JP2017130551A - 電極形成方法及び弾性波装置 - Google Patents

Abstract

【課題】先細りが緩和された電極を形成し得る電極形成方法を得る。
【解決手段】基板１と、第１のレジスト層２と、第１のレジスト層２よりも溶解されやすい、第２のレジスト層３とを有する積層体５を形成する工程と、前記積層体５の前記第１及び第２のレジスト層２，３をパターニングして、レジストパターン６を形成する工程と、前記レジストパターン６を形成する工程よりも後に、前記基板１上及び前記レジストパターン６上に、第１の金属膜１１を成膜する工程と、前記第２のレジスト層３を、前記第２のレジスト層３上に位置する前記第１の金属膜１１とともに除去する工程と、第２の金属膜１２を成膜し、電極１３を形成する工程と、前記第１のレジスト層２を、前記第１のレジスト層２上に位置する前記第２の金属膜１２とともに除去する工程とを備える、電極形成方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＩＤＴ電極などの電極形成方法及び弾性波装置に関する。

従来、弾性波装置などの電子部品の電極の形成に、フォトリソグラフィー法が広く用いられている。例えば、下記の特許文献１に記載の電極形成方法では、基板上にレジスト層を形成する。次に、露光及び現像により、レジスト層をパターニングし、レジストパターンを形成する。次に、蒸着などにより、金属膜を成膜する。しかる後、レジストパターンを、エッチャントにより溶解し、除去する。このときに、レジストパターン上に堆積している金属膜も、レジストパターンとともに除去される。

特開２００１−２３０１８９号公報

特許文献１に記載のようなリフトオフ法を用いた電極形成方法では、レジストパターンの上部に堆積している金属膜は、基板に対して垂直な方向だけでなく、横方向にも成長する。よって、基板に入射してくる金属粒子が、レジストパターンの上部に堆積している金属膜によって基板への入射が阻害されるため、金属膜で構成される、レジスト膜で覆われていない基板上に形成される電極パターンは、該電極パターンの膜厚が増加するほど、先細り形状となる。極端な場合、該電極パターンの先端部における幅がほぼ０となる。そのため、それ以上、厚い電極を形成することができない。

また、電極の先細りが悪化すると、電極の抵抗値が高くなる。電極の抵抗値が高くなると、弾性波装置などの電子部品における特性の劣化が生じるおそれがあった。

本発明の目的は、先細りが緩和された電極を形成し得る電極形成方法及びそのような電極を有する弾性波装置を提供することにある。

本発明に係る電極形成方法のある広い局面では、基板と、前記基板上に設けられた第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に設けられており、前記第１のレジスト層よりも溶解されやすい、第２のレジスト層とを有する積層体を形成する工程と、前記積層体の前記第１及び第２のレジスト層をパターニングして、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを形成する工程よりも後に、前記基板上及び前記レジストパターン上に、第１の金属膜を成膜する工程と、前記第１の金属膜を成膜する工程よりも後に、前記第２のレジスト層を、前記第２のレジスト層上に位置する前記第１の金属膜とともに除去する工程と、前記第２のレジスト層を除去する工程よりも後に、第２の金属膜を成膜し、前記第１の金属膜上に前記第２の金属膜が積層されている電極を形成する工程と、前記第１のレジスト層を、前記第１のレジスト層上に位置する前記第２の金属膜とともに除去する工程とを備える。

本発明に係る電極形成方法のある特定の局面では、前記積層体を形成する工程において、前記第２のレジスト層上に他のレジスト層が積層されていない前記積層体を形成する。

本発明に係る電極形成方法の他の特定の局面では、前記積層体を形成する工程において、前記第２のレジスト層上に、該第２のレジスト層よりも溶解され難い第３のレジスト層が設けられた前記積層体を形成し、前記レジストパターンを形成する工程において前記積層体をパターニングし、前記第２のレジスト層を除去する工程において、前記第２のレジスト層、前記第２のレジスト層上の前記第３のレジスト層及び前記第３のレジスト層上の前記第１の金属膜を除去する。

本発明に係る電極形成方法のさらに他の特定の局面では、前記第３のレジスト層は、前記第１のレジスト層と同じ材料からなり、前記第２のレジスト層は、前記第１及び第３のレジスト層よりも薄い。

本発明に係る電極形成方法の他の広い局面では、基板と、前記基板上に設けられた第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に設けられており前記第１のレジスト層よりも溶解されやすい第２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に該第２のレジスト層とは異なる材料からなる第３のレジスト層と、を有する積層体を形成する工程と、前記積層体をパターニングして、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを形成する工程よりも後に、前記基板上及び前記レジストパターン上に、第１の金属膜を成膜する工程と、前記第１の金属膜を成膜する工程よりも後に、前記第３のレジスト層を、前記第３のレジスト層上に位置する前記第１の金属膜とともに除去する工程と、前記第３のレジスト層を除去する工程よりも後に、第２の金属膜を成膜する工程と、前記第２の金属膜を成膜する工程よりも後に、前記第２のレジスト層を、前記第２のレジスト層上に位置する前記第２の金属膜とともに除去する工程と、前記第２のレジスト層を除去する工程よりも後に、第３の金属膜を成膜し、前記第１の金属膜、前記第２の金属膜及び前記第３の金属膜とが積層されている電極を形成する工程と、前記第１のレジスト層を、前記第１のレジスト層上に位置する前記第３の金属膜とともに除去する工程とを備える。

本発明に係る電極形成方法のさらに他の特定の局面では、前記第３のレジスト層が、前記第２のレジスト層よりも耐ドライエッチング性が高い。この場合には、レジストパターンの形状の精度を効果的に高めることができる。

本発明に係る電極形成方法のさらに他の特定の局面では、前記積層体を形成する工程において、前記第３のレジスト層上に、少なくとも１層の第４のレジスト層が積層されている積層体を形成する。

本発明に係る電極形成方法の別の特定の局面では、前記第１の金属膜上に前記第２の金属膜が積層されている前記電極において、前記基板と、前記第１の金属膜の側面とのなすテーパー角度が７２度以上、９０度以下の範囲にあり、前記第１の金属膜の前記側面と、前記第１の金属膜の前記側面を覆っている前記第２の金属膜の側面とのなす角度が１．５度以上、１５度以下の範囲にある。

本発明に係る弾性波装置は、基板と、前記基板上に設けられており、第１の金属膜と、該第１の金属膜上に積層された第２の金属膜とを有するＩＤＴ電極とを備え、前記ＩＤＴ電極において、前記基板と、前記第１の金属膜の側面とのなすテーパー角度が７２度以上、９０度以下の範囲にあり、前記第１の金属膜の前記側面と、前記第１の金属膜の前記側面を覆っている前記第２の金属膜の側面とのなす角度が１．５度以上、１５度以下の範囲にある。

本発明に係る電極形成方法及び弾性波装置では、第１の金属膜及び第２の金属膜を有する電極において、基板から離れている側における先細りを緩和することができる。そのため、電極の抵抗値を低くすることができる。従って、電気特性の良好な弾性波装置などを提供することができる。

（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る電極形成方法の各工程を説明するための正面断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る電極形成方法の各工程を説明するための正面断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る電極形成方法の各工程を説明するための正面断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施形態に係る電極形成方法の各工程を説明するための正面断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３の実施形態に係る電極形成方法の各工程を説明するための正面断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３の実施形態に係る電極形成方法の各工程を説明するための正面断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る電極形成方法の各工程を説明するための正面断面図である。 本発明の第１の実施形態で得られた電極におけるテーパー角度を説明するための部分切欠き拡大断面図である。 本発明の第４の実施形態で用意される積層体を説明するための正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

（第１の実施形態）
第１の実施形態では、図１（ａ）に示すように、まず、基板１上に、第１のレジスト層２を形成する。第１のレジスト層２用のレジスト材料としては、一般的なポジ型レジストやネガ型レジストを用いることができる。本実施形態では、ＮＭＰ系溶剤（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）で剥離するネガ型のレジストを用いた。もっとも、第１のレジスト層２に用いられるレジスト材料としては、これに限定されず、ポリヒドロキシスチレン系樹脂材料、ノボラック系樹脂材料、アクリル系樹脂材料などを用いることができる。

第１のレジスト層２の形成に際しては、第１のレジスト溶液を塗布し、乾燥させる。塗布方法は特に限定されない。上記第１のレジスト溶液としては、第１のレジスト層２を構成するレジスト材料を、該レジスト材料を溶解する溶液に溶解させることにより得ることができる。上記溶剤としては、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）／ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）などの溶剤を用いることができる。

次に、図１（ｂ）に示すように、第１のレジスト層２上に第２のレジスト層３を形成する。第２のレジスト層３の形成に際しては、第２のレジスト層３を構成するレジスト材料を含む第２のレジスト溶液を塗布し、乾燥させる。第２のレジスト層３用のレジスト材料としては、一般的なポジ型レジスト、もしくはネガ型レジストを用いることができる。また、第２のレジスト層３としては、反射防止性を有し、かつ感光性を有しないレジストを用いてもよい。このような反射防止性を有し、かつ感光性を有しないレジストとしては、ＢＡＲＣ（Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）、ＴＡＲＣ（Ｔｏｐ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）などを用いることができる。また、第２のレジスト層３は、第１のレジスト層２が溶解しない溶液に対し、溶解性を示すものである。本実施形態では、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥに対して溶解性を示すＢＡＲＣレジストが用いられている。

次に、図１（ｃ）に示すように、第２のレジスト層３上に第３のレジスト層４を形成する。第３のレジスト層４の形成に際しては、第３のレジスト層４を構成するレジスト材料を含む第３のレジスト溶液を塗布し、乾燥させる。第３のレジスト層４用のレジスト材料としては、一般的なポジ型レジストやネガ型レジストを用いることができる。もっとも、好ましくは、第２のレジスト層３用のレジスト材料よりも、耐熱性が高い、もしくは耐ドライエッチング性に優れたレジスト材料を用いることが望ましい。それによって、様々な成膜プロセスに対する適応性も高めることができる。

第３のレジスト層４用のレジスト材料としては、第１のレジスト層２用のレジスト材料と同じ材料を用いてもよい。その場合には、一括で露光する際のレジストパターンの形状を容易に制御することができる。もっとも、第３のレジスト層４は、第１のレジスト層２と異なるレジスト材料からなるものであってもよい。

好ましくは、第３のレジスト層４は、第２のレジスト層３よりも耐ドライエッチング性が高いことが好ましく、より好ましくは、耐熱性及び耐ドライエッチング性の双方が第２のレジスト層３よりも高いことが望ましい。

上記のようにして、図１（ｃ）に示す積層体５を形成することができる。

次に、第１のレジスト層２、第２のレジスト層３及び第３のレジスト層４を一括で露光し、現像する。それによって、図１（ｄ）に示すレジストパターン６を形成する。第１のレジスト層２と第３のレジスト層４とが同じレジストからなる場合には、一括で露光及び現像処理を行った場合でも、レジストパターン６の形状の精度を効果的に高めることができる。その際、好ましくは、第２のレジスト層３は、第１のレジスト層２及び第３のレジスト層４より薄い膜厚とすることが望ましい。それによって、露光プロセスにおける第２のレジスト層４の寄与を小さくし、単一のレジスト材料の加工状態に近づけることができるため、露光及び現像処理の精度を更に高めることが出来る。

次に、図２（ａ）に示すように、真空蒸着により、第１の金属膜１１を成膜する。真空蒸着などの堆積法により第１の金属膜１１を成膜した場合、第１の金属膜１１は、基板１の上面１ａ上、及びレジストパターン６上にも堆積する。すなわち、第３のレジスト層４上にも、第１の金属膜１１が堆積する。

第１の金属膜１１に用いる材料としては、適宜の金属もしくは合金を用いることができる。このような金属としては、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｄ、ＣｏまたはＭｏなどを用いることができる。また、第１の金属膜１１として、複数の金属膜を積層してもよい。

本実施形態では、最終的に形成される電極の膜厚の約１／２の厚みとなるように、第１の金属膜１１を形成した。

また、上記真空蒸着により設けられた第１の金属膜１１の表面は、次に、大気中にさらされるため、酸化するおそれがある。よって、第１の金属膜１１の最上層部分を、酸化し難い貴金属、あるいはＴｉのような、酸化物が導電性を有する金属により形成することが望ましい。このような材料を用いることにより、特殊な前処理を行わずとも、第１の金属膜１１と、後述の第２の金属膜１２との間の電気的導通を良好とすることができる。本実施形態では、複数の金属膜を真空蒸着し、第１の金属膜１１を形成し、最上層の金属としてＰｔを用いた。

次に、第２のレジスト層３を溶解し、第１のレジスト層２を溶解しない溶液を用いて、第２のレジスト層３を溶解し、剥離する。この場合、第２のレジスト層３上に位置している第３のレジスト層４及び第３のレジスト層４上に付着している第１の金属膜１１も除去されることとなる。従って、図２（ｂ）に示すように、基板１上には、第１のレジスト層２からなるレジストパターンと、第１の金属膜１１とが残存することとなる。

次に、図２（ｃ）に示すように、真空蒸着により、第２の金属膜１２を成膜する。第２の金属膜１２は、第１の金属膜１１上に積層される。また、第１のレジスト層２上にも第２の金属膜１２が堆積する。

第２の金属膜１２の材料としては、第１の金属膜１１と同様の金属、もしくは合金を用いることができる。また、第２の金属膜１２についても、単層であってもよく、積層金属膜であってもよい。本実施形態では、第２の金属膜１２として、Ｔｉ、ＡｌＣｕ、Ｔｉをこの順序で蒸着した。

次に、第１のレジスト層２を溶解する溶液を用いて、第１のレジスト層２を溶解し、剥離する。それによって、第１のレジスト層２の上方に位置している第２の金属膜１２も、第１のレジスト層２と同時に除去される。従って、図２（ｄ）に示す電極１３を得ることができる。電極１３では、第１の金属膜１１上に第２の金属膜１２が積層されている。

上記のようにして得られた電極１３は、ＩＤＴ電極の一部であり、本実施形態では、ＩＤＴ電極を有する弾性波装置が構成される。

なお、基板１の材料は特に限定されない、圧電性材料、絶縁性材料、半導体材料などを用いることができる。本実施形態では、弾性波装置のＩＤＴ電極が形成されるため、基板１としては、圧電基板が用いられる。

本実施形態では、電極１３において、先細りを緩和することができる。これは、上記のように、第２のレジスト層３を剥離することにより、図２（ｂ）に示すように、第１のレジスト層２からなるレジストパターンにおいて、大きな面積の開口部Ａが再度形成されることによる。そのため、図２（ｃ）及び（ｄ）に示すように、第２の金属膜１２の最下部は、第１の金属膜１１の側面１１ａ，１１ｂをも覆うように堆積されていく。

そして、上記開口部Ａの面積が大きいため、電極１３の先細りが効果的に緩和される。従って、電極１３の膜厚が増加した場合であっても、抵抗値の低下を抑制することができる。そのため、電極１３の厚みをより厚くすることができ、高アスペクト比の電極を形成することができる。なお、アスペクト比とは、電極の厚みの面積に対する比をいうものとする。

（第２の実施形態）
第２の実施形態では、図３（ａ）に示すように、基板１上に、第１のレジスト層２を形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、第１のレジスト層２上に第２のレジスト層３を形成する。上記第１のレジスト層２及び第２のレジスト層３の形成は、第１の実施形態と同様にして行い得る。上記のようにして、基板１、第１のレジスト層２及び第２のレジスト層３を有する積層体２１を用意する。

次に、図３（ｃ）に示すように、第１のレジスト層２及び第２のレジスト層３を一括露光及び現像し、レジストパターン２２を形成する。

この一括露光及び現像は、第１の実施形態におけるレジストパターン６の形成と同様にして行うことができる。

次に、図４（ａ）に示すように、真空蒸着により第１の金属膜１１を成膜する。第１の金属膜１１の成膜は、第１の実施形態と同様にして行い得る。第１の金属膜１１は、基板１の上面１ａ上だけでなく、第２のレジスト層３上にも形成される。

第１の金属膜１１としては、第１の実施形態と同様に、単層の金属膜を成膜してもよく、積層金属膜を成膜してもよい。第２の実施形態においても、好ましくは、第１の金属膜１１の最上層は、酸化され難い貴金属や、Ｔｉのような酸化物が導電性を有する金属からなることが好ましい。

次に、第２のレジスト層３を溶解し、第１のレジスト層２を溶解しない溶液を用いて、第２のレジスト層３を溶解し、剥離する。この場合、第２のレジスト層３上に付着している第１の金属膜１１も除去されることとなる。従って、図４（ｂ）に示すように、基板１上には、第１の金属膜１１と、第１のレジスト層２からなるレジストパターンとが残存することとなる。

次に、図４（ｃ）に示すように、真空蒸着により、第２の金属膜１２を成膜する。第２の金属膜１２は、第１の金属膜１１上に積層される。また、第１のレジスト層２上にも第２の金属膜１２が堆積する。

第２の金属膜１２の材料としては、第１の金属膜１１と同様の金属、もしくは合金を用いることができる。また、第２の金属膜１２についても、単層であってもよく、積層金属膜であってもよい。本実施形態では、第２の金属膜１２として、Ｔｉ、ＡｌＣｕ、Ｔｉをこの順序で蒸着した。

次に、第１のレジスト層２を溶解する溶液を用いて、第１のレジスト層２を溶解し、剥離する。それによって、第１のレジスト層２の上方に位置している第２の金属膜１２も、第１のレジスト層２と同時に除去される。従って、図４（ｄ）に示す電極１３を得ることができる。

電極１３では、第１の金属膜１１上に第２の金属膜１２が積層されている。

本実施形態においても、電極１３において、先細りを緩和することができる。これは、上記のように、第２のレジスト層３を剥離することにより、図４（ｂ）に示すように、第１のレジスト層２からなるレジストパターンにおいて、大きな面積の開口部Ａが再度形成されることによる。そのため、図４（ｃ）及び（ｄ）に示すように、第２の金属膜１２の最下部は、第１の金属膜１１の側面１１ａ，１１ｂをも覆うように堆積されていく。

第２の実施形態においても、第２のレジスト層３を剥離してから第２の金属膜１２を成膜するため、第１の実施形態と同様に、電極１３の先細りを緩和することができる。また、高アスペクト比の電極１３を形成することができる。

（第３の実施形態）
第３の実施形態では、図５（ａ）に示すように、基板１上に、第１のレジスト層２を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、第１のレジスト層２上に第２のレジスト層４３を形成する。次に図５（ｃ）に示すように、第２のレジスト層４３上に第３のレジスト層４４を形成する。

上記第１のレジスト層２、第２のレジスト層４３、第３のレジスト層４４の形成は、第１の実施形態と同様にして行い得るが、第３のレジスト層４４用のレジスト材料としては、第１，第２のレジスト層２，４３とは異なる材料を用い、第１，第２のレジスト層２，４３が溶解、もしくは剥離しない溶液に対して、溶解性もしくは剥離性を示すものを選択する。

第１，第２，第３のレジスト層２，４３，４４の厚みについては、リフトオフ法による加工が可能な厚み以上であればよいが、好ましくは、第１のレジスト層２の厚みを第２，第３のレジスト層４３，４４よりも厚くすることが望ましい。それによって、リフトオフ法による加工をより容易にすることができる。

次に、図５（ｄ）に示すように、第１のレジスト層２、第２のレジスト層４３、及び第３のレジスト層４４を一括露光及び現像し、レジストパターンを形成する。この一括露光及び現像は、第１の実施形態におけるレジストパターン６の形成と同様にして行うことができる。

次に、図６（ａ）に示すように、真空蒸着により第１の金属膜１１を成膜する。第１の金属膜１１の成膜は、第１の実施形態と同様にして行い得る。第１の金属膜１１は、基板１の上面１ａ上だけでなく、第３のレジスト層４４上にも形成される。

第１の金属膜１１としては、第１の実施形態と同様に、単層の金属膜を成膜してもよく、積層金属膜を成膜してもよい。第３の実施形態においても、好ましくは、第１の金属膜１１の最上層を、酸化され難い貴金属や、Ｔｉのような酸化物が導電性を有する金属からなることが好ましい。

次に、第３のレジスト層４４を溶解し、第２のレジスト層４３、及び第１のレジスト層２を溶解しない溶液を用いて、第３のレジスト層４４を溶解し、剥離する。この場合、第３のレジスト層４４上に付着している第１の金属膜１１も除去されることとなる。従って、図６（ｂ）に示すように、基板１上には、第１の金属膜１１と、第１のレジスト層２及び第２のレジスト層４３からなるレジストパターンとが残存することとなる。

次に、図６（ｃ）に示すように、真空蒸着により、第２の金属膜１２を成膜する。第２の金属膜１２は、第１の金属膜１１上に積層される。また、第２のレジスト層４３上にも第２の金属膜１２が堆積する。

第２の金属膜１２の材料としては、第１の金属膜１１と同様の金属、もしくは合金を用いることができる。また、第２の金属膜１２についても、単層であってもよく、積層金属膜であってもよい。本実施形態では、第２の金属膜１２として、Ｐｔ、Ｔｉをこの順序で蒸着した。

次に、第２のレジスト層４３を溶解する溶液を用いて、第２のレジスト層４３を溶解し、剥離する。それによって、第２のレジスト層４３の上方に位置している第２の金属膜１２も、第２のレジスト層４３と同時に除去される。従って、図６（ｄ）に示す電極を得ることができる。

次に、図７（ａ）に示すように、真空蒸着により、第３の金属膜４５を成膜する。第３の金属膜４５は、第２の金属膜１２上に積層される。また、第１のレジスト層２上にも第３の金属膜４５が堆積する。本実施形態では、第３の金属膜４５として、Ｔｉ、ＡｌＣｕ、Ｔｉをこの順序で蒸着した。

次に、第１のレジスト層２を溶解する溶液を用いて、第１のレジスト層２を溶解し、剥離する。それによって、第１のレジスト層２の上方に位置している第３の金属膜４５も、第１のレジスト層２と同時に除去される。従って、図７（ｂ）に示す電極４６を得ることができる。電極４６では、第１の金属膜１１上に第２の金属膜１２が積層され、第２の金属膜１２上に第３の金属膜４５が積層されている。

第３の実施形態においても、電極４６において、先細りを緩和することができる。これは、上記のように、図６（ａ）に示した第３のレジスト層４４を剥離することにより、図６（ｂ）に示すように、第１，第２のレジスト層２，４３からなるレジストパターンにおいて、大きな面積の開口部Ｂが再度形成されることによる。そのため、図６（ｃ）に示すように、第２の金属膜１２の最下部は、第１の金属膜１１の側面１１ａ，１１ｂをも覆うように堆積されていく。さらに、第２のレジスト層４３を剥離することにより、図６（ｄ）に示すように、第１のレジスト層２からなるレジストパターンにおいて、大きな面積の開口部Ａが再度形成されることによる。そのため、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３の金属膜４５の最下部は、第２の金属膜１２の側面１２ａ，１２ｂをも覆うように堆積されていく。従って、第１，第２の実施形態よりも更に高アスペクト比の電極を形成することができる。

図８は、第１の実施形態で得られる電極１３におけるテーパー角度を説明するための部分切欠き拡大断面図である。

前述のように、本発明によれば、電極の先細りを緩和することができる。好ましくは、図８に示すテーパー角度αは、７２度以上、９０度以下であることが望ましい。このテーパー角度αとは、電極１３の側面、より具体的には、第２の金属膜１２の側面１２ａと、基板１の上面１ａとのなす角度である。

このテーパー角度αが７２度以上であれば、抵抗値を十分低くすることができ、先細りをより効果的に緩和することができる。なお、テーパー角度αの上限は特に限定されるわけではないが、上記フォトリソグラフィー−リフトオフ法により形成する場合、９０度以下となるのが普通である。

他方、好ましくは、第１の金属膜１１の側面１１ａと、側面１１ａを覆っている第２の金属膜１２の側面１２ａとの間の角度、すなわち図８における（テーパー角度α−第１の金属膜１１のテーパー角度β）が、１．５度以上、１５度以下であることが望ましい。ここで、テーパー角度βとは、第１の金属膜１１の側面１１ａと、基板１の上面１ａとのなす角度である。

また、第１の実施形態では、上記弾性波装置は、上記基板１と、基板１上に形成された電極１３からなるＩＤＴ電極とを備えている。そして、上記テーパー角度αが７２度以上、９０度以下であり、上記第１の金属膜１１の側面１１ａを覆っている第２の金属膜１２の側面１２ａと、第１の金属膜１１の側面１１ａとの間の角度が、１．５度以上、１５度以下の範囲にある。従って、ＩＤＴ電極において、アスペクト比を容易に高めることができ、電気特性の良好な弾性波装置を提供することができる。

図９は、本発明の第４の実施形態で用いられる積層体を説明するための正面断面図である。第４の実施形態では、積層体３１が形成される。積層体３１は、基板１の上面１ａ上に、第１のレジスト層２、第２のレジスト層３、第３のレジスト層４、第４のレジスト層３２，３３が積層されている。このように、第３のレジスト層４上に、さらに、少なくとも１層の第４のレジスト層３２,３３を積層してもよい。それによって、より厚みが厚く、高アスペクト比の電極を形成することができる。

なお、第１〜第３の実施形態では、第１，第２の金属膜１１，１２を、真空蒸着法で形成した。もっとも、本発明においては、他の堆積法により、第１，第２の金属膜１１，１２を形成してもよい。

また、第１の実施形態では、電極１３は、弾性波装置のＩＤＴ電極であったが、本発明に係る電極形成方法は、ＩＤＴ電極以外の電子部品の電極形成にも用いることができる。

１…基板
１ａ…上面
２…第１のレジスト層
３…第２のレジスト層
４…第３のレジスト層
５…積層体
６…レジストパターン
１１…第１の金属膜
１１ａ，１１ｂ…側面
１２…第２の金属膜
１２ａ，１２ｂ…側面
１３…電極
２１…積層体
２２…レジストパターン
３１…積層体
３２，３３…第４のレジスト層
４３，４４…第２，第３のレジスト層
４５…第３の金属膜
４６…電極

Claims (9)

1. 基板と、前記基板上に設けられた第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に設けられており、前記第１のレジスト層よりも溶解されやすい、第２のレジスト層とを有する積層体を形成する工程と、
   前記積層体の前記第１及び第２のレジスト層をパターニングして、レジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンを形成する工程よりも後に、前記基板上及び前記レジストパターン上に、第１の金属膜を成膜する工程と、
   前記第１の金属膜を成膜する工程よりも後に、前記第２のレジスト層を、前記第２のレジスト層上に位置する前記第１の金属膜とともに除去する工程と、
   前記第２のレジスト層を除去する工程よりも後に、第２の金属膜を成膜し、前記第１の金属膜上に前記第２の金属膜が積層されている電極を形成する工程と、
   前記第１のレジスト層を、前記第１のレジスト層上に位置する前記第２の金属膜とともに除去する工程とを備える、電極形成方法。
2. 前記積層体を形成する工程において、前記第２のレジスト層上に他のレジスト層が積層されていない前記積層体を形成する、請求項１に記載の電極形成方法。
3. 前記積層体を形成する工程において、前記第２のレジスト層上に、該第２のレジスト層よりも溶解され難い第３のレジスト層が設けられた前記積層体を形成し、
   前記レジストパターンを形成する工程において前記積層体をパターニングし、
   前記第２のレジスト層を除去する工程において、前記第２のレジスト層、前記第２のレジスト層上の前記第３のレジスト層及び前記第３のレジスト層上の前記第１の金属膜を除去する、請求項１に記載の電極形成方法。
4. 前記第３のレジスト層は、前記第１のレジスト層と同じ材料からなり、
   前記第２のレジスト層は、前記第１及び第３のレジスト層よりも薄い、請求項３に記載の電極形成方法。
5. 基板と、前記基板上に設けられた第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に設けられており前記第１のレジスト層よりも溶解されやすい第２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に該第２のレジスト層とは異なる材料からなる第３のレジスト層と、を有する積層体を形成する工程と、
   前記積層体をパターニングして、レジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンを形成する工程よりも後に、前記基板上及び前記レジストパターン上に、第１の金属膜を成膜する工程と、
   前記第１の金属膜を成膜する工程よりも後に、前記第３のレジスト層を、前記第３のレジスト層上に位置する前記第１の金属膜とともに除去する工程と、
   前記第３のレジスト層を除去する工程よりも後に、第２の金属膜を成膜する工程と、
   前記第２の金属膜を成膜する工程よりも後に、前記第２のレジスト層を、前記第２のレジスト層上に位置する前記第２の金属膜とともに除去する工程と、
   前記第２のレジスト層を除去する工程よりも後に、第３の金属膜を成膜し、前記第１の金属膜、前記第２の金属膜及び前記第３の金属膜とが積層されている電極を形成する工程と、
   前記第１のレジスト層を、前記第１のレジスト層上に位置する前記第３の金属膜とともに除去する工程とを備える、電極形成方法。
6. 前記第３のレジスト層が、前記第２のレジスト層よりも耐ドライエッチング性が高い、請求項３〜５のいずれか１項に記載の電極形成方法。
7. 前記積層体を形成する工程において、前記第３のレジスト層上に、少なくとも１層の第４のレジスト層が積層されている積層体を形成する、請求項３〜６のいずれか１項に記載の電極形成方法。
8. 前記第１の金属膜上に前記第２の金属膜が積層されている前記電極において、前記基板と、前記第１の金属膜の側面とのなすテーパー角度が７２度以上、９０度以下の範囲にあり、前記第１の金属膜の前記側面と、前記第１の金属膜の前記側面を覆っている前記第２の金属膜の側面とのなす角度が１．５度以上、１５度以下の範囲にある、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電極形成方法。
9. 基板と、
   前記基板上に設けられており、第１の金属膜と、該第１の金属膜上に積層された第２の金属膜とを有するＩＤＴ電極とを備え、
   前記ＩＤＴ電極において、前記基板と、前記第１の金属膜の側面とのなすテーパー角度が７２度以上、９０度以下の範囲にあり、前記第１の金属膜の前記側面と、前記第１の金属膜の前記側面を覆っている前記第２の金属膜の側面とのなす角度が１．５度以上、１５度以下の範囲にある、弾性波装置。

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