JP6971289B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
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Description
また本発明の実施形態に係る電子写真感光体の製造方法は、円筒状基体の表面を鏡面加工する工程と、鏡面加工した前記円筒状基体の表面を、ウェットブラスト加工、スパッタエッチング加工、ガスエッチング加工、またはウェットエッチング加工によって粗面化する工程と、粗面化した前記円筒状基体の表面に電荷注入阻止層を形成する工程と、前記電荷注入阻止層上に光導電層を形成する工程と、前記光導電層上に、表面粗さがStr≧0.67およびSal≦10.3μmに粗面化された表面層を形成する工程と、を備え、前記表面層を、アモルファスカーボン(a−C)を用いて形成する。
本発明の実施形態に係る電子写真感光体について、図1を用いて説明する。
プラズマCVD装置2は、支持体3を真空反応室4に収容したものであり、回転手段5、原料ガス供給手段6および排気手段7をさらに備えている。
次に、プラズマCVD装置2を用いた堆積膜の形成方法について、円筒状基体10に感光層11としてアモルファスシリコン(a−Si)膜が、表面層12としてアモルファス炭化シリコン(a−SiC)膜とアモルファスカーボン(a−C)膜とが積層された電子写真感光体1(図1を参照)を作製する場合を例にとって説明する。
本発明の実施形態に係る画像形成装置について、図3を用いて説明する。
本発明の実施形態に係る電子写真感光体1について、次の通り評価を行なった。
<円筒状基体10>
円筒状基体10は、アルミニウム合金素管(外径:30mm、長さ360mm)を用いて作製した。円筒状基体10の外周面に対して、鏡面加工、およびウェットブラスト加工を行ない、洗浄した。
研磨材濃度:10〜18%
投射エア圧:0.10〜0.35MPa
投射距離(ワーク中心とブラストヘッド間距離):20〜300mm
投射時間:1〜60秒間
ワーク回転数:120〜180rpm
なお、異なる研磨材材質・粒径を用いることによってSalの値を調整するとともに、投射エア圧、投射距離および投射時間(1〜60秒間)を変化させることによって、Strの値を調整した。
電荷注入阻止層11aは、アモルファスシリコン(a−Si)に窒素(N)および酸素(O)を加えたアモルファスシリコン(a−Si)系材料に、ドーパントとしてホウ素(B)を含有させたものである。
光導電層11bは、アモルファスシリコン(a−Si)に炭素(C)、窒素(N)および酸素(O)などを加えたアモルファスシリコン(a−Si)系材料に、ドーパントとしてホウ素(B)を含有させたものである。
表面層12は、アモルファス炭化シリコン(a−SiC)とアモルファスカーボン(a−C)とを積層した構成である。
電子写真感光体1は、Salの値に起因して初期不良が生じた場合(サンプル14および15)を除き、Strの値が0.67以上の場合(サンプル2,3,5,6,8,9,11および12)には、優れた効果を奏することが分かった。その中でも、Strの値が0.79以上の場合(サンプル3,6,9および12)には、より優れた効果を奏することが分かった。
2 プラズマCVD装置
3 支持体
4 真空反応室
5 回転手段
6 原料ガス供給手段
7 排気手段
10 円筒状基体
11 感光層
11a 電荷注入阻止層
11b 光導電層
12 表面層
30 フランジ部
31 導電性支柱
32 絶縁材
33 導板
34 直流電源
35 制御部
36 セラミックパイプ
37 ヒータ
38 ダミー基体
38A 下ダミー基体
38B 中間ダミー基体
38C 上ダミー基体
40 円筒状電極
41,42 プレート
43,44 絶縁部材
42A,44A ガス排出口
45a,45b ガス導入口
46 ガス吹き出し孔
49 圧力計
50 回転モータ
51 回転力伝達機構
52 回転導入端子
53 絶縁軸部材
54 絶縁平板
60〜63 原料ガスタンク
64 ドーパント専用ガスタンク
60A〜64A,65a,65b 配管
60B〜64B,60C〜64C バルブ
60D〜64D マスフローコントローラ
71 メカニカルブースタポンプ
72 ロータリーポンプ
100 画像形成装置
111 帯電器
112 露光器
113 現像器
113A 磁気ローラ
114 転写器
114A 転写用チャージャ
114B 分離用チャージャ
115 定着器
115A,115B 定着ローラ
116 クリーニング器
116A クリーニングブレード
117 除電器
P 記録媒体
T 現像剤
Claims (5)
- 円筒状基体の表面を鏡面加工する工程と、
鏡面加工した前記円筒状基体の表面を、ウェットブラスト加工、スパッタエッチング加工、ガスエッチング加工、またはウェットエッチング加工によって粗面化する工程と、
粗面化した前記円筒状基体の表面に電荷注入阻止層を形成する工程と、
前記電荷注入阻止層上に光導電層を形成する工程と、
前記光導電層上に、表面粗さがStr≧0.67およびSal≦10.3μmに粗面化された表面層を形成する工程と、を備え、
前記電荷注入阻止層、前記光導電層および前記表面層の少なくとも1つを、アモルファスシリコン(a−Si)系材料で形成する、電子写真感光体の製造方法。 - 円筒状基体の表面を鏡面加工する工程と、
鏡面加工した前記円筒状基体の表面を、ウェットブラスト加工、スパッタエッチング加工、ガスエッチング加工、またはウェットエッチング加工によって粗面化する工程と、
粗面化した前記円筒状基体の表面に電荷注入阻止層を形成する工程と、
前記電荷注入阻止層上に光導電層を形成する工程と、
前記光導電層上に、表面粗さがStr≧0.67およびSal≦10.3μmに粗面化された表面層を形成する工程と、を備え、
前記表面層を、アモルファスカーボン(a−C)を用いて形成する、電子写真感光体の製造方法。 - 前記表面層を形成する工程において、表面粗さがSal≧0.9μmに粗面化された前記表面層を形成する、請求項1または2記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記粗面化する工程において、鏡面加工した前記円筒状基体の表面を、前記ウェットブラスト加工によって粗面化する、請求項1〜3のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記粗面化する工程において、鏡面加工した前記円筒状基体の表面を、表面粗さが50nm<Sa<140nmに粗面化する、請求項1〜4のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
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