JP2016039358A - フォトレジスト剥離方法 - Google Patents
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract
【課題】フォトレジスト剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトレジスト剥離方法は、半導体基板を提供する工程11、浸漬工程16及び剥離工程18を含む。半導体基板は、基板、パット、保護層、バンプ下の金属層、パターン化されたフォトレジスト層及びバンプを更に有する。なお、パターン化されたフォトレジスト層はバンプ下の金属層及びバンプの側面を被覆し、且つパターン化されたフォトレジスト層とバンプの側面との間には第一接合インターフェースが形成されており、パターン化されたフォトレジスト層とバンプ下の金属層との間には第二接合インターフェースが形成されている。浸漬工程では、パターン化されたフォトレジスト層が化学溶液に接触すると、第一接合インターフェースの接合強度が低下する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のフォトレジスト剥離方法は、半導体基板を提供する工程11、浸漬工程16及び剥離工程18を含む。半導体基板は、基板、パット、保護層、バンプ下の金属層、パターン化されたフォトレジスト層及びバンプを更に有する。なお、パターン化されたフォトレジスト層はバンプ下の金属層及びバンプの側面を被覆し、且つパターン化されたフォトレジスト層とバンプの側面との間には第一接合インターフェースが形成されており、パターン化されたフォトレジスト層とバンプ下の金属層との間には第二接合インターフェースが形成されている。浸漬工程では、パターン化されたフォトレジスト層が化学溶液に接触すると、第一接合インターフェースの接合強度が低下する。
【選択図】図1
Description
本発明は、フォトレジスト剥離方法に関する。
従来のバンプ製造工程は、基板上にフォトレジスト層を形成する工程、前記フォトレジスト層に対し露光及び現象を施す工程、前記フォトレジスト層をパターン化する工程、パターン化された前記フォトレジスト層にバンプを鍍金する工程、最後にパターン化された前記フォトレジスト層を除去しバンプの製造工程を完成する工程を含む。フォトレジストを除去する製造工程では、一般的には、前記フォトレジスト層に被覆される前記基板を、フォトレジスト剥離液中に浸漬し、前記フォトレジスト層を膨潤させ破裂させて、前記フォトレジスト層が前記基板から剥離するようにする。
しかしながら、前述した従来の技術では、異なる製品毎の要求を考慮するため、製造工程に於いて使用されるフォトレジスト材料及びフォトレジスト剥離液の種類が必ずしも同じではない。従来の技術ではフォトレジストを剥離する工程において、基板をフォトレジスト剥離液に浸漬する時間が超過してしまい、バンプの欠落や前記基板の保護層の損壊を引き起こすことがあった。反対に、前記基板をフォトレジスト剥離液に浸漬する時間が短過ぎ、フォトレジスト層が残留することもあり、バンプの製造工程の歩留まりに影響を与えた。このほか、バンプの製造工程ではバンプには一定の厚さが必要なため、前記フォトレジスト層の厚さもそれに合わせた厚さで塗布する必要があり、フォトレジスト剥離液への浸漬時間が長く、且つフォトレジスト剥離液の使用量も多くなりがちで、環境への負担が大きく、製造コストも増加した。
そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本発明の提案に到った。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、流体洗浄により、フォトレジストに被覆された半導体基板のフォトレジスト層を半導体基板から剥離し、化学溶液に浸漬する時間を大幅に減少し、化学溶液の用量も減らし、化学溶液に浸漬する時間を短くすることで、半導体基板の構造に影響を与えず、製造上の歩留まりを大幅に向上するフォトレジスト剥離方法を提供することにある。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るフォトレジスト剥離方法は、半導体基板を提供する工程と浸漬工程と剥離工程とを含む。半導体基板は、基板、パット、保護層、バンプ下の金属層、パターン化されたフォトレジスト層、及び、バンプを有し、パットが基板の表面に位置しており、保護層が基板及びパットを被覆すると共に開口部を有し、開口部からパットが露出しており、バンプ下の金属層が保護層を被覆し、バンプがバンプ下の金属層の上に設置されていと共に側面を有し、パターン化されたフォトレジスト層がバンプ下の金属層及びバンプの側面を被覆し、パターン化されたフォトレジスト層とバンプの側面との間に第一接合インターフェースが形成されており、パターン化されたフォトレジスト層とバンプ下の金属層との間に第二接合インターフェースが形成されており、第一接合インターフェースが第一接合強度を有し、第二接合インターフェースが第二接合強度を有する。浸漬工程では、半導体基板を化学溶液中に浸漬し、化学溶液とパターン化されたフォトレジスト層とを接触させ、化学溶液が第一接合インターフェースに浸透すると、第一接合インターフェースの第一接合強度が第三接合強度に変化し、第二接合インターフェースの第二接合強度が第四接合強度に変化し、第三接合強度が第一接合強度より小さい。剥離工程では、流体で半導体基板を洗浄し、流体が第三接合強度及び第四接合強度より大きい衝撃力を有し、パターン化されたフォトレジスト層を基板上から剥離し、バンプの側面及びバンプ下の金属層を露出させる。上述の接合強度および衝撃力の単位は[kgf]である。
本発明によれば、流体洗浄方式により、パターン化されたフォトレジスト層を剥離し、半導体基板を化学溶液中に浸漬する時間を大幅に短縮し、化学溶液の使用量を減らし、製造コストを削減することができる。また、浸漬時間を短縮することで半導体基板のバンプ或いは他の部材の損壊を防ぎ、製造工程に於いての歩留まりを向上することができる。
本発明における好適な実施の形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本発明の必須要件であるとは限らない。
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態によるフォトレジスト剥離方法10を示すフローチャートである。「半導体基板を提供する工程11」では半導体基板100を提供する。半導体基板100は基板110、パット120及び保護層130を有し、パット120は基板110の表面111に位置される。保護層130は基板110及びパット120を被覆し、保護層130は開口部131を有し、開口部131からはパット120が露出される。パット120は銅、アルミニウム、銅合金、或いは他の導電材料から選択される(図1及び図2参照)。
図1は本発明の第1実施形態によるフォトレジスト剥離方法10を示すフローチャートである。「半導体基板を提供する工程11」では半導体基板100を提供する。半導体基板100は基板110、パット120及び保護層130を有し、パット120は基板110の表面111に位置される。保護層130は基板110及びパット120を被覆し、保護層130は開口部131を有し、開口部131からはパット120が露出される。パット120は銅、アルミニウム、銅合金、或いは他の導電材料から選択される(図1及び図2参照)。
図1及び図3によれば、「バンプ下の金属層を形成する工程12」では、真空蒸着(Vacuum Evaporation)、スパッタリング、電気鍍金、もしくは無電解鍍金の工程により保護層130にバンプ下の金属層140を鍍金する。バンプ下の金属層140は保護層130を被覆すると共にパット120に接合される。バンプ下の金属層140は多層の金属層の構造であり、粘着層(Adhesion layer)、拡散隔膜層(Diffusion barrier layer)、湿潤層(Wetting layer)、及び抗酸化層(Oxidation barrier layer)を含むが、但し本発明はこれらに限定されない。
図1及び図4によれば、「フォトレジスト層を形成する工程13」では、バンプ下の金属層140上にフォトレジスト層150を形成する。フォトレジスト層150は塗布及び焼き等の工程によりバンプ下の金属層140上に形成される。フォトレジスト層150はポジティブ型フォトレジスト(positive photoresist)或いはネガティブ型フォトレジスト(negative photoresist)から選択される。
なお、「フォトレジスト層をパターン化する工程14」では、マスク(mask)で陰影(shade)をつけ、且つフォトレジスト層150に対し露光工程(expose process)を施し、フォトレジスト層150の感光領域に化学変化を発生する。次に、現像工程(developing process)に於いて、現像液により不要なフォトレジストを除去し、パターン化されたフォトレジスト層160を形成する。パターン化されたフォトレジスト層160はバンプ下の金属層140を被覆すると共にバンプ下の金属層140の一部を露出させる。ここでは、パターン化されたフォトレジスト層160は高さH1を有し、この好ましい実施形態では、パターン化されたフォトレジスト層160の高さH1は150μmから200μmの間である。
図1及び図6によれば、「バンプを形成する工程15」では真空蒸着、スパッタリング、電気鍍金、無電解鍍金、或いは印刷工程によりパターン化されたフォトレジスト層160中にバンプ170を形成する。バンプ170はバンプ下の金属層140に設置されると共にパット120と他の基板(図示せず)とを電気的に接続し、且つバンプ170は側面171及び高さH2を有する。また、パターン化されたフォトレジスト層160はバンプ170の側面171を被覆し、バンプ170の高さH2は150μm至200μmの間である。バンプ170は金、銅/ニッケル、銅/ニッケル/金、錫/銀、或いは他の導電金属から選択される。
パターン化されたフォトレジスト層160及びバンプ170の側面171の間には第一接合インターフェースS1が形成され、且つパターン化されたフォトレジスト層160及びバンプ下の金属層140の間には第二接合インターフェースS2が形成される。第一接合インターフェースS1は第一接合強度を有し、第二接合インターフェースS2は第二接合強度を有し、この際第一接合強度及び第二接合強度は共に高いため、パターン化されたフォトレジスト層160が半導体基板100から容易に剥離することはない(図6参照)。
図1及び図7によれば、「浸漬工程16」では、半導体基板100を化学溶液中に浸漬し、化学溶液をパターン化されたフォトレジスト層160に接触させて化学変化を発生させ、化学溶液が第一接合インターフェースS1に浸透すると、第一接合インターフェースS1の第一接合強度が第三接合強度に変化する。第二接合インターフェースS2の第二接合強度も第四接合強度に変化し、好ましくは、第三接合強度は第一接合強度より小さく、また第四接合強度は第二接合強度より小さい。本発明に係る「浸漬工程16」では、化学溶液によりパターン化されたフォトレジスト層160を剥離する必要はなく、パターン化されたフォトレジスト層160とバンプ下の金属層140及びバンプ170の間の接合強度を低下することで、半導体基板100を「浸漬工程16」中で化学溶液に浸漬する時間を大幅に短縮し、化学溶液の用量を減少する。好ましくは、浸漬時間は1分から40分の間である。
図1及び図7によれば、「洗浄工程17」に於いて、脱イオン水(DIW)或いは超純水(UPW)を用いて半導体基板100を洗浄する。主に基板110の裏面112に残留する化学溶液を洗浄し、後続の工程では半導体基板100はマシンアームにより基板110の裏面112に固定されるが、化学溶液が基板110の裏面112に残留すると、半導体基板100が損壊する可能性がある。
なお、図1及び図8によれば、「剥離工程18」では、ノズル(図示せず)から流体が噴出して半導体基板100を洗浄する。好ましくは、流体は二相流(two−phase flow)であり、且つ流体は脱イオン水(DIW)混合窒素ないしは二酸化炭素から選択される。ノズルから半導体基板100までの間には0.2センチメートルから1センチメートルの間隔を有し、流体の流量は3LPMから5LPMの間である。流体は衝撃力を有し、衝撃力は第三接合強度及び第四接合強度より大きいため、パターン化されたフォトレジスト層160は基板110から剥離し、バンプ170の側面171及びバンプ下の金属層140が露出される。「浸漬工程16」では、パターン化されたフォトレジスト層160に対し初期処理が施されており、このため流体により半導体基板100を洗浄する10秒間から30秒間の洗浄時間中に、パターン化されたフォトレジスト層160は基板110から剥離する。
図1に示すように、「乾燥工程19」に於いてはIPA乾燥或いはスピンドライ方式により半導体基板100に残留する水分を除去する。
図1に示すように、「乾燥工程19」に於いてはIPA乾燥或いはスピンドライ方式により半導体基板100に残留する水分を除去する。
さらに、図1及び図9によれば、「バンプ下の金属層のエッチング20」では、バンプ170により陰影をつけてバンプ下の金属層140に対しエッチングを施し、不要なバンプ下の金属層140を除去し、バンプ170のバンプ下の金属層140のみを留保する。
(第2実施形態)
図10ないし図19は本発明の第2実施形態の作成のフローチャートであり、すなわち、1P2M製造工程である。第1実施形態との差異は、保護層130A及び配線層180を更に有し、保護層130Aはバンプ下の金属層140が形成される前に保護層130に形成され、バンプ下の金属層140と基板110との間の絶縁状態を確保し、且つ保護層130Aからはパット120が露出される点である。本実施形態では、バンプ下の金属層140は保護層130Aに形成されると共にパット120に電気的に接続される。図13から図15によると、配線層180はパターン化されたフォトレジスト層160Aがバンプ下の金属層140に形成されることで再分布配線層(Redistribution Layer)となり、また、配線層180がバンプ下の金属層140に形成された後、「浸漬工程16」及び「剥離工程18」に於いて、パターン化されたフォトレジスト層160Aを剥離する。同様に、図16ないし図18によれば、パターン化されたフォトレジスト層160の配線層180及びバンプ下の金属層140にはバンプ170が形成され、「浸漬工程16」及び「剥離工程17」に於いてパターン化されたフォトレジスト層160が剥離される。本実施形態では、パターン化されたフォトレジスト層160A及びパターン化されたフォトレジスト層160は「浸漬工程16」及び「剥離工程18」で剥離されるため、化学溶液の使用量を大幅に減少し、基板上110の微小回路の損壊を回避する。
図10ないし図19は本発明の第2実施形態の作成のフローチャートであり、すなわち、1P2M製造工程である。第1実施形態との差異は、保護層130A及び配線層180を更に有し、保護層130Aはバンプ下の金属層140が形成される前に保護層130に形成され、バンプ下の金属層140と基板110との間の絶縁状態を確保し、且つ保護層130Aからはパット120が露出される点である。本実施形態では、バンプ下の金属層140は保護層130Aに形成されると共にパット120に電気的に接続される。図13から図15によると、配線層180はパターン化されたフォトレジスト層160Aがバンプ下の金属層140に形成されることで再分布配線層(Redistribution Layer)となり、また、配線層180がバンプ下の金属層140に形成された後、「浸漬工程16」及び「剥離工程18」に於いて、パターン化されたフォトレジスト層160Aを剥離する。同様に、図16ないし図18によれば、パターン化されたフォトレジスト層160の配線層180及びバンプ下の金属層140にはバンプ170が形成され、「浸漬工程16」及び「剥離工程17」に於いてパターン化されたフォトレジスト層160が剥離される。本実施形態では、パターン化されたフォトレジスト層160A及びパターン化されたフォトレジスト層160は「浸漬工程16」及び「剥離工程18」で剥離されるため、化学溶液の使用量を大幅に減少し、基板上110の微小回路の損壊を回避する。
(第3実施形態)
図20ないし図32は本発明の第3実施形態の作成のフローチャートであり、すなわち、2P2M製造工程である。第1実施形態との差異は、保護層130A、配線層180、保護層130B、及びバンプ下の金属層140Aを更に有する点である。保護層130A及び配線層180は第2実施形態と同様に、絶縁層及び再分布配線層である。図27に示すように、本実施形態では、配線層180が形成された後、保護層130Bが配線層180に形成されて配線層180を保護し、且つ保護層130Bからは配線層180が露出される。図28ないし図31によれば、本実施形態では、バンプ下の金属層140Aが保護層130Aに形成されてバンプ170及び保護層130Aの間の粘着層となり、続いて、パターン化されたフォトレジスト層160によりバンプ170がバンプ下の金属層140Aに形成される。図24ないし図30によると、本実施形態では、パターン化されたフォトレジスト層160A及びパターン化されたフォトレジスト層160により配線層180及びバンプ170がそれぞれ形成された後、パターン化されたフォトレジスト層160A及びパターン化されたフォトレジスト層160は共に「浸漬工程16」及び「剥離工程17」で剥離される。化学溶液の使用量を大幅に減少し、基板110上の微小回路の損壊を防ぐ。
図20ないし図32は本発明の第3実施形態の作成のフローチャートであり、すなわち、2P2M製造工程である。第1実施形態との差異は、保護層130A、配線層180、保護層130B、及びバンプ下の金属層140Aを更に有する点である。保護層130A及び配線層180は第2実施形態と同様に、絶縁層及び再分布配線層である。図27に示すように、本実施形態では、配線層180が形成された後、保護層130Bが配線層180に形成されて配線層180を保護し、且つ保護層130Bからは配線層180が露出される。図28ないし図31によれば、本実施形態では、バンプ下の金属層140Aが保護層130Aに形成されてバンプ170及び保護層130Aの間の粘着層となり、続いて、パターン化されたフォトレジスト層160によりバンプ170がバンプ下の金属層140Aに形成される。図24ないし図30によると、本実施形態では、パターン化されたフォトレジスト層160A及びパターン化されたフォトレジスト層160により配線層180及びバンプ170がそれぞれ形成された後、パターン化されたフォトレジスト層160A及びパターン化されたフォトレジスト層160は共に「浸漬工程16」及び「剥離工程17」で剥離される。化学溶液の使用量を大幅に減少し、基板110上の微小回路の損壊を防ぐ。
また、3P3M、4P3M、或いは多P多Mの製造工程では、須らく「浸漬工程16」及び「剥離工程17」に於いてパターン化されたフォトレジスト層の剥離が行われ、多P多Mの製造工程にはパターン化されたフォトレジスト層の多様な剥離工程が必要であるため、本発明に係るフォトレジスト剥離方法10では更に多くの化学溶液の用量を節約し、製造コストを削減しつつ環境汚染も低減する。
従って、本発明は流体洗浄方式によりパターン化されたフォトレジスト層160を剥離し、半導体基板100を化学溶液に浸漬する浸漬時間を大幅に短縮し、化学溶液の使用量を減少して製造コストを削減し、更に浸漬時間が短縮されることで半導体基板100のバンプ170や他の部材の損壊も防止され、製造工程での歩留まりも向上する。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
10:フォトレジストの剥離方法、
11:半導体基板を提供する工程、
12:バンプ下の金属層を形成する工程、
13:フォトレジスト層を形成する工程、
14:パターン化されたフォトレジスト層、
15:バンプを形成する工程、
16:浸漬工程、
17:洗浄工程、
18:剥離工程、
19:乾燥工程、
20:バンプ下の金属層のエッチング、
100:半導体基板、
110:基板、
111:表面、
112:裏面、
120:パット、
130:保護層、
130A:保護層、
130B:保護層、
131:開口部、
140:バンプ下の金属層、
140A:バンプ下の金属層、
150:フォトレジスト層、
160:パターン化されたフォトレジスト層、
160A:パターン化されたフォトレジスト層、
170:バンプ、
171:側面、
180:配線層、
S1:第一接合インターフェース、
S2:第二接合インターフェース、
H1:高さ、
H2:高さ。
11:半導体基板を提供する工程、
12:バンプ下の金属層を形成する工程、
13:フォトレジスト層を形成する工程、
14:パターン化されたフォトレジスト層、
15:バンプを形成する工程、
16:浸漬工程、
17:洗浄工程、
18:剥離工程、
19:乾燥工程、
20:バンプ下の金属層のエッチング、
100:半導体基板、
110:基板、
111:表面、
112:裏面、
120:パット、
130:保護層、
130A:保護層、
130B:保護層、
131:開口部、
140:バンプ下の金属層、
140A:バンプ下の金属層、
150:フォトレジスト層、
160:パターン化されたフォトレジスト層、
160A:パターン化されたフォトレジスト層、
170:バンプ、
171:側面、
180:配線層、
S1:第一接合インターフェース、
S2:第二接合インターフェース、
H1:高さ、
H2:高さ。
Claims (12)
- 基板、パット、保護層、バンプ下の金属層、パターン化されたフォトレジスト層、及び、バンプを有し、前記パットが前記基板の表面に位置しており、前記保護層が前記基板及び前記パットを被覆すると共に開口部を有し、前記開口部から前記パットが露出しており、前記バンプ下の金属層が前記保護層を被覆し、前記バンプが前記バンプ下の金属層の上に設置されていと共に側面を有し、前記パターン化されたフォトレジスト層が前記バンプ下の金属層及び前記バンプの前記側面を被覆し、前記パターン化されたフォトレジスト層と前記バンプの前記側面との間に第一接合インターフェースが形成されており、前記パターン化されたフォトレジスト層と前記バンプ下の金属層との間に第二接合インターフェースが形成されており、前記第一接合インターフェースが第一接合強度を有し、前記第二接合インターフェースが第二接合強度を有する半導体基板を提供する工程と、
前記半導体基板を化学溶液中に浸漬し、前記化学溶液と前記パターン化されたフォトレジスト層とを接触させ、前記化学溶液が前記第一接合インターフェースに浸透すると、前記第一接合インターフェースの前記第一接合強度が第三接合強度に変化し、前記第二接合インターフェースの前記第二接合強度が第四接合強度に変化し、前記第三接合強度が前記第一接合強度より小さい浸漬工程と、
流体で前記半導体基板を洗浄し、前記流体が前記第三接合強度及び前記第四接合強度より大きい衝撃力を有し、前記パターン化されたフォトレジスト層を前記基板上から剥離し、前記バンプの前記側面及び前記バンプ下の金属層を露出させる剥離工程と、を含むことを特徴とするフォトレジスト剥離方法。 - 前記第四接合強度は前記第二接合強度より小さいことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記流体は二相流であることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記流体の流量は3LPM以上5LPM以下であることを特徴とする請求項3に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記剥離工程では、ノズルから前記流体が噴出し、前記ノズルと前記半導体基板との間の間隔は、0.2センチメートル以上1センチメートル以下であることを特徴とする請求項4に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記流体が前記半導体基板を洗浄する時間は、10秒以上30秒以下であることを特徴とする請求項5に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記化学溶液中で前記半導体基板を浸漬する時間は、1分以上40分以下であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記流体は脱イオン水混合窒素或いは二酸化炭素から選ばれることを特徴とする請求項3に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記バンプの高さは150μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記パターン化されたフォトレジスト層の高さは50μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1または9の何れか1項に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記剥離工程を行う前に、前記基板の裏面に残留する前記化学溶液を除去する洗浄工程を行うことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト剥離方法。
- 前記剥離工程を行った後に、水分を除去する乾燥工程を行うことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト剥離方法。
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160105 |