CN105039984B - 一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺 - Google Patents

一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺,步骤如下:①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜;②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜;③在保护膜上涂覆光刻胶,刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版;④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形;⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形;⑥依次去除光刻胶和保护膜,得到最终所需的NiCr图形。本发明中,保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触,从而能防止产生过刻蚀,刻蚀的图形边缘清晰无毛边,均匀性良好。

Description

一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺
技术领域
本发明涉及金属湿法刻蚀技术领域,具体涉及一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺。
背景技术
申请号为201010286212.2的中国专利提出了一种用于MEMS结构制备的金属湿法刻蚀装置及刻蚀工艺,获得了6寸硅片内均匀且过刻蚀较小的NiCr图形。但是当NiCr薄膜厚度较大时所获得的NiCr图形仍不理想:由于浸泡在NiCr刻蚀液时间较长,导致NiCr线条严重过刻,边缘发毛;而片面均匀性也随着腐蚀时间加长而下降,边缘区域NiCr线条明显较中间区域NiCr线条偏窄。
发明内容
本发明所要解决的问题是如何提供一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺,解决湿法刻蚀较厚的NiCr时容易出现过刻蚀、边缘发毛的问题。
本发明所提出的技术问题是这样解决的:
光刻前采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr合金薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的薄膜,该薄膜在NiCr刻蚀过程中与光刻胶一道对NiCr薄膜形成良好的保护。
一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺,步骤如下:
①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜;
②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜;
③在保护膜上涂覆光刻胶,刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版;
④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形;
⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形;
⑥依次去除光刻胶和保护膜,得到最终所需的NiCr图形。
进一步地,所述保护膜为氮化硅薄膜。
进一步地,氮化硅薄膜厚度为20-100nm。
本发明的有益效果:
在NiCr厚度较大时,采用以上改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺可获得过刻较小,且均匀性良好的刻蚀图形。
本发明中,保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触,从而能防止产生过刻蚀,刻蚀的图形边缘清晰无毛边,均匀性良好。
附图说明
图1为本发明的工艺流程示意图;
图2为采用本工艺刻蚀后的图形;
图3为只采用氮化硅保护刻蚀后的图形;
图4为传统的只用光刻胶保护刻蚀后的图形;
图中附图标记为:1-硅片,2-NiCr薄膜,3-保护膜,4-光刻胶。
具体实施方式
实施例
下面结合实施例对本发明作进一步描述:
1.采用磁控溅射工艺在6寸硅片1上制备120nm NiCr薄膜2。
2.采用等离子增强化学气相沉积工艺制备50nm氮化硅保护膜3。图1中a为以上两步工艺后的示意图。
3.涂覆光刻胶4,采用标准光刻工艺获得如图1中的b所示图形。
4.采用反应离子刻蚀工艺刻蚀氮化硅保护膜3后得到如图1中的c所示图形。
5.采用专利201010286212.2所述装置和工艺刻蚀NiCr薄膜2,得到图1中的d所示图形。
6.采用标准去胶工艺去除光刻胶4;采用步骤4所述反应离子刻蚀工艺去除氮化硅保护膜3,得到图1中的e所示图形。
7.依次采用丙酮、乙醇及去离子水对基片进行超声清洗。
至此工艺结束。
刻蚀完的图形如图2所示,采用光刻胶加氮化硅保护,过刻蚀很小,边缘整齐。
图3为采用只有50nm氮化硅保护刻蚀后的图形,从图中看出,虽然无发毛现象,但是过刻蚀仍然比较厉害,且边缘呈锯齿。
图4为采用传统的光刻胶保护后刻蚀的图形,从图中看出,过刻蚀严重,且边缘发毛,均匀性差。
以上所述实施例仅表达了本申请的具体实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本申请保护范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请技术方案构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。

Claims (1)

1.一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺,其特征在于,步骤如下:
①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜;
②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜;所述保护膜为氮化硅薄膜,氮化硅薄膜厚度为20-100nm;
③在保护膜上涂覆光刻胶,刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版;
④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形;
⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形;
⑥依次去除光刻胶和保护膜,得到最终所需的NiCr图形。
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