JP2021140834A - 半導体記憶装置および読出し方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明によれば、選択ワード線がビット線側に向かうにつれて読出しパス電圧を大きくするようにしたので、ソースサイド効果によって引き起こされる故障(ビット線側のメモリセルのデータ「1」がデータ「0」にシフトすることおよびそれに伴う読み違い)を低減させることができる。
さらに本発明によれば、選択ワード線からビット線側の非選択ワード線に印加される読出しパス電圧よりも選択ワード線からソース線側の非選択ワード線に印加される読出し電圧が大きくなるように読出しパス電圧を印加するようにしたので、ソースサイド効果によって引き起こされる故障(ビット線側のメモリセルのデータ「1」がデータ「0」にシフトすることおよびそれに伴う読み違い)を低減させることができる。
110:メモリセルアレイ
120:入出力バッファ
130:アドレスレジスタ
140:コントローラ
150:ワード線選択回路
160:ページバッファ/センス回路
170:列選択回路
180:内部電圧発生回路
Claims (14)
- NAND型フラッシュメモリの読出し方法であって、
選択ワード線に読出し電圧を印加するとき、当該読出し電圧をビット線側に向かうにつれて大きくなるように設定する、読出し方法。 - NANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも3つのグループに分離し、各グループに対応する各読出し電圧がビット線側に向かうにつれて大きくなる関係を予め設定し、
前記関係に基づき前記読出し電圧を決定する、請求項1に記載の読出し方法。 - NAND型フラッシュメモリの読出し方法であって、
選択ワード線に読出し電圧を印加し、非選択ワード線に読出しパス電圧を印加するとき、選択ワード線がビット線側に向かうにつれて前記読出しパス電圧を大きくなるように設定する、読出し方法。 - NANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも2つのグループに分離し、各グループに選択ワード線がビット線側に向かうについて大きくなる読出しパス電圧との関係を予め設定し、前記関係に基づき前記読出しパス電圧を決定する、請求項3に記載の読出し方法。
- NAND型フラッシュメモリの読出し方法であって、
選択ワード線に読出し電圧を印加し、非選択ワード線に読出しパス電圧を印加するとき、前記選択ワード線からビット線側の非選択ワード線に印加される読出しパス電圧よりも前記選択ワード線からソース線側の非選択ワード線に印加される読出し電圧が大きくなるように前記読出しパス電圧が決定される、読出し方法。 - NAND型フラッシュメモリの読出し方法であって、
NANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも3つのグループに分離し、各グループに対応する各読出し電圧がビット線側に向かうにつれて大きくなる第1の関係を予め設定し、かつNANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも2つのグループに分離し、各グループに選択ワード線がビット線側に向かうにつれて大きくなる読出しパス電圧との第2の関係を予め設定し、選択ワード線に読出し電圧を印加し、非選択ワード線に読出しパス電圧を印加するとき、前記第1の関係に基づき前記読出し電圧を決定し、前記第2の関係に基づき前記読出しパス電圧を決定する、読出し方法。 - NAND型フラッシュメモリの読出し方法であって、
NANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも3つのグループに分離し、各グループに対応する各読出し電圧がビット線側に向かうにつれて大きくなる関係を予め設定し、
選択ワード線に読出し電圧を印加し、非選択ワード線に読出しパス電圧を印加するとき、前記関係に基づき前記読出し電圧を決定し、前記読出しパス電圧は、前記選択ワード線からビット線側の非選択ワード線に印加される読出しパス電圧よりも前記選択ワード線からソース線側の非選択ワード線に印加される読出し電圧が大きくなるように決定される、読出し方法。 - 前記読出し方法は、書込み動作中のベリファイ読出しを含む、請求項3ないし5いずれか1つに記載の読出し方法。
- NANDストリングが形成されたNAND型のメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのページを読み出す読出し手段と、
NANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも3つのグループに分離し、各グループに対応する各読出し電圧がビット線側に向かうにつれて大きくなる関係を設定する設定手段とを有し、
前記読出し手段は、前記設定手段に設定された関係に基づき選択ワード線に読出し電圧を印加する、半導体記憶装置。 - NANDストリングが形成されたNAND型のメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのページを読み出す読出し手段と、
NANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも2つのグループに分離し、各グループに選択ワード線がビット線側に向かうにつれて大きくなる読出しパス電圧との関係を設定する設定手段とを有し、
前記読出し手段は、前記設定手段に設定された関係に基づき非選択ワード線に読出しパス電圧を印加する、半導体記憶装置。 - NANDストリングが形成されたNAND型のメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのページを読み出す読出し手段とを有し、
前記読出し手段は、選択ワード線からビット線側の非選択ワード線に印加される読出しパス電圧よりも前記選択ワード線からソース線側の非選択ワード線に印加される読出し電圧が大きくなるように、非選択ワード線に読出しパス電圧を印加する、半導体記憶装置。 - NANDストリングが形成されたNAND型のメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのページを読み出す読出し手段と、
NANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも3つのグループに分離し、各グループに対応する各読出し電圧がビット線側に向かうにつれて大きくなる第1の関係を設定し、かつNANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも2つのグループに分離し、各グループに選択ワード線がビット線側に向かうにつれて大きくなる読出しパス電圧との第2の関係を設定する設定手段とを有し、
前記読出し手段は、前記設定手段に設定された前記第1の関係に基づき選択ワード線に読出し電圧を印加し、かつ前記第2の関係に基づき非選択ワード線に読出しパス電圧を印加する、半導体記憶装置。 - NANDストリングが形成されたNAND型のメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのページを読み出す読出し手段と、
NANDストリングの各メモリセルに接続された複数のワード線を少なくとも3つのグループに分離し、各グループに対応する各読出し電圧がビット線側に向かうにつれて大きくなる関係を設定する設定手段とを有し、
前記読出し手段は、前記設定手段に設定された関係に基づき選択ワード線に読出し電圧を印加し、かつ、選択ワード線からビット線側の非選択ワード線に印加される読出しパス電圧よりも前記選択ワード線からソース線側の非選択ワード線に印加される読出し電圧が大きくなるように、非選択ワード線に読出しパス電圧を印加する、半導体記憶装置。 - 前記読出し手段は、書込み動作中にベリファイ読出しを行う、請求項10または11に記載の半導体記憶装置。
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