JP6774330B2 - 電子写真感光体および画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置に関するものである。

従来、電子写真感光体は、例えば特許文献１に記載されているように円筒状の基体などの表面に、電荷注入阻止層，光導電層，表面保護層等からなる表面層を形成した構成を有する。

特開昭６３−１２９３４８号公報

しかしながら、上述のような電子写真感光体は、画像形成装置において多数回繰り返して使用すると、周辺部材との摩擦によって表面層が平滑化あるいは磨耗するおそれがあった。ここでいう周辺部材とは、電子写真感光体の表面に残存する現像剤を除去するクリーニングブレード、電子写真感光体の表面を帯電する帯電ローラなどである。そしてその結果、例えば、電子写真感光体の表面層とクリーニングブレードとの接触面積が増大して摩擦抵抗が増加することによって、クリーニングブレードが欠損してしまう場合があった。

また、電子写真感光体の表面層に、大きな凹凸や深い凹みがあると、電子写真感光体の外表面に付着したトナー外添剤をクリーニングブレードで完全に除去することができず、帯電ローラを徐々に汚染して、異常スジや黒点などの画像異常が発生するおそれがあった。

そこで、多数回繰り返して使用しても、画像異常の発生を抑えることのできる、耐久性に優れた電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置が求められている。

本発明の実施形態に係る電子写真感光体は、外表面に粒径０．２μｍ以下の研磨材からなる微小粒子が位置している円筒状基体と、前記円筒状基体の外表面に前記微小粒子を覆うように位置している表面層と、を備え、前記表面層は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を含むとともに、表面に第２凹凸部を有し、前記第２凹凸部の表面粗さは、表面性状のアスペクト比ＳｔｒがＳｔｒ≧０．６７であり、最短自己相関距離ＳａｌがＳａｌ≦１０．３μｍである。

本発明の実施形態に係る画像形成装置は、前記電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面に接触可能なクリーニング器と、を備える。

本発明の実施形態に係る電子写真感光体および画像形成装置によれば、外表面に微小粒子が位置している円筒状基体と、円筒状基体の外表面に微小粒子を覆うように位置している表面層とを備えるため、例えば、円筒状基体の外表面に比較的大きな凹凸が存在する場合であっても、当該凹凸に微小粒子が存在することによって、表面層の凹凸を低減あるいは緩和することが可能となる。これにより、多数回繰り返して使用しても、画像異常が発生し難く優れた耐久性を発揮することができる。

（ａ）は本発明の実施形態に係る電子写真感光体を示す断面図である。（ｂ）は（ａ）の要部断面図である。 堆積膜形成装置の縦断面図である。 本発明の実施形態に係る画像形成装置を示す断面図である。 電子写真感光体の円筒状基体の外表面および表面層の最外表面の状態を示す断面モデル図である。

以下、本発明の実施形態に係る電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の内容は、本発明の実施形態を例示するものであって、本発明はこれらの実施形態の例に限定されるものではない。

（電子写真感光体）
本発明の実施形態に係る電子写真感光体について、図１を用いて説明する。

図１に示した電子写真感光体１は、円筒状基体１０の外表面（基体外周面１０ａ）に、電荷注入阻止層１１ａおよび光導電層１１ｂを順次形成した感光層１１を有しており、感光層１１の外表面上には表面保護層１２が形成されている。なお、ここで、表面層１３は、感光層１１および表面保護層１２を含む。

円筒状基体１０は、感光層１１の支持体となるものであり、少なくとも円筒状基体１０の表面は導電性を有する。

この円筒状基体１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）およびマンガン（Ｍｎ）などの金属材料あるいはこれら例示した金属材料を含む合金材料によって、全体が導電性を有するものとして形成されている。また、円筒状基体１０は、樹脂、ガラスあるいはセラミックスなどの表面に、例示した金属材料ならびにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）あるいはＳｎＯ_２（二酸化すず）などの透明導電性材料による導電性膜を被着したものであってもよい。これらの例示した材料のうち、円筒状基体１０を形成するための材料としては、アルミニウム（Ａｌ）系材料を用いればよく、円筒状基体１０の全体をアルミニウム（Ａｌ）系材料で形成すればよい。そうすれば、電子写真感光体１を軽量かつ低コストで製造可能であり、その上、電荷注入阻止層１１ａおよび光導電層１１ｂをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成する場合には、それらの層と円筒状基体１０との間の密着性が高くなって信頼性を向上させることができる。

円筒状基体１０の表面は、粗面化されていてもよい。円筒状基体１０の表面粗さは、粗面化後で、例えば、５０ｎｍ＜Ｓａ＜１４０ｎｍとすればよい。また、粗面化を行なう方法としては、例えば、ウェットブラスト、スパッタエッチング、ガスエッチング、研磨、旋削加工、ウェットエッチング、ガルバニック電喰などを用いればよい。上記表面粗さを満たす抽伸管であれば、表面形状を調整するための表面処理をせずにそのまま用いることもできる。なお、本発明においては、表面の算術平均高さＳａが２５ｎｍ以上の部位（面領域）を「粗面」と呼ぶ。

また、円筒状基体１０の表面は、上述の粗面化の前に、鏡面加工を行なってもよいが、その場合には鏡面加工の後で粗面化の前に油分除去を行なうようにすればよい。さらに、円筒状基体１０の表面粗さは、鏡面加工後で、例えば、Ｓａ＜２５ｎｍとすればよい。なお、本発明においては、表面の算術平均高さＳａが２５ｎｍ未満の部位（面領域）を「鏡面」という。

なお、本明細書において、Ｓａ（算術平均粗さ）とは、ＩＳＯ２５１７８によって定義される三次元の表面性状を表すパラメータの一つであって、測定対象領域中の表面の平均面からの高さの絶対値の算術平均粗さ（ｎｍ）を示す。また、当該測定は、後記のオリンパス株式会社製３次元測定レーザ顕微鏡ＯＬＳ４１００により、ＩＳＯ２５１７８に準拠した３次元粗さパラメータにて表面形状を計測した。なお、電子写真感光体（表面層）の測定は、そのまま製品表面を計測し、表面層下の円筒状基体の外表面（外周面）の測定は、電子写真感光体の製品からＣｌＦ_３やＣＦ_４等を用いたドライエッチングで表面層を除去した後、計測を行った。

なお、電子写真感光体１の表面性状は、必ずしも表面保護層１２の全面において、所定の範囲を満たす必要はない。例えば、クリーニングブレード１１６Ａに接触しない、円筒状基体１０の軸方向両端部等においては、表面性状が範囲外の値となってもよい。このことは、以下に記載される表面性状の全てのパラメータについて同様である。

電荷注入阻止層１１ａは、円筒状基体１０からのキャリア（電子）の注入を阻止する役割を有するものである。この電荷注入阻止層１１ａは、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成されている。この電荷注入阻止層１１ａは、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）と場合により窒素（Ｎ）か酸素（Ｏ）またはその両方を含有させたもの、あるいはリン（Ｐ）と場合により窒素（Ｎ）か酸素（Ｏ）またはその両方を含有させたものを用いることができ、その厚みは２μｍ以上１０μｍ以下とされている。

光導電層１１ｂは、レーザ光などの光照射によってキャリアを発生させる役割を有するものである。この光導電層１１ｂは、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料ならびにＳｅ−ＴｅあるいはＡｓ２Ｓｅ３などのアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）系材料で形成されている。本例の光導電層１１ｂは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ならびにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）などを加えたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成されており、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）が含有される。

また、光導電層１１ｂの厚みは、使用する光導電性材料および所望の電子写真特性に応じて適宜設定すればよく、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料を用いて光導電層１１ｂを形成する場合には、光導電層１１ｂの厚みは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下、より具体的には１０μｍ以上８０μｍ以下に設定すればよい。

表面保護層１２は、感光層１１の表面を保護する役割を有するものである。表面保護層１２は、例えばアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）あるいはアモルファス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ）などのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料または、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）を用いるか、あるいはそれらの多層構造とすればよい。本例では、表面保護層１２を３層構造とし、最表面となる表面保護層１２の第３層は、画像形成装置内での摺擦に対する耐摩耗性の観点から、耐性の高いアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）を採用している。

表面保護層１２の厚みは、例えば、電子写真感光体の必要耐久枚数に合わせて調整すればよく、必要以上に厚くする必要は無い。例えば、０．１μｍ以上２μｍ以下、より具体的には０．５μｍ以上、１．５μｍ以下に設定すればよい。

本実施形態において、表面保護層１２の表面粗さは、Ｓｔｒ≧０．６７に設定すればよく、より具体的にはＳｔｒ≧０．７９に設定すればよい。これによれば、優れた耐久特性および画像異常の低減を発揮することができる。すなわち、初期におけるクリーニングブレードなどの電子写真感光体クリーニング用の周辺部材との摩擦抵抗を抑制することができるとともに、耐久使用時において、表面が徐々に磨耗しても表面粗さを一定範囲内に維持し続けることが可能である。その結果、表面保護層と、クリーニングブレードとの間の摩擦抵抗の増大を効果的に抑制し続けることができることから、印画した画像に異常スジなどの画像異常の発生を低減することが可能となる。

また、表面保護層１２の表面粗さは、Ｓａｌ≦１０．３μｍに設定すればよい。さらに、表面保護層１２の表面粗さは、Ｓａｌ≧０．９μｍに設定すればよく、より具体的にはＳａｌ≧１．６μｍに設定すればよい。これによれば、上述のような優れた耐久特性および画像異常の低減をより効果的に発揮することができる。すなわち、表面保護層の表面の面方向において、上記数値で規定される狭いピッチで凹凸が存在することによって、初期不良の低減および耐久使用時の摩擦抵抗増大の抑制を実現することができる。

なお、本明細書において、Ｓｔｒ（表面性状のアスペクト比）とは、ＩＳＯ２５１７８によって定義される三次元の表面性状を表すパラメータの一つであって、表面性状のアスペクト比を示す。すなわち、表面性状の均一性を表す尺度であり、表面の自己相関が相関値０．２に減衰する最も遠い横方向の距離とＳａｌとの比で定義される。Ｓｔｒは０〜１の範囲の値を有し、値が大きければ大きいほど強い等方性を示し、低ければ低いほど強い異方性を示す。また、本明細書において、Ｓａｌ（最短自己相関距離）とは、ＩＳＯ２５１７８によって定義される三次元の表面性状を表すパラメータの一つであって、最短の自己相関距離（μｍ）を示す。表面の自己相関が相関値０．２に減衰する最も近い横方向の距離を表す。すなわち、横方向の支配的な最小凹凸ピッチを示す。

ここで、ＳａｌおよびＳｔｒは、初期状態の電子写真感光体１、すなわち画像形成装置において多数回繰り返して使用される前の電子写真感光体１の表面保護層１２の表面性状を示す値である。これは、市場製品の電子写真感光体１について、工場出荷時の表面性状を示す値であることを意味する。

なお、この表面保護層１２は、電子写真感光体１に照射されるレーザ光などの光が吸収されたり、反射されたりすることのないように透過性に優れており、また、画像形成における静電潜像を保持でき得る表面抵抗値（一般的には１０ ^１１ Ω・ｃｍ以上）を有するものを用いればよい。

以上のような、電子写真感光体１における表面層１３を構成する、電荷注入阻止層１１ａ、光導電層１１ｂおよび表面保護層１２は、例えば図２に示したプラズマＣＶＤ（化学気相成長：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置２を用いて形成される。

（プラズマＣＶＤ装置）
プラズマＣＶＤ装置２は、支持体３を真空反応室４に収容したものであり、回転手段５、原料ガス供給手段６および排気手段７をさらに備えている。

支持体３は、円筒状基体１０を支持する役割を有するものである。この支持体３は、フランジ部３０を有する中空状に形成されているとともに、円筒状基体１０と同様な導電性材料で全体が導体として形成されている。

導電性支柱３１は、円筒状基体１０と同様な導電性材料で全体が導体として形成されており、真空反応室４（後述する円筒状電極４０）の中心において、後述するプレート４２に対して絶縁材３２を介して固定されている。導電性支柱３１には、導板３３を介して直流電源３４が接続されている。制御部３５は、直流電源３４を制御することにより、導電性支柱３１を介して、支持体３にパルス状の直流電圧を供給させるように構成されている。

導電性支柱３１の内部には、セラミックパイプ３６を介してヒータ３７が収容されている。

ここで、支持体３の温度は、ヒータ３７をオン・オフさせることによって、例えば２００℃以上４００℃以下から選択される一定の範囲に維持される。

真空反応室４は、円筒状基体１０に対して堆積膜を形成するための空間であり、円筒状電極４０および絶縁部材４３，４４を介して接合された一対のプレート４１，４２によって規定されている。

円筒状電極４０は、支持体３に支持させた円筒状基体１０と円筒状電極４０との間の距離Ｄ１が１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下となるような大きさに形成されている。

円筒状電極４０は、ガス導入口４５ａ，４５ｂおよび複数のガス吹き出し孔４６が設けられているとともに、その一端において接地されていてもよく、接地されていない場合は、直流電源３４とは別の基準電源に接続してもよい。

ガス導入口４５ａは、真空反応室４に供給すべき光導電層１１ｂのドーパント専用の原料ガスを導入する役割を有するものであり、ガス導入口４５ｂは、真空反応室４に供給すべき原料ガスを導入する役割を有するものであり、いずれのガス導入口４５ａ，４５ｂも原料ガス供給手段６に接続されている。

複数のガス吹き出し孔４６は、円筒状電極４０の内部に導入された原料ガスを円筒状基体１０に向けて吹き出す役割を有するものであり、図の上下方向に等間隔になるように配置されているとともに、周方向にも等間隔で配置されている。

プレート４１を開閉することによって真空反応室４に対する支持体３の出し入れが可能とされている。プレート４１は、下面側に防着板４７が取着され、プレート４１に対して堆積膜が形成されるのを防止している。

プレート４２は、真空反応室４のベースとなるものである。プレート４２と円筒状電極４０との間に介在する絶縁部材４４は、円筒状電極４０とプレート４２との間にアーク放電が発生するのを抑える役割を有するものである。

プレート４２および絶縁部材４４には、ガス排出口４２Ａ，４４Ａおよび圧力計４９が設けられている。ガス排出口４２Ａ，４４Ａは、真空反応室４の内部の気体を排出する役割を有するものであり、排気手段７に接続されている、圧力計４９は、真空反応室４の圧力をモニタリングする役割を有するものであり、公知の種々のものを使用することができる。

図２に示したように、回転手段５は、支持体３を回転させる役割を有するものであり、回転モータ５０および回転力伝達機構５１を有している。

回転モータ５０は、円筒状基体１０に回転力を付与するものである。回転モータ５０としては、公知の種々のものを使用することができる。

回転力伝達機構５１は、回転モータ５０からの回転力を円筒状基体１０に伝達・入力する役割を有するものであり、回転導入端子５２、絶縁軸部材５３および絶縁平板５４を有している。

回転導入端子５２は、真空反応室４内の真空を保ちながら回転力を伝達する役割を有するものである。

絶縁軸部材５３および絶縁平板５４は、支持体３とプレート４１との間の絶縁状態を維持しつつ、回転モータ５０からの回転力を支持体３に入力する役割を有するものであり、例えば絶縁部材４４などの同様な絶縁材料で形成されている。

絶縁平板５４は、プレート４１を取り外しするときに上方から落下するゴミや粉塵などの異物が円筒状基体１０へ付着するのを防止する役割を有するものである。

図２に示したように、原料ガス供給手段６は、複数の原料ガスタンク６０，６１，６２，６３、光導電層１１ｂのドーパント専用ガスタンク６４、複数の配管６０Ａ，６１Ａ，６２Ａ，６３Ａ，６４Ａ、バルブ６０Ｂ，６１Ｂ，６２Ｂ，６３Ｂ，６４Ｂ，６０Ｃ，６１Ｃ，６２Ｃ，６３Ｃ，６４Ｃおよび複数のマスフローコントローラ６０Ｄ，６１Ｄ，６２Ｄ，６３Ｄ，６４Ｄを備えたものであり、配管６５ａ，６５ｂおよびガス導入口４５ａ，４５ｂを介して円筒状電極４０に接続されている。各原料ガスタンク６０〜６４は、例えばＢ_２Ｈ_６（またはＰＨ_３）、Ｈ_２（またはＨｅ）、ＣＨ_４あるいはＳｉＨ_４が充填されたものである。バルブ６０Ｂ〜６４Ｂ，６０Ｃ〜６４Ｃおよびマスフローコントローラ６０Ｄ〜６４Ｄは、真空反応室４に導入する各原料ガス成分または光導電層１１ｂのドーパント専用ガス成分の流量、組成およびガス圧を調整する役割を有するものである。

排気手段７は、真空反応室４のガスをガス排出口４２Ａ，４４Ａを介して外部に排出する役割を有するものであり、メカニカルブースタポンプ７１およびロータリーポンプ７２を備えている。これらのポンプ７１，７２は、圧力計４９でのモニタリング結果に応じて動作制御されるものである。

このようなプラズマＣＶＤ装置２は、上記のとおり、一つの装置にて真空反応室４内の真空状態を維持したまま連続的に粗面化、感光層１１および表面保護層１２の形成処理を行なうことが可能であり、粗面化部と、電荷注入阻止層形成部と、光導電層形成部と、表面保護層形成部と、を備える電子写真感光体の製造装置の一例である。

（堆積膜の形成方法）
次に、プラズマＣＶＤ装置２を用いた堆積膜の形成方法について、円筒状基体１０に感光層１１としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜が、表面保護層１２としてアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）膜とアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）膜とが積層された電子写真感光体１（図１を参照）を作製する場合を例にとって説明する。

まず、円筒状基体１０に堆積膜（ａ−Ｓｉ膜）を形成するにあたっては、プラズマＣＶＤ装置２のプレート４１を取り外した上で、複数の円筒状基体１０（図面上は２つ）を支持した支持体３を真空反応室４の内部にセットし、再びプレート４１を取り付ける。

支持体３に対する２つの円筒状基体１０の支持にあたっては、フランジ部３０上に、支持体３の主要部を覆って下ダミー基体３８Ａ、円筒状基体１０、中間ダミー基体３８Ｂ、円筒状基体１０および上ダミー基体３８Ｃが順次積み上げられる。

各ダミー基体３８Ａ〜３８Ｃとしては、製品の用途に応じて、導電性または絶縁性基体の表面に導電処理を施したものが選択されるが、通常は、円筒状基体１０と同様な材料で円筒状に形成されたものが使用される。

ここで、下ダミー基体３８Ａは、円筒状基体１０の高さ位置を調整する役割を有するものである。中間ダミー基体３８Ｂは、隣接する円筒状基体１０の端部間で生じるアーク放電に起因する円筒状基体１０に成膜不良が発生するのを抑制する役割を有するものである。上ダミー基体３８Ｃは、支持体３に堆積膜が形成されるのを防止し、成膜中に一旦被着した成膜体の剥離に起因する成膜不良の発生を抑制する役割を有するものである。

次いで、真空反応室４を密閉状態とし、回転手段５によって支持体３を介して円筒状基体１０を回転させるとともに、円筒状基体１０を加熱し、排気手段７によって真空反応室４を減圧する。

円筒状基体１０の加熱は、例えばヒータ３７に対して外部から電力を供給してヒータ３７を発熱させることによって行なわれる。円筒状基体１０の温度は、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する場合には２５０℃以上３００℃以下の範囲に設定される。

一方、真空反応室４の減圧は、排気手段７によってガス排出口４２Ａ，４４Ａを介して真空反応室４からガスを排出させることによって行なわれる。真空反応室４の減圧の程度は、圧力計４９（図２を参照）でモニタリングしつつ、例えば１０^−３Ｐａ程度とすればよい。

次いで、円筒状基体１０の温度が所望温度となり、真空反応室４の圧力が所望圧力となった場合には、原料ガス供給手段６によって真空反応室４に原料ガスを供給するとともに、円筒状電極４０と支持体３との間にパルス状の直流電圧を印加する。これにより、円筒状電極４０と支持体３（円筒状基体１０）との間にグロー放電が起こり、原料ガス成分が分解され、原料ガスの分解成分が円筒状基体１０の表面に堆積する。

一方、排気手段７においては、真空反応室４におけるガス圧を目的範囲に維持する。真空反応室４におけるガス圧は、例えば１Ｐａ以上１００Ｐａ以下とすればよい。

真空反応室４への原料ガスの供給は、バルブ６０Ｂ〜６４Ｂ，６０Ｃ〜６４Ｃの開閉状態を適宜制御しつつ、マスフローコントローラ６０Ｄ〜６４Ｄを制御することにより、原料ガスタンク６０〜６４の原料ガスを所望の組成および流量で配管６０Ａ〜６４Ａ，６５ａ，６５ｂおよびガス導入口４５ａ，４５ｂを介して円筒状電極４０の内部に導入することによって行なわれる。そして、原料ガスの組成を適宜切り替えることによって、円筒状基体１０の表面には、電荷注入阻止層１１ａ、光導電層１１ｂおよび表面保護層１２が順次積層形成される。

円筒状電極４０と支持体３との間へのパルス状の直流電圧の印加は、制御部３５によって直流電源３４を制御することによって行なわれる。

円筒状基体１０側が正負いずれかの極性になるようなパルス状の直流電圧を印加してカチオンを加速させて円筒状基体１０に衝突させ、その衝撃によって表面の微細な凹凸をスパッタリングしながらアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の成膜を行なった場合には、大きな突起状の成長が抑制された均一性の高い凹凸を有する表面を備えるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が得られる。この現象を以下においてイオンスパッタリング効果と言う場合がある。

このようなプラズマＣＶＤ法において効率よくイオンスパッタリング効果を得るには、極性の連続的な反転を避けるような電力を印加することが必要であり、前記パルス状の矩形波の他には、三角波、極性の反転しない直流電圧が有用である。また、全ての電圧が正負いずれかの極性になるように調整された交流電圧などでも同様の効果が得られる。

ここで、パルス状電圧によって効率よくイオンスパッタリング効果を得るには、支持体３（円筒状基体１０）と円筒状電極４０との間の電位差は、例えば５０Ｖ以上３０００Ｖ以下の範囲内とされ、成膜レートを考慮した場合には、より具体的には５００Ｖ以上３０００Ｖ以下の範囲内とすればよい。

制御部３５はまた、直流電圧の周波数（１／Ｔ（ｓｅｃ））が３００ｋＨｚ以下に、Ｄｕｔｙ比（Ｔ１／Ｔ）が２０％以上９０％以下になるように直流電源３４を制御する。

なお、本実施形態におけるＤｕｔｙ比とは、パルス状の直流電圧の１周期（Ｔ）（円筒状基体１０と円筒状電極４０との間に電位差が生じた瞬間から、次に電位差が生じた瞬間までの時間）における電位差発生時間Ｔ１が占める時間割合と定義される。

このイオンスパッタリング効果を利用して得られたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の光導電層１１ｂは、その厚みが１０μｍ以上となっても、表面には上述のような大きな突起状の成長が抑制された均一性の高い凹凸が存在する。そのため、光導電層１１ｂの外表面上に、表面保護層１２であるアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）とアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）とを計１μｍ程度積層すればよい。この場合の表面保護層１２の表面形状は、光導電層１１ｂの表面形状を反映した面とすることが可能となる。すなわち、光導電層１１ｂ上に表面保護層１２を積層する場合においても、イオンスパッタリング効果を利用することにより、表面保護層１２を大きな突起状の成長が抑制された均一性の高い凹凸を有する膜として形成することができる。

例えば、電荷注入阻止層１１ａをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系の堆積膜として形成する場合には、原料ガスとして、ＳｉＨ_４（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガス、Ｂ_２Ｈ_６やＰＨ_３などのドーパント含有ガスおよび水素（Ｈ_２）あるいはヘリウム（Ｈｅ）などの希釈ガスの混合ガスが用いられる。ドーパント含有ガスとしては、ホウ素（Ｂ）含有ガスと場合により窒素（Ｎ）含有ガスか酸素（Ｏ）含有ガスまたはその両方を含有させたもの、あるいはリン（Ｐ）含有ガスと場合により窒素（Ｎ）含有ガスか酸素（Ｏ）含有ガスまたはその両方を含有させたものを用いることもできる。

光導電層１１ｂをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系の堆積膜として形成する場合には、原料ガスとして、ＳｉＨ_４（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガスおよび水素（Ｈ_２）あるいはヘリウム（Ｈｅ）などの希釈ガスの混合ガスが用いられる。光導電層１１ｂにおいては、ダングリングボンド終端用に水素（Ｈ）あるいはハロゲン元素（フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ））を膜中に１原子％以上４０原子％以下含有させるように、希釈ガスとして水素ガスを用い、あるいは原料ガス中にハロゲン化合物を含ませておいてもよい。

表面保護層１２は、上述のようにａ−ＳｉＣ層とａ−Ｃ層との多層構造として形成する。この場合、原料ガスとしては、ＳｉＨ_４（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガスおよびＣ_２Ｈ_２（アセチレンガス）あるいはＣＨ_４（メタンガス）などのＣ含有ガスが用いられる。ここで、表面保護層１２の第３層であるａ−Ｃ層は、その膜厚が、通常０．０１μｍ以上２μｍ以下、具体的には０．０２μｍ以上１μｍ以下、より具体的には０．０３μｍ以上０．８μｍ以下に設定すればよい。また、表面保護層１２は、その膜厚が、通常０．１μｍ以上６μｍ以下、具体的には０．２５μｍ以上３μｍ以下、より具体的には０．４μｍ以上２．５μｍ以下に設定すればよい。

以上のようにして、円筒状基体１０に対する膜形成が終了した場合には、支持体３から円筒状基体１０を抜き取ることにより、図１に示した電子写真感光体１を得ることができる。

（画像形成装置）
本発明の実施形態に係る画像形成装置について、図３を用いて説明する。

図３に示す画像形成装置は、画像形成方式としてカールソン法を採用したものであり、電子写真感光体１、帯電ローラ１１１を含む帯電器、非接触の露光器１１２、現像ローラ１１３Ａおよび未使用トナーＴ_１撹拌用のトナー搬送スクリュー１１３Ｃを含む現像器１１３、転写器１１４、定着器１１５（１１５Ａおよび１１５Ｂ）と、電子写真感光体に接触するクリーニングローラ１１６Ｂとクリーニングブレード１１６Ａと残留トナーＴ_２排出用のトナー搬送スクリュー１１６Ｃとを含むクリーニング器１１６、および、非接触の除電器１１７を備えている。なお、図中の矢印ｘは、記録媒体Ｐである用紙の移動方向を示す。

帯電器（帯電ローラ）１１１は、電子写真感光体１の表面を正負いずれかの極性に帯電する役割を有するものである。本実施形態において帯電器１１１は、例えば芯金を導電性ゴムあるいはＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）によって被覆して構成される接触型帯電器が採用されている。

露光器１１２は、電子写真感光体１に静電潜像を形成する役割を有するものである。露光器１１２としては、例えば複数のＬＥＤ素子（波長：６８０ｎｍ）を配列させてなるＬＥＤ（発光ダイオード：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ヘッドを採用することができる。

現像器１１３は、電子写真感光体１の静電潜像を現像してトナー像を形成する役割を有するものである。本例における現像器１１３は、現像剤（トナー）Ｔを磁気的に保持する磁気ローラ１１３Ａを備えている。

現像剤（トナー）Ｔは、電子写真感光体１の表面上に形成されるトナー像を構成するものであり、現像器１１３において摩擦帯電する。現像剤Ｔとしては、例えば、磁性キャリアおよび絶縁性トナーを含んでなる２成分系現像剤と、磁性トナーを含んでなる１成分系現像剤とが挙げられる。なお、現像器１１３内の未使用トナーをＴ_１で、クリーニング器１１６内の残留（使用済み）トナーをＴ_２で表示する。

磁気ローラ１１３Ａは、電子写真感光体１の表面（現像領域）に現像剤を搬送する役割を有するものである。磁気ローラ１１３Ａは、現像器１１３において摩擦帯電した現像剤Ｔを一定の穂長に調整された磁気ブラシの形で搬送する。この搬送された現像剤Ｔは、電子写真感光体１の現像領域において、静電潜像との静電引力によって電子写真感光体１の表面に付着してトナー像を形成する（静電潜像を可視化する）。

なお、現像器１１３は、本例においては乾式現像方式を採用しているが、液体現像剤を用いた湿式現像方式を採用してもよい。また、現像器１１３内には、未使用トナーＴ_１撹拌用の搬送スクリュー１１３Ｃ（スパイラル形）が配設される場合もある。

転写器１１４は、電子写真感光体１と転写器１１４との間の転写領域に供給された記録媒体Ｐに、電子写真感光体１のトナー像を転写する役割を有するものである。本例における転写器１１４は、転写用チャージャ１１４Ａおよび分離用チャージャ１１４Ｂを備えている。

転写器１１４としては、電子写真感光体１の回転に従動し、かつ、電子写真感光体１とは微小間隙（例えば０．５ｍｍ以下）を介して配置された転写ローラを用いることも可能である。この転写ローラは、例えば直流電源により、電子写真感光体１上のトナー像を記録媒体Ｐ上に引きつけるような転写電圧を印加するように構成される。

定着器１１５は、記録媒体Ｐに転写されたトナー像を記録媒体Ｐに定着させる役割を有するものであり、一対の定着ローラ１１５Ａ、１１５Ｂを備えている。定着ローラ１１５Ａ、１１５Ｂは、例えば金属ローラ上に四フッ化エチレンなどで表面被覆したものである。

クリーニング器１１６は、電子写真感光体１の表面に残存するトナーを除去する役割を有するものであり、クリーニングローラ１１６Ｂおよびクリーニングブレード１１６Ａを備えている。クリーニングローラ１１６Ｂは、中央部が太径となるクラウン状であり、電子写真感光体１の外周に摺接して、これらの間に、残留トナーからなる表面掃除用のトナー膜を形成する。クリーニングブレード１１６Ａは、電子写真感光体１の表面から残留トナーを掻きとる役割を有するものである。クリーニングブレード１１６Ａは、例えばポリウレタン樹脂を主成分としたゴム材料で形成されている。

除電器１１７は、電子写真感光体１の表面電荷を除去する役割を有するものであり、特定波長（例えば６３０ｎｍ以上）の光を出射可能とされている。除電器１１７は、例えばＬＥＤなどの光源によって電子写真感光体１の表面の軸方向全体を光照射することにより、電子写真感光体１の表面電荷（残余の静電潜像）を除去するように構成されている。

本実施形態の画像形成装置１００では、電子写真感光体１の有する上述の効果を奏することができる。

（実施例１）
本発明の実施形態に係る電子写真感光体１について、次の通り評価を行なった。

電子写真感光体１の作製について
＜円筒状基体１０＞
円筒状基体１０は、アルミニウム合金の素管（外径：３０ｍｍ、長さ３６０ｍｍ）を用いて作製した。円筒状基体１０の外表面に対して、鏡面加工、およびウェットブラスト加工を行ない、洗浄した。

まず、円筒状基体１０の表面の鏡面加工として、円筒状基体１０を両端保持し、１５００〜８０００ｒｐｍにて高速回転させた状態で、ダイヤモンドバイトを押し当てて、送り０．０８〜０．５ｍｍにてバニシング（Ｖａｎｉｓｈｉｎｇ）加工した。すなわち、バイトの仕上げ面に、ワーク回転方向に奥行きを持たせたダイヤモンドバイトを円筒状基体１０の表面に押し当てることで、滑らかな仕上げ面を得た。

このような鏡面加工の後、円筒状基体１０に対して脱脂洗浄を行なった。

次に、ウェットブラスト加工として、アルミナなどの高硬度な研磨材と水とを攪拌し、圧縮空気と混合・加速させて、鏡面加工された円筒状基体１０の表面に投射することによって粗面化を行なった。これによれば、円筒状基体１０を回転させながら加工処理することによって、短時間で均一性に優れた加工面を形成することができる。本実施例のように、ウェットブラスト加工によれば、他の加工方法と比べて、粒径の小さい研磨材を一様に投射することを比較的容易に行なうことが可能であることから、均一性に優れた加工面を得ることができる。

具体的には、ウェットブラスト加工の条件として、次のパラメータを調整することによって、後記の表２に示す１５種類の異なる表面を有する円筒状基体１０のサンプルを用意した（実施例１）。

研磨材材質・粒径：Ａ（アランダム（褐色溶解アルミナ））＃３２０〜＃４０００
研磨材濃度：１０〜１８％
投射エア圧：０．１０〜０．３５ＭＰａ
投射距離（ワーク中心とブラストヘッド間距離）：２０〜３００ｍｍ
投射時間：１〜６０秒間
ワーク回転数：１２０〜１８０ｒｐｍ
なお、異なる研磨材材質・粒径を用いることによってＳａｌの値を調整するとともに、投射エア圧、投射距離および投射時間（１〜６０秒間）を変化させることによって、Ｓｔｒの値を調整した。

また、ウェットブラスト加工においては、使用された研磨材は、水洗（粗水洗）によりワークの表面から洗い流して回収され、遠心分離等により分級されて、再使用される。すなわち、ウェットブラスト加工においては、ブラスト投射流内の研磨材濃度を極力変動させないために、ブラスト装置内で粗水洗を行なっている。この粗水洗工程では、新たな水を使って洗浄するのではなく、ブラスト加工に用いられた研磨材を含んだ水から、遠心分離により比較的大径の研磨材を分級した後の残り水（小径の研磨材を含む。以下「分級水」と呼ぶ。）を、ブラスト直後の基体（素管）に投射して洗浄し、表面に付着した研磨材を研磨材タンクへ戻すことで、研磨材の投射流内濃度を維持している。

次に、表面に付着した研磨材等の大きな残渣が粗水洗工程によって洗い流されたワークに対して、表面に残存している小さな残渣を洗浄する１次残渣洗浄が施される。この１次残渣洗浄工程は、実施例１では、ワークに純水をシャワー状に投射するシャワー洗浄、ワーク浸漬による超音波洗浄、圧縮空気吹き付け（ブロー）による水分除去、ヒータ乾燥、の順に実施される。シャワー洗浄の洗浄水として純水を用いると、洗浄中に、ワークに異物が再付着することを抑制できるという利点がある。

また、１次残渣洗浄工程のシャワー洗浄の洗浄水として、先に述べた分級水と同一、あるいはより小径の研磨材を含むものを使用することができる。ここで、粗水洗工程で用いる分級水と１次残渣洗浄工程のシャワー洗浄で用いる分級水とを同一とした場合、両工程を連続して一つの工程として実施することもできる。なお、後記の実施例２において、分級水であってより小径の研磨材を含むものをシャワー洗浄の洗浄水として用いた例について説明する。

１次残渣洗浄後の円筒状基体１０は、クリーンルーム内に搬送され、油分等を取り除く精密洗浄を経た後、図２に示すプラズマＣＶＤ装置にセットされ、表１に示す条件で、円筒状基体１０の表面に、電荷注入阻止層１１ａ、光導電層１１ｂ、および表面保護層１２からなる表面層１３が形成される。

表１におけるＢ_２Ｈ_６およびＮＯの流量は、ＳｉＨ_４の流量に対する比で表している。なお、プラズマＣＶＤ装置の電源としては、直流パルス電源（パルス周波数：５０ｋＨｚ、Ｄｕｔｙ比：７０％）を使用した。また、膜厚の測定は、その断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）およびＸＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザ）で分析することにより行なった。各層の具体的な構成は次の通りである。

＜電荷注入阻止層＞
電荷注入阻止層１１ａは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を加えたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料に、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）を含有させたものである。

電荷注入阻止層１１ａの膜厚は５μｍとした。

＜光導電層＞
光導電層１１ｂは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）などを加えたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料に、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）を含有させたものである。

光導電層１１ｂの膜厚は１４μｍとした。

＜表面保護層＞
表面保護層１２は、アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）とアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）とを積層した構成である。

表面保護層１２の膜厚は計１．２μｍとし、表面保護層第３層の膜厚は０．２μｍとした。

ここで、表面保護層１２の表面粗さを変更させることによって、電子写真感光体１のサンプル１〜１５を作製した。

以上のようにして得られた電子写真感光体１のサンプル１〜１５について、表面保護層１２の表面性状を測定した。

当該測定は、オリンパス株式会社製３次元測定レーザ顕微鏡ＯＬＳ４１００により、ＩＳＯ２５１７８に準拠した３次元粗さパラメータにて表面形状の評価を実施した。測定条件として、倍率５０倍のレンズを使用し、２６０μｍ×２６１μｍの範囲を高速測定モードにて測定した。測定対象が円筒形状であるため、補正はＸＹ方向曲率補正を実施した。それに加えて、旋削加工の周期スジ影響を消すために、中心波長λｃ＝０．０８０ｍｍのフィルタ補正を展開し、各パラメータを算出した。なお、ここでの測定結果は、電子写真感光体１の、円筒状基体１０の軸方向中央部において、１００ｍｍの範囲内の５箇所の測定結果の算術平均である。

各サンプルのＳｔｒおよびＳａｌについては、後述する表２に示す通りである。

次いで、作製した電子写真感光体１の各サンプルを、京セラドキュメントソリューションズ株式会社製のカラー複合機ＴＡＳＫａｌｆａ ３５５０ｃｉ改造装置に組み込み、それぞれのサンプルについて、６０万枚（６００Ｋ）連続印刷時における電子写真感光体１の表面保護層１２のＳａ減少率（％）、電子写真感光体１の周辺部材であるクリーニングブレード１１６Ａの傷の評価、帯電ローラの表面汚染状態の観察による画像特性の評価を行なった。そして、それらの個別特性を踏まえた総合的な評価である総合評価を行なった。

上述のそれぞれの個別特性の評価は次の条件にて行なった。すなわち、室温２３℃および相対湿度６０％の評価環境下において、２０万枚連続印刷を行なった時点、４０万枚連続印刷した時点、および６０万枚連続印刷した各時点において、電子写真感光体１の表面性状の上記レーザ顕微鏡による測定、クリーニングブレード１１６Ａのエッジ部の傷の有無、帯電ローラの表面汚染状態の拡大鏡（２０倍）による観察、を行なった。

ここで、Ｓａ減少率（％）とは、電子写真感光体１の表面保護層のＳａの値が印刷を行う前の初期値から減少した割合を示すものであって、例えば７０％と記載している場合には印刷前の状態に対してＳａの値が３０％になっていることを意味する。なお、Ｓａ減少率（％）のデータにおいて、※印を付している値は、２０万枚（２００Ｋ）連続印刷時における電子写真感光体１の表面保護層１２のＳａ減少率（％）を示している。

また、クリーニングブレード１１６Ａの破損モードについては次の通りである。評価Ａは、２０万枚（２００Ｋ）連続印刷の結果、クリーニングブレード１１６Ａに多少の破損が見られたことを示す。評価Ｂとは、１０００枚以下の少数印刷の時点で、クリーニングブレード１１６Ａに明らかな破損が見られたことを示す。

評価結果について、表２に示す。

表２において、◎は優れた特性を有する、○は好ましい特性を有する、△は要求レベルの特性を有する、×は要求レベルの特性を充足しない、ことを示す。

すなわち、表２の結果から次のことが分かった。
電子写真感光体１は、Ｓａｌの値に起因して初期不良が生じた場合（サンプル１４および１５）を除き、Ｓｔｒの値が０．６７以上の場合（サンプル２，３，５，６，８，９，１１および１２）には、優れた効果を奏することが分かった。その中でも、Ｓｔｒの値が０．７９以上の場合（サンプル３，６，９および１２）には、より優れた効果を奏することが分かった。

これらの実験データによると、Ｓｔｒの値が所定以上であれば、表面保護層１２の表面形状は均一性の高い凹凸を備えることによって、耐久使用時において、表面が徐々に磨耗しても表面粗さを一定範囲内に維持し続けることが可能である。その結果、表面保護層１２と、クリーニングローラ１１６Ｂまたはクリーニングブレード１１６Ａとの間の摩擦抵抗の増大を効果的に抑制し続けることができる。これにより、印画した画像の異常スジなどの画像異常を低減することができたものと考えられる。なお、サンプル１４および１５において初期不良が生じた原因としては、Ｓａｌの値が大きい場合には、周辺部材であるクリーニングローラやクリーニングブレードなどとの摩擦抵抗が大きく、クリーニングブレード１１６Ａの欠損が生じたものと考えられる。

また、Ｓｔｒの値が０．６７以上の条件下において、さらに次のことが分かった。すなわち、Ｓａｌの値が１０．３μｍ以下の場合（サンプル２，３，５，６，８，９，１１および１２）には、優れた効果を奏することが分かった。これらの実験データによると、Ｓａｌが所定値よりも小さい場合には、電子写真感光体１の表面保護層１２と、クリーニングローラ１１６Ｂまたはクリーニングブレード１１６Ａとの間の摩擦抵抗を低減することができ、優れた耐久特性を得ることができたと考えられる。

また、Ｓａｌの値が０．９μｍ以上の場合には（サンプル２，３，５，６，８，９，１１および１２）、優れた効果を奏することが分かった。さらに、Ｓａｌの値が１．６μｍ以上の場合（サンプル５，６，８，９，１１および１２）には、より優れた効果を奏することが分かった。これらの実験データによると、Ｓａｌが所定値よりも大きい場合には、電子写真感光体１の表面保護層１２の磨耗が低減され、優れた耐久特性を得ることができたと考えられる。

（実施例２）
次に、ウェットブラスト加工後の、１次残渣洗浄工程のシャワー洗浄の洗浄水として、先に述べた分級水であってより小径の研磨材を含むものを使用した実施形態について説明する。本実施例では、基体の外表面に、粒径０．２μｍ以下の小さい粒子（微小粒子）を付着させる観点から、当該微小粒子と同等の粒径を有する研磨材を含む分級水を、用いることにした。

図４は、電子写真感光体の円筒状基体の外表面の状態を示すモデル図であり、表面凹部の中に微小粒子Ｑが存在している。なお、図４は微小粒子Ｑが分かり易いように描画しているため、凹部の深さや各層（膜）の厚みは、実際のものとは異なる。また、図中のＶは円筒状基体表面の比較的深い第１凹凸部を示し、図中のＵは表面層表面の比較的浅い第２凹凸部を示す。

以下の実施例２のサンプル５’，６’，８’，９’，１１’，１２’は、評価結果を表す前出の「表２」において、総合評価の高かったサンプル５，６，８，９，１１，１２について、ウェットブラスト加工後の１次残渣洗浄工程の洗浄条件を変えて、電子写真感光体の表面に存在する、画像異常の原因となり得る深い凹部を緩和することができないかどうかを検討したものである。

すなわち、ブラスト後の基体（素管）の表面形状の一例として、基体外周の表面（外表面）には、表面粗さを表すパラメータのうち、最大谷深さＳｖが１μｍ以下で、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが８μｍ程度の凹部が存在することが確認されている。そこで、このような大きな凹部内に、蓄積されやすいと考えられる「粒径０．２μｍ以下の小さい粒子（微小粒子）」を、なるべく多く滞留・付着させること（図４を参照）を検討した。なお、微小粒子の粒径は、基体外周表面の凸部分に付着しても画像異常を発生させることのない大きさに設定すればよい。

そして、その具体的な方法として、ウェットブラスト加工後に基体の表面に付着しているブラスト残渣の除去を目的として行っている、１次残渣洗浄工程のシャワー洗浄において、洗浄水を、通常の純水から分級水に代えた。また、基体の表面凹部に付着した残渣（微小粒子）が全て洗い落とされるのを抑制するため、その後の超音波洗浄やブロー条件を緩和した供試品（サンプル５’，６’，８’，９’，１１’，１２’）を作製した。

得られたサンプル５’，６’，８’，９’，１１’，１２’について、洗浄水として純水を用いた通常品（前記サンプル５，６，８，９，１１，１２）を対象（コントロール）として、１０万枚連続印刷後の帯電ローラの表面汚染状態の評価を調査した。

表面性状の評価は、前述の実施例１と同様、オリンパス株式会社製３次元測定レーザ顕微鏡ＯＬＳ４１００により、同条件で測定した算術平均値である。帯電ローラ汚染の評価は、京セラドキュメントソリューションズ株式会社製のカラー複合機ＴＡＳＫａｌｆａ ３５５０ｃｉ改造装置に組み込み、それぞれのサンプルについて、１０万枚（１００Ｋ）連続印刷時における電子写真感光体の周辺部材である帯電ローラ（図３における符号１１３Ａ）の表面汚染状態の評価を行なった。

なお、帯電ローラの表面汚染状態の評価は、拡大鏡（２０倍）による目視観察により行い、評価は、◎は優れた特性を有する、○は好ましい特性を有する、△は要求レベルの特性を有する、×は要求レベルの特性を充足しないことを表す。評価結果を表３に示す。

前述の実施例１では、１次残渣洗浄工程のシャワー洗浄の洗浄水として純水を用いたが、本実施例２では、先に述べた分級水であってより小径の研磨材を含むものを用いることによって、所望の大きさの微小粒子を基体外表面の凹凸部に付着させることを検討したものである。

評価結果を表す表３から、１次残渣洗浄工程（シャワー洗浄）を分級水で実施した場合（表の右欄）は、純水でシャワー洗浄した場合（表の左欄）と比較して、表面層を成膜した後の電子写真感光体表面（最外表面）のＳｖ（最大谷深さ）の値が小さくなり、これにより、帯電ローラの汚染状況が改善することが分かった。

特に、Ｓｖの値が０．６０μｍ以下の場合（サンプル５’，６’，８’，９’，１１’，１２’およびコントロールとしてのサンプル５，６）は、耐帯電ローラ汚染を抑制する優れた性能を有することが分かった。その中でも、Ｓｔｒの値が０．７９以上の場合（実施例であるサンプル５’，６’，８’，９’，１１’，１２’全種）は、より優れた性能を発揮することが分かった。

これらの実験データによると、１次残渣洗浄工程のシャワー洗浄水に分級水を使用し、基体上に微小粒子が残りやすい洗浄条件でその後の洗浄を行った結果、凹部が埋められてＳｖが小さくなり、帯電ローラの汚染が改善されたと考えられる。なお、表３においては、Ｓｖが小さくなったことにより、電子写真感光体表面層のＳｔｒ，Ｓａｌが、コントロール品より若干変動しているものがある。しかしながら、これらＳｔｒ，Ｓａｌの変動による、電子写真感光体の他の性能への影響は、軽微である。

なお、実施例２において、表３のＳｔｒは、電子写真感光体の外周面表面（最外表面）の表面粗さを、レーザ顕微鏡により非接触で計測したものである。また、表３のＳａｌは、電子写真感光体の外周面表面（最外表面）の表面粗さを、レーザ顕微鏡により非接触で計測したものである。

また、実施例２において、Ｓｖ（最大谷深さ）とは、ＩＳＯ２５１７８によって定義される三次元の表面性状を表すパラメータの一つであって、測定対象領域における凹部の基準表面からの谷深さ（最大値）を示す。なお、表３のＳｖは、電子写真感光体の外周面表面（最外表面）の表面粗さを、レーザ顕微鏡により非接触で計測したものである。

また、実施例２において、ＲＳｍ（粗さ曲線要素の平均長さ）とは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１によって定義される二次元の横方向表面性状を表すパラメータの一つであって、基準長さにおいて、輪郭曲線要素の長さＸｓの平均値を示す。なお、表３のＲＳｍは、電子写真感光体の外周面表面（最外表面）の表面粗さを、レーザ顕微鏡により非接触で計測したものである。

なお、本発明の実施形態に係る円筒状基体の表面性状は、必ずしも全面において、所定の範囲を満たす必要はない。例えば、円筒状基体１０の軸方向両端部等においては、表面性状が範囲外の値となってもよい。このことは、上記記載される表面性状の全てについて同様である。

また、本発明は上述の実施形態に示したものだけに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で改良や変更ができることは言うまでもない。

例えば、上述の実施形態において、円筒状基体１０と、電荷注入阻止層１１ａと、光導電層１１ｂと、を別々の構成要素として説明したが、これに代えて、円筒状基体１０の少なくとも表面が電荷注入阻止特性を備えるようにしてもよい。これによれば、別途電荷注入阻止層１１ａを設けることなく、円筒状基体１０それ自体によって、円筒状基体１０から光導電層１１ｂへのキャリア（電子）の注入を阻止する役割を有することができる。

１ 電子写真感光体
２ プラズマＣＶＤ装置
３ 支持体
４ 真空反応室
５ 回転手段
６ 原料ガス供給手段
７ 排気手段
１０ 円筒状基体
１１ 感光層
１１ａ 電荷注入阻止層
１１ｂ 光導電層
１２ 表面保護層
１３ 表面層
３０ フランジ部
３１ 導電性支柱
３２ 絶縁材
３３ 導板
３４ 直流電源
３５ 制御部
３６ セラミックパイプ
３７ ヒータ
３８ ダミー基体
３８Ａ 下ダミー基体
３８Ｂ 中間ダミー基体
３８Ｃ 上ダミー基体
４０ 円筒状電極
４１，４２ プレート
４３，４４ 絶縁部材
４２Ａ，４４Ａ ガス排出口
４５ａ，４５ｂ ガス導入口
４６ ガス吹き出し孔
４９ 圧力計
５０ 回転モータ
５１ 回転力伝達機構
５２ 回転導入端子
５３ 絶縁軸部材
５４ 絶縁平板
６０〜６３ 原料ガスタンク
６４ ドーパント専用ガスタンク
６０Ａ〜６４Ａ，６５ａ，６５ｂ 配管
６０Ｂ〜６４Ｂ，６０Ｃ〜６４Ｃ バルブ
６０Ｄ〜６４Ｄ マスフローコントローラ
７１ メカニカルブースタポンプ
７２ ロータリーポンプ
１００ 画像形成装置
１１１ 帯電器
１１２ 露光器
１１３ 現像器
１１３Ａ 磁気ローラ
１１３Ｃ トナー撹拌用搬送スクリュー
１１４ 転写器
１１４Ａ 転写用チャージャ
１１４Ｂ 分離用チャージャ
１１５ 定着器
１１５Ａ，１１５Ｂ 定着ローラ
１１６ クリーニング器
１１６Ａ クリーニングブレード
１１６Ｂ クリーニングローラ
１１６Ｃ トナー排出用搬送スクリュー
１１７ 除電器
Ｐ 記録媒体
Ｑ 微小粒子
Ｔ 現像剤（トナー）
Ｔ_１ 未使用トナー
Ｔ_２ 残留トナー
Ｕ 第２凹凸部
Ｖ 第１凹凸部

Claims (6)

1. 外表面に粒径０．２μｍ以下の研磨材からなる微小粒子が位置している円筒状基体と、
   前記円筒状基体の外表面に前記微小粒子を覆うように位置している表面層と、を備え、
   前記表面層は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を含むとともに、表面に第２凹凸部を有し、
   前記第２凹凸部の表面粗さは、表面性状のアスペクト比ＳｔｒがＳｔｒ≧０．６７であり、最短自己相関距離ＳａｌがＳａｌ≦１０．３μｍである電子写真感光体。
2. 前記円筒状基体の外表面は第１凹凸部を有し、
   前記微小粒子は前記第１凹凸部の凹部に位置している、請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記第２凹凸部の表面粗さは、表面性状のアスペクト比ＳｔｒがＳｔｒ≧０．７９である、請求項１または２に記載の電子写真感光体。
4. 前記第２凹凸部の表面粗さは、最短自己相関距離ＳａｌがＳａｌ≧０．９μｍである、請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
5. 前記第２凹凸部の表面粗さは、最短自己相関距離ＳａｌがＳａｌ≧１．６μｍである、請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面に接触可能なクリーニング器と、を備える画像形成装置。