JP2023109854A5 - - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004209 (C1-C8) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GLISOBUNKGBQCL-UHFFFAOYSA-N 3-[ethoxy(dimethyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(C)CCCN GLISOBUNKGBQCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MYYHQYQIMDUNNW-UHFFFAOYSA-N 3-[fluoro(dimethyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound C[Si](C)(F)CCCN MYYHQYQIMDUNNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JTXUAHIMULPXKY-UHFFFAOYSA-N 3-trihydroxysilylpropan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](O)(O)O JTXUAHIMULPXKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QIOYHIUHPGORLS-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(C)C QIOYHIUHPGORLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (5)
- マイクロ電子デバイスから窒化ケイ素を除去するための方法であって、
前記方法は、窒化ケイ素材料を前記マイクロ電子デバイスから少なくとも部分的に除去するのに十分な条件で十分な時間、前記マイクロ電子デバイスを組成物に接触させることを含み、
前記組成物が、
（ａ）リン酸と、
（ｂ）（ｉ）アルキルアミノアルコキシシラン及び（ｉｉ）アルキルアミノヒドロキシルシランから選択される少なくとも１つのシランであって、アルコキシ、ヒドロキシル及びフルオロから選択される少なくとも１つの部分を有する、少なくとも１つのシランと、
（ｃ）水を含む溶媒と、
（ｄ）ヘキサフルオロケイ酸以外である、フッ素化合物と、
（ｅ）アルキルアミン又はそのリン酸塩と
を含む、組成物である、
方法。 - リン酸が、組成物の総重量に基づいて５０～９５重量パーセントの範囲で存在する、請求項１に記載の方法。
- アルキルアミノアルコキシシラン及びアルキルアミノヒドロキシルシラン化合物が、式
（式中、各Ｘは、フッ素、Ｃ１～Ｃ８アルキル基、又は式－ＯＲの基から独立して選択され、式中、Ｒは水素又はＣ１～Ｃ８アルキル基であり、ｎは１～６の整数であり、各Ｒ１は、水素、Ｃ１～Ｃ８アルキル基、又は式Ｃ１～Ｃ８アルコキシ（ＣＨ２）ｎ－の基から独立して選択される）
により表される、請求項１に記載の方法。 - アルキルアミノアルコキシシラン及びアルキルアミノヒドロキシルシラン化合物が、（３－アミノプロピル）トリエトキシシラン、（３－アミノプロピル）シラン－トリオール、３－アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ－ジメチル－３－アミノプロピル）トリメトキシシラン、及び３－アミノプロピルジメチルフルオロシランから選択される、請求項３に記載の方法。
- アルキルアミノアルコキシシラン及びアルキルアミノヒドロキシルシラン化合物が、式
（式中、各Ｘは、フッ素、Ｃ１～Ｃ８アルキル基、又は式－ＯＲの基から独立して選択され、式中、Ｒは水素又はＣ１～Ｃ８アルキル基であり、ｎは１～６の整数であり、ｙは１～６の整数であり、ｚは１～６の整数である）
により表される、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862767904P | 2018-11-15 | 2018-11-15 | |
| US62/767,904 | 2018-11-15 | ||
| PCT/US2019/060974 WO2020102228A1 (en) | 2018-11-15 | 2019-11-12 | Silicon nitride etching composition and method |
| JP2021526685A JP7438211B2 (ja) | 2018-11-15 | 2019-11-12 | 窒化ケイ素エッチング組成物及び方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021526685A Division JP7438211B2 (ja) | 2018-11-15 | 2019-11-12 | 窒化ケイ素エッチング組成物及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023109854A JP2023109854A (ja) | 2023-08-08 |
| JP2023109854A5 true JP2023109854A5 (ja) | 2024-03-01 |
Family
ID=70727494
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021526685A Active JP7438211B2 (ja) | 2018-11-15 | 2019-11-12 | 窒化ケイ素エッチング組成物及び方法 |
| JP2023078794A Pending JP2023109854A (ja) | 2018-11-15 | 2023-05-11 | 窒化ケイ素エッチング組成物及び方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021526685A Active JP7438211B2 (ja) | 2018-11-15 | 2019-11-12 | 窒化ケイ素エッチング組成物及び方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11053440B2 (ja) |
| JP (2) | JP7438211B2 (ja) |
| KR (2) | KR20240013860A (ja) |
| CN (1) | CN112996881A (ja) |
| SG (1) | SG11202103910PA (ja) |
| TW (2) | TWI797396B (ja) |
| WO (1) | WO2020102228A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7438211B2 (ja) * | 2018-11-15 | 2024-02-26 | インテグリス・インコーポレーテッド | 窒化ケイ素エッチング組成物及び方法 |
| CN114269884A (zh) * | 2019-08-21 | 2022-04-01 | 恩特格里斯公司 | 用于高选择性氮化硅蚀刻的改良调配物 |
| EP4189728A1 (en) * | 2020-07-30 | 2023-06-07 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films |
| KR102345842B1 (ko) * | 2020-09-21 | 2021-12-31 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 방법 |
| US20220363990A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | Entegris, Inc. | Selective etchant compositions and methods |
| WO2022251068A1 (en) * | 2021-05-26 | 2022-12-01 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films |
| KR20230079903A (ko) * | 2021-11-29 | 2023-06-07 | (주)후성 | 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이의 제조방법 |
| WO2023145476A1 (ja) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | ステラケミファ株式会社 | 微細加工処理剤、及び微細加工処理方法 |
| CN116631852A (zh) * | 2022-02-14 | 2023-08-22 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 硬掩模层的移除方法 |
| CN115873599B (zh) * | 2022-10-10 | 2024-05-17 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 氮化硅/氧化硅的3d nand结构片的选择性蚀刻液 |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162370A (en) | 1998-08-28 | 2000-12-19 | Ashland Inc. | Composition and method for selectively etching a silicon nitride film |
| KR100327342B1 (ko) | 1999-10-27 | 2002-03-06 | 윤종용 | 반도체소자 제조용 식각조성물 및 이 식각조성물을 이용한 식각방법 |
| US20030022800A1 (en) | 2001-06-14 | 2003-01-30 | Peters Darryl W. | Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners |
| US20060021974A1 (en) | 2004-01-29 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| KR20060108436A (ko) | 2005-04-13 | 2006-10-18 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의세정 방법 |
| US8025811B2 (en) | 2006-03-29 | 2011-09-27 | Intel Corporation | Composition for etching a metal hard mask material in semiconductor processing |
| DE102007012578A1 (de) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Bühler PARTEC GmbH | Kationisch stabilisierte wässrige Silicadispersion, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
| SG177201A1 (en) * | 2006-12-21 | 2012-01-30 | Advanced Tech Materials | Compositions and methods for the selective removal of silicon nitride |
| JP5332197B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2013-11-06 | 東ソー株式会社 | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
| KR101097277B1 (ko) | 2009-10-07 | 2011-12-22 | 솔브레인 주식회사 | 습식 식각용 조성물 |
| JP2012033561A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Sanyo Chem Ind Ltd | 窒化ケイ素用エッチング液 |
| JP2012099550A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Sanyo Chem Ind Ltd | 窒化ケイ素用エッチング液 |
| KR101391605B1 (ko) | 2010-12-31 | 2014-05-08 | 솔브레인 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 |
| SG10201605697UA (en) | 2011-08-09 | 2016-09-29 | Basf Se | Aqueous alkaline compositions and method for treating the surface of silicon substrates |
| JP5913869B2 (ja) | 2011-08-31 | 2016-04-27 | 林純薬工業株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| KR101335855B1 (ko) | 2011-12-20 | 2013-12-02 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막의 에칭 용액 |
| KR101380487B1 (ko) | 2012-05-09 | 2014-04-01 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막의 에칭 용액 |
| JP2014099480A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
| JP6180298B2 (ja) | 2013-11-27 | 2017-08-16 | 株式会社Adeka | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| KR20160050536A (ko) * | 2014-10-30 | 2016-05-11 | 램테크놀러지 주식회사 | 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2016096083A1 (en) | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Merck Patent Gmbh | Agent for increasing etching rates |
| US10301580B2 (en) * | 2014-12-30 | 2019-05-28 | Versum Materials Us, Llc | Stripping compositions having high WN/W etching selectivity |
| KR101757812B1 (ko) | 2015-05-29 | 2017-07-14 | 세메스 주식회사 | 인산 재생 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR101728951B1 (ko) | 2015-06-25 | 2017-04-21 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 용액 |
| KR20170009240A (ko) * | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 비불소계 실리콘 질화막 식각 조성물 |
| JP6807845B2 (ja) * | 2015-08-26 | 2021-01-06 | 株式会社Adeka | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| WO2017040571A1 (en) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Methods and compositions for processing dielectric substrate |
| KR102443370B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2022-09-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 |
| KR102545804B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2023-06-20 | 솔브레인 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| WO2017095022A1 (ko) | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 솔브레인 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| US10515820B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-12-24 | Tokyo Electron Limited | Process and apparatus for processing a nitride structure without silica deposition |
| CN107345137A (zh) * | 2016-05-04 | 2017-11-14 | Oci有限公司 | 能够抑制颗粒出现的蚀刻溶液 |
| KR102424391B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2022-08-05 | 삼성전자주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
| KR102240647B1 (ko) * | 2017-03-28 | 2021-04-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
| KR101828437B1 (ko) | 2017-04-06 | 2018-03-29 | 주식회사 디엔에스 | 실리콘 질화막 식각용 조성물. |
| KR102258316B1 (ko) * | 2018-06-25 | 2021-06-01 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
| JP7438211B2 (ja) * | 2018-11-15 | 2024-02-26 | インテグリス・インコーポレーテッド | 窒化ケイ素エッチング組成物及び方法 |
-
2019
- 2019-11-12 JP JP2021526685A patent/JP7438211B2/ja active Active
- 2019-11-12 US US16/681,449 patent/US11053440B2/en active Active
- 2019-11-12 SG SG11202103910PA patent/SG11202103910PA/en unknown
- 2019-11-12 KR KR1020247002231A patent/KR20240013860A/ko active Application Filing
- 2019-11-12 KR KR1020217014303A patent/KR102628802B1/ko active Application Filing
- 2019-11-12 CN CN201980073936.8A patent/CN112996881A/zh active Pending
- 2019-11-12 WO PCT/US2019/060974 patent/WO2020102228A1/en active Application Filing
- 2019-11-15 TW TW108141573A patent/TWI797396B/zh active
- 2019-11-15 TW TW112106253A patent/TW202325824A/zh unknown
-
2021
- 2021-06-07 US US17/341,138 patent/US11697767B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-11 JP JP2023078794A patent/JP2023109854A/ja active Pending
- 2023-05-24 US US18/201,363 patent/US20230295502A1/en active Pending
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