JP2020516050A5 - - Google Patents
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- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 46
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 5
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 4
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N Aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
Claims (20)
- プラチナをパターニングするための方法であって、
半導体基板の上に接着層を堆積することと、
前記接着層の上に犠牲層を堆積することと、
前記犠牲層の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記接着層の第1の部分を露出させるために前記フォトレジスト層をマスクとして用いて前記犠牲層の一部を除去することと、
前記犠牲層の頂部表面と側壁表面と、前記接着層の前記第1の部分との上にプラチナ層を堆積することと、
前記犠牲層と、前記犠牲層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングし、それによって、前記半導体基板の上にパターニングされたプラチナ層を形成するために前記プラチナ層の残っている部分を残すことと、
を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記犠牲層と、前記犠牲層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、単一の処理工程において実施される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記犠牲層の頂部表面と側壁表面と、前記接着層の前記第1の部分との上にプラチナ層を堆積することが、スパッタ堆積プロセスを実施することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記犠牲層と、前記犠牲層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、前記頂部表面を覆う前記プラチナ層が完全にエッチングされる前に、前記側壁表面を覆う前記プラチナ層の一部に開口を形成するように、或る時間期間の間にウェットエッチングプロセスを実施することを含む、方法。 - 請求項4に記載の方法であって、
前記犠牲層が前記側壁表面を覆う前記プラチナ層の開口から前記ウェットエッチングプロセスのエッチャント材料に曝され、前記犠牲層が前記プラチナ層よりも速い速度でエッチングされる、方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記エッチャント材料が王水化学物質を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記パターニングされたプラチナ層によって覆われていない前記接着層の部分を除去することを更に含む、方法。 - プラチナをパターニングするための方法であって、
基板の上に犠牲層を堆積することと、
前記犠牲層の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記基板の頂部表面の一部を露出するために前記フォトレジスト層をマスクとして用いることによって前記犠牲層をパターニングすることと、
前記基板上にプラチナ層をスパッタ堆積することであって、前記プラチナ層が前記パターニングされた犠牲層と前記基板の頂部表面の前記露出された部分とを覆う、前記プラチナ層をスパッタ堆積することと、
前記パターニングされた犠牲層と前記パターニングされた犠牲層を覆う前記プラチナ層の一部とを除去し、それによって、前記基板上にパターニングされたプラチナ層を形成するために前記プラチナ層の残っている部分を残すことと、
を含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記パターニングされた犠牲層と前記パターニングされた犠牲層を覆う前記プラチナ層の一部とを除去することが、単一の処理工程において実施される、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記パターニングされた犠牲層と前記パターニングされた犠牲層を覆う前記プラチナ層の一部とを除去することが、前記犠牲層の側壁表面を覆う前記プラチナ層の一部に開口を形成するように、或る時間期間の間にウェットエッチングプロセスを実施することを含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記パターニングされた犠牲層と前記パターニングされた犠牲層を覆う前記プラチナ層の一部とを除去することが、王水エッチャントを用いるウェットエッチングプロセスを含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記基板上にプラチナ層をスパッタ堆積することが、前記犠牲層の頂部表面上にプラチナのより厚い層を形成し、前記犠牲層の側壁表面上にプラチナのより薄い層を形成する、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記犠牲層の頂部表面上の前記プラチナ層の厚みが、前記犠牲層の側壁表面上の前記プラチナ層の厚みの少なくとも2倍である、方法。 - プラチナをパターニングするための方法であって、
半導体基板の上にチタン層を堆積することと、
前記チタン層の上にアルミニウム層を堆積することと、
前記アルミニウム層の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記チタン層の第1の部分を露出させるために前記フォトレジスト層をマスクとして用いて前記アルミニウム層の一部を除去することと、
前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面と、前記チタン層の第1の部分との上にプラチナ層を堆積することと、
前記アルミニウム層と、前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングし、それによって、パターニングされたプラチナを形成するために前記チタン層の第1部分を覆う前記プラチナ層の残っている部分を残すことと、
を含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記アルミニウム層と、前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、単一の処理工程において実施される、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記アルミニウム層と、前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、王水エッチャントを用いるウェットエッチングプロセスを含む、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記アルミニウム層と、前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、前記頂部表面を覆う前記プラチナ層が完全にエッチングされる前に、前記側壁表面を覆う前記プラチナ層の一部に開口を形成するように、或る時間期間の間に前記ウェットエッチングプロセスを実施することを含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記プラチナ層を堆積することが、スパッタ堆積工程によって行われる、方法。 - 請求項18に記載の方法であって、
前記スパッタ堆積工程が、前記アルミニウム層の頂部表面上により厚い前記プラチナ層を形成し、前記アルミニウム層の側壁表面上により薄いプラチナ層を形成する、方法。 - 請求項19に記載の方法であって、
前記アルミニウム層の頂部表面上の前記プラチナ層の厚みが、前記アルミニウム層の側壁表面上の前記プラチナ層の厚みの少なくとも2倍である、方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762448110P | 2017-01-19 | 2017-01-19 | |
US62/448,110 | 2017-01-19 | ||
US15/658,039 US10297497B2 (en) | 2017-01-19 | 2017-07-24 | Sacrificial layer for platinum patterning |
US15/658,039 | 2017-07-24 | ||
PCT/US2018/014531 WO2018136802A1 (en) | 2017-01-19 | 2018-01-19 | Sacrificial layer for platinum patterning |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020516050A JP2020516050A (ja) | 2020-05-28 |
JP2020516050A5 true JP2020516050A5 (ja) | 2021-02-25 |
JP7219521B2 JP7219521B2 (ja) | 2023-02-08 |
Family
ID=62841661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019539221A Active JP7219521B2 (ja) | 2017-01-19 | 2018-01-19 | プラチナパターニングのための犠牲層 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10297497B2 (ja) |
EP (1) | EP3571711B1 (ja) |
JP (1) | JP7219521B2 (ja) |
CN (1) | CN110337710B (ja) |
WO (1) | WO2018136802A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11011381B2 (en) * | 2018-07-27 | 2021-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Patterning platinum by alloying and etching platinum alloy |
CN111945128A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-17 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种提高铂与衬底黏附性的方法及其产品 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4497684A (en) * | 1983-02-22 | 1985-02-05 | Amdahl Corporation | Lift-off process for depositing metal on a substrate |
JPS59165425A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
JPH065717A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Toshiba Corp | 電極へのオーム性接続金属層の形成方法 |
JPH07130702A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-19 | Fujitsu Ltd | 白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法 |
JPH07273280A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Tokin Corp | 薄膜パターンの形成方法 |
US5914507A (en) | 1994-05-11 | 1999-06-22 | Regents Of The University Of Minnesota | PZT microdevice |
KR100224660B1 (ko) | 1996-06-17 | 1999-10-15 | 윤종용 | 백금-폴리실리콘 게이트 형성방법 |
JP3481415B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2003-12-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6218297B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Patterning conductive metal layers and methods using same |
JP3159255B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2001-04-23 | 日本電気株式会社 | 強誘電体容量で用いる電極のスパッタ成長方法 |
JP3591529B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2004-11-24 | ヤマハ株式会社 | 貴金属薄膜パターンの形成方法 |
US6956274B2 (en) * | 2002-01-11 | 2005-10-18 | Analog Devices, Inc. | TiW platinum interconnect and method of making the same |
WO2008057068A2 (en) | 2005-08-29 | 2008-05-15 | University Of South Florida | Micro-aluminum galvanic cells and methods for constructing the same |
CN100479102C (zh) * | 2006-08-29 | 2009-04-15 | 中国科学院声学研究所 | 一种图形化铂/钛金属薄膜的剥离制备方法 |
US20080124823A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | United Microdisplay Optronics Corp. | Method of fabricating patterned layer using lift-off process |
KR101045090B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2011-06-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
RU2426193C1 (ru) | 2010-05-05 | 2011-08-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ нанесения платиновых слоев на подложку |
MY151464A (en) * | 2010-12-09 | 2014-05-30 | Mimos Berhad | A method of fabricating a semiconductor device |
US9006105B2 (en) | 2013-07-30 | 2015-04-14 | United Microelectronics Corp. | Method of patterning platinum layer |
JP6176025B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 金属膜の形成方法及び発光素子の製造方法 |
EP3050105B1 (en) | 2013-09-27 | 2020-11-11 | Robert Bosch GmbH | Semiconductor bolometer and method of fabrication thereof |
-
2017
- 2017-07-24 US US15/658,039 patent/US10297497B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-19 WO PCT/US2018/014531 patent/WO2018136802A1/en unknown
- 2018-01-19 JP JP2019539221A patent/JP7219521B2/ja active Active
- 2018-01-19 CN CN201880014141.5A patent/CN110337710B/zh active Active
- 2018-01-19 EP EP18742117.7A patent/EP3571711B1/en active Active
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