CN110379707B - 一种金属图形化的剥离结构及其制作方法 - Google Patents

一种金属图形化的剥离结构及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种金属图形化的剥离结构，包括衬底；位于衬底上表面的胶膜结构层，且胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；位于胶膜结构层背离衬底的表面的第一光刻胶层，且第一光刻胶层与胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。本申请中由衬底、胶膜结构层、第一光刻胶层共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构，也即该剥离结构具有两层屋檐结构，一方面增加了衬底上表面与第一光刻胶层上表面之间的距离，可用于沉积厚度较厚的图形化金属，另一方面两层屋檐结构的宽度可以按需求进行调节，使得到的图形化金属宽度更窄，且胶膜结构层和第一光刻胶层更加稳固，不易塌陷，从而使得到的图形化金属边缘光滑。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。

Description

一种金属图形化的剥离结构及其制作方法
技术领域
本申请涉及半导体金属图形化工艺技术领域，特别是涉及一种金属图形化的剥离结构及其制作方法。
背景技术
剥离(Lift-Off)工艺是针对一些难以刻蚀的材料(如贵金属、难以腐蚀材料、腐蚀剂对其他暴露的材料没有足够的选择性)进行图形定义的工艺。在半导体工艺尤其后端工艺中进行金属图形化，金属图形化需要依靠剥离结构来实现。
目前，用于金属图形化的剥离结构具有一层屋檐结构，其获得方式有两种，一种是以LOR(Lift-off resist)光刻胶为衬底，在衬底上涂覆一层光刻胶并进行图形化，得到金属图形化的剥离结构；另一种方式是在衬底上先涂一层光刻胶，然后对该层光刻胶进行整体曝光，然后再涂覆一层光刻胶并进行光刻显影得到金属图形化的剥离结构。
在得到金属图形化的剥离结构后，再沉积金属层，然后再将光刻胶剥离以得到图形化金属，但是第一种方式得到的剥离结构的悬空高度、悬空横向宽度分别受LOR光刻胶高度、性质的限制，得到的图形化金属厚度也受LOR光刻胶高度的限制，图形化金属边缘具有毛刺、凹凸不平，不够美观，甚至影响器件性能，金属短路等异常；另一种方式得到的剥离结构受光刻显影的影响，使得整体曝光的光刻胶被显影掏空吃掉的悬浮结构过大，容易造成上层光刻胶塌陷，无法制作出好的图形化金属或小条宽的图形化金属。
因此，如何提供一种剥离结构，使得利用该结构制得的图形化金属边缘光滑，线宽可控，且能够获得宽度比较窄、厚度较厚的图形化金属。
发明内容
本申请的目的是提供一种金属图形化的剥离结构及其制作方法，以使得利用该剥离结构可以得到边缘光滑、厚度较厚、宽度比较窄的图形化金属。
为解决上述技术问题，本申请提供一种金属图形化的剥离结构，包括：
衬底；
位于所述衬底上表面的胶膜结构层，且所述胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；
位于所述胶膜结构层背离所述衬底的表面的第一光刻胶层，且所述第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。
可选的，所述胶膜结构层包括：
位于所述衬底上表面的LOR光刻胶层；
位于所述LOR光刻胶层背离所述衬底的表面的第二光刻胶层。
可选的，所述胶膜结构层包括：
位于所述衬底上表面的第三光刻胶层；
位于所述第三光刻胶层背离所述衬底的表面的第四光刻胶层。
可选的，所述LOR光刻胶层的厚度取值范围为至/>包括端点值。
可选的，所述第二台阶的宽度取值范围为0.5μm至5.0μm，包括端点值。
可选的，所述第一台阶的宽度取值范围为0.5μm至2.0μm，包括端点值。
本申请还提供一种金属图形化的剥离结构制作方法，包括：
在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层；
按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域；
在经过曝光处理的待处理胶膜结构层背离所述衬底的表面形成待处理第一光刻胶层，得到待处理剥离结构；
按照第二预设曝光图形对所述待处理剥离结构进行曝光处理，使第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶，其中，所述第一光刻胶层为所述待处理第一光刻胶层的未曝光区域；
显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构。
可选的，所述显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构包括：
显影所述待处理剥离结构的曝光区域；
对所述衬底的上表面与所述待处理剥离结构的所述曝光区域接触的区域进行扫膜处理，形成所述剥离结构。
可选的，所述在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层包括：
在所述衬底的上表面形成待处理LOR光刻胶层；
在所述待处理LOR光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第二光刻胶层；
相应的，按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域包括：
按照所述第一预设曝光图形对所述待处理LOR光刻胶层和所述待处理第二光刻胶层进行曝光处理，使LOR光刻胶层和第二光刻胶层具有一级向上的第一台阶，其中，所述LOR光刻胶层、所述第二光刻胶层分别为所述待处理LOR光刻胶层、所述待处理第二光刻胶层的未曝光区域。
可选的，所述在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层包括：
在所述衬底的上表面形成待处理第三光刻胶层；
按照第三预设曝光图形对所述待处理第三光刻胶层进行曝光处理；
在经过曝光处理的待处理第三光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第四光刻胶层；
相应的，按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域包括：
按照第四预设曝光图形对所述待处理第四光刻胶层进行曝光处理，使第三光刻胶层和第四光刻胶层具有一级向上的第一台阶，其中，所述第三光刻胶层、第四光刻胶层分别为所述待处理第三光刻胶层、所述待处理第四光刻胶层的未曝光区域。
本申请所提供的金属图形化的剥离结构，包括：衬底；位于所述衬底上表面的胶膜结构层，且所述胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；位于所述胶膜结构层背离所述衬底的表面的第一光刻胶层，且所述第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。可见，本申请中由衬底、胶膜结构层、第一光刻胶层共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构，也即该剥离结构具有两层屋檐结构，与现有的一层屋檐结构的剥离结构相比，一方面增加了衬底上表面与第一光刻胶层上表面之间的距离，可以用于沉积厚度较厚的图形化金属，另一方面两层屋檐结构的宽度可以按照需求进行调节，可以使得到的图形化金属宽度更窄，并且胶膜结构层和第一光刻胶层更加稳固，不易塌陷，保证沉积在衬底上的图形化金属与第一光刻胶层上的金属断开，从而使得到的图形化金属边缘光滑。此外，本申请还提供一种具有上述优点的剥离结构制作方法。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例所提供的一种金属图形化的剥离结构的结构示意图；
图2为本申请实施例所提供的金属图形化的剥离结构的一种具体结构示意图；
图3为本申请实施例所提供的金属图形化的剥离结构的另一种具体结构示意图；
图4至图9为本发明实施例所提供的一种金属图形化的剥离结构制作方法的工艺流程图；
图10至图11为利用本申请的剥离结构制备图形化金属时工艺流程图；
图12至图15为本发明实施例所提供的金属图形化的剥离结构制作方法的工艺流程图；
图16至图20为本发明实施例所提供的金属图形化的剥离结构制作方法的工艺流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，现有剥离结构具有一层屋檐结构，在沉积金属层获得图形化金属时，由于剥离结构高度和屋檐结构宽度的限制，使得到的图形化金属厚度有限、边缘存在毛刺、关键尺寸较宽等问题。
有鉴于此，本申请提供了一种金属图形化的剥离结构，请参考图1，图1为本申请实施例所提供的一种金属图形化的剥离结构的结构示意图，该结构包括：
衬底1；
位于所述衬底1上表面的胶膜结构层2，且所述胶膜结构层2具有一级向上的第一台阶；
位于所述胶膜结构层2背离所述衬底1的表面的第一光刻胶层3，且所述第一光刻胶层3与所述胶膜结构层2形成一级向上的第二台阶。
需要说明的是，本实施例中对衬底1不做具体限定，可视情况而定。例如，衬底1可以为硅晶圆衬底，或者锗衬底，或者三五族化合物半导体衬底。
还需要说明的是，本实施例中对胶膜结构层2也不做具体限定，只要保证胶膜结构层2具有一级向上的第一台阶，即保证胶膜结构层2具有一层屋檐结构即可。
优选地，在本申请的一个实施例中，所述第一台阶的宽度W1取值范围为0.5μm至2.0μm，包括端点值。
需要指出的是，第一光刻胶层3为正性光刻胶层，第一光刻胶层3与胶膜结构层2构成一级向上的第二台阶，从而使得剥离结构具有两级向上的台阶，也即具有两层屋檐结构。并且，第二台阶的高度和宽度可以根据需要进行调整，灵活可控。
优选地，在本申请的一个实施例中，第一光刻胶层3的厚度取值范围为0.5μm至5.0μm，包括端点值。
可选的，在本申请的一个实施例中，所述第二台阶的宽度W2取值范围为0.5μm至5.0μm，包括端点值，具体根据金属层的厚度而决定，进一步地，厚度范围优选在0.5μm至2.0μm之间。
需要指出的是，在衬底1的上表面有大量层叠的胶膜结构层2和第一光刻胶层3，图1中仅仅示出一个层叠的胶膜结构层2和第一光刻胶层3。
本实施例中由衬底1、胶膜结构层2、第一光刻胶层3共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构，也即该剥离结构具有两层屋檐结构，与现有的一层屋檐结构的剥离结构相比，一方面增加了衬底1上表面与第一光刻胶层3上表面之间的距离，可以用于沉积厚度较厚的图形化金属，另一方面两层屋檐结构的宽度可以按照需求进行调节，可以使得到的图形化金属宽度更窄，并且胶膜结构层2和第一光刻胶层3更加稳固，不易塌陷，保证沉积在衬底1上的图形化金属与第一光刻胶层3上的金属断开，从而使得到的图形化金属边缘光滑。
请参考图2，图2为本申请实施例所提供的金属图形化的剥离结构的一种具体结构示意图。
区别于上述发明实施例，本发明实施例是在上述发明实施例的基础上，进一步的对金属图形化的剥离结构中胶膜结构层2的结构进行具体限定。其余内容已在上述发明实施例中进行了详细介绍，在此不再进行赘述。
在本实施例中，所述胶膜结构层2包括：
位于所述衬底1上表面的LOR光刻胶层21；
位于所述LOR光刻胶层21背离所述衬底1的表面的第二光刻胶层22。
优选地，所述LOR光刻胶层21的厚度取值范围为至/>包括端点值，避免LOR光刻胶层21的厚度过小，导致第一台阶的宽度W1过小，进而限制沉积金属层的厚度，即图形化金属的厚度受限制，同时避免LOR光刻胶层21的厚度过大，当厚度太大时，第一台阶的宽度W1，容易导致剥离结构塌陷，或者限制剥离结构的线宽，只能用于制作线宽较宽的图形化金属，而不能用于制作线宽小的图形化金属。
需要指出的是，第二光刻胶层22为正性光刻胶层，原因是：相较于正性光刻胶，负性光刻胶的分辨率低，若第二光刻胶层22为负性光刻胶层，会使得LOR光刻胶层21被曝光，显影时被显影掉，从而使得剥离结构无法形成屋檐结构，即剥离结构无法具有悬浮结构，并且还会导致LOR光刻胶层21残留在衬底1上，无法制作出图形化金属。进一步的，第二光刻胶层22的厚度视沉积金属层的厚度而定，第一光刻胶层3的厚度为金属层厚度的0.5～3倍。
请参考图3，图3为本申请实施例所提供的金属图形化的剥离结构的另一种具体结构示意图。
区别于上述发明实施例，本发明实施例是在上述发明实施例的基础上，进一步的对金属图形化的剥离结构中胶膜结构层2的结构进行具体限定。其余内容已在上述发明实施例中进行了详细介绍，在此不再进行赘述。
在本实施例中，所述胶膜结构层2包括：
位于所述衬底1上表面的第三光刻胶层23；
位于所述第三光刻胶层23背离所述衬底1的表面的第四光刻胶层24。
需要指出的是，第四光刻胶层24同样为正性光刻胶层，其原因与第二光刻胶层22为正性光刻胶层的原因一样，此处不再详细赘述。
下面对本发明所提供的一种金属图形化的剥离结构制作方法进行介绍，下文描述的金属图形化的剥离结构制作方法与上文描述的金属图形化的剥离结构可以相互对应参照。
请参考图4至图9，图4至图9为本发明实施例所提供的一种金属图形化的剥离结构制作方法的工艺流程图。
参见图4，在本发明实施例中，金属图形化的剥离结构制作方法可以包括：
步骤S101：在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层；
参见图5，本步骤中，在衬底1的上表面涂敷待处理胶膜结构层20。
步骤S102：按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域；
参见图6，本步骤中，对待处理胶膜结构层20进行局部曝光处理，使得未曝光区域，即胶膜结构层2，具有一级向上的第一台阶。
步骤S103：在经过曝光处理的待处理胶膜结构层背离所述衬底的表面形成待处理第一光刻胶层，得到待处理剥离结构；
参见图7，本步骤中，在经过曝光处理的待处理胶膜结构层20背离所述衬底1的表面涂敷待处理第一光刻胶层30。
步骤S104：按照第二预设曝光图形对所述待处理剥离结构进行曝光处理，使第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶，其中，所述第一光刻胶层为所述待处理第一光刻胶层的未曝光区域；
参见图8，本步骤中，对待处理剥离结构进行曝光处理，使待处理第一光刻胶层30中未曝光区域，即第一光刻胶层3，与胶膜结构层2形成一级向上的第二台阶。
需要指出的是，待处理胶膜结构层20中的曝光区域不发生变化。
步骤S105：显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构。
参见图9，本步骤中，对待处理胶膜结构层20中的曝光区域和待处理第一光刻胶层30中的曝光区域同时进行显影，得到剥离结构。
进一步地，当利用该剥离结构制备图形化金属时，利用物理气相沉积方法或者电子束蒸发沉积方法沉积金属层4，然后使用加热到60℃～90℃的N-甲基吡咯烷酮溶液进行剥离，剥离第一光刻胶层3上的金属层4和胶膜结构层2以及第一光刻胶层3，然后进行甩干，得到沉积在衬底1上的图形化金属，具体参见图10至图11。
下述实施例中对待处理胶膜结构层的具体结构进行详细介绍。
本实施例所提供的金属图形化的剥离结构制作方法，通过在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层；按照第一预设曝光图形对待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，胶膜结构层为待处理胶膜结构层的未曝光区域；在经过曝光处理的待处理胶膜结构层背离衬底的表面形成待处理第一光刻胶层，得到待处理剥离结构；按照第二预设曝光图形对待处理剥离结构进行曝光处理，使第一光刻胶层与胶膜结构层形成一级向上的第二台阶，其中，第一光刻胶层为待处理第一光刻胶层的未曝光区域；显影待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构，利用该剥离结构制得的图形化金属边缘光滑、线宽窄。
请参考图12至图15，图12至图15为本发明实施例所提供的金属图形化的剥离结构制作方法的工艺流程图。
参见图12，在本发明实施例中，金属图形化的剥离结构制作方法包括：
步骤S201：在所述衬底的上表面形成待处理LOR光刻胶层；
参见图13，本步骤中，在衬底1的上表面涂敷一层待处理LOR光刻胶层210。
步骤S202：在所述待处理LOR光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第二光刻胶层；
参见图14，本步骤中，在待处理LOR光刻胶层210背离衬底1的表面涂覆一层待处理第二光刻胶层220。
步骤S203：按照所述第一预设曝光图形对所述待处理LOR光刻胶层和所述待处理第二光刻胶层进行曝光处理，使LOR光刻胶层和第二光刻胶层具有一级向上的第一台阶，其中，所述LOR光刻胶层、所述第二光刻胶层分别为所述待处理LOR光刻胶层、所述待处理第二光刻胶层的未曝光区域；
参见图15，本步骤中，对待处理LOR光刻胶层210和待处理第二光刻胶层220进行曝光处理。
需要指出的是，第一预设曝光图形为具有一级向下的与第一台阶相匹配的台阶的图形。
步骤S204：在经过曝光处理的待处理第二光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第一光刻胶层，得到待处理剥离结构；
步骤S205：按照第二预设曝光图形对所述待处理剥离结构进行曝光处理，使第一光刻胶层与所述第二光刻胶层形成一级向上的第二台阶，其中，所述第一光刻胶层为所述待处理第一光刻胶层的未曝光区域；
步骤S206：显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构。
请参考图16至图20，图16至图20为本发明实施例所提供的金属图形化的剥离结构制作方法的工艺流程图。
参见图16，在本发明实施例中，金属图形化的剥离结构制作方法包括：
步骤S301：在所述衬底的上表面形成待处理第三光刻胶层；
参见图17，本步骤中，在衬底1的上表面涂敷一层待处理第三光刻胶层230。
步骤S302：按照第三预设曝光图形对所述待处理第三光刻胶层进行曝光处理；
参见图18，本步骤中，对待处理第三光刻胶层230的局部区域进行曝光处理。
步骤S303：在经过曝光处理的待处理第三光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第四光刻胶层；
参见图19，本步骤中，在经过曝光处理的待处理第三光刻胶层230上表面涂覆一层待处理第四光刻胶层240。
步骤S304：按照第四预设曝光图形对所述待处理第四光刻胶层进行曝光处理，使第三光刻胶层和第四光刻胶层具有一级向上的第一台阶，其中，所述第三光刻胶层、第四光刻胶层分别为所述待处理第三光刻胶层、所述待处理第四光刻胶层的未曝光区域；
参见图20，本步骤中，对待处理第四光刻胶层240进行局部曝光处理，使得未曝光区域(第四光刻胶层24)与待处理第三光刻胶层230的未曝光区域(第三光刻胶层23)形成一级向上的第一台阶。
步骤S305：在经过曝光处理的待处理第四光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第一光刻胶层，得到待处理剥离结构；
步骤S306：按照第二预设曝光图形对所述待处理剥离结构进行曝光处理，使第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶，其中，所述第一光刻胶层为所述待处理第一光刻胶层的未曝光区域；
步骤S307：显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构包括：
显影所述待处理剥离结构的曝光区域；
对所述衬底的上表面与所述待处理剥离结构的所述曝光区域接触的区域进行扫膜处理，形成所述剥离结构。
具体的，扫膜处理时扫膜量的厚度取值范围为至/>包括端点值，优选在/>至/>之间，以去除衬底的上表面与待处理剥离结构的曝光区域接触的区域的残胶，避免在沉积金属层时，因残胶的存在，导致金属层与衬底粘附力不强，影响图形化金属的质量。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
以上对本申请所提供的金属图形化的剥离结构及其制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种金属图形化的剥离结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上表面的胶膜结构层，且所述胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；
位于所述胶膜结构层背离所述衬底的表面的第一光刻胶层，且所述第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。
2.如权利要求1所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述胶膜结构层包括：
位于所述衬底上表面的LOR光刻胶层；
位于所述LOR光刻胶层背离所述衬底的表面的第二光刻胶层。
3.如权利要求1所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述胶膜结构层包括：
位于所述衬底上表面的第三光刻胶层；
位于所述第三光刻胶层背离所述衬底的表面的第四光刻胶层。
4.如权利要求2所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述LOR光刻胶层的厚度取值范围为至/>包括端点值。
5.如权利要求1所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述第二台阶的宽度取值范围为0.5μm至5.0μm，包括端点值。
6.如权利要求1至5任一项所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述第一台阶的宽度取值范围为0.5μm至2.0μm，包括端点值。
7.一种金属图形化的剥离结构制作方法，其特征在于，包括：
在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层；
按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域；
在经过曝光处理的待处理胶膜结构层背离所述衬底的表面形成待处理第一光刻胶层，得到待处理剥离结构；
按照第二预设曝光图形对所述待处理剥离结构进行曝光处理，使第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶，其中，所述第一光刻胶层为所述待处理第一光刻胶层的未曝光区域；
显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构。
8.如权利要求7所述的金属图形化的剥离结构制作方法，其特征在于，所述显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构包括：
显影所述待处理剥离结构的曝光区域；
对所述衬底的上表面与所述待处理剥离结构的所述曝光区域接触的区域进行扫膜处理，形成所述剥离结构。
9.如权利要求7或8所述的金属图形化的剥离结构制作方法，其特征在于，所述在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层包括：
在所述衬底的上表面形成待处理LOR光刻胶层；
在所述待处理LOR光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第二光刻胶层；
相应的，按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域包括：
按照所述第一预设曝光图形对所述待处理LOR光刻胶层和所述待处理第二光刻胶层进行曝光处理，使LOR光刻胶层和第二光刻胶层具有一级向上的第一台阶，其中，所述LOR光刻胶层、所述第二光刻胶层分别为所述待处理LOR光刻胶层、所述待处理第二光刻胶层的未曝光区域。
10.如权利要求7或8所述的金属图形化的剥离结构制作方法，其特征在于，所述在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层包括：
在所述衬底的上表面形成待处理第三光刻胶层；
按照第三预设曝光图形对所述待处理第三光刻胶层进行曝光处理；
在经过曝光处理的待处理第三光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第四光刻胶层；
相应的，按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域包括：
按照第四预设曝光图形对所述待处理第四光刻胶层进行曝光处理，使第三光刻胶层和第四光刻胶层具有一级向上的第一台阶，其中，所述第三光刻胶层、第四光刻胶层分别为所述待处理第三光刻胶层、所述待处理第四光刻胶层的未曝光区域。
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