JP3591529B2

JP3591529B2 - 貴金属薄膜パターンの形成方法

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Publication number: JP3591529B2
Application number: JP2002223613A
Authority: JP
Inventors: 潔夏目; 寛内藤
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Filing date: 2002-07-31
Publication date: 2004-11-24
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、白金などの貴金属の薄膜パターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
白金薄膜抵抗温度センサは、基板上に白金薄膜を堆積し、これを細線状にパターニングして、これを抵抗体としたもので、白金抵抗体の電気抵抗値の温度による変化を計測して、温度を測定するものである。
このため、白金薄膜の温度特性は重要な特性であり、この温度特性は、白金薄膜の結晶粒径などの膜質に左右され、結晶粒径は薄膜生成時の製膜条件に影響される。
【０００３】
最近、白金抵抗体を酸化膜などで挟み込んだ薄いメンブレン構造の温度センサが熱容量が小さく、応答性が良いものとして注目されるようになった。このセンサは、シリコン基板上に絶縁膜を形成し、この上に白金抵抗体を形成し、この白金抵抗体を絶縁膜で覆った後、白金抵抗体下方のシリコン基板を除去して得られるもので、シリコン基板による熱伝導、熱容量が除外され、高感度、高応答の温度センサとなる。
このメンブレン構造の温度センサでは、メンブレン構造自体に高い機械的強度が要求されるため、白金薄膜パターンの加工、仕上げはこれに見合うようなレベルとされる。
【０００４】
例えば、白金薄膜パターンに汚れや異物が付着していたり、加工時に下地の酸化膜を過剰に薄くしたり、荒らしたりしてしまうことは避けねばならない。また、白金薄膜パターンの側壁が膜表面に対して垂直である場合には、この上に堆積される酸化膜などが段切れ状態となり、白金薄膜パターンを完全に包み込むことができず、隙間が残り、メンブレンの機械的強度が低下するため、白金薄膜パターンの側壁を傾斜させた台形の断面形状をとる必要がある。
【０００５】
このような白金薄膜パターンの形成方法として、次の２種の方法がある。
第１の方法は、図６（ａ）に示すように、基板１上の全面に絶縁膜７を形成し、その上に白金薄膜２をスパッタ法などで堆積し、ついでこの上にレジストを塗布し露光、現像して必要な部分にレジストパターン３を残すようにしてパターニングを行う。残ったレジストパターン３の側壁をテーパー状とするために１５０〜２００℃に加熱して流動化させ、ポストベークを行う。
【０００６】
ついで、図６（ｂ）に示すように、ミリング装置を用いて白金薄膜２をミリングし、白金薄膜２とレジストパターン３とのミリング速度の違いを利用して、パターン化された白金薄膜２の側壁を傾斜させ、ついで図６（ｃ）に示すように、レジストパターン３を灰化などにより除去したのち図６（ｃ）に示すように、パターニングした白金薄膜２を覆って、基板１上に絶縁膜８を形成し、さらに図６（ｄ）に示すように白金薄膜２下方の基板１をエッチングで除去するものである。
【０００７】
しかし、この第１の方法では、ミリングが高エネルギーのイオンの衝撃による物理的な加工手段であるので、ミリング後の硬化したレジストやミリング特有のスパッタされた側壁堆積物４が残り、これを除去することが困難である。
また、ミリングを実施するためには、基板１をクランプなどで固定する必要があるが、クランプに起因して製品への傷付け、製品収量の低下などの問題がある。ミリングは基板１の表層をも必然的に削り取ることになり、条件等によっては図６（ｃ）に示すように絶縁膜７が過剰に削れて溝状の凹部５が生じ、これにより機械的強度などの品質が低下する。
【０００８】
また、白金薄膜パターンの側壁の傾斜の度合いは、レジストパターンの側壁の傾斜の度合いに左右されるが、レジストパターンの幅が狭くなると傾斜の度合いを大きくすることができなくなる。また、レジストパターンの側壁の傾斜の度合いを大きくするために、レジストのポストベーク時の温度を高くすると、レジストの除去が困難になるなどの不都合がある。
【０００９】
第２の方法は、図７（ａ）に示すように、絶縁膜７を形成した基板１上にレジスト膜３を塗布し、白金薄膜パターンを形成したい領域のレジスト３を除去する。この時、レジスト膜３の厚さを十分厚くして、次工程で堆積させる白金薄膜に段切れが生じるようにしたり、レジストの露光時に焦点をずらして意図的にレジストの側壁が厚み方向に下方に広がるようにする。
【００１０】
ついで、図７（ｂ）のように、白金薄膜２を全面に堆積する。この時、レジスト膜３上の白金薄膜２と絶縁膜７上の白金薄膜２とは段切れ状態となる。この後、レジスト膜３を灰化などの手段によりリフトオフし、これによりレジスト膜３の上に存在する不要な白金薄膜２を取り除き、図７（ｃ）に示すように白金薄膜パターン２を形成する方法である。
【００１１】
しかし、この第２の方法では、得られる白金薄膜パターンの側壁の傾斜度合いを制御性良く形成することができない。たとえ、レジスト膜３を２層構造にするなどして、この問題を回避しても、レジストなどの有機材料を使用する限りにおいては、白金薄膜２の堆積時にレジスト膜３から水分、未反応成分、分解成分などが発生し、これが白金薄膜に悪影響を与える。また、白金薄膜中に不純物があると、結晶成長が不十分になり、温度特性が悪くなって、良質の白金薄膜２が得られない。さらに、レジスト膜３を高温で加熱処理し、予めこれら成分を除去しておくことも考えられるが、レジスト膜３の除去が困難となるなどの欠点がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
よって、本発明における課題は、白金などの貴金属からなる貴金属薄膜パターンを形成する際に、得られる貴金属薄膜パターンの側壁の傾斜度合いを再現性よく制御でき、かつレジストから発生するガスの影響を受けることがなく良質の薄膜が得られ、貴金属薄膜パターンに異物が付着したり、貴金属薄膜パターンに傷が付いたり、その収量が低下したりすることがなく、さらには基板下地が過度に削れることがなく、機械的強度が低下することがない製造方法を得ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、請求項１の発明は、基板上に金属犠牲膜を
形成し、この上にマスク層を積層した後、このマスク層を所定のパターンとする開口部を形成し、この開口部に露出した金属犠牲層をこのマスク層開口部の縁より所定量サイドエッチされるよう部分的に除去し、ついで基板全面に貴金属薄膜を堆積したのち、金属犠牲膜を溶解、除去する貴金属薄膜パターンの形成方法である。
【００１４】
また、請求項２の発明は、基板が、下基板とその上に形成された絶縁層からなり、貴金属薄膜下方の下基板をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の貴金属薄膜パターンの形成方法である。
請求項３の発明は、貴金属薄膜の堆積を、基板に対して傾斜した方向から貴金属粒子が入射するように行う請求項１または２に記載の貴金属薄膜パターンの形成方法である。
請求項４の発明は、隣接する貴金属薄膜パターン間にパターン形成されたマスク層の幅が、３〜４０μｍである請求項１ないし３のいずれかに記載の貴金属薄膜パターンの形成方法である。
【００１５】
請求項５の発明は、貴金属薄膜パターンの厚みを１とすると、金属犠牲膜の厚みを０．７〜１．７とする請求項１ないし４のいずれかに記載の貴金属薄膜パターンの形成方法である。
請求項６の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の方法で形成され、その側壁が傾斜している貴金属薄膜パターンである。
本発明において、貴金属薄膜パターンとは、貴金属薄膜からなり、所定の形状（パターン）を有するもので、目的とする回路、抵抗体等を構成するものを言う。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明の形成方法の一例を工程順に示したものである。
図１中符号１１は、基板を示す。この基板１１は、ガラス、石英、セラミック、シリコンなどからなり、その表面に酸化膜、窒化膜などの絶縁膜が形成されていても良い。以下、酸化シリコン等からなる絶縁膜７を形成したシリコン基板１１の場合について説明する。
【００１７】
この基板１１上に、まず金属犠牲膜１２をスパッタ、蒸着などの手段により堆積する。この犠牲膜１２は、チタン、アルミニウム、クロム、銅などの貴金属以外の金属からなる層である。ここで犠牲層１２をなす金属は、酸、アルカリによるエッチングまたはプラズマエッチングによりサイドエッチング量を制御でき、かつ酸、アルカリによって効率よく溶解除去できるもので、製品そのものや製造ラインを汚染しないものが選択される。
【００１８】
この犠牲膜１２の厚みは、得ようとする貴金属薄膜パターンの厚みの０．７〜１．７倍とされ、例えば貴金属薄膜パターンの厚みが３００ｎｍの時は２００〜５００ｎｍとされる。犠牲膜１２の厚みが厚すぎると、貴金属薄膜の堆積時に薄膜をなす金属粒子が入り込む距離が長くなり、微細な線幅や間隔のパターニングができなくなる。
【００１９】
逆に、その厚みが薄くすぎると、得られる貴金属薄膜パターンの側壁を適度に傾斜させることが難しくなり、犠牲膜１２を除去する際の薬剤の浸入が不十分になり易い。また、マスク層上の貴金属薄膜と、空洞部内に堆積した貴金属薄膜とが繋がってしまい、リフトオフが困難となる。
【００２０】
また、貴金属薄膜パターンの側壁の傾斜角度をなだらかにする場合には、犠牲膜１２の厚みを、貴金属薄膜パターンの厚みよりも厚くし、１〜１．７倍とすることが好ましい。さらに、貴金属薄膜パターンの側壁の傾斜角度を急峻にするには、犠牲膜１２の厚みを、貴金属薄膜パターンの厚みよりも薄くし、０．７〜１倍とすることが好ましい。
【００２１】
次いで、この犠牲膜１２上全面にマスク層１３を堆積する。このマスク層１３は、犠牲膜１２のエッチングに対して耐性があり、ハードマスクとしての機能を果たせる材料で形成される。このマスク層１３は、例えばＣＶＤ法などによって得られる厚み３００〜５００ｎｍの酸化珪素などの酸化膜、窒化珪素などの窒化膜、常圧ＣＶＤ法によるフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）膜、ボロフォスフォシリケートガラス（ＢＰＳＧ）膜、塗布によるスピンオングラス（ＳＯＧ）膜、スパッタ法による絶縁膜、金属膜などである。
【００２２】
このマスク層１３としては、この上に貴金属薄膜を堆積しても空洞部に張り出した部分が変形しないこと、開口加工が容易で、犠牲膜１２のサイドエッチングの際に寸法変換差（設計寸法と実際に加工してできあがった寸法の差をいう）が大きくならないように、フッ酸などによるエッチング速度あるいはプラズマによるエッチング速度が十分に低いものがよい。この寸法変換差が大きいとは、例えば図１（ｄ）において、金属犠牲膜１２をエッチングする際、マスク層１３もエッチングされて開口幅が広がってしまい、マスク層１３の開口幅も広がってしまい、できあがった貴金属薄膜パターン１８（図１（ｇ））の線幅が設計寸法よりも太くなってしまうことをいう。
【００２３】
マスク層１３の厚みが厚くなるとその強度は増すが、斜め方向から空洞部内部への貴金属粒子の堆積が困難になり、線幅の広い貴金属薄膜パターンと線幅の狭い貴金属薄膜パターンとの側壁の傾斜および厚さが相違することになる。
【００２４】
ついで、図１（ｂ）に示すように、マスク層１３の上に、貴金属薄膜パターンを形成したい領域に開口を有するレジストパターン１４を形成する。このレジストパターン１４の形成は、通常のホトリソグラフィで行われる。
この際、隣接する貴金属薄膜パターンを得る場合は、それらの平面的な位置の間に形成するマスク層１３の幅（図１（ｅ）中Ｗで示す）の設定を適切に選ぶことが必要であり、図１（ｂ）で形成するレジストパターン１４のレジストが存在する領域の平面的な寸法を適切に選ぶ。
【００２５】
寸法Ｗは、３〜４０μｍ程度が望ましい。後工程での犠牲膜１２の全体の除去の際に薬剤が十分に空洞部内に到達する必要があり、工業的には、Ｗは４０μｍ程度以下とする必要がある。また、次工程で犠牲膜１２をサイドエッチングする際に、この上のマスク層１３が流失、除去されないように、Ｗは３μｍ程度以上が必要となる。
【００２６】
ついで、図１（ｃ）に示すように、レジストパターン１４をマスクとしてマスク層１３をドライエッチングして、開口部１５を形成する。ドライエッチングには、ＣＨＦ３＋ＣＦ４などのガスを用いた反応性イオンエッチングなどが用いられる。
【００２７】
このドライエッチングの際、エッチング条件を選べば、開口部１５に露出するマスク層１３の側壁を傾斜させることもでき、これによって貴金属薄膜パターンの側壁の傾斜形状、特に線幅の狭いパターンの厚さを微調整することができる。
【００２８】
ついで、図１（ｄ）に示すように、開口部１５に露出した犠牲膜１２をエッチングおよびサイドエッチングして、開口部１５よりも広い空洞部１６を基板１１の上に形成する。
このエッチングは、希フッ化水素酸、硫酸＋過酸化水素などの薬剤によるエッチング、ＣＦ４などのガスによるプラズマエッチングによって行われる。
【００２９】
ここでの犠牲膜１２のサイドエッチング量は１〜５μｍとされる。５％ＨＦをエッチャントとし犠牲膜１２がチタンの場合は、常温で１μｍ／分の速度でサイドエッチングが進行する。ＨＦの濃度をさらに希釈したものを用いれば、サイドエッチング量をより制御しやすくなる。
【００３０】
硫酸＋過酸化水素からなるエッチャントは、マスク層１３、基板１１素地を全く侵さずに、チタンの犠牲膜１２のみをサイドエッチングするので、理想的なエッチャントであるが、その濃度、温度を厳密に制御しないと、サイドエッチングが進行しすぎて、マスク層１３が流れてしまう危険がある。
【００３１】
次に、図１（ｅ）に示すように、レジストパターン１４をプラズマアッシングなどにより除去する。このレジストパターン１４の除去は、前工程の犠牲膜１２のエッチングの前に行っても良いが、この場合には犠牲膜１２が酸化し、犠牲膜１２のサイドエッチングの制御が難しくなることがある。
【００３２】
ついで、貴金属薄膜の堆積前の前洗浄を行う。これは、基板１１上に形成された膜構造を損なわないように行う必要がある。
例えば、有機剥離剤による処理に続いてイソプロパノールによる洗浄を行い、ついで純水ですすいだのち乾燥する方法が採用される。また、レジストパターン１４の除去を犠牲膜１２のエッチングの前に行う場合は、犠牲膜１２の希フッ化水素酸によるエッチングがこの前洗浄を兼ねることになり、有利となる。
【００３３】
この後、図１（ｆ）に示すように貴金属薄膜を全面に堆積し、マスク層１３上に貴金属薄膜１７を、空洞部１６内に貴金属薄膜パターン１８を形成する。
この貴金属薄膜の堆積は、スパッタ法、蒸着法などの指向性堆積によって行われる。この際、貴金属薄膜粒子に基板１１への入射角度を基板１１に対して垂直としても良いが、図２（ａ）、（ｂ）に示すように入射角度を基板に対する垂直方向よりも僅かに傾斜させることが、得られる貴金属薄膜パターンの壁面を順テーパ状に傾斜させる（高さとともにパターンの幅が減少する形状にする）ことができて好ましい。
【００３４】
貴金属粒子の入射角度を基板１１に対して傾斜させるには、スパッタ装置や蒸着装置のターゲット、蒸着源と基板１１との配置関係などを調整することによって簡単に行うことが出来る。
【００３５】
図３は、マグネトロンスパッタリングにおけるターゲットと基板の関係を示すものであり、基板１１となるウエハＷｆはターゲットＴに平行に配置される。ターゲットＴは通常ウエハＷｆより大きくマグネットのあるエロージョン領域Ｅを備える。ターゲットＴからウエハＷｆまでの距離を短くすると、ウエハＷｆに対してより傾いて入射する粒子が増加する。すなわち、ウエハＷｆとターゲットＴとの距離を変えると入射角度分布も変わる。
【００３６】
ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いた場合には、基板への均一な堆積がなされるようにターゲットのエロージョン領域が基板と同程度に広げられているので、貴金属粒子の基板への入射方向は、基板に対して垂直な方向よりもかなり傾斜した方向で行われ、空洞部１６への平均入射角度が大きくなり、図２（ｂ）に示すように、得られる貴金属薄膜パターン１８の側壁の傾斜がなだらかになる。
一方、図２（ａ）に示すように、入射角度を基板に対する垂直方向からあまり傾斜しない方向とすれば、得られる貴金属薄膜パターン１８の側壁の傾斜は急峻となる。
【００３７】
蒸着装置を用いる場合には、スパッタ装置の場合に比べて入射角度をあまり傾斜させることが出来ないが、蒸着源と基板とのなす角度を自由に変えることができるので、結果的に貴金属薄膜パターン１８の側壁の傾斜角度を自由に調整することができる。例えば、入射角を傾けて２方向以上の方向から蒸着する。
また、この堆積に先立って、基板１１を加熱して吸着水等を除去しておくことが好ましく、堆積と同時に加熱して、貴金属薄膜パターン１８の膜質を調整することもできる。
【００３８】
また、ここでの貴金属薄膜としては、白金、金などの貴金属の単層膜のみならず、Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／ＴｉＯなどの最上層に貴金属層を有する積層膜であってもよい。
これにより、基板１１上の空洞部１６内に目的とする貴金属薄膜パターン１８が形成される。
【００３９】
ついで、基板１１全体を犠牲膜１２用のエッチャントに浸漬し、基板１１上の犠牲膜１２を溶解し、マスク層１３およびその上に堆積した貴金属薄膜１７を除去すれば、図１（ｇ）に示すように基板１１上の目的とする位置に目的とするパターン形状の貴金属薄膜パターン１８が得られることになる。
【００４０】
このエッチャントには、貴金属を侵さないが一般の金属を溶解する薬剤が用いられ、例えば、硝酸、塩酸、フッ酸、硫酸などの酸、アンモニア、水酸化カリウムなどのアルカリ、硫酸＋過酸化水素などが用いられる。ただし、フッ酸やアルカリを用いた場合には、基板１１の下地が酸化膜では、これが多少侵されるので、避けることが望ましい。しかし、下地が窒化膜などではフッ酸、アルカリには侵されないので使用可能である。
【００４１】
犠牲膜１２がチタンからなるときには、硫酸＋過酸化水素（３：１）溶液を１３０℃で使用すると、チタンのみが溶解でき、基板１１の下地表面としてよく使用されるシリコン酸化膜を全く浸食しないので好ましい。この条件では、５分で約５μｍのサイドエッチングが行え、温度を１５０℃にすれば１０分で約１５μｍのサイドエッチングが進行する。
【００４２】
貴金属薄膜パターン１８の形状は、犠牲膜１２で持ち上げられたマスク層１３の開口パターンで決まる。貴金属薄膜の不要部分は犠牲膜１２のエッチングによりリフトオフされ、この除去によって下地表面を損なうことが防止される。
【００４３】
ついで、図１（ｈ）に示すように、貴金属薄膜パターン１８を覆って絶縁膜１９を堆積する。この絶縁膜１９としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜あるいはこれら膜の積層膜を用いてもよい。ただし、積層膜の場合は、絶縁膜の構成は貴金属薄膜パターン１８の上下で対称となるようにする。また、貴金属薄膜パターン１８に接する絶縁膜７は、酸化シリコン膜が望ましい。
【００４４】
図４は、基板１１がシリコン基板１の上に酸化シリコン膜７を形成したものである場合、貴金属薄膜パターン１８下方のシリコン基板１をエッチングで除去した状態の一例を示す。貴金属薄膜パターン１８は上下の絶縁膜７、１９に挟まれた保持されている。
【００４５】
図５は、このような方法で形成された温度センサの一例の平面構造を示すものである。基板１１はシリコン基板１上に酸化シリコン膜７を形成したものであるが、点線で示した窓領域Ｖはシリコン基板１が除去されている。白金抵抗体１８は、窓領域Ｖの中央部で酸化シリコン膜７上に形成され、数μｍ程度の幅を有する。リードＬは、例えば幅５０〜１００μｍ程度の白金抵抗体１８と同一層で形成された白金薄膜であり、白金抵抗体１８の両端に電気的に接続されている。
【００４６】
そして、白金抵抗体１８、リードＬを覆って酸化シリコン膜１９が形成され、リード端部上に開口が形成される。酸化シリコン膜１９上に開口を介してリードＬと接続されたパッドＰが形成されている。
【００４７】
このような貴金属薄膜パターンの形成方法では、貴金属薄膜パターン１８の側壁の傾斜角度を自由に、再現性よく制御することができる。また、貴金属薄膜を堆積するときにはレジストなどの有機質成分が基板１１上に存在しておらず、堆積した貴金属薄膜が有機質成分に起因するガス等によって汚染されることがなく、堆積が高真空中ないし不活性ガスの減圧雰囲気中で行われるので良好な膜質の貴金属薄膜パターン１８が得られる。
【００４８】
また、得られる貴金属薄膜パターン１８には異物が付着したり、傷が付いたりすることがない。さらに、基板１１が工程中において損傷を受けることがなく、その機械的強度が低下したり、収量が減少したりすることもない。また、すべての工程が、半導体製造ラインの標準的な設備で実施できるので、特別の設備等を必要としない。
【００４９】
以下、具体例を示す。
シリコン製基板の表面の酸化シリコン膜上に、スパッタ法により厚み３００ｎｍのチタンの犠牲膜を堆積した。この犠牲膜の上にプラズマＣＶＤ法で窒化珪素からなる厚み３００ｎｍのマスク層を堆積し、さらにこの上にポジ型ホトレジスト膜の塗布、露光、現像により、開口幅１５００ｎｍの線状のレジストパターンを形成した。
【００５０】
ついで、このレジストパターンをマスクとして、窒化珪素からなるマスク層をＣＦ４＋ＣＨＦ３ガスを使用したプラズマエッチングによりエッチングして、開
口幅１５００ｎｍの線状の開口部を形成した。この後、開口部に露出したチタンの犠牲膜を硫酸＋過酸化水素水溶液でエッチングおよびサイドエッチングして、幅３５００ｎｍの線状の空洞部を基板の酸化シリコン膜上に形成した。
【００５１】
つぎに、レジストパターンをプラズマアッシング（灰化）して、除去した。この後、基板を洗浄、乾燥したのち、基板全体に白金薄膜を堆積した。この堆積は、直流マグネトロンスパッタ装置を使用して行われ、白金粒子の基板に対する入射角度を基板の垂直方向に対して４５度が中心となるように基板とターゲットとの間隔等を設定した。堆積厚みは約３００ｎｍとした。
【００５２】
ついで、基板全体を硫酸＋過酸化水素水溶液のエッチング液に浸漬し、１３０℃で１０分間処理し、チタンからなる犠牲膜を溶解し、これによって犠牲膜上のマスク層と白金薄膜をリフトオフして、基板上に上部の線幅１２００ｎｍ、下部の線幅１６００ｎｍ、厚み３００ｎｍ、側壁の傾斜角度約４５度の線状の白金薄膜パターンが得られた。
【００５３】
このようにして得られた白金薄膜パターンは、その側壁、表面には異物の付着がなく、基板の下地の酸化膜の浸食もなかった。また、膜質も良好であり、これを白金抵抗体として、白金抵抗温度センサとしたところ、良好な温度特性が得られた。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の貴金属薄膜パターンの形成法によれば、貴金属薄膜パターンの側壁の傾斜角度を自由に、再現性よく制御することができる。また、貴金属薄膜を堆積するときにはレジストなどの有機質成分が基板上に存在しておらず、堆積した貴金属薄膜が有機質成分に起因するガス等によって汚染されることがなく、堆積が高真空中で行われるので良好な膜質の貴金属薄膜パターンが得られる。
【００５５】
また、得られる貴金属薄膜パターンには異物が付着したり、傷が付いたりすることがない。さらに、基板が工程中において損傷を受けることがなく、その機械的強度が低下したり、収量が減少したりすることもない。また、すべての工程が、半導体製造ラインの標準的な設備で実施できるので、特別の設備等を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の貴金属薄膜パターンの形成方法の一例を工程順に示す概略構成図である。
【図２】貴金属薄膜粒子の基板への入射角度と得られる貴金属薄膜パターンの側壁の傾斜角度との関係を示す概略構成図である。
【図３】マグネトロンスパッタリングにおけるターゲットと基板との配置関係を示す概略構成図である。
【図４】本発明の形成方法で得られたセンサの概略断面図である。
【図５】本発明の形成方法で得られたセンサの概略平面図である。
【図６】従来の貴金属薄膜パターンの形成方法の一例を工程順に示す概略構成図である。
【図７】従来の貴金属薄膜パターンの形成方法の一例を工程順に示す概略構成図である。
【符号の説明】
７…絶縁膜、１１…基板、１２…犠牲膜、１３…マスク層、１４…レジストパターン、１５…開口部、１６…空洞部、１８…貴金属薄膜パターン

Claims

基板上に金属犠牲膜を形成し、この上にマスク層を積層した後、このマスク層に所定のパターンの開口部を形成し、この開口部に露出した金属犠牲層をこのマスク層の開口部の縁より所定量サイドエッチされるよう部分的に除去し、ついで基板全面に貴金属薄膜を堆積したのち、金属犠牲膜を溶解、除去することを特徴とする貴金属薄膜パターンの形成方法。
基板が、下基板とその上に形成された絶縁層からなり、貴金属薄膜下方の下基板をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の貴金属薄膜パターンの形成方法。
貴金属薄膜の堆積を、基板に対して傾斜した方向から貴金属粒子が入射するように行うことを特徴とする請求項１または２に記載の貴金属薄膜パターンの形成方法。
隣接する貴金属薄膜パターン間にパターン形成されたマスク層の幅が、３〜４０μｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の貴金属薄膜パターンの形成方法。
貴金属薄膜パターンの厚みを１とすると、金属犠牲膜の厚みを０．７〜１．７とすることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の貴金属薄膜パターンの形成方法。
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法で形成され、その側壁が傾斜していることを特徴とする貴金属薄膜パターン。