JP2006094263A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006094263A JP2006094263A JP2004278960A JP2004278960A JP2006094263A JP 2006094263 A JP2006094263 A JP 2006094263A JP 2004278960 A JP2004278960 A JP 2004278960A JP 2004278960 A JP2004278960 A JP 2004278960A JP 2006094263 A JP2006094263 A JP 2006094263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias voltage
- transparent electrode
- photoelectric conversion
- electrode films
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
【課題】良好な画像データを得ることが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上方に3つ積層される2つの透明電極膜によって挟まれた光電変換膜13,18,23と、半導体基板に形成される信号読出回路3,5,7とを有し、光電変換膜13,18,23の各々に蓄積される信号電荷に応じた信号を信号読出回路3,5,7によって外部に読み出す光電変換膜積層型固体撮像素子100を含む撮像装置であって、光電変換膜13,18,23は、2つの透明電極膜間に印加されるバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)によって信号電荷の流れ出す量を制御可能であり、この撮像装置は、2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を制御して、光電変換膜13,18,23の各々から流れ出す信号電荷の量を調節する信号電荷量調節手段を備える。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板上方に3つ積層される2つの透明電極膜によって挟まれた光電変換膜13,18,23と、半導体基板に形成される信号読出回路3,5,7とを有し、光電変換膜13,18,23の各々に蓄積される信号電荷に応じた信号を信号読出回路3,5,7によって外部に読み出す光電変換膜積層型固体撮像素子100を含む撮像装置であって、光電変換膜13,18,23は、2つの透明電極膜間に印加されるバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)によって信号電荷の流れ出す量を制御可能であり、この撮像装置は、2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を制御して、光電変換膜13,18,23の各々から流れ出す信号電荷の量を調節する信号電荷量調節手段を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体基板上方に少なくとも1つ積層される2つの透明電極膜によって挟まれた光電変換膜と、前記半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、前記光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を前記信号読出回路によって外部に読み出す光電変換膜積層型固体撮像素子を含む撮像装置に関する。
近年、半導体基板表面部に多数の受光部(フォトダイオード)を集積すると共に各受光部上に赤色(R),緑色(G),青色(B)の各色カラーフィルタを積層したCCD型イメージセンサやCMOS型イメージセンサが著しく進歩し、現在では、数百万もの受光部(画素)を1チップ上に集積したイメージセンサがデジタルカメラに搭載されるようになっている。
従来のデジタルカメラは、低コスト化及びなめらかな動画撮影を可能にするために、メカニカルシャッタを用いずに、イメージセンサの基板上に設けられるオーバーフロードレイン(OFD)を利用して電子シャッタを実現しているものがある(例えば特許文献1参照)。電子シャッタは、フォトダイオードに蓄積された信号電荷をリセットする際に、約20V程度の高電圧を基板に印加する事で、電荷の井戸に貯まった信号電荷を基板外に吐き出すことで実現される。又、従来のデジタルカメラは、イメージセンサから得られるRGB各色のデータに対し、各色毎に異なるホワイトバランスゲインを用いてホワイトバランス調整を行っている。又、撮影ISO感度を設定可能なデジタルカメラも存在し、例えば、撮影ISO感度が基準より2倍になった場合には、イメージセンサから得られるRGB各色のデータを2倍にして、撮影ISO感度を上げるといった処理が行われている。
上記デジタルカメラの電子シャッタ機能は、基板に高電圧を印加するため、基板に設けられているFDA(フローティングディフージョンアンプ)の動作点が変化し、この結果、FDAから出力される信号電圧が上下に変化してしまうといった問題がある。又、上記デジタルカメラのホワイトバランス調整機能は、RGB各色のデータに対するゲインを変化させることで、RGBの感度バランスを撮影シーン別に変化させているが、FDAから出力される信号電圧に含まれるノイズもゲイン倍されることになるため、SNが劣化してしまうという問題もある。撮影ISO感度設定についても同様に、ノイズが増幅されてSNが劣化してしまうという問題がある。これらの問題が生じると、良好な画像データが得にくい。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、良好な画像データを得ることが可能な撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の撮像装置は、半導体基板上方に少なくとも1つ積層される2つの透明電極膜によって挟まれた光電変換膜と、前記半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、前記光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を前記信号読出回路によって外部に読み出す光電変換膜積層型固体撮像素子を含む撮像装置であって、前記光電変換膜は、前記2つの透明電極膜間に印加されるバイアス電圧によって前記信号電荷の流れ出す量を制御可能であり、前記2つの透明電極膜間に前記バイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記2つの透明電極膜間に印加する前記バイアス電圧を制御して、前記光電変換膜から流れ出す前記信号電荷の量を調節する信号電荷量調節手段とを備える。
この構成により、光電変換膜から流れ出す信号電荷量の調節によって、例えば露光期間、非露光期間の切り替え、ホワイトバランス調整、及び撮影ISO感度変更等の機能を実現することができ、良好な撮影画像データを得ることが可能となる。
本発明の撮像装置は、前記光電変換膜が、所定値より小さいバイアス電圧が印加されると前記信号電荷が流れ出る状態となり、前記所定値以上のバイアス電圧が印加されると前記信号電荷が流れ出ない状態となるものである。
本発明の撮像装置は、前記信号電荷量調節手段が、前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を、前記所定値より小さいバイアス電圧と前記所定値以上のバイアス電圧とに交互に切り換え、少なくとも撮影露光期間中は、前記2つの透明電極膜間に印加すべきバイアス電圧を前記所定値より小さいバイアス電圧にする。
この構成により、電子シャッタ機能を実現することができる。
本発明の撮像装置は、前記信号電荷量調節手段が、前記2つの透明電極膜間に前記所定値より小さいバイアス電圧を印加する期間のうち、少なくとも前記撮影露光期間中に印加する前記バイアス電圧の値又は前記撮影露光期間を、前記光電変換膜で吸収される色に対するホワイトバランスゲインに応じて決定する。
この構成により、ホワイトバランス調整機能を実現することができる。
本発明の撮像装置は、前記信号電荷量調節手段が、前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を、常に前記所定値より小さいバイアス電圧になるように制御し、少なくとも撮影露光期間中に前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧の値を、前記光電変換膜で吸収される色に対するホワイトバランスゲインに応じて決定する。
この構成により、ホワイトバランス調整機能を実現することができる。
本発明の撮像装置は、前記信号電荷量調節手段が、少なくとも前記撮影露光期間中に前記2つの透明電極膜間に印加する前記所定値より小さいバイアス電圧の値を、設定されている撮影ISO感度に応じて変更する。
この構成により、撮影ISO感度変更機能を実現することができる。
本発明の撮像装置は、前記信号電荷量調節手段が、前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を、常に前記所定値より小さいバイアス電圧になるように制御し、少なくとも撮影露光期間中に前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧の値を、設定されている撮影ISO感度に応じて変更する。
この構成により、撮影ISO感度変更機能を実現することができる。
本発明によれば、良好な画像データを得ることが可能な撮像装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施形態を説明するための光電変換膜積層型固体撮像素子100の1画素分の断面模式図である。この実施形態では、光電変換膜を3層積層して、赤色(R),緑色(G),青色(B)の3原色に対応する電気信号を取り出す構成、すなわち、カラー画像を撮像する構成になっているが、光電変換膜を1層だけ設け、単色例えば白黒の画像を撮像する構成でもよい。
図1において、n型シリコン基板に形成されたPウェル層1の表面部には、赤色信号蓄積用の高濃度不純物領域2と、赤色信号読出用のMOS回路3と、緑色信号蓄積用の高濃度不純物領域4と、緑色信号読出用のMOS回路5と、青色信号蓄積用の高濃度不純物領域6と、青色信号読出用のMOS回路7とが形成されている。
各MOS回路3,5,7は、半導体基板表面に形成されたソース用,ドレイン用の不純物領域と、ゲート絶縁膜8を介して形成されたゲート電極とから成る。これらのゲート絶縁膜8及びゲート電極の上部には絶縁膜9が積層されて平坦化される。この絶縁膜9の表面に遮光膜を形成する場合もあるが、遮光膜を形成した場合には遮光膜を絶縁する関係で更に絶縁膜10を積層する。遮光膜は、多くの場合、金属薄膜で形成されるためである。遮光膜をこの場所に設けない場合には、図示の絶縁膜9,10は一体でよい。
上述した色信号蓄積用の高濃度不純物領域2,4,6に蓄積された信号電荷量に応じた信号は、MOS回路3,5,7によって読み出され、更に、図示は省略したが、半導体基板に形成された読み出し電極によって外部に取り出されるが、その構成は、従来のCMOS型イメージセンサと同様である。
また、この例は、半導体基板に形成したMOS回路で信号電荷量に応じた信号を読み出す構成としたが、色信号蓄積用の高濃度不純物領域2,4,6の蓄積電荷を、従来のCCD型イメージセンサと同様に、垂直転送路に沿って移動させ、水平転送路に沿って外部に読み出す構成とすることもできる。
以上の構成は、従来のCCD型イメージセンサやCMOS型イメージセンサの半導体プロセスによって製造され、以後に述べる構成を付加することで、光電変換膜積層型固体撮像素子を製造する。
図1に示す絶縁膜10の上に、透明電極膜11を形成する。この透明電極膜11は、赤色信号蓄積用の高濃度不純物領域2に電極12によって導通される。この電極12は、透明電極膜11及び高濃度不純物領域2以外とは電気的に絶縁される。そして、透明電極膜11の上部に、赤色検出用の光電変換膜13を形成し、更にその上部に透明電極膜14を形成する。即ち、1対の透明電極膜11,14間に光電変換膜13を挟む構成となっている。尚、最下層となる電極膜11を不透明にして遮光膜を兼用させてもよい。
透明電極膜14の上部には透明絶縁膜15が形成され、その上部に、透明電極膜16が形成される。この透明電極膜16は、緑色信号蓄積用の高濃度不純物領域4に電極17によって導通される。この電極17は、透明電極膜16及び高濃度不純物領域4以外とは電気的に絶縁される。透明電極膜16の上部には緑色検出用の光電変換膜18が形成され、その上部に、透明電極膜19が形成される。即ち、1対の透明電極膜16,19間に光電変換膜18を挟む構成となっている。
透明電極膜19の上部には透明絶縁膜20が形成され、その上部に、透明電極膜21が形成される。この透明電極膜21は、青色信号蓄積用の高濃度不純物領域6に電極22によって導通される。この電極22は、透明電極膜21及び高濃度不純物領域6以外とは電気的に絶縁される。透明電極膜21の上部には青色検出用の光電変換膜23が形成され、その上部に、透明電極膜24が形成される。即ち、1対の透明電極膜21,24間に光電変換膜23を挟む構成となっている。
最上層には透明絶縁膜25が設けられ、この実施形態では、この透明絶縁膜25中に、この画素への入射光の入射範囲を制限する遮光膜26が設けられる。本実施形態で最上層に遮光膜26を設けたのは、画素間の混色をより一層低減するためである。均質な透明電極膜としては、酸化錫(SnO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化インジウム(InO2)、酸化インジウム−錫(ITO)薄膜を用いるが、これに限るものではない。その形成方法としては、レーザアブレージョン法,スパッタ法などがある。
透明電極膜11、16、21には、それぞれ一定の電圧が印加されるようになっている。透明電極膜14にはバイアス電圧Vb(R)が印加され、透明電極膜19にはバイアス電圧Vb(G)が印加され、透明電極膜24にはバイアス電圧Vb(B)が印加されるようになっている。
透明電極膜11と透明電極膜14の間には、一定の電圧とバイアス電圧Vb(R)との差の電圧が印加されているが、この差の電圧はバイアス電圧Vb(R)によって変化するため、以下では、透明電極膜11と透明電極膜14の間に印加される電圧のことを、バイアス電圧Vb(R)と同義として説明する。同様に、透明電極膜16と透明電極膜19の間に印加される電圧のことを、バイアス電圧Vb(G)と同義として説明し、透明電極膜21と透明電極膜24の間に印加される電圧のことを、バイアス電圧Vb(B)と同義として説明する。
光電変換膜23の材料としては、有機材料(例えば、C6/PHPPS(coumarin 6 (C6)-doped poly(m-hexoxyphenyl)phenylsilane))を用いる。光電変換膜18の材料としては、有機材料(例えば、R6G/PMPS(rhodamine 6G (R6G)-doped polymethylphenylsilane))を用いる。光電変換膜13の材料としては、有機材料(例えば、ZnPc(亜鉛フタロシアニン)/Alq3(キノリノールアルミ錯体))を用いる。
図2は、有機材料からなる光電変換膜の特性を示す図である。
図2に示すように、有機材料からなる光電変換膜は、それを挟む2つの電極間に印加されるバイアス電圧が0に近づく程、内部を流れる光電変換電流は少なくなる。図1の例で説明すると、例えば、透明電極膜24と透明電極膜21との間にはバイアス電圧Vb(B)が印加されているが、このバイアス電圧Vb(B)を0Vに近づけるにしたがって、光電変換膜23に蓄積された信号電荷は透明電極膜21に流れ出ていかなくなる。つまり、光電変換膜13、18、23は、それぞれ透明電極間に印加するバイアス電圧を制御することで、そこから流れ出ていく信号電荷量を調節することが可能である。本実施形態では、各光電変換膜が、透明電極間に印加されるバイアス電圧が所定値(=0V)よりも小さいときを信号電荷が流れ出る状態とし、透明電極間に印加されるバイアス電圧が0V以上のときを信号電荷が流れ出ない状態とするが、この所定値は0Vでなくでも良く、信号電荷の流れ出る量が無視できる程小さくなるときの値であれば良い。
図2に示すように、有機材料からなる光電変換膜は、それを挟む2つの電極間に印加されるバイアス電圧が0に近づく程、内部を流れる光電変換電流は少なくなる。図1の例で説明すると、例えば、透明電極膜24と透明電極膜21との間にはバイアス電圧Vb(B)が印加されているが、このバイアス電圧Vb(B)を0Vに近づけるにしたがって、光電変換膜23に蓄積された信号電荷は透明電極膜21に流れ出ていかなくなる。つまり、光電変換膜13、18、23は、それぞれ透明電極間に印加するバイアス電圧を制御することで、そこから流れ出ていく信号電荷量を調節することが可能である。本実施形態では、各光電変換膜が、透明電極間に印加されるバイアス電圧が所定値(=0V)よりも小さいときを信号電荷が流れ出る状態とし、透明電極間に印加されるバイアス電圧が0V以上のときを信号電荷が流れ出ない状態とするが、この所定値は0Vでなくでも良く、信号電荷の流れ出る量が無視できる程小さくなるときの値であれば良い。
図3は、図1に示すMOS回路3,5,7の回路図である。このMOS回路は、R,G,B毎に3つのFET素子で構成され、その回路構成は、従来のCMOS型イメージセンサで用いる回路と同じである。
従来のCMOS型イメージセンサでは、半導体表面に「受光部」を設ける必要があったため、これらのMOS回路を半導体表面に製造する場合、受光部を広くする関係で狭い場所に製造しなければならなかった。しかし、本実施形態の光電変換膜積層型固体撮像素子では、「受光部」を半導体表面に設ける必要がないため、MOS回路の製造は容易となる。また、配線スペースに余裕ができるため、図3ではR,G,Bのうちの1つをセレクト信号で選択しながら順次読み出す構成であるが、R,G,Bを一緒に読める配線接続にすることも容易となる。これは、読み出し回路を、MOS回路ではなく、CCD型イメージセンサの様に電荷転送路を設けるタイプでも同様である。
図1に示す構造は、1画素分であるが、これらの画素が半導体基板の表面側に縦横にアレイ状に設けられる。最も、一画素一画素に応じて光電変換膜を区分して積層する必要はなく、半導体基板の表面全面に光電変換膜を一枚構成で積層することができる。そして、一画素一画素は、各光電変換膜を挟む一対の透明電極のうちの一方を一画素一画素に分離して形成することで、画素を分離できる。
光電変換膜から対応する高濃度不純物領域2等に信号電荷を移動させる方法としては、通常のCCD型イメージセンサやCMOS型イメージセンサの受光素子から信号を取り出す手法に準じた手法を採用してもよい。例えば、一定量のバイアス電荷を高濃度不純物領域2等(蓄積ダイオード)に注入して(リフレッシュモード)おき、光入射によって一定の電荷を蓄積(光電変換モード)した後、信号電荷を読み出すという方法である。
図4は、本発明の実施形態を説明するためのデジタルカメラの概略構成を示す図である。
図4のデジタルカメラは、撮像部101と、アナログ信号処理部102と、A/D変換部103と、駆動部104と、ストロボ105と、デジタル信号処理部106と、圧縮/伸張処理部107と、表示部108と、システム制御部109と、内部メモリ110と、メディアインタフェース111と、記録メディア112と、操作部113とを備える。デジタル信号処理部106、圧縮/伸張処理部107、表示部108、システム制御部109、内部メモリ110、及びメディアインタフェース111は、システムバス114に接続されている。
図4のデジタルカメラは、撮像部101と、アナログ信号処理部102と、A/D変換部103と、駆動部104と、ストロボ105と、デジタル信号処理部106と、圧縮/伸張処理部107と、表示部108と、システム制御部109と、内部メモリ110と、メディアインタフェース111と、記録メディア112と、操作部113とを備える。デジタル信号処理部106、圧縮/伸張処理部107、表示部108、システム制御部109、内部メモリ110、及びメディアインタフェース111は、システムバス114に接続されている。
撮像部101は、撮影レンズや絞り等の光学系と図1に示す光電変換膜積層型固体撮像素子100によって被写体の撮影を行うものであり、アナログの撮像信号を出力する。アナログ信号処理部102は、撮像部101で得られた撮像信号に所定のアナログ信号処理を施す。A/D変換部103は、アナログ信号処理部2で処理後のアナログ信号をデジタル信号に変換する。A/D変換部103の出力は、いわゆるRAW画像データとしてデジタル信号処理部106に送られる。RAW画像データは、撮像部101からの撮像信号の形式のままデジタル化したデジタル画像データである。
撮影に際しては、駆動部104を介して光学系及び光電変換膜積層型固体撮像素子100の制御が行われる。光電変換膜積層型固体撮像素子100は、操作部113の一部であるレリーズボタン(図示せず)の操作によるレリーズスイッチ(図示せず)オンを契機として、所定のタイミングで、駆動部104からの駆動信号によって駆動される。駆動部104は、システム制御部109によって所定の駆動信号を出力する。
駆動部104は、透明電極膜21と透明電極膜24の間にバイアス電圧Vb(B)を印加するBバイアス制御部115と、透明電極膜19と透明電極膜16の間にバイアス電圧Vb(G)を印加するGバイアス制御部116と、透明電極膜11と透明電極膜14の間にバイアス電圧Vb(R)を印加するRバイアス制御部117とを含んでいる。Bバイアス制御部115は、システム制御部109の制御によって、バイアス電圧Vb(B)を制御して、光電変換膜23から流れ出す信号電荷の量を調節する。Gバイアス制御部116は、システム制御部109の制御によって、バイアス電圧Vb(G)を制御して、光電変換膜18から流れ出す信号電荷の量を調節する。Rバイアス制御部117は、システム制御部109の制御によって、バイアス電圧Vb(R)を制御して、光電変換膜13から流れ出す信号電荷の量を調節する。Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117は、それぞれ特許請求の範囲のバイアス電圧印加手段と信号電荷量調節手段に該当する。
デジタル信号処理部106は、A/D変換部103からのデジタル画像データに対して、操作部113によって設定された動作モードに応じたデジタル信号処理を行う。デジタル信号処理部106が行う処理には、黒レベル補正処理(OB処理)、リニアマトリクス補正処理、ガンマ補正処理、画像合成処理、同時化処理、及びY/C変換処理等が含まれる。デジタル信号処理部106は、例えばDSPで構成される。
圧縮/伸張処理部107は、デジタル信号処理部106で得られたY/Cデータに対して圧縮処理を施すとともに、記録メディア112から得られた圧縮画像データに対して伸張処理を施す。
表示部108は、例えばLCD表示装置を含んで構成され、撮影されてデジタル信号処理を経た画像データに基づく画像を表示する。記録メディアに記録された圧縮画像データを伸張処理して得た画像データに基づく画像の表示も行う。また、撮影時のスルー画像、デジタルカメラの各種状態、操作に関する情報の表示等も可能である。
内部メモリ110は、例えばDRAMであり、デジタル信号処理部106やシステム制御部109のワークメモリとして利用される他、記録メディアに112に記録される撮影画像データを一時的に記憶するバッファメモリや表示部108への表示画像データのバッファメモリとしても利用される。メディアインタフェース111は、メモリカード等の記録メディア112との間のデータの入出力を行うものである。
システム制御部109は、所定のプログラムによって動作するプロセッサを主体に構成され、撮影動作を含むデジタルカメラ全体の制御を行う。
操作部113は、デジタルカメラ使用時の各種操作を行うものである。
図4に示すデジタルカメラは、光電変換膜積層型固体撮像素子100の各光電変換膜を挟む透明電極間に印加するバイアス電圧を各々独立に制御することによって、電子シャッタ機能、ホワイトバランス調整機能、撮影ISO感度変更機能の3つの機能を実現することができる。以下、各機能について説明する。
<電子シャッタ機能>
光電変換膜積層型固体撮像素子100は、各光電変換膜を挟む透明電極間に0Vより小さいバイアス電圧を印加した場合のみ、各光電変換膜に蓄積される信号電荷が流れ出す。このため、露光期間(被写体を撮影する期間、スルー画像表示用の撮影期間も含む)のみ0Vより小さいバイアス電圧を印加し、それ以外の非露光期間は0V以上のバイアス電圧を印加して、露光期間及び非露光期間を交互に切り換えることで、電子シャッタ機能を実現することができる。露光期間のうち、ユーザからの撮影指示(レリーズボタン押下)に応じて開始される露光期間(以下、撮影露光期間という)は、撮影準備時に得られる撮像信号によって決定された露出値に基づく値としても良いし、或いは、ユーザにより設定された値としても良い。自動で撮影露光期間を決める場合、撮影露光期間はシステム制御部109によって決定され、決定された撮影露光期間に応じて、駆動部104が0Vより小さいバイアス電圧を印加する期間を制御する。
光電変換膜積層型固体撮像素子100は、各光電変換膜を挟む透明電極間に0Vより小さいバイアス電圧を印加した場合のみ、各光電変換膜に蓄積される信号電荷が流れ出す。このため、露光期間(被写体を撮影する期間、スルー画像表示用の撮影期間も含む)のみ0Vより小さいバイアス電圧を印加し、それ以外の非露光期間は0V以上のバイアス電圧を印加して、露光期間及び非露光期間を交互に切り換えることで、電子シャッタ機能を実現することができる。露光期間のうち、ユーザからの撮影指示(レリーズボタン押下)に応じて開始される露光期間(以下、撮影露光期間という)は、撮影準備時に得られる撮像信号によって決定された露出値に基づく値としても良いし、或いは、ユーザにより設定された値としても良い。自動で撮影露光期間を決める場合、撮影露光期間はシステム制御部109によって決定され、決定された撮影露光期間に応じて、駆動部104が0Vより小さいバイアス電圧を印加する期間を制御する。
本実施形態の電子シャッタ機能によれば、従来のように、基板に対して高電圧を印加せずに電子シャッタ機能を実現することができるため、基板に設けられているFDAの動作点が変化することはなく、FDAから出力される撮像信号を安定させることができ、良好な画像データを得ることができる。又、メカニカルシャッタが不要となるため、デジタルカメラの製造コストを下げることができる。
<ホワイトバランス調整機能>
従来のデジタルカメラでは、RGB各色に対するホワイトバランスゲインを決定し、決定したホワイトバランスゲインを各色の撮像信号に乗じることで、各色の撮像信号量を調節してホワイトバランス調整を行っている。一方、本実施形態のデジタルカメラでは、RGB各色に対するホワイトバランスゲインを事前に決定しておき、このホワイトバランスゲインに応じて、撮影露光期間に印加すべきバイアス電圧の値を各色毎に決定することで、各光電変換膜から流れ出る信号電荷量を調節して、ホワイトバランス調整機能を実現する。具体的には、Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117が、それぞれ、各色に対応するホワイトバランスゲインに応じて、撮影露光期間中に印加するバイアス電圧の値を決定し、決定した値のバイアス電圧を、撮影露光期間中、透明電極間に印加する制御を行う。ホワイトバランスゲインは、撮影準備時に得られる撮像信号によってシステム制御部109が決定した値としても良いし、或いは、ユーザによって予め設定された値としても良い。
従来のデジタルカメラでは、RGB各色に対するホワイトバランスゲインを決定し、決定したホワイトバランスゲインを各色の撮像信号に乗じることで、各色の撮像信号量を調節してホワイトバランス調整を行っている。一方、本実施形態のデジタルカメラでは、RGB各色に対するホワイトバランスゲインを事前に決定しておき、このホワイトバランスゲインに応じて、撮影露光期間に印加すべきバイアス電圧の値を各色毎に決定することで、各光電変換膜から流れ出る信号電荷量を調節して、ホワイトバランス調整機能を実現する。具体的には、Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117が、それぞれ、各色に対応するホワイトバランスゲインに応じて、撮影露光期間中に印加するバイアス電圧の値を決定し、決定した値のバイアス電圧を、撮影露光期間中、透明電極間に印加する制御を行う。ホワイトバランスゲインは、撮影準備時に得られる撮像信号によってシステム制御部109が決定した値としても良いし、或いは、ユーザによって予め設定された値としても良い。
本実施形態のホワイトバランス調整機能によれば、撮像信号をゲイン倍することなくホワイトバランス調整を行うことができるため、ノイズが増幅されることがなくなり、SNの劣化しない良好な画像データを得ることが可能となる。
尚、撮影露光期間中に印加するバイアス電圧の値を制御する代わりに、バイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)の値は全て同一とし、バイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)それぞれの印加時間(撮影露光期間)を制御して、各光電変換膜から流れ出る信号電荷量を調節することも可能である。この場合は、Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117が、それぞれ、各色に対応するホワイトバランスゲインに応じて各バイアス電圧の印加時間を決定すれば良い。
<撮影ISO感度変更機能>
従来のデジタルカメラでは、撮影ISO感度を、基準となる撮影ISO感度に対して2倍に変更したとすると、撮影して得られたRGB各色の撮像信号をアンプによって2倍にするといった処理を行っている。一方、本実施形態のデジタルカメラでは、撮影ISO感度を、基準となる撮影ISO感度に対して2倍に変更する場合、撮影によって得られるRGB各色の撮像信号をアンプによって2倍に増幅するのではなく、各光電変換膜を挟む透明電極間に撮影露光期間中に印加するバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)それぞれの値を2倍にして、各光電変換膜から得られる信号電荷量を一律2倍にする処理を行うことで、撮影ISO感度を変更する。本実施形態のデジタルカメラは、撮影ISO感度が基準に対して2倍になったときはバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれ2倍にし、撮影ISO感度が基準に対して1/2倍になったときはバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれ1/2倍にするといった制御を、Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117が行う。撮影ISO感度は、撮影準備時に得られる撮像信号によってシステム制御部109が決定した値としても良いし、或いは、ユーザによって予め設定された値としても良い。
従来のデジタルカメラでは、撮影ISO感度を、基準となる撮影ISO感度に対して2倍に変更したとすると、撮影して得られたRGB各色の撮像信号をアンプによって2倍にするといった処理を行っている。一方、本実施形態のデジタルカメラでは、撮影ISO感度を、基準となる撮影ISO感度に対して2倍に変更する場合、撮影によって得られるRGB各色の撮像信号をアンプによって2倍に増幅するのではなく、各光電変換膜を挟む透明電極間に撮影露光期間中に印加するバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)それぞれの値を2倍にして、各光電変換膜から得られる信号電荷量を一律2倍にする処理を行うことで、撮影ISO感度を変更する。本実施形態のデジタルカメラは、撮影ISO感度が基準に対して2倍になったときはバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれ2倍にし、撮影ISO感度が基準に対して1/2倍になったときはバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれ1/2倍にするといった制御を、Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117が行う。撮影ISO感度は、撮影準備時に得られる撮像信号によってシステム制御部109が決定した値としても良いし、或いは、ユーザによって予め設定された値としても良い。
本実施形態の撮影ISO感度変更機能によれば、従来のようにアンプのゲイン値を変えて撮影ISO感度を変更するのではなく、バイアス電圧の値を制御して撮影ISO感度を変更することができる。このため、ノイズが増幅されることがなくなり、SNの劣化しない良好な画像データを得ることが可能となる。
上述した3つの機能は、それぞれ独立に実行しても良いし、組み合わせて実行しても良い。以下、デジタルカメラの動作について説明する。
図5は、電子シャッタ機能とホワイトバランス調整機能とを組み合わせて実行するデジタルカメラの光電変換膜積層型固体撮像素子の駆動シーケンスを示す図である。
ユーザにより撮影露光期間が設定され、各色に対するホワイトバランスゲインが設定された状態で、レリーズボタンの押下により静止画撮影指示がなされると、図5に示すように、Bバイアス制御部115は、ユーザによって設定された青色に対するホワイトバランスゲインに応じた値(0Vより小さい値)のバイアス電圧Vb(B)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜21、24間に印加する。Gバイアス制御部116は、ユーザによって設定された緑色に対するホワイトバランスゲインに応じた値(0Vより小さい値)のバイアス電圧Vb(G)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜16、19間に印加する。Rバイアス制御部117は、ユーザによって設定された赤色に対するホワイトバランスゲインに応じた値(0Vより小さい値)のバイアス電圧Vb(R)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜11、14間に印加する。
これにより、ホワイトバランス調整のなされたRGB各色の撮像信号が撮像部101から出力されるため、SNの劣化しない良好な画像データが記録メディア112に記録される。
図5は、電子シャッタ機能とホワイトバランス調整機能とを組み合わせて実行するデジタルカメラの光電変換膜積層型固体撮像素子の駆動シーケンスを示す図である。
ユーザにより撮影露光期間が設定され、各色に対するホワイトバランスゲインが設定された状態で、レリーズボタンの押下により静止画撮影指示がなされると、図5に示すように、Bバイアス制御部115は、ユーザによって設定された青色に対するホワイトバランスゲインに応じた値(0Vより小さい値)のバイアス電圧Vb(B)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜21、24間に印加する。Gバイアス制御部116は、ユーザによって設定された緑色に対するホワイトバランスゲインに応じた値(0Vより小さい値)のバイアス電圧Vb(G)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜16、19間に印加する。Rバイアス制御部117は、ユーザによって設定された赤色に対するホワイトバランスゲインに応じた値(0Vより小さい値)のバイアス電圧Vb(R)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜11、14間に印加する。
これにより、ホワイトバランス調整のなされたRGB各色の撮像信号が撮像部101から出力されるため、SNの劣化しない良好な画像データが記録メディア112に記録される。
尚、図5の例において、撮影指示が行われる前及び撮影後に、表示部108にスルー画像を表示させる場合には、図6に示すように、撮影露光期間の直前と直後は、Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれ0V(又はそれ以上)にし、撮影露光期間中は、Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれホワイトバランスゲインに応じた値にし、スルー画像を表示するための露光期間中は、Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれ0Vより小さい所定値にする制御を行えばよい。図6の例では、撮影露光期間に印加するバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)のみを、ホワイトバランスゲインに応じた値にしているが、撮影露光期間以外の露光期間に印加するバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)も、ホワイトバランスゲインに応じた値にしてしまっても良い。
図5、6に示したように、少なくとも撮影露光期間中は、Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれホワイトバランスゲインに応じた値に制御することで、良好な撮影画像データを得ることができる。
図5の例では、バイアス電圧の値を制御してホワイトバランス調整を行っているが、バイアス電圧の印加時間(撮影露光時間)を制御してホワイトバランス調整を行う例について図7を用いて説明する。
図7は、電子シャッタ機能とホワイトバランス調整機能とを組み合わせて実行するデジタルカメラにおける光電変換膜積層型固体撮像素子の駆動シーケンスを示す図である。
ユーザによりホワイトバランスゲインが設定された状態で、レリーズボタンの押下により静止画撮影指示がなされると、図7に示すように、Bバイアス制御部115は、0Vより小さい所定値のバイアス電圧Vb(B)を、ユーザによって設定された青色に対するホワイトバランスゲインに応じた時間だけ透明電極膜21、24間に印加する。Gバイアス制御部116は、バイアス電圧Vb(B)と同じ値のバイアス電圧Vb(G)を、ユーザによって設定された緑色に対するホワイトバランスゲインに応じた時間だけ透明電極膜16、19間に印加する。Rバイアス制御部117は、バイアス電圧Vb(B)と同じ値のバイアス電圧Vb(R)を、ユーザによって設定された赤色に対するホワイトバランスゲインに応じた時間だけ透明電極膜11、14間に印加する。
これにより、ホワイトバランス調整のなされたRGB各色の撮像信号が撮像部101から出力されるため、SNの劣化しない良好な画像データが記録メディア112に記録される。
図7は、電子シャッタ機能とホワイトバランス調整機能とを組み合わせて実行するデジタルカメラにおける光電変換膜積層型固体撮像素子の駆動シーケンスを示す図である。
ユーザによりホワイトバランスゲインが設定された状態で、レリーズボタンの押下により静止画撮影指示がなされると、図7に示すように、Bバイアス制御部115は、0Vより小さい所定値のバイアス電圧Vb(B)を、ユーザによって設定された青色に対するホワイトバランスゲインに応じた時間だけ透明電極膜21、24間に印加する。Gバイアス制御部116は、バイアス電圧Vb(B)と同じ値のバイアス電圧Vb(G)を、ユーザによって設定された緑色に対するホワイトバランスゲインに応じた時間だけ透明電極膜16、19間に印加する。Rバイアス制御部117は、バイアス電圧Vb(B)と同じ値のバイアス電圧Vb(R)を、ユーザによって設定された赤色に対するホワイトバランスゲインに応じた時間だけ透明電極膜11、14間に印加する。
これにより、ホワイトバランス調整のなされたRGB各色の撮像信号が撮像部101から出力されるため、SNの劣化しない良好な画像データが記録メディア112に記録される。
尚、図7の例において、撮影指示が行われる前及び撮影後に、表示部108にスルー画像を表示させる場合には、図8に示すように、撮影露光期間の直前と直後のみ、Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれ0V(又はそれ以上)にし、撮影露光期間を含む露光期間中は、Vb(B),Vb(G),Vb(R)を0Vより小さい所定値にする制御を行えばよい。
図9は、電子シャッタ機能のみを実行するデジタルカメラにおける光電変換膜積層型固体撮像素子の駆動シーケンスを示す図である。
ユーザにより撮影露光期間が設定され、レリーズボタンの押下により静止画撮影指示がなされると、図9に示すように、Bバイアス制御部115は、0Vより小さい所定値のバイアス電圧Vb(B)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜21、24間に印加する。Gバイアス制御部116は、バイアス電圧Vb(B)と同じ値のバイアス電圧Vb(G)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜16、19間に印加する。Rバイアス制御部117は、バイアス電圧Vb(B)と同じ値のバイアス電圧Vb(R)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜11、14間に印加する。これにより、信号電荷が流れ出る状態と流れ出ない状態とを切り換えて電子シャッタ機能を実現することができる。
ユーザにより撮影露光期間が設定され、レリーズボタンの押下により静止画撮影指示がなされると、図9に示すように、Bバイアス制御部115は、0Vより小さい所定値のバイアス電圧Vb(B)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜21、24間に印加する。Gバイアス制御部116は、バイアス電圧Vb(B)と同じ値のバイアス電圧Vb(G)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜16、19間に印加する。Rバイアス制御部117は、バイアス電圧Vb(B)と同じ値のバイアス電圧Vb(R)を、ユーザによって設定された撮影露光期間だけ透明電極膜11、14間に印加する。これにより、信号電荷が流れ出る状態と流れ出ない状態とを切り換えて電子シャッタ機能を実現することができる。
尚、図9の場合は、撮像部101から得られる撮像信号に対して、従来のデジタルカメラと同様の手法でホワイトバランス調整処理を行えば良い。
又、図9の例において、撮影指示が行われる前及び撮影後に、表示部108にスルー画像を表示させる場合には、図10に示すように、撮影露光期間の直前と直後のみ、Vb(B),Vb(G),Vb(R)をそれぞれ0V(又はそれ以上)にし、撮影露光期間を含む露光期間中は、Vb(B),Vb(G),Vb(R)を0Vより小さい所定値にする制御を行えばよい。
図5〜10で示した駆動シーケンスが、基準となる撮影ISO感度におけるものとすると、ユーザにより、撮影ISO感度が基準に対して例えば2倍に設定された場合、Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117は、それぞれ図5〜10における撮影露光期間中に印加すべき各バイアス電圧の値を2倍にする制御を行う。これにより、撮像部101からは図5〜図10で示した例の2倍の量の撮像信号が出力されることになり、撮影ISO感度を上げることができる。尚、図5〜10における撮影露光期間中に限らず、露光期間中に印加すべき各バイアス電圧の値を2倍にする制御を行っても良い。少なくとも撮影露光期間中に印加すべきバイアス電圧の値を撮影ISO感度に応じて変更すれば、撮影ISO感度変更機能を実現することができる。
尚、上記ホワイトバランス調整機能による効果は、本実施形態のデジタルカメラのような電子シャッタ機能を有していなくとも得ることができる。例えば、従来からある電子シャッタ又はメカニカルシャッタを用いて撮影露光期間、非露光期間の切り替え制御を行い、撮影露光期間において各光電変換膜から流れ出す信号電荷量を、ホワイトバランスゲインに応じて制御しても良い。この場合、Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117は、デジタルカメラが撮影モードに設定されている間、0Vより小さい所定値のバイアス電圧の印加を常に行っておく。そして、少なくとも撮影露光期間中(電子シャッタ及びメカニカルシャッタが開いている期間)のバイアス電圧の値は、ホワイトバランスゲインに応じて決定した値とすれば良い。
又、上記撮影ISO感度変更機能による効果は、本実施形態のデジタルカメラのような電子シャッタ機能を有していなくとも得ることができる。例えば、従来からある電子シャッタ又はメカニカルシャッタを用いて撮影露光期間、非露光期間の切り替え制御を行い、撮影露光期間において各光電変換膜から流れ出す信号電荷量を、設定された撮影ISO感度に応じて制御しても良い。この場合、Bバイアス制御部115、Gバイアス制御部116、及びRバイアス制御部117は、デジタルカメラが撮影モードに設定されている間、0Vより小さい所定値のバイアス電圧の印加を常に行っておく。そして、少なくとも撮影露光期間中(電子シャッタ及びメカニカルシャッタが開いている期間)のバイアス電圧の値は、撮影ISO感度に応じて決定した値とすれば良い。
又、本実施形態では、基板上方に3つの光電変換膜が積層される固体撮像素子を例にして説明したが、基板上にシリコンからなる光電変換素子を設け、その基板上方に有機材料からなる光電変換膜を積層して、3色を検出することができるようにした構造の固体撮像素子であっても、良好な画像データを得ることができる。この構造の場合、シリコンからなる光電変換素子には、従来からある電子シャッタ機能、ホワイトバランス調整機能、及び撮影ISO感度変更機能を適用し、有機材料からなる光電変換膜には、本実施形態で説明した電子シャッタ機能、ホワイトバランス調整機能、及び撮影ISO感度変更機能を適用する。このようにすることで、少なくとも、有機材料からなる光電変換膜からの撮像信号については、ノイズの少ないものを得ることができるようになる。
又、図5〜10では、静止画撮影時の動作を説明したが、動画撮影時も同様の処理を行うことで、良好な動画像データを得ることができる。尚、動画撮影時ではホワイトバランスゲインがリアルタイムに変化するため、ホワイトバランス調整処理においては、バイアス電圧値や撮影露光期間を、ホワイトバランスゲインの変化に合わせてリアルタイムに変更する制御を行う必要がある。
100 光電変換膜積層型固体撮像素子
13,18,23 光電変換膜
11,14,16,19,21,24 透明電極膜
3,5,7 MOS回路(信号読出回路)
Vb(B),Vb(G),Vb(R) バイアス電圧
13,18,23 光電変換膜
11,14,16,19,21,24 透明電極膜
3,5,7 MOS回路(信号読出回路)
Vb(B),Vb(G),Vb(R) バイアス電圧
Claims (7)
- 半導体基板上方に少なくとも1つ積層される2つの透明電極膜によって挟まれた光電変換膜と、前記半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、前記光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を前記信号読出回路によって外部に読み出す光電変換膜積層型固体撮像素子を含む撮像装置であって、
前記光電変換膜は、前記2つの透明電極膜間に印加されるバイアス電圧によって前記信号電荷の流れ出す量を制御可能であり、
前記2つの透明電極膜間に前記バイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、
前記2つの透明電極膜間に印加する前記バイアス電圧を制御して、前記光電変換膜から流れ出す前記信号電荷の量を調節する信号電荷量調節手段とを備える撮像装置。 - 請求項1記載の撮像装置であって、
前記光電変換膜は、所定値より小さいバイアス電圧が印加されると前記信号電荷が流れ出る状態となり、前記所定値以上のバイアス電圧が印加されると前記信号電荷が流れ出ない状態となるものである撮像装置。 - 請求項2記載の撮像装置であって、
前記信号電荷量調節手段は、前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を、前記所定値より小さいバイアス電圧と前記所定値以上のバイアス電圧とに交互に切り換え、少なくとも撮影露光期間中は、前記2つの透明電極膜間に印加すべきバイアス電圧を前記所定値より小さいバイアス電圧にする撮像装置。 - 請求項3記載の撮像装置であって、
前記信号電荷量調節手段は、前記2つの透明電極膜間に前記所定値より小さいバイアス電圧を印加する期間のうち、少なくとも前記撮影露光期間中に印加する前記バイアス電圧の値又は前記撮影露光期間を、前記光電変換膜で吸収される色に対するホワイトバランスゲインに応じて決定する撮像装置。 - 請求項2記載の撮像装置であって、
前記信号電荷量調節手段は、前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を、常に前記所定値より小さいバイアス電圧になるように制御し、少なくとも撮影露光期間中に前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧の値を、前記光電変換膜で吸収される色に対するホワイトバランスゲインに応じて決定する撮像装置。 - 請求項3〜5のいずれか記載の撮像装置であって、
前記信号電荷量調節手段は、少なくとも前記撮影露光期間中に前記2つの透明電極膜間に印加する前記所定値より小さいバイアス電圧の値を、設定されている撮影ISO感度に応じて変更する撮像装置。 - 請求項2記載の撮像装置であって、
前記信号電荷量調節手段は、前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を、常に前記所定値より小さいバイアス電圧になるように制御し、少なくとも撮影露光期間中に前記2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧の値を、設定されている撮影ISO感度に応じて変更する撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004278960A JP2006094263A (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004278960A JP2006094263A (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006094263A true JP2006094263A (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=36234790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004278960A Pending JP2006094263A (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006094263A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007104114A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
JP2007104113A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
JP2010016417A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び撮像装置の撮影制御方法 |
JP2011109514A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置 |
JP2011198854A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置 |
US8476573B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric conversion film-stacked type solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
US8508014B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-08-13 | Fujifilm Corporation | Solid-state image sensor and imaging device having connection portions in circumference region |
US9300887B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and computing system having the same |
US9443896B2 (en) | 2014-05-23 | 2016-09-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US9888190B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-02-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US9986182B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-05-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
JP2019121804A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | イメージセンサ |
-
2004
- 2004-09-27 JP JP2004278960A patent/JP2006094263A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007104114A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
JP2007104113A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
JP4511442B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
JP4511441B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
JP2010016417A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び撮像装置の撮影制御方法 |
US8476573B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric conversion film-stacked type solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
JP2011109514A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置 |
US8508014B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-08-13 | Fujifilm Corporation | Solid-state image sensor and imaging device having connection portions in circumference region |
JP2011198854A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置 |
US8659687B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-02-25 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion film stack-type solid-state imaging device and imaging apparatus |
US9300887B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and computing system having the same |
US9443896B2 (en) | 2014-05-23 | 2016-09-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US9888190B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-02-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US9986182B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-05-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US10165206B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-12-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device with switchable modes |
US10225493B2 (en) | 2015-12-03 | 2019-03-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for driving imaging device including photoelectric conversion layer |
US10375329B2 (en) | 2015-12-03 | 2019-08-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device including photoelectric conversion layer |
US10819924B2 (en) | 2015-12-03 | 2020-10-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electronic device applying a range of biases between a first electrode and a second electrode to generate a lower photocurrent in a photosensitive layer |
US11184563B2 (en) | 2015-12-03 | 2021-11-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device including photoelectric conversion layer |
US11647299B2 (en) | 2015-12-03 | 2023-05-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device including photoelectric conversion layer |
JP2019121804A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | イメージセンサ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4511442B2 (ja) | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 | |
US7408210B2 (en) | Solid state image pickup device and camera | |
US8169518B2 (en) | Image pickup apparatus and signal processing method | |
JP4511441B2 (ja) | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 | |
US8896029B2 (en) | Solid state image pickup device and camera | |
EP1677514B1 (en) | Imaging apparatus and imaging method | |
US7697042B2 (en) | Solid-state image pickup device and camera | |
JP5891451B2 (ja) | 撮像装置 | |
US8054356B2 (en) | Image pickup apparatus having a charge storage section and charge sweeping section | |
US20060158543A1 (en) | Solid state image pickup device, camera, and driving method of solid state image pickup device | |
JP5255790B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP5995416B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP2004222154A (ja) | 撮像装置 | |
JP2009049525A (ja) | 撮像装置及び信号処理方法 | |
JP2006094263A (ja) | 撮像装置 | |
US7349015B2 (en) | Image capture apparatus for correcting noise components contained in image signals output from pixels | |
JP2006303995A (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP2001024948A (ja) | 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム | |
JP2009070912A (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP2006014117A (ja) | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 | |
JP2006121151A (ja) | 信号処理方法および信号処理装置並びに物理情報取得装置 | |
JP2009088706A (ja) | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 | |
JP2007143067A (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
JP2009049524A (ja) | 撮像装置及び信号処理方法 | |
JP4759396B2 (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060327 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061124 |