KR102419245B1 - 경화성 실리콘 조성물, 경화성 핫 멜트 실리콘, 및 광 디바이스 - Google Patents

경화성 실리콘 조성물, 경화성 핫 멜트 실리콘, 및 광 디바이스 Download PDF

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Abstract

(A) 특정의 평균 단위식으로 표시되는 오가노폴리실록산, (B) 특정의 평균 단위식으로 표시되는 임의의 오가노폴리실록산, (C) 특정의 평균 단위식으로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록산 및 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매로 적어도 이루어지는 경화성 실리콘 조성물, 및 이 조성물을, 경화물을 형성하지 않는 정도로 하이드로실릴화하여 이루어지는, 25℃에서 비유동성이며, 100℃에서의 용융 점도가 5,000 Pa·s 이하인 경화성 핫 멜트 실리콘. 이 경화성 실리콘 조성물은 경화하여, 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 제공한다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘은 실온에서 비유동성이고 표면 점착성이 낮으며 가열에 의해 용이하게 용융한다.

Description

경화성 실리콘 조성물, 경화성 핫 멜트 실리콘, 및 광 디바이스{CURABLE SILICONE COMPOSITION, CURABLE HOT-MELT SILICONE, AND OPTICAL DEVICE}
본 발명은 경화성 실리콘 조성물, 경화성 핫 멜트 실리콘, 및 광 디바이스에 관한 것이다.
경화성 실리콘 조성물은 경화하여, 뛰어난 내열성, 내한성, 전기 절연성, 내후성, 발수성, 투명성을 갖는 경화물을 형성하는 점에서, 폭넓은 산업 분야에서 이용되고 있다. 특히, 그 경화물은 다른 유기재료와 비교하여 변색되기 어렵고, 또한 물리적 물성의 저하가 작기 때문에, 광학 재료로서 적합하다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 알케닐기 함유 실리콘 레진, 규소 원자 결합 수소 원자 함유 오가노폴리실록산, 및 하이드로실릴화 반응용 촉매로 이루어지는, 발광 다이오드(LED) 소자용 액상 실리콘 레진 조성물이 제안되어 있다.
한편, 최근, 새로운 발광 다이오드(LED)의 제조 프로세스를 위해서, 실온에서 고체상 또는 반고체상의 재료가 제안되어 있다. 예를 들면, 특허문헌 2에는, 알케닐기 함유 실리콘 레진, 규소 원자 결합 수소 원자 함유 오가노폴리실록산, 및 하이드로실릴화 반응용 촉매로 이루어지는, 발광 다이오드(LED)용의 시트상 실리콘 레진 조성물을 들 수 있고, 특허문헌 3에는, 알케닐기 함유 오가노폴리실록산과 규소 원자 결합 수소 원자 함유 오가노폴리실록산의 하이드로실릴화 반응에 의해 생성되는, 용매 가용성의 알케닐기 함유 오가노폴리실록산, 및 규소 원자 결합 수소 원자 함유 오가노폴리실록산, 및 하이드로실릴화 반응용 촉매로 이루어지는 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 들 수 있고, 특허문헌 4에는, 1분자 중에 적어도 2개의 알케닐실릴기를 갖는 오가노폴리실록산, 1분자 중에 적어도 2개의 하이드로실릴기를 갖는 오가노폴리실록산, 하이드로실릴화 반응용 촉매, 및 반응 억제제를 포함하는 실리콘 레진용 조성물을 반경화시켜 이루어지는 실리콘 레진 시트를 들 수 있다.
그렇지만, 이들 재료는, 25℃에 있어서 표면 점착성이 있고, 또한 핫 멜트성이 충분하지 않아, 실제의 응용에는 불충분하다고 하는 과제가 있다. 게다가, LED 패키지의 고휘도화에 수반하여, 이들 재료에는 한층 더 내열성/내광성이 요구되고 있지만, 불충분하다고 하는 과제가 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제2004-186168호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 제2009-235368호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 제2009-242627호 특허문헌 4: 일본 공개특허공보 제2011-219597호
본 발명의 목적은, 경화하여, 내열성 및 내광성이 뛰어난 경화물을 제공하는 경화성 실리콘 조성물, 및 실온에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 가열에 의해 용이하게 용융하는 경화성 핫 멜트 실리콘을 제공하는 데에 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 신뢰성이 높은 광 디바이스를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은
(A) 평균 단위식:
(Ｒ１ ３ＳiＯ１／２)ａ(Ｒ２ ２ＳiＯ２／２)ｂ(Ｒ３ＳiＯ３／２)ｃ(ＳiＯ４／２)ｄ(Ｒ４Ｏ１／２)e
(식 중, Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３은 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이며, 단 R1의 40몰% 이하, R2의 30몰% 이상, R3의 10몰% 이하가 알케닐기이며, Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３의 합계 30∼60몰%가 페닐기이며, R4는 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, a는 0∼0.2의 수이며, b는 0.2∼0.5의 수이며, c는 0.3∼0.8의 수이며, d는 0∼0.5의 수이며, e는 0∼0.1의 수이며, 또한 c+d가 0.3∼0.8의 수이며, a+b+c+d는 1이다.)
으로 나타내는 오가노폴리실록산 100질량부,
(B) 평균 단위식:
(Ｒ５ ３ＳiＯ１／２)ｆ(Ｒ５ ２ＳiＯ２／２)ｇ(Ｒ５ＳiＯ３／２)ｈ(ＳiＯ４／２)ｉ(Ｒ６Ｏ１／２)ｊ
(식 중, R5는 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이며, 단 모든 R5의 10∼70몰%는 페닐기이며, 모든 R5의 적어도 1개는 알케닐기이며, R6은 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, f는 0.01∼0.3의 수이며, g는 0.4∼0.99의 수이며, h는 0∼0.2의 수이며, i는 0∼0.2의 수이며, j는 0∼0.1의 수이며, 또한 h+i는 0∼0.2의 수이며, f+g+h+i는 1이다.)
으로 나타내는 오가노폴리실록산 0∼150질량부,
(C) 평균 조성식:
Ｒ７ ｋＨｌＳiＯ(４－ｋ－ｌ)／２
(식 중, R7은 페닐기 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, 단 모든 R7의 10∼70몰%는 페닐기이며, k는 1.0∼2.5의 수이며, l은 0.01∼0.9의 수이며, 또한 k+l은 1.5∼3.0의 수이다.)
으로 나타내는 오가노하이드로젠폴리실록산{(A)성분과 (B)성분 중의 알케닐기의 합계 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.5∼2.0몰이 되는 양}, 및
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매 본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하는 데에 충분한 양
으로 적어도 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 경화성 핫 멜트 실리콘은
(A) 평균 단위식:
(Ｒ１ ３ＳiＯ１／２)ａ(Ｒ２ ２ＳiＯ２／２)ｂ(Ｒ３ＳiＯ３／２)ｃ(ＳiＯ４／２)ｄ(Ｒ４Ｏ１／２)e
(식 중, Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３은 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이며, 단 R1의 40몰% 이하, R2의 30몰% 이상, R3의 10몰% 이하가 알케닐기이며, Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３의 합계 30∼60몰%가 페닐기이며, R4는 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, a는 0∼0.2의 수이며, b는 0.2∼0.5의 수이며, c는 0∼0.8의 수이며, d는 0∼0.5의 수이며, e는 0∼0.1의 수이며, 또한 c+d가 0.3∼0.8의 수이며, a+b+c+d는 1이다.)
으로 나타내는 오가노폴리실록산 100질량부,
(B) 평균 단위식:
(Ｒ５ ３ＳiＯ１／２)ｆ(Ｒ５ ２ＳiＯ２／２)ｇ(Ｒ５ＳiＯ３／２)ｈ(ＳiＯ４／２)ｉ(Ｒ６Ｏ１／２)ｊ
(식 중, R5는 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이며, 단 모든 R5의 10∼70몰%는 페닐기이며, 모든 R5의 적어도 1개는 알케닐기이며, R6은 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, f는 0.01∼0.3의 수이며, g는 0.4∼0.99의 수이며, h는 0∼0.2의 수이며, i는 0∼0.2의 수이며, j는 0∼0.1의 수이며, 또한 h+i는 0∼0.2의 수이며, f+g+h+i는 1이다.)
으로 나타내는 오가노폴리실록산 0∼40질량부,
(C) 평균 조성식:
Ｒ７ ｋＨｌＳiＯ(４－ｋ－ｌ)／２
(식 중, R7은 페닐기 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, 단 모든 R7의 10∼70몰%는 페닐기이며, k는 1.0∼2.5의 수이며, l은 0.01∼0.9의 수이며, 또한 k+l은 1.5∼3.0의 수이다.)
으로 나타내는 오가노하이드로젠폴리실록산{(A)성분과 (B)성분 중의 알케닐기의 합계 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.5∼2.0몰이 되는 양}, 및
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매 본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하는 데에 충분한 양
으로 적어도 이루어지는 경화성 실리콘 조성물을, 경화물을 형성하지 않는 정도로 하이드로실릴화 반응하여 이루어지는, 25℃에서 비유동성이며, 100℃에서의 용융 점도가 5,000 Pa·s 이하인 것을 특징으로 한다.
게다가, 본 발명의 광 디바이스는 상기의 경화성 실리콘 조성물 또는 상기의 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물로 광 반도체 소자가 봉지, 보호, 또는 피복되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 경화하여, 내열성 및 내광성이 뛰어난 경화물을 제공한다고 하는 특징이 있다. 또한, 본 발명의 경화성 핫 멜트 실리콘은 실온에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 가열에 의해 용이하게 용융한다고 하는 특징이 있다. 게다가, 본 발명의 광 디바이스는 고수명으로 신뢰성이 우수하다고 하는 특징이 있다.
도 1은 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 광 디바이스에 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 광 디바이스의 개략 경사 투시도이다.
도 3은 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 다른 광 디바이스의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 다른 광 디바이스의 일 예를 나타내는 개략 경사 투시도이다.
도 5는 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 다른 광 디바이스의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
우선, 본 발명의 경화성 실리콘 조성물을 상세하게 설명한다.
(A)성분은 평균 단위식:
(Ｒ１ ３ＳiＯ１／２)ａ(Ｒ２ ２ＳiＯ２／２)ｂ(Ｒ３ＳiＯ３／２)ｃ(ＳiＯ４／２)ｄ(Ｒ４Ｏ１／２)e
으로 나타내는 오가노폴리실록산이다.
식 중, Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３은 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이다. 이 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기가 예시되며, 바람직하게는 메틸기이다. 또한, 이 알케닐기로서는 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기가 예시되며, 바람직하게는 비닐기, 알릴기이다.
한편, R1의 40몰% 이하, R2의 30몰% 이상, R3의 10몰% 이하가 알케닐기이며, Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３의 합계 30∼60몰%가 페닐기이다. 게다가, 기계적 강도가 충분히 높고, 내열성 및 내광성이 뛰어난 경화물을 얻을 수 있는 점에서, R1의 35몰% 이하, R2의 35몰% 이상, R3의 5몰% 이하가 알케닐기이며, Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３의 합계 35∼55몰%가 페닐기인 것이 바람직하다. 또한, 본 조성물을 이용하여, 실온에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 가열에 의해 용이하게 용융하는 경화성 핫 멜트 실리콘을 조제하기 쉬운 점에서, R1의 10몰% 이하, R2의 45몰% 이상, R3의 10몰% 이하가 알케닐기이며, Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３의 합계 35∼55몰%가 페닐기인 것이 바람직하다.
식 중, R4는 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이다. 이 알킬기로서는, 상기와 같은 알킬기가 예시되지만, 바람직하게는 메틸기, 에틸기이다.
식 중, a는 0∼0.2의 범위 내의 수이며, b는 0.2∼0.5의 범위 내의 수이며, c는 0.3∼0.8의 범위 내의 수이며, d는 0∼0.5의 범위 내의 수이며, e는 0∼0.1의 범위 내의 수이며, 또한 c+d가 0.3∼0.8의 범위 내의 수이며, a+b+c+d는 1이다. 게다가, 기계적 강도가 충분히 높고, 내열성 및 내광성이 뛰어난 경화물을 얻을 수 있는 점에서, a는 0∼0.10의 범위 내의 수이며, b는 0.2∼0.4의 범위 내의 수이며, c는 0.4∼0.8의 범위 내의 수이며, d는 0∼0.3의 범위 내의 수이며, e는 0∼0.05의 범위 내의 수이며, 또한 c+d가 0.4∼0.8의 범위 내의 수이며, a+b+c+d는 1인 것이 바람직하다. 또한, 본 조성물을 이용하여, 실온에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 가열에 의해 용이하게 용융하는 경화성 핫 멜트 실리콘을 조제하기 쉬운 점에서, a는 0∼0.10의 범위 내의 수이며, b는 0.2∼0.4의 범위 내의 수이며, c는 0.5∼0.8의 범위 내의 수이며, d는 0∼0.2의 범위 내의 수이며, e는 0∼0.05의 범위 내의 수이며, 또한 c+d가 0.5∼0.8의 범위 내의 수이며, a+b+c+d는 1인 것이 바람직하다.
이러한 (A)성분으로서는 다음과 같은 오가노폴리실록산이 예시된다. 한편, 식 중, Me, Ph, Vi는 각각 메틸기, 페닐기, 비닐기를 나타낸다.
(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２５(ＰhＳiＯ３／２)０.７５(ＨＯ１／２)０.０２
(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.３０(ＰhＳiＯ３／２)０.７０(ＨＯ１／２)０.０１
(Ｍe３ＳiＯ１／２)０.１５(ＭeＶiＳiＯ２／２)０.２５(ＰhＳiＯ３／２)０.６０(ＨＯ１／２)０.０４
(Ｍe３ＳiＯ１／２)０.１５(ＭeＶiＳiＯ２／２)０.２５(ＰhＳiＯ３／２)０.６０(ＨＯ１／２)０.０４
(Ｍe３ＳiＯ１／２)０.０５(ＭeＶiＳiＯ２／２)０.２８(ＰhＳiＯ３／２)０.６７(ＨＯ１／２)０.０４
(Ｍe３ＳiＯ１／２)０.０２(ＭeＶiＳiＯ２／２)０.２８(ＰhＳiＯ３／２)０.７０(ＨＯ１／２)０.０４
(Ｍe２ＶiＳiＯ１／２)０.０３(ＭeＶiＳiＯ２／２)０.２７(ＰhＳiＯ３／２)０.７０(ＨＯ１／２)０.０４
(Ｍe３ＳiＯ１／２)０.０５(ＭeＶiＳiＯ２／２)０.３０(ＰhＳiＯ３／２)０.４５(ＳiＯ４／２)０.２０(ＨＯ１／２)０.０４
(B)성분은 본 조성물의 점도를 조정하여, 얻어지는 경화물의 경도와 기계적 강도를 조정하기 위한 임의 성분이며, 평균 단위식:
(Ｒ５ ３ＳiＯ１／２)ｆ(Ｒ５ ２ＳiＯ２／２)ｇ(Ｒ５ＳiＯ３／２)ｈ(ＳiＯ４／２)ｉ(Ｒ６Ｏ１／２)ｊ
으로 나타내는 오가노폴리실록산이다.
식 중, R5는 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이다. 이 알킬기로서는 상기와 같은 알킬기가 예시되며, 바람직하게는 메틸기이다. 또한, 이 알케닐기로서는 상기와 같은 알케닐기가 예시되며, 바람직하게는 비닐기, 알릴기이다. 한편, 식 중, 모든 R5의 10∼70몰%는 페닐기이지만, 추가로 기계적 강도가 충분히 높고, 내열성 및 내광성이 뛰어난 경화물을 얻을 수 있고, 또한 본 조성물을 이용하여, 실온에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 가열에 의해 용이하게 용융하는 경화성 핫 멜트 실리콘을 조제하기 쉬운 점에서, 모든 R5의 20∼60몰%가 페닐기인 것이 바람직하다.
또한, 식 중, R6은 수소 원자 또는 알킬기이다. 이 알킬기로서는 상기 R4와 같은 알킬기가 예시되며, 바람직하게는 메틸기, 에틸기이다.
또한, 식 중, f는 0.01∼0.3의 범위의 수이며, g는 0.4∼0.99의 범위의 수이며, h는 0∼0.2의 범위의 수이며, i는 0∼0.2의 범위의 수이며, j는 0∼0.1의 범위의 수이며, 또한 h+i는 0∼0.2의 범위 수이며, f+g+h+i는 1이다.
이러한 (B)성분으로서는 다음과 같은 오가노폴리실록산이 예시된다. 한편, 식 중, Me, Ph, Vi는 각각 메틸기, 페닐기, 비닐기를 나타낸다.
ＶiＭe２ＳiＯ(ＳiＭeＰhＯ)１８ＳiＭe２Ｖi、즉 (ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＭeＰhＳiＯ２／２)０.９０
ＶiＭe２ＳiＯ(ＳiＭe２Ｏ)２０(ＳiＰh２Ｏ)８ＳiＭe２Ｖi、즉 (ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(Ｍe２ＳiＯ２／２)０.５０(Ｐh２ＳiＯ２／２)０.４０
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＭeＰhＳiＯ２／２)０.８０(ＰhＳiＯ３／２)０.１０(ＨＯ１／２)０.０２
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.２０(ＭeＰhＳiＯ２／２)０.７０(ＳiＯ４／２)０.１０(ＨＯ１／２)０.０１
본 조성물에 있어서, (B)성분의 함유량은, (A)성분 100질량부에 대하여 0∼150질량부의 범위 내가 되는 양이며, 게다가 기계적 강도가 충분히 높고, 내열성 및 내광성이 뛰어난 경화물을 얻을 수 있는 점에서, 0∼120중량부의 범위 내가 되는 양, 0∼100중량부의 범위 내가 되는 양, 또는 0∼40중량부의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다.
또한, 본 조성물을 이용하여 경화성 핫 멜트 실리콘을 조제하는 경우에는, (B)성분의 함유량은, (A)성분 100질량부에 대하여 0∼40질량부의 범위 내가 되는 양이며, 게다가 실온에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 가열에 의해 용이하게 용융하는 경화성 핫 멜트 실리콘을 조제할 수 있는 점에서, 0∼30질량부의 범위 내인 것이 바람직하다.
(C)성분은, (A)성분 및 (B)성분을 가교하기 위한, 평균 조성식:
Ｒ７ ｋＨｌＳiＯ(４－ｋ－ｌ)／２
으로 나타내는 오가노하이드로젠폴리실록산이다.
식 중, R7은 페닐기 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이다. 이 알킬기로서는 상기와 같은 알킬기가 예시되며, 바람직하게는 메틸기이다. 한편, (B)성분 중, 모든 R7의 10∼70몰%는 페닐기이다.
또한, 식 중, k는 1.0∼2.5의 범위 내의 수이며, l은 0.01∼0.9의 범위 내의 수이며, 또한 k+l은 1.5∼3.0의 범위 내의 수이며, 게다가 기계적 강도가 충분히 높고, 내열성 및 내광성이 뛰어난 경화물을 얻을 수 있는 점에서, k가 1.2∼2.3의 범위 내의 수이며, l이 0.1∼0.8의 범위 내의 수이며, 또한 k+l이 2.0∼2.7의 범위 내의 수인 것이 바람직하다. 또한, 본 조성물을 이용하여, 실온에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 가열에 의해 용이하게 용융하는 경화성 핫 멜트 실리콘을 조제하기 쉬운 점에서, k가 1.5∼2.2의 범위 내의 수이며, l이 0.1∼0.8의 범위 내의 수이며, 또한 k+l이 2.0∼2.7의 범위 내의 수인 것이 바람직하다.
이러한 (C)성분으로서는 다음과 같은 오가노폴리실록산이 예시된다. 한편, 식 중, Me, Ph는 각각 메틸기, 페닐기를 나타낸다.
Ｐh２Ｓi(ＯＳiＭe２Ｈ)２、즉 Ｐh０.６７Ｍe１.３３Ｈ０.６７ＳiＯ０.６７
ＭｅＰｈＳi(ＯＳiＭe２Ｈ)２、즉 Ｐh０.３３Ｍe１.６７Ｈ０.６７ＳiＯ０.６７
ＰhＳi(ＯＳiＭe２Ｈ)３、즉 Ｐh０.２５Ｍe１.５０Ｈ０.７５ＳiＯ０.７５
(ＨＭe２ＳiＯ１／２)０.６(ＰhＳiＯ３／２)０.４、즉 Ｐh０.４０Ｍe１.２０Ｈ０.６０ＳiＯ０.９０
(C)성분의 함유량은 (A)성분 및 (B)성분 중의 알케닐기의 합계 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.5∼2.0몰의 범위 내가 되는 양이며, 게다가 기계적 강도가 충분히 높고, 또한 내열성 및 내광성이 뛰어난 경화물을 얻을 수 있는 점에서, 0.5∼1.8몰의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다. 또한, 본 조성물을 이용하여, 경화성 핫 멜트 실리콘을 조제하는 경우에는, (A)성분 및 (B)성분 중의 알케닐기의 합계 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.7∼1.5몰의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다.
(D)성분은 본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하기 위한 하이드로실릴화 반응용 촉매이다. 이러한 (D)성분으로서는 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매가 예시되며, 본 조성물의 경화를 현저하게 촉진할 수 있는 점에서 백금계 촉매가 바람직하다. 이 백금계 촉매로서는 백금 미분말, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금-알케닐실록산 착체, 백금-올레핀 착체, 백금-카보닐 착체가 예시되며, 특히 백금-알케닐실록산 착체가 바람직하다. 이 알케닐실록산으로서는 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산, 1, 3, 5, 7-테트라메틸-1, 3, 5, 7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 이들 알케닐실록산의 메틸기의 일부를 에틸기, 페닐기 등으로 치환한 알케닐실록산, 이들 알케닐실록산의 비닐기를 알릴기, 헥세닐기 등으로 치환한 알케닐실록산이 예시된다. 특히, 이 백금-알케닐실록산 착체의 안정성이 양호한 점에서, 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산인 것이 바람직하다.
(D)성분의 첨가량은 하이드로실릴화 반응을 촉진하는 양이며, 구체적으로는 (A)∼(C)성분의 합계량에 대하여, 본 성분 중의 금속 원자가 질량 단위로 0.01∼500 ppm의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하고, 추가로는 0.01∼100 ppm의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하고, 특히는 0.01∼50 ppm의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다. 이것은, (D)성분의 첨가량이 상기 범위의 하한 이상이면, 본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 충분히 촉진할 수 있기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 경화물에 착색 등의 문제를 생기게 하기 어려워지기 때문이다.
본 조성물에는 본 조성물의 경화 반응을 조정하기 위한 임의 성분으로서 (E)반응 억제제를 함유해도 좋다. 이러한 (E)성분으로서는 2-메틸-3-부틴-2-올, 3, 5-디메틸-1-헥신-3-올, 2-페닐-3-부틴-2-올 등의 알킨알코올; 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3, 5-디메틸-3-헥센-1-인 등의 엔인 화합물; 1, 3, 5, 7-테트라메틸-1, 3, 5, 7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1, 3, 5, 7-테트라메틸-1, 3, 5, 7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산, 벤조트리아졸이 예시된다. (E)성분의 함유량은 한정되지 않지만, 상기 (A)성분∼(D)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.0001∼5질량부의 범위 내인 것이 바람직하다.
게다가, 본 조성물에는, 광 반도체 소자로부터의 발광 파장을 변환하기 위해서, 형광체를 함유해도 좋다. 이 형광체로서는, 예를 들면 발광 다이오드(LED)에 널리 이용되고 있는 산화물계 형광체, 산질화물계 형광체, 질화물계 형광체, 황화물계 형광체, 산황화물계 형광체 등으로 이루어지는 황색, 적색, 녹색 및 청색 발광 형광체를 들 수 있다. 산화물계 형광체로서는 세륨 이온을 포함하는 이트륨, 알루미늄, 가닛(garnet)계의 YAG계 녹색∼황색 발광 형광체, 세륨 이온을 포함하는 테르븀(terbium), 알루미늄, 가닛계의 TAG계 황색 발광 형광체, 및 세륨이나 유로퓸 이온을 포함하는 실리케이트계 녹색∼황색 발광 형광체가 예시된다. 산질화물계 형광체로서는 유로퓸 이온을 포함하는 규소, 알루미늄, 산소, 질소계의 사이알론계 적색∼녹색 발광 형광체가 예시된다. 질화물계 형광체로서는 유로퓸 이온을 포함하는 칼슘, 스트론튬, 알루미늄, 규소, 질소계의 커즌(cousin)계 적색 발광 형광체가 예시된다. 황화물계 형광체로서는 구리 이온이나 알루미늄 이온을 포함하는 ZnS계 녹색 발색 형광체가 예시된다. 산황화물계 형광체로서는 유로퓸 이온을 포함하는 Ｙ２Ｏ２Ｓ계 적색 발광 형광체가 예시된다. 이들 형광체를 2종 이상 조합시켜 이용해도 좋다.
또한, 본 조성물에는, 그 접착성을 향상시키기 위한 접착 부여제를 함유해도 좋다. 이 접착 부여제로서는, 규소 원자에 결합한 알콕시기를 1분자 중에 적어도 1개 갖는 유기 규소 화합물이 바람직하다. 이 알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 메톡시에톡시기가 예시되며, 특히 메톡시기가 바람직하다. 또한, 이 유기 규소 화합물의 규소 원자에 결합하는 알콕시기 이외의 기로서는 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 할로겐화 알킬기 등의 할로겐 치환 또는 비치환의 1가 탄화수소기; 3-글리시독시프로필기, 4-글리시독시프로필기 등의 글리시독시알킬기; 2-(3, 4-에폭시사이클로헥실)에틸기, 3-(3, 4-에폭시사이클로헥실)프로필기 등의 에폭시사이클로헥실알킬기; ３，４-에폭시부틸기, 7, 8-에폭시옥틸기 등의 에폭시알킬기; 3-메타크릴옥시프로필기 등의 아크릴기 함유 1가 유기기; 수소 원자가 예시된다. 이 유기 규소 화합물은 본 조성물 중의 알케닐기 또는 규소 원자 결합 수소 원자와 반응할 수 있는 기를 갖는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 규소 원자 결합 수소 원자 또는 알케닐기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 각종 기재에 대하여 양호한 접착성을 부여할 수 있는 점에서, 이 유기 규소 화합물은 1분자 중에 적어도 1개의 에폭시기 함유 1가 유기기를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 유기 규소 화합물로서는 오가노실란 화합물, 오가노실록산 올리고머, 알킬 실리케이트가 예시된다. 이 오가노실록산 올리고머 또는 알킬 실리케이트의 분자 구조로서는 직쇄상, 일부 분지를 갖는 직쇄상, 분지쇄상, 환상, 망상이 예시되며, 특히 직쇄상, 분지쇄상, 망상인 것이 바람직하다. 이러한 유기 규소 화합물로서는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3, 4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 실란 화합물; 1분자 중에 규소 원자 결합 알케닐기 또는 규소 원자 결합 수소 원자, 및 규소 원자 결합 알콕시기를 각각 적어도 1개씩 갖는 실록산 화합물, 규소 원자 결합 알콕시기를 적어도 1개 갖는 실란 화합물 또는 실록산 화합물과 1분자 중에 규소 원자 결합 하이드록시기와 규소 원자 결합 알케닐기를 각각 적어도 1개씩 갖는 실록산 화합물과의 혼합물, 메틸 폴리실리케이트, 에틸 폴리실리케이트, 에폭시기 함유 에틸 폴리실리케이트가 예시된다. 이 접착 부여제는 저점도 액상인 것이 바람직하고, 그 점도는 한정되지 않지만, 25℃에 있어서 1∼500 mPa·s의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 본 조성물에 있어서, 이 접착 부여제의 함유량은 한정되지 않지만, 본 조성물의 합계 100질량부에 대하여 0.01∼10질량부의 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 본 조성물에는, 본 발명의 목적을 손상하지 않는 한, 기타 임의 성분으로서, 규소 원자 결합 수소 원자를 갖지 않는 실리콘 성분; 실리카, 산화티탄, 유리, 알루미나, 산화아연 등의 무기질 충전제; 폴리메타크릴레이트 수지 등의 유기 수지 미분말; 내열제, 염료, 안료, 난연성 부여제를 함유해도 좋다.
그 다음에, 본 발명의 경화성 핫 멜트 실리콘을 상세하게 설명한다.
본 발명의 경화성 핫 멜트 실리콘은
상기 (A)성분 100질량부,
상기 (B)성분 0∼40질량부,
상기 (C)성분{(A)성분과 (B)성분 중의 알케닐기의 합계 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.5∼2.0몰이 되는 양}, 및
상기 (D)성분(본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하는 데에 충분한 양)으로 적어도 이루어지는 경화성 실리콘 조성물을, 경화물을 형성하지 않는 정도로 하이드로실릴화 반응하여 이루어지는, 25℃에서 비유동성이며, 100℃에서의 용융 점도가 5,000 Pa·s 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 경화성 핫 멜트 실리콘을 조제하기 위한 경화성 실리콘 조성물에 있어서, (A)성분∼(D)성분 및 기타 임의 성분에 대해서는 상기한 바와 같다.
본 핫 멜트 실리콘에 있어서, 상기 경화성 실리콘 조성물을, 경화물을 형성하지 않는 정도로 하이드로실릴화 반응한다란, 상기 경화성 실리콘 조성물의 경화 반응을 도중에 중지하는 것을 의미하고, 구체적으로는, 상기 경화성 실리콘 조성물 중의 알케닐기 또는 규소결합 수소 원자 중 적은 쪽이 50%∼90%을 소비할 때까지, 즉 반응의 전화율이 50%∼90%가 될 때까지 하이드로실릴화 반응을 진행시키는 것이 바람직하다. 이 전화율은, 예를 들면 시차 주사형 열량계(DSC)를 이용하여, 반응열의 차이로부터 구할 수 있다.
본 핫 멜트 실리콘은 25℃에 있어서 비유동성이고, 100℃의 용융 점도가 5,000 Pa·s 이하, 바람직하게는 10∼3,500 Pa·s의 범위 내이다. 여기서, 비유동성이란, 무부하의 상태에서 유동하지 않는 것을 의미하고, 예를 들면 JIS K 6863-1994 「핫 멜트 접착제의 연화점 시험 방법」에서 규정되는 핫 멜트 접착제의 환구법에 의한 연화점 시험 방법으로 측정되는 연화점 미만에서의 상태를 나타내고, 즉 25℃에 있어서 비유동성이기 위해서는, 연화점이 25℃보다도 높을 필요가 있다. 25℃에 있어서 비유동성이면, 당해 온도에서의 형상 보유성이 양호하며, 표면 점착성이 낮은 경화성 핫 멜트 실리콘을 얻을 수 있기 때문이다. 또한, 100℃의 용융 점도가 상기의 범위 내이면, 핫 멜트 후, 25℃로 냉각한 후의 밀착성이 양호한 경화성 핫 멜트 실리콘을 얻을 수 있다. 또한, 본 핫 멜트 실리콘의 연화점은 25℃보다도 높지만, 50℃보다도 낮은 것이 바람직하다. 즉, 본 핫 멜트 실리콘은 50℃에서 2,000 Pa·s 이상의 용융 점도를 갖는 것이 바람직하고, 또한 50℃의 용융 점도가 100℃의 용융 점도의 2배 이상인 것이 바람직하고, 게다가 25배 이상인 것이 바람직하다. 이것은, 50℃의 용융 점도가 상기의 하한 이상이며, 50℃의 용융 점도가 100℃의 용융 점도에 대하여, 상기의 하한 이상이면, 25℃에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 양호한 핫 멜트성을 나타내기 때문이다.
본 핫 멜트 실리콘은 가지각색의 형상으로 가공할 수 있고, 예를 들면 두께가 5 μm∼5 mm인 시트상, 분체상 또는 타블렛상으로 할 수 있다. 얻어진 가지각색의 형상의 핫 멜트 실리콘을 라미네이션(lamination), 압축 성형, 트렌스퍼 성형 등, 여러 가지 방법으로 소망의 형상의 경화물로 변환할 수 있다.
그 다음에, 본 발명의 광 디바이스를 설명한다.
본 발명의 광 디바이스는, 광 반도체 소자가 상기의 경화성 실리콘 조성물 또는 상기의 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물에 의해 봉지, 보호, 또는 피복되어 있는 것을 특징으로 한다. 이 광 반도체 소자로서는 발광 다이오드 소자가 예시된다. 또한, 이러한 광 디바이스로서는 발광 다이오드(LED)가 예시된다.
본 발명은 볼록상 경화물을 구비하는 광 디바이스에도 관한 것이다. 도 1 내지 도 4는 평탄한 표면을 갖는 기판(1) 위에 LED(2)를 탑재하고 있고, 게다가 볼록상 경화물(3)을 구비하는 광 디바이스를 나타낸다. 또한, LED(2)와 기판(1) 상의 도시를 생략하는 전극은 도시를 생략하는 와이어 등으로 접속되어 있다.
도 1 및 도 2에 나타내는 본 발명의 광 디바이스는 상기의 경화성 실리콘 조성물을, LED(2)를 피복하도록 기판(1) 위에 적하하고, 경화시켜 볼록상 경화물(3)을 형성함으로써 제조할 수 있다. 도 1 및 도 2에 나타내는 본 발명의 광 디바이스에서는 볼록상 경화물(3)이 반구상이기 때문에, 빛의 사출 방향을 제어하거나, 정면 휘도가 지나치게 높아지는 것을 억제할 수 있고, 뛰어난 광학 특성을 발휘할 수 있다.
도 3은, 도 1과는 다르고, 약간 편평한 돔상의 볼록상 경화물(3)을 구비하는 광 디바이스를 나타낸다. 한편, 도 1 및 도 2의 경우와 동일하게, LED(2)와 기판(1) 상의 도시를 생략하는 전극은 도시를 생략하는 와이어 등으로 접속되어 있다. 도 3에 나타내는 본 발명의 광 디바이스에서는 볼록상 경화물(3)이 약간 편평하기 때문에, 광 디바이스의 두께를 억제할 수 있다.
도 4는, 도 1과는 다르고, 반원통 형상의 볼록상 경화물(3)을 구비하는 광 디바이스를 나타낸다. 한편, 도 1 및 도 2의 경우와 동일하게, LED(2)와 기판(1) 상의 도시를 생략하는 전극은 도시를 생략하는 와이어 등으로 접속되어 있다. 도 4에 나타내는 본 발명의 광 디바이스에서는 볼록상 경화물(3)이 반원통상이기 때문에, 볼록상 경화물(3)을 기판(1) 위에 비교적 빽빽하게 배치할 수 있다.
도 1 내지 도 4에 나타내는 양태에서는, 기판(1) 표면에 적하된 경화성 실리콘 조성물의 퍼짐을 방지하는 댐 재료(돌부)를 기판(1)의 표면에 형성할 필요가 없다. 따라서, 평탄한 표면을 구비하는 기판(1)이어도 반구상, 반원통 형상, 돔 형상 등의 볼록상 경화물(3)을 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 경화성 실리콘 조성물의 퍼짐을 방지하기 위한 댐 재료가 불필요해지기 때문에, 본 발명의 제조 방법에서 얻을 수 있는 광 디바이스는 다이싱에 의해 댐 재료를 절단할 필요가 없다.
한편, 도 5는, 도 1 내지 도 4와는 다르고, LED(2)의 주위에 반사재(4)를 갖는 광 디바이스를 나타낸다. 도 5에 나타내는 본 발명의 광 디바이스는, 기판(1) 위에 LED(2)와 반사재(4)를 가지고, 추가로 볼록상 경화물(3)을 구비한다. 한편, LED(2)와 기판(1) 상의 도시를 생략하는 전극은 도시를 생략하는 와이어 등으로 접속되어 있다. 도 5에 나타내는 본 발명의 광 디바이스는 상기의 경화성 실리콘 조성물을, LED(2)를 피복하도록 반사재(4)의 프레임 안에 적하하고, 경화시켜 볼록상 경화물(3)을 형성함으로써 제조할 수 있다. 종래, 프레임 안을 봉지재로 충전시킨 후에, 렌즈를 접착시켜 도 5에 유사한 광 디바이스를 제조할 수 있지만, 본 발명의 제조 방법에서는 봉지재의 충전 공정과 렌즈 형성 공정을 동시에 실시할 수 있으므로, 광 디바이스의 제조 공정을 간략화 할 수 있다. 게다가, 렌즈와 봉지재를 접착시킬 필요가 없어지기 때문에, 렌즈와 봉지재 사이에서의 광 반사를 해소할 수도 있다.
실시예
본 발명의 경화성 실리콘 조성물, 경화성 핫 멜트 실리콘, 및 광 디바이스를 실시예와 비교예에 의해 상세하게 설명한다. 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도, 착색도, 및 경화성 핫 멜트 실리콘의 25℃에서의 표면 점착성, 50℃ 및 100℃의 용융 점도, 반응의 전화율을 다음과 같이 하여 측정했다. 또한, 식 중, Me, Ph, Vi는 각각 메틸기, 페닐기, 비닐기를 나타낸다.
[경화물의 경도]
경화성 실리콘 조성물을 180℃에서 1시간 프레스 성형함으로써 시트상 경화물을 제작했다. 이 시트상 경화물의 경도를 JIS K 6253에 규정되는 타입 D 듀로미터에 의해 측정했다.
[경화물의 착색도]
경화성 실리콘 조성물을 180℃에서 1시간 보유하여 경화시켜, 두께 2 mm의 시험체를 제작했다. 이 시험체의 초기 및 180℃에서 240시간 가열한 후의 착색도를 측정했다. 착색도는 분광 측색계를 이용하여 측정하고, JIS Z 8729-1980 「L*a*b* 표색계 및 L*u*V* 표색계에 의한 물체 색의 표시 방법」에 있어서의 L*a*b* 표색계에서 이용할 수 있는 b* 값을 황색 방향으로의 착색도의 지표로서 이용했다.
[경화성 핫 멜트 실리콘의 표면 점착성]
경화성 핫 멜트 실리콘의 25℃에서의 표면 점착성을 손가락 촉감에 의해 관찰했다.
[경화성 핫 멜트 실리콘의 용융 점도]
경화성 핫 멜트 실리콘의 50℃ 및 100℃의 용융 점도를 티·에이·인스트루먼트사 제품인 AR550 레오미터로 의해 직경 20 mm, 콘 각 2°의 콘 플레이트를 이용하여 전단 속도 1/s로 측정했다.
[반응의 전화율]
경화성 핫 멜트 실리콘 및 그 원료인 경화성 실리콘 조성물에 대해서, 세이코 인스트루먼트사 제품인 시차 주사 열량계(DSC) XDSC 7000을 이용하여 하이드로실릴화 반응의 발열량을 측정하고, 하기의 수식으로부터 경화성 핫 멜트 실리콘의 반응 전화율을 구했다.
[수 1]
Figure 112017031981385-pct00001
X: 경화성 실리콘 조성물을 경화시켰을 때에 측정된 열량.
Y: 경화성 핫 멜트 실리콘을 경화시켰을 때에 측정된 열량.
[광 디바이스의 신뢰성 시험]
광 반도체 소자를 실장한 세라믹 기판 위에, 본 발명의 경화성 실리콘 조성물 또는 경화성 핫 멜트 실리콘을 이용하여, 150℃에서 5분간 압축 성형하여, 돔상 경화물을 형성시킨 후, 오븐 속에서 150℃, 2시간 후 경화시켜, 도 1에서 나타내는 광 디바이스를 제작했다.
이 광 디바이스를 85% 상대 습도하, 85℃에서 700 mA로 통전 발광시켰다. 100시간 후, 꺼내어, 30 mA 발광시켰을 때의 광 방사속(mW)을 측정하여, 초기의 광 방사속의 보유율을 산출했다.
[실시예 1]
평균 단위식:
(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.３(ＰhＳiＯ３／２)０.７(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 7.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 62.1질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 10.0질량부, 식:
Ｐh２Ｓi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.60질량% 함유하는 오가노폴리실록산 27.9질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.0몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 1 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 2]
평균 단위식:
(Ｍe３ＳiＯ２／２)０.０５(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２８(ＰhＳiＯ３／２)０.６７(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 6.6질량% 함유하는 오가노폴리실록산 67.1질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 10.0질량부, 식:
ＰhＭeＳi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.75질량% 함유하는 오가노폴리실록산 22.9질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.00몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 1 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 3]
평균 단위식:
(Ｍe３ＳiＯ２／２)０.０２(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２８(ＰhＳiＯ３／２)０.７０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 6.5질량% 함유하는 오가노폴리실록산 50.2질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 10.0질량부, 평균식:
Ｍe２ＨＳｉＯ(ＳiＰh２Ｏ)２.５ＳiＭe２Ｈ
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.32질량% 함유하는 오가노폴리실록산 9.9질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.00몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 5.5 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 4]
평균 단위식:
(Ｍe３ＳiＯ２／２)０.０２(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２８(ＰhＳiＯ３／２)０.７０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 6.5질량% 함유하는 오가노폴리실록산 56.2질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 10.0질량부, 평균식:
Ｍe２ＨＳｉＯ(ＳiＰh２Ｏ)２.５ＳiＭe２Ｈ
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.32질량% 함유하는 오가노폴리실록산 3.8질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.00몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 5.5 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 5]
평균 단위식:
(Ｍe３ＳiＯ２／２)０.０２(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２８(ＰhＳiＯ３／２)０.７０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 6.5질량% 함유하는 오가노폴리실록산 67.3질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 10.0질량부, 식:
Ｐh２Ｓi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.60질량% 함유하는 오가노폴리실록산 22.7질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.00몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 5.5 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 6]
평균 단위식:
(Ｍe３ＳiＯ２／２)０.０２(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２８(ＰhＳiＯ３／２)０.７０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 6.5질량% 함유하는 오가노폴리실록산 70.6질량부, 식:
Ｐh２Ｓi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.60질량% 함유하는 오가노폴리실록산 29.4질량부(상기 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.1몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 5.5 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 7]
평균 단위식:
(Ｍe３ＳiＯ２／２)０.０２(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２８(ＰhＳiＯ３／２)０.７０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 6.5질량% 함유하는 오가노폴리실록산 49.4질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 30.0질량부, 식:
Ｐh２Ｓi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.60질량% 함유하는 오가노폴리실록산 23.2질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.8몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 4.0 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도, 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 1에 나타냈다.
[표 1]
Figure 112017031981385-pct00002
[실시예 8]
실시예 1에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 20분간 가열한 바, 25℃에 있어서 비유동성이며, 표면 점착성이 낮은 경화성 핫 멜트 실리콘을 얻을 수 있었다. 이 경화성 핫 멜트 실리콘의 50℃ 및 100℃에서의 용융 점도는 각각 8,060 Pa·s 및 180 Pa·s이며, 반응 전화율은 65%이었다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 180℃에서 가열한 바, 일단 용융한 후, 경화하여, 5분 이내에 핫 멜트성을 가지지 않는 경화물을 제공했다.
이 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 2에 나타냈다.
[실시예 9]
실시예 2에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 30분간 가열한 바, 25℃에 있어서 비유동성이며, 표면 점착성이 낮은 경화성 핫 멜트 실리콘을 얻을 수 있었다. 이 경화성 실리콘 핫 멜트의 50℃ 및 100℃에 있어서의 용융 점도는 각각 10,100 Pa·s 및 100 Pa·s이며, 반응 전화율은 66%이었다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 180℃에서 가열한 바, 일단 용융한 후, 경화하여, 5분 이내에 핫 멜트성을 가지지 않는 경화물을 제공했다.
이 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 2에 나타냈다.
[실시예 10]
실시예 3에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 20분간 가열한 바, 25℃에 있어서 비유동성이며, 표면 점착성이 낮은 경화성 핫 멜트 실리콘을 얻을 수 있었다. 이 경화성 핫 멜트 실리콘의 50℃ 및 100℃에서의 용융 점도는 각각 12,000 Pa·s 및 3,050 Pa·s이며, 반응 전화율은 73%이었다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 180℃에서 가열한 바, 일단 용융한 후, 경화하여, 5분 이내에 핫 멜트성을 가지지 않는 경화물을 제공했다.
이 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 2에 나타냈다.
[실시예 11]
실시예 4에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 10분간 가열한 바, 25℃에 있어서 비유동성이며, 표면 점착성이 낮은 경화성 핫 멜트 실리콘을 얻을 수 있었다. 이 경화성 핫 멜트 실리콘의 50℃ 및 100℃에 있어서의 용융 점도는 각각 2,580 Pa·s 및 27 Pa·s이며, 반응 전화율은 70%이었다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 180℃에서 가열한 바, 일단 용융한 후, 경화하여, 5분 이내에 핫 멜트성을 가지지 않는 경화물을 제공했다.
이 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 2에 나타냈다.
[실시예 12]
실시예 5에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 10분간 가열한 바, 25℃에 있어서 비유동성이며, 표면 점착성이 낮은 경화성 핫 멜트 실리콘을 얻을 수 있었다. 이 경화성 핫 멜트 실리콘의 50℃ 및 100℃에서의 용융 점도는 각각 10,400 Pa·s 및 152 Pa·s이며, 반응 전화율은 74%이었다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 180℃에서 가열한 바, 일단 용융한 후, 경화하여, 5분 이내에 핫 멜트성을 가지지 않는 경화물을 제공했다.
이 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 2에 나타냈다.
[실시예 13]
실시예 6에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 10분간 가열한 바, 25℃에 있어서 비유동성이며, 표면 점착성이 낮은 핫 멜트성 실리콘을 얻을 수 있었다. 이 경화성 핫 멜트 실리콘의 50℃ 및 100℃에서의 용융 점도는 각각 12, 200 Pa·s 및 158 Pa·s이며, 반응 전화율은 60%이었다. 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 180℃에서 가열한 바, 일단 용융한 후, 경화하여, 5분 이내에 핫 멜트성을 가지지 않는 경화물을 제공했다.
이 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 2에 나타냈다.
[실시예 14]
실시예 7에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 10분간 가열한 바, 25℃에 있어서 비유동성이며, 표면 점착성이 낮은 경화성 핫 멜트 실리콘을 얻을 수 있었다. 이 경화성 핫 멜트 실리콘의 50℃ 및 100℃의 용융 점도는 각각 12,700 Pa·s 및 3,400 Pa·s이며, 반응 전화율은 58%이었다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 180℃에서 가열한 바, 일단 용융한 후, 경화하여, 5분 이내에 핫 멜트성을 가지지 않는 경화물을 제공했다.
이 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 핫 멜트 실리콘을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 2에 나타냈다.
[표 2]
Figure 112017031981385-pct00003
[비교예 1]
평균 단위식:
(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２／２)０.３０(ＰhＳiＯ３／２)０.４５(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 4.9질량% 함유하는 오가노폴리실록산 71.7질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 10.0질량부, 식:
ＰhＭeＳi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.75질량% 함유하는 오가노폴리실록산 18.3질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.00몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 1 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 3에 나타냈다.
[비교예 2]
평균 단위식:
(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.１０(Ｍe２ＳiＯ２／２)０.１５(ＰhＳiＯ３／２)０.７５(ＨＯ１／２)０.０３
으로 나타내는, 비닐기를 4.9질량% 함유하는 오가노폴리실록산 67.8질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 20.0질량부, 식: Ｐh２Ｓi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.60질량% 함유하는 오가노폴리실록산 18.3질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.00몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 1 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 3에 나타냈다.
[비교예 3]
평균 단위식:
(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.１０(Ｍe２ＳiＯ２／２)０.１５(ＰhＳiＯ３／２)０.７５(ＨＯ１／２)０.０３
으로 나타내는, 비닐기를 4.9질량% 함유하는 오가노폴리실록산 64.0질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 10.0질량부, 식:
Ｐh２Ｓi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.60질량% 함유하는 오가노폴리실록산 26.0질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1.26몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.00몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 1 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 3에 나타냈다.
[비교예 4]
평균 단위식:
(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.２５(Ｍe２ＳiＯ２／２)０.２０(ＰhＳiＯ３／２)０.５５(ＨＯ１／２)０.０１
으로 나타내는, 비닐기를 4.9질량% 함유하는 오가노폴리실록산 76.0질량부, 평균 단위식:
(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.１０(ＰhＭeＳiＯ２／２)０.９０(ＨＯ１／２)０.０２
으로 나타내는, 비닐기를 2.0질량% 함유하는 오가노폴리실록산 24.0질량부, 식:
Ｐh２Ｓi(ＯＳiＭe２Ｈ)２
으로 나타내는, 규소 원자 결합 수소 원자를 0.60질량% 함유하는 오가노폴리실록산 27.0질량부(상기 2종의 오가노폴리실록산 중의 비닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.00몰이 되는 양), 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 착체의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여 백금 금속이 질량 단위로 1 ppm이 되는 양), 1-에티닐사이클로헥산-1-올(본 조성물에 대하여 질량 단위로 100 ppm이 되는 양)을 혼합하여, 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
이 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도 및 착색도를 측정했다. 또한, 이 경화성 실리콘 조성물을 이용하여 제작한 광 디바이스의 신뢰성 시험을 수행했다. 이들 결과를 표 3에 나타냈다.
[비교예 5]
비교예 2에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 5분간, 10분간 및 15분간 가열한 바, 어느 쪽의 경우도 경화물을 얻을 수 있고, 핫 멜트성을 갖지 않는 것을 알았다.
[비교예 6]
비교예 4에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 120℃에서 5분간, 10분간 및 15분간 가열한 바, 어느 쪽의 경우도 경화물을 얻을 수 있고, 핫 멜트성을 갖지 않는 것을 알았다.
[표 3]
Figure 112017031981385-pct00004
산업상 이용 가능성
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 내광성 및 내열성이 뛰어난 경화물을 제공하므로, 광 디바이스를 비롯하여, 내구성이 요구되는 용도에 호적하다. 또한, 본 발명의 핫 멜트성 실리콘은 25℃에 있어서 비유동성이고, 표면 점착성이 낮으며, 가열에 의해 용이하게 용융한 후, 경화하여, 상기 경화성 실리콘 조성물로부터 얻을 수 있는 경화물과 동등한 내광성 및 내열성이 뛰어난 경화물을 제공하므로, 내열성, 내광성이 요구되는 반도체 장치의 봉지재나 핫 멜트 접착제 등에 호적하다. 또한, 본 발명의 경화성 실리콘 핫 멜트는, 핫 멜트성에 더하여, 경화성을 가지므로, 내구성이 요구되는 상기의 용도에 호적하다. 또한, 본 발명의 광 디바이스는, 광 반도체 소자가 내광성 및 내열성이 뛰어난 실리콘 경화물에 의해, 봉지, 보호 또는 피복되어 있으므로, 높은 내구성이 요구되는 광 디바이스에 호적하다.
1 기판
2 LED
3 볼록상 경화물
4 반사재

Claims (6)

  1. 경화성 실리콘 조성물로서,
    (A) 평균 단위식:
    (Ｒ１ ３ＳiＯ１／２)ａ(Ｒ２ ２ＳiＯ２／２)ｂ(Ｒ３ＳiＯ３／２)ｃ(ＳiＯ４／２)ｄ(Ｒ４Ｏ１／２)e
    (식 중, Ｒ１、Ｒ２ 및 Ｒ３은 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이며, 단 R1의 40몰% 이하, R2의 30몰% 이상, R3의 10몰% 이하가 알케닐기이며, Ｒ１、Ｒ２ 및 Ｒ３의 합계 30∼55몰%가 페닐기이며, R4는 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, a는 0∼0.2의 수이며, b는 0.2∼0.5의 수이며, c는 0.3∼0.8의 수이며, d는 0∼0.5의 수이며, e는 0∼0.1의 수이며, c+d가 0.3∼0.8의 수이며, a+b+c+d는 1이다.)
    으로 나타내는 오가노폴리실록산 100질량부,
    (B) 평균 단위식:
    (Ｒ５ ３ＳiＯ１／２)ｆ(Ｒ５ ２ＳiＯ２／２)ｇ(Ｒ５ＳiＯ３／２)ｈ(ＳiＯ４／２)ｉ(Ｒ６Ｏ１／２)ｊ
    (식 중, R5는 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이며, 단 모든 R5의 10∼70몰%는 페닐기이며, 모든 R5의 적어도 1개는 알케닐기이며, R6은 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, f는 0.01∼0.3의 수이며, g는 0.4∼0.99의 수이며, h는 0∼0.2의 수이며, i는 0∼0.2의 수이며, j는 0∼0.1의 수이며, h+i는 0∼0.2의 수이며, f+g+h+i는 1이다.)
    으로 나타내는 오가노폴리실록산 0∼150질량부,
    (C) 평균 조성식:
    Ｒ７ ｋＨｌＳiＯ(４－ｋ－ｌ)／２
    (식 중, R7은 페닐기 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, 단 모든 R7의 10∼70몰%는 페닐기이며, k는 1.0∼2.5의 수이며, l은 0.01∼0.9의 수이며, k+l은 1.5∼3.0의 수이다.)
    으로 나타내는 오가노하이드로젠폴리실록산{(A)성분과 (B)성분 중의 알케닐기의 합계 1몰에 대하여, (C)성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.5∼2.0몰이 되는 양}, 및
    (D) 상기 경화성 실리콘 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하는 데에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매
    를 포함하는, 경화성 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 추가로 (E)반응 억제제를 (A)성분∼(D)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.0001∼5질량부 함유하는, 경화성 실리콘 조성물.
  3. 경화성 실리콘 조성물을, 경화물을 형성하지 않는 정도로 하이드로실릴화 반응하여 형성되는, 25℃에서 비유동성이며, 100℃에서의 용융 점도가 5,000 Pa·s 이하인, 경화성 핫 멜트 실리콘으로서,
    상기 경화성 실리콘 조성물은,
    (A) 평균 단위식:
    (Ｒ１ ３ＳiＯ１／２)ａ(Ｒ２ ２ＳiＯ２／２)ｂ(Ｒ３ＳiＯ３／２)ｃ(ＳiＯ４／２)ｄ(Ｒ４Ｏ１／２)e
    (식 중, Ｒ１、Ｒ２ 및 Ｒ３은 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이며, 단 R1의 40몰% 이하, R2의 30몰% 이상, R3의 10몰% 이하가 알케닐기이며, Ｒ１、Ｒ２ 및 Ｒ３의 합계 30∼55몰%가 페닐기이며, R4는 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, a는 0∼0.2의 수이며, b는 0.2∼0.5의 수이며, c는 0∼0.8의 수이며, d는 0∼0.5의 수이며, e는 0∼0.1의 수이며, c+d가 0.3∼0.8의 수이며, a+b+c+d는 1이다.)
    으로 나타내는 오가노폴리실록산 100질량부,
    (B) 평균 단위식:
    (Ｒ５ ３ＳiＯ１／２)ｆ(Ｒ５ ２ＳiＯ２／２)ｇ(Ｒ５ＳiＯ３／２)ｈ(ＳiＯ４／２)ｉ(Ｒ６Ｏ１／２)ｊ
    (식 중, R5는 동일하거나 또는 상이한, 페닐기, 탄소원자수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소원자수 2∼6의 알케닐기이며, 단 모든 R5의 10∼70몰%는 페닐기이며, 모든 R5의 적어도 1개는 알케닐기이며, R6은 수소 원자 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, f는 0.01∼0.3의 수이며, g는 0.4∼0.99의 수이며, h는 0∼0.2의 수이며, i는 0∼0.2의 수이며, j는 0∼0.1의 수이며, h+i는 0∼0.2의 수이며, f+g+h+i는 1이다.)
    으로 나타내는 오가노폴리실록산 0∼40질량부,
    (C) 평균 조성식:
    Ｒ７ ｋＨｌＳiＯ(４－ｋ－ｌ)／２
    (식 중, R7은 페닐기 또는 탄소원자수 1∼6의 알킬기이며, 단 모든 R7의 10∼70몰%는 페닐기이며, k는 1.0∼2.5의 수이며, l은 0.01∼0.9의 수이며, k+l은 1.5∼3.0의 수이다.)
    으로 나타내는 오가노하이드로젠폴리실록산{(A)성분과 (B)성분 중의 알케닐기의 합계 1몰에 대하여, (C)성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.5∼2.0몰이 되는 양}, 및
    (D) 상기 경화성 실리콘 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하는 데에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매
    를 포함하는, 경화성 핫 멜트 실리콘.
  4. 제3항에 있어서, 경화성 실리콘 조성물이 추가로 (E)반응 억제제를 (A)성분∼(D)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.0001∼5질량부 함유하는, 경화성 핫 멜트 실리콘.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 시트상, 분체상 또는 타블렛상인, 경화성 핫 멜트 실리콘.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 경화성 실리콘 조성물 또는 제3항 또는 제4항에 기재된 경화성 핫 멜트 실리콘의 경화물로 광 반도체 소자가 봉지, 보호 또는 피복된 광 디바이스.
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