JP2001085456A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JP2001085456A JP2001085456A JP25783999A JP25783999A JP2001085456A JP 2001085456 A JP2001085456 A JP 2001085456A JP 25783999 A JP25783999 A JP 25783999A JP 25783999 A JP25783999 A JP 25783999A JP 2001085456 A JP2001085456 A JP 2001085456A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの裏面を研削した際、ウェハの給電部
に形成されたメッキ層からウェハに割れが発生すること
を抑制できるバンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るバンプ形成方法は、シリコ
ン基板１１上に絶縁膜１３を形成し、その上にパッド１
５を形成し、その上にパッシベーション膜１７を堆積
し、その膜１７にパッド１５上に位置する開口部を形成
し、その開口部内及びパッシベーション膜上にアンダー
バンプメタル膜２１を堆積し、その上に、平面形状が丸
形の給電部用開口部及びバンプ形成用開口部を有するレ
ジスト膜を形成し、給電部用開口部により露出している
アンダーバンプメタル膜２１にメッキ用電極を接触させ
て電圧を印加することにより、メッキ層２８及びバンプ
２９を形成し、表面に保護テープを貼り付け、シリコン
基板１１の裏面を研削するものである。
に形成されたメッキ層からウェハに割れが発生すること
を抑制できるバンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るバンプ形成方法は、シリコ
ン基板１１上に絶縁膜１３を形成し、その上にパッド１
５を形成し、その上にパッシベーション膜１７を堆積
し、その膜１７にパッド１５上に位置する開口部を形成
し、その開口部内及びパッシベーション膜上にアンダー
バンプメタル膜２１を堆積し、その上に、平面形状が丸
形の給電部用開口部及びバンプ形成用開口部を有するレ
ジスト膜を形成し、給電部用開口部により露出している
アンダーバンプメタル膜２１にメッキ用電極を接触させ
て電圧を印加することにより、メッキ層２８及びバンプ
２９を形成し、表面に保護テープを貼り付け、シリコン
基板１１の裏面を研削するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ形成方法に
係わり、特に、ウェハの裏面を研削した際、ウェハに割
れやクラックが発生することを抑制できるバンプ形成方
法に関する。
係わり、特に、ウェハの裏面を研削した際、ウェハに割
れやクラックが発生することを抑制できるバンプ形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来のバンプ形成方法について説
明する。
明する。
【０００３】図７は、従来のバンプ形成方法によりＡｕ
バンプが形成されたウェハの一部を示す平面図である。
バンプが形成されたウェハの一部を示す平面図である。
【０００４】まず、シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
この絶縁膜上に複数のＡｌパッドを形成し、Ａｌパッド
及び絶縁膜の上にパッシベーション膜１７を堆積する。
次に、このパッシベーション膜１７にＡｌパッド上に位
置する開口部を形成し、この開口部内及びパッシベーシ
ョン膜１７上にアンダーバンプメタル膜を形成する。こ
の後、アンダーバンプメタル膜の上にレジスト膜を塗布
し、このレジスト膜を露光、現像することにより、レジ
スト膜には第１の開口部及び複数の第２の開口部が形成
される。第１の開口部は、ウェハ中心の給電部に相当
し、平面が８角形の形状を有している。第２の開口部
は、Ａｌパッドの上方に位置するＡｕバンプ形成部に相
当する。
この絶縁膜上に複数のＡｌパッドを形成し、Ａｌパッド
及び絶縁膜の上にパッシベーション膜１７を堆積する。
次に、このパッシベーション膜１７にＡｌパッド上に位
置する開口部を形成し、この開口部内及びパッシベーシ
ョン膜１７上にアンダーバンプメタル膜を形成する。こ
の後、アンダーバンプメタル膜の上にレジスト膜を塗布
し、このレジスト膜を露光、現像することにより、レジ
スト膜には第１の開口部及び複数の第２の開口部が形成
される。第１の開口部は、ウェハ中心の給電部に相当
し、平面が８角形の形状を有している。第２の開口部
は、Ａｌパッドの上方に位置するＡｕバンプ形成部に相
当する。
【０００５】この後、第１の開口部により露出している
アンダーバンプメタル膜に、電気メッキ法によるメッキ
用電極の先端を接触させる。次に、このメッキ用電極か
らアンダーバンプメタル膜に電圧を印加し、第１の開口
部及び複数の第２の開口部の内にはＡｕメッキ層が形成
される。
アンダーバンプメタル膜に、電気メッキ法によるメッキ
用電極の先端を接触させる。次に、このメッキ用電極か
らアンダーバンプメタル膜に電圧を印加し、第１の開口
部及び複数の第２の開口部の内にはＡｕメッキ層が形成
される。
【０００６】次に、メッキ用電極をアンダーバンプメタ
ル膜から外し、レジスト膜をプラズマ剥離する。これに
より、図７に示すように、ウェハ中心の給電部にはＡｕ
メッキ層２８’が形成され、Ａｌパッド上にはアンダー
バンプメタル膜を介してＡｕバンプ２９が形成される。
Ａｕメッキ層２８’は、８角形の形状を有している。こ
の後、Ａｕメッキ層２８’及びＡｕバンプ２９をマスク
としてアンダーバンプメタル膜をエッチングする。これ
により、Ａｕバンプ２９及びＡｕメッキ層２８’以外の
領域のパッシベーション膜１７が露出する。
ル膜から外し、レジスト膜をプラズマ剥離する。これに
より、図７に示すように、ウェハ中心の給電部にはＡｕ
メッキ層２８’が形成され、Ａｌパッド上にはアンダー
バンプメタル膜を介してＡｕバンプ２９が形成される。
Ａｕメッキ層２８’は、８角形の形状を有している。こ
の後、Ａｕメッキ層２８’及びＡｕバンプ２９をマスク
としてアンダーバンプメタル膜をエッチングする。これ
により、Ａｕバンプ２９及びＡｕメッキ層２８’以外の
領域のパッシベーション膜１７が露出する。
【０００７】この後、表面にＡｕバンプ２９が形成され
たウェハの表面上に保護テープを貼り付け、研削装置の
テーブルの上に保護テープを下側にしてウェハを載置す
る。次に、ウェハの裏面に回転している砥石を押し当
て、ウェハの厚さが３００μｍ程度になるまでウェハの
裏面を研削する。
たウェハの表面上に保護テープを貼り付け、研削装置の
テーブルの上に保護テープを下側にしてウェハを載置す
る。次に、ウェハの裏面に回転している砥石を押し当
て、ウェハの厚さが３００μｍ程度になるまでウェハの
裏面を研削する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
バンプ形成方法では、レジスト膜におけるウェハ中心の
給電部に位置する第１の開口部の平面形状を８角形に形
成している。このため、図７に示すように、電気メッキ
法によりウェハ中心の給電部に形成されるＡｕメッキ層
２８’も８角形の形状となる。このＡｕメッキ層２８’
を表面に有するウェハの裏面研削を行うと、Ａｕメッキ
層２８’の８角形の角の部分より割れ（クラック）４
１，４２が発生することがある。このように割れが発生
したウェハは不良品となる。
バンプ形成方法では、レジスト膜におけるウェハ中心の
給電部に位置する第１の開口部の平面形状を８角形に形
成している。このため、図７に示すように、電気メッキ
法によりウェハ中心の給電部に形成されるＡｕメッキ層
２８’も８角形の形状となる。このＡｕメッキ層２８’
を表面に有するウェハの裏面研削を行うと、Ａｕメッキ
層２８’の８角形の角の部分より割れ（クラック）４
１，４２が発生することがある。このように割れが発生
したウェハは不良品となる。
【０００９】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、ウェハの裏面を研削した
際、ウェハの給電部に形成されたメッキ層からウェハに
割れやクラックが発生することを抑制できるバンプ形成
方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、ウェハの裏面を研削した
際、ウェハの給電部に形成されたメッキ層からウェハに
割れやクラックが発生することを抑制できるバンプ形成
方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るバンプ形成方法は、半導体基板上に絶
縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にパッドを形成す
る工程と、前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベー
ション膜を堆積する工程と、前記パッシベーション膜
に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にアンダー
バンプメタル膜を堆積する工程と、前記アンダーバンプ
メタル膜上に、平面形状が滑らかな輪郭を備えた給電部
用開口部及びバンプ形成用開口部を有するレジスト膜を
形成する工程と、前記給電部用開口部により露出してい
るアンダーバンプメタル膜にメッキ用電極を接触させ、
このメッキ用電極からアンダーバンプメタル膜に電圧を
印加することにより、前記バンプ形成用開口部内にメッ
キ層からなるバンプを形成すると共に前記給電部用開口
部内にメッキ層を形成する工程と、前記レジスト膜を剥
離する工程と、前記バンプ及び前記メッキ層をマスクと
してアンダーバンプメタル膜をエッチングする工程と、
バンプ及びメッキ層を含む全面上に保護テープを貼り付
け、半導体基板の裏面を研削する工程と、を具備するこ
とを特徴とする。
め、本発明に係るバンプ形成方法は、半導体基板上に絶
縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にパッドを形成す
る工程と、前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベー
ション膜を堆積する工程と、前記パッシベーション膜
に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にアンダー
バンプメタル膜を堆積する工程と、前記アンダーバンプ
メタル膜上に、平面形状が滑らかな輪郭を備えた給電部
用開口部及びバンプ形成用開口部を有するレジスト膜を
形成する工程と、前記給電部用開口部により露出してい
るアンダーバンプメタル膜にメッキ用電極を接触させ、
このメッキ用電極からアンダーバンプメタル膜に電圧を
印加することにより、前記バンプ形成用開口部内にメッ
キ層からなるバンプを形成すると共に前記給電部用開口
部内にメッキ層を形成する工程と、前記レジスト膜を剥
離する工程と、前記バンプ及び前記メッキ層をマスクと
してアンダーバンプメタル膜をエッチングする工程と、
バンプ及びメッキ層を含む全面上に保護テープを貼り付
け、半導体基板の裏面を研削する工程と、を具備するこ
とを特徴とする。
【００１１】上記バンプ形成方法では、レジスト膜に形
成する給電部用開口部の平面形状を滑らかな輪郭を有す
る形状としているため、半導体基板に電気メッキ法でバ
ンプを形成した際、給電部用開口部に形成されるメッキ
層の平面形状も滑らかな輪郭を有する形状となる。この
ため、半導体基板の裏面を研削した際、給電部用開口部
に形成されたメッキ層からウェハに割れやクラックが発
生することを抑制できる。
成する給電部用開口部の平面形状を滑らかな輪郭を有す
る形状としているため、半導体基板に電気メッキ法でバ
ンプを形成した際、給電部用開口部に形成されるメッキ
層の平面形状も滑らかな輪郭を有する形状となる。この
ため、半導体基板の裏面を研削した際、給電部用開口部
に形成されたメッキ層からウェハに割れやクラックが発
生することを抑制できる。
【００１２】また、本発明に係るバンプ形成方法におい
ては、前記レジスト膜における給電部用開口部の平面形
状が、丸形であることが好ましい。
ては、前記レジスト膜における給電部用開口部の平面形
状が、丸形であることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１４】図１〜図５は、本発明の実施の形態による
バンプ形成方法を示す断面図である。図４は、図５に示
す４−４線に沿った断面図である。
バンプ形成方法を示す断面図である。図４は、図５に示
す４−４線に沿った断面図である。
【００１５】まず、図１に示すように、シリコン基板１
１上に絶縁膜１３を形成し、この絶縁膜１３上にＡｌ合
金膜を堆積する。次に、このＡｌ合金膜をパターニング
することにより、絶縁膜１３上には複数のＡｌパッド１
５が形成される。Ａｌパッド１５は図示せぬＡｌ配線に
接続されている。
１上に絶縁膜１３を形成し、この絶縁膜１３上にＡｌ合
金膜を堆積する。次に、このＡｌ合金膜をパターニング
することにより、絶縁膜１３上には複数のＡｌパッド１
５が形成される。Ａｌパッド１５は図示せぬＡｌ配線に
接続されている。
【００１６】この後、Ａｌパッド１５及び絶縁膜１３の
上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により
シリコン窒化膜等からなるパッシベーション膜１７を堆
積する。次に、このパッシベーション膜１７をエッチン
グすることにより、パッシベーション膜１７にはＡｌパ
ッド１５上に位置する開口部を形成する。この後、この
開口部内及びパッシベーション膜１７上にＴｉＷ膜１９
をスパッタリングにより堆積し、ＴｉＷ膜１９上にＡｕ
膜２０を堆積する。このようにしてＡｕ膜２０及びＴｉ
Ｗ膜１９からなるアンダーバンプメタル膜２１が形成さ
れる。アンダーバンプメタル膜２１の膜厚は４０００オ
ングストローム程度である。
上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により
シリコン窒化膜等からなるパッシベーション膜１７を堆
積する。次に、このパッシベーション膜１７をエッチン
グすることにより、パッシベーション膜１７にはＡｌパ
ッド１５上に位置する開口部を形成する。この後、この
開口部内及びパッシベーション膜１７上にＴｉＷ膜１９
をスパッタリングにより堆積し、ＴｉＷ膜１９上にＡｕ
膜２０を堆積する。このようにしてＡｕ膜２０及びＴｉ
Ｗ膜１９からなるアンダーバンプメタル膜２１が形成さ
れる。アンダーバンプメタル膜２１の膜厚は４０００オ
ングストローム程度である。
【００１７】次に、図２に示すように、アンダーバンプ
メタル膜２１の上にレジスト膜を塗布し、このレジスト
膜を露光、現像することにより、レジスト膜２３には第
１の開口部２３ａ及び複数の第２の開口部２３ｂが形成
される。第１の開口部２３ａは、ウェハ中心の給電部に
相当し、平面が円形状を有している。第２の開口部２３
ｂは、Ａｌパッド１５の上方に位置するＡｕバンプ形成
部に相当し、平面が円形状を有している。なお、第１の
開口部２３ａの平面形状は真円である必要はないが、円
形状に近い滑らかな輪郭を有する丸形の形状であれば良
い。また、第２の開口部２３ｂの平面形状は、円形以外
の形状であっても良い。
メタル膜２１の上にレジスト膜を塗布し、このレジスト
膜を露光、現像することにより、レジスト膜２３には第
１の開口部２３ａ及び複数の第２の開口部２３ｂが形成
される。第１の開口部２３ａは、ウェハ中心の給電部に
相当し、平面が円形状を有している。第２の開口部２３
ｂは、Ａｌパッド１５の上方に位置するＡｕバンプ形成
部に相当し、平面が円形状を有している。なお、第１の
開口部２３ａの平面形状は真円である必要はないが、円
形状に近い滑らかな輪郭を有する丸形の形状であれば良
い。また、第２の開口部２３ｂの平面形状は、円形以外
の形状であっても良い。
【００１８】この後、図３に示すように、第１の開口部
２３ａにより露出しているアンダーバンプメタル膜２１
に、電気メッキ法によるメッキ用電極２５の先端を接触
させる。次に、このメッキ用電極２５からアンダーバン
プメタル膜２１に電圧を印加し、第１の開口部２３ａ及
び複数の第２の開口部２３ｂの内にはＡｕメッキ層２７
ａ，２７ｂが形成される。
２３ａにより露出しているアンダーバンプメタル膜２１
に、電気メッキ法によるメッキ用電極２５の先端を接触
させる。次に、このメッキ用電極２５からアンダーバン
プメタル膜２１に電圧を印加し、第１の開口部２３ａ及
び複数の第２の開口部２３ｂの内にはＡｕメッキ層２７
ａ，２７ｂが形成される。
【００１９】次に、図４に示すように、メッキ用電極２
５をアンダーバンプメタル膜２１から外し、レジスト膜
２３をプラズマ剥離する。これにより、ウェハ中心の給
電部にはＡｕメッキ層２８が形成され、Ａｌパッド１５
上にはアンダーバンプメタル膜２１を介してＡｕバンプ
２９が形成される。Ａｕメッキ層２８及びＡｕバンプ２
９それぞれの平面形状は、図５に示すように略円形状
（丸形）を有している。この後、Ａｕメッキ層２８及び
Ａｕバンプ２９をマスクとしてアンダーバンプメタル膜
２１をエッチングする。これにより、Ａｕバンプ２９及
びＡｕメッキ層２８以外の領域のパッシベーション膜１
７が露出する。
５をアンダーバンプメタル膜２１から外し、レジスト膜
２３をプラズマ剥離する。これにより、ウェハ中心の給
電部にはＡｕメッキ層２８が形成され、Ａｌパッド１５
上にはアンダーバンプメタル膜２１を介してＡｕバンプ
２９が形成される。Ａｕメッキ層２８及びＡｕバンプ２
９それぞれの平面形状は、図５に示すように略円形状
（丸形）を有している。この後、Ａｕメッキ層２８及び
Ａｕバンプ２９をマスクとしてアンダーバンプメタル膜
２１をエッチングする。これにより、Ａｕバンプ２９及
びＡｕメッキ層２８以外の領域のパッシベーション膜１
７が露出する。
【００２０】図６（ａ）は、図４に示すシリコン基板
（ウェハ）１１の裏面を研削する工程を説明するための
断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すウェハ
の表面を保護する保護テープを拡大した断面図である。
（ウェハ）１１の裏面を研削する工程を説明するための
断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すウェハ
の表面を保護する保護テープを拡大した断面図である。
【００２１】まず、図６（ｂ）に示す厚さ１５０μｍ程
度の保護テープ３３を準備する。この保護テープ３３
は、テープ基材３４の一方の主面上に粘着剤３５が形成
されたものである。この後、図６（ａ）に示すように、
図４に示す表面にＡｕバンプ２９が形成されたウェハ１
１の表面上に保護テープ３３を粘着剤３５によって貼り
付ける。この保護テープ３３は、ウェハ１１の裏面を研
削する際にウェハ表面を保護するためのものである。
度の保護テープ３３を準備する。この保護テープ３３
は、テープ基材３４の一方の主面上に粘着剤３５が形成
されたものである。この後、図６（ａ）に示すように、
図４に示す表面にＡｕバンプ２９が形成されたウェハ１
１の表面上に保護テープ３３を粘着剤３５によって貼り
付ける。この保護テープ３３は、ウェハ１１の裏面を研
削する際にウェハ表面を保護するためのものである。
【００２２】次に、研削装置のテーブル３１の上に保護
テープ３３を下側にしてウェハ１１を載置する。この
後、ウェハ１１の裏面に回転している砥石（図示せず）
を押し当て、ウェハ１１の厚さが３００μｍ程度になる
までウェハ１１の裏面を研削する。次に、ウェハ１１の
表面に貼り付けた保護テープ３３を剥がす。
テープ３３を下側にしてウェハ１１を載置する。この
後、ウェハ１１の裏面に回転している砥石（図示せず）
を押し当て、ウェハ１１の厚さが３００μｍ程度になる
までウェハ１１の裏面を研削する。次に、ウェハ１１の
表面に貼り付けた保護テープ３３を剥がす。
【００２３】上記実施の形態によれば、ウェハ上に電気
メッキ法でＡｕバンプ２９を形成する際、ウェハ中心の
給電部のＡｕメッキ層２８の平面形状を丸形にしてい
る。このため、ウェハの裏面を研削した際、ウェハ中心
の給電部に形成されたＡｕメッキ層２８からウェハに割
れが発生することを抑制できる。つまり、従来のバンプ
形成方法では、ウェハ中心の給電部のＡｕメッキ層の平
面形状を角形にしているため、ウェハの裏面研削の際、
その角部分から割れやクラックが発生することがあった
が、本実施の形態では、Ａｕメッキ層２８を丸形にして
おり、Ａｕメッキ層に角部がないため、ウェハに割れが
発生することを抑制できる。具体的には、本実施の形態
によるバンプ形成方法を用いると、ウェハの裏面を研削
した際の割れやクラックによる不良発生率が従来のバン
プ形成方法に比べて１／２以下となった。
メッキ法でＡｕバンプ２９を形成する際、ウェハ中心の
給電部のＡｕメッキ層２８の平面形状を丸形にしてい
る。このため、ウェハの裏面を研削した際、ウェハ中心
の給電部に形成されたＡｕメッキ層２８からウェハに割
れが発生することを抑制できる。つまり、従来のバンプ
形成方法では、ウェハ中心の給電部のＡｕメッキ層の平
面形状を角形にしているため、ウェハの裏面研削の際、
その角部分から割れやクラックが発生することがあった
が、本実施の形態では、Ａｕメッキ層２８を丸形にして
おり、Ａｕメッキ層に角部がないため、ウェハに割れが
発生することを抑制できる。具体的には、本実施の形態
によるバンプ形成方法を用いると、ウェハの裏面を研削
した際の割れやクラックによる不良発生率が従来のバン
プ形成方法に比べて１／２以下となった。
【００２４】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ジスト膜に形成する給電部用開口部の平面形状を滑らか
な輪郭を有する形状としている。したがって、ウェハの
裏面を研削した際、ウェハ中心の給電部に形成されたＡ
ｕメッキ層からウェハに割れやクラックが発生すること
を抑制できるバンプ形成方法を提供することができる。
ジスト膜に形成する給電部用開口部の平面形状を滑らか
な輪郭を有する形状としている。したがって、ウェハの
裏面を研削した際、ウェハ中心の給電部に形成されたＡ
ｕメッキ層からウェハに割れやクラックが発生すること
を抑制できるバンプ形成方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態によるバンプ形成方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態によるバンプ形成方法を示
すものであり、図１の次の工程を示す断面図である。
すものであり、図１の次の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態によるバンプ形成方法を示
すものであり、図２の次の工程を示す断面図である。
すものであり、図２の次の工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態によるバンプ形成方法であ
って図３の次の工程を示すものであり、図５に示す４−
４線に沿った断面図である。
って図３の次の工程を示すものであり、図５に示す４−
４線に沿った断面図である。
【図５】図４に示すシリコン基板（ウェハ）の一部を示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】図６（ａ）は、図４に示すシリコン基板（ウェ
ハ）の裏面を研削する工程を説明するための断面図であ
り、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すウェハの表面を保
護する保護テープを拡大した断面図である。
ハ）の裏面を研削する工程を説明するための断面図であ
り、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すウェハの表面を保
護する保護テープを拡大した断面図である。
【図７】従来のバンプ形成方法によりバンプを形成した
ウエハの一部を示す平面図である。
ウエハの一部を示す平面図である。
１１ シリコン基板 １３ 絶縁膜 １５ Ａｌパッド １７ パッシベー
ション膜 １９ ＴｉＷ膜 ２０ Ａｕ膜 ２１ アンダーバンプメタル膜 ２３ レジスト膜 ２３ａ 第１の開口部 ２３ｂ 第２の開
口部 ２７ａ，２７ｂ Ａｕメッキ層 ２８，２８’ 給
電部のＡｕメッキ層 ２９ Ａｕバンプ ３１ 研削装置テ
ーブル ３３ 保護テープ ３４ テープ基材 ３５ 粘着剤 ４１，４２ 割れ
（クラック）
ション膜 １９ ＴｉＷ膜 ２０ Ａｕ膜 ２１ アンダーバンプメタル膜 ２３ レジスト膜 ２３ａ 第１の開口部 ２３ｂ 第２の開
口部 ２７ａ，２７ｂ Ａｕメッキ層 ２８，２８’ 給
電部のＡｕメッキ層 ２９ Ａｕバンプ ３１ 研削装置テ
ーブル ３３ 保護テープ ３４ テープ基材 ３５ 粘着剤 ４１，４２ 割れ
（クラック）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程
と、 前記絶縁膜上にパッドを形成する工程と、 前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を
堆積する工程と、 前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開
口部を形成する工程と、 前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にアンダー
バンプメタル膜を堆積する工程と、 前記アンダーバンプメタル膜上に、平面形状が滑らかな
輪郭を備えた給電部用開口部及びバンプ形成用開口部を
有するレジスト膜を形成する工程と、 前記給電部用開口部により露出しているアンダーバンプ
メタル膜にメッキ用電極を接触させ、このメッキ用電極
からアンダーバンプメタル膜に電圧を印加することによ
り、前記バンプ形成用開口部内にメッキ層からなるバン
プを形成すると共に前記給電部用開口部内にメッキ層を
形成する工程と、 前記レジスト膜を剥離する工程と、 前記バンプ及び前記メッキ層をマスクとしてアンダーバ
ンプメタル膜をエッチングする工程と、 バンプ及びメッキ層を含む全面上に保護テープを貼り付
け、半導体基板の裏面を研削する工程と、 を具備することを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項２】 前記レジスト膜における給電部用開口部
の平面形状が、丸形であることを特徴とする請求項1記
載のバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25783999A JP2001085456A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25783999A JP2001085456A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085456A true JP2001085456A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17311868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25783999A Withdrawn JP2001085456A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085456A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013108979A1 (de) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Tdk Corporation | Anschlussstruktur und Halbleiterbauelement |
| DE102013108986A1 (de) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Tdk Corporation | Anschlussstruktur sowie Halbleiterelement und Modelsubstrat mit einer solchen Anschlussstruktur |
| US8970037B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-03-03 | Tdk Corporation | Terminal structure, and semiconductor element and module substrate comprising the same |
| US9070606B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-06-30 | Tdk Corporation | Terminal structure and semiconductor device |
| US9230823B1 (en) | 2014-08-05 | 2016-01-05 | Chipbond Technology Corporation | Method of photoresist strip |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP25783999A patent/JP2001085456A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013108979A1 (de) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Tdk Corporation | Anschlussstruktur und Halbleiterbauelement |
| DE102013108986A1 (de) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Tdk Corporation | Anschlussstruktur sowie Halbleiterelement und Modelsubstrat mit einer solchen Anschlussstruktur |
| US8970037B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-03-03 | Tdk Corporation | Terminal structure, and semiconductor element and module substrate comprising the same |
| US9070606B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-06-30 | Tdk Corporation | Terminal structure and semiconductor device |
| US9257402B2 (en) | 2012-08-24 | 2016-02-09 | Tdk Corporation | Terminal structure, and semiconductor element and module substrate comprising the same |
| DE102013108979A9 (de) | 2012-08-24 | 2016-04-07 | Tdk Corporation | Anschlussstruktur und Halbleiterbauelement |
| US9640500B2 (en) | 2012-08-24 | 2017-05-02 | Tdk Corporation | Terminal structure and semiconductor device |
| DE102013108986B4 (de) | 2012-08-24 | 2019-07-25 | Tdk Corporation | Anschlussstruktur sowie Halbleiterelement und Modulsubstrat mit einer solchen Anschlussstruktur |
| DE102013108979B4 (de) | 2012-08-24 | 2020-01-23 | Tdk Corporation | Anschlussstruktur und Halbleiterbauelement |
| US9230823B1 (en) | 2014-08-05 | 2016-01-05 | Chipbond Technology Corporation | Method of photoresist strip |
| JP2016039358A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | フォトレジスト剥離方法 |
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