JP2020504909A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020504909A5 JP2020504909A5 JP2019536303A JP2019536303A JP2020504909A5 JP 2020504909 A5 JP2020504909 A5 JP 2020504909A5 JP 2019536303 A JP2019536303 A JP 2019536303A JP 2019536303 A JP2019536303 A JP 2019536303A JP 2020504909 A5 JP2020504909 A5 JP 2020504909A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- pit
- layer
- semiconductor
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170001461A KR102623610B1 (ko) | 2017-01-04 | 2017-01-04 | 반도체 소자 및 이를 갖는 발광소자 패키지 |
| KR10-2017-0001461 | 2017-01-04 | ||
| KR1020170001904A KR102606859B1 (ko) | 2017-01-05 | 2017-01-05 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지 |
| KR10-2017-0001904 | 2017-01-05 | ||
| PCT/KR2018/000186 WO2018128419A1 (ko) | 2017-01-04 | 2018-01-04 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020504909A JP2020504909A (ja) | 2020-02-13 |
| JP2020504909A5 true JP2020504909A5 (enExample) | 2021-02-12 |
| JP6994510B2 JP6994510B2 (ja) | 2022-02-04 |
Family
ID=62791027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019536303A Active JP6994510B2 (ja) | 2017-01-04 | 2018-01-04 | 半導体素子及びこれを含む発光素子パッケージ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10971649B2 (enExample) |
| EP (1) | EP3567642B1 (enExample) |
| JP (1) | JP6994510B2 (enExample) |
| CN (1) | CN110494992B (enExample) |
| WO (1) | WO2018128419A1 (enExample) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021102666A1 (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管结构 |
| CN111769187B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-05-23 | 佛山紫熙慧众科技有限公司 | 一种紫外led芯片结构 |
| CN112289872A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） | 倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法 |
| US12484343B2 (en) * | 2021-02-17 | 2025-11-25 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Single chip multi band light emitting diode, light emitting device and light emitting module having the same |
| US12336331B2 (en) | 2021-06-30 | 2025-06-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
| US20230098895A1 (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting device having the same |
| US20230076963A1 (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-09 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting device having the same |
| EP4447134A4 (en) * | 2021-12-10 | 2025-11-19 | Seoul Viosys Co Ltd | LIGHT-ELECTRICAL DIODE AND LIGHT-ELECTRICAL ELEMENT EQUIPPED THEREON |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101164026B1 (ko) * | 2007-07-12 | 2012-07-18 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102009060750B4 (de) | 2009-12-30 | 2025-04-10 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR101804408B1 (ko) * | 2011-09-05 | 2017-12-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| US8853668B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting regions for use with light emitting devices |
| US8698163B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-04-15 | Toshiba Techno Center Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
| KR20130068701A (ko) | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| KR20140094807A (ko) * | 2013-01-23 | 2014-07-31 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광소자 |
| KR102098110B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2020-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
| KR20150025264A (ko) * | 2013-08-28 | 2015-03-10 | 삼성전자주식회사 | 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| JP6010869B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2016-10-19 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ 族窒化物半導体発光素子 |
| KR102142709B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2020-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
| KR102131319B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2020-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
| KR102075987B1 (ko) | 2014-02-04 | 2020-02-12 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
| KR102199998B1 (ko) | 2014-06-09 | 2021-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| JP2016063176A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子 |
| KR102261957B1 (ko) | 2015-04-13 | 2021-06-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
| KR102391302B1 (ko) | 2015-05-22 | 2022-04-27 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR102415331B1 (ko) * | 2015-08-26 | 2022-06-30 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치 |
| JP6500239B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2019-04-17 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| DE102016208717B4 (de) * | 2016-05-20 | 2022-03-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelement mit erhöhter Effizienz und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
| KR102320022B1 (ko) * | 2017-03-09 | 2021-11-02 | 서울바이오시스 주식회사 | 반도체 발광 소자 |
-
2018
- 2018-01-04 EP EP18736254.6A patent/EP3567642B1/en active Active
- 2018-01-04 CN CN201880015967.3A patent/CN110494992B/zh active Active
- 2018-01-04 WO PCT/KR2018/000186 patent/WO2018128419A1/ko not_active Ceased
- 2018-01-04 US US16/475,895 patent/US10971649B2/en active Active
- 2018-01-04 JP JP2019536303A patent/JP6994510B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2020504909A5 (enExample) | ||
| JP2012080111A5 (enExample) | ||
| JP2015060896A5 (enExample) | ||
| TWI613814B (zh) | 增強型高電子遷移率電晶體元件 | |
| TWI661554B (zh) | 增強型高電子遷移率電晶體元件及其形成方法 | |
| US8772834B2 (en) | High electron mobility transistor and method of driving the same | |
| JP2017028252A5 (ja) | トランジスタ | |
| JP5503487B2 (ja) | 歪緩衝中間層を有するｉｉｉ−ｖ族半導体デバイス | |
| JP2010522435A5 (enExample) | ||
| US9508809B2 (en) | III-N device with extended source and drain | |
| JP2013145821A5 (enExample) | ||
| JP2013187546A (ja) | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2009147194A5 (enExample) | ||
| JP2019075558A5 (enExample) | ||
| JP2015084417A5 (enExample) | ||
| JP2014236153A5 (enExample) | ||
| JP5388514B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| CN111684605A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| US9502548B1 (en) | Semiconductor device | |
| JP5649357B2 (ja) | 半導体装置及び製造方法 | |
| FR3073079B1 (fr) | Procede de fabrication d'un composant electronique a doubles boites quantiques | |
| JP2019169729A5 (enExample) | ||
| WO2016084311A1 (ja) | エピタキシャルウェーハ、半導体素子、エピタキシャルウェーハの製造方法、並びに、半導体素子の製造方法 | |
| JP2017092464A5 (enExample) | ||
| JP2010186943A (ja) | 窒化物半導体装置 |