TWI632392B - 具有反射防止功能之構件及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供在基材上均勻形成薄的氧化鋁膜而可以 取得均勻之微細凹凸狀之反射防止構造的具有反射防止功能之構件及其製造方法。
具有反射防止功能之構件(10)具備基材 (11)、被形成在基材(11)之表面的反射防止膜(13)。反射防止膜(13)係藉由利用高溫之熱水或水蒸氣對以原子層堆積法所形成之氧化鋁膜進行水熱處理，形成微細凹凸構造。

Description

具有反射防止功能之構件及其製造方法
本發明係關於具有反射防止功能之構件及其製造方法。
透鏡、平面顯示器(FPD)基板、半導體基板等要求反射防止構造。就以反射防止構造而言，所知的有藉由在基材之表面形成微細之凹凸構造，使折射率不會產生急遽變化之所謂的蛾眼構造。就以在如此之表面形成微細凹凸構造而形成反射防止構造之方法而言，提案有在基材上形成氧化鋁膜等之後，進行浸漬在沸點以下之熱水的水熱處理(例如，專利文獻1、2)。
就以此時之氧化鋁膜之形成方法而言，在專利文獻1揭示有溶膠凝膠法，在專利文獻2揭示有化學蒸鍍法(CVD法)或物理蒸鍍法(PVD法)。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2010-72046號公報
[專利文獻2]日本特開2012-198330號公報
然而，作為光學構件，除了反射防止功能外，也需要高透光功能，即是不損害透過之光的透過率的功能，因所形成之氧化鋁膜之厚度越厚，越使得透過率由於光之吸收而下降，故必須盡可能地將氧化鋁膜設為薄膜(100nm以下)。但是，在如FPD基板般之大型基板之時，在溶膠凝膠法或CVD法、PVD法中，難以均勻形成100nm以下之薄膜。
另外，於在折射率大之基材例如矽晶圓形成如專利文獻1、2所記載般之反射防止構造之時，氧化鋁之折射率為1.6，對此矽之折射率為3.8，也產生該些折射率差大，難謂具有充分反射防止效果的情形。
本發明係鑒於如此之情形而創作出，其課題係以提供在基材上均勻形成薄的氧化鋁膜而可以取得均勻之微細凹凸狀之反射防止構造的具有反射防止功能之構件及其製造方法。
再者，係以提供即使對折射率大之基材亦可以取得充分之反射防止功能的具有反射防止功能之構件及其製造方法為課題。
為了解決上述課題，本發明之第1觀點係提供一種具有反射防止功能之構件，係具備基材，和被形成在上述基材之表面的反射防止膜的具有反射防止功能之構件，其特徵在於：上述反射防止膜係藉由以高溫之熱水或水蒸氣對利用原子層堆積法所形成之氧化鋁膜進行水熱處理，形成微細凹凸構造。
在上述第1觀點中，上述具有反射防止功能之構件係可以當作光學構件或裝置形成用或者平面顯示器用之基板使用。再者，上述氧化鋁膜可以藉由交互供給三甲基鋁和氧化劑而形成。
本發明之第2觀點中，提供一種具有反射防止功能之構件的製造方法，其特徵在於具有：在基材之表面藉由原子層堆積法形成氧化鋁膜之工程；和藉由高溫之熱水或水蒸氣對上述氧化鋁膜施予水熱處理而形成微細凹凸構造，使成為反射防止膜之工程。
在上述第2觀點中，上述氧化鋁膜可以藉由交互供給三甲基鋁和氧化劑而形成。
在本發明之第3觀點中，提供一種具有反射防止功能之構件，其係在基材之表面形成具有反射防止功能之微細凹凸部而形成的具有反射防止功能之構件，其特徵在於：上述微細凹凸部係在上述基材之表面形成氧化鋁膜，接著對氧化鋁膜進行水熱處理而形成微細凹凸狀氧化鋁，之後，藉由將上述微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩而對上述基材之表面進行乾蝕刻，並且除去上述微細凹凸狀 氧化鋁而形成。
在上述第3觀點中，於形成上述微細凹凸部之時所使用之氧化鋁膜以原子層堆積法形成為佳。再者，具有反射防止功能之構件可以當作光學構件或裝置形成用或者平面顯示器用之基板使用。
本發明之第4觀點中，提供一種具有反射防止功能之構件的製造方法，其特徵在於具有：在基材之表面形成氧化鋁膜之工程；藉由高溫之熱水或水蒸氣對上述氧化鋁膜施予水熱處理而形成微細凹凸狀氧化鋁之工程；及將上述微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩而對上述基材之表面進行乾蝕刻而在上述基材之表面形成微細凹凸部，並且除去上述微細凹凸狀氧化鋁，並形成反射防止構造之工程。
在上述第4觀點中，形成上述氧化鋁膜之工程係藉由原子層堆積法而執行為佳。
本發明之第5觀點中，提供一種具有反射防止功能之構件，係在基材之表面形成具有反射防止功能之微細凹凸部而構成的具有反射防止功能之構件，其特徵在於：上述微細凹凸部係藉由在上述基材之表面形成具有基板之折射率之附近的折射率，較基材更容易被蝕刻之易蝕刻性膜，在上述易蝕刻性膜之表面形成氧化鋁膜，接著對氧化鋁膜進行水熱處理而形成微細凹凸狀氧化鋁，之後將上述微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩而對上述易蝕刻性膜之表面進行乾蝕刻，並且除去上述微細凹凸狀氧化鋁而形 成。
本發明之第6觀點中，提供一種具有反射防止功能之構件的製造方法，其特徵在於具有：在基材之表面形成具有基板之折射率之附近的折射率，且較基材更容易被蝕刻之易蝕刻性膜之工程；在上述易蝕刻性膜之表面形成氧化鋁膜之工程；藉由高溫之熱水或水蒸氣對上述氧化鋁膜施予水熱處理而形成微細凹凸狀氧化鋁之工程；及將上述微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩而對上述易蝕刻性膜之表面進行乾蝕刻而在上述易蝕刻性膜之表面形成微細凹凸部，並且除去上述微細凹凸狀氧化鋁，形成反射防止構造之工程。
在上述第5及第6觀點中，於形成上述微細凹凸部之時所使用之氧化鋁膜以原子層堆積法形成為佳。再者，上述第5及第6觀點適合於上述基材為玻璃基板、透明導電膜或彩色濾光器般之難蝕刻性基板之時。
若藉由本發明之第1及第2觀點時，對基材，在其表面形成氧化鋁膜之後，進行水熱處理而形成微細凹凸構造，依此在形成反射防止膜之時，因藉由原子層堆積法形成氧化鋁膜，故即使在大型基板之時，亦可以在基材全體上均勻地形成薄的氧化鋁膜，並不會使高透光功能受損，可以在基材之表面全體均勻地形成構成微細凹凸狀之反射防止膜。
若藉由本發明之第3及第4觀點時，因將於在基材之表面形成氧化鋁膜之後進行水熱處理而所形成之微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩，而對基材表面施予乾蝕刻而在基材表面形成微細凹凸部，並且除去微細凹凸狀氧化鋁，形成反射防止構造，故即使為折射率高之基材，亦不會產生因折射率差所造成的反射，可以取得充分之反射防止功能。
若藉由本發明之第5及第6觀點時，因在基材之表面形成具有基板之折射率之附近的折射率，且較基材更容易被蝕刻之易蝕刻性膜之後，將形成氧化鋁膜之後進行水熱處理而所形成的微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩，對易蝕刻性膜表面施予乾蝕刻而在基材表面形成微細凹凸部，並且除去微細凹凸狀氧化鋁，形成反射防止構造，故即使為折射率高且難蝕刻性之基材，亦不會產生因折射率差所造成的反射，可以取得充分之反射防止功能。
10、20‧‧‧具有反射防止功能之構件
11、21‧‧‧基材
13‧‧‧反射防止膜
14‧‧‧Al2O3膜
15‧‧‧凸部
16‧‧‧凹部
22‧‧‧微細凹凸部
23‧‧‧Al2O3膜
24‧‧‧微細凹凸狀Al2O3
圖1為表示與本發明之第1實施型態有關之具有反射防止功能之構件的剖面圖。
圖2為用以說明與本發明之第1實施型態有關之具有反射防止功能之構件的反射防止膜之形成方法的圖示。
圖3為表示與本發明之第2實施型態有關之具有反射防止功能之構件的剖面圖。
圖4為用以說明與本發明之第2實施型態有關之具有反射防止功能之構件的微細凹凸部之形成方法的圖示。
圖5為用以說明使在基材表面形成Al2O3膜，並將進行水熱處理而形成的微細凹凸狀之膜設為反射防止膜之時之表面部分的折射率變化之圖示。
圖6為用以說明本發明之第2實施型態中在基材表面形成微細凹凸部之時之表面部分之折射率變化的圖示。
圖7為表示與本發明之第3實施型態有關之具有反射防止功能之構件的剖面圖。
圖8為用以說明與本發明之第3實施型態有關之具有反射防止功能之構件的微細凹凸部之形成方法的圖示。
圖9為用以說明在基材表面形成易蝕刻性膜，並在其表面形成Al2O3膜之後，將進行水熱處理而所形成的微細凹凸狀之膜設為反射防止膜之時之表面部分的折射率變化之圖示。
圖10為用以說明本發明之第3實施型態中在易蝕刻性膜表面形成微細凹凸部之時之表面部分之折射率變化的圖示。
以下參照附件圖面針對本發明之實施型態予以說明。
[第1實施型態]
圖1為表示與本發明之第1實施型態有關之具有反射防止功能之構件的剖面圖。
與本實施型態有關之具有反射防止功能之構件10具有基材11，又具有被形成在基材11之表面的構成微細凹凸狀之蛾眼構造的反射防止膜13。構件10即使將其本身當作透鏡等之光學構件使用亦可，即使當作裝置形成用或FPD用之基板使用亦可。
基材11之材料並不特別限定，即使為玻璃、半導體、陶瓷、塑膠、金屬中之任一者亦可，以於當作裝置用基板使用之時使用矽，於當作FPD用之基板或透鏡使用之時使用玻璃為典型例。
反射防止膜13係藉由原子層堆積法(ALD法)形成氧化鋁(Al2O3)膜之後，進行水熱處理而使Al2O3膜成為凹凸狀。
以下，參照圖2針對反射防止膜13之形成方法具體性說明。
如圖2(a)所示般，最初在基材11之表面藉由ALD法形成Al2O3膜14。
於以ALD法形成Al2O3膜14之時，藉由重覆進行複數次依序供給含Al氣體和氧化劑而形成由Al2O3所構成之薄單位膜之操作，即是交互供給含Al氣體和氧化劑，使成為特定膜厚之Al2O3膜。具體而言，在處理容器內收容基材，並將基材加熱至特定溫度，並且使處理容器內排氣至特定真空度，在其狀態下，將「含Al氣體之 供給→處理容器內之沖洗→氧化劑之供給→處理容器內之沖洗」當作用以單位膜形成之1循環而重覆複數次循環。
含Al氣體並不特別限定，若為一般所使用者即可，例如例示有三甲基鋁(TMA)：Al(CH3)3。作為氧化劑可以使用例如H2O、O3、O2電漿。
此時之Al2O3膜14之膜厚以藉由水熱處理取得期待之反射防止構造之厚度為佳。從如此之點來看以100nm以下為佳，以10~50nm為更佳。
接著，如圖2(b)所示般，對Al2O3膜14施予水熱處理，而在Al2O3膜14形成具有微細凸部15及凹部16之微細凹凸。依此，形成微細凹凸狀之反射防止膜13。
水熱處理係可以藉由上述專利文獻1及2所揭示之方法而執行。具體而言，可以藉由浸漬於熱水或高溫之鹼水溶液之方法，或曝露於水蒸氣之方法等而進行。依此，形成較原Al2O3膜14之厚度深的凹凸。此時，不使所有的Al2O3膜14對熱水反應，而使Al2O3膜14之下層側以未反應的原樣殘留為佳。該係因為反應而成為微細凹凸狀化之部分與基材11之密接性下降，成為容易剝離，但是由於殘留未反應之Al2O3膜，可以抑制密接性下降之故。未反應之Al2O3膜之厚度以1~25nm為佳。熱水或高溫之鹼水溶液以60℃以上沸騰溫度以下為佳。對此的浸漬時間依Al2O3膜之膜厚不同而有所不同，但以1秒~30分鐘程度為佳，以10秒~10分鐘為更佳。暴露於水蒸 氣之時的處理時間以1分鐘~24小時為佳。
藉由如此之水熱處理所形成之微細之凸部15及凹部16係以例如100nm程度之間隙所形成，可以設為較照射之光的波長短的間隙，因微細凹凸之形狀為針狀或紡錘狀，故折射率在深度方向連續性變化，能取得反射防止功能。
被形成在反射防止膜13之微細凹凸之深度(凸部之高度)為了取得良好之反射防止機能，以100~500nm為佳。
反射防止膜13具有良好之反射防止性，尤其用於透光構件之時，必須形成不會無效地使透過率惡化(光之吸收)，且密接性不會下降。因此，Al2O3膜必須滿足上述條件。即是，為了滿足透過率，必須在100nm以下，更佳為25~50nm之範圍成膜，為了提高密接性，必須使未反應之Al2O3膜殘留1~25nm。但是，於大面積之基板時，必須在面內均勻地(以±5%以下為佳)形成如此之薄膜，再者，因未反應之Al2O3膜為如1~25nm般之極薄膜厚，故為了高精度控制此，成為基底之Al2O3膜之均勻性仍須極高。但是，以往提案之CVD法、PVD法中，無法均勻地形成如此之薄的膜厚。
對此，在本實施形態中，因使用ALD法形成Al2O3膜14，故可以以薄膜厚且均勻地形成Al2O3膜14。再者，因ALD法之階梯覆蓋性良好，故即使在基板上存在構造物之時，亦可以在基材11之全體均勻地形成Al2O3 膜14。即是，在ALD法中，因重覆複數次形成薄單位膜之操作，故可以薄且均勻地對基材以高階梯覆蓋性進行成膜，可以在基材11表面全體以薄且均勻地形成密接性良好的構成微細凹凸狀之反射防止膜13。
再者，由於ALD法覆蓋性如此地良好，故不僅基材之上面，亦可對在其他方法無法充分成膜之基材之背面或側面進行成膜。
[第2實施型態]
圖3為表示與本發明之第2實施型態有關之具有反射防止功能之構件的剖面圖。
與本實施形態有關之具有反射防止功能之構件20係在基材21之表面形成具有反射防止功能之蛾眼構造之微細凹凸部22。構件20即使將其本身當作透鏡等之光學構件使用亦可，即使當作裝置形成用或FPD用之基板使用亦可。
基材21之材料並不特別限定，即使為玻璃、半導體、陶瓷、塑膠、金屬中之任一者亦可，以於當作裝置用基板使用之時使用矽，於當作FPD用之基板或透鏡使用之時使用玻璃為典型例。
微細凹凸部22係可以藉由在基材21表面形成Al2O3膜，接著進行水熱處理而使Al2O3膜成為微細凹凸狀Al2O3，將該微細凹凸狀Al2O3當作蝕刻遮罩使用而對基材21之表面進行乾蝕刻，轉印其微細凹凸，並且除 去微細凹凸狀Al2O3而形成。
以下，參照圖4針對微細凹凸部22之形成方法具體說明。
如圖4(a)所示般，最初在基材21之表面形成Al2O3膜23。在本實施型態中，與第1實施型態不同，Al2O3膜23之形成方法並不限定於ALD法，例如即使使用CVD法或PVD法(濺鍍法或真空蒸鍍法)等之其他方法亦可。但是，從以良好之覆蓋性在基材21表面薄且均勻地形成Al2O3膜23之觀點來看，與第1實施型態相同，以使用ALD法為佳。
此時之Al2O3膜23之膜厚以藉由接著的水熱處理可以形成成為蝕刻遮罩之微細凹凸，並且可以形成期待之微細凹凸部22之厚度為佳。從如此之點來看Al2O3膜23之膜厚以3~50nm為佳。
接著，如圖4(b)所示般，對Al2O3膜23施予水熱處理，而形成微細凹凸狀Al2O3 24。此時之水熱處理條件可以與第1實施型態進行相同。微細凹凸狀Al2O3 24被形成針狀或紡錘狀。
微細凹凸狀Al2O3 24之凹凸之深度(凸部之高度)雖然可以因應欲取得之微細凹凸部22之深度等而適當設定，但是以10~300nm為佳。
接著，如圖4(c)所示般，將微細凹凸狀Al2O3 24當作蝕刻遮罩而開始進行基材21表面之乾蝕刻。然後，如圖4(d)所示般，也一併蝕刻微細凹凸狀 Al2O3 24，形成期待深度之微細凹凸部22。即使由於微細凹凸部22之深度不同，另外蝕刻微細凹凸狀Al2O3 24亦可。
就以乾蝕刻而言，可以使用一般之電漿蝕刻。就以蝕刻氣體而言，以可以蝕刻基材21和微細凹凸狀Al2O3 24之雙方者為佳，若因應基材21之種類而適當選擇即可。例如，於基材21為矽之時，例示BCl3、Cl2，於基材21為玻璃之時，例示BCl3、CF4、O2。
微細凹凸部22之深度(凸部之高度)可藉由蝕刻時間、蝕刻氣體(種類、流量)、電漿條件(壓力、RF功率)、處理溫度等之製程條件或屬於蝕刻遮罩之微細凹凸狀Al2O3 24高度而調節。微細凹凸部22之深度(凸部之高度)若因應欲取得之反射防止功能而適當設定即可，以100~1000nm為佳。
於上述專利文獻1、2所記載般，於在基材表面形成Al2O3膜，將進行水熱處理而所形成之微細凹凸狀之膜設為反射防止膜之時，當基材以如矽般之折射率大之材料所構成時，以Al2O3所構成之反射防止膜和基材之折射率差變大，在其界面產生反射。
具體而言，如圖5所示般，在矽晶圓之表面形成以Al2O3所構成之微細凹凸狀之反射防止膜之時，到達至基材之前，因折射率n從空氣之n=1連續變化至Al2O3之n=1.6為止，故可以防止反射，但是因構成基材之矽為n=3.8，故折射率差大，在反射防止膜和基材之界 面的反射防止效果並不充分。為了解決該折射率差所產生之不良情形，上述專利文獻2記載有在基材和反射防止膜之間形成具有該些折射率之中間的折射率之光學調整膜，但是光學調整膜之形成較費工，再者無法消除光學調整膜和反射防止膜或基材之間的折射率差。
對此，在本實施型態中，藉由將藉由水熱處理而所形成之微細凹凸狀Al2O3當作蝕刻遮罩而對基材進行乾蝕刻，如圖6所示般，因在基材轉印微細凹凸圖案，故如圖6所示般，可以從空氣之折射率n=1連續變化至基材之折射率例如矽之折射率n=3.8為止。因此，即使為折射率高之基材，也不會產生折射率差所造成之反射，可以取得充分之反射防止效果。
再者，就以在基材直接形成微細凹凸部之手法而言，以往存在有使用微珠，或使用電子線束之方法，但是當欲在大型基材形成微細凹凸時，則需花費較多時間。對此，在本實施型態中，因若在基材形成Al2O3膜後進行水熱處理而形成微細凹凸狀Al2O3，並將此當作蝕刻遮罩而進行乾蝕刻即可，故即使基材大型，亦可以在全面一次形成微細凹凸部，可在短時間形成。
[第3實施型態]
圖7為表示與本發明之第3實施型態有關之具有反射防止功能之構件的剖面圖。
與本實施型態有關之具有反射防止功能之構 件30係在基材31之表面形成具有基材31之折射率之附近(以折射率差為0.1以下為佳)的折射率，較基材31更容易蝕刻之易蝕刻性膜32，並在易蝕刻性膜32之表面形成具有反射防止功能之蛾眼構造之微細凹凸部33而構成。
如此之構造於例如基材31為難蝕刻性材料，例如玻璃基板、透明導電膜、彩色濾光器等，難以直接形成微細凹凸部之時有效。
即是，如第2實施型態般，於基材和Al2O3膜具有大的折射率差之時，雖然以將藉由水熱處理所形成之微細凹凸狀Al2O3當作蝕刻遮罩對基材進行乾蝕刻而形成微細凹凸圖案為有效用，但是於基材為難蝕刻性材料之時難以適用。
因此，在本實施型態中，在基材31上形成由折射率與基材31接近之容易蝕刻之材料所構成之易蝕刻性膜32，對該易蝕刻性膜32，施予將藉由水熱處理所形成之微細凹凸狀Al2O3當作蝕刻遮罩之蝕刻，在易蝕刻性膜32之表面形成具有反射防止功能之蛾眼構造之微細凹凸部33。
具體而言，如圖8所示般，形成具有反射防止功能之構件30。即是，如圖8(a)所示般，最初在難蝕刻性基材31上以適當之薄膜形成方法形成易蝕刻性膜32，接著如圖8(b)所示般，在易蝕刻性膜32表面形成Al2O3膜34。此時之Al2O3膜34之形成方法與第2實施型 態之Al2O3膜23相同，並不限定於ALD法，即使使用例如CVD法或PVD法(濺鍍法或真空蒸鍍法)等之其他方法亦可，以使用ALD法為佳。再者，Al2O3膜34之膜厚等也與第2實施型態之Al2O3膜23相同。接著，如圖8(c)所示般，對Al2O3膜34施予水熱處理，而形成微細凹凸狀Al2O3 35。此時之水熱處理條件可以進行與第1實施型態相同，微細凹凸狀Al2O3 35被形成針狀或紡錘狀。接著，如圖8(d)所示般，將微細凹凸狀Al2O3 35當作蝕刻遮罩而開始進行易蝕刻性膜32表面之乾蝕刻。而且，如圖8(e)所示般，對易蝕刻性膜32及微細凹凸狀Al2O3 35進行蝕刻，形成期待深度的微細凹凸部33。
微細凹凸部33之深度以100~1000nm為佳。再者，並非對易蝕刻性膜32全部進行蝕刻，以不對易蝕刻性膜32之下層側進行蝕刻而使其殘留為佳。此係因為確保微細凹凸部33和基材31之密接性之故。
本實施型態之時，因需要在中間形成易蝕刻性膜32，故較第2實施型態更費工，但是藉由因應基材31而適當選擇易蝕刻性膜32之材料，可以使基材31和易蝕刻性膜32之折射率差幾乎消除，與第2實施型態相同，不會產生由於折射率差所造成的反射，可以取得充分之反射防止效果。
具體而言，如圖9所示般，在折射率大之基材(折射率n=A)之表面存在以Al2O3(折射率n=1.6)所構成之微細凹凸部之時，在Al2O3和基材之間的反射防 止效果並不充分，但是藉由在基材和Al2O3之間設置具有接近於基材(折射率n=A)之折射率的易蝕刻性膜(折射率n=A±α)，將藉由水熱處理所形成之微細凹凸狀Al2O3當作蝕刻遮罩而對易蝕刻性膜進行乾蝕刻，如圖10所示般，藉由在易蝕刻性膜轉印微細凹凸圖案，在基材上形成由折射率接近之材料所構成之微細凹凸部，故可以從空氣之折射率幾乎連續性地變化至基材之折射率。
[其他之適用]
並且，本發明並不限定於上述實施型態，可做各種變形。例如，在上述實施型態中，雖然例示透鏡、半導體基板、FPD等之發光部適用本發明之情形，但是亦可適用於CMOS感測器或太陽電池等之受光部。再者，在本實施型態中，針對基材的材料、水熱處理條件、藉由水熱處理所形成之微細凹凸之深度、對基材進行乾蝕刻時之條件等，雖然例示幾個例，但是並不限定此，當然可在本發明之思想之範圍內進行各種變形。

Claims (11)

  1. 一種具有反射防止功能之構件，係在基材之表面形成具有反射防止功能之微細凹凸部而構成的具有反射防止功能之構件，其特徵在於：上述微細凹凸部係在上述基材之表面形成氧化鋁膜，接著對氧化鋁膜進行水熱處理而形成微細凹凸狀氧化鋁，之後，藉由將上述微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩而對上述基材之表面進行乾蝕刻，並且除去上述微細凹凸狀氧化鋁而形成。
  2. 如請求項1所記載之具有反射防止功能之構件，其中於形成上述微細凹凸部之時所使用之氧化鋁膜係以原子層堆積法所形成。
  3. 如請求項1或2所記載之具有反射防止功能之構件，其中當作光學構件或裝置形成用或者平面顯示器用之基板使用。
  4. 一種具有反射防止功能之構件的製造方法，其特徵在於具有：在基材之表面形成氧化鋁膜之工程；藉由高溫之熱水或水蒸氣對上述氧化鋁膜施予水熱處理而形成微細凹凸狀氧化鋁之工程；及將上述微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩而對上述基材之表面進行乾蝕刻而在上述基材之表面形成微細凹凸部，並且除去上述微細凹凸狀氧化鋁，形成反射防止構造之工程。
  5. 如請求項4所記載之具有反射防止功能之構件的製造方法，其中形成上述氧化鋁膜之工程係藉由原子層堆積法而執行。
  6. 一種具有反射防止功能之構件，係在基材之表面形成具有反射防止功能之微細凹凸部而構成的具有反射防止功能之構件，其特徵在於：上述微細凹凸部係藉由在上述基材之表面形成具有基板之折射率之附近的折射率，且較基材更容易被蝕刻之易蝕刻性膜，在上述易蝕刻性膜之表面形成氧化鋁膜，接著對氧化鋁膜進行水熱處理而形成微細凹凸狀氧化鋁，之後將上述微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩而對上述易蝕刻性膜之表面進行乾蝕刻，並且除去上述微細凹凸狀氧化鋁而形成。
  7. 如請求項6所記載之具有反射防止功能之構件，其中於形成上述微細凹凸部之時所使用之氧化鋁膜以原子層堆積法所形成。
  8. 如請求項6或7所記載之具有反射防止功能之構件，其中上述基材為玻璃基板、透明導電膜或彩色濾光器。
  9. 一種具有反射防止功能之構件的製造方法，其特徵在於具有：在基材之表面形成具有基板之折射率之附近的折射率，且較基材更容易被蝕刻之易蝕刻性膜之工程；在上述易蝕刻性膜之表面形成氧化鋁膜之工程；藉由高溫之熱水或水蒸氣對上述氧化鋁膜施予水熱處理而形成微細凹凸狀氧化鋁之工程；及將上述微細凹凸狀氧化鋁當作蝕刻遮罩而對上述易蝕刻性膜之表面進行乾蝕刻而在上述易蝕刻性膜之表面形成微細凹凸部，並且除去上述微細凹凸狀氧化鋁，並形成反射防止構造之工程。
  10. 如請求項9所記載之具有反射防止功能之構件的製造方法，其中形成上述氧化鋁膜之工程係藉由原子層堆積法而執行。
  11. 如請求項9或10所記載之具有反射防止功能之構件的製造方法，其中上述基材為玻璃基板、透明導電膜或彩色濾光器。
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