JP2018131583A - 付加硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A−1)1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン、
(A−2)特定式で示され、1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する分岐状オルガノポリシロキサン、
(B−1)特定式で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、該ポリシロキサンの重量平均分子量と、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量を特定範囲とする成分、
(B−2)特定式で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量を特定範囲とする成分、及び
(C)付加反応触媒
を含有する付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
【選択図】 なし
Description
〔1〕
下記(A−1)〜(C)成分、
(A−1)1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン、
(A−2)下記式(1)
(R1 3SiO1/2)a(R2 3SiO1/2)b(SiO4/2)c (1)
(式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基、R2は炭素数1〜12のアルキル基であり、0<a<0.15、0≦b<0.6、0<c<0.7であり、但し、a+b+c=1を満足する数である。)で示され、1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する分岐状オルガノポリシロキサン、
(B−1)下記式(2)
(HR2 2SiO1/2)d(R2 3SiO1/2)e(SiO4/2)f (2)
(式中、R2はそれぞれ上記と同じであり、0<a<0.6、0≦b<0.4、0<c<0.6であり、但し、d+e+f=1を満足する数である。)
で示されるケイ素原子に直接結合した水素原子を1分子中に2個以上有する液状の分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、該ポリシロキサンの重量平均分子量が1,500〜6,000であり、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が5質量%以下であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(B−2)下記式(3)
(R2 3SiO1/2)2(HR2SiO2/2)x(R2 2SiO2/2)y (3)
(式中、R2はそれぞれ上記と同じであり、0<x<100、0≦y<10である整数であり、20≦x+y≦100である。)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が5質量%以下であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(C)付加反応触媒
を必須成分として含有する付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
〔2〕
上記(A−1)成分の直鎖状オルガノポリシロキサンが、下記式(4)
で示されるアルケニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンである〔1〕記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
〔3〕
上記(B−1)成分において、JIS Z 8803:2011記載の方法で測定した25℃の上記(B−1)成分の粘度が10Pa・s以上である〔1〕又は〔2〕記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
〔4〕
上記(B−1)成分が、テトラアルコキシシランの部分加水分解物を原料としたオルガノハイドロジェンポリシロキサンである〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
〔5〕
上記(A−1)、(A−2)、(B−1)及び(B−2)成分のR2において、全てのR2の90モル%以上がメチル基である〔2〕〜〔4〕のいずれかに記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
〔6〕
更に、下記式(5)
(MeSiO3/2)m(EpMeSiO2/2)n(Me2SiO2/2)p(ViMeSiO2/2)q(R3O1/2)r (5)
(式中、Meはメチル基であり、Epはエポキシ基を有する1価の有機基であり、Viはビニル基であり、R3は炭素数1〜12のアルキル基であり、0<m<0.3、0<n<0.15、0<p<0.8、0<q<0.1、0≦r<0.05であり、但し、m+n+p+q+r=1となる数である。)で示される接着助剤成分(D)を含有する〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
〔7〕
更に、希釈剤(E)として、大気圧(1013hPa)下での沸点が200〜350℃の範囲であり、且つ25℃で液体の炭化水素化合物を含有する〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
〔8〕
上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載のシリコーン樹脂組成物からなる光半導体装置用ダイアタッチ材。
本発明の付加硬化性シリコーン樹脂組成物は、
下記(A−1)〜(C)成分、
(A−1)1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン、
(A−2)下記式(1)
(R1 3SiO1/2)a(R2 3SiO1/2)b(SiO4/2)c (1)
(式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基、R2は炭素数1〜12のアルキル基であり、0<a<0.15、0≦b<0.6、0<c<0.7であり、但し、a+b+c=1を満足する数である。)で示され、1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する分岐状オルガノポリシロキサン、
(B−1)下記式(2)
(HR2 2SiO1/2)d(R2 3SiO1/2)e(SiO4/2)f (2)
(式中、R2はそれぞれ上記と同じであり、0<d<0.6、0≦e<0.4、0<f<0.6であり、但し、d+e+f=1を満足する数である。)
で示されるケイ素原子に直接結合した水素原子を1分子中に2個以上有する液状の分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、該ポリシロキサンの重量平均分子量が1,500〜6,000であり、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が5質量%以下であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(B−2)下記式(3)
(R2 3SiO1/2)2(HR2SiO2/2)x(R2 2SiO2/2)y (3)
(式中、R2はそれぞれ上記と同じであり、0<x<100、0≦y<20である整数であり、20≦x+y≦100である。)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が5質量%以下であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(C)付加反応触媒
を必須成分として含有するものである。
(A−1)成分は1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンである。(A−1)成分として、特に、ケイ素原子に結合するアルケニル基を分子鎖両末端にのみ有する直鎖状オルガノポリシロキサンであることが好ましく、特に下記一般式(4)で表されるものが好適である。
(A−2)成分は、下記式(1)で表され、1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する分岐状オルガノポリシロキサンである。
(R1 3SiO1/2)a(R2 3SiO1/2)b(SiO4/2)c (1)
(式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基、R2は炭素数1〜12のアルキル基であり、0<a<0.15、0≦b<0.6、0<c<0.7であり、但し、a+b+c=1を満足する数である。)
本発明の(B−1)成分は、下記式(2)で表されるものであり、ケイ素原子に直接結合した水素原子を1分子中に2個以上有する液状の分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、該ポリシロキサンの重量平均分子量は1,500〜6,000であり、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が5質量%以下であるオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。
(HR2 2SiO1/2)d(R2 3SiO1/2)e(SiO4/2)f (2)
(式中、R2はそれぞれ上記と同じであり、0<d<0.6、0≦e<0.4、0<f<0.6であり、但し、d+e+f=1を満足する数である)
・展開溶媒:テトラヒドロフラン(THF)
・流量:0.6mL/min
・検出器:示差屈折率検出器(RI)
・カラム:TSK Guardcolomn SuperH−L
・TSKgel SuperH4000(6.0mmI.D.×15cm×1)
・TSKgel SuperH3000(6.0mmI.D.×15cm×1)
・TSKgel SuperH2000(6.0mmI.D.×15cm×2)
(いずれも東ソー社製)
・カラム温度:40℃
・試料注入量:20μL(濃度0.5質量%のTHF溶液)
・装置:GC−2014((株)島津製作所製)
・カラム:品名…HP−5MS(アジレント・テクノロジー(株)製、内径:0.25mm、長さ:30m、充填材:〔(5%−フェニル)−メチルポリシロキサン〕
・検出器:FID検出器(検出器温度:300℃)
・試料:試料1.0gを10mLのn−テトラデカン/アセトン標準溶液(濃度:20μg/mL)に溶解させたものをサンプルとした。
・注入量:1μL
・オーブン温度:50℃−280℃/23分−280℃/17分
・キャリアガス:種類 … He、線速 … 34.0cm/s
本発明の(B−2)成分は、下記式(3)で表され、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が5質量%以下であるオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。
(R2 3SiO1/2)2(HR2SiO2/2)x(R2 2SiO2/2)y (3)
(式中、R2はそれぞれ上記と同じであり、0<x<100、0≦y<10である整数であり、20≦x+y≦100である。)
(C)成分の付加反応触媒は、本発明の付加硬化性シリコーン樹脂組成物の付加硬化反応を進行させるために配合されるものであり、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものがあるが、コスト等の観点から白金、塩化白金酸等の白金系のもの、例えば、H2PtCl6・mH2O,K2PtCl6,KHPtCl6・mH2O,K2PtCl4,K2PtCl4・mH2O(mは、正の整数)等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はアルケニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等を例示することができ、これらは単独でも、2種以上の組み合わせでも使用することができる。
(D)成分の接着助剤は、本発明の付加硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化時の基材との接着性を発現させるために配合されるものであり、下記式(5)で表されるオルガノポリシロキサンである。
(MeSiO3/2)m(EpMeSiO2/2)n(Me2SiO2/2)p(ViMeSiO2/2)q(R3O1/2)r (5)
(式中、Meはメチル基であり、Epはエポキシ基を有する1価の有機基であり、Viはビニル基であり、R3は炭素数1〜12のアルキル基であり、0<m<0.3、0<n<0.15、0<p<0.8、0<q<0.1、0≦r<0.05であり、但し、m+n+p+q+r=1となる数である。)
(E)成分の希釈剤は、大気圧(1013hPa)下での沸点が200〜350℃の範囲である25℃で液体の炭化水素化合物である。
また、本発明の付加硬化性シリコーン樹脂組成物には、上述した(A)〜(E)成分以外にも、必要に応じて、各種の公知の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で適宜配合することができる。
本発明の付加硬化性シリコーン樹脂組成物には、硬化速度を調整する等の目的で硬化抑制剤を配合することができる。硬化抑制剤としては、例えば、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサンやヘキサビニルジシロキサン、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン等のビニル基含有オルガノポリシロキサン、エチニルシクロヘキサノールや3−メチル−1−ブチン−3−オール等のアセチレンアルコール類及びそのシラン変性物やシロキサン変性物、ハイドロパーオキサイド、テトラメチルエチレンジアミン、ベンゾトリアゾール、トリアリルイソシアヌレート、アルキルマレエート及びこれらの混合物からなる群から選ばれる化合物等が挙げられる。硬化抑制剤を配合する場合は、シリコーン樹脂組成物全体100質量部に対して、好ましくは0.001〜1.0質量部、特に好ましくは0.005〜0.5質量部添加することができる。
本発明の付加硬化性シリコーン樹脂組成物には、高温環境下での耐クラック性を向上する目的で耐熱性向上剤を配合することができる。耐熱性向上剤は、180℃以上などの高温環境下において進行するシリコーン樹脂の酸化劣化に対して、例えばジメチルシロキサン鎖長の切断などにより樹脂硬さの向上を抑制する効果を有する。耐熱性向上剤としては、例えば、トリス(2−エチルヘキサン酸)セリウム(III)、トリアルコキシセリウム(III)、及びセリウム(III)のシロキサン変性体などが挙げられる。
・オルガノハイドロジェンポリシロキサン(b1−1)
(HMe2Si)2Oで示されるオルガノジシロキサン:6mol、メチルポリシリケート(製品名:Mシリケート51、多摩化学工業(株)製、モノマー分4.3質量%以下):3molのイソプロピルアルコール溶液中に、塩酸水溶液を滴下し、室温(25℃)で5時間撹拌した。トルエンを加えて希釈、廃酸分離し、有機層が中性になるまで水洗を行った。有機層を脱水後、150℃減圧下にて溶剤をストリップ操作にて留去し、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(b1−1)を25℃の粘度が1,200Pa・sである無色透明の液状物質として得た。得られた(b−1)は、構成するシロキサン単位がHMe2SiO1/2単位50モル%、SiO4/2単位50モル%で示され、GPC測定による重量平均分子量Mwは3,500であり、SiH基量は0.72mol/100gであった。また、(b1−1)中のケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量を測定した結果、0.34質量%であった。
・オルガノハイドロジェンポリシロキサン(b1−2)
(HMe2Si)2Oで示されるオルガノジシロキサン:12mol、メチルポリシリケート(製品名:Mシリケート51、多摩化学工業(株)製、モノマー分4.3質量%以下):3molのイソプロピルアルコール溶液中に、塩酸水溶液を滴下し、室温(25℃)で5時間撹拌した。トルエンを加えて希釈、廃酸分離し、有機層が中性になるまで水洗を行った。有機層を脱水後、150℃減圧下にて溶剤をストリップ操作にて留去し、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(b1−2)を25℃粘度が2.6Pa・sである無色透明の液状物質として得た。得られた(b1−2)は、構成するシロキサン単位がHMe2SiO1/2単位66モル%、SiO4/2単位34モル%で示され、GPC測定による重量平均分子量Mwは1,300であり、SiH基量は1.00mol/100gであった。また、(b1−2)中のケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量を測定した結果、5.5質量%であった。
・オルガノハイドロジェンポリシロキサン(b1−3)
(HMe2Si)2Oで示されるオルガノジシロキサン:6mol、(MeO)4Siで示されるテトラアルコキシシラン:12molのイソプロピルアルコール溶液中に、塩酸水溶液を滴下し、室温(25℃)で5時間撹拌した。トルエンを加えて希釈、廃酸分離し、有機層が中性になるまで水洗を行った。有機層を脱水後、150℃減圧下にて溶剤をストリップ操作にて留去し、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(b1−3)を25℃の粘度が280Pa・sである無色透明の液状物質として得た。得られた(b1−3)は、構成するシロキサン単位がHMe2SiO1/2単位52モル%、SiO4/2単位48モル%で示され、GPC測定による重量平均分子量Mwは3,100であり、SiH基量は0.74mol/100gであった。また、(b1−3)中のケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量を測定した結果、28.4質量%であった。
(a1−1):下記式
(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50
で示され、SiVi基量が0.045mol/100gであり、25℃の粘度が55mPa・sであり、25℃で液体のオルガノポリシロキサン
(a1−2):下記式
(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)20
で示され、SiVi基量が0.146mol/100gであり、25℃の粘度が14mPa・sであり、25℃で液体のオルガノポリシロキサン
(a2−1):シロキサン単位が、Vi3SiO1/2単位が5.5モル%、Me3SiO1/2単位が46.5モル%、SiO4/2単位48.0モル%で示され、SiVi基量が0.178mol/100gであり、GPC測定による重量平均分子量Mwが3,800であり、25℃で固体のオルガノポリシロキサン
(a2−2):シロキサン単位が、Vi3SiO1/2単位が6.7モル%、Me3SiO1/2単位が41.0モル%、SiO4/2単位52.3モル%で示され、SiVi基量が0.228mol/100gであり、GPC測定による重量平均分子量Mwが5,800であり25℃で固体のオルガノポリシロキサン
(b2−1):下記式
(Me3SiO1/2)2(HMeSiO2/2)50
で表され、SiH基量が1.55mol/100gであり、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が0.02質量%である25℃で液体のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(b2−2):下記式
(Me3SiO1/2)2(HMeSiO2/2)18
で表され、SiH基量が1.56mol/100gであり、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が37.03質量%である25℃で液体のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(b2−3):下記式
(Me3SiO1/2)2(HMeSiO2/2)36(Me2SiO2/2)13
で表され、SiH基量が1.16mol/100gであり、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が0.03質量%である25℃で液体のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(c−1):白金の含有量が2質量%であり、SiVi基量が1.15mol/100gである、白金のテトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン錯体のテトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン溶液
(d−1):シロキサン単位が、MeSiO3/2単位が19モル%、Ep’MeSiO2/2単位が9モル%、Me2SiO2/2単位が66モル%、ViMeSiO2/2単位が5モル%、MeO1/2単位が1モル%で示され、GPC測定による重量平均分子量Mwが1,900であり、SiVi基量が0.05mol/100gであり、エポキシ当量が860g/molであり、25℃における性状が液体であるオルガノポリシロキサン
(d−2):シロキサン単位が、MeSiO3/2単位が18モル%、Ep’SiO3/2単位が8モル%、Me2SiO2/2単位が67モル%、ViMeSiO2/2単位が5モル%、MeO1/2単位が2モル%で示され、GPC測定による重量平均分子量Mwが2,200であり、SiVi基量が0.05mol/100gであり、エポキシ当量が865g/molであり、25℃における性状が液体であるオルガノポリシロキサン
(e−1):TOTAL社製炭化水素溶剤「Hydroseal G3H」
〔大気圧(1013hPa)下での沸点: 277〜321℃〕
(f−1):日本アエロジル社製ヒュームドシリカ「RX300」
実施例1〜3及び比較例1〜6の付加硬化性シリコーン樹脂組成物を表1に示した配合比(数値は質量部)により調製し、該組成物の硬さ、硬化時非汚染性、ワイヤボンディング性、接着性を下記に示す試験方法により評価した。各測定結果について表1に示した。
付加硬化性シリコーン樹脂組成物を、熱風循環式乾燥機を使用して150℃で2時間加熱することにより、シリコーン硬化物を作製した。該シリコーン硬化物をJIS K 6253−3:2012に準拠し、タイプDデュロメータを用いて測定した。
付加硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化時の汚染性を、金めっき板を使用した以下の方法により評価した。
付加硬化性シリコーン樹脂組成物1.0gを、電解めっき法により金めっきを施した面積2cm2の金めっき板とともに、容積30cm3のアルミニウム製の密封容器中に、シリコーン樹脂と金めっき板とが接触しないように配置し、熱風循環式乾燥機を使用して150℃で2時間加熱した。加熱後、容器が密封された状態で該容器を25℃まで冷却し、容器の中から金めっき板を取り出した後、金めっき板表面の汚染物の付着具合を肉眼により観察した。
なお、硬化時の非汚染性は、金めっき板表面に付着した汚染物の割合が、金めっき板表面の全面積の5%未満であるものを「良(○)」、5%以上25%未満であるものを「可(△)」、25%以上であるものを「不可(×)」として評価した。
付加硬化性シリコーン樹脂組成物のワイヤボンディング性を、以下の方法により評価した。
リードフレーム部が銀めっきであり、リフレクタ部材がEMCであり、成型後に化学エッチングにより洗浄されたSMD型3030パッケージの各キャビティ中央部に樹脂を所定量塗布し、LEDチップ(GeneLite社製:B2424(610μm□))をダイボンドした後、アルミ製袋に密封状態で入れ、熱風循環式乾燥機を使用して150℃で2時間加熱硬化した。その後、袋が密封された状態で該容器を常温(25℃)まで冷却し、袋の中からリードフレームを取り出した。その後、LEDチップ上の電極とリードフレーム表面とを、直径30μmの金線ワイヤを用いてワイヤボンダ((株)新川製、UTC−1000super)により接合し、LEDチップ電極上にある1stボール部(p側・n側電極合計100個)のボールシェア強度測定をJESD22−B116記載の方法で、ボンドテスター(ノードソン・アドバンスト・テクノロジー社製:Dage4000)により行った。
なお、ワイヤボンディング性は、ワイヤボンディング操作を試みた合計100個の電極において、1stボール部が形成できず、ワイヤボンディングができなかった電極の個数(ワイヤボンディング不可数)、及び1stボール部が形成でき、ボールシェア強度測定を行った全1stボール部のボールシェア強度の平均値より評価した。その際、ボールシェア強度の評価は、熱硬化性エポキシ樹脂銀ペースト(製品名:X−43−5603−7AQ、信越化学工業(株)製)を用いた場合のボールシェア強度の平均値を100%とした時に、実施例1〜3及び比較例1〜6で示した付加硬化性シリコーン樹脂組成物を用いた場合のボールシェア強度の平均値が何%に相当するか算出し、評価した。
リードフレーム部が銀めっきであり、リフレクタ部材がEMCであり、成型後に化学エッチングにより洗浄されたSMD型3030パッケージの各キャビティ中央部に樹脂を所定量塗布し、LEDチップ(GeneLite社製:B2424(610μm□))をダイボンドした後、熱風循環式乾燥機を使用して150℃で2時間加熱硬化した。加熱後、取り出したパッケージを25℃まで冷却し、ボンドテスター(ノードソン・アドバンスト・テクノロジー社製:Dage4000)にてLEDチップと銀めっきとの接着強度を各樹脂について試験数50で測定し、平均接着強度を算出した。測定後、銀めっき表面を顕微鏡にて観察し、銀めっき側との平均樹脂残りが面積比で70%以上であるものを「樹脂残り 良(○)」、40%以上70%未満であるものを「可(△)」、40%未満であるものを「不可(×)」として評価した。
Claims (8)
- 下記(A−1)〜(C)成分、
(A−1)1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン、
(A−2)下記式(1)
(R1 3SiO1/2)a(R2 3SiO1/2)b(SiO4/2)c (1)
(式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基、R2は炭素数1〜12のアルキル基であり、0<a<0.15、0≦b<0.6、0<c<0.7であり、但し、a+b+c=1を満足する数である。)で示され、1分子中に2個以上の炭素数2〜8のアルケニル基を有する分岐状オルガノポリシロキサン、
(B−1)下記式(2)
(HR2 2SiO1/2)d(R2 3SiO1/2)e(SiO4/2)f (2)
(式中、R2はそれぞれ上記と同じであり、0<d<0.6、0≦e<0.4、0<f<0.6であり、但し、d+e+f=1を満足する数である。)
で示されるケイ素原子に直接結合した水素原子を1分子中に2個以上有する液状の分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、該ポリシロキサンの重量平均分子量が1,500〜6,000であり、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が5質量%以下であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(B−2)下記式(3)
(R2 3SiO1/2)2(HR2SiO2/2)x(R2 2SiO2/2)y (3)
(式中、R2はそれぞれ上記と同じであり、0<x<100、0≦y<10である整数であり、20≦x+y≦100である。)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、ケイ素原子数1〜10のSiH基含有有機ケイ素化合物の含有量が5質量%以下であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(C)付加反応触媒
を必須成分として含有する付加硬化性シリコーン樹脂組成物。 - 上記(B−1)成分において、JIS Z 8803:2011記載の方法で測定した25℃の上記(B−1)成分の粘度が10Pa・s以上である請求項1又は2記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 上記(B−1)成分が、テトラアルコキシシランの部分加水分解物を原料としたオルガノハイドロジェンポリシロキサンである請求項1〜3のいずれか1項記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 上記(A−1)、(A−2)、(B−1)及び(B−2)成分のR2において、全てのR2の90モル%以上がメチル基である請求項2〜4のいずれか1項記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 更に、下記式(5)
(MeSiO3/2)m(EpMeSiO2/2)n(Me2SiO2/2)p(ViMeSiO2/2)q(R3O1/2)r (5)
(式中、Meはメチル基であり、Epはエポキシ基を有する1価の有機基であり、Viはビニル基であり、R3は炭素数1〜12のアルキル基であり、0<m<0.3、0<n<0.15、0<p<0.8、0<q<0.1、0≦r<0.05であり、但し、m+n+p+q+r=1となる数である。)で示される接着助剤成分(D)を含有する請求項1〜5のいずれか1項記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。 - 更に、希釈剤(E)として、大気圧(1013hPa)下での沸点が200〜350℃の範囲であり、且つ25℃で液体の炭化水素化合物を含有する請求項1〜6のいずれか1項記載の付加硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載のシリコーン樹脂組成物からなる光半導体装置用ダイアタッチ材。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020189908A (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び光半導体装置 |
JP2021038309A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
JP2021176921A (ja) * | 2020-05-07 | 2021-11-11 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3831908A1 (en) * | 2018-08-01 | 2021-06-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone adhesive agent composition, and adhesive tape or adhesive film using same |
KR102136686B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2020-08-13 | 주식회사 케이씨씨 | 실리콘 조성물 |
JP2020132739A (ja) * | 2019-02-18 | 2020-08-31 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物、硬化物及び発光ダイオード素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011009346A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体装置 |
JP2016108461A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤、該接着剤からなるダイボンド材、該接着剤を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置 |
JP2016155967A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4322518A (en) * | 1980-12-02 | 1982-03-30 | Dow Corning Corporation | Curable silicone compositions comprising liquid resin and uses thereof |
JPS61195129A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | Toray Silicone Co Ltd | 有機けい素重合体の製造方法 |
JP3153373B2 (ja) * | 1993-02-09 | 2001-04-09 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | シリコーンレジンの製造方法 |
JP2934118B2 (ja) * | 1993-05-14 | 1999-08-16 | ジーイー東芝シリコーン株式会社 | 耐暴露性剥離剤 |
JPH07228701A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | ケイ素原子結合水素原子含有シリコーン樹脂の製造方法 |
JP4648099B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2011-03-09 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物 |
US7479522B2 (en) * | 2005-11-09 | 2009-01-20 | Momentive Performance Materials Inc. | Silicone elastomer composition |
JP4957898B2 (ja) | 2007-04-05 | 2012-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーンゴム組成物及びその硬化物 |
JP5581721B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2014-09-03 | 住友ベークライト株式会社 | シリコーンゴム系硬化性組成物、その製造方法、成形体及び医療用チューブ |
JP5711357B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2015-04-30 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 液状硬化性シリコーンゴム組成物、および前記組成物の硬化物によってコーティングされた織物 |
JP5534977B2 (ja) | 2010-06-29 | 2014-07-02 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置 |
JP5817377B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2015-11-18 | 住友ベークライト株式会社 | シリコーンゴム系硬化性組成物、シリコーンゴムの製造方法、シリコーンゴム、成形体および医療用チューブ |
JP5888132B2 (ja) | 2012-06-08 | 2016-03-16 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US9346954B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-05-24 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Curable resin composition |
CN103525095A (zh) * | 2013-09-30 | 2014-01-22 | 瑞金市瑞谷科技发展有限公司 | 一种可固化的有机基聚硅氧烷组合物 |
CN105623271A (zh) * | 2014-11-20 | 2016-06-01 | 爱克工业株式会社 | 加成反应固化型树脂组合物以及光半导体装置 |
JP6648467B2 (ja) | 2014-12-25 | 2020-02-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2017
- 2017-02-17 JP JP2017027858A patent/JP6702224B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-30 US US15/883,330 patent/US10669379B2/en active Active
- 2018-02-13 CN CN201810147694.XA patent/CN108456426B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011009346A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体装置 |
JP2016108461A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤、該接着剤からなるダイボンド材、該接着剤を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置 |
JP2016155967A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020189908A (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び光半導体装置 |
JP7041094B2 (ja) | 2019-05-21 | 2022-03-23 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び光半導体装置 |
JP7041094B6 (ja) | 2019-05-21 | 2023-12-18 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び光半導体装置 |
JP2021038309A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
JP7094926B2 (ja) | 2019-09-02 | 2022-07-04 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
JP2021176921A (ja) * | 2020-05-07 | 2021-11-11 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
JP7321969B2 (ja) | 2020-05-07 | 2023-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
DE102023105463A1 (de) | 2022-03-10 | 2023-09-14 | Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha | Aushärtbare silikonzusammensetzung |
DE102023105468A1 (de) | 2022-03-10 | 2023-09-14 | Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha | Aushärtbare silikonzusammensetzung |
KR20230133238A (ko) | 2022-03-10 | 2023-09-19 | 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 | 경화성 실리콘 조성물 |
KR20230133239A (ko) | 2022-03-10 | 2023-09-19 | 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 | 경화성 실리콘 조성물 |
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