JP2023079552A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2025012574A (ja) * 2023-07-13 2025-01-24 株式会社東芝 半導体装置
TWI901178B (zh) * 2023-09-21 2025-10-11 日商Tdk股份有限公司 半導體裝置
CN118841453A (zh) * 2024-08-09 2024-10-25 乐山希尔电子股份有限公司 一种垂直型宽禁带肖特基功率二极管及其制备方法
CN119451139A (zh) * 2024-10-31 2025-02-14 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种沟槽型氧化镓异质结势垒肖特基二极管

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004053761A1 (de) * 2004-11-08 2006-05-18 Robert Bosch Gmbh Halbleitereinrichtung und Verfahren für deren Herstellung
JP2009177028A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Toshiba Corp 半導体装置
KR101220568B1 (ko) * 2008-03-17 2013-01-21 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치
US8372738B2 (en) * 2009-10-30 2013-02-12 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Method for manufacturing a gallium nitride based semiconductor device with improved termination scheme
JP2012124268A (ja) * 2010-12-07 2012-06-28 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置
CN102222701A (zh) * 2011-06-23 2011-10-19 哈尔滨工程大学 一种沟槽结构肖特基器件
JP6411258B2 (ja) * 2015-03-19 2018-10-24 新電元工業株式会社 半導体装置
JP6845397B2 (ja) * 2016-04-28 2021-03-17 株式会社タムラ製作所 トレンチmos型ショットキーダイオード
JP7037142B2 (ja) 2017-08-10 2022-03-16 株式会社タムラ製作所 ダイオード
JP7248961B2 (ja) * 2017-08-24 2023-03-30 株式会社Flosfia 半導体装置
JP7045008B2 (ja) * 2017-10-26 2022-03-31 Tdk株式会社 ショットキーバリアダイオード
CN110137268A (zh) * 2019-06-21 2019-08-16 派恩杰半导体(杭州)有限公司 一种带有沟槽电极的高压二极管
JP7371484B2 (ja) * 2019-12-18 2023-10-31 Tdk株式会社 ショットキーバリアダイオード
JP7415537B2 (ja) * 2019-12-18 2024-01-17 Tdk株式会社 ショットキーバリアダイオード

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