JP2024001270A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】迷光が低減でき、マークから情報を読み取ることができる小型化可能な発光装置を提供する。【解決手段】上方が開口した凹部が設けられた本体と、前記凹部の周りの前記本体の表面に設けられた金属膜と、を含むパッケージと、前記凹部を覆うように前記パッケージに固定されているキャップと、前記キャップと前記パッケージとに囲まれた空間内に配置された、レーザ光を出射する１以上のレーザ素子とを備え、前記キャップは、上面及び下面を有する透光性部材と、前記レーザ光を外部へ取り出す開口を有する形状で前記下面に設けられた金属膜を含む遮光膜とを有し、前記パッケージの金属膜と前記遮光膜が接合部材によって接合されることにより前記キャップが前記パッケージに固定されている発光装置。【選択図】図１Ａ
Description
本発明は、発光装置に関する。
発光素子のパッケージの例としては、特許文献１が挙げられる。特許文献２には、パッ
ケージ部材と、パッケージ部材に接合されたカバーガラスと、パッケージ部材とカバーガ
ラスに囲まれた空間領域に配置されたレーザチップと、を有する光デバイスが記載されて
いる。
ケージ部材と、パッケージ部材に接合されたカバーガラスと、パッケージ部材とカバーガ
ラスに囲まれた空間領域に配置されたレーザチップと、を有する光デバイスが記載されて
いる。
特許文献１に記載の光デバイスのカバーガラスは、その全体が光透過性である。このよ
うな構成では、レーザチップからの光の一部が迷光としてカバーガラスから取り出される
可能性がある。また、特許文献１に記載の光デバイスは、ロット番号等の情報を印字する
ことは想定されておらず、このような情報を印字する場所が確保されていない。
うな構成では、レーザチップからの光の一部が迷光としてカバーガラスから取り出される
可能性がある。また、特許文献１に記載の光デバイスは、ロット番号等の情報を印字する
ことは想定されておらず、このような情報を印字する場所が確保されていない。
本開示は以下の発明を含む。
上方が開口した凹部が設けられているパッケージと、
前記凹部を覆うように前記パッケージに固定されているキャップと、
前記キャップと前記パッケージとに囲まれた空間内に配置された、レーザ光を出射する
１以上のレーザ素子と、を備え、
前記キャップは、上面及び下面を有する透光性部材と、前記下面において前記レーザ光
を外部へ取り出す光取出領域を避けて設けられた遮光膜と、を有し、
前記遮光膜は、上面視において、前記レーザ素子の少なくとも一部を覆う位置に設けら
れており、
前記遮光膜には、所定の情報を読み取り可能なマークが設けられている発光装置。
上方が開口した凹部が設けられているパッケージと、
前記凹部を覆うように前記パッケージに固定されているキャップと、
前記キャップと前記パッケージとに囲まれた空間内に配置された、レーザ光を出射する
１以上のレーザ素子と、を備え、
前記キャップは、上面及び下面を有する透光性部材と、前記下面において前記レーザ光
を外部へ取り出す光取出領域を避けて設けられた遮光膜と、を有し、
前記遮光膜は、上面視において、前記レーザ素子の少なくとも一部を覆う位置に設けら
れており、
前記遮光膜には、所定の情報を読み取り可能なマークが設けられている発光装置。
第１主面及び第２主面を有する透光性部材と、前記第２主面の一部に設けられた遮光膜
と、を有するキャップを準備する工程と、
前記遮光膜の一部を加工することにより、所定の情報を読み取り可能なマークを形成す
る工程と、
凹部が設けられているパッケージと、前記凹部内に配置された１以上のレーザ素子と、
を準備する工程と、
前記マークが形成された側を前記パッケージの側として、前記キャップを前記パッケー
ジに前記凹部を覆うように固定する工程と、
を備える発光装置の製造方法。
と、を有するキャップを準備する工程と、
前記遮光膜の一部を加工することにより、所定の情報を読み取り可能なマークを形成す
る工程と、
凹部が設けられているパッケージと、前記凹部内に配置された１以上のレーザ素子と、
を準備する工程と、
前記マークが形成された側を前記パッケージの側として、前記キャップを前記パッケー
ジに前記凹部を覆うように固定する工程と、
を備える発光装置の製造方法。
このように、遮光膜が迷光低減とマーク形成領域確保という両方の役割を備えることに
より、これらの効果を得ることができる小型化可能な発光装置及びその製造方法を提供す
ることができる。
より、これらの効果を得ることができる小型化可能な発光装置及びその製造方法を提供す
ることができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す実
施形態は、本発明の技術思想を具体化するための方法を例示するものであって、本発明を
以下の実施形態に特定するものではない。さらに以下の説明において、同一の名称、符号
については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
施形態は、本発明の技術思想を具体化するための方法を例示するものであって、本発明を
以下の実施形態に特定するものではない。さらに以下の説明において、同一の名称、符号
については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
図１Ａは、実施形態に係る発光装置１００の模式的平面図である。図１Ｂは、図１Ａ中
のＩＢ－ＩＢ線における模式的断面図である。発光装置１００は、パッケージ１０と、キ
ャップ２０と、レーザ素子３０（３１、３２、３３）と、を有する。パッケージ１０には
、上方が開口した凹部１１が設けられている。キャップ２０は、凹部１１を覆うようにパ
ッケージ１０に固定されている。レーザ素子３０は、キャップ２０とパッケージ１０とに
囲まれた空間内に配置されている。レーザ素子３０はレーザ光を出射する。
のＩＢ－ＩＢ線における模式的断面図である。発光装置１００は、パッケージ１０と、キ
ャップ２０と、レーザ素子３０（３１、３２、３３）と、を有する。パッケージ１０には
、上方が開口した凹部１１が設けられている。キャップ２０は、凹部１１を覆うようにパ
ッケージ１０に固定されている。レーザ素子３０は、キャップ２０とパッケージ１０とに
囲まれた空間内に配置されている。レーザ素子３０はレーザ光を出射する。
キャップ２０は、上面２１ａ及び下面２１ｂを有する透光性部材２１と、下面２１ｂに
設けられた遮光膜２２と、を有する。図１Ａにおいて網掛けを施した領域が、遮光膜２２
が設けられた領域である。遮光膜２２は、下面２１ｂにおけるレーザ光を外部へ取り出す
部分である光取出領域を避けて設けられている。遮光膜２２は、上面視において、レーザ
素子３０の少なくとも一部を覆う位置に設けられている。遮光膜２２には、所定の情報を
読み取り可能なマーク２３が設けられている。なお、図１Ａにおいて、一部の部品は透光
性部材２１及び遮光膜２２を透過した状態で破線で示している。本明細書において、透光
性部材２１のレーザ光が照射される側の面を下面といい、それとは反対の側の面を上面と
いう。そのほかの部材の上下面や各部材の位置関係についてもこれに倣う。
設けられた遮光膜２２と、を有する。図１Ａにおいて網掛けを施した領域が、遮光膜２２
が設けられた領域である。遮光膜２２は、下面２１ｂにおけるレーザ光を外部へ取り出す
部分である光取出領域を避けて設けられている。遮光膜２２は、上面視において、レーザ
素子３０の少なくとも一部を覆う位置に設けられている。遮光膜２２には、所定の情報を
読み取り可能なマーク２３が設けられている。なお、図１Ａにおいて、一部の部品は透光
性部材２１及び遮光膜２２を透過した状態で破線で示している。本明細書において、透光
性部材２１のレーザ光が照射される側の面を下面といい、それとは反対の側の面を上面と
いう。そのほかの部材の上下面や各部材の位置関係についてもこれに倣う。
遮光膜２２は、レーザ素子からの光を遮ることによる迷光低減の効果を有すると共に、
マーク２３の形成領域として用いられる。これにより、それらの効果を得ることができる
小型化可能な発光装置１００を得ることができる。図１Ｂに示すように透光性部材２１の
側面に遮光部材がなく側面が露出している場合は、もし遮光膜を下面２１ｂでなく上面２
１ａに設けると、遮光膜の下面で反射された光が透光性部材２１の側面から取り出される
可能性がある。このため、遮光膜２２は下面２１ｂに設けることが好ましく、これにより
、透光性部材２１の側面からの迷光を低減することができる。また、下面２１ｂの方が上
面２１ａよりも照射されるレーザ光の光路長が短いため、レーザ光のサイズが小さい。す
なわち、下面２１ｂの方が上面２１ａよりも、遮光膜２２が避けるべき光取出領域が小さ
い。このため、遮光膜２２を下面２１ｂに設けることで、上面２１ａに設ける場合と比較
して、遮光膜２２の面積を大きくすることができる。マーク２３を形成するためには遮光
膜２２の面積が大きい方が有利である。
マーク２３の形成領域として用いられる。これにより、それらの効果を得ることができる
小型化可能な発光装置１００を得ることができる。図１Ｂに示すように透光性部材２１の
側面に遮光部材がなく側面が露出している場合は、もし遮光膜を下面２１ｂでなく上面２
１ａに設けると、遮光膜の下面で反射された光が透光性部材２１の側面から取り出される
可能性がある。このため、遮光膜２２は下面２１ｂに設けることが好ましく、これにより
、透光性部材２１の側面からの迷光を低減することができる。また、下面２１ｂの方が上
面２１ａよりも照射されるレーザ光の光路長が短いため、レーザ光のサイズが小さい。す
なわち、下面２１ｂの方が上面２１ａよりも、遮光膜２２が避けるべき光取出領域が小さ
い。このため、遮光膜２２を下面２１ｂに設けることで、上面２１ａに設ける場合と比較
して、遮光膜２２の面積を大きくすることができる。マーク２３を形成するためには遮光
膜２２の面積が大きい方が有利である。
遮光膜２２は、迷光が発光装置１００の外に取り出される可能性を低減することができ
る位置に配置する。レーザ素子３０は光出射端面及び光反射端面を有するが、迷光とは、
例えば、光反射端面から漏れる光である。このため、遮光膜２２は、光反射端面から出射
する光が、直接又は凹部１１の内壁で反射されて到達する位置に設けられていることが好
ましい。なお、凹部１１の内壁は底面と側壁を含む。レーザ素子３０がサブマウント４０
の上に設けられている場合は、遮光膜２２は、さらに、光反射端面から出射する光がサブ
マウント４０で反射されて到達する位置に設けられていることが好ましい。これにより、
サブマウント４０で反射された光も遮光膜２２で遮ることができる。なお、光反射端面か
ら出射する光が直接又は凹部１１の内壁で反射されて到達する位置のすべてに遮光膜２２
を設けると、レーザ素子３０の光出射端面から出射されるレーザ光の主要部を遮る場合が
ある。このため、遮光膜２２は、光反射端面からの光が到達する位置のすべてに設けなく
てもよい。また、レーザ素子３０からの光は、各部材で反射される度にその一部がそれら
の部材によって吸収されるため、遮光膜２２で反射された光が他の部材で再反射されるこ
とによって到達する位置には遮光膜２２を設けなくてもよい。
る位置に配置する。レーザ素子３０は光出射端面及び光反射端面を有するが、迷光とは、
例えば、光反射端面から漏れる光である。このため、遮光膜２２は、光反射端面から出射
する光が、直接又は凹部１１の内壁で反射されて到達する位置に設けられていることが好
ましい。なお、凹部１１の内壁は底面と側壁を含む。レーザ素子３０がサブマウント４０
の上に設けられている場合は、遮光膜２２は、さらに、光反射端面から出射する光がサブ
マウント４０で反射されて到達する位置に設けられていることが好ましい。これにより、
サブマウント４０で反射された光も遮光膜２２で遮ることができる。なお、光反射端面か
ら出射する光が直接又は凹部１１の内壁で反射されて到達する位置のすべてに遮光膜２２
を設けると、レーザ素子３０の光出射端面から出射されるレーザ光の主要部を遮る場合が
ある。このため、遮光膜２２は、光反射端面からの光が到達する位置のすべてに設けなく
てもよい。また、レーザ素子３０からの光は、各部材で反射される度にその一部がそれら
の部材によって吸収されるため、遮光膜２２で反射された光が他の部材で再反射されるこ
とによって到達する位置には遮光膜２２を設けなくてもよい。
発光装置１００は、レーザ素子３０からのレーザ光を透光性部材２１に向けて反射する
光反射部材５０を有することができる。この場合、光反射部材５０の光反射面で反射され
たレーザ光の主要部が通過する領域が光取出領域である。レーザ光の主要部とは、ピーク
強度値に対して１／ｅ２以上の強度を有する光が分布する領域として特定することができ
る。例えば、光反射部材５０の表面のうちレーザ光を反射する面である光反射面の直上が
光取出領域である。このため、図１Ａにおいて、遮光膜２２は、上面視において光反射部
材５０を囲む形状で設けられる。言い換えれば、光反射部材５０の直上には遮光膜２２が
設けられていない。これにより、光反射部材５０の光反射面で反射されたレーザ光を遮光
膜２２に遮られることなく外部に取り出すことができる。図１Ｂにおいて、レーザ素子３
０はその光出射端面が光反射部材５０の光反射面と向き合うように配置されている。図１
Ａに示すように、上面視において、少なくともレーザ素子３０の光反射端面と凹部１１の
縁との間に遮光膜２２が設けられていることで、光反射端面からの漏れ光が発光装置１０
０の外部に取り出される可能性を低減することができる。
光反射部材５０を有することができる。この場合、光反射部材５０の光反射面で反射され
たレーザ光の主要部が通過する領域が光取出領域である。レーザ光の主要部とは、ピーク
強度値に対して１／ｅ２以上の強度を有する光が分布する領域として特定することができ
る。例えば、光反射部材５０の表面のうちレーザ光を反射する面である光反射面の直上が
光取出領域である。このため、図１Ａにおいて、遮光膜２２は、上面視において光反射部
材５０を囲む形状で設けられる。言い換えれば、光反射部材５０の直上には遮光膜２２が
設けられていない。これにより、光反射部材５０の光反射面で反射されたレーザ光を遮光
膜２２に遮られることなく外部に取り出すことができる。図１Ｂにおいて、レーザ素子３
０はその光出射端面が光反射部材５０の光反射面と向き合うように配置されている。図１
Ａに示すように、上面視において、少なくともレーザ素子３０の光反射端面と凹部１１の
縁との間に遮光膜２２が設けられていることで、光反射端面からの漏れ光が発光装置１０
０の外部に取り出される可能性を低減することができる。
図１Ａに示すように、遮光膜２２は、開口を有する形状とすることができる。その開口
を光取出口とし、それ以外の領域を遮光膜２２で被覆することにより、迷光が発光装置１
００の外部に取り出される可能性を低減することができる。また、後述ように、遮光膜２
２の一部をパッケージ１０と接合するための接合領域とするためには、遮光膜２２が開口
を有する形状であることが好ましい。遮光膜２２の開口のサイズ及び位置は、発光装置１
００の外部に取り出したいレーザ光の量によって決定してよい。遮光膜２２の開口は、レ
ーザ素子３０からのレーザ光の主要部の全てが通過するサイズ及び位置に設けてもよい。
遮光膜２２の開口は、下面２１ｂのレーザ光の主要部の縁と開口の縁との直線距離のうち
最も短い距離が０．０５ｍｍ以下であることが好ましく、また、最も長い距離が０．５ｍ
ｍ以下であることが好ましい。遮光膜２２の開口は、レーザ素子３０からのレーザ光の主
要部の全てが通過するサイズ及び位置でなくてもよく、遮光膜２２によってレーザ光の主
要部の一部を遮ってもよい。図３に、発光装置１００とレンズ４００との組み合わせの一
例を示す。発光装置１００から取り出されるレーザ光をレンズに入射させる場合、レンズ
に入射するレーザ光がレンズ４００の有効径よりも小さいことが好ましい。これにより、
発光装置１００とレンズ４００の相対位置が設計値からずれても、レーザ光をレンズの有
効径内に収めることができ、これによって迷光が発生する可能性を低減することができる
ためである。図３に示すように、発光装置１００からのレーザ光とレンズ４００の有効径
がこのような関係になるように、遮光膜２２をレーザ素子３０からのレーザ光の一部を遮
る位置に設けてもよい。
を光取出口とし、それ以外の領域を遮光膜２２で被覆することにより、迷光が発光装置１
００の外部に取り出される可能性を低減することができる。また、後述ように、遮光膜２
２の一部をパッケージ１０と接合するための接合領域とするためには、遮光膜２２が開口
を有する形状であることが好ましい。遮光膜２２の開口のサイズ及び位置は、発光装置１
００の外部に取り出したいレーザ光の量によって決定してよい。遮光膜２２の開口は、レ
ーザ素子３０からのレーザ光の主要部の全てが通過するサイズ及び位置に設けてもよい。
遮光膜２２の開口は、下面２１ｂのレーザ光の主要部の縁と開口の縁との直線距離のうち
最も短い距離が０．０５ｍｍ以下であることが好ましく、また、最も長い距離が０．５ｍ
ｍ以下であることが好ましい。遮光膜２２の開口は、レーザ素子３０からのレーザ光の主
要部の全てが通過するサイズ及び位置でなくてもよく、遮光膜２２によってレーザ光の主
要部の一部を遮ってもよい。図３に、発光装置１００とレンズ４００との組み合わせの一
例を示す。発光装置１００から取り出されるレーザ光をレンズに入射させる場合、レンズ
に入射するレーザ光がレンズ４００の有効径よりも小さいことが好ましい。これにより、
発光装置１００とレンズ４００の相対位置が設計値からずれても、レーザ光をレンズの有
効径内に収めることができ、これによって迷光が発生する可能性を低減することができる
ためである。図３に示すように、発光装置１００からのレーザ光とレンズ４００の有効径
がこのような関係になるように、遮光膜２２をレーザ素子３０からのレーザ光の一部を遮
る位置に設けてもよい。
レーザ素子３０が複数ある場合、遮光膜２２の開口は１つでも複数でもよい。図１Ａに
示すように１つのサブマウント４０に複数のレーザ素子３０を配置する場合は、レーザ素
子３０同士の距離が比較的短いため、遮光膜２２の開口は１つであることが好ましい。遮
光膜２２の開口の形状としては、円形、楕円形、多角形などが挙げられる。多角形よりも
、多角形の角が丸められた形状の方が形成容易であるため、そのような形状であってもよ
い。例えば、図１Ａに示すように、複数のレーザ素子３０が列状に配置される場合は、遮
光膜２２の開口の形状は、四角形又は四角形の角が丸められた形状とすることができる。
示すように１つのサブマウント４０に複数のレーザ素子３０を配置する場合は、レーザ素
子３０同士の距離が比較的短いため、遮光膜２２の開口は１つであることが好ましい。遮
光膜２２の開口の形状としては、円形、楕円形、多角形などが挙げられる。多角形よりも
、多角形の角が丸められた形状の方が形成容易であるため、そのような形状であってもよ
い。例えば、図１Ａに示すように、複数のレーザ素子３０が列状に配置される場合は、遮
光膜２２の開口の形状は、四角形又は四角形の角が丸められた形状とすることができる。
図１Ａにおいて、光反射部材５０は、その中心が凹部１１の中心と一致しない。このよ
うに、凹部１１の中央部をレーザ素子３０を配置する領域とし、レーザ素子３０と凹部１
１の縁との間に光反射部材５０を配置することが好ましい。これにより、凹部１１の中央
部に光反射部材５０を配置する場合と比較して発光装置１００を小型化することができる
。また、このような配置により、遮光膜２２を幅の狭い部分と広い部分とを有する形状と
することができるため、幅の広い部分にマーク２３を形成することができる。
うに、凹部１１の中央部をレーザ素子３０を配置する領域とし、レーザ素子３０と凹部１
１の縁との間に光反射部材５０を配置することが好ましい。これにより、凹部１１の中央
部に光反射部材５０を配置する場合と比較して発光装置１００を小型化することができる
。また、このような配置により、遮光膜２２を幅の狭い部分と広い部分とを有する形状と
することができるため、幅の広い部分にマーク２３を形成することができる。
１つの凹部１１内に複数のレーザ素子３０が配置されていてもよい。発光装置１００は
、例えば、レーザ素子３０として、出射するレーザ光の視感度が異なる複数のレーザ素子
を有することができる。この場合、上面視において、マーク２３は、複数のレーザ素子３
０のうち最も視感度が低いレーザ光を出射するレーザ素子に最も近接して配置されている
ことが好ましい。マーク２３は遮光膜２２の一部に形成されるため、遮光膜２２における
マーク２３が形成されている部分は形成されていない部分と比較して遮光性が低下する場
合がある。例えば、マーク２３が遮光膜２２の有る部分と無い部分との組み合わせによっ
て構成されている場合はマーク２３を形成領域の遮光性が他の領域よりも低下する。マー
ク２３を、視感度が低いレーザ光の光源に近付け、相対的に、視感度が高いレーザ光の光
源から遠ざけることで、マーク２３形成領域の遮光性の低下の影響を小さくすることが可
能である。したがって、迷光低減のためにはそのような配置が好ましい。なお、ここでは
視感度を基準としたが、発光装置１００の用途によっては別の基準を用いてもよい。例え
ば、短波長の光の漏出低減を重視する場合は、短波長の光を放出するレーザ素子から相対
的に遠い位置にマーク２３を形成するとよい。
、例えば、レーザ素子３０として、出射するレーザ光の視感度が異なる複数のレーザ素子
を有することができる。この場合、上面視において、マーク２３は、複数のレーザ素子３
０のうち最も視感度が低いレーザ光を出射するレーザ素子に最も近接して配置されている
ことが好ましい。マーク２３は遮光膜２２の一部に形成されるため、遮光膜２２における
マーク２３が形成されている部分は形成されていない部分と比較して遮光性が低下する場
合がある。例えば、マーク２３が遮光膜２２の有る部分と無い部分との組み合わせによっ
て構成されている場合はマーク２３を形成領域の遮光性が他の領域よりも低下する。マー
ク２３を、視感度が低いレーザ光の光源に近付け、相対的に、視感度が高いレーザ光の光
源から遠ざけることで、マーク２３形成領域の遮光性の低下の影響を小さくすることが可
能である。したがって、迷光低減のためにはそのような配置が好ましい。なお、ここでは
視感度を基準としたが、発光装置１００の用途によっては別の基準を用いてもよい。例え
ば、短波長の光の漏出低減を重視する場合は、短波長の光を放出するレーザ素子から相対
的に遠い位置にマーク２３を形成するとよい。
図１Ａでは、レーザ素子３０として、青色レーザ光を出射する青色レーザ素子３１と、
緑色レーザ光を出射する緑色レーザ素子３２と、赤色レーザ光を出射する赤色レーザ素子
３３と、を有する。視感度は、緑色レーザ光が最も高く、赤色レーザ光が次いで高く、青
色レーザ光が最も低い。したがって、図１Ａでは、マーク２３は青色レーザ素子３１に最
も近接して配置されている。図１Ａでは、青色レーザ素子３１と赤色レーザ素子３３の間
に緑色レーザ素子３２を配置しているが、迷光低減を重視する場合は、赤色レーザ素子３
３と緑色レーザ素子３２の位置を入れ替えてもよい。
緑色レーザ光を出射する緑色レーザ素子３２と、赤色レーザ光を出射する赤色レーザ素子
３３と、を有する。視感度は、緑色レーザ光が最も高く、赤色レーザ光が次いで高く、青
色レーザ光が最も低い。したがって、図１Ａでは、マーク２３は青色レーザ素子３１に最
も近接して配置されている。図１Ａでは、青色レーザ素子３１と赤色レーザ素子３３の間
に緑色レーザ素子３２を配置しているが、迷光低減を重視する場合は、赤色レーザ素子３
３と緑色レーザ素子３２の位置を入れ替えてもよい。
図１Ａにおいて、共振器方向の長さは、青色レーザ素子３１と緑色レーザ素子３２が同
程度であり、赤色レーザ素子３３がそれよりも長い。これは、後述するように赤色レーザ
素子３３がそれ以外の素子と効率が異なるためである。このため、各レーザ素子から同程
度の出力を得るために赤色レーザ素子３３をそれ以外の素子よりも長くしている。図１Ａ
において、遮光膜２２は、赤色レーザ素子３３の一部のみを被覆し、それよりも共振器方
向の長さが短い青色レーザ素子３１及び緑色レーザ素子３２は全く被覆していない。この
ように、共振器方向の長さが異なる複数のレーザ素子３０を配置する場合は、遮光膜２２
は一部のレーザ素子３０を被覆するのみであってもよい。なお、共振器方向とは、例えば
リッジが設けられている場合はリッジの延伸方向を指す。共振器方向は、例えば光出射端
面と光反射端面とを最短距離で結ぶ方向である。
程度であり、赤色レーザ素子３３がそれよりも長い。これは、後述するように赤色レーザ
素子３３がそれ以外の素子と効率が異なるためである。このため、各レーザ素子から同程
度の出力を得るために赤色レーザ素子３３をそれ以外の素子よりも長くしている。図１Ａ
において、遮光膜２２は、赤色レーザ素子３３の一部のみを被覆し、それよりも共振器方
向の長さが短い青色レーザ素子３１及び緑色レーザ素子３２は全く被覆していない。この
ように、共振器方向の長さが異なる複数のレーザ素子３０を配置する場合は、遮光膜２２
は一部のレーザ素子３０を被覆するのみであってもよい。なお、共振器方向とは、例えば
リッジが設けられている場合はリッジの延伸方向を指す。共振器方向は、例えば光出射端
面と光反射端面とを最短距離で結ぶ方向である。
また、マーク２３を設けることによる迷光増大の割合を低減するためには、マーク２３
はレーザ素子３０からの光が到達する可能性が比較的低い位置に設けることが好ましい。
具体的には、マーク２３は、上面視においてレーザ素子３０の共振器の延長線上を避けて
配置されることが好ましい。例えばレーザ素子３０にリッジが設けられている場合は、上
面視においてリッジの延長線上を共振器の延長線上とみなすことができる。図１Ａでは、
マーク２３は、各レーザ素子３０の光出射端面及び光反射端面を共振器方向に延長させた
領域を避けて配置されている。このように、マーク２３は、上面視においてレーザ素子３
０の光出射端面及び光反射端面を共振器方向に延長させた領域を避けて配置されることが
より好ましい。これにより、マーク２３を設けることによる迷光増大の割合をより低減す
ることができる。図１Ａでは、共振器方向の長さが最も長いレーザ素子３０（赤色レーザ
素子３３）の複数の側面のうち１つの側面と凹部１１の縁の間に、それよりも共振器方向
の長さが短いレーザ素子３０（青色レーザ素子３１及び緑色レーザ素子３２）と、マーク
２３とが配置されている。このように、共振器方向の長さが異なる複数のレーザ素子３０
を配置する場合に、上面視において共振器方向の長さが長いレーザ素子３０よりも共振器
方向の長さが短いレーザ素子３０の方に近くなるようにマーク２３を配置してもよい。
はレーザ素子３０からの光が到達する可能性が比較的低い位置に設けることが好ましい。
具体的には、マーク２３は、上面視においてレーザ素子３０の共振器の延長線上を避けて
配置されることが好ましい。例えばレーザ素子３０にリッジが設けられている場合は、上
面視においてリッジの延長線上を共振器の延長線上とみなすことができる。図１Ａでは、
マーク２３は、各レーザ素子３０の光出射端面及び光反射端面を共振器方向に延長させた
領域を避けて配置されている。このように、マーク２３は、上面視においてレーザ素子３
０の光出射端面及び光反射端面を共振器方向に延長させた領域を避けて配置されることが
より好ましい。これにより、マーク２３を設けることによる迷光増大の割合をより低減す
ることができる。図１Ａでは、共振器方向の長さが最も長いレーザ素子３０（赤色レーザ
素子３３）の複数の側面のうち１つの側面と凹部１１の縁の間に、それよりも共振器方向
の長さが短いレーザ素子３０（青色レーザ素子３１及び緑色レーザ素子３２）と、マーク
２３とが配置されている。このように、共振器方向の長さが異なる複数のレーザ素子３０
を配置する場合に、上面視において共振器方向の長さが長いレーザ素子３０よりも共振器
方向の長さが短いレーザ素子３０の方に近くなるようにマーク２３を配置してもよい。
（パッケージ１０）
パッケージ１０は、凹部１１が設けられた本体１２と、凹部１１の周りの本体１２の表
面に設けられた金属膜１３と、を含む。パッケージ１０は、セラミックを主材料として形
成することができる。なお、セラミックに限らず金属で形成してもよい。パッケージ１０
の主材料としては、例えば、セラミックでは窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミ
ニウム、炭化ケイ素を、金属では銅、アルミニウム、鉄、複合物として銅モリブデン、銅
-ダイヤモンド複合材料、銅タングステンを挙げることができる。あるいは、底部と枠部
を、それぞれ主材料が異なる別個の部材として形成し、底部と枠部を接合してパッケージ
１０を形成してもよい。
パッケージ１０は、凹部１１が設けられた本体１２と、凹部１１の周りの本体１２の表
面に設けられた金属膜１３と、を含む。パッケージ１０は、セラミックを主材料として形
成することができる。なお、セラミックに限らず金属で形成してもよい。パッケージ１０
の主材料としては、例えば、セラミックでは窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミ
ニウム、炭化ケイ素を、金属では銅、アルミニウム、鉄、複合物として銅モリブデン、銅
-ダイヤモンド複合材料、銅タングステンを挙げることができる。あるいは、底部と枠部
を、それぞれ主材料が異なる別個の部材として形成し、底部と枠部を接合してパッケージ
１０を形成してもよい。
迷光を低減するためには、凹部１１の内壁はレーザ素子３０からの光に対する反射率が
低いことが好ましい。凹部１１の内壁において光が吸収されるほど迷光が低減するためで
ある。このような材料としては、例えば窒化アルミニウムセラミックが挙げられる。凹部
の側壁を窒化アルミニウムセラミックで構成することで、迷光低減の効果が期待できる。
金属膜１３は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕが透光性部材２１側からこの順に積層された積
層膜とする。金属膜１３は、後述する接合部材６０を接合するための部材であり、不要で
あれば省略してもよい。
低いことが好ましい。凹部１１の内壁において光が吸収されるほど迷光が低減するためで
ある。このような材料としては、例えば窒化アルミニウムセラミックが挙げられる。凹部
の側壁を窒化アルミニウムセラミックで構成することで、迷光低減の効果が期待できる。
金属膜１３は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕが透光性部材２１側からこの順に積層された積
層膜とする。金属膜１３は、後述する接合部材６０を接合するための部材であり、不要で
あれば省略してもよい。
（キャップ２０）
キャップ２０は、透光性部材２１と遮光膜２２を有する。透光性部材２１は、下面と、
上面と、側面とを有する。透光性部材２１は、全体として透光性である。透光性部材２１
は例えば直方体の形状である。透光性部材２１は、サファイア、ガラス等を主材料に用い
て形成することができる。透光性部材２１はサファイアから形成することが好ましい。サ
ファイアはガラスよりも熱伝導率が高いため、後述する加工用レーザ光を用いてマーク２
３を形成する際に、加工時の熱を拡散する能力が高い。そのため、加工時の熱負荷による
マイクロクラック等のダメージを減らすことができ、これにより発光装置１００の長期信
頼性を向上させることができる。
キャップ２０は、透光性部材２１と遮光膜２２を有する。透光性部材２１は、下面と、
上面と、側面とを有する。透光性部材２１は、全体として透光性である。透光性部材２１
は例えば直方体の形状である。透光性部材２１は、サファイア、ガラス等を主材料に用い
て形成することができる。透光性部材２１はサファイアから形成することが好ましい。サ
ファイアはガラスよりも熱伝導率が高いため、後述する加工用レーザ光を用いてマーク２
３を形成する際に、加工時の熱を拡散する能力が高い。そのため、加工時の熱負荷による
マイクロクラック等のダメージを減らすことができ、これにより発光装置１００の長期信
頼性を向上させることができる。
遮光膜２２は、レーザ素子３０からの光を遮光する膜である。遮光膜２２は、レーザ素
子３０が出射するレーザ光のピーク波長に対する透過率が５％以下である膜とすることが
できる。遮光膜２２の透過率は、レーザ光のピーク波長の１／ｅ２以上の強度を有する波
長帯において５％以下であることが好ましい。また、製造時に発生するレーザ素子３０の
発振波長のばらつきを考慮して、実際のレーザ光の波長よりも広い範囲で透過率５％以下
としてもよい。レーザ素子３０が複数であり、それぞれ出射するレーザ光の波長が異なる
場合は、遮光膜２２の透過率はすべてのレーザ光の波長に対して５％以下であることが好
ましい。遮光膜２２の透過率の最小値は例えば０．１％である。遮光膜２２は、レーザ光
を反射する膜であってもよく、吸収する膜であってもよい。より迷光を低減するためには
、レーザ光の波長に対する吸収率が５０％以上であることが好ましい。遮光膜２２の吸収
率の最大値は１００％でもよく、例えば９９％以下であってもよい。遮光膜２２は、例え
ば金属膜である。金属膜と酸化膜等の別の材料を組み合わせてもよい。遮光膜２２を構成
する材料としては、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｃｒ等の金属材料が挙
げられる。遮光膜２２は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕが透光性部材２１側からこの順に積
層された構造を有する。
子３０が出射するレーザ光のピーク波長に対する透過率が５％以下である膜とすることが
できる。遮光膜２２の透過率は、レーザ光のピーク波長の１／ｅ２以上の強度を有する波
長帯において５％以下であることが好ましい。また、製造時に発生するレーザ素子３０の
発振波長のばらつきを考慮して、実際のレーザ光の波長よりも広い範囲で透過率５％以下
としてもよい。レーザ素子３０が複数であり、それぞれ出射するレーザ光の波長が異なる
場合は、遮光膜２２の透過率はすべてのレーザ光の波長に対して５％以下であることが好
ましい。遮光膜２２の透過率の最小値は例えば０．１％である。遮光膜２２は、レーザ光
を反射する膜であってもよく、吸収する膜であってもよい。より迷光を低減するためには
、レーザ光の波長に対する吸収率が５０％以上であることが好ましい。遮光膜２２の吸収
率の最大値は１００％でもよく、例えば９９％以下であってもよい。遮光膜２２は、例え
ば金属膜である。金属膜と酸化膜等の別の材料を組み合わせてもよい。遮光膜２２を構成
する材料としては、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｃｒ等の金属材料が挙
げられる。遮光膜２２は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕが透光性部材２１側からこの順に積
層された構造を有する。
遮光膜２２は、透光性部材２１の外縁まで、又は、外縁の近傍まで延びていることが好
ましい。ここで、外縁の近傍とは、外縁からの距離が５００μｍ以下である領域を指す。
そして、遮光膜２２の一部に接合部材６０を接続することにより、キャップ２０とパッケ
ージ１０とが接合されている。これにより、キャップ２０とパッケージ１０の接合部分ま
で遮光膜２２を設けることができるため、迷光低減のために有利である。接合部材６０と
しては、金属接着材を用いることが好ましい。樹脂接着材よりもレーザ光による影響を受
けにくいためである。また、樹脂接着材であればアウトガスによるレーザ素子３０の光出
射端面への集塵が懸念されるが、金属接着材であればアウトガスが無いか或いは樹脂接着
材より少ないため、集塵する確率を低減することができる。接合部材６０として金属接着
材を用いる場合、遮光膜２２が金属膜であることで、接合部材６０との接合性を良好とす
ることができる。金属接着材としては、Ａｕ－Ｓｎ、Ｎｉ－Ｓｎ、Ａｇ粒子、Ａｕ粒子、
Ｃｕ粒子等が挙げられる。図１Ｂでは、接合部材６０の直上に、遮光膜２２の一部と透光
性部材２１の一部が配置されている。このように、接合部材６０の直上に、遮光膜２２だ
けでなく透光性部材２１も配置されていることで、遮光膜２２のみ配置されている場合と
比較して発光装置１００を小型化することができる。
ましい。ここで、外縁の近傍とは、外縁からの距離が５００μｍ以下である領域を指す。
そして、遮光膜２２の一部に接合部材６０を接続することにより、キャップ２０とパッケ
ージ１０とが接合されている。これにより、キャップ２０とパッケージ１０の接合部分ま
で遮光膜２２を設けることができるため、迷光低減のために有利である。接合部材６０と
しては、金属接着材を用いることが好ましい。樹脂接着材よりもレーザ光による影響を受
けにくいためである。また、樹脂接着材であればアウトガスによるレーザ素子３０の光出
射端面への集塵が懸念されるが、金属接着材であればアウトガスが無いか或いは樹脂接着
材より少ないため、集塵する確率を低減することができる。接合部材６０として金属接着
材を用いる場合、遮光膜２２が金属膜であることで、接合部材６０との接合性を良好とす
ることができる。金属接着材としては、Ａｕ－Ｓｎ、Ｎｉ－Ｓｎ、Ａｇ粒子、Ａｕ粒子、
Ｃｕ粒子等が挙げられる。図１Ｂでは、接合部材６０の直上に、遮光膜２２の一部と透光
性部材２１の一部が配置されている。このように、接合部材６０の直上に、遮光膜２２だ
けでなく透光性部材２１も配置されていることで、遮光膜２２のみ配置されている場合と
比較して発光装置１００を小型化することができる。
パッケージ１０とキャップ２０とが接合することで形成された閉空間は気密封止された
空間となる。このように気密封止することで、レーザ素子３０の光出射端面に有機物等が
集塵する確率を低下させることができる。
空間となる。このように気密封止することで、レーザ素子３０の光出射端面に有機物等が
集塵する確率を低下させることができる。
図２は、キャップ２０を下面２１ｂの側から見た、キャップ２０の模式的下面図である
。マーク２３は、例えば二次元コードである。マーク２３は、遮光膜２２が有る部分と無
い部分との組み合わせによって構成されていてもよい。このようなマーク２３は、後述す
るようにレーザ加工によって形成することができる。あるいは、さらなる迷光低減のため
、マーク２３は、遮光膜２２の他の部分と同じ色である部分と変色した部分との組み合わ
せによって構成されていてもよい。また、マーク２３が数字や文字である場合は、マーク
２３は遮光膜２２が無い部分のみ又は変色した部分で構成されていてもよい。
。マーク２３は、例えば二次元コードである。マーク２３は、遮光膜２２が有る部分と無
い部分との組み合わせによって構成されていてもよい。このようなマーク２３は、後述す
るようにレーザ加工によって形成することができる。あるいは、さらなる迷光低減のため
、マーク２３は、遮光膜２２の他の部分と同じ色である部分と変色した部分との組み合わ
せによって構成されていてもよい。また、マーク２３が数字や文字である場合は、マーク
２３は遮光膜２２が無い部分のみ又は変色した部分で構成されていてもよい。
透光性部材２１の上面２１ａ及び／又は下面２１ｂの光取出領域には、反射防止膜が設
けられていてもよい。
けられていてもよい。
（レーザ素子３０）
レーザ素子３０は、下面と、上面と、複数の側面とを有し、複数の側面の１つである光
出射端面からレーザ光を放射する。レーザ素子３０として、青色レーザ光を出射する青色
レーザ素子３１と、緑色レーザ光を出射する緑色レーザ素子３２と、赤色レーザ光を出射
する赤色レーザ素子３３と、を有することができる。なお、これ以外の色の光を放射する
レーザ素子３０を用いてもよく、また、同じ色の光を放射するレーザ素子３０を複数配置
してもよい。また、配置されるレーザ素子３０の数は、１つでもよく、複数でもよい。図
１Ａでは、光反射部材５０の一方の側に全てのレーザ素子３０を配置したが、光反射部材
５０の両側にそれぞれレーザ素子３０を配置することもできる。
レーザ素子３０は、下面と、上面と、複数の側面とを有し、複数の側面の１つである光
出射端面からレーザ光を放射する。レーザ素子３０として、青色レーザ光を出射する青色
レーザ素子３１と、緑色レーザ光を出射する緑色レーザ素子３２と、赤色レーザ光を出射
する赤色レーザ素子３３と、を有することができる。なお、これ以外の色の光を放射する
レーザ素子３０を用いてもよく、また、同じ色の光を放射するレーザ素子３０を複数配置
してもよい。また、配置されるレーザ素子３０の数は、１つでもよく、複数でもよい。図
１Ａでは、光反射部材５０の一方の側に全てのレーザ素子３０を配置したが、光反射部材
５０の両側にそれぞれレーザ素子３０を配置することもできる。
ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光
をいうものとする。青色レーザ素子３１が放出するレーザ光のピーク波長は４４０ｎｍ～
４７５ｎｍの範囲内にあってもよい。緑色の光は、その発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５
７０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。緑色レーザ素子３２が放出するレーザ光の
ピーク波長は５１０ｎｍ～５５０ｎｍの範囲内にあってもよい。青色レーザ素子３１又は
緑色レーザ素子３２としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化
物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮを用いることができる
。赤色の光は、その発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光をいうも
のとする。赤色レーザ素子３３が放出するレーザ光のピーク波長は６１０ｎｍ～７００ｎ
ｍの範囲内にあってもよい。赤色レーザ素子３３としては、例えば、ＩｎＡｌＧａＰ系や
ＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓ系やＡｌＧａＡｓ系の半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられ
る。
をいうものとする。青色レーザ素子３１が放出するレーザ光のピーク波長は４４０ｎｍ～
４７５ｎｍの範囲内にあってもよい。緑色の光は、その発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５
７０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。緑色レーザ素子３２が放出するレーザ光の
ピーク波長は５１０ｎｍ～５５０ｎｍの範囲内にあってもよい。青色レーザ素子３１又は
緑色レーザ素子３２としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化
物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮを用いることができる
。赤色の光は、その発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光をいうも
のとする。赤色レーザ素子３３が放出するレーザ光のピーク波長は６１０ｎｍ～７００ｎ
ｍの範囲内にあってもよい。赤色レーザ素子３３としては、例えば、ＩｎＡｌＧａＰ系や
ＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓ系やＡｌＧａＡｓ系の半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられ
る。
レーザ素子３０は、サブマウント４０を介してパッケージ１０に固定されていてもよい
。サブマウント４０は例えば直方体の形状で構成される。サブマウント４０は、例えば、
窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成することができる。また、
サブマウント４０には一部に金属膜が設けられている。
。サブマウント４０は例えば直方体の形状で構成される。サブマウント４０は、例えば、
窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成することができる。また、
サブマウント４０には一部に金属膜が設けられている。
光反射部材５０の主材料としては、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、
アルミニウム等の金属、又はＳｉ等を採用することができる。光反射部材５０は、主材料
の表面の一部に光反射膜を設けることで光反射面を形成することができる。光反射膜とし
ては、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／
ＳｉＯ２等の誘電体多層膜等を採用することができる。光反射部材５０は、金属等の光反
射率の高い材料を用いてその外形を形成し、光反射膜を省略してもよい。光反射部材５０
の光反射面は、それぞれ、反射させるレーザ光のピーク波長に対する光反射率を９９％以
上とすることができる。これらの光反射率は１００％以下あるいは１００％未満とするこ
とができる。
アルミニウム等の金属、又はＳｉ等を採用することができる。光反射部材５０は、主材料
の表面の一部に光反射膜を設けることで光反射面を形成することができる。光反射膜とし
ては、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／
ＳｉＯ２等の誘電体多層膜等を採用することができる。光反射部材５０は、金属等の光反
射率の高い材料を用いてその外形を形成し、光反射膜を省略してもよい。光反射部材５０
の光反射面は、それぞれ、反射させるレーザ光のピーク波長に対する光反射率を９９％以
上とすることができる。これらの光反射率は１００％以下あるいは１００％未満とするこ
とができる。
発光装置１００は、ツェナーダイオードなどの保護素子を有していてもよい。レーザ素
子３０や保護素子は、ワイヤ等を介してパッケージ１０の導電性部材と電気的に接続され
る。その導電性部材と電気的に接続されたパッケージ１０の外側電極に通電することによ
り、レーザ素子３０や保護素子に通電される。
子３０や保護素子は、ワイヤ等を介してパッケージ１０の導電性部材と電気的に接続され
る。その導電性部材と電気的に接続されたパッケージ１０の外側電極に通電することによ
り、レーザ素子３０や保護素子に通電される。
（発光装置の製造方法）
図４は、実施形態に係る発光装置の製造工程を概略的に示すフローチャートである。図
４に示すとおり、実施形態の発光装置の製造方法は、キャップ準備工程Ｓ１０１と、マー
ク形成工程Ｓ１０２と、パッケージ及びレーザ素子準備工程Ｓ１０３と、キャップ固定工
程Ｓ１０４とを有する。マーク形成工程Ｓ１０２の後にキャップ固定工程Ｓ１０４を行う
ことにより、マーク２３の形成時に発生する加工塵がレーザ素子３０等に付着する可能性
を低減することができる。
４に示すとおり、実施形態の発光装置の製造方法は、キャップ準備工程Ｓ１０１と、マー
ク形成工程Ｓ１０２と、パッケージ及びレーザ素子準備工程Ｓ１０３と、キャップ固定工
程Ｓ１０４とを有する。マーク形成工程Ｓ１０２の後にキャップ固定工程Ｓ１０４を行う
ことにより、マーク２３の形成時に発生する加工塵がレーザ素子３０等に付着する可能性
を低減することができる。
（キャップ準備工程Ｓ１０１）
キャップ準備工程Ｓ１０１では、図５に示すように、上面２１ａ（第１主面）及び下面
２１ｂ（第２主面）を有する透光性部材２１と、下面２１ｂの一部に設けられた遮光膜２
２と、を有するキャップ２０を準備する。この状態では、まだ遮光膜２２にマークは設け
られていない。
キャップ準備工程Ｓ１０１では、図５に示すように、上面２１ａ（第１主面）及び下面
２１ｂ（第２主面）を有する透光性部材２１と、下面２１ｂの一部に設けられた遮光膜２
２と、を有するキャップ２０を準備する。この状態では、まだ遮光膜２２にマークは設け
られていない。
（マーク形成工程Ｓ１０２）
マーク形成工程Ｓ１０２では、遮光膜２２の一部を加工することにより、所定の情報を
読み取り可能なマーク２３を形成する。マーク２３は、所定の情報を読み取り可能な形状
に形成されている。例えば、二次元コードや数桁の数字などは、マーク２３の一例である
。上述の図２に示すマーク２３は、二次元コードを模式的に示すものである。二次元コー
ドは、例えば、複数の正方形状のセルが行列状に整列されたパターンである。所定の情報
の一例としては、製品型番、ロット番号、日付、シリアル番号、ランク情報、などを挙げ
ることができる。マーク２３からは、例えば、光学的に撮影された写真を読取装置（例え
ば、二次元コードを読み取るリーダ装置）で解読することにより情報が読み取られる。マ
ーク２３の大きさは、例えば、縦６００μｍ、横６００μｍの矩形の範囲内に収まる大き
さであってもよい。
マーク形成工程Ｓ１０２では、遮光膜２２の一部を加工することにより、所定の情報を
読み取り可能なマーク２３を形成する。マーク２３は、所定の情報を読み取り可能な形状
に形成されている。例えば、二次元コードや数桁の数字などは、マーク２３の一例である
。上述の図２に示すマーク２３は、二次元コードを模式的に示すものである。二次元コー
ドは、例えば、複数の正方形状のセルが行列状に整列されたパターンである。所定の情報
の一例としては、製品型番、ロット番号、日付、シリアル番号、ランク情報、などを挙げ
ることができる。マーク２３からは、例えば、光学的に撮影された写真を読取装置（例え
ば、二次元コードを読み取るリーダ装置）で解読することにより情報が読み取られる。マ
ーク２３の大きさは、例えば、縦６００μｍ、横６００μｍの矩形の範囲内に収まる大き
さであってもよい。
マーク形成工程Ｓ１０２において、透光性部材２１の上面２１ａの側から加工用レーザ
光を照射することによりマーク２３を形成することができる。例えば、図６に示すように
、透光性部材２１の上面２１ａの側に加工用レーザ光源２００を配置する。加工用レーザ
光源２００から放出される加工用レーザ光をキャップ２０に照射し、透光性部材２１を透
過させて遮光膜２２を加工する。マーク２３はフォトリソグラフィにより形成することも
可能であるが、このように加工用レーザ光を用いて加工する手法であれば、フォトリソグ
ラフィ用のマスクが不要であるので安価に製造することができる。フォトリソグラフィで
あれば異なる形状のマークを印字するためには異なるマスクを作製する必要があるが、加
工用レーザ光による加工であれば印字プログラムの変更で異なる形状のマークを印字する
ことができる。加工用レーザ光源２００としては、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。加工用
レーザ光のピーク波長は、透光性部材２１を透過可能な波長であり、例えば透光性部材２
１としてサファイアを用いる場合は３００～３０００ｎｍの範囲内とすることができる。
例えば、ＹＡＧレーザの第二高調波である緑色のレーザ光を用いて加工することができる
。
光を照射することによりマーク２３を形成することができる。例えば、図６に示すように
、透光性部材２１の上面２１ａの側に加工用レーザ光源２００を配置する。加工用レーザ
光源２００から放出される加工用レーザ光をキャップ２０に照射し、透光性部材２１を透
過させて遮光膜２２を加工する。マーク２３はフォトリソグラフィにより形成することも
可能であるが、このように加工用レーザ光を用いて加工する手法であれば、フォトリソグ
ラフィ用のマスクが不要であるので安価に製造することができる。フォトリソグラフィで
あれば異なる形状のマークを印字するためには異なるマスクを作製する必要があるが、加
工用レーザ光による加工であれば印字プログラムの変更で異なる形状のマークを印字する
ことができる。加工用レーザ光源２００としては、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。加工用
レーザ光のピーク波長は、透光性部材２１を透過可能な波長であり、例えば透光性部材２
１としてサファイアを用いる場合は３００～３０００ｎｍの範囲内とすることができる。
例えば、ＹＡＧレーザの第二高調波である緑色のレーザ光を用いて加工することができる
。
図６に示すように、マーク形成工程Ｓ１０２において、透光性部材２１の下面２１ｂの
側に吸引装置３００を配置することができる。この吸引装置３００を用いて、加工用レー
ザ光の照射時に、加工用レーザ光の照射によって生成された加工塵を吸引する。加工塵が
下面２１ｂや遮光膜２２に付着すると、後の工程で組み合わせるレーザ素子３０等に付着
する可能性がある。マーク２３の加工時に吸引を行うことで、その可能性を低減すること
ができる。加工用レーザ光を上面２１ａの側から照射する構成とすることにより、吸引装
置３００を下面２１ｂの側に配置することができる。吸引装置３００としては、例えば真
空ポンプを用いた吸引装置が挙げられる。
側に吸引装置３００を配置することができる。この吸引装置３００を用いて、加工用レー
ザ光の照射時に、加工用レーザ光の照射によって生成された加工塵を吸引する。加工塵が
下面２１ｂや遮光膜２２に付着すると、後の工程で組み合わせるレーザ素子３０等に付着
する可能性がある。マーク２３の加工時に吸引を行うことで、その可能性を低減すること
ができる。加工用レーザ光を上面２１ａの側から照射する構成とすることにより、吸引装
置３００を下面２１ｂの側に配置することができる。吸引装置３００としては、例えば真
空ポンプを用いた吸引装置が挙げられる。
複数のキャップ２０に対して一括でマーク２３を形成してもよい。例えば、複数のキャ
ップ２０が一繋がりになったウェハーを準備し、マーク２３を形成した後、個々のキャッ
プ２０に個片化してもよい。
ップ２０が一繋がりになったウェハーを準備し、マーク２３を形成した後、個々のキャッ
プ２０に個片化してもよい。
（パッケージ及びレーザ素子準備工程Ｓ１０３）
パッケージ及びレーザ素子準備工程Ｓ１０３では、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、凹
部１１が設けられているパッケージ１０と、凹部１１内に配置された１以上のレーザ素子
３０と、を準備する。パッケージ及びレーザ素子準備工程Ｓ１０３は、少なくともキャッ
プ固定工程Ｓ１０４の前に行えばよく、工程Ｓ１０１又は工程Ｓ１０２の前に行ってもよ
く、同時に行ってもよい。
パッケージ及びレーザ素子準備工程Ｓ１０３では、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、凹
部１１が設けられているパッケージ１０と、凹部１１内に配置された１以上のレーザ素子
３０と、を準備する。パッケージ及びレーザ素子準備工程Ｓ１０３は、少なくともキャッ
プ固定工程Ｓ１０４の前に行えばよく、工程Ｓ１０１又は工程Ｓ１０２の前に行ってもよ
く、同時に行ってもよい。
（キャップ固定工程Ｓ１０４）
キャップ固定工程Ｓ１０４では、マーク２３が形成された側をパッケージ１０の側とし
て、キャップ２０をパッケージ１０に凹部１１を覆うように固定する。これにより、図１
Ａ及び図１Ｂに示す発光装置１００を得ることができる。
キャップ固定工程Ｓ１０４では、マーク２３が形成された側をパッケージ１０の側とし
て、キャップ２０をパッケージ１０に凹部１１を覆うように固定する。これにより、図１
Ａ及び図１Ｂに示す発光装置１００を得ることができる。
実施形態に記載の発光装置は、プロジェクタ、車両用ヘッドライト、照明、ディスプレ
イのバックライト等の光源として使用することができる。
イのバックライト等の光源として使用することができる。
１０ パッケージ
１１ 凹部
１２ 本体
１３ 金属膜
２０ キャップ
２１ 透光性部材
２１ａ 上面、２１ｂ 下面
２２ 遮光膜
２３ マーク
３０ レーザ素子
３１ 青色レーザ素子、３２ 緑色レーザ素子、３３ 赤色レーザ素子
４０ サブマウント
５０ 光反射部材
６０ 接合部材
１００ 発光装置
２００ 加工用レーザ光源
３００ 吸引装置
４００ レンズ
１１ 凹部
１２ 本体
１３ 金属膜
２０ キャップ
２１ 透光性部材
２１ａ 上面、２１ｂ 下面
２２ 遮光膜
２３ マーク
３０ レーザ素子
３１ 青色レーザ素子、３２ 緑色レーザ素子、３３ 赤色レーザ素子
４０ サブマウント
５０ 光反射部材
６０ 接合部材
１００ 発光装置
２００ 加工用レーザ光源
３００ 吸引装置
４００ レンズ
Claims (4)
- 上方が開口した凹部が設けられた本体と、前記凹部の周りの前記本体の表面に設けられた金属膜と、を含むパッケージと、
前記凹部を覆うように前記パッケージに固定されているキャップと、
前記キャップと前記パッケージとに囲まれた空間内に配置された、レーザ光を出射する１以上のレーザ素子と、を備え、
前記キャップは、上面及び下面を有する透光性部材と、前記レーザ光を外部へ取り出す開口を有する形状で前記下面に設けられた金属膜を含む遮光膜と、を有し、
前記パッケージの金属膜と前記遮光膜とが接合部材によって接合されることにより前記キャップが前記パッケージに固定されている発光装置。 - 前記接合部材は、金属接着材である請求項１に記載の発光装置。
- 前記金属接着材は、Ａｕ－Ｓｎ、Ｎｉ－Ｓｎ、Ａｇ粒子、Ａｕ粒子またはＣｕ粒子のいずれかを含む請求項２に記載の発光装置。
- 前記遮光膜の開口の形状は、多角形の角が丸められた形状である請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023184411A JP2024001270A (ja) | 2018-12-14 | 2023-10-27 | 発光装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018234017A JP7417029B2 (ja) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2023184411A JP2024001270A (ja) | 2018-12-14 | 2023-10-27 | 発光装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2018234017A Division JP7417029B2 (ja) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 発光装置及びその製造方法 |
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ID=71071240
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018234017A Active JP7417029B2 (ja) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2023184411A Pending JP2024001270A (ja) | 2018-12-14 | 2023-10-27 | 発光装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018234017A Active JP7417029B2 (ja) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 発光装置及びその製造方法 |
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| JPH11354889A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-24 | Sony Corp | 光学装置 |
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| JP2006184758A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Sony Corp | 光導波路及び光導波路モジュール |
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| DE102008063634B4 (de) * | 2008-12-18 | 2021-03-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtmittel und Projektor mit mindestens einem solchen Leuchtmittel |
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| JP2011124541A (ja) | 2009-11-12 | 2011-06-23 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置、並びに光デバイスの製造方法 |
| JP2011138953A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
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| JP2014142729A (ja) | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014192647A (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子及び水晶振動子の製造方法 |
| EP3038173B1 (en) * | 2014-12-23 | 2019-05-22 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9633883B2 (en) * | 2015-03-20 | 2017-04-25 | Rohinni, LLC | Apparatus for transfer of semiconductor devices |
| JP2018139237A (ja) | 2015-07-16 | 2018-09-06 | 三菱電機株式会社 | レーザモジュール |
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| US20180017741A1 (en) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
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- 2018-12-14 JP JP2018234017A patent/JP7417029B2/ja active Active
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- 2019-12-04 US US16/703,389 patent/US11394170B2/en active Active
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- 2022-06-21 US US17/845,464 patent/US11855409B2/en active Active
-
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231027 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240423 |