態に係る表示モジュールを説明する図。 実施の形態に係る電子機器を説明する図。 実施の形態に係る電子機器を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、互いに入れ替えることが可能であ
る場合がある。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更すること
や、「絶縁層」という用語を、「絶縁膜」という用語に変更することが可能な場合がある
。
また、本明細書等において、「半導体」と表記した場合であっても、例えば、導電性が
十分に低い場合は、「絶縁体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「
絶縁体」とは境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書
等に記載の「半導体」は、「絶縁体」に言い換えることが可能な場合がある。同様に、本
明細書等に記載の「絶縁体」は、「半導体」に言い換えることが可能な場合がある。
また、本明細書等において、「半導体」と表記した場合であっても、例えば、導電性が
十分に高い場合は、「導電体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「
導電体」とは境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書
等に記載の「半導体」は、「導電体」に言い換えることが可能な場合がある。同様に、本
明細書等に記載の「導電体」は、「半導体」に言い換えることが可能な場合がある。
なお、トランジスタの「ソース」や「ドレイン」の機能は、異なる極性のトランジスタ
を採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わること
がある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替え
て用いることができるものとする。
なお、本明細書等においてパターニングとは、フォトリソグラフィ工程を用いるものと
する。ただし、パターニングは、フォトリソグラフィ工程に限定されず、フォトリソグラ
フィ工程以外の工程を用いることもできる。また、フォトリソグラフィ工程で形成したマ
スクはエッチング処理後除去するものとする。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサまたはタッチパネルの駆動方法、モ
ード、構成例、及び本発明の一態様の半導体装置の構成例について図面を参照して説明す
る。
［センサの検出方法の例］
図１（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図１（Ａ
）では、パルス電圧出力回路６０１、電流検出回路６０２を示している。なお図１（Ａ）
では、一例として、パルス電圧が与えられる電極６２１をＸ１－Ｘ６の６本の配線、電流
の変化を検出する電極６２２をＹ１－Ｙ６の６本の配線として示している。なお、電極の
数は、これに限定されない。また図１（Ａ）は、電極６２１および電極６２２が重畳する
こと、または、電極６２１および電極６２２が近接して配置されることで形成される容量
６０３を図示している。なお、電極６２１と電極６２２とはその機能を互いに置き換えて
もよい。
パルス電圧出力回路６０１は、一例としては、Ｘ１－Ｘ６の配線に順にパルス電圧を印
加するための回路である。Ｘ１－Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量６０
３を形成する電極６２１および電極６２２の間に電界が生じる。そしてパルス電圧によっ
て容量６０３に電流が流れる。この電極間に生じる電界が、指やペンなどのタッチによる
遮蔽等により変化する。つまり、指やペンなどのタッチなどにより、容量６０３の容量値
が変化する。このように、指やペンなどのタッチなどにより、容量値に変化を生じさせる
ことを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。
電流検出回路６０２は、容量６０３での容量値の変化による、Ｙ１－Ｙ６の配線での電
流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙ６の配線では、被検知体の近接、または
接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触に
より容量値が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、電
流量の総和を検出してもよい。その場合には、積分回路等を用いて検出を行えばよい。ま
たは、電流のピーク値を検出してもよい。その場合には、電流を電圧に変換して、電圧値
のピーク値を検出してもよい。
次いで図１（Ｂ）には、図１（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力
波形のタイミングチャートを示す。図１（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知
体の検出を行うものとする。また図１（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ
）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１－
Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。な
お、表示パネルにおいても、表示動作が行われている。この表示パネルの表示動作のタイ
ミングと、タッチセンサの検出動作のタイミングとは、同期させて動作することが望まし
い。なお、図１（Ｂ）では、表示動作とは同期させていない場合の例を示す。
Ｘ１－Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１－
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
このように、容量値の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出す
ることができる。なお、指やペンなどの被検知体は、タッチセンサやタッチパネルに接触
せず、近接した場合でも、信号が検出される場合がある。
またパルス電圧出力回路６０１及び電流検出回路６０２は、一例としては、１つのＩＣ
の中に形成されていることが好ましい。該ＩＣは、例えばタッチパネルに実装されること
、若しくは電子機器の筐体内の基板に実装されることが好ましい。また可撓性を有するタ
ッチパネルとする場合には、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大きくな
ってしまう恐れがあるため、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたＩＣを用い
ることが好ましい。例えばシグナル－ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高める駆動方法が適用され
たＩＣを用いることが好ましい。
また、図１（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量６０３のみを設けるパッ
シブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアク
ティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。
［インセル型のタッチパネルの構成例］
ここでは、表示素子やトランジスタ等が設けられる基板（以下、素子基板とも記す）上
に、タッチセンサを構成する電極の少なくとも一方を配置する例について説明する。
以下では、複数の画素を有する表示部にタッチセンサを組み込んだタッチパネル（いわ
ゆるインセル型）の構成例について説明する。ここでは、画素に設けられる表示素子とし
て、液晶素子を適用した例を示す。ただし、本発明の一態様は、これに限定されず、様々
な表示素子を適用することができる。
図２（Ａ）は、本構成例で例示するタッチパネルの表示部に設けられる画素回路の一部
における等価回路図である。
一つの画素は少なくともトランジスタ６３と液晶素子６４を有する。なお、画素はこれ
に加えて保持容量を有する場合もある。またトランジスタ６３のゲートに配線６１が、ソ
ースまたはドレインの一方には配線６２が、それぞれ電気的に接続されている。
画素回路は、Ｘ方向に延在する複数の配線（例えば、配線７２＿１、配線７２＿２）と
、Ｙ方向に延在する複数の配線（例えば、配線７１＿１、配線７１＿２）を有し、これら
は互いに交差して設けられている。そして、配線の間に容量が形成される。配線７１＿１
および配線７１＿２は、液晶素子６４の一方の電極と同一の導電膜を加工して同時に形成
することができる。配線７２は素子基板と対向する基板（以下、対向基板とも記す）上に
設けることができる。また、配線７２を素子基板上に設けてもよい。
また、一例としては、画素回路に設けられる画素のうち、一部の隣接する複数の画素は
、それぞれに設けられる液晶素子６４の一方の電極が電気的に接続され、一つのブロック
を形成する。ここでは、Ｙ方向に延在するライン状の複数のブロック（例えば、ブロック
６５＿１、ブロック６５＿２）が形成される。なお、図２（Ａ）では、画素回路の一部の
みを示しているが、実際にはこれらのブロックがＸ方向に繰り返し配置される。
このような構成とすることで、タッチセンサを構成する電極と、画素回路が有する液晶
素子の一方の電極とを兼ねることができる。図２（Ａ）では、配線７１＿１、配線７１＿
２は、液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねている。一方、配
線７２＿１、配線７２＿２は、タッチセンサを構成する電極として機能している。そのた
めタッチパネルの構成を簡略化できる。なお、図２（Ａ）では、Ｙ方向に延在する複数の
配線（例えば、配線７１＿１、配線７１＿２）が、液晶素子の一方の電極と、タッチセン
サを構成する電極とを兼ねていたが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、
Ｘ方向に延在する複数の配線（例えば、配線７２＿１、配線７２＿２）が、液晶素子の一
方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねていてもよい。その場合の回路図の例
を、図２（Ｂ）に示す。
また、図３に示すように、液晶素子６４の一方の電極と電気的に接続する複数の配線（
例えば、配線６６＿１乃至配線６６＿４）を有する構成としてもよい。図３においては、
Ｙ方向に延在するライン状の複数のブロック（例えば、ブロック６５＿１、ブロック６５
＿２）が形成される。これらのブロック６５がＸ方向に繰り返し配置される。また、Ｙ方
向に延在するライン状の複数のブロックをまたいでＸ方向に延在するライン状の複数のブ
ロック（例えば、ブロック６７＿１乃至ブロック６７＿４）が形成される。これらのブロ
ック６７がＹ方向に繰り返し配置される。配線６６＿１乃至配線６６＿４を、配線６１と
同一の導電膜を加工して同時に形成することでタッチパネルの作製工程を簡略化できる。
なお、図２（Ａ）、（Ｂ）および図３では、表示素子として、液晶素子を適用した例を示
したが、本発明の一態様は、これに限定されない。表示素子として、発光素子を適用した
場合の例を、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す。
図５（Ａ）は、Ｘ方向に延在する複数の配線７２と、Ｙ方向に延在する複数の配線７１
の接続構成を示した等価回路図である。なお、タッチセンサが、投影型であり、相互容量
方式である場合を示している。Ｙ方向に延在する配線７１の各々には、入力電圧（または
、選択電圧）または共通電位（または、接地電位、もしくは、基準となる電位）を入力す
ることができる。また、Ｘ方向に延在する配線７２の各々には接地電位（または、基準と
なる電位）を入力する、または配線７２と検出回路と電気的に接続することができる。な
お、配線７１と配線７２とは入れ替えることが可能である。つまり、配線７１と検出回路
とを接続してもよい。
以下、図５（Ｂ）、（Ｃ）を用いて、上述したタッチパネルの動作について説明する。
ここでは一例として、１フレーム期間を、書き込み期間と検出期間とに分ける。書き込
み期間は画素への画像データの書き込みを行う期間であり、配線７２（ゲート線、または
走査線ともいう）が順次選択される。一方、検出期間は、タッチセンサによるセンシング
を行う期間であり、Ｙ方向に延在する配線７１が順次選択され、入力電圧が入力される。
図５（Ｂ）は、書き込み期間における等価回路図である。書き込み期間では、Ｘ方向に
延在する配線７２と、Ｙ方向に延在する配線７１の両方に、共通電位が入力される。
図５（Ｃ）は、検出期間のある時点における等価回路図である。検出期間では、Ｙ方向
に延在する配線７１の各々には入力電圧が入力される。また、Ｘ方向に延在する配線７２
のうち、選択されたものは検出回路と導通し、それ以外のものには共通電位が入力される
。
なお、ここで例示した駆動方法は、インセル方式だけでなくその他のタッチパネルにも
適用することができる。
このように、画像の書き込み期間とタッチセンサによるセンシングを行う期間とを、独
立して設けることが好ましい。例えば、表示の帰線期間にセンシングを行うことが好まし
い。これにより、画素の書き込み時のノイズに起因するタッチセンサの感度の低下を抑制
することができる。
［タッチパネルの方式について］
以下では、本発明の一態様のタッチパネルに適用可能ないくつかの方式について説明す
る。
なお、本明細書等において、タッチパネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能と
、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、または近接することを検出するタッ
チセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネルは入出力装置の一態様であ
る。
また、本明細書等では、タッチパネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐ
ｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が実装されたものを、タッチパネルモジュー
ル、表示モジュール、または単にタッチパネルと呼ぶ場合がある。
本発明の一態様に適用できる静電容量方式のタッチセンサは、一対の導電膜を備える。
一対の導電膜間には容量が形成されている。一対の導電膜に被検知体が触れる、または近
接することにより一対の導電膜間の容量の大きさが変化することを利用して、検出を行う
ことができる。
静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。投影型静
電容量方式としては、主に駆動方式の違いから、自己容量方式、相互容量方式などがある
。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。
また、本発明の一態様のタッチパネルが有する表示素子としては、液晶素子（縦電界方
式、または、横電界方式）、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃ
ａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）を利用した光学素子、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ）素子や発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏ
ｄｅ）等の発光素子、電気泳動素子など、様々な表示素子を用いることができる。
ここで、タッチパネルには表示素子として横電界方式が適用された液晶素子を用いた透
過型の液晶表示装置を適用することが好ましい。
本発明の一態様のタッチパネルは、一対の基板のいずれか一方または両方にタッチセン
サを構成する一対の電極（導電膜または配線ともいう）を有することにより、表示パネル
とタッチセンサとが一体となった構成を有する。そのため、タッチパネルの厚さが低減さ
れ、軽量なタッチパネルを実現できる。
図６（Ａ）は、本発明の一態様のタッチパネル１０のモードを説明する断面概略図であ
る。
タッチパネル１０は、基板１１、基板１２、ＦＰＣ１３、導電膜１４、液晶素子２０、
着色膜３１、導電膜４１等を有する。
液晶素子２０は、導電膜２１、導電膜２２及び液晶２３により構成される。ここでは液
晶素子２０としてＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適
用された液晶素子を用いた場合の例を示している。導電膜２１上には絶縁膜２４を介して
導電膜２２が配置されている。導電膜２２は一例として櫛歯状の上面形状、またはスリッ
トが設けられた上面形状（平面形状ともいう）を有する。導電膜２１および導電膜２２は
、一方がコモン電極として機能し、他方が画素電極として機能する。なお、表示素子とし
て、発光素子などを用いる場合には、一例としては、導電膜２２は、櫛歯状の上面形状、
または、スリットが設けられた上面形状を、有していない。
タッチセンサは、基板１２側に設けられた導電膜４１と、液晶素子２０の一対の電極の
一方として機能する導電膜２１との間に形成される容量を利用して検出することができる
。このような構成とすることで、液晶素子２０の一方の電極を、タッチセンサの一対の電
極の一方と兼ねることができる。よって、工程を簡略化することができるため歩留りが向
上でき、また製造コストを低減することができる。なお、導電膜４１は基板１２の表示面
側（基板１１と反対側）の面に設けられる。また、導電膜４１は、基板１２側に設けられ
たＦＰＣ４３と電気的に接続される。導電膜２１は、導電膜１４を介して基板１１側に取
り付けられたＦＰＣ１３と電気的に接続する。
図６（Ｂ）に示すタッチパネル１０は、導電膜４１およびＦＰＣ４３を設けない構成で
ある。液晶素子２０のコモン電極として機能する導電膜２１ａ及び導電膜２１ｂが、タッ
チセンサの一対の電極としても機能する。このような構成とすることで、図６（Ａ）に示
す構成よりもさらに工程を簡略化することができる。なお、導電膜２１ａは、導電膜１４
を介してＦＰＣ１３と電気的に接続し、導電膜２１ｂは、図示しない導電膜を介してＦＰ
Ｃ１３と電気的に接続する。
なお、図６（Ａ）、（Ｂ）は液晶素子２０を構成する一対の電極のうち、下層に位置す
る電極（導電膜２１、２１ａ、２１ｂ）がコモン電極である例を示しているが、これに限
られない。図６（Ａ）、（Ｂ）のそれぞれについて、液晶素子２０を構成する一対の電極
のうち、上層に位置する電極（導電膜２２）がコモン電極である例を図６（Ｃ）、（Ｄ）
に示す。
以上がタッチパネルの方式についての説明である。
［構成例１］
以下では、タッチパネルのより具体的な構成例について説明する。
図７（Ａ）は、本発明の一態様のタッチパネル３１０の斜視概略図である。また図７（
Ｂ）、（Ｃ）は、図７（Ａ）を展開した斜視概略図である。図７（Ｂ）は対向基板側の斜
視概略図であり、図７（Ｃ）は素子基板側の斜視概略図である。なお明瞭化のため、代表
的な構成要素のみを示している。
タッチパネル３１０は、対向して設けられた基板１０２と基板３７２とを有する。
基板１０２上には、表示部３８１、駆動回路３８２、配線３８６、駆動回路３８４等が
設けられている（図７（Ｃ）参照）。また表示部３８１には、酸化物半導体膜１１１が形
成されている。基板１０２には、配線３８６と電気的に接続されるＦＰＣ３７３が設けら
れている。また図７（Ａ）、（Ｃ）では、ＦＰＣ３７３上にＩＣ３７４が設けられている
例を示している。
また基板３７２の基板１０２と対向する面と反対側には、複数の導電膜３３４、複数の
導電膜３３５、複数の導電膜３４１等が形成されている（図７（Ｂ）参照）。導電膜３４
１は複数の導電膜３３４のいずれかと電気的に接続する。基板３７２には、複数の導電膜
３４１と電気的に接続されるＦＰＣ３７５が設けられている。
導電膜３３５は、２つの導電膜３３４の間に配置される。導電膜３３５を設けることで
導電膜３３４が設けられている領域と設けられていない領域の間で透過率に差が生じるこ
とを抑制する機能を有する。また導電膜３３５は電気的にフローティングであることが好
ましい。これにより、導電膜３３５を介して、導電膜３３４及び酸化物半導体膜１１１の
一方の電位の変化を他方に効率よく伝達することができ、検出感度を高めることができる
。なお導電膜３３５は不要である場合には設けなくてもよい。
表示部３８１は、少なくとも複数の画素を有する（図７（Ｃ）参照）。画素は、少なく
とも一つの表示素子を有する。また、画素は、トランジスタ及び表示素子を備えることが
好ましい。表示素子としては、代表的には有機ＥＬ素子などの発光素子や液晶素子などを
用いることができる。本構成例では、表示素子として液晶素子を用いた例を示す。
駆動回路３８２は、例えば走査線駆動回路、信号線駆動回路等として機能する回路を用
いることができる。
配線３８６は、表示部３８１や駆動回路３８２に信号や電力を供給する機能を有する。
当該信号や電力は、ＦＰＣ３７３を介して外部、またはＩＣ３７４から配線３８６に入力
される。
駆動回路３８４は、酸化物半導体膜１１１を順次選択する機能を有する。または、酸化
物半導体膜１１１ではなく導電膜３３４を順次選択することによりタッチセンサを駆動す
る場合には、駆動回路３８４は、固定電位とセンシングに用いる信号とを切り替えて酸化
物半導体膜１１１に供給する機能を有する。なお、ＩＣ３７４や外部によりタッチセンサ
を駆動する信号が供給される場合には、駆動回路３８４を設けなくてもよい。
また、図７（Ａ）乃至（Ｃ）では、ＦＰＣ３７３上にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌ
ｍ）方式により実装されたＩＣ３７４が設けられている例を示している。ＩＣ３７４とし
て、例えば走査線駆動回路、または信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用
できる。なおタッチパネル３１０が走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回
路を備える場合や、走査線駆動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、
ＦＰＣ３７３を介して表示部３８１を駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ
３７４を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ３７４を、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇ
ｌａｓｓ）方式等により、基板１０２に直接実装してもよい。
またこのとき、ＩＣ３７４はタッチセンサを駆動する機能を有していてもよいし、タッ
チセンサを駆動するＩＣをさらに設けてもよい。または、タッチセンサを駆動するＩＣを
基板１０２上に実装してもよい。
タッチセンサは、基板３７２に設けられた導電膜３３４と、基板１０２に設けられた酸
化物半導体膜１１１と、により構成される。導電膜３３４と酸化物半導体膜１１１の間に
形成される容量を利用して、被検知体の近接または接触を検出することができる。
〔断面構成例１〕
以下では、本発明の一態様のタッチパネルの断面構成の例について、図面を参照して説
明する。
図８はタッチパネル３１０の断面概略図である。図８では、図７（Ａ）におけるＦＰＣ
３７３、３７５を含む領域、駆動回路３８２を含む領域、表示部３８１を含む領域のそれ
ぞれの断面を示している。
基板１０２と、基板３７２とは、シール材１５１によって貼り合わされている。また基
板１０２、基板３７２、及びシール材１５１に囲まれた領域に、液晶３５３が封止されて
いる。
図８に示すタッチパネル３１０は、表示部３８１において、酸化物半導体膜１１０を含
むトランジスタ１５０と、一対の電極間に絶縁膜を含む容量素子１６０と、を有する。な
お、容量素子１６０において、一対の電極の一方が酸化物半導体膜１１１であり、一対の
電極の他方が導電膜１２０である。
トランジスタ１５０は、基板１０２上のゲート電極１０４と、ゲート電極１０４上のゲ
ート絶縁膜として機能する絶縁膜１０８と、絶縁膜１０８上のゲート電極１０４と重畳す
る位置の酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１０上のソース電極１１２ａ及びド
レイン電極１１２ｂとを有する。別言すると、トランジスタ１５０は、酸化物半導体膜１
１０と、酸化物半導体膜１１０に接して設けられたゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１
０８と、絶縁膜１０８に接して設けられ、酸化物半導体膜１１０と重畳する位置に設けら
れたゲート電極１０４と、酸化物半導体膜１１０と電気的に接続されたソース電極１１２
ａ及びドレイン電極１１２ｂとを有する。
また、トランジスタ１５０上、より詳しくは、酸化物半導体膜１１０、ソース電極１１
２ａ及びドレイン電極１１２ｂ上に絶縁膜１１４、１１６、１１８、１１９が形成されて
いる。絶縁膜１１４、１１６、１１８は、トランジスタ１５０の保護絶縁膜としての機能
を有する。絶縁膜１１９は平坦化膜としての機能を有する。また、絶縁膜１１４、１１６
、１１８，１１９には、ドレイン電極１１２ｂに達する開口が形成されており、開口を覆
うように絶縁膜１１９上に導電膜１２０が形成されている。導電膜１２０は、画素電極と
しての機能を有する。なお、絶縁膜１１９を設けない構成としてもよい。
容量素子１６０は、絶縁膜１１６上に設けられる。容量素子１６０は、一対の電極の一
方の電極としての機能を有する酸化物半導体膜１１１と、酸化物半導体膜１１１上の誘電
体膜として機能する絶縁膜１１８、１１９と、絶縁膜１１８、１１９を介して酸化物半導
体膜１１１と重畳する位置にある一対の電極の他方の電極としての機能を有する導電膜１
２０と、を有する。すなわち、導電膜１２０は画素電極としての機能と容量素子の電極と
しての機能を有する。なお、酸化物半導体膜１１１の膜厚は、膜の厚さ方向において抵抗
率に偏りが生じない程度の厚さであることが好ましい。具体的には、３０ｎｍ以上７０ｎ
ｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
また、図８に示すタッチパネル３１０は、表示部３８１においてタッチセンサを有する
。該タッチセンサは一対の電極として、酸化物半導体膜１１１と、基板３７２上に設けら
れた導電膜３３４と、を有する。トランジスタ１５０、容量素子１６０及び該タッチセン
サをまとめて半導体装置と呼ぶことができる。また、トランジスタ１５０及び該タッチセ
ンサをまとめて半導体装置と呼ぶこともできる。なお、補助電極として、酸化物半導体膜
１１１に接して導電膜を設けてもよい。例えば、ゲート電極１０４またはソース電極１１
２ａ、ドレイン電極１１２ｂと同様の材料を用いて、遮光膜３３２と重畳する位置に導電
膜を設けてもよい。該補助電極を遮光膜３３２と重ねて設けることで、画素の開口率を維
持しつつタッチセンサの検出に伴う信号伝達の遅延を抑制することができる。
なお、酸化物半導体膜１１０は、トランジスタ１５０のチャネル領域として機能する。
また、酸化物半導体膜１１１は、容量素子１６０の一対の電極の一方の電極として機能す
る。よって、酸化物半導体膜１１０よりも酸化物半導体膜１１１の抵抗率が低い。また、
酸化物半導体膜１１０と酸化物半導体膜１１１は、同一の金属元素を有すると好ましい。
酸化物半導体膜１１０と酸化物半導体膜１１１を同一の金属元素を有する構成とすること
で、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）を共通に用いることが可能となるため、
製造コストを抑制することができる。
また、容量素子１６０は、透光性を有する。すなわち、容量素子１６０が有する、酸化
物半導体膜１１１、導電膜１２０、及び絶縁膜１１８、１１９は、それぞれ透光性を有す
る材料により構成される。このように、容量素子１６０が透光性を有することで、画素内
のトランジスタが形成される箇所以外の領域に大きく（大面積に）形成することができる
ため、開口率を高めつつ容量値を増大させたタッチパネルとすることができる。この結果
、表示品位の優れたタッチパネルを得ることができる。
なお、トランジスタ１５０上に設けられかつ容量素子１６０に用いられる絶縁膜１１８
としては、少なくとも水素を含む絶縁膜を用いる。また、トランジスタ１５０に用いる絶
縁膜１０７、並びにトランジスタ１５０上に設けられる絶縁膜１１４、１１６としては、
少なくとも酸素を含む絶縁膜を用いる。このように、トランジスタ１５０及び容量素子１
６０に用いる絶縁膜、並びにトランジスタ１５０及び容量素子１６０上に用いる絶縁膜を
、上述の構成の絶縁膜とすることによって、トランジスタ１５０が有する酸化物半導体膜
１１０及び容量素子１６０が有する酸化物半導体膜１１１の抵抗率を制御することができ
る。
また、容量素子１６０に用いる絶縁膜、並びにトランジスタ１５０及び容量素子１６０
上に用いる絶縁膜を、以下の構成とすることによって、導電膜１２０の平坦性を高めるこ
とができる。具体的には、絶縁膜１１４、１１６は酸化物半導体膜１１０上に設けられ、
絶縁膜１１８は、酸化物半導体膜１１１が絶縁膜１１６と絶縁膜１１８とによって挟持さ
れるように酸化物半導体膜１１１上に設けられることで、酸化物半導体膜１１１と重なる
位置の絶縁膜１１４、１１６に開口を設けずに酸化物半導体膜１１１の抵抗率を制御する
ことができる。このような構成とすることで、導電膜１２０上に形成される液晶の配向性
を良好なものとすることができる。
なお、図８において、酸化物半導体膜１１１と同時に成膜し、同時にエッチングして、
同時に形成した酸化物半導体膜１１１ａを酸化物半導体膜１１０と重なる領域を有するよ
うに設けられている。酸化物半導体膜１１１ａは、トランジスタ１５０の第２のゲート電
極としての機能を有している。このとき、第２のゲート電極に対するゲート絶縁膜は絶縁
膜１１４、１１６となる。別言すると、トランジスタ１５０は酸化物半導体膜１１０、ソ
ース電極１１２ａおよびドレイン電極１１２ｂ上に設けられた絶縁膜１１４、１１６と、
絶縁膜１１４、１１６上に、酸化物半導体膜１１０と重畳する位置に設けられた酸化物半
導体膜１１１ａと、を有する。
酸化物半導体膜１１１ａは、酸化物半導体膜１１１と同時に成膜し、同時にエッチング
して、同時に形成することで、プロセス工程の増加を抑制することができる。ただし、本
発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。酸化物半導体膜１１１ａは、酸化物半
導体膜１１１とは異なる工程で形成してもよい。また、酸化物半導体膜１１１ａは、ゲー
ト電極１０４と接続されていてもよい。または、酸化物半導体膜１１１ａは、ゲート電極
１０４と接続されずに、ゲート電極１０４とは異なる信号や異なる電位が供給されていて
もよい。
なお、トランジスタ１５０において、酸化物半導体膜１１０は、チャネル領域として用
いるため、酸化物半導体膜１１１と比較して抵抗率が高い。一方で、酸化物半導体膜１１
１は電極としての機能を有するため、酸化物半導体膜１１０と比較して抵抗率が低い。酸
化物半導体膜１１０及び酸化物半導体膜１１１の抵抗率の制御方法については後述する。
タッチパネル３１０は、基板１０２上に、トランジスタ３０１、トランジスタ１５０、
接続部３０６、導電膜３１７、液晶素子３０８を構成する導電膜１２０及び酸化物半導体
膜１１１等を有する。
図８では、表示部３８１の例として、２つの画素の断面を示している。例えば、画素は
赤色を呈する画素、緑色を呈する画素、青色を呈する画素のいずれかとすることで、フル
カラーの表示を行うことができる。例えば図８に示す表示部３８１において、画素３８８
Ｒは、トランジスタ１５０と、容量素子１６０と、液晶素子３０８と、着色膜３３１Ｒと
、を有する。また画素３８８Ｇは、図示しないトランジスタと、容量素子１６０と、液晶
素子３０８と、着色膜３３１Ｇと、を有する。
また図８では、駆動回路３８２の例としてトランジスタ３０１が設けられている例を示
している。
図８では、トランジスタ３０１及びトランジスタ１５０の例として、チャネルが形成さ
れる半導体層を２つのゲート電極で挟持する構成を適用した例を示している。このような
トランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、
オン電流を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製することが
できる。さらには回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトラ
ンジスタを適用することで、表示パネルまたはタッチパネルを大型化、または高精細化し
たときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能であ
り、表示ムラを抑制することが可能である。
なお、駆動回路３８２が有するトランジスタ３０１と、表示部３８１が有するトランジ
スタ１５０は、同じ構造であってもよい。また駆動回路３８２が有する複数のトランジス
タは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いて
もよい。また、表示部３８１が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよ
いし、異なる構造のトランジスタを組み合せて用いてもよい。
図８には、液晶素子３０８にＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ
）モードが適用された液晶素子を用いた場合の例を示している。液晶素子３０８は、導電
膜１２０、液晶３５３、及び酸化物半導体膜１１１を有する。導電膜１２０と酸化物半導
体膜１１１との間に生じる電界により、液晶３５３の配向を制御することができる。
導電膜１２０は、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた上面形状（平面形状
ともいう）を有する。また、酸化物半導体膜１１１は導電膜１２０と重ねて配置されてい
る。また着色膜３３１Ｒ等と重なる領域において、酸化物半導体膜１１１上に導電膜１２
０が配置されていない部分を有する。
図８では、導電膜１２０が画素電極として機能し、酸化物半導体膜１１１がコモン電極
として機能する。なお、上層に設けられ、櫛歯状またはスリット状の上面形状を有する導
電膜１２０をコモン電極とし、下層に設けられる酸化物半導体膜１１１を画素電極として
用いてもよい（図９参照）。図９に示すタッチパネル３１０は、酸化物半導体膜１１１が
トランジスタ１５０のドレイン電極１１２ｂと電気的に接続されている。このとき、タッ
チパネル３１０が備えるタッチセンサは、導電膜３３４及び導電膜１２０を一対の電極と
して構成される。
基板１０２の端部に近い領域には、接続部３０６が設けられている。接続部３０６にお
いては、導電膜３１７が接続層３１９を介してＦＰＣ３７３と電気的に接続されている。
図８では、導電膜３１７の一部と、導電膜１２０と同一の導電膜を加工して形成した導電
膜とを積層することで接続部３０６を構成している例を示している。
基板３７２の基板１０２側の面には、着色膜３３１Ｒ、３３１Ｇ、遮光膜３３２、絶縁
膜３５５等が設けられている。また基板３７２の基板１０２と反対側の面には、導電膜３
３４、導電膜３３５、導電膜３４１等が設けられている。
導電膜３３４と導電膜３４１とは、電気的に接続されている。また、導電膜３３５は導
電膜３３４及び導電膜３４１とは絶縁されている。導電膜３３４、導電膜３４１及び導電
膜３３５は同一の導電膜を加工して同時に形成されていることが好ましい。また、導電膜
３３４と導電膜３４１とが一体であってもよい。このとき、少なくとも表示部３８１と重
なる部分が、タッチセンサの一方の電極として機能する導電膜３３４に相当し、それ以外
の部分を導電膜３４１と呼ぶこともできる。
ここで、タッチセンサを構成する電極の配置について説明する。図１０は図８に示すタ
ッチパネル３１０が有する、一対のタッチセンサ電極の上面模式図である。図１０に示す
一点鎖線Ｚ１－Ｚ２は、図８に示す表示部３８１と対応する。
タッチセンサの一方の電極である導電膜３３４はＹ方向に延在して設けられている。ま
たタッチセンサの他方の電極である酸化物半導体膜１１１はＸ方向に延在し、導電膜３３
４と交差する領域を有する。また、導電膜３３５は導電膜３３４と同一の導電膜により形
成されることが好ましいが、機能上の違いから導電膜３３４とは異なるハッチングで示し
ている。導電膜３３５を電気的にフローティングとすることで導電膜３３５を介して、導
電膜３３４及び酸化物半導体膜１１１の一方の電位の変化を他方に効率よく伝達すること
ができ、タッチセンサの検出感度を高めることができる。
着色膜３３１Ｒ、３３１Ｇ及び遮光膜３３２は、基板３７２上の基板１０２側に設けら
れている（図８参照）。また着色膜３３１Ｒ等や遮光膜３３２を覆って絶縁膜３５５が設
けられている。
絶縁膜３５５は、着色膜３３１Ｒ等や遮光膜３３２等に含まれる不純物が液晶３５３に
拡散することを防ぐオーバーコートとしての機能を有する。
スペーサ３１６は、絶縁膜１１９上に設けられ、基板１０２と基板３７２との距離を調
節する機能を有する。図８ではスペーサ３１６と基板３７２側の構造物（例えば絶縁膜３
５５等）とが接触している例を示すが、これらが接していなくてもよい。またここではス
ペーサ３１６が基板１０２側に設けられている例を示したが、基板３７２側に設けてもよ
い。例えば、隣接する２つの画素の間に配置すればよい。または、スペーサ３１６として
粒状のスペーサを用いてもよい。粒状のスペーサとしては、シリカなどの材料を用いるこ
ともできるが、有機樹脂やゴムなどの弾性を有する材料を用いることが好ましい。このと
き、粒状のスペーサは上下方向に潰れた形状となる場合がある。
なお、導電膜１２０、絶縁膜１１９、絶縁膜３５５等において、液晶３５３と接する面
には液晶３５３の配向を制御するための配向膜が設けられていてもよい。
導電膜３３４および導電膜３３５の、少なくとも着色膜３３１Ｒ等と重なる部分には透
光性を有する材料を用いることが好ましい。
また、タッチパネル３１０が透過型の液晶表示装置を含む場合、例えば図示しない偏光
板を、表示部３８１を上下に挟むように２つ配置する。偏光板よりも外側に配置されたバ
ックライトからの光は偏光板を介して入射される。このとき、導電膜１２０と酸化物半導
体膜１１１の間に与える電圧によって液晶３５３の配向を制御する。すなわち、偏光板を
介して射出される光の強度を制御することができる。またバックライトから入射される光
は着色膜によって特定の波長領域以外の光が吸収され、射出される光は例えば赤色、青色
、または緑色を呈する光となる。
また偏光板に加えて、例えば円偏光板を用いることができる。円偏光板としては、例え
ば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。円偏光板によ
り、視野角依存を低減することができる。
なお、ここでは液晶素子３０８としてＦＦＳモードが適用された素子を用いたが、これ
に限られず様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡ（Ｖｅ
ｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）
モード、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌ
ｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（
Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、
ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬ
Ｃ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が
適用された液晶素子を用いることができる。
また、タッチパネル３１０にノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（
ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置を適用してもよい。垂直配向モードとして
は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モー
ド、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、Ａ
ＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
なお、液晶素子は、液晶の光学変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子
である。なお、液晶の光学変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界
又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては
、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏ
ｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反
強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリッ
ク相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく
、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよ
い。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリ
ック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発
現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組
成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速
度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組
成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよい
のでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防
止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
本構成例においてタッチパネル３１０は、導電膜３３４と、酸化物半導体膜１１１の間
に形成される容量を利用して、タッチ動作等を検出することができる。すなわち酸化物半
導体膜１１１は、液晶素子３０８の一対の電極の一方と、タッチセンサの一対の電極の一
方と、の両方を兼ねる。
ここで、導電膜１２０または／および導電膜３３４として、可視光を透過する導電性材
料を用いることが好ましい。例えば金属酸化物を含む導電性材料を含んで構成される。例
えば、後述する透光性を有する導電性材料のうち、金属酸化物を用いることができる。
または、導電膜１２０または／および導電膜３３４は、他の導電膜や半導体層と同一の
金属元素を含む金属酸化物を用いることが好ましい。特に、タッチパネル３１０が有する
トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いた場合、これに含まれる金属元素を含む導
電性酸化物を適用することが好ましい。
また、導電膜３３４に固定電位が与えられていることで、外部から電磁的なノイズを遮
蔽することができる。例えばセンシングを行っていないとき、導電膜３３４には液晶３５
３のスイッチングに影響しない定電位を供給すればよい。例えば接地電位、共通電位、ま
たは任意の定電位を用いることができる。また例えば、導電膜３３４と酸化物半導体膜１
１１とを同電位としてもよい。
また、導電膜３３４に適切な電位を与えることにより、導電膜１２０と酸化物半導体膜
１１１との間に生じる電界の向き（電気力線の向き）のうち、厚さ方向の成分を低減し、
より効果的に厚さに対して概略垂直な方向（横方向）に電界が向くようにすることができ
る。これにより、液晶３５３の配向欠陥を抑制し、光漏れなどの不具合が生じることを防
ぐことができる。
なお、導電膜３３４、導電膜３３５および基板３７２上に、指またはスタイラスなどの
検知体が直接触れるための基板を設けてもよい。またこのとき、基板３７２と基板１０２
との間に偏光板または円偏光板を設けることが好ましい。その場合、当該基板上に保護層
（セラミックコート等）を設けることが好ましい。保護層は、例えば酸化シリコン、酸化
アルミニウム、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶
縁材料を用いることができる。また、当該基板に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラス
は、イオン交換法や風冷強化法等により物理的、または化学的な処理が施され、その表面
に圧縮応力を加えたものを用いることができる。
〔各構成要素について〕
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
｛基板｝
タッチパネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子
からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英
、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。また、シリコン
や炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等
の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導
体素子が設けられたものを、基板として用いてもよい。
なお、基板として、ガラス基板を用いる場合、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ
）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ
）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍ
ｍ）等の大面積基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。また、基
板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタや容量素子等を形成し
てもよい。
厚さの薄い基板を用いることで、タッチパネルの軽量化、薄型化を図ることができる。
さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有するタッチパネル
を実現できる。
ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホ
ウケイ酸ガラス等を用いることができる。
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げら
れる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド
樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機
樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用
することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いたタ
ッチパネルも軽量にすることができる。
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙
げた基板の他に、金属材料や合金材料を用いた金属基板、セラミック基板、または半導体
基板等を用いることもできる。金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、封止基板全体に熱
を容易に伝導できるため、タッチパネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ま
しい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下
が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニ
ッケル、又はアルミニウム合金もしくはステンレス等の合金などを好適に用いることがで
きる。
また、導電性の基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁
処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法
、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素
雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形
成してもよい。
可撓性を有する基板としては、上記材料を用いた層が、タッチパネルの表面を傷などか
ら保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の
層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等
による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜
等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等の透
水性の低い絶縁膜を有していてもよい。
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とする
と、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高いタッチパネルとすることができ
る。
例えば、表示素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した基板を用
いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましく
は２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する
高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０μｍ
以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂
層を設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させるこ
とができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、
極めて信頼性が高いフレキシブルなタッチパネルとすることができる。
｛トランジスタ｝
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電膜と、半導体層と、ソース電極として
機能する導電膜と、ドレイン電極として機能する導電膜と、ゲート絶縁膜として機能する
絶縁膜と、を有する。上記では、ボトムゲート型のトランジスタを適用した場合を示して
いる。
なお、本発明の一態様のタッチパネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない
。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしても
よい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよ
い。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、第１４族の元素、化合物半
導体又は酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半
導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
特に、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、酸化物半導体を適用することが
好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好
ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を
用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ
）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇ
ａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、またはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む。
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さ
ない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いるタッチパネルなどに、このような酸化物半導体を好適に
用いることができる。
また半導体層としてこのような酸化物半導体を用いることで、電気特性の変動が抑制さ
れ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
〈酸化物半導体膜〉
酸化物半導体膜１１０及び酸化物半導体膜１１１は、少なくともインジウム（Ｉｎ）、
亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、またはＨｆ等の
金属）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該酸化
物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタ
ビライザーを含むことが好ましい。
スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ガリウム（Ｇａ）、ス
ズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）
等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）
、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、
ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（
Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム
（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。
酸化物半導体膜１１０及び酸化物半導体膜１１１を構成する酸化物半導体として、例え
ば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、
Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓ
ｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈ
ｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
なお、ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有す
る酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺ
ｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
また、酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１１は、上記酸化物のうち、同一の
金属元素を有していてもよい。酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１１を同一の
金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成
の金属酸化物ターゲットを用いることで製造コストを低減させることができる。また同一
の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることによって、酸化物半導体膜１１０と、酸
化物半導体膜１１１を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いる
ことができる。ただし、酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１１は、同一の金属
元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作
製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
なお、酸化物半導体膜１１０がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物であるとき、ＩｎとＭの原子数比
率は、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが２５ａｔ
ｏｍｉｃ％より高く、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏ
ｍｉｃ％より高く、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。
酸化物半導体膜１１０は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以
上、より好ましくは３ｅＶ以上である。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半
導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
酸化物半導体膜１１０の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１
００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。
酸化物半導体膜１１０がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、またはＮｄ）の場合、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリング
ターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。この
ようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１
：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ
＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６等が挙げられる。なお、成膜される酸化物半
導体膜１１０の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含ま
れる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
酸化物半導体膜１１０としては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用いる。例えば
、酸化物半導体膜１１０は、キャリア密度が１×１０１７個／ｃｍ３以下、好ましくは１
×１０１５個／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３個／ｃｍ３以下、より好まし
くは１×１０１１個／ｃｍ３以下の酸化物半導体膜を用いる。
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効
果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とす
るトランジスタの半導体特性を得るために、酸化物半導体膜１１０のキャリア密度や不純
物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとする
ことが好ましい。
酸化物半導体膜１１０において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれる
と、酸化物半導体膜１１０において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、酸
化物半導体膜１１０におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：
Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃
度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下とする。
また、酸化物半導体膜１１０において、ＳＩＭＳにより得られるアルカリ金属またはア
ルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１
６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体
と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまう
ことがある。このため、酸化物半導体膜１１０のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の
濃度を低減することが好ましい。
また、酸化物半導体膜１１０に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キ
ャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を用
いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、当該酸化物半導体膜にお
いて、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、ＳＩＭＳにより得られ
る窒素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
また、酸化物半導体膜１１０は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例え
ば、後述するＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ－Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、後述する微結晶構造、また
は非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
酸化物半導体膜１１０は、例えば非晶質構造でもよい。非晶質構造の酸化物半導体膜は
、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質構造の酸化物
膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さない。
なお、酸化物半導体膜１１０が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の
領域、ＣＡＡＣ－ＯＳの領域、単結晶構造の領域の二種以上を有する混合膜であってもよ
い。また、混合膜は、例えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域
、ＣＡＡＣ－ＯＳの領域、単結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域の積層構造を有す
る場合がある。
なお、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、シリコンを用いてもよい。シリ
コンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを用い
ることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用
いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき
、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。このよ
うな多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることができる。また
極めて密に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回路を画素と同一
基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減することができる
。
｛導電膜｝
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、タッチパネルを構成する各種配
線および電極などの導電膜に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、
クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、また
はタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造と
して用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニ
ウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅
－マグネシウム－アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を
積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チ
タン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層
し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜また
は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウ
ム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成す
る三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料
を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が
高まるため好ましい。
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウ
ムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。また
は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、
コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料
を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用い
てもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光
性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることが
できる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いる
と、導電性を高めることができるため好ましい。
または、導電膜として、半導体層と同様の酸化物半導体を用いることが好ましい。この
とき導電膜が、半導体層のチャネルが形成される領域よりも低い電気抵抗を呈するように
、形成されていることが好ましい。
例えばこのような導電膜を、酸化物半導体膜１１１、１１１ａに適用することができる
。または、透光性を有する他の導電膜にも適用することができる。
｛酸化物半導体の抵抗率の制御方法｝
酸化物半導体膜１１０及び酸化物半導体膜１１１、１１１ａに用いることのできる酸化
物半導体膜は、膜中の酸素欠損及び／又は膜中の水素、水等の不純物濃度によって、抵抗
率を制御することができる半導体材料である。そのため、酸化物半導体膜１１０及び酸化
物半導体膜１１１、１１１ａへ酸素欠損及び／又は不純物濃度が増加する処理、または酸
素欠損及び／又は不純物濃度が低減する処理を選択することによって、それぞれの酸化物
半導体膜の抵抗率を制御することができる。
具体的には、容量素子１６０の電極として機能する酸化物半導体膜１１１、１１１ａに
用いる酸化物半導体膜にプラズマ処理を行い、該酸化物半導体の膜中の酸素欠損を増加さ
せる、および／または酸化物半導体の膜中の水素、水等の不純物を増加させることによっ
て、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜とすることができる。また、酸化
物半導体膜に水素を含む絶縁膜を接して形成し、該水素を含む絶縁膜、例えば絶縁膜１１
８から酸化物半導体膜に水素を拡散させることによって、キャリア密度が高く、抵抗率が
低い酸化物半導体膜とすることができる。酸化物半導体膜１１１、１１１ａは、上記によ
うに膜中の酸素欠損を増加させる、または水素を拡散させる工程の前においては半導体と
しての機能を有し、該工程の後においては、導電体としての機能を有する。
なお、プラズマ処理を行い酸化物半導体膜中の酸素欠損を増加させる際に、膜厚が大き
いと、膜中における酸素欠損の増加に偏りが生じる場合がある。また、絶縁膜から酸化物
半導体膜へ水素を拡散させる際に、膜厚が大きいと、膜中における水素や水等の不純物の
増加に偏りが生じる場合がある。その結果、酸化物半導体膜の底面付近の抵抗率が、膜の
上面付近の抵抗率よりも高くなってしまう場合がある。よって、このような偏りが生じる
と、酸化物半導体膜の抵抗率が十分に低い場合でも、該酸化物半導体膜が底面側から配線
等の導電膜と電気的に接続される場合に該酸化物半導体膜と該導電膜の接触抵抗が増大し
てしまう場合がある。一方で、酸化物半導体膜は導電膜として機能する程度に膜厚が大き
い必要がある。以上のことから、酸化物半導体膜１１１、１１１ａの膜厚は、膜の厚さ方
向において抵抗率に偏りが生じない程度の厚さであることが好ましい。具体的には、３０
ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることがさ
らに好ましい。
一方、トランジスタ１５０のチャネル領域として機能する酸化物半導体膜１１０は、絶
縁膜１０７、１１４、１１６を設けることによって、水素を含む絶縁膜１０６、１１８と
接しない構成とする。絶縁膜１０７、１１４、１１６の少なくとも一つに酸素を含む絶縁
膜、別言すると、酸素を放出することが可能な絶縁膜を適用することで、酸化物半導体膜
１１０に酸素を供給することができる。酸素が供給された酸化物半導体膜１１０は、膜中
または界面の酸素欠損が補填され抵抗率が高い酸化物半導体膜となる。なお、酸素を放出
することが可能な絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜
を用いることができる。
また、抵抗率が低い酸化物半導体膜を得るために、イオン注入法、イオンドーピング法
、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リ
ン、または窒素を酸化物半導体膜に注入してもよい。
また、抵抗率が低い酸化物半導体膜を得るために、該酸化物半導体膜にプラズマ処理を
行ってもよい。例えば、該プラズマ処理としては、代表的には、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いたプラズ
マ処理が挙げられる。より具体的には、Ａｒ雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒと水素の混
合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、アンモニア雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒとアンモ
ニアの混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、または窒素雰囲気下でのプラズマ処理などが
挙げられる。
上記プラズマ処理によって、酸化物半導体膜は、酸素が脱離した格子（または酸素が脱
離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損は、キャリアを発生する要因になる場合
がある。また、酸化物半導体膜の近傍、より具体的には、酸化物半導体膜の下側または上
側に接する絶縁膜から水素が供給されると、上記酸素欠損と水素が結合することで、キャ
リアである電子を生成する場合がある。
一方、酸素欠損が補填され、水素濃度が低減された酸化物半導体膜は、高純度真性化、
又は実質的に高純度真性化された酸化物半導体膜といえる。ここで、実質的に真性とは、
酸化物半導体膜のキャリア密度が、８×１０１１個／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１
１／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１０個／ｃｍ３未満であることを指す。高純
度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、キャリア発生源が少ないため
、キャリア密度を低くすることができる。また、高純度真性または実質的に高純度真性で
ある酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度を低減することがで
きる。
また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、オフ電流が著し
く小さく、チャネル幅が１×１０６μｍでチャネル長が１０μｍの素子であっても、ソー
ス電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ
電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０－１３Ａ以下と
いう特性を得ることができる。したがって、上述した高純度真性または実質的に高純度真
性である酸化物半導体膜を用いる酸化物半導体膜１１０をチャネル領域に用いるトランジ
スタ１５０は、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。
絶縁膜１１８として、例えば、水素を含む絶縁膜、別言すると水素を放出することが可
能な絶縁膜、代表的には窒化シリコン膜を用いることで、酸化物半導体膜１１１に水素を
供給することができる。水素を放出することが可能な絶縁膜としては、膜中の含有水素濃
度が１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であると好ましい。このような絶縁膜を酸化物
半導体膜１１１、１１１ａに接して形成することで、酸化物半導体膜１１１，１１１ａに
効果的に水素を含有させることができる。このように、酸化物半導体膜１１０及び酸化物
半導体膜１１１、１１１ａに接する絶縁膜の構成を変えることによって、酸化物半導体膜
の抵抗率を制御することができる。なお、絶縁膜１０６として、絶縁膜１１８と同様の材
料を用いてもよい。絶縁膜１０６として窒化シリコンを用いることで、絶縁膜１０７から
放出される酸素がゲート電極１０４に供給され、酸化されることを抑制できる。
酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に
、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損
に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が
金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。
したがって、水素が含まれている絶縁膜と接して設けられた酸化物半導体膜１１１は、酸
化物半導体膜１１０よりもキャリア密度の高い酸化物半導体膜となる。
トランジスタ１５０のチャネル領域が形成される酸化物半導体膜１１０は、水素ができ
る限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜１１０において、Ｓ
ＩＭＳにより得られる水素濃度を、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５
×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０
１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
一方、容量素子１６０の電極として機能する酸化物半導体膜１１１、及びトランジスタ
１５０の第２のゲート電極として機能する酸化物半導体膜１１１ａは、酸化物半導体膜１
１０よりも水素濃度及び／又は酸素欠損量が多く、抵抗率が低い酸化物半導体膜である。
酸化物半導体膜１１１、１１１ａに含まれる水素濃度は、８×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３以上、好ましくは１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、より好ましくは５×１０２０
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。また、酸化物半導体膜１１０と比較して、酸化物半導体
膜１１１、１１１ａに含まれる水素濃度は２倍以上、好ましくは１０倍以上である。また
、酸化物半導体膜１１１、１１１ａの抵抗率が、酸化物半導体膜１１０の抵抗率の１×１
０－８倍以上１×１０－１倍未満であることが好ましく、代表的には１×１０－３Ωｃｍ
以上１×１０４Ωｃｍ未満、さらに好ましくは、抵抗率が１×１０－３Ωｃｍ以上１×１
０－１Ωｃｍ未満であるとよい。
〈絶縁膜〉
トランジスタ１５０のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０６、１０７としては、プ
ラズマＣＶＤ（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ス
パッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジ
ルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜
、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、それぞれ用いることが
できる。なお、絶縁膜１０６、１０７の積層構造とせずに、上述の材料から選択された単
層の絶縁膜を用いてもよい。
絶縁膜１０６は、酸素の透過を抑制するブロッキング膜としての機能を有する。例えば
、絶縁膜１０７、１１４、１１６及び／または酸化物半導体膜１１０中に過剰の酸素を供
給する場合において、絶縁膜１０６は酸素の透過を抑制することができる。
なお、トランジスタ１５０のチャネル領域として機能する酸化物半導体膜１１０と接す
る絶縁膜１０７は、酸化物絶縁膜であることが好ましく、化学量論的組成よりも過剰に酸
素を含有する領域（酸素過剰領域）を有することがより好ましい。別言すると、絶縁膜１
０７は、酸素を放出することが可能な絶縁膜である。なお、絶縁膜１０７に酸素過剰領域
を設けるには、例えば、酸素雰囲気下にて絶縁膜１０７を形成すればよい。または、成膜
後の絶縁膜１０７に酸素を導入して、酸素過剰領域を形成してもよい。酸素の導入方法と
しては、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラ
ズマ処理等を用いることができる。
また、絶縁膜１０６、１０７として、酸化ハフニウムを用いる場合、以下の効果を奏す
る。酸化ハフニウムは、酸化シリコンや酸化窒化シリコンと比べて比誘電率が高い。した
がって、酸化シリコンを用いた場合と比べて、絶縁膜１０６、１０７の膜厚を大きくでき
るため、トンネル電流によるリーク電流を小さくすることができる。すなわち、オフ電流
の小さいトランジスタを実現することができる。さらに、結晶構造を有する酸化ハフニウ
ムは、非晶質構造を有する酸化ハフニウムと比べて高い比誘電率を備える。したがって、
オフ電流の小さいトランジスタとするためには、結晶構造を有する酸化ハフニウムを用い
ることが好ましい。結晶構造の例としては、単斜晶系や立方晶系などが挙げられる。ただ
し、本発明の一態様は、これらに限定されない。
なお、本実施の形態では、絶縁膜１０６として窒化シリコン膜を形成し、絶縁膜１０７
として酸化シリコン膜を形成する。窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比較して比誘電
率が高く、酸化シリコン膜と同等の静電容量を得るのに必要な膜厚が大きいため、トラン
ジスタ１５０のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０８として、窒化シリコン膜を含む
ことで絶縁膜を物理的に厚膜化することができる。よって、トランジスタ１５０の絶縁耐
圧の低下を抑制、さらには絶縁耐圧を向上させて、トランジスタ１５０の静電破壊を抑制
することができる。
〈保護絶縁膜〉
トランジスタ１５０の保護絶縁膜として機能する絶縁膜１１４、１１６、１１８として
は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸
化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネ
シウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜
を、それぞれ用いることができる。
また、トランジスタ１５０のチャネル領域として機能する酸化物半導体膜１１０と接す
る絶縁膜１１４は、酸化物絶縁膜であることが好ましく、酸素を放出することが可能な絶
縁膜を用いる。酸素を放出することが可能な絶縁膜を別言すると、化学量論的組成よりも
過剰に酸素を含有する領域（酸素過剰領域）を有する絶縁膜である。なお、絶縁膜１１４
に酸素過剰領域を設けるには、例えば、酸素雰囲気下にて絶縁膜１１４を形成すればよい
。または、成膜後の絶縁膜１１４に酸素を導入して、酸素過剰領域を形成してもよい。酸
素の導入方法としては、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオ
ン注入法、プラズマ処理等を用いることができる。
絶縁膜１１４として、酸素を放出することが可能な絶縁膜を用いることで、トランジス
タ１５０のチャネル領域として機能する酸化物半導体膜１１０に酸素を移動させ、酸化物
半導体膜１１０の酸素欠損量を低減することが可能となる。例えば、昇温脱離ガス分析（
以下、ＴＤＳ分析とする。）によって測定される，膜の表面温度が１００℃以上７００℃
以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲における酸素分子の放出量が、１．０×１
０１８分子／ｃｍ３以上ある絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜１１０に含まれる酸
素欠損量を低減することができる。
また、絶縁膜１１４は、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定によ
り、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度
が３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることが好ましい。これは、絶縁膜１１４に
含まれる欠陥密度が多いと、当該欠陥に酸素が結合してしまい、絶縁膜１１４における酸
素の透過量が減少してしまうためである。また、絶縁膜１１４と酸化物半導体膜１１０と
の界面における欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、酸化物
半導体膜１１０の欠陥に由来するｇ値が１．８９以上１．９６以下に現れる信号のスピン
密度が１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、さらには検出下限以下であることが好まし
い。
なお、絶縁膜１１４においては、外部から絶縁膜１１４に入った酸素が全て絶縁膜１１
４の外部に移動する場合がある。または、外部から絶縁膜１１４に入った酸素の一部が、
絶縁膜１１４にとどまる場合もある。また、外部から絶縁膜１１４に酸素が入ると共に、
絶縁膜１１４に含まれる酸素が絶縁膜１１４の外部へ移動することで、絶縁膜１１４にお
いて酸素の移動が生じる場合もある。絶縁膜１１４として酸素を透過することができる酸
化物絶縁膜を形成すると、絶縁膜１１４上に設けられる、絶縁膜１１６から脱離する酸素
を、絶縁膜１１４を介して酸化物半導体膜１１０に移動させることができる。
また、絶縁膜１１４は、窒素酸化物に起因する準位密度が低い酸化物絶縁膜を用いて形
成することができる。なお、当該窒素酸化物に起因する準位密度は、酸化物半導体膜の価
電子帯の上端のエネルギー（ＥＶ＿ＯＳ）と、酸化物半導体膜の伝導帯下端のエネルギー
（ＥＣ＿ＯＳ）との間に形成され得る場合がある。上記酸化物絶縁膜として、窒素酸化物
の放出量が少ない酸化窒化シリコン膜、または窒素酸化物の放出量が少ない酸化窒化アル
ミニウム膜等を用いることができる。
なお、窒素酸化物の放出量の少ない酸化窒化シリコン膜は、ＴＤＳ分析において、窒素
酸化物の放出量よりアンモニアの放出量が多い膜であり、代表的にはアンモニア分子の放
出量が１×１０１８分子／ｃｍ３以上５×１０１９分子／ｃｍ３以下である。なお、アン
モニアの放出量は、膜の表面温度が５０℃以上６５０℃以下、好ましくは５０℃以上５５
０℃以下の加熱処理による放出量とする。
窒素酸化物（ＮＯｘ、ｘは０より大きく２以下、好ましくは１以上２以下）、代表的に
はＮＯ２またはＮＯは、絶縁膜１１４などに準位を形成する。当該準位は、酸化物半導体
膜１１０のエネルギーギャップ内に位置する。そのため、窒素酸化物が、絶縁膜１１４及
び酸化物半導体膜１１０の界面に拡散すると、当該準位が絶縁膜１１４側において電子を
トラップする場合がある。この結果、トラップされた電子が、絶縁膜１１４及び酸化物半
導体膜１１０界面近傍に留まるため、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフト
させてしまう。
また、窒素酸化物は、加熱処理においてアンモニア及び酸素と反応する。絶縁膜１１４
に含まれる窒素酸化物は、加熱処理において、絶縁膜１１６に含まれるアンモニアと反応
するため、絶縁膜１１４に含まれる窒素酸化物が低減される。このため、絶縁膜１１４及
び酸化物半導体膜１１０の界面において、電子がトラップされにくい。
絶縁膜１１４として、上記酸化物絶縁膜を用いることで、トランジスタのしきい値電圧
のシフトを低減することが可能であり、トランジスタの電気特性の変動を低減することが
できる。
なお、トランジスタの作製工程の加熱処理、代表的には４００℃未満または３７５℃未
満（好ましくは、３４０℃以上３６０℃以下）の加熱処理により、絶縁膜１１４は、１０
０Ｋ以下のＥＳＲで測定して得られたスペクトルにおいてｇ値が２．０３７以上２．０３
９以下の第１のシグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及び
ｇ値が１．９６４以上１．９６６以下の第３のシグナルが観測される。なお、第１のシグ
ナル及び第２のシグナルのスプリット幅、並びに第２のシグナル及び第３のシグナルのス
プリット幅は、ＸバンドのＥＳＲ測定において約５ｍＴである。また、ｇ値が２．０３７
以上２．０３９以下の第１のシグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシ
グナル、及びｇ値が１．９６４以上１．９６６以下の第３のシグナルのスピンの密度の合
計が１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満であり、代表的には１×１０１７ｓｐｉｎｓ／
ｃｍ３以上１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満である。
なお、１００Ｋ以下のＥＳＲスペクトルにおいてｇ値が２．０３７以上２．０３９以下
の第１シグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１
．９６４以上１．９６６以下の第３のシグナルは、窒素酸化物（ＮＯｘ、ｘは０より大き
く２以下、好ましくは１以上２以下）起因のシグナルに相当する。窒素酸化物の代表例と
しては、一酸化窒素、二酸化窒素等がある。即ち、ｇ値が２．０３７以上２．０３９以下
の第１のシグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が
１．９６４以上１．９６６以下の第３のシグナルのスピンの密度の合計が少ないほど、酸
化物絶縁膜に含まれる窒素酸化物の含有量が少ないといえる。
また、上記酸化物絶縁膜は、ＳＩＭＳで測定される窒素濃度が６×１０２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以下である。
基板温度が２２０℃以上３５０℃以下であり、シラン及び一酸化二窒素を用いたＰＥＣ
ＶＤ法を用いて、上記酸化物絶縁膜を形成することで、緻密であり、且つ硬度の高い膜を
形成することができる。
絶縁膜１１４に接するように形成される絶縁膜１１６は、化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形成する。化学量論的組成を満たす酸素よ
りも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する。化学量論的組
成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換
算しての酸素の放出量が１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは３．０×
１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である酸化物絶縁膜である。なお、上記ＴＤＳにおける
膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範
囲が好ましい。
また、絶縁膜１１６は、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定によ
り、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度
が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、更には１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以
下であることが好ましい。なお、絶縁膜１１６は、絶縁膜１１４と比較して酸化物半導体
膜１１０から離れているため、絶縁膜１１４より、欠陥密度が多くともよい。
絶縁膜１１４の厚さは、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以
下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１１６の厚さは、
３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることがで
きる。
また、絶縁膜１１４、１１６は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁
膜１１４と絶縁膜１１６の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の
形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面は、破線で図示している。なお、本
実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の２層構造について説明したが、こ
れに限定されず、例えば、絶縁膜１１４の単層構造、絶縁膜１１６の単層構造、または３
層以上の積層構造としてもよい。
容量素子１６０の誘電体膜として機能する絶縁膜１１８としては、窒化物絶縁膜である
ことが好ましい。特に窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比較して比誘電率が高く、酸
化シリコン膜と同等の静電容量を得るのに必要な膜厚が大きいため、容量素子１６０の誘
電体膜として機能する絶縁膜１１８として、窒化シリコン膜を含むことで絶縁膜を物理的
に厚膜化することができる。よって、容量素子１６０の絶縁耐圧の低下を抑制、さらには
絶縁耐圧を向上させて、容量素子１６０の静電破壊を抑制することができる。なお、絶縁
膜１１８は、容量素子１６０の電極として機能する酸化物半導体膜１１１の抵抗率を低下
させる機能も有する。
また、絶縁膜１１８は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等をブロッ
キングできる機能を有する。絶縁膜１１８を設けることで、酸化物半導体膜１１０からの
酸素の外部への拡散と、絶縁膜１１４、１１６に含まれる酸素の外部への拡散と、外部か
ら酸化物半導体膜１１０への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。なお、酸素、水
素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキング効果を有する窒化物絶縁膜の
代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜を設けてもよい。
酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム
、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒
化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
平坦膜、オーバーコート、スペーサ等に用いることのできる絶縁材料としては、例えば
、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸
化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材
料を用いることができる。
｛接着層｝
接着層としては、熱硬化樹脂や光硬化樹脂、２液混合型の硬化性樹脂などの硬化性樹脂
を用いることができる。例えば、アクリル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、またはシ
ロキサン結合を有する樹脂などを用いることができる。
｛接続層｝
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
｛着色膜｝
着色膜に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含
まれた樹脂材料などが挙げられる。
以上が各構成要素についての説明である。
〔断面構成例２〕
図１１には、上記構成例とは一部の構成の異なるタッチパネルの断面構成例について示
している。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する
。
図１１は、基板３７２の表示面側に導電膜３３４、３３５、３４１及びＦＰＣ３７５を
設けない構成である。液晶素子３０８のコモン電極として機能する酸化物半導体膜１１１
が、タッチセンサの一対の電極としても機能する。具体的には、一方向に延在する酸化物
半導体膜１１１ｂと、酸化物半導体膜１１１ｂと直交する方向に延在する導電膜１０４ａ
と電気的に接続される酸化物半導体膜１１１ｃとが、タッチセンサの一対の電極として機
能する。このような構成とすることで、図８に示す構成よりもさらに工程を簡略化するこ
とができる。なお、酸化物半導体膜１１１ｃは、絶縁膜１０８、１１４、１１６に設けら
れた開口３３３を介して導電膜１０４ａと電気的に接続される。また導電膜１０４ａは、
ゲート電極１０４と同様の材料を用いて同時に形成される。
ここで、タッチセンサを構成する電極の配置について説明する。図１２（Ａ）は図１１
に示すタッチパネル３１０が有する、一対のタッチセンサ電極の上面模式図である。図１
２（Ａ）に示す一点鎖線Ｚ３－Ｚ４は、図１１に示す表示部３８１と対応する。
タッチセンサの一方の電極である酸化物半導体膜１１１ｂはＹ方向に延在して設けられ
ている。またタッチセンサの他方の電極である酸化物半導体膜１１１ｃは、開口３３３を
介して導電膜１０４ａと電気的に接続される。導電膜１０４ａはＸ方向に延在し、酸化物
半導体膜１１１ｂと交差する領域を有する。
また、一方向に延在する導電膜として、導電膜１０４ａの代わりにソース電極１１２ａ
およびドレイン電極１１２ｂと同様の材料を用いて同時に形成される導電膜１１２を適用
してもよい（図１２（Ｂ）参照）。なお、図１２（Ｂ）において、酸化物半導体膜１１１
ｂがＸ方向に延在し、導電膜１１２がＹ方向に延在する例を示している。酸化物半導体膜
１１１ｃは、絶縁膜１１８（図示しない）に設けられる開口３３６を介して導電膜１１２
と電気的に接続される。
〔他の構成例〕
なお本発明の一態様は上記で例示した構成に限られず、様々な構成をとることができる
。
〈周辺回路〉
周辺回路は、一体形成しない構成とすることができる。すなわち、タッチセンサを駆動
する回路と、画素を駆動する回路とを、それぞれ別に形成することができる。なお、これ
らの機能を一つの回路で実現してもよい。
また、タッチセンサのＸ方向の導電膜またはＹ方向の導電膜（電極）のうち、一方の導
電膜の選択を行うドライバ回路をＴＦＴで一体形成することもできる。
またタッチセンサを駆動する回路は、画素を駆動するゲートドライバ側、またはソース
ドライバ側のいずれに配置してもよい。
また、タッチセンサのＸ方向の導電膜またはＹ方向の導電膜（電極）と電気的に接続す
る２つの回路のうち、検出する機能を有する回路としてはＩＣを用いることが好ましい。
このとき、当該導電膜はＦＰＣを介して当該ＩＣで制御することが好ましい。
〈タッチセンサの導電膜（電極）の材質〉
タッチセンサを構成する一対の導電膜は、液晶素子を構成するコモン電極や画素電極な
どと同じ材料を用いることが好ましい。
または、メッシュ状に加工された金属膜（メタルメッシュともいう）で構成してもよい
。
また、タッチセンサのＸ方向の導電膜またはＹ方向の導電膜（電極）の少なくとも一つ
は、その直下または直上に金属膜を設けることで、抵抗を下げることができる。このとき
、金属酸化物を含む導電膜と、金属を含む導電膜の積層構造とする場合には、ハーフトー
ンマスクを用いたパターニング技術により形成すると、工程を簡略化できるため好ましい
。
〈タッチセンサの導電膜（電極）を接続する配線〉
タッチセンサのＸ方向の導電膜とＹ方向の導電膜が交差する部分において、他の導電膜
を用いてブリッジ構造を実現する場合、例えば、当該導電膜をトランジスタのゲート電極
と同一面上の導電膜とし、Ｘ方向の導電膜をゲート線と平行に横方向に画素全体で引き回
す。または、当該導電膜をトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一面上の導電
膜とし、Ｙ方向の導電膜をソース線と平行に、縦方向に画素全体で引き回す。このとき、
画素内にコンタクト部を形成する。または、当該導電膜をコモン電極として機能する導電
膜と同一の導電膜、または画素電極として機能する導電膜と同一面上の導電膜を用いても
よい。
〈タッチセンサの導電膜（電極）や液晶素子の導電膜（電極）〉
上部に配置されるスリットを有する導電膜（電極）を画素電極として用い、下部に配置
され、複数の画素にわたって設けられる導電膜（電極）をコモン電極（共通電極ともいう
）として用いることができる。
または、上部に配置され、複数の画素にわたって設けられるスリットを有する導電膜（
電極）をコモン電極として用い、下部に配置される導電膜（電極）を画素電極として用い
ることができる。
タッチセンサのＸ方向の導電膜を、画素電極として機能する導電膜、またはコモン電極
として機能する導電膜と兼ねる構成とすることができる。
または、タッチセンサのＹ方向の導電膜を、画素電極として機能する導電膜、またはコ
モン電極として機能する導電膜と兼ねる構成とすることができる。
また、タッチセンサのＸ方向の導電膜をパルス電圧が与えられる導電膜または電流の検
出を行う導電膜のいずれとしてもよい。またこのとき、タッチセンサのＹ方向の導電膜は
他方にすればよい。
また、コモン電極として機能する導電膜は、複数の画素にわたって設けられる構成とし
てもよいし、例えばトランジスタのゲート電極と同一面上の導電膜により形成された共通
配線と電気的に接続されていてもよい。このとき、１つのコモン電極として機能する導電
膜は島状の形状を有していてもよい。
〈対向基板〉
トランジスタ等が設けられる基板と対向して設けられる基板（対向基板ともいう）にタ
ッチセンサのＸ方向の導電膜またはＹ方向の導電膜を設ける場合、当該導電膜よりも視認
側に遮光膜を配置することが好ましい。
また、対向基板にＴＮモード、ＭＶＡモード等の液晶素子の一方の電極を形成する場合
、対向基板に設けられるタッチセンサの導電膜と重なる部分には、当該電極にスリットを
設けることが好ましい。
また、ＦＦＳモードやＩＰＳモード等のように、一対の電極をトランジスタ等が設けら
れる基板上に形成する場合であっても、対向基板に液晶の配向を制御する導電膜を設けて
もよい。このときも同様に、当該導電膜には、タッチセンサの導電膜と重なる部分にスリ
ットを設けることが好ましい。
〈駆動方法〉
タッチセンサの駆動方法としては、例えば画素の駆動における１水平期間（１ゲート選
択期間）の隙間で、対応する行のセンシング（走査）をする方法を用いることができる。
または、１フレーム期間を２つに分け、前半で全画素の書き込みを行い、後半でセンシン
グしてもよい。
〔トランジスタ及び容量素子等の作製方法〕
次に、図８に示すタッチパネル３１０が有するトランジスタ１５０、容量素子１６０及
び液晶素子３０８を構成する一対の電極（酸化物半導体膜１１１及び導電膜１２０）の作
製方法の一例について、図２５乃至図２８を用いて説明する。
まず、基板１０２上にゲート電極１０４を形成する。その後、基板１０２、及びゲート
電極１０４上に絶縁膜１０６、１０７を含む絶縁膜１０８を形成する（図２５（Ａ）参照
）。
なお、基板１０２、ゲート電極１０４、及び絶縁膜１０６、１０７としては、上述の列
挙した材料の中から選択することで形成できる。なお、本実施の形態においては、基板１
０２としてはガラス基板を用い、ゲート電極１０４としては、導電膜としてタングステン
膜を用い、絶縁膜１０６としては、水素を放出することが可能な窒化シリコン膜を用い、
絶縁膜１０７としては、酸素を放出することが可能な酸化窒化シリコン膜を用いる。
ゲート電極１０４は、基板１０２上に導電膜を成膜後、該導電膜の所望の領域が残るよ
うにパターニングし、その後不要な領域をエッチングすることで形成できる。
次に、絶縁膜１０８上のゲート電極１０４と重畳する位置に酸化物半導体膜１１０を形
成する（図２５（Ｂ）参照）。
酸化物半導体膜１１０としては、上述の列挙した材料の中から選択することで形成でき
る。なお、本実施の形態においては、酸化物半導体膜１１０としては、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ
酸化物膜（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２［原子数比］の金属酸化物ターゲットを使
用。）を用いる。
また、酸化物半導体膜１１０は、絶縁膜１０８上に酸化物半導体膜を成膜後、該酸化物
半導体膜の所望の領域が残るようにパターニングし、その後不要な領域をエッチングする
ことで形成できる。
酸化物半導体膜１１０を形成後、熱処理を行うと好ましい。該熱処理は、２５０℃以上
６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下、より好ましくは３５０℃以上４５
０℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または
減圧雰囲気で行えばよい。また、熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で熱処理を行った
後に、酸化物半導体膜１１０から脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上
含む雰囲気で行ってもよい。ここでの熱処理によって、絶縁膜１０６、１０７、及び酸化
物半導体膜１１０の少なくとも１つから水素や水などの不純物を除去することができる。
なお、該熱処理は、酸化物半導体膜１１０を島状に加工する前に行ってもよい。
なお、酸化物半導体膜１１０をチャネル領域とするトランジスタ１５０に安定した電気
特性を付与するためには、酸化物半導体膜１１０中の不純物を低減し、酸化物半導体膜１
１０を真性または実質的に真性にすることが有効である。
次に、絶縁膜１０８、及び酸化物半導体膜１１０上に導電膜を成膜し、該導電膜の所望
の領域が残るようにパターニングし、その後不要な領域をエッチングすることで、絶縁膜
１０８及び酸化物半導体膜１１０上にソース電極１１２ａ、及びドレイン電極１１２ｂを
形成する（図２５（Ｃ）参照）。
ソース電極１１２ａ、及びドレイン電極１１２ｂとしては、上述の列挙した材料の中か
ら選択することで形成できる。なお、本実施の形態においては、ソース電極１１２ａ、及
びドレイン電極１１２ｂとしては、タングステン膜と、アルミニウム膜と、チタン膜との
３層の積層構造を用いる。
また、ソース電極１１２ａ、及びドレイン電極１１２ｂの形成後に、酸化物半導体膜１
１０の表面を洗浄してもよい。当該洗浄方法としては、例えば、リン酸等の薬液を用いた
洗浄が挙げられる。リン酸等の薬液を用いて洗浄を行うことで、酸化物半導体膜１１０の
表面に付着した不純物（例えば、ソース電極１１２ａ、及びドレイン電極１１２ｂに含ま
れる元素等）を除去することができる。なお、当該洗浄を必ずしも行う必要はなく、場合
によっては、洗浄を行わなくてもよい。
また、ソース電極１１２ａ、及びドレイン電極１１２ｂを形成する工程、及び上記洗浄
工程のいずれか一方または双方において、酸化物半導体膜１１０のソース電極１１２ａ、
及びドレイン電極１１２ｂから露出した領域が、薄くなる場合がある。
次に、絶縁膜１０８、酸化物半導体膜１１０、ソース電極１１２ａ、及びドレイン電極
１１２ｂ上に絶縁膜１１４、１１６を形成する。そして、絶縁膜１１４、１１６の所望の
領域が残るようにパターニングし、その後不要な領域をエッチングすることで開口１４１
を形成する（図２５（Ｄ）参照）。
なお、絶縁膜１１４を形成した後、大気に曝すことなく、連続的に絶縁膜１１６を形成
することが好ましい。絶縁膜１１４を形成後、大気開放せず、原料ガスの流量、圧力、高
周波電力及び基板温度の一以上を調整して、絶縁膜１１６を連続的に形成することで、絶
縁膜１１４と絶縁膜１１６との界面において大気成分由来の不純物濃度を低減することが
できるとともに、絶縁膜１１４、１１６に含まれる酸素を酸化物半導体膜１１０に移動さ
せることが可能となり、酸化物半導体膜１１０の酸素欠損量を低減することが可能となる
。
また、絶縁膜１１６の形成工程において、絶縁膜１１４が酸化物半導体膜１１０の保護
膜となる。したがって、酸化物半導体膜１１０へのダメージを低減しつつ、パワー密度の
高い高周波電力を用いて絶縁膜１１６を形成することができる。
絶縁膜１１４、１１６としては、上述の列挙した材料の中から選択することで形成でき
る。なお、本実施の形態においては、絶縁膜１１４、１１６としては、酸素を放出するこ
とが可能な酸化窒化シリコン膜を用いる。
また、絶縁膜１１４、１１６を成膜した後に、加熱処理（以下、第１の加熱処理とする
）を行うと好適である。第１の加熱処理により、絶縁膜１１４、１１６に含まれる窒素酸
化物を低減することができる。または、第１の加熱処理により、絶縁膜１１４、１１６に
含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜１１０に移動させ、酸化物半導体膜１１０に含まれ
る酸素欠損量を低減することができる。
第１の加熱処理の温度は、代表的には、４００℃未満、好ましくは３７５℃未満、さら
に好ましくは、１５０℃以上３５０℃以下とする。第１の加熱処理は、窒素、酸素、超乾
燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１０
ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の雰囲気下で行えばよい。
なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水等が含まれないことが好ま
しい。該加熱処理には、電気炉、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）
装置等を用いることができる。
開口１４１としては、ドレイン電極１１２ｂが露出するように形成する。開口１４１の
形成方法としては、例えば、ドライエッチング法を用いることができる。ただし、開口１
４１の形成方法としては、これに限定されず、ウエットエッチング法、またはドライエッ
チング法とウエットエッチング法を組み合わせた形成方法としてもよい。なお、開口１４
１を形成するためのエッチング工程によって、ドレイン電極１１２ｂの膜厚が減少する場
合がある。
次に、開口１４１を覆うように、絶縁膜１１６上に酸化物半導体膜１１１、１１１ａと
なる酸化物半導体膜を形成する（図２６（Ａ）、（Ｂ）参照）。
なお、図２６（Ａ）は、絶縁膜１１６上に酸化物半導体膜を形成する際の、成膜装置内
部の断面模式図である。図２６（Ａ）では、成膜装置としてスパッタリング装置を用い、
当該スパッタリング装置内部に設置されたターゲット１９３と、ターゲット１９３の下方
に形成されたプラズマ１９４とが、模式的に表されている。
まず、酸化物半導体膜を形成する際に、酸素ガスを含む雰囲気にてプラズマを放電させ
る。その際に、酸化物半導体膜の被形成面となる絶縁膜１１６中に、酸素が添加される。
また、酸化物半導体膜を形成する際に、酸素ガスの他に、不活性ガス（例えば、ヘリウム
ガス、アルゴンガス、キセノンガスなど）を混合させてもよい。例えば、アルゴンガスと
、酸素ガスと、を用い、アルゴンガスの流量よりも酸素ガスの流量を多くするのが好まし
い。酸素ガスの流量を多くすることで、好適に絶縁膜１１６に酸素を添加することができ
る。一例としては、酸化物半導体膜の形成条件としては、成膜ガス全体に占める酸素ガス
の割合を、５０％以上１００％以下、好ましくは、８０％以上１００％以下とすればよい
。
なお、図２６（Ａ）において、絶縁膜１１６に添加される酸素または過剰酸素を模式的
に破線の矢印で表している。
また、酸化物半導体膜を成膜する際の基板温度としては、室温以上３４０℃未満、好ま
しくは室温以上３００℃以下、より好ましくは１００℃以上２５０℃以下、さらに好まし
くは１００℃以上２００℃以下である。酸化物半導体膜を加熱して成膜することで、酸化
物半導体膜の結晶性を高めることができる。一方で、基板１０２として、大型のガラス基
板（例えば、第６世代乃至第１０世代）を用いる場合、酸化物半導体膜を成膜する際の基
板温度を１５０℃以上３４０℃未満とした場合、基板１０２が変形する（歪むまたは反る
）場合がある。よって、大型のガラス基板を用いる場合においては、酸化物半導体膜の成
膜する際の基板温度を１００℃以上１５０℃未満とすることで、ガラス基板の変形を抑制
することができる。
該酸化物半導体膜としては、上述の列挙した材料の中から選択することで形成できる。
本実施の形態では、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３
：６［原子数比］）を用いて、スパッタリング法により酸化物半導体膜を形成する。
次に、該酸化物半導体を所望の形状に加工することで、島状の酸化物半導体膜１１１、
１１１ａを形成する（図２６（Ｃ）参照）。
酸化物半導体膜１１１、１１１ａは、絶縁膜１１６上に酸化物半導体膜を成膜後、該酸
化物半導体膜の所望の領域が残るようにパターニングし、その後不要な領域をエッチング
することで形成できる。
次に、絶縁膜１１６、及び酸化物半導体膜１１１、１１１ａ上に絶縁膜１１８を形成す
る（図２７（Ａ）参照）。
絶縁膜１１８は、水素及び窒素のいずれか一方または双方を有する。絶縁膜１１８とし
ては、例えば、窒化シリコン膜を用いると好適である。また、絶縁膜１１８としては、例
えば、スパッタリング法またはＰＥＣＶＤ法を用いて形成することができる。例えば、絶
縁膜１１８をＰＥＣＶＤ法で成膜する場合、基板温度は４００℃未満、好ましくは３７５
℃未満、さらに好ましくは１８０℃以上３５０℃以下である。絶縁膜１１８を成膜する場
合の基板温度を、上述の範囲にすることで、緻密な膜を形成できるため好ましい。また、
絶縁膜１１８を成膜する場合の基板温度を、上述の範囲にすることで、絶縁膜１１４、１
１６中の酸素または過剰酸素を、酸化物半導体膜１１０に移動させることが可能となる。
また、絶縁膜１１８の形成後に、先に記載の第１の加熱処理と同等の加熱処理（以下、
第２の加熱処理とする）を行ってもよい。このように、酸化物半導体膜１１１、１１１ａ
となる酸化物半導体膜の成膜の際に絶縁膜１１６に酸素を添加した後に、４００℃未満、
好ましくは３７５℃未満、さらに好ましくは１８０℃以上３５０℃以下の温度で、加熱処
理を行うことで、絶縁膜１１６中の酸素または過剰酸素を酸化物半導体膜１１０中に移動
させ、酸化物半導体膜１１０中の酸素欠損を補填することができる。
ここで、酸化物半導体膜１１０中に移動する酸素について、図２８を用いて説明を行う
。図２８は、絶縁膜１１８成膜時の基板温度（代表的には３７５℃未満）、または絶縁膜
１１８の形成後の第２の加熱処理（代表的には３７５℃未満）によって、酸化物半導体膜
１１０中に移動する酸素を表すモデル図である。図２８中において、酸化物半導体膜１１
０中に移動する酸素（酸素ラジカル、酸素原子、または酸素分子）を破線の矢印で表して
いる。なお、図２８は絶縁膜１１８成膜後の、トランジスタ１５０近傍の断面図である。
図２８に示す酸化物半導体膜１１０は、酸化物半導体膜１１０に接する膜（ここでは、
絶縁膜１０７、及び絶縁膜１１４）から酸素が移動することで、酸素欠損が補填される。
特に、本発明の一態様のタッチパネルにおいて、酸化物半導体膜１１０となる酸化物半導
体膜のスパッタリング成膜時に、酸素ガスを用い、絶縁膜１０７中に酸素を添加する場合
、絶縁膜１０７は過剰酸素領域を有する。また、酸化物半導体膜１１１となる酸化物半導
体膜のスパッタリング成膜時に、酸素ガスを用い、絶縁膜１１６中に酸素を添加するため
、絶縁膜１１６は過剰酸素領域を有する。よって、該過剰酸素領域を有する絶縁膜に挟ま
れた酸化物半導体膜１１０は、酸素欠損が好適に補填される。
また、絶縁膜１０７の下方には、絶縁膜１０６が設けられており、絶縁膜１１４、１１
６の上方には、絶縁膜１１８が設けられている。絶縁膜１０６、１１８を酸素透過性が低
い材料、例えば、窒化シリコン等により形成することで、絶縁膜１０７、１１４、１１６
中に含まれる酸素を酸化物半導体膜１１０側に閉じ込めることができるため、好適に酸化
物半導体膜１１０に酸素を移動させることが可能となる。なお、絶縁膜１１８は、外部か
らの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、トランジスタ１５０に
含まれる酸化物半導体膜１１０へ拡散するのを防ぐ効果も奏する。
また、絶縁膜１１８は、水素及び窒素のいずれか一方または双方を有する。そのため、
絶縁膜１１８を形成することで、絶縁膜１１８に接する酸化物半導体膜１１１、１１１ａ
は、水素及び窒素のいずれか一方または双方が添加されることで、キャリア密度が高くな
り、酸化物導電膜として機能することができる。
なお、酸化物半導体膜１１１、１１１ａの抵抗率の低下に伴い、図２６（Ｃ）と図２７
（Ａ）に示す酸化物半導体膜１１１、１１１ａのハッチングを変えて図示している。また
、この時点でトランジスタ１５０が作製される。
酸化物半導体膜１１１、１１１ａの抵抗率は、少なくとも酸化物半導体膜１１０よりも
低く、好ましくは、１×１０－３Ωｃｍ以上１×１０４Ωｃｍ未満、さらに好ましくは、
１×１０－３Ωｃｍ以上１×１０－１Ωｃｍ未満であるとよい。
次に、絶縁膜１１８上に絶縁膜１１９を形成し、絶縁膜１１８、１１９の所望の領域が
残るようにパターニングし、その後不要な領域をエッチングすることで開口１４２を形成
する（図２７（Ｂ）参照）。
絶縁膜１１９としては、上述した材料の中から選択することで形成できる。なお、本実
施の形態においては、絶縁膜１１９としてアクリル樹脂を用いる。
開口１４２としては、ドレイン電極１１２ｂが露出するように形成する。開口１４２の
形成方法としては、例えば、ドライエッチング法を用いることができる。ただし、開口１
４２の形成方法としては、これに限定されず、ウエットエッチング法、またはドライエッ
チング法とウエットエッチング法を組み合わせた形成方法としてもよい。なお、開口１４
２を形成するためのエッチング工程によって、ドレイン電極１１２ｂの膜厚が減少する場
合がある。
なお、前述の開口１４１を形成する工程を行わずに、開口１４２の形成する工程におい
て絶縁膜１１４、１１６、１１８，１１９に開口を連続して形成してもよい。このような
工程とすることで、本発明の一態様のタッチパネルの作製工程を減らすことが可能となる
ため、製造コストを抑制することができる。
次に、開口１４２を覆うように、絶縁膜１１９上に導電膜を成膜し、該導電膜の所望の
領域が残るようにパターニングし、その後不要な領域をエッチングすることで、導電膜１
２０を形成する（図２７（Ｃ）参照）。
導電膜１２０としては、上述の列挙した材料の中から選択することで形成できる。なお
、本実施の形態においては、導電膜１２０としてインジウム錫酸化物を用いる。
また、導電膜１２０の形成に伴い、容量素子１６０が作製される。容量素子１６０は、
一対の電極間に誘電体層が挟持された構造であり、一対の電極の一方が酸化物半導体膜１
１１であり、一対の電極の他方が導電膜１２０である。また、絶縁膜１１８、１１９が容
量素子１６０の誘電体層として機能する。
以上の工程によって、図８に示すタッチパネル３１０が有するトランジスタ１５０、容
量素子１６０及び液晶素子３０８を構成する一対の電極を作製することができる。
なお、図２７（Ｃ）には絶縁膜１１９を設ける構成を示したが、絶縁膜１１９を設けな
い構成としてもよい（図２９（Ａ）参照）。このとき、絶縁膜１１８が容量素子１６０の
誘電体膜として機能する。また、トランジスタ１５０においてゲート電極１０４がなく、
酸化物半導体膜１１１ａが第１のゲート電極として機能する構成であってもよい（図２９
（Ｂ）参照）。図２９（Ｂ）は図２７（Ｃ）と比較して、ゲート電極１０４及び絶縁膜１
０６を設けない点が異なる。図２９（Ｂ）に示すトランジスタ１５０は、いわゆるトップ
ゲート型のトランジスタである。
以上、本実施の形態で示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと
適宜組み合わせて用いることができる。
［構成例２］
本構成例では、タッチパネルが有する表示素子として有機ＥＬ素子を用いた例を示す。
〔断面構成例１〕
以下では、本発明の一態様のタッチパネルの断面構成の例について、図面を参照して説
明する。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する。
図１３に示すタッチパネル３２０は、表示部３８１に発光素子２８０を備える。発光素
子２８０は導電膜１２０、ＥＬ層２８１、導電膜２８２を有する。導電膜１２０は反射膜
としての機能を有し、絶縁膜１１４、１１６、１１８、１１９に設けられた開口を介して
トランジスタ１５０のドレイン電極１１２ｂと電気的に接続される。導電膜２８２は下部
電極とも呼べる。導電膜２８２としては可視光を透過する材料を用いる。また導電膜２８
２が半反射膜としての機能を有していてもよい。導電膜２８２は上部電極とも呼べる。導
電膜１２０と導電膜２８２の間に電圧を印加することで、ＥＬ層２８１に含まれる発光層
が呈する光を基板３７２に設けられた着色膜（例えば着色膜３３１Ｒ）を介して取り出す
ことができる。図１３に示すタッチパネル３２０は、いわゆるトップエミッション型の表
示装置を備える。なお、発光素子２８０の具体的な構成については、実施の形態４にて後
述する。
絶縁膜１１９上に、隔壁として機能する絶縁膜３９１が設けられる。絶縁膜３９１は、
隣接する２つの画素の導電膜１２０の端部と重ねて設けられる。ＥＬ層２８１は導電膜１
２０及び絶縁膜３９１上に設けられる。また導電膜２８２は少なくとも導電膜１２０と重
畳するように、ＥＬ層２８１上に設けられる。例えば、図１３に示すタッチパネル３２０
において導電膜２８２は、一の方向に隣接する２つの画素が有する２つの導電膜１２０の
隙間と重畳する位置に開口３８５を有する。また、導電膜２８２は一の方向に隣接する複
数の画素（例えば３０画素、６０画素等）を含むブロックごとに、一の方向に隣接する２
つの画素が有する２つの導電膜１２０の隙間と重なる位置に開口３８５を有していてもよ
い。
また、絶縁膜１１６上の開口３８５と重なる位置に酸化物半導体膜１１１が設けられて
いる。酸化物半導体膜１１１は、トランジスタ１５０の第２のゲート電極として機能する
酸化物半導体膜１１１ａと同様の材料を用いて同時に形成することができるため、工程を
簡略化することができる。
タッチパネル３２０が有するタッチセンサは、基板３７２に設けられた導電膜３３４と
、基板１０２に設けられた酸化物半導体膜１１１と、によって構成される。導電膜３３４
と酸化物半導体膜１１１の間に形成される容量を利用して、被検知体の近接または接触を
検出することができる。
ここで、タッチセンサを構成する電極の配置について説明する。図１４は図１３に示す
タッチパネル３２０が有する、一対のタッチセンサ電極の上面模式図である。図１４に示
す一点鎖線Ｚ５－Ｚ６は、図１３に示す表示部３８１と対応する。
タッチセンサの一方の電極である導電膜３３４はＹ方向に延在して設けられている。ま
たタッチセンサの他方の電極である酸化物半導体膜１１１はＸ方向に延在し、導電膜３３
４と交差する領域を有する。なお、導電膜３３４はＸ方向に延在し、酸化物半導体膜１１
１はＹ方向に延在していてもよい。
なお、タッチパネル３２０は基板１０２と基板３７２とがシール材１５１によって貼り
合わされている。基板１０２、基板３７２及びシール材１５１に囲まれた領域は中空であ
るが、該領域が封止材で満たされていてもよい。また着色膜３３１Ｒ、３３１Ｇ及び遮光
膜３３２上に絶縁膜を有しない構成としているが、前述したオーバーコートとして機能す
る絶縁膜３５５を設けてもよい。
また、図１３ではＥＬ層２８１が複数の画素において共通である発光素子２８０の構成
を示しているが、ＥＬ層２８１が画素ごとに設けられていてもよい（図１５参照）。この
場合、各画素に要求される発光色に合わせた色の光を呈する発光層を有するＥＬ層２８１
を画素ごとに設ければよい。また、着色膜（例えば着色膜３３１Ｒ、３３１Ｇ等）を設け
ない構成としてもよい。
〔断面構成例２〕
図１６には、図１３とは一部の構成の異なるタッチパネルの断面構成例について示して
いる。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する。
図１６では、基板３７２の表示面側に導電膜３３４、３４１及びＦＰＣ３７５を設けな
い構成である。トランジスタ１５０の第２のゲート電極と同様の材料を用いて同時に形成
される酸化物半導体膜１１１が、タッチセンサの一対の電極として機能する。具体的には
、一方向に延在する酸化物半導体膜１１１ｂ（図示しない）と、酸化物半導体膜１１１ｂ
と直交する方向に延在する導電膜１０４ａと電気的に接続される酸化物半導体膜１１１ｃ
とが、タッチセンサの一対の電極として機能する。このような構成とすることで、図１３
に示す構成よりもさらに工程を簡略化することができる。なお、酸化物半導体膜１１１ｃ
は、絶縁膜１０８、１１４、１１６に設けられた開口３３３を介して導電膜１０４ａと電
気的に接続される。また導電膜１０４ａは、ゲート電極１０４と同様の材料を用いて同時
に形成される。
ここで、タッチセンサを構成する電極の配置について説明する。図１７は図１６に示す
タッチパネル３２０が有する、一対のタッチセンサ電極の上面模式図である。図１７に示
す一点鎖線Ｚ７－Ｚ８は、図１６に示す表示部３８１と対応する。
タッチセンサの一方の電極である酸化物半導体膜１１１ｂはＹ方向に延在して設けられ
ている。またタッチセンサの他方の電極である酸化物半導体膜１１１ｃは、開口３３３を
介して導電膜１０４ａと電気的に接続される。導電膜１０４ａはＸ方向に延在し、酸化物
半導体膜１１１ｂと交差する領域を有する。
なお、発光素子２８０を構成する一方の電極として機能する導電膜２８２を、タッチセ
ンサの他方の電極として用いてもよい。図１８に示すタッチパネル３２０は、タッチセン
サの一方の電極である酸化物半導体膜１１１がＸ方向に延在して設けられる。また導電膜
２８２はＹ方向に延在して設けられ、酸化物半導体膜１１１と交差する領域を有する。図
１９は図１８に示すタッチパネル３２０が有する、一対のタッチセンサ電極の上面模式図
であり、図１９に示す一点鎖線Ｚ９－Ｚ１０は、図１８に示す表示部３８１と対応する。
導電膜２８２が有する開口３８５は、酸化物半導体膜１１１が延在する方向と直交する方
向に延在し、開口３８５の一部は酸化物半導体膜１１１と重畳する。
〔断面構成例３〕
図２０には、上記構成例とは一部の構成の異なるタッチパネルの断面構成例について示
している。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する
。
図２０に示すタッチパネル３２０は、表示部３８１に発光素子２８０を備える。発光素
子２８０は導電膜２８５、ＥＬ層２８１、導電膜２８６を有する。導電膜２８５は、絶縁
膜１１４、１１６、１１８、１１９に設けられた開口を介してトランジスタ１５０のドレ
イン電極１１２ｂと電気的に接続される。導電膜２８５としては可視光を透過する材料を
用いる。また導電膜２８５が半反射膜としての機能を有していてもよい。導電膜２８６は
反射膜としての機能を有する。導電膜２８５と導電膜２８６の間に電圧を印加することで
、ＥＬ層２８１に含まれる発光層が呈する光を基板１０２に設けられた着色膜（例えば着
色膜３３１Ｒ）を介して取り出すことができる。図２０に示すタッチパネル３２０は、い
わゆるボトムエミッション型の表示装置を備える。
遮光膜３３２、着色膜３３１Ｒ、３３１Ｇは絶縁膜１１８上に設けられる。遮光膜３３
２は、絶縁膜３９１と重畳する位置に設けられる。また着色膜３３１Ｒ、３３１Ｇは、導
電膜２８５と重畳する位置に設けられる。またＥＬ層２８１、導電膜２８６は導電膜２８
５上にこの順で設けられる。
導電膜３３４、３４１及びＦＰＣ３７５が基板１０２の表示面側（基板３７２と反対側
）に設けられている。導電膜３３４及び酸化物半導体膜１１１を一対の電極として、タッ
チパネル３２０が有するタッチセンサが構成される。導電膜３３４を基板１０２の表示面
側に設けることで、一対の電極間に他の導電膜（例えば、導電膜２８５、導電膜２８６等
）を挟まない構成とすることができる。また、酸化物半導体膜１１１は可視光を透過する
ため、発光素子２８０が呈する光の経路となる導電膜２８５と重畳する位置にも設けるこ
とができる。よって、酸化物半導体膜１１１を大面積にわたって形成することができ、タ
ッチセンサの容量値を大きくすることができる。
ここで、タッチセンサを構成する電極の配置について説明する。図２１は図２０に示す
タッチパネル３２０が有する、一対のタッチセンサ電極の上面模式図である。図２１に示
す一点鎖線Ｚ１１－Ｚ１２は、図２０に示す表示部３８１と対応する。
タッチセンサの一方の電極である導電膜３３４はＹ方向に延在して設けられている。ま
たタッチセンサの他方の電極である酸化物半導体膜１１１はＸ方向に延在し、導電膜３３
４と交差する領域を有する。なお、導電膜３３４はＸ方向に延在し、酸化物半導体膜１１
１はＹ方向に延在していてもよい。
なお、図２０ではＥＬ層２８１が複数の画素において共通である発光素子２８０の構成
を示しているが、ＥＬ層２８１が画素ごとに設けられていてもよい（図２２参照）。この
場合、各画素に要求される発光色に合わせた色の光を呈する発光層を有するＥＬ層２８１
を画素ごとに設ければよい。また、着色膜（例えば着色膜３３１Ｒ、３３１Ｇ等）を設け
ない構成としてもよい。
〔断面構成例４〕
図２３には、図２０とは一部の構成の異なるタッチパネルの断面構成例について示して
いる。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する。
図２３では、基板１０２の表示面側に導電膜３３４、３４１及びＦＰＣ３７５を設けな
い構成である。トランジスタ１５０の第２のゲート電極と同様の材料を用いて同時に形成
される酸化物半導体膜１１１が、タッチセンサの一対の電極として機能する。具体的には
、一方向に延在する酸化物半導体膜１１１ｂと、酸化物半導体膜１１１ｂと直交する方向
に延在する導電膜１０４ａと電気的に接続される酸化物半導体膜１１１ｃとが、タッチセ
ンサの一対の電極として機能する。このような構成とすることで、図２０に示す構成より
もさらに工程を簡略化することができる。なお、酸化物半導体膜１１１ｃは、絶縁膜１０
８、１１４、１１６に設けられた開口３３３を介して導電膜１０４ａと電気的に接続され
る。また導電膜１０４ａは、ゲート電極１０４と同様の材料を用いて同時に形成される。
導電膜１０４ａは遮光膜３３２と重畳する位置に設けることで、画素の開口率を維持しつ
つタッチセンサの一対の電極を構成することができるため好ましい。
ここで、タッチセンサを構成する電極の配置について説明する。図２４は図２３に示す
タッチパネル３２０が有する、一対のタッチセンサ電極の上面模式図である。図２４に示
す一点鎖線Ｚ１３－Ｚ１４は、図２３に示す表示部３８１と対応する。
タッチセンサの一方の電極である酸化物半導体膜１１１ｂはＹ方向に延在して設けられ
ている。またタッチセンサの他方の電極である酸化物半導体膜１１１ｃは、開口３３３を
介して導電膜１０４ａと電気的に接続される。導電膜１０４ａはＸ方向に延在し、酸化物
半導体膜１１１ｂと交差する領域を有する。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の液晶表示装置のトランジスタ及び容量素子に適用
可能な酸化物半導体の一例について説明する。以下では、酸化物半導体の構造について説
明する。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が－１０°以上１０°以下の角度で配置
されている状態をいう。したがって、－５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略
平行」とは、二つの直線が－３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態
をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、
二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表
す。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体とに分けら
れる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物
半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｌ
ｉｋｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体などがある。
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物
半導体とに分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ－
ＯＳ、多結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳなどがある。
非晶質構造の定義としては、一般に、準安定状態で固定化していないこと、等方的であ
って不均質構造を持たないことなどが知られている。また、結合角度が柔軟であり、短距
離秩序性は有するが、長距離秩序性を有さない構造と言い換えることもできる。
逆の見方をすると、本質的に安定な酸化物半導体の場合、完全な非晶質（ｃｏｍｐｌｅ
ｔｅｌｙ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）酸化物半導体と呼ぶことはできない。また、等方的でな
い（例えば、微小な領域において周期構造を有する）酸化物半導体を、完全な非晶質酸化
物半導体と呼ぶことはできない。ただし、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、微小な領域において周
期構造を有するものの、鬆（ボイドともいう。）を有し、不安定な構造である。そのため
、物性的には非晶質酸化物半導体に近いといえる。
＜ＣＡＡＣ－ＯＳ＞
まずは、ＣＡＡＣ－ＯＳについて説明する。
ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物
半導体の一つである。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ－ＯＳの明視野像と回折パターンとの複合解析像（高
分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察すると、複数のペレットを確認することができる。一
方、高分解能ＴＥＭ像ではペレット同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバウンダリーと
もいう。）を明確に確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳは、結晶粒界に
起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
以下では、ＴＥＭによって観察したＣＡＡＣ－ＯＳについて説明する。図３０（Ａ）に
、試料面と略平行な方向から観察したＣＡＡＣ－ＯＳの断面の高分解能ＴＥＭ像を示す。
高分解能ＴＥＭ像の観察には、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ａｂｅｒｒａｔｉｏ
ｎ Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高分解能ＴＥＭ像を
、特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像の取得は、例えば、
日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆなどによって行う
ことができる。
図３０（Ａ）の領域（１）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を図３０（Ｂ）に示す
。図３０（Ｂ）より、ペレットにおいて、金属原子が層状に配列していることを確認でき
る。金属原子の各層の配列は、ＣＡＡＣ－ＯＳの膜を形成する面（被形成面ともいう。）
または上面の凹凸を反映しており、ＣＡＡＣ－ＯＳの被形成面または上面と平行となる。
図３０（Ｂ）に示すように、ＣＡＡＣ－ＯＳは特徴的な原子配列を有する。図３０（Ｃ
）は、特徴的な原子配列を、補助線で示したものである。図３０（Ｂ）および図３０（Ｃ
）より、ペレット一つの大きさは１ｎｍ以上のものや、３ｎｍ以上のものがあり、ペレッ
トとペレットとの傾きにより生じる隙間の大きさは０．８ｎｍ程度であることがわかる。
したがって、ペレットを、ナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶこともでき
る。また、ＣＡＡＣ－ＯＳを、ＣＡＮＣ（Ｃ－Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒ
ｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
ここで、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像をもとに、基板５１２０上のＣＡＡＣ－ＯＳのペレ
ット５１００の配置を模式的に示すと、レンガまたはブロックが積み重なったような構造
となる（図３０（Ｄ）参照。）。図３０（Ｃ）で観察されたペレットとペレットとの間で
傾きが生じている箇所は、図３０（Ｄ）に示す領域５１６１に相当する。
また、図３１（Ａ）に、試料面と略垂直な方向から観察したＣＡＡＣ－ＯＳの平面のＣ
ｓ補正高分解能ＴＥＭ像を示す。図３１（Ａ）の領域（１）、領域（２）および領域（３
）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を、それぞれ図３１（Ｂ）、図３１（Ｃ）および
図３１（Ｄ）に示す。図３１（Ｂ）、図３１（Ｃ）および図３１（Ｄ）より、ペレットは
、金属原子が三角形状、四角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しか
しながら、異なるペレット間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
次に、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって解析したＣ
ＡＡＣ－ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－Ｏ
Ｓに対し、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、図３２（Ａ）に示すよ
うに回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａ
ＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ－ＯＳの結晶がｃ軸配向
性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。
なお、ＣＡＡＣ－ＯＳのｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による構造解析では、２θが３１
°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°
近傍のピークは、ＣＡＡＣ－ＯＳ中の一部に、ｃ軸配向性を有さない結晶が含まれること
を示している。より好ましいＣＡＡＣ－ＯＳは、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による構造
解析では、２θが３１°近傍にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さない。
一方、ＣＡＡＣ－ＯＳに対し、ｃ軸に略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ－ｐｌａ
ｎｅ法による構造解析を行うと、２θが５６°近傍にピークが現れる。このピークは、Ｉ
ｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＣＡＡＣ－ＯＳの場合は、２θを５
６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析
（φスキャン）を行っても、図３２（Ｂ）に示すように明瞭なピークは現れない。これに
対し、ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸化物半導体であれば、２θを５６°近傍に固定してφ
スキャンした場合、図３２（Ｃ）に示すように（１１０）面と等価な結晶面に帰属される
ピークが６本観察される。したがって、ＸＲＤを用いた構造解析から、ＣＡＡＣ－ＯＳは
、ａ軸およびｂ軸の配向が不規則であることが確認できる。
次に、電子回折によって解析したＣＡＡＣ－ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａ
ＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳに対し、試料面に平行にプローブ径が３００ｎｍ
の電子線を入射させると、図３３（Ａ）に示すような回折パターン（制限視野透過電子回
折パターンともいう。）が現れる場合がある。この回折パターンには、ＩｎＧａＺｎＯ４
の結晶の（００９）面に起因するスポットが含まれる。したがって、電子回折によっても
、ＣＡＡＣ－ＯＳに含まれるペレットがｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に
略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直にプロー
ブ径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターンを図３３（Ｂ）に示す。図３
３（Ｂ）より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、電子回折によっても
、ＣＡＡＣ－ＯＳに含まれるペレットのａ軸およびｂ軸は配向性を有さないことがわかる
。なお、図３３（Ｂ）における第１リングは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０１０）面お
よび（１００）面などに起因すると考えられる。また、図３３（Ｂ）における第２リング
は（１１０）面などに起因すると考えられる。
上述したように、ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の
結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、逆の見方をす
るとＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金
属元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸
素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列
を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、
二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列
を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
酸化物半導体が不純物や欠陥を有する場合、光や熱などによって特性が変動する場合が
ある。例えば、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップとなる場合や、キャ
リア発生源となる場合がある。また、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップと
なる場合や、水素を捕獲することによってキャリア発生源となる場合がある。
不純物および酸素欠損の少ないＣＡＡＣ－ＯＳは、キャリア密度の低い酸化物半導体で
ある。具体的には、８×１０１１個／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満
、さらに好ましくは１×１０１０個／ｃｍ３未満であり、１×１０－９個／ｃｍ３以上の
キャリア密度の酸化物半導体とすることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真
性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。ＣＡＡＣ－ＯＳは、不純物濃度が低
く、欠陥準位密度が低い。即ち、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
＜ｎｃ－ＯＳ＞
次に、ｎｃ－ＯＳについて説明する。
ｎｃ－ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領域と、明
確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。ｎｃ－ＯＳに含まれる結晶部は
、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の大きさであることが多い。な
お、結晶部の大きさが１０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下である酸化物半導体を微結晶酸
化物半導体と呼ぶことがある。ｎｃ－ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界
を明確に確認できない場合がある。なお、ナノ結晶は、ＣＡＡＣ－ＯＳにおけるペレット
と起源を同じくする可能性がある。そのため、以下ではｎｃ－ＯＳの結晶部をペレットと
呼ぶ場合がある。
ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上
３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるペ
レット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導
体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ－ＯＳに対し、ペレットよりも大きい径の
Ｘ線を用いた場合、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークは
検出されない。また、ｎｃ－ＯＳに対し、ペレットよりも大きいプローブ径（例えば５０
ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折を行うと、ハローパターンのような回折パターンが
観測される。一方、ｎｃ－ＯＳに対し、ペレットの大きさと近いかペレットより小さいプ
ローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測される。また、
ｎｃ－ＯＳに対しナノビーム電子回折を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高
い領域が観測される場合がある。さらに、リング状の領域内に複数のスポットが観測され
る場合がある。
このように、ペレット（ナノ結晶）間では結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ
－ＯＳを、ＲＡＮＣ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有
する酸化物半導体、またはＮＡＮＣ（Ｎｏｎ－Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ
ｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
ｎｃ－ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため
、ｎｃ－ＯＳは、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くな
る。ただし、ｎｃ－ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのた
め、ｎｃ－ＯＳは、ＣＡＡＣ－ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
＜ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ＞
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物
半導体である。
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において鬆が観察される場合がある。また、
高分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのできる領域と、結晶部を確認
することのできない領域と、を有する。
鬆を有するため、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、不安定な構造である。以下では、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳが、ＣＡＡＣ－ＯＳおよびｎｃ－ＯＳと比べて不安定な構造であることを示すた
め、電子照射による構造の変化を示す。
電子照射を行う試料として、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ（試料Ａと表記する。）、ｎｃ－ＯＳ
（試料Ｂと表記する。）およびＣＡＡＣ－ＯＳ（試料Ｃと表記する。）を準備する。いず
れの試料もＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物である。
まず、各試料の高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像により、各試
料は、いずれも結晶部を有することがわかる。
なお、どの部分を一つの結晶部と見なすかの判定は、以下のように行えばよい。例えば
、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ－Ｏ層を３層有し、またＧａ－Ｚｎ－Ｏ層
を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有することが知られている。こ
れらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度
であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。したがって、格子縞
の間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所を、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶部と
見なすことができる。なお、格子縞は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ－ｂ面に対応する。
図３４は、各試料の結晶部（２２箇所から４５箇所）の平均の大きさを調査した例であ
る。ただし、上述した格子縞の長さを結晶部の大きさとしている。図３４より、ａ－ｌｉ
ｋｅ ＯＳは、電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわかる。具体
的には、図３４中に（１）で示すように、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程
度の大きさだった結晶部（初期核ともいう。）が、累積照射量が４．２×１０８ｅ－／ｎ
ｍ２においては２．６ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、ｎｃ－Ｏ
ＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳは、電子照射開始時から電子の累積照射量が４．２×１０８ｅ－
／ｎｍ２までの範囲で、結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。具体的には、
図３４中の（２）および（３）で示すように、電子の累積照射量によらず、ｎｃ－ＯＳお
よびＣＡＡＣ－ＯＳの結晶部の大きさは、それぞれ１．４ｎｍ程度および２．１ｎｍ程度
であることがわかる。
このように、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、電子照射によって結晶部の成長が見られる場合が
ある。一方、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳは、電子照射による結晶部の成長がほとん
ど見られないことがわかる。即ち、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－
ＯＳと比べて、不安定な構造であることがわかる。
また、鬆を有するため、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳと比
べて密度の低い構造である。具体的には、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳの密度は、同じ組成の単結
晶の密度の７８．６％以上９２．３％未満となる。また、ｎｃ－ＯＳの密度およびＣＡＡ
Ｃ－ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満となる。単結
晶の密度の７８％未満となる酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、
菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よ
って、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体におい
て、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。ま
た、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において
、ｎｃ－ＯＳの密度およびＣＡＡＣ－ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ
３未満となる。
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異な
る単結晶を組み合わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積も
ることができる。所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わ
せる割合に対して、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少な
い種類の単結晶を組み合わせて見積もることが好ましい。
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。
なお、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ
、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
＜ＣＡＡＣ－ＯＳの成膜方法＞
以下では、ＣＡＡＣ－ＯＳの成膜方法の一例について説明する。
図３５は、成膜室内の模式図である。ＣＡＡＣ－ＯＳは、スパッタリング法により成膜
することができる。
図３５に示すように、基板５２２０とターゲット５２３０とは向かい合うように配置し
ている。基板５２２０とターゲット５２３０との間にはプラズマ５２４０がある。また、
基板５２２０の下部には加熱機構５２６０が設けられている。図示しないが、ターゲット
５２３０は、バッキングプレートに接着されている。バッキングプレートを介してターゲ
ット５２３０と向かい合う位置には、複数のマグネットが配置される。マグネットの磁場
を利用して成膜速度を高めるスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリング法と呼ば
れる。
基板５２２０とターゲット５２３０との距離ｄ（ターゲット－基板間距離（Ｔ－Ｓ間距
離）ともいう。）は０．０１ｍ以上１ｍ以下、好ましくは０．０２ｍ以上０．５ｍ以下と
する。成膜室内は、ほとんどが成膜ガス（例えば、酸素、アルゴン、または酸素を５体積
％以上の割合で含む混合ガス）で満たされ、０．０１Ｐａ以上１００Ｐａ以下、好ましく
は０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下に制御される。ここで、ターゲット５２３０に一定以上の
電圧を印加することで、放電が始まり、プラズマ５２４０が確認される。なお、ターゲッ
ト５２３０の近傍には磁場によって、高密度プラズマ領域が形成される。高密度プラズマ
領域では、成膜ガスがイオン化することで、イオン５２０１が生じる。イオン５２０１は
、例えば、酸素の陽イオン（Ｏ＋）やアルゴンの陽イオン（Ａｒ＋）などである。
ターゲット５２３０は、複数の結晶粒を有する多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒に
は劈開面が含まれる。一例として、図３６に、ターゲット５２３０に含まれるＩｎＭＺｎ
Ｏ４（元素Ｍは、例えばＡｌ、Ｇａ、ＹまたはＳｎ）の結晶構造を示す。なお、図３６（
Ａ）は、ｂ軸に平行な方向から観察した場合のＩｎＭＺｎＯ４の結晶構造である。ＩｎＭ
ＺｎＯ４の結晶では、酸素原子が負の電荷を有することにより、近接する二つのＭ－Ｚｎ
－Ｏ層の間に斥力が生じている。そのため、ＩｎＭＺｎＯ４の結晶は、近接する二つのＭ
－Ｚｎ－Ｏ層の間に劈開面を有する。
高密度プラズマ領域で生じたイオン５２０１は、電界によってターゲット５２３０側に
加速され、やがてターゲット５２３０と衝突する。このとき、劈開面から平板状またはペ
レット状のスパッタ粒子であるペレット５２００が剥離する（図３５参照）。ペレット５
２００は、図３６（Ａ）に示す二つの劈開面に挟まれた部分である。よって、ペレット５
２００のみ抜き出すと、その断面は図３６（Ｂ）のようになり、上面は図３６（Ｃ）のよ
うになることがわかる。なお、ペレット５２００は、イオン５２０１の衝突の衝撃によっ
て、構造に歪みが生じる場合がある。
ペレット５２００は、三角形、例えば正三角形の平面を有する平板状またはペレット状
のスパッタ粒子である。または、ペレット５２００は、六角形、例えば正六角形の平面を
有する平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。ただし、ペレット５２００の形状
は、三角形、六角形に限定されない、例えば、三角形が複数個合わさった形状となる場合
がある。例えば、三角形（例えば、正三角形）が２個合わさった四角形（例えば、ひし形
）となる場合もある。
ペレット５２００は、成膜ガスの種類などに応じて厚さが決定する。例えば、ペレット
５２００は、厚さを０．４ｎｍ以上１ｎｍ以下、好ましくは０．６ｎｍ以上０．８ｎｍ以
下とする。また、例えば、ペレット５２００は、幅を１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好まし
くは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。例えば
、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物を有するターゲット５２３０にイオン５２０１を衝突させる。そ
うすると、Ｍ－Ｚｎ－Ｏ層、Ｉｎ－Ｏ層およびＭ－Ｚｎ－Ｏ層の３層を有するペレット５
２００が剥離する。なお、ペレット５２００の剥離に伴い、ターゲット５２３０から粒子
５２０３も弾き出される。粒子５２０３は、原子１個または原子数個の集合体を有する。
そのため、粒子５２０３を原子状粒子（ａｔｏｍｉｃ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）と呼ぶこと
もできる。
ペレット５２００は、プラズマ５２４０を通過する際に、表面が負または正に帯電する
場合がある。例えば、ペレット５２００がプラズマ５２４０中にあるＯ２－から負の電荷
を受け取る場合がある。その結果、ペレット５２００の表面の酸素原子が負に帯電する場
合がある。また、ペレット５２００は、プラズマ５２４０を通過する際に、プラズマ５２
４０中のインジウム、元素Ｍ、亜鉛または酸素などと結合することで成長する場合がある
。
プラズマ５２４０を通過したペレット５２００および粒子５２０３は、基板５２２０の
表面に達する。なお、粒子５２０３の一部は、質量が小さいため真空ポンプなどによって
外部に排出される場合がある。
次に、基板５２２０の表面におけるペレット５２００および粒子５２０３の堆積につい
て図３７を用いて説明する。
まず、一つ目のペレット５２００が基板５２２０に堆積する。ペレット５２００は平板
状であるため、平面側を基板５２２０の表面に向けて堆積する。このとき、ペレット５２
００の基板５２２０側の表面の電荷が、基板５２２０を介して抜ける。
次に、二つ目のペレット５２００が、基板５２２０に達する。このとき、既に堆積して
いるペレット５２００の表面、および二つ目のペレット５２００の表面が電荷を帯びてい
るため、互いに反発し合う力が生じる。その結果、二つ目のペレット５２００は、既に堆
積しているペレット５２００上を避け、基板５２２０の表面の少し離れた場所に平面側を
向けて堆積する。これを繰り返すことで、基板５２２０の表面には、無数のペレット５２
００が一層分の厚みだけ堆積する。また、ペレット５２００間には、ペレット５２００の
堆積していない領域が生じる（図３７（Ａ）参照）。
次に、プラズマからエネルギーを受け取った粒子５２０３が基板５２２０の表面に達す
る。粒子５２０３は、ペレット５２００の表面などの活性な領域には堆積することができ
ない。そのため、粒子５２０３は、ペレット５２００の堆積していない領域へ動き、ペレ
ット５２００の側面に付着する。粒子５２０３は、プラズマから受け取ったエネルギーに
より結合手が活性状態となることで、ペレット５２００と化学的に連結して横成長部５２
０２を形成する（図３７（Ｂ）参照）。
さらに、横成長部５２０２が横方向に成長（ラテラル成長ともいう。）することで、ペ
レット５２００間を連結させる（図３７（Ｃ）参照）。このように、ペレット５２００の
堆積していない領域を埋めるまで横成長部５２０２が形成される。このメカニズムは、原
子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の堆積メカニ
ズムに類似する。
したがって、ペレット５２００がそれぞれ異なる方向を向けて堆積する場合でも、ペレ
ット５２００間を粒子５２０３がラテラル成長しながら埋めるため、明確な結晶粒界が形
成されることがない。また、ペレット５２００間を、粒子５２０３が滑らかに結びつける
ため、単結晶とも多結晶とも異なる結晶構造が形成される。言い換えると、微小な結晶領
域（ペレット５２００）間に歪みを有する結晶構造が形成される。このように、結晶領域
間を埋める領域は、歪んだ結晶領域であるため、該領域を指して非晶質構造と呼ぶのは適
切ではないと考えられる。
次に、新たなペレット５２００が、平面側を表面に向けて堆積する（図３７（Ｄ）参照
）。そして、粒子５２０３が、ペレット５２００の堆積していない領域を埋めるように堆
積することで横成長部５２０２を形成する（図３７（Ｅ）参照）。こうして、粒子５２０
３がペレット５２００の側面に付着し、横成長部５２０２がラテラル成長することで、二
層目のペレット５２００間を連結させる（図３７（Ｆ）参照）。ｍ層目（ｍは二以上の整
数。）が形成されるまで成膜は続き、積層体を有する薄膜構造となる。
なお、ペレット５２００の堆積の仕方は、基板５２２０の表面温度などによっても変化
する。例えば、基板５２２０の表面温度が高いと、ペレット５２００が基板５２２０の表
面でマイグレーションを起こす。その結果、ペレット５２００間が、粒子５２０３を介さ
ずに連結する割合が増加するため、より配向性の高いＣＡＡＣ－ＯＳとなる。ＣＡＡＣ－
ＯＳを成膜する際の基板５２２０の表面温度は、室温以上３４０℃未満、好ましくは室温
以上３００℃以下、より好ましくは１００℃以上２５０℃以下、さらに好ましくは１００
℃以上２００℃以下である。したがって、基板５２２０として第８世代以上の大面積基板
を用いた場合でも、ＣＡＡＣ－ＯＳの成膜に起因した反りなどはほとんど生じないことが
わかる。
一方、基板５２２０の表面温度が低いと、ペレット５２００が基板５２２０の表面でマ
イグレーションを起こしにくくなる。その結果、ペレット５２００同士が積み重なること
で配向性の低いｎｃ－ＯＳなどとなる。ｎｃ－ＯＳでは、ペレット５２００が負に帯電し
ていることにより、ペレット５２００は一定間隔を空けて堆積する可能性がある。したが
って、配向性は低いものの、僅かに規則性を有することにより、非晶質酸化物半導体と比
べて緻密な構造となる。
また、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、ペレット同士の隙間が極めて小さくなることで、一つ
の大きなペレットが形成される場合がある。一つの大きなペレットの内部は単結晶構造を
有する。例えば、ペレットの大きさが、上面から見て１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、１５
ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となる場合がある。
以上のような成膜モデルにより、ペレットが基板の表面に堆積していくと考えられる。
被形成面が結晶構造を有さない場合においても、ＣＡＡＣ－ＯＳの成膜が可能であること
から、エピタキシャル成長とは異なる成長機構である上述した成膜モデルの妥当性が高い
ことがわかる。また、上述した成膜モデルであるため、ＣＡＡＣ－ＯＳおよびｎｃ－ＯＳ
は、大面積のガラス基板などであっても均一な成膜が可能であることがわかる。例えば、
基板の表面（被形成面）の構造が非晶質構造（例えば非晶質酸化シリコン）であっても、
ＣＡＡＣ－ＯＳを成膜することは可能である。
また、被形成面である基板の表面に凹凸がある場合でも、その形状に沿ってペレットが
配列することがわかる。
また、上述した成膜モデルより、結晶性の高いＣＡＡＣ－ＯＳを成膜するためには以下
のようにすればよいことがわかる。まず、平均自由行程を長くするために、より高真空状
態で成膜する。次に、基板近傍における損傷を低減するために、プラズマのエネルギーを
弱くする。次に、被形成面に熱エネルギーを加え、プラズマによる損傷を成膜するたびに
治癒する。
また、上述した成膜モデルは、ターゲットが複数の結晶粒を有するＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化
物のような複合酸化物の多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒には劈開面が含まれる場合
に限定されない。例えば、酸化インジウム、元素Ｍの酸化物および酸化亜鉛を有する混合
物のターゲットを用いた場合にも適用することができる。
混合物のターゲットは劈開面を有さないため、スパッタされるとターゲットからは原子
状粒子が剥離する。成膜時には、ターゲット近傍にプラズマの強電界領域が形成されてい
る。そのため、ターゲットから剥離した原子状粒子は、プラズマの強電界領域の作用で連
結して横成長する。例えば、まず原子状粒子であるインジウムが連結して横成長してＩｎ
－Ｏ層からなるナノ結晶となる。次に、それを補完するように上下にＭ－Ｚｎ－Ｏ層が結
合する。このように、混合物のターゲットを用いた場合でも、ペレットが形成される可能
性がある。そのため、混合物のターゲットを用いた場合でも、上述した成膜モデルを適用
することができる。
ただし、ターゲット近傍にプラズマの強電界領域が形成されていない場合、ターゲット
から剥離した原子状粒子のみが基板表面に堆積することになる。その場合も、基板表面に
おいて原子状粒子が横成長する場合がある。ただし、原子状粒子の向きが一様でないため
、得られる薄膜における結晶の配向性も一様にはならない。即ち、ｎｃ－ＯＳなどとなる
。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に示すトランジスタとは異なる構成のトランジスタの
構成について、図３８乃至図４１を参照して説明する。
＜トランジスタの構成例１＞
図３８（Ａ）は、トランジスタ２７０の上面図であり、図３８（Ｂ）は、図３８（Ａ）
に示す一点鎖線Ａ１－Ａ２間における切断面の断面図に相当し、図３８（Ｃ）は、図３８
（Ａ）に示す一点鎖線Ｂ１－Ｂ２間における切断面の断面図に相当する。なお、一点鎖線
Ａ１－Ａ２方向をチャネル長方向、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２方向をチャネル幅方向と呼称する
場合がある。
トランジスタ２７０は、基板２０２上の第１のゲート電極として機能する導電膜２０４
と、基板２０２及び導電膜２０４上の絶縁膜２０６と、絶縁膜２０６上の絶縁膜２０７と
、絶縁膜２０７上の酸化物半導体膜２０８と、酸化物半導体膜２０８に電気的に接続され
るソース電極として機能する導電膜２１２ａと、酸化物半導体膜２０８に電気的に接続さ
れるドレイン電極として機能する導電膜２１２ｂと、酸化物半導体膜２０８、導電膜２１
２ａ及び導電膜２１２ｂ上の絶縁膜２１４、２１６と、絶縁膜２１６上の酸化物半導体膜
２１１ｂと、を有する。また、酸化物半導体膜２１１ｂ上に絶縁膜２１８が設けられる。
また、トランジスタ２７０において、絶縁膜２１４及び絶縁膜２１６は、トランジスタ
２７０の第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。また、酸化物半導体膜２１１ａは、
絶縁膜２１４及び絶縁膜２１６に設けられる開口部２５２ｃを介して、導電膜２１２ｂと
接続される。酸化物半導体膜２１１ａは、例えば、表示装置に用いる画素電極としての機
能を有する。また、トランジスタ２７０において、酸化物半導体膜２１１ｂは、第２のゲ
ート電極（バックゲート電極ともいう）として機能する。
また、図３８（Ｃ）に示すように酸化物半導体膜２１１ｂは、絶縁膜２０６、２０７、
絶縁膜２１４及び絶縁膜２１６に設けられる開口部２５２ａ、２５２ｂにおいて、第１の
ゲート電極として機能する導電膜２０４に接続される。よって、導電膜２２０ｂと酸化物
半導体膜２１１ｂとは、同じ電位が与えられる。
なお、本実施の形態においては、開口部２５２ａ、２５２ｂを設け、酸化物半導体膜２
１１ｂと導電膜２０４を接続する構成について例示したが、これに限定されない。例えば
、開口部２５２ａまたは開口部２５２ｂのいずれか一方の開口部のみを形成し、酸化物半
導体膜２１１ｂと導電膜２０４を接続する構成、または開口部２５２ａ及び開口部２５２
ｂを設けずに、酸化物半導体膜２１１ｂと導電膜２０４を接続しない構成としてもよい。
なお、酸化物半導体膜２１１ｂと導電膜２０４を接続しない構成の場合、酸化物半導体膜
２１１ｂと導電膜２０４には、それぞれ異なる電位を与えることができる。
また、図３８（Ｂ）に示すように、酸化物半導体膜２０８は、第１のゲート電極として
機能する導電膜２０４と、第２のゲート電極として機能する酸化物半導体膜２１１ｂのそ
れぞれと対向するように位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている
。第２のゲート電極として機能する酸化物半導体膜２１１ｂのチャネル長方向の長さ及び
チャネル幅方向の長さは、酸化物半導体膜２０８のチャネル長方向の長さ及びチャネル幅
方向の長さよりもそれぞれ長く、酸化物半導体膜２０８の全体は、絶縁膜２１４及び絶縁
膜２１６を介して酸化物半導体膜２１１ｂに覆われている。また、第２のゲート電極とし
て機能する酸化物半導体膜２１１ｂと第１のゲート電極として機能する導電膜２０４とは
、絶縁膜２０６、２０７、絶縁膜２１４及び絶縁膜２１６に設けられる開口部２５２ａ、
２５２ｂにおいて接続されるため、酸化物半導体膜２０８のチャネル幅方向の側面は、絶
縁膜２１４及び絶縁膜２１６を介して第２のゲート電極として機能する酸化物半導体膜２
１１ｂと対向している。
別言すると、トランジスタ２７０のチャネル幅方向において、第１のゲート電極として
機能する導電膜２０４及び第２のゲート電極として機能する酸化物半導体膜２１１ｂは、
第１のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜２０６、２０７及び第２のゲート絶縁膜として
機能する絶縁膜２１４及び絶縁膜２１６に設けられる開口部において接続すると共に、第
１のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜２０６、２０７並びに第２のゲート絶縁膜として
機能する絶縁膜２１４及び絶縁膜２１６を介して酸化物半導体膜２０８を囲む構成である
。
このような構成を有することで、トランジスタ２７０に含まれる酸化物半導体膜２０８
を、第１のゲート電極として機能する導電膜２０４及び第２のゲート電極として機能する
酸化物半導体膜２１１ｂの電界によって電気的に囲むことができる。トランジスタ２７０
のように、第１のゲート電極及び第２のゲート電極の電界によって、チャネル領域が形成
される酸化物半導体膜を電気的に囲むトランジスタのデバイス構造をｓｕｒｒｏｕｎｄｅ
ｄ ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
トランジスタ２７０は、ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、第１のゲート電極とし
て機能する導電膜２０４によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に酸化物半導
体膜２０８に印加することができるため、トランジスタ２７０の電流駆動能力が向上し、
高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能である
ため、トランジスタ２７０を微細化することが可能となる。また、トランジスタ２７０は
、第１のゲート電極として機能する導電膜２０４及び第２のゲート電極として機能する酸
化物半導体膜２１１ｂによって囲まれた構造を有するため、トランジスタ２７０の機械的
強度を高めることができる。
＜トランジスタの構成例２＞
次に、図３８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ２７０と異なる構成例について、
図３９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を用いて説明する。図３９（Ａ）（Ｂ）は、図３８（Ｂ
）（Ｃ）に示すトランジスタ２７０の変形例の断面図である。また、図３９（Ｃ）（Ｄ）
は、図３８（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ２７０の変形例の断面図である。
図３９（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ２７０Ａは、図３８（Ｂ）（Ｃ）に示すトラン
ジスタ２７０が有する酸化物半導体膜２０８を３層の積層構造としている。より具体的に
は、トランジスタ２７０Ａが有する酸化物半導体膜２０８は、酸化物半導体膜２０８ａと
、酸化物半導体膜２０８ｂと、酸化物半導体膜２０８ｃと、を有する。
図３９（Ｃ）（Ｄ）に示すトランジスタ２７０Ｂは、図３８（Ｂ）（Ｃ）に示すトラン
ジスタ２７０が有する酸化物半導体膜２０８を２層の積層構造としている。より具体的に
は、トランジスタ２７０Ｂが有する酸化物半導体膜２０８は、酸化物半導体膜２０８ｂと
、酸化物半導体膜２０８ｃと、を有する。
本実施の形態に示すトランジスタ２７０、２７０Ａ及び２７０Ｂの構成は、実施の形態
１で説明したトランジスタ１５０の構成を参照できる。すなわち、基板２０２の材料及び
作製方法は、基板１０２を参照できる。導電膜２０４の材料及び作製方法は、ゲート電極
１０４を参照できる。絶縁膜２０６及び絶縁膜２０７の材料及び作製方法は、それぞれ絶
縁膜１０６及び絶縁膜１０７を参照できる。酸化物半導体膜２０８の材料及び作製方法は
、酸化物半導体膜１１０を参照できる。酸化物半導体膜２１１ａ及び酸化物半導体膜２１
１ｂの材料及び作製方法は、酸化物半導体膜１１１を参照できる。導電膜２１２ａ及び導
電膜２１２ｂの材料及び作製方法は、ソース電極１１２ａ及びドレイン電極１１２ｂを参
照できる。絶縁膜２１４、絶縁膜２１６及び絶縁膜２１８の材料及び作製方法は、それぞ
れ絶縁膜１１４、絶縁膜１１６及び絶縁膜１１８を参照できる。
ここで、酸化物半導体膜２０８、及び酸化物半導体膜２０８に接する絶縁膜のバンド構
造について、図４０を用いて説明する。
図４０（Ａ）は、絶縁膜２０７、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、及び
絶縁膜２１４を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。また、図４０（Ｂ
）は、絶縁膜２０７、酸化物半導体膜２０８ｂ、２０８ｃ、及び絶縁膜２１４を有する積
層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。なお、バンド構造は、理解を容易にするた
め絶縁膜２０７、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、及び絶縁膜２１４の伝
導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を示す。
また、図４０（Ａ）は、絶縁膜２０７、２１４として酸化シリコン膜を用い、酸化物半
導体膜２０８ａとして金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２の金属酸
化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜２０８ｂとし
て金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸化物ターゲットを用
いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜２０８ｃとして金属元素の原子数
比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化
物半導体膜を用いる構成のバンド図である。
また、図４０（Ｂ）は、絶縁膜２０７、２１４として酸化シリコン膜を用い、酸化物半
導体膜２０８ｂとして金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸
化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜２０８ｃとし
て金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２の金属酸化物ターゲットを用
いて形成される酸化物半導体膜を用いる構成のバンド図である。
図４０（Ａ）（Ｂ）に示すように、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃにお
いて、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化ま
たは連続接合するともいうことができる。このようなバンド構造を有するためには、酸化
物半導体膜２０８ａと酸化物半導体膜２０８ｂとの界面、または酸化物半導体膜２０８ｂ
と酸化物半導体膜２０８ｃとの界面において、トラップ中心や再結合中心のような欠陥準
位を形成するような不純物が存在しないとする。
酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃに連続接合を形成するためには、ロード
ロック室を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置（スパッタリング装置）を用いて各膜
を大気に触れさせることなく連続して積層することが必要となる。
図４０（Ａ）（Ｂ）に示す構成とすることで酸化物半導体膜２０８ｂがウェル（井戸）
となり、上記積層構造を用いたトランジスタにおいて、チャネル領域が酸化物半導体膜２
０８ｂに形成されることがわかる。
なお、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃを設けることにより、酸化物半導体膜２０８
ｂに形成されうるトラップ準位を酸化物半導体膜２０８ｂより遠ざけることができる。
また、トラップ準位がチャネル領域として機能する酸化物半導体膜２０８ｂの伝導帯下
端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位から遠くなり、トラップ準位に電子が蓄積しや
すくなってしまうことがある。トラップ準位に電子が蓄積されることで、マイナスの固定
電荷となり、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。したがって
、トラップ準位が酸化物半導体膜２０８ｂの伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真
空準位に近くなるような構成にすると好ましい。このようにすることで、トラップ準位に
電子が蓄積しにくくなり、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に
、電界効果移動度を高めることができる。
また、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃは、酸化物半導体膜２０８ｂよりも伝導帯下
端のエネルギー準位が真空準位に近く、代表的には、酸化物半導体膜２０８ｂの伝導帯下
端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃの伝導帯下端のエネルギー準
位との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ
以下である。すなわち、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃの電子親和力と、酸化物半導
体膜２０８ｂの電子親和力との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２
ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。
このような構成を有することで、酸化物半導体膜２０８ｂが主な電流経路となる。すな
わち、酸化物半導体膜２０８ｂは、チャネル領域としての機能を有し、酸化物半導体膜２
０８ａ、２０８ｃは、酸化物絶縁膜としての機能を有する。また、酸化物半導体膜２０８
ａ、２０８ｃは、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜２０８ｂを構成する金属元素
の一種以上から構成される酸化物半導体膜であるため、酸化物半導体膜２０８ａと酸化物
半導体膜２０８ｂとの界面、または酸化物半導体膜２０８ｂと酸化物半導体膜２０８ｃと
の界面において、界面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリアの動きが
阻害されないため、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。
また、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃは、チャネル領域の一部として機能すること
を防止するため、導電率が十分に低い材料を用いるものとする。そのため、酸化物半導体
膜２０８ａ、２０８ｃを、その物性及び／または機能から、それぞれ酸化物絶縁膜とも呼
ぶことができる。また、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃには、電子親和力（真空準位
と伝導帯下端のエネルギー準位との差）が酸化物半導体膜２０８ｂよりも小さく、伝導帯
下端のエネルギー準位が酸化物半導体膜２０８ｂの伝導帯下端のエネルギー準位と差分（
バンドオフセット）を有する材料を用いるものとする。また、ドレイン電圧の大きさに依
存したしきい値電圧の差が生じることを抑制するためには、酸化物半導体膜２０８ａ、２
０８ｃの伝導帯下端のエネルギー準位が、酸化物半導体膜２０８ｂの伝導帯下端のエネル
ギー準位よりも真空準位に近い材料を用いると好適である。例えば、酸化物半導体膜２０
８ｂの伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃの伝導帯下端
のエネルギー準位との差が、０．２ｅＶ以上、好ましくは０．５ｅＶ以上とすることが好
ましい。
また、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃは、膜中にスピネル型の結晶構造が含まれな
いことが好ましい。酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃの膜中にスピネル型の結晶構造を
含む場合、該スピネル型の結晶構造と他の領域との界面において、導電膜２１２ａ、２１
２ｂの構成元素が酸化物半導体膜２０８ｂへ拡散してしまう場合がある。なお、酸化物半
導体膜２０８ａ、２０８ｃがＣＡＡＣ－ＯＳである場合、導電膜２１２ａ、２１２ｂの構
成元素、例えば、銅元素のブロッキング性が高くなり好ましい。
酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃの膜厚は、導電膜２１２ａ、２１２ｂの構成元素が
酸化物半導体膜２０８ｂに拡散することを抑制することのできる膜厚以上であって、絶縁
膜２１４から酸化物半導体膜２０８ｂへの酸素の供給を抑制する膜厚未満とする。例えば
、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃの膜厚が１０ｎｍ以上であると、導電膜２１２ａ、
２１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜２０８ｂへ拡散するのを抑制することができる。ま
た、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃの膜厚を１００ｎｍ以下とすると、絶縁膜２１４
から酸化物半導体膜２０８ｂへ効果的に酸素を供給することができる。
また、本実施の形態においては、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃとして、金属元素
の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２の金属酸化物ターゲットを用いて形成さ
れる酸化物半導体膜を用いる構成について例示したが、これに限定されない。例えば、酸
化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比
］、またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：６［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いて
形成される酸化物半導体膜を用いてもよい。
なお、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原
子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃは、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β１（０＜β１≦２）：β２（０＜β２≦３）となる場合がある
。また、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原
子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃは、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β３（１≦β３≦５）：β４（２≦β４≦６）となる場合がある
。また、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：６［原
子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜２０８ａ、２０８ｃは、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β５（１≦β５≦５）：β６（４≦β６≦８）となる場合がある
。
また、トランジスタ２７０が有する酸化物半導体膜２０８と、トランジスタ２７０Ａ、
２７０Ｂが有する酸化物半導体膜２０８ｃと、は図面において、導電膜２１２ａ、２１２
ｂと重畳しない領域の酸化物半導体膜が薄くなる、別言すると酸化物半導体膜の一部が凹
部を有する形状について例示している。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、導
電膜２１２ａ、２１２ｂと重畳しない領域の酸化物半導体膜が凹部を有さなくてもよい。
この場合の一例を図４１（Ａ）（Ｂ）に示す。図４１（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタの一
例を示す断面図である。なお、図４１（Ａ）（Ｂ）は、先に示すトランジスタ２７０Ｂの
酸化物半導体膜２０８が凹部を有さない構造である。
また、図４１（Ｃ）（Ｄ）に示すように、酸化物半導体膜２０８ｃの膜厚を、予め酸化
物半導体膜２０８ｂよりも薄く形成し、さらに酸化物半導体膜２０８ｃ及び絶縁膜２０７
上に絶縁膜２１９を形成してもよい。この場合、絶縁膜２１９には酸化物半導体膜２０８
ｃと導電膜２１２ａ及び導電膜２１２ｂとが接するための開口を形成する。絶縁膜２１９
は、絶縁膜２１４と同様の材料及び形成方法によって形成できる。
また、本実施の形態に係るトランジスタは、上記の構造のそれぞれを自由に組み合わせ
ることが可能である。
以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み
合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、発光素子２８０に用いることができる発光素子の構成例について説
明する。なお、本実施の形態に示すＥＬ層１３２０が、他の実施の形態に示したＥＬ層２
８１に相当する。
＜発光素子の構成＞
図４２（Ａ）に示す発光素子１３３０は、一対の電極（電極１３１８、電極１３２２）
間にＥＬ層１３２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明において
は、例として、電極１３１８を陽極として用い、電極１３２２を陰極として用いるものと
する。
また、ＥＬ層１３２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以
外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の
高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイ
ポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。
具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合
わせて用いることができる。
図４２（Ａ）に示す発光素子１３３０は、電極１３１８と電極１３２２との間に与えら
れた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１３２０において正孔と電子とが再結合し、発光す
るものである。つまりＥＬ層１３２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
本発明において、発光素子１３３０からの発光は、電極１３１８、または電極１３２２
側から外部に取り出される。従って、電極１３１８、または電極１３２２のいずれか一方
は透光性を有する物質で成る。
なお、ＥＬ層１３２０は図４２（Ｂ）に示す発光素子１３３１のように、電極１３１８
と電極１３２２との間に複数積層されていても良い。ｎ層（ｎは２以上の自然数）の積層
構造を有する場合には、ｍ番目（ｍは、１以上かつｎより小さい自然数）のＥＬ層１３２
０と、（ｍ＋１）番目のＥＬ層１３２０との間には、それぞれ電荷発生層１３２０ａを設
けることが好ましい。電極１３１８と電極１３２２を除く構成が上記実施の形態のＥＬ層
２８１に相当する。
電荷発生層１３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料を用いて形成することが
できる。金属酸化物としては、例えば、酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングス
テン等が挙げられる。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、
芳香族炭化水素、または、それらを基本骨格とするオリゴマー、デンドリマー、ポリマー
等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有
機化合物として正孔移動度が１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ま
しい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いても
よい。なお、電荷発生層１３２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア
輸送性に優れているため、発光素子１３３１の低電流駆動、および低電圧駆動を実現する
ことができる。上記複合材料以外にも、上記複合材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属
、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物などを加えた材料を電荷発生層１３２０
ａに用いてもよい。
なお、電荷発生層１３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組
み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電
子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み
合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導
電膜とを組み合わせて形成してもよい。
このような構成を有する発光素子１３３１は、隣接するＥＬ層１３２０同士でのエネル
ギーの移動が起こり難く、高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容
易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。
なお、電荷発生層１３２０ａとは、電極１３１８と電極１３２２に電圧を印加したとき
に、電荷発生層１３２０ａに接して形成される一方のＥＬ層１３２０に対して正孔を注入
する機能を有し、他方のＥＬ層１３２０に電子を注入する機能を有する。
図４２（Ｂ）に示す発光素子１３３１は、ＥＬ層１３２０に用いる発光物質の種類を変
えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる
複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ること
もできる。
図４２（Ｂ）に示す発光素子１３３１を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の
組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例
えば、青色の蛍光材料を発光物質として含むＥＬ層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質
として含むＥＬ層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示すＥＬ層と、緑色の
発光を示すＥＬ層と、青色の発光を示すＥＬ層とを有する構成とすることもできる。また
は、補色の関係にある光を発するＥＬ層を有する構成であっても白色発光が得られる。Ｅ
Ｌ層が２層積層された積層型素子において、これらのＥＬ層からの発光色を補色の関係に
する場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色の組合せなどが挙げ
られる。
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置
することにより、電流密度を低く保ったまま高輝度発光が得られ、また、長寿命素子を実
現することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルを有する表示モジュール及び電子機
器について、図４３乃至図４５を用いて説明を行う。
本発明の一態様のタッチパネルは、例えば、タッチパネル８００４に用いることができ
る。
図４３に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示パネル８００６、バックライト８００７、フレーム８００９、プリント基板８０１
０、バッテリ８０１１を有する。
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
バックライト８００７は、光源８００８を有する。
なお、図４３において、バックライト８００７上に光源８００８を配置する構成につい
て例示したが、これに限定さない。例えば、バックライト８００７の端部に光源８００８
を配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、有機ＥＬ素子等の自発光型
の発光素子を用いる場合、または反射型パネル等の場合においては、バックライト８００
７を設けない構成としてもよい。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
図４４（Ａ）乃至（Ｈ）及び図４５は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は
、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー
５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００
７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学
物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、
におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有するこ
とができる。
図４４（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９
、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図４４（Ｂ）は記録媒体を備えた携
帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表
示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図４４（Ｃ）はテレ
ビジョン装置であり、上述したものの他に、スタンド５０１２等を有することができる。
また、テレビジョン装置の操作は、筐体５０００が備える操作スイッチや、別体のリモコ
ン操作機５０１３により行うことができる。リモコン操作機５０１３が備える操作キーに
より、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部５００１に表示される映像を操
作することができる。また、リモコン操作機５０１３に、当該リモコン操作機５０１３か
ら出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。図４４（Ｄ）は携帯型遊技
機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図
４４（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ
５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図４
４（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読
込部５０１１、等を有することができる。図４４（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり
、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる
。図４４（Ｈ）は腕時計型情報端末であり、上述したもののほかに、バンド５０１８、留
め金５０１９、等を有することができる。ベゼル部分を兼ねる筐体５０００に搭載された
表示部５００１は、非矩形状の表示領域を有している。表示部５００１は、時刻を表すア
イコン５０２０、その他のアイコン５０２１等を表示することができる。図４５（Ａ）は
デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）である。図４５（Ｂ
）は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。
図４４（Ａ）乃至（Ｈ）及び図４５に示す電子機器は、様々な機能を有することができ
る。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、
タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア
（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々
なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信
又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示
部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器に
おいては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字
情報を表示する機能、又は、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的
な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器にお
いては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動又は手動で補
正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影し
た画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図４４（Ａ）乃至（Ｈ
）及び図４５に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機
能を有することができる。
本実施の形態の電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴
とする。該表示部に、本発明の一態様のタッチパネルを適用することができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
１０ タッチパネル
１１ 基板
１２ 基板
１３ ＦＰＣ
１４ 導電膜
２０ 液晶素子
２１ 導電膜
２１ａ 導電膜
２１ｂ 導電膜
２２ 導電膜
２３ 液晶
２４ 絶縁膜
３１ 着色膜
４１ 導電膜
４３ ＦＰＣ
６１ 配線
６２ 配線
６３ トランジスタ
６４ 液晶素子
６５ ブロック
６５＿１ ブロック
６５＿２ ブロック
６６＿１ 配線
６６＿４ 配線
６７＿１ ブロック
６７＿４ ブロック
７１ 配線
７１＿１ 配線
７１＿２ 配線
７２ 配線
７２＿１ 配線
７２＿２ 配線
１０２ 基板
１０４ ゲート電極
１０４ａ 導電膜
１０６ 絶縁膜
１０７ 絶縁膜
１０８ 絶縁膜
１１０ 酸化物半導体膜
１１１ 酸化物半導体膜
１１１ａ 酸化物半導体膜
１１１ｂ 酸化物半導体膜
１１１ｃ 酸化物半導体膜
１１２ 導電膜
１１２ａ ソース電極
１１２ｂ ドレイン電極
１１４ 絶縁膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１１９ 絶縁膜
１２０ 導電膜
１４１ 開口
１４２ 開口
１５０ トランジスタ
１５１ シール材
１６０ 容量素子
１９３ ターゲット
１９４ プラズマ
２０２ 基板
２０４ 導電膜
２０６ 絶縁膜
２０７ 絶縁膜
２０８ 酸化物半導体膜
２０８ａ 酸化物半導体膜
２０８ｂ 酸化物半導体膜
２０８ｃ 酸化物半導体膜
２１１ａ 酸化物半導体膜
２１１ｂ 酸化物半導体膜
２１２ａ 導電膜
２１２ｂ 導電膜
２１４ 絶縁膜
２１６ 絶縁膜
２１８ 絶縁膜
２１９ 絶縁膜
２２０ｂ 導電膜
２５２ａ 開口部
２５２ｂ 開口部
２５２ｃ 開口部
２７０ トランジスタ
２７０Ａ トランジスタ
２７０Ｂ トランジスタ
２８０ 発光素子
２８１ ＥＬ層
２８２ 導電膜
２８５ 導電膜
２８６ 導電膜
３０１ トランジスタ
３０６ 接続部
３０８ 液晶素子
３１０ タッチパネル
３１６ スペーサ
３１７ 導電膜
３１９ 接続層
３２０ タッチパネル
３３１Ｇ 着色膜
３３１Ｒ 着色膜
３３２ 遮光膜
３３３ 開口
３３４ 導電膜
３３５ 導電膜
３３６ 開口
３４１ 導電膜
３５３ 液晶
３５５ 絶縁膜
３７２ 基板
３７３ ＦＰＣ
３７４ ＩＣ
３７５ ＦＰＣ
３８１ 表示部
３８２ 駆動回路
３８４ 駆動回路
３８５ 開口
３８６ 配線
３８８Ｇ 画素
３８８Ｒ 画素
３９１ 絶縁膜
６０１ パルス電圧出力回路
６０２ 電流検出回路
６０３ 容量
６２１ 電極
６２２ 電極
１３１８ 電極
１３２０ ＥＬ層
１３２０ａ 電荷発生層
１３２２ 電極
１３３０ 発光素子
１３３１ 発光素子
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ スタンド
５０１３ リモコン操作機
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
５０１８ バンド
５０１９ 留め金
５０２０ アイコン
５０２１ アイコン
５１００ ペレット
５１２０ 基板
５１６１ 領域
５２００ ペレット
５２０１ イオン
５２０２ 横成長部
５２０３ 粒子
５２２０ 基板
５２３０ ターゲット
５２４０ プラズマ
５２６０ 加熱機構
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００７ バックライト
８００８ 光源
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ

Claims (3)

  1. タッチセンサの第１の電極と、前記タッチセンサの第２の電極と、前記第１の電極と電気的に接続される配線と、を有する半導体装置であって、
    トランジスタのゲート電極と、
    前記配線及び前記ゲート電極に接して設けられたゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜に接して設けられた、前記トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体膜と、
    前記半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
    前記半導体膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に接するように設けられた、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜と、
    前記第１の金属酸化物膜上、前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上に設けられた画素電極と、
    を有し、
    前記第１の電極は、前記第１の金属酸化物膜を含み、
    前記第２の電極は、前記第２の金属酸化物膜を含み、
    前記第１の金属酸化物膜、及び前記第２の金属酸化物膜は、同じ材料を含み、
    前記配線は、前記ゲート電極と同じ材料を含み、
    平面視において、前記配線は、第１の方向に延びて配置され、
    平面視において、前記第２の電極は、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びて配置される、半導体装置。
  2. 第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶と、前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面側に設けられたスペーサと、を有し、
    前記第１の基板上に、タッチセンサの第１の電極と、前記タッチセンサの第２の電極と、前記第１の電極と電気的に接続される配線と、を有する半導体装置であって、
    トランジスタのゲート電極と、
    前記配線及び前記ゲート電極に接して設けられたゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜に接して設けられた、前記トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体膜と、
    前記半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
    前記半導体膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に接するように設けられた、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜と、
    前記第１の金属酸化物膜上、前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上に設けられた画素電極と、
    を有し、
    前記第１の電極は、前記第１の金属酸化物膜を含み、
    前記第２の電極は、前記第２の金属酸化物膜を含み、
    前記第１の金属酸化物膜、及び前記第２の金属酸化物膜は、同じ材料を含み、
    前記配線は、前記ゲート電極と同じ材料を含み、
    平面視において、前記配線は、第１の方向に延びて配置され、
    平面視において、前記第２の電極は、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びて配置される、半導体装置。
  3. 第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶と、前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面側に設けられたスペーサと、を有し、
    前記第１の基板上に、
    トランジスタと、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方に電気的に接続された画素電極と、を有する画素回路を複数と、
    タッチセンサの複数の第１の電極と、
    前記タッチセンサの複数の第２の電極と、
    前記第１の電極と電気的に接続される配線と、を有し、
    前記トランジスタは、ゲート電極と、チャネル形成領域を有する半導体膜と、前記半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置であって、
    前記半導体膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に接するように設けられた、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜と、
    前記第１の金属酸化物膜上、前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第２の絶縁膜と、を有し、
    前記画素電極は、前記第２の絶縁膜上に接するように設けられ、
    前記第１の金属酸化物膜は、前記第１の電極として機能し、
    前記第２の金属酸化物膜は、前記第２の電極として機能し、
    平面視において、前記配線は、第１の方向に延びて配置され、
    平面視において、前記第２の電極は、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びて配置され、
    平面視において、前記配線は、複数の前記第１の電極うち前記第２の方向に隣接する第１の電極の間の領域と重なるように配置される、半導体装置。
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