JP2018156106A - 電子写真感光体および画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】多数回繰り返して使用しても、画像異常の発生を抑えることのできる、耐久性に優れた電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置に関する。
【解決手段】電子写真感光体１は、円筒状基体１０と、円筒状基体の外表面に位置している表面層１３と、を備える電子写真感光体であって、表面層の外表面の表面粗さは、円筒の軸線方向の中央部が、軸線方向の両表面層端部のうち少なくとも一方よりも大きい。また、本発明の画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面に接触可能な周辺部材と、を備える。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置に関するものである。

従来、電子写真感光体は、例えば特許文献１に記載されているように円筒状の基体などの表面に、電荷注入阻止層，光導電層，表面保護層等からなる表面層を形成した構成を有する（たとえば、特許文献１〜４を参照）。

特開昭６３−１２９３４８号公報 特開２０１１−２２１１４４号公報 特開２０１６−１８６５７４号公報 特開２００６−１１９５４９号公報

本開示の電子写真感光体は、円筒状基体と、前記円筒状基体の外表面に位置している表面層と、を備える。前記表面層の外表面の表面粗さは、円筒の軸線方向の表面層中央部が、前記軸線方向の両表面層端部のうち少なくとも一方よりも大きい。

本開示の画像形成装置は、上記の電子写真感光体と、前記電子写真感光体と接触可能な周辺部材と、を備える。

本実施形態に係る電子写真感光体を示す断面図である。 図１Ａの要部断面図である。 堆積膜形成装置の縦断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置を示す断面図である。 第１実施形態に係る電子写真感光体の表面粗さと周辺部材との関係を示す分解斜視図と、電子写真感光体１Ａの円筒状基体１０の外周面の幅方向の面粗度の変化を、山谷の差として視覚的に示す模式図とを示す。 第２実施形態に係る電子写真感光体の表面粗さと周辺部材との関係を示す分解斜視図と、電子写真感光体１Ｂの円筒状基体１０の外周面の幅方向の面粗度の変化を、山谷の差として視覚的に示す模式図とを示す。 第３実施形態に係る電子写真感光体の表面粗さと周辺部材との関係を示す分解斜視図と、電子写真感光体１Ｃの円筒状基体１０の外周面の幅方向の面粗度の変化を、山谷の差として視覚的に示す模式図とを示す。 第４実施形態に係る電子写真感光体の表面粗さと周辺部材との関係を示す分解斜視図と、電子写真感光体１Ｄの円筒状基体１０の外周面の幅方向の面粗度の変化を、山谷の差として視覚的に示す模式図とを示す。 第５実施形態に係る電子写真感光体の表面粗さと周辺部材との関係を示す分解斜視図と、電子写真感光体１Ｅの円筒状基体１０の外周面の幅方向の面粗度の変化を、山谷の差として視覚的に示す模式図とを示す。 第６実施形態に係る電子写真感光体の表面粗さと周辺部材との関係を示す分解斜視図と、電子写真感光体１Ｆの円筒状基体１０の外周面の幅方向の面粗度の変化を、山谷の差として視覚的に示す模式図とを示す。 第７実施形態に係る電子写真感光体の表面粗さと周辺部材との関係を示す分解斜視図と、電子写真感光体１Ｇの円筒状基体１０の外周面の幅方向の面粗度の変化を、山谷の差として視覚的に示す模式図とを示す。 第８実施形態に係る電子写真感光体の表面粗さと周辺部材との関係を示す分解斜視図と、電子写真感光体１Ｈの円筒状基体１０の外周面の幅方向の面粗度の変化を、山谷の差として視覚的に示す模式図とを示す。

以下、本実施形態に係る電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の内容は、本発明の実施形態を例示するものであって、本発明はこれらの実施形態の例に限定されるものではない。

（電子写真感光体）
本実施形態に係る電子写真感光体について、図１Ａ、図１Ｂを用いて説明する。

図１Ａ、図１Ｂに示した電子写真感光体１は、円筒状基体１０の外表面に、電荷注入阻止層１１ａおよび光導電層１１ｂを順次形成した感光層１１を有している。感光層１１の外表面上には表面保護層１２が被着されている。なお、ここで、表面層１３は、感光層１１および表面保護層１２を含む。

円筒状基体１０は、感光層１１の支持体となるものであり、少なくとも円筒状基体１０の表面は導電性を有する。

この円筒状基体１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）およびマンガン（Ｍｎ）などの金属材料あるいはこれら例示した金属材料を含む合金材料によって、全体が導電性を有するものとして形成されている。また、円筒状基体１０は、樹脂、ガラスあるいはセラミックスなどの表面に、例示した金属材料ならびにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）あるいはＳｎＯ_２（二酸化すず）などの透明導電性材料による導電性膜を被着したものであってもよい。これらの例示した材料のうち、円筒状基体１０を形成するための材料としては、アルミニウム（Ａｌ）系材料を用いればよく、円筒状基体１０の全体をアルミニウム（Ａｌ）系材料で形成すればよい。そうすれば、電子写真感光体１を軽量かつ低コストで製造可能である。その上、電荷注入阻止層１１ａおよび光導電層１１ｂをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成する場合には、それらの層と円筒状基体１０との間の密着性が高くなって信頼性を向上させることができる。

円筒状基体１０の表面は、粗面化されていてもよい。円筒状基体１０の表面粗さは、粗面化後で、例えば、５０ｎｍ＜Ｓａ＜１４０ｎｍとすればよい。また、粗面化を行なう方法としては、例えば、ウェットブラスト、スパッタエッチング、ガスエッチング、研磨、旋削加工、ウェットエッチング、ガルバニック電喰などを用いればよい。上記表面粗さを満たす抽伸管であれば、表面形状を調整するための表面処理をせずにそのまま用いることもできる。なお、本発明においては、表面の算術平均高さＳａが２５ｎｍ以上の部位（面領域）を「粗面」と呼ぶ。

また、円筒状基体１０の表面は、上述の粗面化の前に、鏡面加工を行なってもよいが、その場合には鏡面加工の後で粗面化の前に油分除去を行なうようにすればよい。さらに、円筒状基体１０の表面粗さは、鏡面加工後で、例えば、Ｓａ＜２５ｎｍとすればよい。なお、本発明においては、表面の算術平均高さＳａが２５ｎｍ未満の部位（面領域）を「鏡面」という。

なお、本明細書において、Ｓａ（算術平均粗さ）とは、ＩＳＯ２５１７８によって定義される三次元の表面性状を表すパラメータの一つであって、測定対象領域中の表面の平均面からの高さの絶対値の算術平均粗さ（ｎｍ）を示す。また、当該測定は、後記のオリンパス株式会社製３次元測定レーザ顕微鏡ＯＬＳ４１００により、ＩＳＯ２５１７８に準拠した３次元粗さパラメータにて表面形状を計測した。なお、電子写真感光体（表面層）の測定は、そのまま製品表面を計測し、表面層下の円筒状基体の外表面（外周面）の測定は、電子写真感光体の製品からＣｌＦ_３やＣＦ_４等を用いたドライエッチングで表面層を除去した後、計測を行った。

なお、電子写真感光体１の表面性状は、必ずしも表面保護層１２の全面において、所定の範囲を満たす必要はない。例えば、クリーニングローラ１１６Ｂまたはクリーニングブレード１１６Ａに接触しない、円筒状基体１０の軸方向両端部等においては、表面性状が範囲外の値となってもよい。このことは、以下に記載される表面性状の全てのパラメータについて同様である。

電荷注入阻止層１１ａは、円筒状基体１０からのキャリア（電子）の注入を阻止する役割を有するものである。この電荷注入阻止層１１ａは、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成されている。この電荷注入阻止層１１ａは、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）と場合により窒素（Ｎ）か酸素（Ｏ）またはその両方を含有させたもの、あるいはリン（Ｐ）と場合により窒素（Ｎ）か酸素（Ｏ）またはその両方を含有させたものを用いることができ、その厚みは２μｍ以上１０μｍ以下とされている。

光導電層１１ｂは、レーザ光などの光照射によってキャリアを発生させる役割を有するものである。この光導電層１１ｂは、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料ならびにＳｅ−ＴｅあるいはＡｓ_２Ｓｅ_３などのアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）系材料で形成されている。本例の光導電層１１ｂは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ならびにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）などを加えたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成されており、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）が含有される。

また、光導電層１１ｂの厚みは、使用する光導電性材料および所望の電子写真特性に応じて適宜設定すればよい。アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料を用いて光導電層１１ｂを形成する場合には、光導電層１１ｂの厚みは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下、より具体的には１０μｍ以上８０μｍ以下に設定すればよい。

表面保護層１２は、感光層１１の表面を保護する役割を有するものである。表面保護層１２は、例えばアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）あるいはアモルファス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ）などのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料または、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）を用いるか、あるいはそれらの多層構造とすればよい。本例では、表面保護層１２を３層構造とし、表面層形成後に最外表面となる表面保護層１２の第３層は、画像形成装置内での摺擦に対する耐摩耗性の観点から、耐性の高いアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）を採用している。

表面保護層１２の厚みは、例えば、電子写真感光体の必要耐久枚数に合わせて調整すればよく、必要以上に厚くする必要は無い。例えば、０．１μｍ以上２μｍ以下、より具体的には０．５μｍ以上、１．５μｍ以下に設定すればよい。

本実施形態において、表面保護層１２の表面粗さは、Ｓｔｒ≧０．６７に設定すればよく、より具体的にはＳｔｒ≧０．７９に設定すればよい。これによれば、優れた耐久特性を発揮し、画像異常の発生を抑制することができる。すなわち、初期におけるクリーニングローラやクリーニングブレードなどとの摩擦抵抗を抑制することができるとともに、耐久使用時において、表面が徐々に磨耗しても表面粗さを一定範囲内に維持し続けることが可能である。その結果、表面保護層と、クリーニングローラやクリーニングブレードとの間の摩擦抵抗の増大を効果的に抑制し続けることができることから、印画した画像に異常スジなどの画像異常を抑制することが可能となる。

また、表面保護層１２の表面粗さは、Ｓａｌ≦１０．３μｍに設定すればよい。さらに、表面保護層１２の表面粗さは、Ｓａｌ≧０．９μｍに設定すればよく、より具体的にはＳａｌ≧１．６μｍに設定すればよい。これによれば、上述のような優れた耐久特性および画像異常の低減をより効果的に発揮することができる。すなわち、表面保護層の表面の面方向において、上記数値で規定される狭いピッチで凹凸が存在することによって、初期不良の低減および耐久使用時の摩擦抵抗増大の抑制を実現することができる。

なお、本明細書において、Ｓｔｒ（表面性状のアスペクト比）とは、ＩＳＯ２５１７８によって定義される三次元の表面性状を表すパラメータの一つであって、表面性状のアスペクト比を示す。すなわち、表面性状の均一性を表す尺度であり、表面の自己相関が相関値０．２に減衰する最も遠い横方向の距離とＳａｌとの比で定義される。Ｓｔｒは０〜１の範囲の値を有し、値が大きければ大きいほど強い等方性を示し、小さければ小さいほど強い異方性を示す。また、本明細書において、Ｓａｌ（最短自己相関距離）とは、ＩＳＯ２５１７８によって定義される三次元の表面性状を表すパラメータの一つであって、最短の自己相関距離（μｍ）を示す。表面の自己相関が相関値０．２に減衰する最も近い横方向の距離を表す。すなわち、横方向の支配的な最小凹凸ピッチを示す。

ここで、ＳａｌおよびＳｔｒは、初期状態の電子写真感光体１、すなわち画像形成装置において多数回繰り返して使用される前の電子写真感光体１の表面保護層１２の表面性状を示す値である。これは、市場製品の電子写真感光体１について、工場出荷時の表面性状を示す値であることを意味する。

なお、この表面保護層１２は、電子写真感光体１に照射されるレーザ光などの光が吸収されたり、反射されたりすることのないように透過性に優れている。また、表面保護層１２は、画像形成における静電潜像を保持でき得る表面抵抗値（一般的には１０^１１Ω・ｃｍ以上）を有するものを用いればよい。

以上のような、電子写真感光体１における表面層１３を構成する、電荷注入阻止層１１ａ、光導電層１１ｂおよび表面保護層１２は、例えば図２に示したプラズマＣＶＤ（化学気相成長：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置２を用いて形成される。

（プラズマＣＶＤ装置）
プラズマＣＶＤ装置２は、支持体３を真空反応室４に収容したものであり、回転手段５、原料ガス供給手段６および排気手段７をさらに備えている。

支持体３は、円筒状基体１０を支持する役割を有するものである。この支持体３は、フランジ部３０を有する中空状に形成されているとともに、円筒状基体１０と同様な導電性材料で全体が導体として形成されている。

導電性支柱３１は、円筒状基体１０と同様な導電性材料で全体が導体として形成されており、真空反応室４（後述する円筒状電極４０）の中心において、後述するプレート４２に対して絶縁材３２を介して固定されている。導電性支柱３１には、導板３３を介して直流電源３４が接続されている。制御部３５は、直流電源３４を制御することにより、導電性支柱３１を介して、支持体３にパルス状の直流電圧を供給させるように構成されている。

導電性支柱３１の内部には、セラミックパイプ３６を介してヒータ３７が収容されている。

ここで、支持体３の温度は、ヒータ３７をオン・オフさせることによって、例えば２００℃以上４００℃以下から選択される一定の範囲に維持される。

真空反応室４は、円筒状基体１０に対して堆積膜を形成するための空間であり、円筒状電極４０および絶縁部材４３，４４を介して接合された一対のプレート４１，４２によって規定されている。

円筒状電極４０は、支持体３に支持させた円筒状基体１０と円筒状電極４０との間の距離Ｄ１が１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下となるような大きさに形成されている。

円筒状電極４０は、ガス導入口４５ａ，４５ｂおよび複数のガス吹き出し孔４６が設けられているとともに、その一端において接地されていてもよい。接地されていない場合は、直流電源３４とは別の基準電源に接続してもよい。

ガス導入口４５ａは、真空反応室４に供給すべき光導電層１１ｂのドーパント専用の原料ガスを導入する役割を有するものである。ガス導入口４５ｂは、真空反応室４に供給すべき原料ガスを導入する役割を有するものである。いずれのガス導入口４５ａ，４５ｂも原料ガス供給手段６に接続されている。

複数のガス吹き出し孔４６は、円筒状電極４０の内部に導入された原料ガスを円筒状基体１０に向けて吹き出す役割を有するものである。複数のガス吹き出し孔４６は、図の上下方向に等間隔になるように配置されているとともに、周方向にも等間隔で配置されている。

プレート４１を開閉することによって真空反応室４に対する支持体３の出し入れが可能とされている。プレート４１は、下面側に防着板４７が取着され、プレート４１に対して堆積膜が形成されるのを防止している。

プレート４２は、真空反応室４のベースとなるものである。プレート４２と円筒状電極４０との間に介在する絶縁部材４４は、円筒状電極４０とプレート４２との間にアーク放電が発生するのを抑える役割を有するものである。

プレート４２および絶縁部材４４には、ガス排出口４２Ａ，４４Ａおよび圧力計４９が設けられている。ガス排出口４２Ａ，４４Ａは、真空反応室４の内部の気体を排出する役割を有するものである。排気手段７に接続されている、圧力計４９は、真空反応室４の圧力をモニタリングする役割を有するものである。圧力計４９としては、公知の種々のものを使用することができる。

図２に示したように、回転手段５は、支持体３を回転させる役割を有するものであり、回転モータ５０および回転力伝達機構５１を有している。

回転モータ５０は、円筒状基体１０に回転力を付与するものである。回転モータ５０としては、公知の種々のものを使用することができる。

回転力伝達機構５１は、回転モータ５０からの回転力を円筒状基体１０に伝達・入力する役割を有するものである。回転力伝達機構５１は、回転導入端子５２、絶縁軸部材５３および絶縁平板５４を有している。

回転導入端子５２は、真空反応室４内の真空を保ちながら回転力を伝達する役割を有するものである。

絶縁軸部材５３および絶縁平板５４は、支持体３とプレート４１との間の絶縁状態を維持しつつ、回転モータ５０からの回転力を支持体３に入力する役割を有するものである。絶縁軸部材５３および絶縁平板５４は、例えば絶縁部材４４などと同様な絶縁材料で形成されている。

絶縁平板５４は、プレート４１を取り外しするときに上方から落下するゴミや粉塵などの異物が円筒状基体１０へ付着するのを防止する役割を有するものである。

図２に示したように、原料ガス供給手段６は、複数の原料ガスタンク６０，６１，６２，６３、光導電層１１ｂのドーパント専用ガスタンク６４、複数の配管６０Ａ，６１Ａ，６２Ａ，６３Ａ，６４Ａ、バルブ６０Ｂ，６１Ｂ，６２Ｂ，６３Ｂ，６４Ｂ，６０Ｃ，６１Ｃ，６２Ｃ，６３Ｃ，６４Ｃおよび複数のマスフローコントローラ６０Ｄ，６１Ｄ，６２Ｄ，６３Ｄ，６４Ｄを備えたものであり、配管６５ａ，６５ｂおよびガス導入口４５ａ，４５ｂを介して円筒状電極４０に接続されている。各原料ガスタンク６０〜６４は、例えばＢ_２Ｈ_６（またはＰＨ_３）、Ｈ_２（またはＨｅ）、ＣＨ_４あるいはＳｉＨ_４が充填されたものである。バルブ６０Ｂ〜６４Ｂ，６０Ｃ〜６４Ｃおよびマスフローコントローラ６０Ｄ〜６４Ｄは、真空反応室４に導入する各原料ガス成分または光導電層１１ｂのドーパント専用ガス成分の流量、組成およびガス圧を調整する役割を有するものである。

排気手段７は、真空反応室４のガスをガス排出口４２Ａ，４４Ａを介して外部に排出する役割を有するものである。排気手段７は、メカニカルブースタポンプ７１およびロータリーポンプ７２を備えている。これらのポンプ７１，７２は、圧力計４９でのモニタリング結果に応じて動作制御されるものである。

このようなプラズマＣＶＤ装置２は、上記のとおり、一つの装置にて真空反応室４内の真空状態を維持したまま連続的に粗面化、感光層１１および表面保護層１２の形成処理を行なうことが可能である。プラズマＣＶＤ装置２は、粗面化部と、電荷注入阻止層形成部と、光導電層形成部と、表面保護層形成部と、を備える電子写真感光体の製造装置の一例である。

（堆積膜の形成方法）
次に、プラズマＣＶＤ装置２を用いた堆積膜の形成方法について、円筒状基体１０に感光層１１としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜が、表面保護層１２としてアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）膜とアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）膜とが積層された電子写真感光体１（図１Ａ、図１Ｂを参照）を作製する場合を例にとって説明する。

まず、円筒状基体１０に堆積膜（ａ−Ｓｉ膜）を形成するにあたっては、プラズマＣＶＤ装置２のプレート４１を取り外した上で、複数の円筒状基体１０（図面上は２つ）を支持した支持体３を真空反応室４の内部にセットし、再びプレート４１を取り付ける。

支持体３に対する２つの円筒状基体１０の支持にあたっては、フランジ部３０上に、支持体３の主要部を覆って下ダミー基体３８Ａ、円筒状基体１０、中間ダミー基体３８Ｂ、円筒状基体１０および上ダミー基体３８Ｃが順次積み上げられる。

各ダミー基体３８Ａ〜３８Ｃとしては、製品の用途に応じて、導電性または絶縁性基体の表面に導電処理を施したものが選択されるが、通常は、円筒状基体１０と同様な材料で円筒状に形成されたものが使用される。

ここで、下ダミー基体３８Ａは、円筒状基体１０の高さ位置を調整する役割を有するものである。中間ダミー基体３８Ｂは、隣接する円筒状基体１０の端部間で生じるアーク放電に起因する円筒状基体１０に成膜不良が発生するのを抑制する役割を有するものである。上ダミー基体３８Ｃは、支持体３に堆積膜が形成されるのを防止し、成膜中に一旦被着した成膜体の剥離に起因する成膜不良の発生を抑制する役割を有するものである。

次いで、真空反応室４を密閉状態とし、回転手段５によって支持体３を介して円筒状基体１０を回転させるとともに、円筒状基体１０を加熱し、排気手段７によって真空反応室４を減圧する。

円筒状基体１０の加熱は、例えばヒータ３７に対して外部から電力を供給してヒータ３７を発熱させることによって行なわれる。円筒状基体１０の温度は、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する場合には２５０℃以上３００℃以下の範囲に設定される。

一方、真空反応室４の減圧は、排気手段７によってガス排出口４２Ａ，４４Ａを介して真空反応室４からガスを排出させることによって行なわれる。真空反応室４の減圧の程度は、圧力計４９（図２を参照）でモニタリングしつつ、例えば１０^−３Ｐａ程度とすればよい。

次いで、円筒状基体１０の温度が所望温度となり、真空反応室４の圧力が所望圧力となった場合には、原料ガス供給手段６によって真空反応室４に原料ガスを供給するとともに、円筒状電極４０と支持体３との間にパルス状の直流電圧を印加する。これにより、円筒状電極４０と支持体３（円筒状基体１０）との間にグロー放電が起こり、原料ガス成分が分解され、原料ガスの分解成分が円筒状基体１０の表面に堆積する。

一方、排気手段７においては、真空反応室４におけるガス圧を目的範囲に維持する。真空反応室４におけるガス圧は、例えば１Ｐａ以上１００Ｐａ以下とすればよい。

真空反応室４への原料ガスの供給は、バルブ６０Ｂ〜６４Ｂ，６０Ｃ〜６４Ｃの開閉状態を適宜制御しつつ、マスフローコントローラ６０Ｄ〜６４Ｄを制御することにより、原料ガスタンク６０〜６４の原料ガスを所望の組成および流量で配管６０Ａ〜６４Ａ，６５ａ，６５ｂおよびガス導入口４５ａ，４５ｂを介して円筒状電極４０の内部に導入することによって行なわれる。そして、原料ガスの組成を適宜切り替えることによって、円筒状基体１０の表面には、電荷注入阻止層１１ａ、光導電層１１ｂおよび表面保護層１２が順次積層形成される。

円筒状電極４０と支持体３との間へのパルス状の直流電圧の印加は、制御部３５によって直流電源３４を制御することによって行なわれる。

円筒状基体１０側が正負いずれかの極性になるようなパルス状の直流電圧を印加してカチオンを加速させて円筒状基体１０に衝突させ、その衝撃によって表面の微細な凹凸をスパッタリングしながらアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の成膜を行なった場合には、大きな突起状の成長が抑制された均一性の高い凹凸を有する表面を備えるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が得られる。この現象を以下においてイオンスパッタリング効果と言う場合がある。

このようなプラズマＣＶＤ法において効率よくイオンスパッタリング効果を得るには、極性の連続的な反転を避けるような電力を印加することが必要であり、前記パルス状の矩形波の他には、三角波、極性の反転しない直流電圧が有用である。また、全ての電圧が正負いずれかの極性になるように調整された交流電圧などでも同様の効果が得られる。

ここで、パルス状電圧によって効率よくイオンスパッタリング効果を得るには、支持体３（円筒状基体１０）と円筒状電極４０との間の電位差は、例えば５０Ｖ以上３０００Ｖ以下の範囲内とされ、成膜レートを考慮した場合には、より具体的には５００Ｖ以上３０００Ｖ以下の範囲内とすればよい。

制御部３５はまた、直流電圧の周波数（１／Ｔ（ｓｅｃ））が３００ｋＨｚ以下に、Ｄｕｔｙ比（Ｔ１／Ｔ）が２０％以上９０％以下になるように直流電源３４を制御する。

なお、本実施形態におけるＤｕｔｙ比とは、パルス状の直流電圧の１周期（Ｔ）（円筒状基体１０と円筒状電極４０との間に電位差が生じた瞬間から、次に電位差が生じた瞬間までの時間）における電位差発生時間Ｔ１が占める時間割合と定義される。

このイオンスパッタリング効果を利用して得られたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の光導電層１１ｂは、その厚みが１０μｍ以上となっても、表面には上述のような大きな突起状の成長が抑制された均一性の高い凹凸が存在する。そのため、光導電層１１ｂの外表面上に、表面保護層１２であるアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）とアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）とを計１μｍ程度積層すればよい。この場合の表面保護層１２の表面形状は、光導電層１１ｂの表面形状を反映した面とすることが可能となる。すなわち、光導電層１１ｂ上に表面保護層１２を積層する場合においても、イオンスパッタリング効果を利用することにより、表面保護層１２を大きな突起状の成長が抑制された均一性の高い凹凸を有する膜として形成することができる。

例えば、電荷注入阻止層１１ａをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系の堆積膜として形成する場合には、原料ガスとして、ＳｉＨ_４（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガス、Ｂ_２Ｈ_６やＰＨ_３などのドーパント含有ガスおよび水素（Ｈ_２）あるいはヘリウム（Ｈｅ）などの希釈ガスの混合ガスが用いられる。ドーパント含有ガスとしては、ホウ素（Ｂ）含有ガスと場合により窒素（Ｎ）含有ガスか酸素（Ｏ）含有ガスまたはその両方を含有させたもの、あるいはリン（Ｐ）含有ガスと場合により窒素（Ｎ）含有ガスか酸素（Ｏ）含有ガスまたはその両方を含有させたものを用いることもできる。

光導電層１１ｂをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系の堆積膜として形成する場合には、原料ガスとして、ＳｉＨ_４（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガスおよび水素（Ｈ_２）あるいはヘリウム（Ｈｅ）などの希釈ガスの混合ガスが用いられる。光導電層１１ｂにおいては、ダングリングボンド終端用に水素（Ｈ）あるいはハロゲン元素（フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ））を膜中に１原子％以上４０原子％以下含有させるように、希釈ガスとして水素ガスを用い、あるいは原料ガス中にハロゲン化合物を含ませておいてもよい。

表面保護層１２は、上述のようにａ−ＳｉＣ層とａ−Ｃ層との多層構造として形成する。この場合、原料ガスとしては、ＳｉＨ_４（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガスおよびＣ_２Ｈ_２（アセチレンガス）あるいはＣＨ_４（メタンガス）などのＣ含有ガスが用いられる。ここで、表面保護層１２の第３層であるａ−Ｃ層は、その膜厚が、通常０．０１μｍ以上２μｍ以下、具体的には０．０２μｍ以上１μｍ以下、より具体的には０．０３μｍ以上０．８μｍ以下に設定すればよい。また、表面保護層１２は、その膜厚が、通常０．１μｍ以上６μｍ以下、具体的には０．２５μｍ以上３μｍ以下、より具体的には０．４μｍ以上２．５μｍ以下に設定すればよい。

以上のようにして、円筒状基体１０に対する膜形成が終了した場合には、支持体３から円筒状基体１０を抜き取ることにより、図１に示した電子写真感光体１を得ることができる。

（画像形成装置）
本発明の実施形態に係る画像形成装置について、図３を用いて説明する。

図３に示す画像形成装置は、画像形成方式としてカールソン法を採用したものであり、電子写真感光体１、帯電ローラ１１１を含む帯電器、非接触の露光器１１２、現像ローラ１１３Ａおよび未使用トナーＴ１撹拌用のトナー搬送スクリュー１１３Ｃを含む現像器１１３、転写器１１４、定着器１１５（１１５Ａおよび１１５Ｂ）と、電子写真感光体に接触するクリーニングローラ１１６Ｂとクリーニングブレード１１６Ａと残留トナーＴ２排出用のトナー搬送スクリュー１１６Ｃとを含むクリーニング器１１６、および、非接触の除電器１１７を備えている。なお、図中の矢印ｘは、記録媒体Ｐである用紙の移動方向を示す。

帯電器１１１は、電子写真感光体１の表面を正負いずれかの極性に帯電する役割を有するものである。帯電電圧は、例えば２００Ｖ以上１０００Ｖ以下に設定される。本実施形態において帯電器１１１は、例えば芯金を導電性ゴムあるいはＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）によって被覆して構成される接触型帯電器が採用されている。これに代えて、帯電器１１１として、放電ワイヤを備える非接触型帯電器（例えばコロナ帯電器）を採用してもよい。

露光器１１２は、電子写真感光体１に静電潜像を形成する役割を有するものである。具体的には、露光器１１２は、画像信号に応じて特定波長（例えば６５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下）の露光光（例えばレーザ光）を電子写真感光体１に照射することによって、帯電状態にある電子写真感光体１の露光光照射部分の電位を減衰させて静電潜像を形成する。露光器１１２としては、例えば複数のＬＥＤ素子（波長：６８０ｎｍ）を配列させてなるＬＥＤ（発光ダイオード：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ヘッドを採用することができる。

もちろん、露光器１１２の光源としては、ＬＥＤ素子に代えてレーザ光を出射可能なものを使用することもできる。つまり、ＬＥＤヘッドなどの露光器１１２に代えて、ポリゴンミラーを含んでなる光学系を使用してもよい。あるいは、原稿からの反射光を通すレンズおよびミラーを含んでなる光学系を採用することによって、複写機の構成の画像形成装置とすることもできる。

現像器１１３は、電子写真感光体１の静電潜像を現像してトナー像を形成する役割を有するものである。本例における現像器１１３は、現像剤（トナー）Ｔを磁気的に保持する磁気ローラ１１３Ａを備えている。

現像剤（トナー）Ｔは、電子写真感光体１の表面上に形成されるトナー像を構成するものであり、現像器１１３において摩擦帯電する。現像剤Ｔとしては、例えば、磁性キャリアおよび絶縁性トナーを含んでなる２成分系現像剤と、磁性トナーを含んでなる１成分系現像剤とが挙げられる。なお、現像器１１３内の未使用トナーをＴ１で、クリーニング器１１６内の残留（使用済み）トナーをＴ２で表示する。

磁気ローラ１１３Ａは、電子写真感光体１の表面（現像領域）に現像剤を搬送する役割を有するものである。磁気ローラ１１３Ａは、現像器１１３において摩擦帯電した現像剤Ｔを一定の穂長に調整された磁気ブラシの形で搬送する。この搬送された現像剤Ｔは、電子写真感光体１の現像領域において、静電潜像との静電引力によって電子写真感光体１の表面に付着してトナー像を形成する（静電潜像を可視化する）。トナー像の帯電極性は、正規現像によって画像形成が行なわれる場合には電子写真感光体１の表面の帯電極性と逆極性とされる。トナー像の帯電極性は、反転現像によって画像形成が行なわれる場合には電子写真感光体１の表面の帯電極性と同極性とされる。

なお、現像器１１３は、本例においては乾式現像方式を採用しているが、液体現像剤を用いた湿式現像方式を採用してもよい。また、現像器１１３内には、未使用トナーＴ１撹拌用の搬送スクリュー１１３Ｃ（スパイラル形）が配設される場合もある。

転写器１１４は、電子写真感光体１と転写器１１４との間の転写領域に供給された記録媒体Ｐに、電子写真感光体１のトナー像を転写する役割を有するものである。本例における転写器１１４は、転写用チャージャ１１４Ａおよび分離用チャージャ１１４Ｂを備えている。転写器１１４では、転写用チャージャ１１４Ａにおいて記録媒体Ｐの背面（非記録面）がトナー像とは逆極性に帯電され、この帯電電荷とトナー像との静電引力によって、記録媒体Ｐ上にトナー像が転写される。また、転写器１１４では、トナー像の転写と同時的に、分離用チャージャ１１４Ｂにおいて記録媒体Ｐの背面が交流帯電され、記録媒体Ｐが電子写真感光体１の表面から速やかに分離させられる。

転写器１１４としては、電子写真感光体１の回転に従動し、且つ、電子写真感光体１とは微小間隙（例えば０．５ｍｍ以下）を介して配置された転写ローラを用いることも可能である。この転写ローラは、例えば直流電源により、電子写真感光体１上のトナー像を記録媒体Ｐ上に引きつけるような転写電圧を印加するように構成される。転写ローラを用いる場合には、分離用チャージャ１１４Ｂのような転写分離装置は省略することもできる。

定着器１１５は、記録媒体Ｐに転写されたトナー像を記録媒体Ｐに定着させる役割を有するものであり、一対の定着ローラ１１５Ａ、１１５Ｂを備えている。定着ローラ１１５Ａ、１１５Ｂは、例えば金属ローラ上に四フッ化エチレンなどで表面被覆したものである。定着器１１５では、一対の定着ローラ１１５Ａ、１１５Ｂの間を通過させる記録媒体Ｐに対して熱および圧力などを作用させることによって、記録媒体Ｐにトナー像を定着させることができる。

クリーニング器１１６は、電子写真感光体１の表面に残存するトナーを除去する役割を有するものであり、クリーニングローラ１１６Ｂおよびクリーニングブレード１１６Ａを備えている。クリーニングローラ１１６Ｂは、中央部が太径となるクラウン状であり、電子写真感光体１の外周に摺接して、これらの間に、残留トナーＴ２からなる表面掃除用のトナー膜を形成する。クリーニングブレード１１６Ａは、電子写真感光体１の表面から残留トナーを掻きとる役割を有するものである。クリーニングブレード１１６Ａは、例えばポリウレタン樹脂を主成分としたゴム材料で形成されている。

除電器１１７は、電子写真感光体１の表面電荷を除去する役割を有するものである。特定波長（例えば６３０ｎｍ以上）の光を出射可能とされている。除電器１１７は、例えばＬＥＤなどの光源によって電子写真感光体１の表面の軸方向全体を光照射することにより、電子写真感光体１の表面電荷（残余の静電潜像）を除去するように構成されている。

本実施形態の画像形成装置１００では、電子写真感光体１の有する上述の効果を奏することができる。

（実施例１）
本発明の実施形態に係る電子写真感光体１について、次の通り評価を行なった。

電子写真感光体１の作製について
＜円筒状基体１０＞
円筒状基体１０は、アルミニウム合金の素管（外径：３０ｍｍ、長さ３６０ｍｍ）を用いて作製した。円筒状基体１０の外表面に対して、鏡面加工、およびウェットブラスト加工を行ない、洗浄した。

まず、円筒状基体１０の表面の鏡面加工として、円筒状基体１０を両端保持し、１５００〜８０００ｒｐｍにて高速回転させた状態で、ダイヤモンドバイトを押し当てて、送り０．０８〜０．５ｍｍにてバニシング（Ｖａｎｉｓｈｉｎｇ）加工した。すなわち、バイトの仕上げ面に、ワーク回転方向に奥行きを持たせたダイヤモンドバイトを円筒状基体１０の表面に押し当てることで、滑らかな仕上げ面を得た。

このような鏡面加工の後、円筒状基体１０に対して脱脂洗浄を行なった。

次に、ウェットブラスト加工として、アルミナなどの高硬度な研磨材と水とを攪拌し、圧縮空気と混合・加速させて、鏡面加工された円筒状基体１０の表面に投射することによって粗面化を行なった。これによれば、円筒状基体１０を回転させながら加工処理することによって、短時間で均一性に優れた加工面を形成することができる。本実施例のように、ウェットブラスト加工によれば、他の加工方法と比べて、粒径の小さい研磨材を一様に投射することを比較的容易に行なうことが可能であることから、均一性に優れた加工面を得ることができる。

具体的には、ウェットブラスト加工の条件として、次のパラメータを調整することによって、後記の表２に示す１５種類の異なる表面を有する円筒状基体１０のサンプルを用意した（実施例１）。

また、ウェットブラスト加工における研磨材投射ノズルの、円筒の回転軸線方向であり後記のｙ方向の移動速度を変化させたり、円筒の軸線方向の端部近傍に研磨材を投射しない部分を未加工部（鏡面部）として残す等により、成膜加工前の円筒状基体１０の外周面の粗さを、軸線方向に種々変化させたサンプルを用意し、それらに前述のプラズマＣＶＤ装置２を用いて、円筒状基体１０の外周面に成膜を行い、第１〜第８実施形態の電子写真感光体（実施例２）とした。これら第１〜第８実施形態については、後記で改めて説明する。

研磨材材質・粒径：Ａ（アランダム（褐色溶解アルミナ））＃３２０〜＃４０００
研磨材濃度：１０〜１８％
投射エア圧：０．１０〜０．３５ＭＰａ
投射距離（ワーク中心とブラストヘッド間距離）：２０〜３００ｍｍ
投射時間：１〜６０秒間
ワーク回転数：１２０〜１８０ｒｐｍ
なお、異なる材質・粒径の研磨材を用いることによってＳａｌの値を調整するとともに、投射エア圧、投射距離および投射時間（１〜６０秒間）を変化させることによって、Ｓｔｒの値を調整した。

また、ウェットブラスト加工においては、使用された研磨材（メディア）は、水洗（粗水洗）によりワークの表面から洗い流して回収され、遠心分離等により分級されて、再使用される。すなわち、ウェットブラスト加工においては、ブラスト投射流内の研磨材濃度を極力変動させないために、ブラスト装置内で粗水洗を行なっている。この粗水洗工程では、新たな水を使って洗浄するのではなく、ブラスト加工に用いられた研磨材を含んだ水から、遠心分離により比較的大径の研磨材を分級した後の残り水（小径の研磨材を含む。以下「分級水」と呼ぶ。）を、ブラスト直後の基体（素管）に投射して洗浄する。表面に付着した研磨材を研磨材タンクへ戻すことで、研磨材の投射流内濃度を維持している。

次に、ウェットブラストを行なった後に、表面に残存している残渣を洗浄して除去し、表面層形成用の円筒状基体１０を用意する。なお、この残渣を除去する洗浄（残渣洗浄工程）は、水によるシャワー洗浄−超音波洗浄−ブロー（圧縮空気吹き付け）−ヒータ乾燥の順に実施される。

このようにして用意された円筒状基体１０は、クリーンルーム内に搬送され、油分等を取り除く精密洗浄を経た後、図２に示すプラズマＣＶＤ装置にセットされる。セットされた後、表１に示す条件で、円筒状基体１０の表面に、電荷注入阻止層１１ａ、光導電層１１ｂ、および表面保護層１２からなる表面層１３が形成される。

表１におけるＢ_２Ｈ_６およびＮＯの流量は、ＳｉＨ_４の流量に対する比で表している。なお、プラズマＣＶＤ装置の電源としては、直流パルス電源（パルス周波数：５０ｋＨｚ、Ｄｕｔｙ比：７０％）を使用した。また、膜厚の測定は、その断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）およびＸＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザ）で分析することにより行なった。各層の具体的な構成は次の通りである。

＜電荷注入阻止層＞
電荷注入阻止層１１ａは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を加えたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料に、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）を含有させたものである。

電荷注入阻止層１１ａの膜厚は５μｍとした。

＜光導電層＞
光導電層１１ｂは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）などを加えたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料に、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）を含有させたものである。

光導電層１１ｂの膜厚は１４μｍとした。

＜表面保護層＞
表面保護層１２は、アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）とアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）とを積層した構成である。

表面保護層１２の膜厚は計１．２μｍとし、表面保護層第３層の膜厚は０．２μｍとした。

ここで、表面保護層１２の表面粗さを変更させることによって、電子写真感光体１のサンプル１〜１５を作製した。

以上のようにして得られた電子写真感光体１のサンプル１〜１５について、表面保護層１２の表面性状を測定した。

当該測定は、オリンパス株式会社製３次元測定レーザ顕微鏡ＯＬＳ４１００により、ＩＳＯ２５１７８に準拠した３次元粗さパラメータにて表面形状の評価を実施した。測定条件として、倍率５０倍のレンズを使用し、２６０μｍ×２６１μｍの範囲を高速測定モードにて測定した。測定対象が円筒形状であるため、補正はＸＹ方向曲率補正を実施した。それに加えて、旋削加工の周期スジの影響を消すために、中心波長λｃ＝０．０８０ｍｍのフィルタ補正を展開し、各パラメータを算出した。なお、ここでの測定結果は、電子写真感光体１の、円筒状基体１０の軸方向中央部において、１００ｍｍの範囲内の５箇所の測定結果の算術平均である。

各サンプルのＳｔｒおよびＳａｌについては、後述する表２に示す通りである。

次いで、作製した電子写真感光体１の各サンプルを、京セラドキュメントソリューションズ株式会社製のカラー複合機ＴＡＳＫａｌｆａ ３５５０ｃｉ改造装置に組み込み、それぞれのサンプルについて、６０万枚（６００Ｋ）連続印刷時における電子写真感光体１の表面保護層１２のＳａ減少率（％）、電子写真感光体１の周辺部材であるクリーニングブレード１１６Ａの傷の評価、帯電ローラの表面汚染状態の観察による画像特性の評価を行なった。そして、それらの個別特性を踏まえた総合的な評価である総合評価を行なった。

上述のそれぞれの個別特性の評価は次の条件にて行なった。すなわち、室温２３℃および相対湿度６０％の評価環境下において、２０万枚連続印刷を行なった時点、４０万枚連続印刷した時点、および６０万枚連続印刷した各時点において、電子写真感光体１の表面性状の上記レーザ顕微鏡による測定、クリーニングブレード１１６Ａのエッジ部の傷の有無、帯電ローラの表面汚染状態の拡大鏡（２０倍）による観察、を行なった。

ここで、Ｓａ減少率（％）とは、電子写真感光体１の表面保護層のＳａの値が印刷を行う前の初期値から減少した割合を示すものであって、例えば７０％と記載している場合には印刷前の状態に対してＳａの値が３０％になっていることを意味する。なお、Ｓａ減少率（％）のデータにおいて、※印を付している値は、２０万枚（２００Ｋ）連続印刷時における電子写真感光体１の表面保護層１２のＳａ減少率（％）を示している。

また、クリーニングブレード１１６Ａの破損モードについては次の通りである。評価Ａは、２０万枚（２００Ｋ）連続印刷の結果、クリーニングブレード１１６Ａに多少の破損が見られたことを示す。評価Ｂとは、１０００枚以下の少数印刷の時点で、クリーニングブレード１１６Ａに明らかな破損が見られたことを示す。

評価結果について、表２に示す。

表２において、◎は優れた特性を有する、○は好ましい特性を有する、△は要求レベルの特性を有する、×は要求レベルの特性を充足しない、ことを示す。

すなわち、表２の結果から次のことが分かった。
電子写真感光体１は、Ｓａｌの値に起因して初期不良が生じた場合（サンプル１４および１５）を除き、Ｓｔｒの値が０．６７以上の場合（サンプル２，３，５，６，８，９，１１および１２）には、優れた効果を奏することが分かった。その中でも、Ｓｔｒの値が０．７９以上の場合（サンプル３，６，９および１２）には、より優れた効果を奏することが分かった。

これらの実験データによると、Ｓｔｒの値が所定以上であれば、表面保護層１２の表面形状は均一性の高い凹凸を備えることによって、耐久使用時において、表面が徐々に磨耗しても表面粗さを一定範囲内に維持し続けることが可能である。その結果、表面保護層１２と、クリーニングローラ１１６Ｂまたはクリーニングブレード１１６Ａとの間の摩擦抵抗の増大を効果的に抑制し続けることができる。これにより、クリーニングブレード１１６Ａの欠損を抑制することができ、印画した画像の異常スジなどの画像異常を低減することができたものと考えられる。なお、サンプル１４および１５において初期不良が生じた原因としては、Ｓａｌの値が大きい場合には、周辺部材であるクリーニングローラやクリーニングブレードなどとの摩擦抵抗が大きく、クリーニングブレード１１６Ａの欠損が生じたものと考えられる。

また、Ｓｔｒの値が０．６７以上の条件下において、さらに次のことが分かった。すなわち、Ｓａｌの値が１０．３μｍ以下の場合（サンプル２，３，５，６，８，９，１１および１２）には、優れた効果を奏することが分かった。これらの実験データによると、Ｓａｌが所定値よりも小さい場合には、電子写真感光体１の表面保護層１２と、クリーニングローラ１１６Ｂまたはクリーニングブレード１１６Ａとの間の摩擦抵抗を低減することができ、クリーニングブレード１１６Ａの欠損が抑制されることによって、優れた耐久特性を得ることができたと考えられる。

また、Ｓａｌの値が０．９μｍ以上の場合（サンプル２，３，５，６，８，９，１１および１２）には、優れた効果を奏することが分かった。さらに、Ｓａｌの値が１．６μｍ以上の場合（サンプル５，６，８，９，１１および１２）には、より優れた効果を奏することが分かった。これらの実験データによると、Ｓａｌが所定値よりも大きい場合には、電子写真感光体１の表面保護層１２の磨耗が低減され、クリーニングブレード１１６Ａの欠損が抑制されることによって、優れた耐久特性を得ることができたと考えられる。

（実施例２）
次に、電子写真感光体の周囲に配設された周辺部材に対応して、その表面粗さを円筒軸線方向（円筒幅方向）に変化させた実施例２について説明する。

図４〜図１１は、本発明の第１〜第８実施形態に係る電子写真感光体（１Ａ〜１Ｈ）の表面層形成前の表面粗さと、その周囲に配設された周辺部材との関係を示す分解斜視図である。なお、各図は、実際は図３のように電子写真感光体１の回転軸周りに接触／非接触で配設される各種周辺部材を、同一平面上に展開させて一列に並べたものであり、電荷注入阻止層形成前の円筒状基体１０の外表面の、表面粗さ（面粗度）の円筒幅方向（円筒の軸線方向であり図示ｙ方向）の変化を、印画部（点線の間）の位置と各周辺部材の幅との関連において説明するものである。

また、各図では、ハッチング描画（点密度）の都合上、外表面の粗さ（面粗度）の幅方向（ｙ方向）変化が段階的に見えるが、実際の表面粗さ変化（表面粗さプロファイル）は、各図下方の模式図に示すように、軸線方向（ｙ方向）に漸次、すなわち円筒軸線方向に徐々にまたは緩やかに粗さが変化するようになっている。

さらに、図４，５，８，９，１１において、電子写真感光体のハッチングの描画のない部分は、先に述べた、鏡面加工後のＳａが２５ｎｍ未満の面（ウェットブラスト加工が施されていない、基体鏡面部）であり、表面層形成後も、表面層１３の表面が、Ｓａ＜２５ｎｍの「表層面鏡面部（符号１３Ｂ）」である（段落００１７を参照）。なお、区画（ブロック）を表す符合Ａ〜Ｋは、分解斜視図と模式図との間の、幅方向の位置関係の相関を見易くするために記載しているものである。円筒軸線方向（図示ｙ方向）の粗さ変化が段階的にブロック単位で変化することを意味するものではない。また、実際にトナーが用紙に転写される「印画部」は、図示ブロックＢ〜Ｊに相当する。

図４に示す第１実施形態の電子写真感光体１Ａは、模式図に示すような表面粗さプロファイルの外表面を有する円筒状基体１０（素管）を用いて構成されている。すなわち、電子写真感光体１Ａは、外表面の粗さ（算術平均高さＳａ）が、例えば、円筒の軸線方向の基体中央部で７０ｎｍ、軸線方向の両端部のうちの一方の基体端部（図示左方のＡブロック）で２５ｎｍ未満の、基体中央部の表面粗さが一方の基体端部の表面粗さよりも大きい素管を元に形成されている。成膜後の電子写真感光体１Ａの表面層１３の表面粗さも、この円筒状基体１０（素管）の表面形状に倣った、表面層中央部の表面粗さが一方の表面層端部の表面粗さよりも大きい基体になっている。

なお、電子写真感光体１Ａの表面層１３における印画部（ブロックＢ〜Ｊ）は、表面粗さＳｔｒが０．６７以上の粗面である。また、表面層形成前の円筒状基体１０の外周面において、Ｓａが２５ｎｍ未満の基体鏡面部であるＡブロックと粗面であるＣブロックの間の境界部分（Ｂブロック）は、図４の表面粗さプロファイルに示すように、鏡面から粗面に向かうにつれて徐々に面粗度の増大する粗度傾斜面に形成されている。これにより、鏡面と粗面の境界部分における膜（表面層）の剥離が起きにくいようになっている。

そして、鏡面であるＡブロック（後記の表面層鏡面部）には、周方向の一箇所に、鏡面よりも表面粗さが大きい識別部Ｍを備えている。この識別部は、例えば、図４に示すような、電子写真感光体の個々を識別するための個体識別コード部としてもよい。個体識別コード部は、周方向に変化する表面粗さ（線条痕）を利用したバーコードになっている。また、識別部は、円筒状基体の周方向回転の指標となるガイドマーク部としてもよい。図示の例では、識別部Ｍは、個体識別コードと、周方向回転の回転数計測の基準と、を兼用している。なお、成膜（表面層１３形成）後の電子写真感光体１において、表面の算術平均高さＳａが２５ｎｍ未満の部位（面領域）を「表面層鏡面部」（符号１３Ｂ）と呼ぶ。

また、当接により、電子写真感光体１Ａと現像器１１３内の磁気ローラ１１３Ａの間の間隙（現像ギャップ）を両端で規制しているころ１１３Ｂ，１１３Ｂと、前述のガイドマーク部Ｍとが、円筒幅方向の同じ位置にあると、ころ１１３Ｂがガイドマーク部Ｍの上に乗り上げて電子写真感光体１Ａと磁気ローラ１１３Ａの間の距離（間隙）が変化してしまう。そのため、ガイドマーク部Ｍは、図４のように、表面層鏡面部１３Ｂ（Ａブロック）内の、前記ころ１１３Ｂが当接する位置（外延）から外れた場所に設けられている。

以上の構成を有する電子写真感光体によれば、これを図のように画像形成装置として用いた場合、先にも述べたように、鏡面と粗面の境界部分における膜（表面層）の剥離が起りにくく、剥離した破片に起因する画像異常の発生を未然に防ぐことができる。また、クリーニングローラ（摺擦ローラ）やクリーニングブレード等の周辺部材と接する印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の最外表面（表面層１３の外周面）は、表面粗さＳｔｒ≧０．６７の粗面に形成されている。これにより、多数回繰り返し使用しても画像異常が発生し難く、長期間にわたり同じ電子写真感光体を使用し続けることができる。

次に、図５に示す第２実施形態の電子写真感光体１Ｂは、図３に示す、電子写真感光体の表面クリーニング（摺擦・研磨）の外添剤として用いられる使用済み残留トナーＴ２が、クリーニング器１１６を構成する箱体内において、トナー排出側（図５においては左側）に多く滞留し、これにより、トナー滞留側の電子写真感光体の表面（図５左側）に、より多くの摩擦（摩耗）が発生することに対応するものである。

そのため、第２実施形態の電子写真感光体１Ｂは、図５に示すような表面粗さプロファイルの外表面を有する円筒状基体１０（素管）を用いて構成されている。すなわち、電子写真感光体１Ｂは、外表面の粗さが、円筒軸線方向の両基体端部のうちの他端（第２基体端部、図示右方のＫブロック）から一端（第１基体端部、図示左方の鏡面のＡブロック）に向かうにつれて漸次減少する素管を元に形成されている。成膜後の電子写真感光体１Ｂの表面層１３の表面粗さも、この円筒状基体１０（素管）の表面形状に倣った、円筒軸線方向の両表面層端部のうちの他端（第２表面層端部、図示右方のＫブロック）から一端（第１表面層端部、図示左方の鏡面のＡブロック）に向かうにつれて漸次減少する基体になっている。

ちなみに、電子写真感光体１Ｂの円筒状基体１０（素管）の表面粗さＳａは、例えば、左端のＡブロック（基体鏡面部）で２５ｎｍ未満、右端のＫブロックで１１９ｎｍである。また、電子写真感光体１Ｂの表面層１３における印画部（ブロックＢ〜Ｊ）は、表面粗さＳｔｒが０．６７以上の粗面であり、鏡面と粗面の境界部分（ブロックＡとブロックＢの間）は、前記第１実施形態の素管と同様、右方に向かうにつれて徐々に面粗度の増大する粗度傾斜面に形成されている。

以上の構成を有する電子写真感光体によれば、これを画像形成装置として用いた場合、先の実施形態と同様、鏡面と粗面の境界部分における膜（表面層）の剥離を防止することができる。

また、電子写真感光体１Ｂは、印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の最外表面（表面層１３の外周面）の表面粗さＳｔｒが、右側の他端（第２表面層端部）から左側の一端（トナー排出側の第１表面層端部）に向かうにつれて漸次減少する粗面に形成されている。これにより、図５に示すような、トナー搬送スクリュー１１６Ｃの回転により残留トナーＴ２を図示左方向に排出する画像形成装置に組み込んだ場合でも、使用済み残留トナーＴ２の排出側で多く発生する摩耗に耐える、長寿命な電子写真感光体とすることができる。

なお、Ｓａが２５ｎｍ未満の表面層鏡面部（１３Ｂ）をいずれの端部にも設けない場合は、図６に示す第３実施形態の電子写真感光体１Ｃのように構成することができる。この場合、電子写真感光体１Ｃの外表面の粗さ変化プロファイル〔図６〕およびそれに倣って形成される、成膜後の電子写真感光体１Ｃの表面層１３の円筒軸線方向の粗さ変化も、前記第１，第２実施形態の電子写真感光体１Ａ，１Ｂより緩やかに形成されている。

なお、電子写真感光体１Ｃの外表面の粗さ変化（プロファイル）およびそれに倣った電子写真感光体１Ｃの表面層１３の円筒軸線方向の粗さ変化は、左側の第１端部（第１基体端部および第１表面層端部）から中央部（基体中央部および表面層中央部）に向かうにつれて漸次増大するようになっており、表面層中央部より図示右側の半分では、表面粗さはほとんど変化していない。

電子写真感光体１Ｃの円筒状基体１０（素管）の表面粗さＳａは、例えば、左端のＡブロックで７５ｎｍ、基体中央のＦブロックで９０ｎｍである。また、成膜後の電子写真感光体１Ｃの表面層１３における印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の表面粗さＳｔｒは、左側のＢブロックで０．９１、表面層中央のＦブロックで０．９３であった。

以上の構成の電子写真感光体１Ｃによっても、表面層の表面粗さＳｔｒの変化が緩やかであるため、経年使用による膜（表面層）の剥離を防止することができる。

また、Ｓａが２５ｎｍ未満の基体鏡面部および表面層鏡面部をいずれの端部にも設けない場合、図７に示す第４実施形態の電子写真感光体１Ｄのように構成することもできる。

このように、電子写真感光体１Ｄの外表面の粗さ変化プロファイル〔図７〕およびそれに倣って形成される、成膜後の電子写真感光体１Ｄの表面層１３の円筒軸線方向の粗さ変化が、円筒軸線方向全幅にわたって起きるように構成すれば、前述の第２実施形態（図５）と同様、残留トナーＴ２排出側（図示左方）で多く発生する摩耗に耐える、長寿命な電子写真感光体とすることができる。

次に、図８〜図１１に示す第５〜第８実施形態の電子写真感光体（１Ｅ〜１Ｈ）は、各図に示すような表面粗さプロファイルの外表面を有する円筒状基体１０（素管）を用いて構成されている。すなわち、電子写真感光体１Ｅ〜１Ｈは、そのどれもが、外表面の粗さ（算術平均高さＳａ）が、円筒軸線方向一端の第１基体端部（左方のＡブロック）および軸線方向他端の第２基体端部（右方のＫブロック）から、軸線方向中央部（基体中央部）のＦブロックに向かうにつれて漸次増大する素管を元に形成されている。成膜後の電子写真感光体１Ｅ〜１Ｈの表面層１３の表面粗さも、この円筒状基体１０（素管）の表面形状に倣った形状になっている。

詳しく説明すると、図８に示す第５実施形態の画像形成装置は、磁気ローラ１１３Ａの両端に配置された２つのころ１１３Ｂ，１１３Ｂが、電子写真感光体１Ｅ両端の外延部へ当接している。これにより、磁気ローラ１１３Ａと電子写真感光体１Ｅとの間の間隙（現像ギャップ）を規制しており、この外延部に摩耗が多く発生することに対応するものである。

すなわち、電子写真感光体１Ｅは、外表面の粗さが、円筒軸線方向両端の一端（第１基体端部、図示左方の鏡面のＡブロック）および他端（第２基体端部、図示右方のＫブロック）より、基体中央部（図示Ｂ〜Ｊブロック）の表面粗さの大きい素管を元に形成されている。成膜後の電子写真感光体１Ｅの表面層１３の表面粗さも、この円筒状基体１０（素管）の表面形状に倣った、円筒軸線方向両端の一端（第１表面層端部、図示左方の鏡面のＡブロック）および他端（第２表面層端部、図示右方のＫブロック）より、表面層中央部（図示Ｂ〜Ｊブロック）の表面粗さの大きい基体になっている。

電子写真感光体１Ｅの円筒状基体１０（素管）の表面粗さＳａは、例えば、基体端部のＡ，Ｋブロック（基体鏡面部）で２５ｎｍ未満、基体中央のＢ〜Ｊブロックで６０ｎｍである。また、電子写真感光体１Ｅの表面層１３における印画部（ブロックＢ〜Ｊ）は、表面粗さＳｔｒが０．６７以上の粗面である。鏡面と粗面の境界部分（ブロックＡとＢの間およびブロックＪとＫの間）は、前記第１実施形態の素管と同様、表面層中央部に向かうにつれて徐々に面粗度の増大する粗度傾斜面に形成されている。

以上の構成を有する電子写真感光体によれば、磁気ローラ１１３Ａ両端のころ１１３Ｂと摺接する電子写真感光体１Ｅ両端の外延部が鏡面であることから、この部位における表面層の摩耗が少なく、当初の性能を長く維持することができる。また、クリーニングローラ（摺擦ローラ）やクリーニングブレード等の周辺部材と接する印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の最外表面（表面層１３の外周面）が、表面粗さＳｔｒ≧０．６７の粗面に形成されていることから、多数回繰り返し使用しても画像異常が発生し難く、電子写真感光体１Ｅの寿命を延ばすことができる。

次に、図９に示す第６実施形態の電子写真感光体１Ｆは、図３に示すクリーニング器１１６のクリーニングローラ（摺擦ローラ）１１６Ｂが、クラウン状等の中央部の摩耗を考慮した形状になっており、クリーニングローラ１１６Ｂ両端の電子写真感光体１Ｆに対する接圧が高められている場合に対応するものである。

すなわち、電子写真感光体１Ｆは、外表面の粗さが、円筒軸線方向両端の一端（第１基体端部、図示左方の鏡面のＡブロック）および他端（第２基体端部、図示右方のＫブロック）から、基体中央部（図示Ｆ）に向かうにつれて漸次増大する素管を元に形成されている。成膜後の電子写真感光体１Ｅの表面層１３の表面粗さも、この円筒状基体１０（素管）の表面形状に倣った、円筒軸線方向両端の一端（第１表面層端部、図示左方の鏡面のＡブロック）および他端（第２表面層端部、図示右方のＫブロック）から、表面層中央部（図示Ｆ）に向かうにつれて漸次増大する基体になっている。

電子写真感光体１Ｆの円筒状基体１０（素管）の表面粗さＳａは、例えば、基体端部のＡ，Ｋブロック（基体鏡面部）で２５ｎｍ未満、基体中央部のＦブロックで１１０ｎｍである。また、電子写真感光体１Ｆの表面層１３における印画部（ブロックＢ〜Ｊ）は、表面粗さＳｔｒが０．６７以上の粗面であり、鏡面と粗面の境界部分（ブロックＡとＢの間およびブロックＪとＫの間）は、先に述べた実施形態の素管と同様、表面層中央部に向かうにつれて徐々に面粗度の増大する粗度傾斜面に形成されている。

以上の構成を有する電子写真感光体によれば、磁気ローラ１１３Ａ両端のころ１１３Ｂと摺接する電子写真感光体１Ｆ両端の外延部が鏡面（表面層鏡面部１３Ｂ）であることから、この部位における表面層の摩耗が少なく、当初の性能を長く維持することができる。また、クリーニングローラ（摺擦ローラ）等の周辺部材と接する印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の最外表面（表面層１３の外周面）が表面粗さＳｔｒ≧０．６７の粗面に形成され、かつ、その表面粗さＳｔｒが表面層中央部に向かうにつれて面粗度の増大する粗面に形成されている。これにより、クリーニングローラ１１６Ｂ両端の電子写真感光体１Ｆに対する接圧が高く設定されている場合でも、この接圧の高い部位の摩耗を低減することができる。したがって、電子写真感光体１Ｆも、寿命の長い電子写真感光体とすることができる。

なお、円筒軸線方向の両端部に表面層鏡面部（Ｓａが２５ｎｍ未満）領域を設けない場合は、図１０に示す第７実施形態の電子写真感光体１Ｇのように構成することができる。この場合も、クリーニングローラ等の周辺部材と接する印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の最外表面（表面層１３の外周面）は表面粗さＳｔｒ≧０．６７の粗面に形成され、かつ、その表面粗さＳｔｒが表面層中央部に向かうにつれて面粗度の増大する粗面に形成されている。

電子写真感光体１Ｇの円筒状基体１０（素管）の表面粗さＳａは、例えば、左右両端のＡ，Ｋブロックで６０ｎｍ、基体中央のＦブロックで１１９ｎｍである。また、成膜後の電子写真感光体１Ｇの表面層１３における印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の表面粗さＳｔｒは、左右のＡ，Ｋブロックで０．８９、表面層中央のＦブロックで０．９７であった。

以上の構成の電子写真感光体によれば、クラウン状等のクリーニングローラと接する印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の最外表面（表面層の外周面）が、表面粗さＳｔｒ≧０．６７に形成され、かつ、両表面層端部から表面層中央部に向かうにつれて漸次増大する粗面に形成されていることから、クリーニングローラ１１６Ｂ両端の電子写真感光体１Ｇに対する接圧が高く設定されている場合でも、この接圧の高い部位の摩耗を低減することができる。したがって、電子写真感光体１Ｇも、寿命の長い電子写真感光体とすることができる。

次に、図１１に示す第８実施形態の電子写真感光体１Ｈは、クリーニング器１１６のクリーニングローラ（摺擦ローラ）１１６Ｂが、中央部の摩耗を考慮したクラウン形状になっており、かつ、電子写真感光体クリーニング用の外添剤（使用済み残留トナーＴ２）の排出口が、図示左側に設けられている場合に対応するものである。

すなわち、電子写真感光体１Ｈは、表面層形成前の素管（円筒状基体１０）の状態における外周面の表面粗さプロファイル〔図１１〕の特徴は、円筒軸線方向一端の第１基体端部（図示左方）および軸線方向他端の第２基体端部（図示右方）から、軸線方向中央の基体中央部に向かうにつれて漸次増大する粗面に形成されているとともに、使用済み残留トナーＴ２の滞留により排出側で多く発生する摩耗を考慮して、その表面粗さの極大点が、基体中央部より図示右よりのＧ，Ｈブロックにオフセット配置されている点である。なお、このように、表面粗さの極大点が基体中央部より右よりにずれたのは、前記第８実施形態のプロファイル〔図９〕に、先の第２実施形態のプロファイル〔図５参照〕のような、表面粗さが左側の一端（トナー排出側の第１基体端部）に向かうにつれて漸次減少するプロファイルを重ね合わせたからである。

また、電子写真感光体１Ｈの円筒状基体１０（素管）の表面粗さＳａは、例えば、基体端部のＡ，Ｋブロック（基体鏡面部）で２５ｎｍ未満、基体中央寄りのＧ，Ｈブロックで１１９ｎｍとなっており、成膜後の電子写真感光体１Ｈの表面層１３の表面粗さも、この円筒状基体１０（素管）の表面形状に倣った形状になっている。さらに、電子写真感光体１Ｈの表面層１３における印画部（ブロックＢ〜Ｊ）は、表面粗さＳｔｒが０．６７以上の粗面であり、表面層中央寄りのＧ，ＨブロックのＳｔｒは０．９１である。そして、鏡面と粗面の境界部分（ブロックＡとＢの間およびブロックＪとＫの間）は、表面層中央部に向かうにつれて徐々に面粗度の増大する粗度傾斜面に形成されている。

なお、一端側の鏡面である表面層鏡面部１３Ｂ（Ａブロック）には、先の第１実施形態と同様、周方向の一箇所に、鏡面よりも表面粗さが大きい識別部Ｍを備えている。この識別部は、磁気ローラ１１３Ａを支持するころ１１３Ｂが当接する位置（図示の外延）から外れた場所に設けられおり、周方向に変化する表面粗さ（線条痕）を利用したバーコード（個体識別コード部）になっている。

以上の構成を有する電子写真感光体によれば、磁気ローラ１１３Ａ両端のころ１１３Ｂと摺接する電子写真感光体１Ｈ両端の外延部が鏡面（表面層鏡面部１３Ｂ）であることから、この部位の表面層の摩耗が少ない。また、クリーニングローラ等の周辺部材と接する印画部（ブロックＢ〜Ｊ）の最外表面（表面層１３の外周面）が、表面粗さＳｔｒ≧０．６７の粗面に形成されているため、多数回繰り返し使用しても画像異常が発生し難い。さらに、使用済み残留トナーＴ２の排出側で多く発生する摩耗も低減されている。これらの相乗効果により、多数回・長期間繰り返して使用しても画像異常が発生し難い、耐久性に優れた電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置を実現することができる。

以上の本発明の実施形態における電子写真感光体の各種構成をまとめると、本実施形態において請求する技術的範囲は、円筒状基体と、前記円筒状基体の外表面に位置している表面層と、を備える電子写真感光体であって、前記円筒状基体の外表面は、少なくとも円筒の軸線方向の基体中央部が粗面であり、前記表面層の外表面の表面粗さは、円筒の軸線方向の表面層中央部が、前記軸線方向の両表面層端部のうち少なくとも一方よりも大きく、かつ、前記円筒状基体の外表面の表面粗さは、円筒の軸線方向の基体中央部が、前記軸線方向の両基体端部のうち少なくとも一方よりも大きい、電子写真感光体であると言うことができる。

また、前記実施形態において請求する技術的範囲は、前記円筒状基体の外表面の前記表面粗さは、前記両基体端部の第１基体端部から第２基体端部に向かうにつれて漸次増大する、前記電子写真感光体を包含するものである。

さらに、前記実施形態において請求する技術的範囲は、前記円筒状基体の外表面の前記表面粗さは、前記両基体端部のうち少なくとも一方から前記基体中央部に向かうにつれて漸次増大する、前記電子写真感光体を包含するものである。

さらにまた、前記実施形態において請求する技術的範囲は、前記円筒状基体の外表面の前記両基体端部のうち少なくとも一方は、表面粗さがＳａ＜２５ｎｍの鏡面を含む基体鏡面部を有する、前記電子写真感光体を包含するものである。

そして、前記実施形態において請求する技術的範囲は、前記基体鏡面部は、円筒の軸線方向外延を除く部位に前記鏡面よりも表面粗さが大きい識別部を有する、前記電子写真感光体を包含する。

なお、本発明は上述の実施形態に示したものだけに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で改良や変更ができることは言うまでもない。

例えば、上述の実施形態において、円筒状基体１０と、電荷注入阻止層１１ａと、光導電層１１ｂと、を別々の構成要素として説明したが、これに代えて、円筒状基体１０の少なくとも表面が電荷注入阻止特性を備えるようにしてもよい。これによれば、別途電荷注入阻止層１１ａを設けることなく、円筒状基体１０それ自体によって、円筒状基体１０から光導電層１１ｂへのキャリア（電子）の注入を阻止する役割を有することができる。

１ 電子写真感光体
１Ａ〜１Ｈ 電子写真感光体
２ プラズマＣＶＤ装置
３ 支持体
４ 真空反応室
５ 回転手段
６ 原料ガス供給手段
７ 排気手段
１０ 円筒状基体
１１ 感光層
１１ａ 電荷注入阻止層
１１ｂ 光導電層
１２ 表面保護層
１３ 表面層
１３Ａ 表面層粗面部
１３Ｂ 表面層鏡面部
３０ フランジ部
３１ 導電性支柱
３２ 絶縁材
３３ 導板
３４ 直流電源
３５ 制御部
３６ セラミックパイプ
３７ ヒータ
３８ ダミー基体
３８Ａ 下ダミー基体
３８Ｂ 中間ダミー基体
３８Ｃ 上ダミー基体
４０ 円筒状電極
４１，４２ プレート
４３，４４ 絶縁部材
４２Ａ，４４Ａ ガス排出口
４５ａ，４５ｂ ガス導入口
４６ ガス吹き出し孔
４９ 圧力計
５０ 回転モータ
５１ 回転力伝達機構
５２ 回転導入端子
５３ 絶縁軸部材
５４ 絶縁平板
６０〜６３ 原料ガスタンク
６４ ドーパント専用ガスタンク
６０Ａ〜６４Ａ，６５ａ，６５ｂ 配管
６０Ｂ〜６４Ｂ，６０Ｃ〜６４Ｃ バルブ
６０Ｄ〜６４Ｄ マスフローコントローラ
７１ メカニカルブースタポンプ
７２ ロータリーポンプ
１００ 画像形成装置
１１１ 帯電器
１１２ 露光器
１１３ 現像器
１１３Ａ 磁気ローラ
１１３Ｂ ころ
１１３Ｃ トナー撹拌用搬送スクリュー
１１４ 転写器
１１４Ａ 転写用チャージャ
１１４Ｂ 分離用チャージャ
１１５ 定着器
１１５Ａ，１１５Ｂ 定着ローラ
１１６ クリーニング器
１１６Ａ クリーニングブレード
１１６Ｂ クリーニングローラ
１１６Ｃ トナー排出用搬送スクリュー
１１７ 除電器
Ｐ 記録媒体
Ｔ 現像剤（トナー）
Ｔ１ 未使用トナー
Ｔ２ 残留トナー

本開示の電子写真感光体は、円筒状基体と、前記円筒状基体の外表面に位置している表面層と、を備える。前記表面層の外表面の表面粗さは、円筒の軸線方向の表面層中央部が、前記軸線方向の両表面層端部のうち少なくとも一方よりも大きく、前記両表面層端部の第１表面層端部から第２表面層端部に向かうにつれて漸次増大する。
また本開示の電子写真感光体は、円筒状基体と、前記円筒状基体の外表面に位置している表面層と、を備える電子写真感光体であって、前記表面層の外表面の表面粗さは、円筒の軸線方向の表面層中央部が、前記軸線方向の両表面層端部のうち少なくとも一方よりも大きく、前記表面層の外表面の前記両表面層端部のうち少なくとも一方は、表面粗さがＳａ＜２５ｎｍの鏡面を含む表面層鏡面部を有する。

Claims (8)

1. 円筒状基体と、
   前記円筒状基体の外表面に位置している表面層と、を備える電子写真感光体であって、
   前記表面層の外表面の表面粗さは、円筒の軸線方向の表面層中央部が、前記軸線方向の両表面層端部のうち少なくとも一方よりも大きい、電子写真感光体。
2. 前記表面層の外表面の前記表面粗さは、前記両表面層端部の第１表面層端部から第２表面層端部に向かうにつれて漸次増大する、請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記表面層の外表面の前記表面粗さは、前記両表面層端部のうち少なくとも一方から前記表面層中央部に向かうにつれて漸次増大する、請求項１に記載の電子写真感光体。
4. 前記表面層の外表面の前記両表面層端部のうち少なくとも一方は、表面粗さがＳａ＜２５ｎｍの鏡面を含む表面層鏡面部を有する、請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
5. 前記表面層鏡面部は、円筒の軸線方向外延を除く部位に前記鏡面よりも表面粗さが大きい識別部を有する、請求項４に記載の電子写真感光体。
6. 前記表面層は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を含む、請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
7. 前記表面層は、有機材料を含む、請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
8. 請求項１〜７のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面に接触可能な周辺部材と、を備える画像形成装置。