JP2018121067A5 - - Google Patents
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- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N Indium(III) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
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Claims (10)
- 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
前記赤色に発光する第1の画素は、
第1のEL素子と、
前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
前記第1の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
を有し、
前記緑色に発光する第2の画素は、
第2のEL素子と、
前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
前記第2の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
を有し、
前記青色に発光する第3の画素は、
第3のEL素子と、
前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
前記第3の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、発光層を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記下部電極側へ放射され、
前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
前記第3のEL素子は、シングレットより発光し、
前記第1のEL素子、前記第2のEL素子、及び前記第3のEL素子の動作電圧は、いずれも10V以下となることを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
前記赤色に発光する第1の画素は、
第1のEL素子と、
前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
前記第1の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
を有し、
前記緑色に発光する第2の画素は、
第2のEL素子と、
前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
前記第2の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
を有し、
前記青色に発光する第3の画素は、
第3のEL素子と、
前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
前記第3の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、発光層を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記下部電極側へ放射され、
前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
前記第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
前記赤色に発光する第1の画素は、
第1のEL素子と、
前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
前記第1の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
を有し、
前記緑色に発光する第2の画素は、
第2のEL素子と、
前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
前記第2の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
を有し、
前記青色に発光する第3の画素は、
第3のEL素子と、
前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
前記第3の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、正孔注入層及び発光層を有し、
前記第1のEL素子の正孔注入層、前記第2のEL素子の正孔注入層、及び前記第3のEL素子の正孔注入層は、前記第1の画素乃至前記第3の画素において共通の層として設けられており、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記下部電極側へ放射され、
前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
前記第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記下部電極は、前記上部電極より仕事関数の大きい導電膜を有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記上部電極は、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛又はそれらの化合物を有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
前記赤色に発光する第1の画素は、
第1のEL素子と、
前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
前記第1の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
を有し、
前記緑色に発光する第2の画素は、
第2のEL素子と、
前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
前記第2の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
を有し、
前記青色に発光する第3の画素は、
第3のEL素子と、
前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
前記第3の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、発光層を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記上部電極側へ放射され、
前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
前記第3のEL素子は、シングレットより発光し、
前記第1のEL素子、前記第2のEL素子、及び前記第3のEL素子の動作電圧は、いずれも10V以下となることを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
前記赤色に発光する第1の画素は、
第1のEL素子と、
前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
前記第1の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
を有し、
前記緑色に発光する第2の画素は、
第2のEL素子と、
前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
前記第2の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
を有し、
前記青色に発光する第3の画素は、
第3のEL素子と、
前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
前記第3の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、発光層を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記上部電極側へ放射され、
前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
前記第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
前記赤色に発光する第1の画素は、
第1のEL素子と、
前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
前記第1の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
を有し、
前記緑色に発光する第2の画素は、
第2のEL素子と、
前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
前記第2の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
を有し、
前記青色に発光する第3の画素は、
第3のEL素子と、
前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
前記第3の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
を有し、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、正孔注入層及び発光層を有し、
前記第1のEL素子の正孔注入層、前記第2のEL素子の正孔注入層、及び前記第3のEL素子の正孔注入層は、前記第1の画素乃至前記第3の画素において共通の層として設けられており、
前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記上部電極側へ放射され、
前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
前記第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 請求項6乃至請求項8のいずれか一において、
前記上部電極は、前記下部電極より仕事関数の大きい導電膜を有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。 - 請求項6乃至請求項9のいずれか一において、
前記上部電極は、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛又はそれらの化合物を有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
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