JP2023079551A5 - - Google Patents
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Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021193059A JP7843603B2 (ja) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | ショットキーバリアダイオード |
| PCT/JP2022/030765 WO2023095395A1 (ja) | 2021-11-29 | 2022-08-12 | ショットキーバリアダイオード |
| DE112022005727.0T DE112022005727T5 (de) | 2021-11-29 | 2022-08-12 | Schottky-Barriere-Diode |
| CN202280079145.8A CN118339662A (zh) | 2021-11-29 | 2022-08-12 | 肖特基势垒二极管 |
| TW111132597A TWI827222B (zh) | 2021-11-29 | 2022-08-30 | 肖特基能障二極體 |
| US18/676,077 US20240313129A1 (en) | 2021-11-29 | 2024-05-28 | Schottky barrier diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021193059A JP7843603B2 (ja) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | ショットキーバリアダイオード |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023079551A JP2023079551A (ja) | 2023-06-08 |
| JP2023079551A5 true JP2023079551A5 (https=) | 2024-11-21 |
| JP7843603B2 JP7843603B2 (ja) | 2026-04-10 |
Family
ID=86539135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021193059A Active JP7843603B2 (ja) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | ショットキーバリアダイオード |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240313129A1 (https=) |
| JP (1) | JP7843603B2 (https=) |
| CN (1) | CN118339662A (https=) |
| DE (1) | DE112022005727T5 (https=) |
| TW (1) | TWI827222B (https=) |
| WO (1) | WO2023095395A1 (https=) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118841453A (zh) * | 2024-08-09 | 2024-10-25 | 乐山希尔电子股份有限公司 | 一种垂直型宽禁带肖特基功率二极管及其制备方法 |
| CN119451139A (zh) * | 2024-10-31 | 2025-02-14 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种沟槽型氧化镓异质结势垒肖特基二极管 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707127B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-03-16 | General Semiconductor, Inc. | Trench schottky rectifier |
| US7323402B2 (en) * | 2002-07-11 | 2008-01-29 | International Rectifier Corporation | Trench Schottky barrier diode with differential oxide thickness |
| JP2009177028A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| TWI521719B (zh) * | 2012-06-27 | 2016-02-11 | 財團法人工業技術研究院 | 雙凹溝槽式蕭基能障元件 |
| CN103456627B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-04-06 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 一种复合型沟槽栅肖特基器件结构及其制造方法 |
| TWI726964B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-05-11 | 日商出光興產股份有限公司 | 積層體 |
| JP6845397B2 (ja) | 2016-04-28 | 2021-03-17 | 株式会社タムラ製作所 | トレンチmos型ショットキーダイオード |
| TWI715711B (zh) * | 2017-01-25 | 2021-01-11 | 聯華電子股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法 |
| JP7045008B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2022-03-31 | Tdk株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
| JP7165322B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-11-04 | Tdk株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
| JP6980116B2 (ja) * | 2018-08-22 | 2021-12-15 | 三菱電機株式会社 | 酸化物半導体装置及びその製造方法 |
| JP7371484B2 (ja) * | 2019-12-18 | 2023-10-31 | Tdk株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
| JP7415537B2 (ja) * | 2019-12-18 | 2024-01-17 | Tdk株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
-
2021
- 2021-11-29 JP JP2021193059A patent/JP7843603B2/ja active Active
-
2022
- 2022-08-12 WO PCT/JP2022/030765 patent/WO2023095395A1/ja not_active Ceased
- 2022-08-12 CN CN202280079145.8A patent/CN118339662A/zh active Pending
- 2022-08-12 DE DE112022005727.0T patent/DE112022005727T5/de active Pending
- 2022-08-30 TW TW111132597A patent/TWI827222B/zh active
-
2024
- 2024-05-28 US US18/676,077 patent/US20240313129A1/en active Pending
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