JP2021036702A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021036702A JP2021036702A JP2020184318A JP2020184318A JP2021036702A JP 2021036702 A JP2021036702 A JP 2021036702A JP 2020184318 A JP2020184318 A JP 2020184318A JP 2020184318 A JP2020184318 A JP 2020184318A JP 2021036702 A JP2021036702 A JP 2021036702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- photoelectric conversion
- electrode
- counter electrode
- reset
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 136
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 32
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 77
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 63
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 18
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 12
- -1 carbamoyloxy group Chemical group 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 9
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 7
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001601 aromatic carbocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000412 polyarylene Chemical class 0.000 description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 2h-triazolo[4,5-c]pyridazine Chemical compound N1=NC=CC2=C1N=NN2 CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 5H-dibenzo[b,f]azepine Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2NC2=CC=CC=C21 LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical class C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical class C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004466 alkoxycarbonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005194 alkoxycarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004644 alkyl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004656 alkyl sulfonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006598 aminocarbonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005162 aryl oxy carbonyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005135 aryl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004657 aryl sulfonyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005200 aryloxy carbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000656 azaniumyl group Chemical group [H][N+]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 150000001602 bicycloalkyls Chemical group 0.000 description 1
- 125000005619 boric acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical class [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 1
- 125000005328 phosphinyl group Chemical group [PH2](=O)* 0.000 description 1
- 125000001476 phosphono group Chemical group [H]OP(*)(=O)O[H] 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Chemical class 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical class 0.000 description 1
- YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O triazolopyrimidine Chemical compound BrC1=CC=CC(C=2N=C3N=CN[N+]3=C(NCC=3C=CN=CC=3)C=2)=C1 YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14669—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/531—Control of the integration time by controlling rolling shutters in CMOS SSIS
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
Abstract
Description
く用いられている。CMOS型イメージセンサは、低消費電力、画素ごとのアクセスが可能という特長を有する。CMOS型イメージセンサには、一般的に、画素アレイの行ごとに露光および信号電荷の読み出しを順次に行う、いわゆるローリングシャッタが、信号の読み出し方式として適用される。
それぞれが、第1電極、第1電極に対向する第2電極、第1電極と第2電極との間の光電変換層、第1電極に電気的に接続された電荷蓄積領域、および電荷蓄積領域に電気的に接続された信号検出回路を含む複数の単位画素セルと、記第2電極と電気的に接続された電圧供給回路であって、光電変換により生成される電荷を電荷蓄積領域に蓄積するための期間である露光期間において第1電圧を第2電極に供給し、非露光期間において第1電圧とは異なる第2電圧を第2電極に供給する電圧供給回路と、を備え、露光期間の開始および終了は、複数の単位画素セルの間において共通である、撮像装置。
複数の単位画素セルのそれぞれは、電荷蓄積領域に電気的に接続されたリセットトランジスタであって、電荷蓄積領域を初期化するためのリセット電圧の供給および遮断を切り替えるリセットトランジスタを含み、リセット電圧が供給されたときの第1電極と第2電極との間の電位差は、リセット電圧が遮断された後の第1電極と第2電極との間の電位差よりも大きい、項目1に記載の撮像装置。
リセットトランジスタは、nチャンネルの電界効果トランジスタであり、リセット電圧は、第2電圧よりも大きい、項目2に記載の撮像装置。
リセットトランジスタは、pチャンネルの電界効果トランジスタであり、
リセット電圧は、第2電圧よりも小さい、項目2に記載の撮像装置。
複数の単位画素セルは、行および列に沿って2次元に配置されており、複数の単位画素セルの信号検出回路によって検出された信号は、行ごとに異なるタイミングで読み出される、項目1から4のいずれか1項に記載の撮像装置。
1フレーム期間に、露光期間を複数回含む、項目1から5のいずれか1項に記載の撮像装置。
電圧供給回路は、複数回の露光期間のそれぞれの間で、互いに異なる大きさの第1電圧を第2電極に供給する、項目6に記載の撮像装置。
信号検出回路からの複数回の露光期間のそれぞれごとの出力に基づく複数の画像データを取得し、複数の画像データを重畳することにより多重露光画像を形成する画像形成回路をさらに備える、項目6または7に記載の撮像装置。
信号検出回路から、1フレーム期間において電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷に対応する信号を取得し、信号に基づいて多重露光画像を形成する画像形成回路をさらに備える、項目6または7に記載の撮像装置。
光電変換層は、逆方向のバイアス電圧の増大に従って出力電流密度の絶対値が増大する第1電圧範囲、順方向のバイアス電圧の増大に従って出力電流密度が増大する第2電圧範囲、および、第1電圧範囲と第2電圧範囲との間であって、バイアス電圧に対する出力電流密度の変化率の絶対値が第1電圧範囲および第2電圧範囲よりも小さい第3電圧範囲を有する光電流特性を有し、電圧供給回路は、非露光期間に、光電変換層に印加されるバイアス電圧が第3電圧範囲内となるように、第2電圧を第2電極に供給する、項目1から9のいずれか1項に記載の撮像装置。
それぞれが、第1電極と、第1電極に電気的に接続された電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域に電気的に接続された信号検出回路とを含む複数の単位画素セルと、
第1電極に対向する第2電極と、
第1電極および第2電極の間に配置された光電変換層と、
第2電極との接続を有する電圧供給回路であって、露光期間と非露光期間との間で、互いに異なる電圧を第2電極に供給する電圧供給回路と、を備え、
光電変換層は、逆方向バイアス電圧の増大に従って出力電流密度の絶対値が増大する第1電圧範囲、順方向バイアス電圧の増大に従って出力電流密度が増大する第2電圧範囲、および、第1電圧範囲と第2電圧範囲との間の第3電圧範囲において、バイアス電圧に対する出力電流密度の変化率が互いに異なる光電流特性を有し、
第3電圧範囲における変化率は、第1電圧範囲における変化率および第2電圧範囲における変化率よりも小さく、
露光期間の開始および終了は、複数の単位画素セルの間において共通であり、
電圧供給回路は、非露光期間に、第2電極および信号検出回路の間に第3電圧範囲の電位差を与える電圧を第2電極に供給する、撮像装置。
1フレーム期間に、露光期間を複数回含む、項目11に記載の撮像装置。
電圧供給回路は、複数回の露光期間のそれぞれの間で、互いに異なる大きさの電圧を第2電極に供給する、項目12に記載の撮像装置。
信号検出回路からの複数回の露光期間のそれぞれごとの出力に基づく複数の画像データを取得し、複数の画像データを重畳することにより多重露光画像を形成する画像形成回路をさらに備える、項目12または13に記載の撮像装置。
信号検出回路から、1フレーム期間において電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷に対応する信号を取得し、信号に基づいて多重露光画像を形成する画像形成回路をさらに備える、項目12または13に記載の撮像装置。
複数の単位画素セルのそれぞれは、電荷蓄積領域に電気的に接続されたリセットトランジスタであって、電荷蓄積領域へのリセット電圧の供給および遮断を切り替えるリセットトランジスタを含み、
リセットトランジスタは、nチャンネルの電界効果トランジスタであり、
リセット電圧は、非露光期間において電圧供給回路が第2電極に印加する電圧よりも大きい、項目11から15のいずれかに記載の撮像装置。
複数の単位画素セルのそれぞれは、電荷蓄積領域に電気的に接続されたリセットトランジスタであって、電荷蓄積領域へのリセット電圧の供給および遮断を切り替えるリセットトランジスタを含み、
リセットトランジスタは、pチャンネルの電界効果トランジスタであり、
リセット電圧は、第2の期間において電圧供給回路が第2電極に印加する電圧よりも小さい、項目11から15のいずれかに記載の撮像装置。
リセット電圧と、非露光期間において電圧供給回路が第2電極に印加する電圧との差の絶対値は、光電変換層の破壊電圧よりも小さい、項目16または17に記載の撮像装置。
リセット電圧と、非露光期間において電圧供給回路が第2電極に印加する電圧との差の絶対値は、信号検出回路への入力電圧よりも小さい、項目16または17に記載の撮像装置。
図1は、本開示の実施形態に係る撮像装置の例示的な回路構成を示す。図1に示す撮像装置100は、2次元に配列された複数の単位画素セル10を含む画素アレイPAを有する。図1は、単位画素セル10が2行2列のマトリクス状に配置された例を模式的に示している。言うまでもないが、撮像装置100における単位画素セル10の数および配置は、図1に示す例に限定されない。
FET)であり、ここでは、信号検出トランジスタ24およびアドレストランジスタ26としてNチャンネルMOSを例示する。
図2は、単位画素セル10の例示的なデバイス構造を模式的に示す。図2に例示する構成では、上述の信号検出トランジスタ24、アドレストランジスタ26およびリセットトランジスタ28が、半導体基板20に形成されている。半導体基板20は、その全体が半導体である基板に限定されない。半導体基板20は、感光領域が形成される側の表面に半導体層が設けられた絶縁性基板などであってもよい。ここでは、半導体基板20としてP型シリコン(Si)基板を用いる例を説明する。
て機能する。不純物領域24dは、信号検出トランジスタ24の例えばドレイン領域として機能する。不純物領域24sと24dとの間に、信号検出トランジスタ24のチャネル領域が形成される。
iO2、ZnO2などの透明導電性酸化物(Transparent Conducting Oxide(TCO))を用いることができる。
述する。
56の一部であり得る。また、画素電極11は、プラグ52、配線53およびコンタクトプラグ55を介して、不純物領域28dにも接続されている。図2に例示する構成において、信号検出トランジスタ24のゲート電極24g、プラグ52、配線53、コンタクトプラグ54および55、ならびに、リセットトランジスタ28のソース領域およびドレイン領域の一方である不純物領域28dは、画素電極11によって収集された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能する。
上述したように、光電変換層15に光を照射し、画素電極11と対向電極12との間にバイアス電圧を印加することにより、光電変換によって生じる正および負の電荷のうちの一方を画素電極11によって収集し、収集された電荷を電荷蓄積領域に蓄積することができる。本発明者らは、以下に説明するような光電流特性を示す光電変換層15を光電変換部13に用い、かつ、画素電極11と対向電極12との間の電位差をある程度にまで小さくすることによって、電荷蓄積領域に既に蓄積された信号電荷が光電変換層15を介して対向電極12へ移動することを抑制できることを見出した。さらに本発明者らは、電位差を小さくした後における電荷蓄積領域への信号電荷のさらなる蓄積を抑制可能であることも見出した。つまり、光電変換層15に印加するバイアス電圧の大きさの制御により、特許文献1に記載の技術のように複数の画素のそれぞれに転送トランジスタなどの素子を別途設けることなく、グローバルシャッタ機能を実現し得ることを見出した。撮像装置100における動作の典型例は、後述する。
特定の置換基に限定されない。置換基は、重水素原子、ハロゲン原子、アルキル基(シク
ロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む)、アルケニル基(シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む)、アルキニル基、アリール基、複素環基(ヘテロ環基といってもよい)、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基(アニリノ基を含む)、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールアゾ基、ヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基(−B(OH)2)、ホスファト基(−OPO(OH
)2)、スルファト基(−OSO3H)、または、その他の公知の置換基であり得る。
有益であり、R1〜R24のうち、16個以上が水素原子または重水素原子であるとより有
益であり、全てが水素原子または重水素原子であるとさらに有益である。さらに、以下の式(3)で表されるスズナフタロシアニンは、合成の容易さの観点で有利である。
図5は、光電変換層15が有する典型的な光電流特性を示す。図5中、太い実線のグラフは、光が照射された状態における、光電変換層15の例示的な電流−電圧特性(I−V特性)を示している。なお、図5には、光が照射されていない状態におけるI−V特性の一例も、太い破線によってあわせて示されている。
を逆方向のバイアス電圧と定義する。有機半導体材料を用いた場合も、無機半導体材料を用いた場合と同様に、順方向および逆方向を定義することができる。光電変換層15がバルクヘテロ接合構造を有する場合、上述の特許第5553727号公報の図1に模式的に示されるように、電極に対向する、バルクヘテロ接合構造の2つの主面のうちの一方の表面には、n型半導体よりもp型半導体が多く現れ、他方の表面には、p型半導体よりもn型半導体が多く現れる。したがって、n型半導体よりもp型半導体が多く現れた主面側の電位が、p型半導体よりもn型半導体が多く現れた主面側の電位よりも高くなるようなバイアス電圧を順方向のバイアス電圧と定義する。
図6は、本開示の実施形態に係る撮像装置における動作の一例を説明するための図である。図6は、同期信号の立ち下がり(または立ち上がり)のタイミングと、光電変換層15に印加されるバイアス電圧の大きさの時間的変化と、画素アレイPA(図1参照)の各行におけるリセットおよび露光のタイミングとを合わせて示している。より具体的には、図6中の一番上のグラフは、垂直同期信号Vssの立ち下がり(または立ち上がり)のタイミングを示す。上から2番目のグラフは、水平同期信号Hssの立ち下がり(または立ち上がり)のタイミングを示している。これらのグラフの下には、感度制御線42を介して電圧供給回路32から対向電極12に印加される電圧Vbの時間的変化の一例が示されている。電圧Vbの時間的変化のグラフの下には、画素電極11の電位を基準としたときの対向電極12の電位φの時間的変化が示されている。電位φのグラフにおける両矢印G3は、上述の第3電圧範囲を示している。さらにその下のチャートは、画素アレイPAの各行におけるリセットおよび露光のタイミングを模式的に示す。
加する電圧を電圧V3とは異なる電圧Veに切り替えることによって開始される。電圧Veは、典型的には、画素電極11と対向電極12との間の電位差が上述の第1電圧範囲となるような電圧(例えば10V程度)である。対向電極12に電圧Veが印加されることにより、光電変換層15中の信号電荷(この例では正孔)が画素電極11によって収集され、電荷蓄積領域(電荷蓄積ノード41といってもよい。)に蓄積される。
電圧範囲のバイアス電圧の印加により、露光期間において蓄積された信号電荷を電荷蓄積領域に保持しておくことが可能である。つまり、電荷蓄積領域から信号電荷が失われることによるマイナスの寄生感度の発生を抑制し得る。
図6を参照して説明した動作の例においては、1V期間中に、全画素に共通して1回の露光期間を設け、その露光期間において蓄積された信号電荷に基づいて1つの画像を取得している。このような動作において、最終的な画像、すなわち1フレーム分の画像の形成に必要な画素信号の取得に要するトータルの時間は、(1V期間)+(画素アレイPA中の行数)×(信号の読み出し期間)におおよそ等しいといってよい(「×」は、乗算を意味する。)。本明細書では、最終的な画像の形成に必要な画素信号の取得に要するトータルの時間を、「1フレーム期間」と呼ぶ。図6に示す例では、画素アレイPA中の各行における、信号の読み出し期間が1H期間に等しく設定されているので、1フレーム期間は、(1V+8×1H)であるといえる。
field-programmable gate array)などであり得る。画像形成回路130は、メモリを含
んでいてもよい。画像形成回路130の動作は、システムコントローラ120によって制御され得る。多重露光画像の形成の例は、後述する。
理回路150からの出力信号に基づいて画像を表示する。表示部90は、パーソナルコンピュータ、スマートフォンなどであり得る。
、2回目の露光期間に対応した画像データが得られる。このときに得られた画像データを例えば画像形成回路130のメモリに一時的に保存する点、および、画素信号の読み出し後に、第R0行〜第R7行の各行に属する画素のリセットを再度実行する点は、1回目の露光期間に対応した画像データの取得と同様である。
再び図2を参照する。既に説明したように、本開示の実施形態では、露光期間と非露光期間との間で異なる電圧が対向電極12に印加されることにより、グローバルシャッタを実現している。非露光期間において、電圧供給回路32(図1参照)は、光電変換層15に印加されるバイアス電圧が上述の第3電圧範囲となるような電圧を、感度制御線42を介して対向電極12に供給する。他方、非露光期間における画素電極11の電位は、画素電極11および不純物領域28dをその一部に含む電荷蓄積領域に供給されるリセット電圧Vrによって決まる。既に説明したように、リセット電圧Vrは、不純物領域28dをドレイン領域(またはソース領域)として有するリセットトランジスタ28を介して電荷蓄積領域に供給される。リセットトランジスタ28は、電荷蓄積領域へのリセット電圧Vrの供給および遮断を切り替える機能を有する。
にわたって、画素電極11と対向電極12との間の電位差が第3電圧範囲となるような電圧である必要はない。画素のリセットの前においては、画素電極11の電位を基準としたときの対向電極12の電位φは、第3電圧範囲の外であってもよい。
スタ28の各々は、NチャンネルMOSであってもよいし、PチャンネルMOSであってもよい。これらの全てがNチャンネルMOSまたはPチャンネルMOSのいずれかに統一されている必要もない。信号検出トランジスタ24および/またはアドレストランジスタ26として、電界効果トランジスタのほか、バイポーラトランジスタも用い得る。
11 画素電極
12 対向電極
13 光電変換部
14 信号検出回路
15 光電変換層
15A 光電変換構造
15e 電子ブロッキング層
15h 正孔ブロッキング層
20 半導体基板
20t 素子分離領域
24d、24s、26s、28d、28s 不純物領域
24 信号検出トランジスタ
26 アドレストランジスタ
28 リセットトランジスタ
24g、26g、28g ゲート電極
32 電圧供給回路(感度制御電圧供給回路)
34 リセット電圧源(リセット電圧供給回路)
35 基板電圧供給回路
36 垂直走査回路
40 電源線
41 電荷蓄積ノード
42 感度制御線
50 層間絶縁層
44 リセット電圧線
46 アドレス制御線
47 垂直信号線
48 リセット制御線
80 カメラ部
90 表示部
100 撮像装置
100S 撮像システム
130 画像形成回路
PA 画素アレイ
Claims (8)
- 光を信号電荷に変換する光電変換層と、
前記信号電荷を収集する画素電極と、
前記光電変換層と前記画素電極との間に位置する第1電荷ブロッキング層と、
前記第1電荷ブロッキング層と前記光電変換層とを介して前記画素電極に接続される対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極との間にバイアス電圧を印加する電圧供給回路と、
を備え、
前記第1電荷ブロッキング層は、前記画素電極への前記信号電荷の移動を許容し、前記信号電荷とは逆極性の電荷をブロックするように構成され、
前記画素電極と前記対向電極との間に第1電圧範囲内のバイアス電圧が印加された第1状態にあるときに光の照射を受けることによって前記光電変換層が発生させる光電流の大きさは、前記画素電極と前記対向電極との間に第2電圧範囲内のバイアス電圧が印加された第2状態にあるときの光電流の大きさよりも小さい、
撮像装置。 - 前記電圧供給回路は、露光期間において前記第1電圧範囲内のバイアス電圧を前記画素電極と前記対向電極との間に印加し、非露光期間において前記第2電圧範囲内のバイアス電圧を前記画素電極と前記対向電極との間に印加する、
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第2電圧範囲内のバイアス電圧は、−1Vよりも大きく、かつ、1Vよりも小さい、
請求項1または2に記載の撮像装置。 - 前記第2電圧範囲内のバイアス電圧が印加された状態において光が照射されたときの光電流の電流密度は、実質的に一定である、
請求項1から3のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2状態において光が照射されたときの光電流の電流密度の絶対値は、100μA/cm2以下である、
請求項1から4のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記光電変換層と前記対向電極との間の第2電荷ブロッキング層をさらに備え、
前記第2電荷ブロッキング層は、前記信号電荷と同極性の電荷をブロックするように構成されている、
請求項1から5のいずれか1項に記載の撮像装置。 - バイアス電圧に対する、光が照射されたときの光電流の電流密度の変化率は、前記第2電圧範囲の方が前記第1電圧範囲よりも小さい、
請求項1から6のいずれか1項に記載の撮像装置。 - それぞれが、前記光電変換層、前記画素電極、前記第1電荷ブロッキング層、および前記対向電極を含む複数の画素を備え、
前記複数の画素それぞれの前記対向電極は、互いに電気的に接続されている、
請求項1から7のいずれか1項に記載の撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022176072A JP7445865B2 (ja) | 2015-12-03 | 2022-11-02 | 撮像装置 |
JP2024019777A JP2024045519A (ja) | 2015-12-03 | 2024-02-13 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236858 | 2015-12-03 | ||
JP2015236858 | 2015-12-03 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017158679A Division JP6799784B2 (ja) | 2015-12-03 | 2017-08-21 | 撮像装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022176072A Division JP7445865B2 (ja) | 2015-12-03 | 2022-11-02 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021036702A true JP2021036702A (ja) | 2021-03-04 |
JP7178616B2 JP7178616B2 (ja) | 2022-11-28 |
Family
ID=58796787
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017524487A Active JP6202512B1 (ja) | 2015-12-03 | 2016-11-11 | 撮像装置 |
JP2017096917A Active JP6218056B2 (ja) | 2015-12-03 | 2017-05-16 | 撮像装置 |
JP2017158679A Active JP6799784B2 (ja) | 2015-12-03 | 2017-08-21 | 撮像装置 |
JP2020184318A Active JP7178616B2 (ja) | 2015-12-03 | 2020-11-04 | 撮像装置 |
JP2022176072A Active JP7445865B2 (ja) | 2015-12-03 | 2022-11-02 | 撮像装置 |
JP2024019777A Pending JP2024045519A (ja) | 2015-12-03 | 2024-02-13 | 撮像装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017524487A Active JP6202512B1 (ja) | 2015-12-03 | 2016-11-11 | 撮像装置 |
JP2017096917A Active JP6218056B2 (ja) | 2015-12-03 | 2017-05-16 | 撮像装置 |
JP2017158679A Active JP6799784B2 (ja) | 2015-12-03 | 2017-08-21 | 撮像装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022176072A Active JP7445865B2 (ja) | 2015-12-03 | 2022-11-02 | 撮像装置 |
JP2024019777A Pending JP2024045519A (ja) | 2015-12-03 | 2024-02-13 | 撮像装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US9986182B2 (ja) |
EP (2) | EP3386189B1 (ja) |
JP (6) | JP6202512B1 (ja) |
CN (2) | CN112929586A (ja) |
WO (1) | WO2017094229A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3833004A1 (en) | 2015-07-10 | 2021-06-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
KR102127587B1 (ko) * | 2016-01-15 | 2020-06-26 | 인비사지 테크놀로지스, 인크. | 글로벌 전자 셔터를 포함하는 전자 디바이스 |
US10341571B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-07-02 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensors with electronic shutter |
JP7007088B2 (ja) * | 2016-12-07 | 2022-01-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、撮像素子および電子機器 |
JP7108856B2 (ja) | 2017-01-25 | 2022-07-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 運転制御システムおよび運転制御方法 |
JP7308440B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2023-07-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置、およびカメラシステム |
JP7258465B2 (ja) | 2018-01-12 | 2023-04-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその制御方法 |
CN110139047B (zh) | 2018-02-08 | 2023-06-20 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及相机系统、以及摄像装置的驱动方法 |
JP7162200B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-10-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | カメラシステム、及び車両走行制御システム |
US10893222B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-01-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and camera system, and driving method of imaging device |
WO2020054373A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置および撮像方法 |
JP7345101B2 (ja) | 2018-10-26 | 2023-09-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 画像認識装置および画像認識方法 |
EP3886183B1 (en) | 2018-11-19 | 2023-06-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and imaging system |
JP7432880B2 (ja) | 2018-11-19 | 2024-02-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光センサ及び光検出システム |
EP3944349A4 (en) * | 2019-03-20 | 2022-04-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | IMAGING DEVICE |
JP2021016070A (ja) * | 2019-07-11 | 2021-02-12 | 日本放送協会 | 撮像素子及びその信号読み出し回路 |
JP2021044310A (ja) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
JP2021057885A (ja) | 2019-09-26 | 2021-04-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置およびその駆動方法 |
WO2021084971A1 (ja) * | 2019-10-28 | 2021-05-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2021106294A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置及び制御方法 |
JP7451188B2 (ja) | 2020-01-24 | 2024-03-18 | 三星電子株式会社 | イメージセンサ |
US20210258520A1 (en) * | 2020-02-18 | 2021-08-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
EP3885371B1 (en) | 2020-03-26 | 2023-11-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Methacrylic resin composition, molded article, and method of producing methacrylic resin composition |
US20240064431A1 (en) * | 2021-01-12 | 2024-02-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of controlling solid-state imaging device, and control program for solid-state imaging device |
WO2023079795A1 (ja) * | 2021-11-08 | 2023-05-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2023100613A1 (ja) * | 2021-12-02 | 2023-06-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置およびカメラシステム |
WO2023100612A1 (ja) * | 2021-12-02 | 2023-06-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置およびカメラシステム |
WO2023203995A1 (ja) * | 2022-04-21 | 2023-10-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換素子および撮像装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06326291A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-25 | Mitsubishi Kasei Corp | イメージセンサ |
JP2007104113A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
WO2012004923A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
WO2012164829A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
JP2014022525A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機光電変換素子、及び、これを含む受光素子 |
WO2014103169A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | パナソニック株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2922912B2 (ja) | 1989-01-23 | 1999-07-26 | 株式会社日立製作所 | 撮像装置 |
JP2002152602A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | デジタルスチルカメラ |
JP2006094263A (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置 |
JP4325557B2 (ja) * | 2005-01-04 | 2009-09-02 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像方法 |
KR100787938B1 (ko) | 2005-07-15 | 2007-12-24 | 삼성전자주식회사 | 공유 능동 화소 센서 구조의 씨모스 이미지 센서 및 그구동 방법 |
US8017863B2 (en) * | 2005-11-02 | 2011-09-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Polymer wrapped carbon nanotube near-infrared photoactive devices |
JP2007311647A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
WO2008105804A2 (en) * | 2006-07-18 | 2008-09-04 | The University Of Southern California | Organic optoelectronic device electrodes with nanotubes |
US20080230123A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion element and solid-state imaging device |
CN102057666B (zh) * | 2008-06-10 | 2014-04-02 | 国立大学法人东北大学 | 固体摄像元件 |
JP2010232410A (ja) | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機光電変換素子 |
JP2010251829A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Olympus Corp | 固体撮像素子、カメラシステム、及び信号読み出し方法 |
JP2011061523A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | Mos型イメージセンサ、mos型イメージセンサの駆動方法、撮像装置、撮像方法 |
CN102576805A (zh) | 2009-10-30 | 2012-07-11 | 住友化学株式会社 | 有机光电转换元件及其制造方法 |
JPWO2011058684A1 (ja) * | 2009-11-12 | 2013-03-28 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5891451B2 (ja) | 2010-12-22 | 2016-03-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP5822533B2 (ja) * | 2011-05-11 | 2015-11-24 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
CN103703759B (zh) * | 2011-08-08 | 2017-03-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置及固体摄像装置的驱动方法 |
KR101861650B1 (ko) * | 2011-10-17 | 2018-05-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서, 이를 포함하는 전자 시스템 및 그 이미지 센싱 방법 |
WO2014002362A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
WO2014002420A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
US9491383B2 (en) * | 2013-06-07 | 2016-11-08 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensor with noise reduction |
JP2016004726A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | トヨタ自動車株式会社 | 電池システム |
EP3125257B1 (en) * | 2015-07-31 | 2018-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Dipole ring magnetic field generator |
WO2017081847A1 (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出装置 |
JP2017168812A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
-
2016
- 2016-11-11 WO PCT/JP2016/004868 patent/WO2017094229A1/ja active Application Filing
- 2016-11-11 CN CN202110102351.3A patent/CN112929586A/zh active Pending
- 2016-11-11 JP JP2017524487A patent/JP6202512B1/ja active Active
- 2016-11-11 EP EP16870172.0A patent/EP3386189B1/en active Active
- 2016-11-11 CN CN201680005377.3A patent/CN107113385B/zh active Active
- 2016-11-11 EP EP21156027.1A patent/EP3840364A1/en active Pending
-
2017
- 2017-05-16 JP JP2017096917A patent/JP6218056B2/ja active Active
- 2017-08-21 JP JP2017158679A patent/JP6799784B2/ja active Active
- 2017-09-28 US US15/719,456 patent/US9986182B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-26 US US15/963,410 patent/US10375329B2/en active Active
- 2018-04-27 US US15/964,108 patent/US10225493B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-18 US US16/444,841 patent/US10819924B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-21 US US17/026,851 patent/US11184563B2/en active Active
- 2020-11-04 JP JP2020184318A patent/JP7178616B2/ja active Active
-
2021
- 2021-10-22 US US17/508,649 patent/US11647299B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-02 JP JP2022176072A patent/JP7445865B2/ja active Active
-
2023
- 2023-03-24 US US18/190,002 patent/US20230247315A1/en active Pending
-
2024
- 2024-02-13 JP JP2024019777A patent/JP2024045519A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06326291A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-25 | Mitsubishi Kasei Corp | イメージセンサ |
JP2007104113A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
WO2012004923A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
WO2012164829A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
JP2014022525A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機光電変換素子、及び、これを含む受光素子 |
WO2014103169A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | パナソニック株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10225493B2 (en) | 2019-03-05 |
US20220046192A1 (en) | 2022-02-10 |
US10375329B2 (en) | 2019-08-06 |
US9986182B2 (en) | 2018-05-29 |
CN112929586A (zh) | 2021-06-08 |
US20230247315A1 (en) | 2023-08-03 |
US10819924B2 (en) | 2020-10-27 |
JP7178616B2 (ja) | 2022-11-28 |
JP6799784B2 (ja) | 2020-12-16 |
CN107113385A (zh) | 2017-08-29 |
US20210006735A1 (en) | 2021-01-07 |
EP3386189A4 (en) | 2018-11-21 |
JP7445865B2 (ja) | 2024-03-08 |
EP3386189A1 (en) | 2018-10-10 |
US20190313038A1 (en) | 2019-10-10 |
EP3386189B1 (en) | 2021-03-24 |
EP3840364A1 (en) | 2021-06-23 |
JP2017188917A (ja) | 2017-10-12 |
JP2024045519A (ja) | 2024-04-02 |
JPWO2017094229A1 (ja) | 2017-11-30 |
US20180249101A1 (en) | 2018-08-30 |
WO2017094229A1 (ja) | 2017-06-08 |
US11647299B2 (en) | 2023-05-09 |
US11184563B2 (en) | 2021-11-23 |
JP6218056B2 (ja) | 2017-10-25 |
CN107113385B (zh) | 2021-02-02 |
US20180249102A1 (en) | 2018-08-30 |
US20180020171A1 (en) | 2018-01-18 |
JP2023022016A (ja) | 2023-02-14 |
JP6202512B1 (ja) | 2017-09-27 |
JP2017216743A (ja) | 2017-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7178616B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP6920652B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP6975935B2 (ja) | 光検出装置 | |
JP6967719B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP6899527B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP6160852B1 (ja) | 光センサ | |
WO2020189169A1 (ja) | 撮像装置 | |
WO2023100612A1 (ja) | 撮像装置およびカメラシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221102 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7178616 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |