JP2018501184A - 金属るつぼ内に含まれる金属からベータ相の酸化ガリウム（β−Ｇａ２Ｏ３）単結晶を成長させる方法 - Google Patents

金属るつぼ内に含まれる金属からベータ相の酸化ガリウム（β−Ｇａ２Ｏ３）単結晶を成長させる方法 Download PDF

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EP15150582.3A EP3042986A1 (en) 2015-01-09 2015-01-09 Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible by controlling the partial pressure of oxygen.
PCT/EP2015/079938 WO2016110385A1 (en) 2015-01-09 2015-12-16 METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE (β-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE

Related Child Applications (1)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020090403A (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 Tdk株式会社 単結晶育成用ルツボ、単結晶製造方法及び単結晶
WO2022202767A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 アダマンド並木精密宝石株式会社 Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法
JP2023547495A (ja) * 2020-12-31 2023-11-10 杭州富加▲じゃ▼業科技有限公司 ディープラーニングと熱交換法による導電性酸化ガリウムの製造方法
JP2023547931A (ja) * 2020-12-31 2023-11-14 杭州富加▲じゃ▼業科技有限公司 ディープラーニングと熱交換法による高抵抗型酸化ガリウムの製造方法
JP2025504685A (ja) * 2022-01-31 2025-02-14 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト 導電性バルクβ－ＧＡ２Ｏ３単結晶を製造するための方法および装置ならびに導電性バルクβ－ＧＡ２Ｏ３単結晶

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6899555B2 (ja) * 2016-11-07 2021-07-07 日新技研株式会社 単結晶製造装置及びその製造方法
JP6824829B2 (ja) * 2017-06-15 2021-02-03 株式会社サイオクス 窒化物半導体積層物の製造方法、窒化物半導体自立基板の製造方法および半導体装置の製造方法
CN108982600B (zh) * 2018-05-30 2021-07-09 杨丽娜 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法
CN109183151B (zh) * 2018-09-20 2023-08-18 江苏穿越光电科技有限公司 石墨烯量子点掺杂氧化镓晶体材料及其制备方法
CN109537055A (zh) * 2019-01-28 2019-03-29 山东大学 一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法
FR3085535B1 (fr) * 2019-04-17 2021-02-12 Hosseini Teherani Ferechteh Procédé de fabrication d’oxyde de gallium de type p par dopage intrinsèque, le film mince obtenu d’oxyde de gallium et son utilisation
CN113073388A (zh) 2019-08-21 2021-07-06 眉山博雅新材料有限公司 一种晶体
CN110911270B (zh) * 2019-12-11 2022-03-25 吉林大学 一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法
KR102566964B1 (ko) * 2020-06-05 2023-08-17 고려대학교 산학협력단 베타 산화갈륨 박막 제조방법
TR202019031A2 (tr) * 2020-11-25 2021-02-22 Univ Yildiz Teknik Yüksek kalitede hetero epitaksiyel monoklinik galyum oksit kristali büyütme metodu
CN112836853A (zh) * 2020-12-31 2021-05-25 杭州富加镓业科技有限公司 一种基于深度学习和热交换法的氧化镓制备方法及系统
CN112837758A (zh) 2020-12-31 2021-05-25 杭州富加镓业科技有限公司 一种基于深度学习和导模法的导电型氧化镓的质量预测方法、制备方法及系统
CN112941620B (zh) * 2021-03-12 2025-09-16 中国科学院合肥物质科学研究院 控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置及方法
CN114561701B (zh) * 2021-06-07 2022-08-19 浙江大学杭州国际科创中心 一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件
EP4123061A1 (en) 2021-07-22 2023-01-25 Siltronic AG Method for producing a gallium oxide layer on a substrate
JP7786712B2 (ja) * 2021-10-26 2025-12-16 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 単結晶育成装置
CN114086249A (zh) * 2021-12-02 2022-02-25 北京镓和半导体有限公司 氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法
CN114059162B (zh) * 2022-01-14 2022-05-13 浙江大学杭州国际科创中心 氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法
CN114686965B (zh) * 2022-05-31 2022-09-27 浙江大学杭州国际科创中心 一种无铱区熔法氧化镓晶体的生长装置及生长方法
CN115142130B (zh) * 2022-06-30 2024-02-27 同济大学 一种微下拉区熔法生长片状氧化镓晶体的方法与生长装置
JP2024050122A (ja) * 2022-09-29 2024-04-10 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 単結晶の育成方法、半導体基板の製造方法、及び半導体基板
WO2024078704A1 (en) 2022-10-11 2024-04-18 Forschungsverbund Berlin E.V. MELT-GROWN BULK ß-(AlxGa1-x)2O3 SINGLE CRYSTALS AND METHOD FOR PRODUCING BULK ß-(AlxGA1-x)2O3 SINGLE CRYSTALS
KR102692159B1 (ko) * 2022-12-27 2024-08-06 주식회사 악셀 산화갈륨 단결정 성장용 도가니의 잔멜트 제거방법
KR102728903B1 (ko) * 2023-11-08 2024-11-11 한국세라믹기술원 산화갈륨 단결정 성장 방법 및 단결정 성장 장치
KR102726367B1 (ko) * 2023-12-15 2024-11-04 한국세라믹기술원 도핑 산화갈륨 펠릿, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 도핑 단결정
WO2025217169A1 (en) * 2024-04-08 2025-10-16 Luxium Solutions, Llc Apparatus and method for growth of gadolinium gallium garnet crystal
WO2025250905A1 (en) * 2024-05-31 2025-12-04 Luxium Solutions, Llc Apparatus and method for growth of gallium oxide crystal with an offcut
WO2025263085A1 (ja) * 2024-06-17 2025-12-26 住友電気工業株式会社 ベータ型三酸化二ガリウム単結晶の製造方法、ベータ型三酸化二ガリウム単結晶基板の製造方法、およびベータ型三酸化二ガリウム単結晶基板
CN119413291B (zh) * 2025-01-06 2026-02-17 苏州南智芯材科技有限公司 晶体生长炉的温度标定方法、测量方法及测量装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004056098A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Koha Co Ltd 発光素子およびその製造方法
WO2013159808A1 (en) * 2012-04-24 2013-10-31 Forschungsverbund Berlin E.V. METHOD AND APPARATUS FOR GROWING INDIUM OXIDE (In203) SINGLE CRYSTALS AND INDIUM OXIDE (In203) SINGLE CRYSTAL
JP2013542169A (ja) * 2010-11-15 2013-11-21 エルジー シルトロン インコーポレイテッド サファイアインゴットの成長装置
JP2014221692A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、並びにβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板及びその製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4444728A (en) * 1982-01-21 1984-04-24 Engelhard Corporation Iridium-rhenium crucible
JPS5988398A (ja) * 1982-11-08 1984-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd ガリウムガ−ネツト単結晶の製造方法
JP3822172B2 (ja) * 2003-02-05 2006-09-13 Ｔｄｋ株式会社 単結晶の製造方法
WO2004074556A2 (ja) 2003-02-24 2004-09-02 Waseda University β‐Ｇａ2Ｏ3系単結晶成長方法、薄膜単結晶の成長方法、Ｇａ2Ｏ3系発光素子およびその製造方法
US7595492B2 (en) 2004-12-21 2009-09-29 Hitachi Metals, Ltd. Fluorescent material, a method of manufacturing the fluorescent material, a radiation detector using the fluorescent material, and an X-ray CT scanner
US7947192B2 (en) * 2005-03-30 2011-05-24 Fukuda Crystal Laboratory Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use
JP5521273B2 (ja) * 2007-06-01 2014-06-11 日立化成株式会社 シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
JP2010150056A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Showa Denko Kk サファイア単結晶の製造方法
JP5612216B2 (ja) * 2011-09-08 2014-10-22 株式会社タムラ製作所 結晶積層構造体及びその製造方法
JP5864998B2 (ja) 2011-10-11 2016-02-17 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の成長方法
JP5879102B2 (ja) 2011-11-15 2016-03-08 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３単結晶の製造方法
JP5491483B2 (ja) 2011-11-15 2014-05-14 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の成長方法
JP5891028B2 (ja) 2011-12-16 2016-03-22 株式会社タムラ製作所 Ｇａ２Ｏ３系基板の製造方法
JP6097989B2 (ja) 2012-04-24 2017-03-22 並木精密宝石株式会社 酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板
JP2013237591A (ja) 2012-05-16 2013-11-28 Namiki Precision Jewel Co Ltd 酸化ガリウム融液、酸化ガリウム単結晶、酸化ガリウム基板、および酸化ガリウム単結晶の製造方法
JP6085764B2 (ja) 2012-05-23 2017-03-01 並木精密宝石株式会社 酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板
JP5756075B2 (ja) 2012-11-07 2015-07-29 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法
JP6590699B2 (ja) * 2013-01-23 2019-10-16 ユニバーシティ オブ テネシー リサーチ ファウンデーション ガーネット型シンチレータのシンチレーション及び光学特性を改変するための共ドーピング方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004056098A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Koha Co Ltd 発光素子およびその製造方法
JP2013542169A (ja) * 2010-11-15 2013-11-21 エルジー シルトロン インコーポレイテッド サファイアインゴットの成長装置
WO2013159808A1 (en) * 2012-04-24 2013-10-31 Forschungsverbund Berlin E.V. METHOD AND APPARATUS FOR GROWING INDIUM OXIDE (In203) SINGLE CRYSTALS AND INDIUM OXIDE (In203) SINGLE CRYSTAL
JP2014221692A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、並びにβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板及びその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MORTEZA ASADIAN: "The Influence of Atmosphere on Oxides Crystal Growth", MODERN ASPECTS OF BULK CRYSTAL AND THIN FILM PREPARATION, JPN6019022805, 2012, pages 123 - 140, ISSN: 0004201140 *
ZBIGNIEW GALAZKA, ET AL.: "On the bulk β-Ga2O3 single crystals grown by the Czochralski method", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 404, JPN6019022802, 22 July 2014 (2014-07-22), pages 184 - 191, ISSN: 0004058886 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020090403A (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 Tdk株式会社 単結晶育成用ルツボ、単結晶製造方法及び単結晶
JP7155968B2 (ja) 2018-12-04 2022-10-19 Tdk株式会社 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法
US11946155B2 (en) 2018-12-04 2024-04-02 Tdk Corporation Single-crystal growing crucible, single-crystal production method and single crystal
JP2023547495A (ja) * 2020-12-31 2023-11-10 杭州富加▲じゃ▼業科技有限公司 ディープラーニングと熱交換法による導電性酸化ガリウムの製造方法
JP2023547931A (ja) * 2020-12-31 2023-11-14 杭州富加▲じゃ▼業科技有限公司 ディープラーニングと熱交換法による高抵抗型酸化ガリウムの製造方法
WO2022202767A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 アダマンド並木精密宝石株式会社 Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法
JP2022147882A (ja) * 2021-03-24 2022-10-06 アダマンド並木精密宝石株式会社 Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法
JP2025504685A (ja) * 2022-01-31 2025-02-14 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト 導電性バルクβ－ＧＡ２Ｏ３単結晶を製造するための方法および装置ならびに導電性バルクβ－ＧＡ２Ｏ３単結晶

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