JP2018068028A - 電力変換装置および空気調和機 - Google Patents

Abstract

【課題】安価でありながら素子の破壊を防止できる電力変換装置を提供する。【解決手段】第１および第２スイッチング素子（Ｑ１，Ｑ２）を駆動するとともに、ブリッジ回路に流れる電流における過電流の有無を検出し、過電流を検出した場合に所定の電圧信号（０Ｖ）を出力する出力端子（Ｆａｕｌｔ端子）を有する第１の駆動回路（ＩＣ１）と、第３および第４スイッチング素子（Ｑ３，Ｑ４）を駆動する第２の駆動回路（ＩＣ２）と、第１の駆動回路（ＩＣ１）の出力端子（Ｆａｕｌｔ端子）と、第２の駆動回路（ＩＣ２）の入力端子（ＬＩＮ，ＨＩＮ）との間に接続され、電圧信号（０Ｖ）を入力端子（ＬＩＮ，ＨＩＮ）に伝達する伝達素子（Ｄ５，Ｄ６）と、を設けた。【選択図】図２

Description

本発明は、電力変換装置および空気調和機に関する。

電車、自動車、空気調和機等には、交流電圧を直流電圧に変換する電力変換装置（直流電源装置、コンバータ）が搭載されている。そして、電力変換装置から出力される直流電圧をインバータによって所定周波数の交流電圧に変換し、この交流電圧をモータ等の負荷に印加するようになっている。このような電力変換装置において、高調波電流規制に準拠して高調波を抑制し、また、電力変換効率を高めて省エネルギ化を図ることが求められている。
例えば、下記特許文献１の要約書には、「コンバータ回路（2）のブリッジ回路（2a）の２つのダイオード（D1,D2）には、ＳｉＣ素子を用いたＭＯＳ−ＦＥＴのスイッチング素子（T1,T2）が並列接続されている。そして、スイッチング素子（T1,T2）に商用電源（5）の逆電圧が作用するタイミングで該スイッチング素子（T1,T2）がオンされる。これにより、確実に同期整流が行われる」と記載されている。

特開２００８−６１４１２号公報

ところで、特許文献１のようにダイオードによる整流回路ではなく、スイッチング素子を回路に含んだ回路構成においては、過電流や短絡電流による素子の破壊を確実に防ぐため保護制御を行うことが好ましい。しかし、保護制御を行うことはコストアップにつながる。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、安価でありながら素子の破壊を防止できる電力変換装置および空気調和機を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の電力変換装置にあっては、第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続され前記第１スイッチング素子とともに第１レグを構成する第２スイッチング素子と、第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子に直列に接続され前記第３スイッチング素子とともに第２レグを構成する第４スイッチング素子と、を有し、前記第１レグと前記第２レグとを並列接続したブリッジ回路と、交流電源と前記第１レグ間に設けられたリアクトルと、前記ブリッジ回路に接続され、前記ブリッジ回路から印加される電圧を平滑化し、直流電圧として出力する平滑コンデンサと、前記第１ないし第４スイッチング素子を制御する制御部と、前記平滑コンデンサの負極と前記第２スイッチング素子との間に設けられた電流センサと、前記第１および第２スイッチング素子を駆動するとともに、前記ブリッジ回路に流れる電流における過電流の有無を検出し、前記過電流を検出した場合に所定の電圧信号を出力する出力端子を有する第１の駆動回路と、前記第３および第４スイッチング素子を駆動する第２の駆動回路と、前記第１の駆動回路の前記出力端子と、前記第２の駆動回路の入力端子との間に接続され、前記電圧信号を前記入力端子に伝達する伝達素子と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、安価でありながら素子の破壊を防止できる。

本発明の第１実施形態による電力変換装置の全体ブロック図である。 電力変換装置の制御系統のブロック図である。 ダイオード整流制御における各部の波形図である。 回路電流の経路を示す図である。 回路電流の他の経路を示す図である。 同期整流制御における各部の波形図である。 スイッチング素子のドレイン逆電流と寄生ダイオードの飽和電圧との関係を示す図である。 部分スイッチング制御における各部の波形図である。 力率改善動作における回路電流の経路を示す図である。 部分スイッチング制御における各部の他の波形図である。 高速スイッチング制御における各部の他の波形図である。 高速スイッチング制御におけるオンデューティの説明図である。 高速スイッチング制御における交流電源電圧と回路電流との関係を示す図である。 高速スイッチング制御の動作説明図である。 同期整流制御における各部の他の波形図である。 同期整流制御における回路電流の経路を示す図である。 同期整流制御における回路電流の他の経路を示す図である。 力率改善動作における過電流検出時の各部の波形図である。 力率改善動作における過電流検出時の回路電流の経路を示す図である。 平滑コンデンサの短絡時における各部の波形図である。 比較例の平滑コンデンサの短絡時における回路電流の経路を示す図である。 第１実施形態の平滑コンデンサの短絡時における回路電流の経路を示す図である。 平滑コンデンサの短絡時における各部の他の波形図である。 部分スイッチング制御と高速スイッチング制御との動作説明図である。 本発明の第２実施形態における空気調和機の概略構成図である。 空気調和機の冷却系統図である。 第２実施形態における制御モードの説明図である。 第２実施形態における制御プログラムのフローチャートである。 一変形例における電力変換装置のブロック図である。 他の変形例における電力変換装置のブロック図である。 他の変形例における電力変換装置のブロック図である。 他の変形例における各部の波形図である。 他の変形例における電力変換装置のブロック図である。 他の変形例における制御モードの説明図である。

［第１実施形態］
＜電力変換装置の構成＞
図１は、第１実施形態による電力変換装置１の全体ブロック図である。
電力変換装置１は、交流電源Ｇから印加される交流電源電圧Ｖｓを直流電圧Ｖｄに変換し、この直流電圧Ｖｄを負荷Ｈ（インバータ、モータ等）に出力するコンバータである。電力変換装置１は、その入力側が交流電源Ｇに接続され、出力側が負荷Ｈに接続されている。

図１に示すように、電力変換装置１は、ブリッジ回路１０と、リアクトルＬ１と、平滑コンデンサＣ１と、電流検出部１１と、交流電圧検出部１２と、直流電圧検出部１３と、負荷検出部１４と、シャント抵抗器Ｒ１と、制御部１５と、を備えている。

ブリッジ回路１０は、スイッチング素子Ｑ１（第１スイッチング素子）と、スイッチング素子Ｑ２（第２スイッチング素子）と、スイッチング素子Ｑ３（第３スイッチング素子）と、スイッチング素子Ｑ４（第４スイッチング素子）と、を備えている。
ブリッジ回路１０は、その入力側が交流電源Ｇに接続され、出力側が負荷Ｈに接続されている。また、ブリッジ回路１０のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４は、図１に示すように、ブリッジ形に接続されている。

スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）であり、制御部１５によってオン／オフが制御される。なお、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４としてＭＯＳＦＥＴを用いることで、スイッチング損失を低減できるとともに、スイッチングを高速で行えるという利点がある。
また、スイッチング素子Ｑ１は、その内部に寄生ダイオードＤ１を有している。寄生ダイオードＤ１は、スイッチング素子Ｑ１のソースとドレインとの間に存在するｐｎ接合の部分である。

なお、スイッチング素子Ｑ１の飽和電圧（オン状態におけるドレイン・ソース間電圧）は、寄生ダイオードＤ１の順方向の電圧降下よりも低いことが好ましい。これによって、寄生ダイオードＤ１に電流を流すよりも、スイッチング素子Ｑ１のソース・ドレインに電流を流すほうが電圧降下は小さくなり、ひいては、導通損失を低減できるからである。換言すると、オフ状態のスイッチング素子Ｑ１において寄生ダイオードＤ１に電流を流すよりも、オン状態のスイッチング素子Ｑ１に電流を流すほうが導通損失は小さくなるようにしている。なお、他のスイッチング素子Ｑ２〜Ｑ４についても同様のことがいえる。

本実施形態で使用しているスイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオードの逆回復時間（ｔｒｒ）は、スイッチング素子Ｑ３とスイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオードの逆回復時間よりも相対的に小さい。これは、スイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ２は後述する力率改善動作時に寄生ダイオードに逆回復電流が発生してしまうため、スイッチング素子Ｑ１とＱ２はスイッチング素子Ｑ３とＱ４に対して相対的に寄生ダイオードの逆回復時間の小さい素子を使用することでスイッチング損失を低減するためである。

図１に示すように、ブリッジ回路１０は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が直列接続されてなる第１レグＪ１と、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４が直列接続されてなる第２レグＪ２と、が並列接続された構成になっている。
第１レグＪ１において、スイッチング素子Ｑ１のソースと、スイッチング素子Ｑ２のドレインと、が接続され、その接続点Ｎ１は、配線ｈａを介して交流電源Ｇに接続されている。なお、配線ｈａは、その一端が交流電源Ｇに接続され、他端が前述した接続点Ｎ１に接続されている。

第２レグＪ２において、スイッチング素子Ｑ３のソースと、スイッチング素子Ｑ４のドレインとが接続され、その接続点Ｎ２は、配線ｈｂを介して交流電源Ｇに接続されている。なお、配線ｈｂは、その一端が交流電源Ｇに接続され、他端が前述した接続点Ｎ２に接続されている。

スイッチング素子Ｑ１のドレインと、スイッチング素子Ｑ３のドレインと、は互いに接続され、その接続点Ｎ３は、配線ｈｃを介して負荷Ｈに接続されている。なお、配線ｈｃは、その一端が負荷Ｈに接続され、他端が前述した接続点Ｎ３に接続されている。
スイッチング素子Ｑ２のソースと、スイッチング素子Ｑ４のソースと、は互いに接続され、その接続点Ｎ４は、配線ｈｄを介して負荷Ｈに接続されている。なお、配線ｈｄは、その一端がスイッチング素子Ｑ２，Ｑ４のソースに接続され、他端が負荷Ｈに接続されている。

リアクトルＬ１は、交流電源Ｇから供給される電力をエネルギとして蓄え、このエネルギを放出することで昇圧や力率の改善を行うものである。リアクトルＬ１は、交流電源Ｇとブリッジ回路１０とを接続する配線ｈａに設けられている。
平滑コンデンサＣ１は、ブリッジ回路１０から印加される電圧を平滑化して直流電圧にするものであり、配線ｈｃ，ｈｄを介してブリッジ回路１０の出力側に接続されている。また、平滑コンデンサＣ１は、その正極が配線ｈｃを介してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ３のドレインに接続され、負極が配線ｈｄを介してスイッチング素子Ｑ２，Ｑ４のソースに接続されている。

電流検出部１１は、ブリッジ回路１０に流れる電流を実効値（平均電流）として検出するものであり、配線ｈｂに設けられている。電流検出部１１として、例えば、カレントトランスを用いることができる。交流電圧検出部１２は、交流電源Ｇから印加される交流電源電圧ｖｓ（瞬時値）を検出するものであり、配線ｈａ，ｈｂに接続されている。
直流電圧検出部１３は、平滑コンデンサＣ１の直流電圧Ｖｄを検出するものであり、その正側が配線ｈｃに接続され、負側が配線ｈｄに接続されている。なお、直流電圧検出部１３の検出値は、負荷Ｈに印加される電圧値が所定の目標値に達しているか否かの判定に用いられる。

負荷検出部１４は、負荷Ｈに供給される電流すなわち負荷電流を検出するものであり、この負荷Ｈに設置されている。負荷検出部１４として、例えば、シャント抵抗器を用いることができる。なお、負荷Ｈがモータである場合、負荷検出部１４によってモータ電流を検出し、回転速度を推定するようにしてもよい。
シャント抵抗器Ｒ１は、配線ｈｄを介して回路を流れる電流の瞬時値（瞬時電流）を検出するものであり、この配線ｈｄに設けられている。

制御部１５は、例えば、マイコン（Microcomputer：図示せず）であり、ＲＯＭ（Read Only Memory）に記憶されたプログラムを読み出してＲＡＭ（Random Access Memory）に展開し、ＣＰＵ（Central Processing Unit）が各種処理を実行するようになっている。図１において制御部１５の内部は、このプログラム等によって実現される機能を示している。
すなわち、図１に示すように、制御部１５は、ゼロクロス判定部１５ａと、昇圧比制御部１５ｂと、ゲイン制御部１５ｃと、コンバータ制御部１５ｄ（電流センサ）と、を備えている。制御部１５は、これらによってスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のオン／オフを制御する機能を実現する。

ゼロクロス判定部１５ａは、交流電圧検出部１２の検出値に基づいて、交流電源電圧ｖｓの正負が切り替わったか否か、すなわち、ゼロクロスタイミングに達したか否かを判定する。例えば、ゼロクロス判定部１５ａは、交流電源電圧ｖｓが正の期間中にはコンバータ制御部１５ｄに‘１’の信号を出力し、交流電源電圧ｖｓが負の期間中にはコンバータ制御部１５ｄに‘０’の信号を出力する。
昇圧比制御部１５ｂは、電流検出部１１の検出値に基づいて、直流電圧Ｖｄの昇圧比を設定し、その昇圧比をゲイン制御部１５ｃおよびコンバータ制御部１５ｄに出力する機能を有している。
ゲイン制御部１５ｃは、電流検出部１１によって検出される回路電流ｉｓの実効値と、直流電圧Ｖｄの昇圧比と、に基づいて、電流制御ゲインを設定する機能を有している。

コンバータ制御部１５ｄは、電流検出部１１、直流電圧検出部１３、シャント抵抗器Ｒ１、ゼロクロス判定部１５ａ、昇圧比制御部１５ｂ、およびゲイン制御部１５ｃから入力される情報に基づいて、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のオン／オフを制御する。なお、コンバータ制御部１５ｄが実行する処理については後記する。

図２は、第１実施形態に係る電力変換装置１の、制御系統等のブロック図である。なお、図１に示した要素は、図２においては適宜省略している。
Ｒｇ１〜Ｒｇ４はスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のゲートに接続されているゲート回路である。具体的には、ゲート回路Ｒｇ１〜Ｒｇ４は、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの受動素子やダイオード等の半導体で構成される。

ＩＣ１，ＩＣ２はスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を駆動するための駆動回路であり、内部に集積回路を有している。駆動回路ＩＣ１，ＩＣ２は、ハイサイドの素子を駆動するために内部にレベルシフト回路を有している。駆動回路ＩＣ１（第１の駆動回路）は内部に過電流保護回路を有しているが、駆動回路ＩＣ２（第２の駆動回路）には、過電流保護回路は省略されており、その分、駆動回路ＩＣ２を安価に構成することができる。

ＶｃｃはＩＣ１とＩＣ２の駆動電源電圧の接続端子である。ＨＩＮはコンバータ制御部１５ｄの出力ポートＰ１，Ｐ５に接続されており、コンバータ制御部１５ｄから信号が入力されるとＨＯ端子からハイサイドのスイッチング素子Ｑ１、Ｑ３を駆動するための駆動信号が出力される。同様にＬＩＮはコンバータ制御部１５ｄの出力ポートＰ２，Ｐ６に接続されており、コンバータ制御部１５ｄから信号が入力されるとＬＯ端子からローサイドのスイッチング素子Ｑ２、Ｑ４を駆動するための駆動信号が出力される。

駆動回路ＩＣ１，ＩＣ２のＶｓ端子は、接続点Ｎ１、Ｎ２にそれぞれ接続されている。ＧＮＤ端子は平滑コンデンサＣ１の負極側の配線ｈｄ上の接続点Ｎ５に接続されている。ＩＴｒｉｐ端子はスイッチング素子Ｑ２、Ｑ４のドレインと同電位である接続点Ｎ６に接続されている。Ｆａｕｌｔ端子は接続点Ｎ７を介してコンバータ制御部１５ｄの入力ポートＰ４に接続されている。シャント抵抗器Ｒ１はコンバータ制御部１５ｄの入力ポートＰ３に接続されている。

ここで、駆動回路ＩＣ１の保護回路の動作について説明する。シャント抵抗器Ｒ１に電流が接続点Ｎ４からＮ５の向きに電流が流れた場合、ＩＣ１のＧＮＤ端子を基準にＩＴｒｉｐ端子には電圧が発生する。このとき、シャント抵抗器Ｒ１に過電流が通流して、ＩＴｒｉｐ端子に発生する電圧が所定値を超えた場合、ＩＣ１内の駆動回路がＨＩＮ、ＬＩＮ側からの入力信号を遮断することで、スイッチング素子Ｑ１とＱ２を強制的にオフさせる。それと同時に、Ｆａｕｌｔ端子からコンバータ制御部１５ｄのポートＰ４へ０Ｖを出力する。通常、この保護動作を行っていないときは、Ｆａｕｌｔ端子からは電圧レベルＶｃｃの信号が出力され続けている。

Ｄ５はダイオードであり、アノードはＩＣ２のＨＩＮ端子に接続されており、カソードは接続点Ｎ７を介してＩＣ１のＦａｕｌｔ端子とコンバータ制御部１５ｄのポートＰ４に接続されている。Ｄ６もダイオードであり、アノードはＩＣ２のＬＩＮ端子に接続されており、カソードはダイオードＤ５のカソードと接続されており、接続点Ｎ７を介してＩＣ１のＦａｕｌｔ端子とコンバータ制御部１５ｄのポートＰ４に接続されている。

＜電力変換装置の制御モード＞
次に、負荷の大きさ（例えば、電流検出部１１の検出値）に基づいて切り替えられる制御モードについて説明する。前述した制御モードには、「ダイオード整流制御」、「同期整流制御」、「部分スイッチング制御」、および「高速スイッチング制御」が含まれる。

（１．ダイオード整流制御）
ダイオード整流制御は、４つの寄生ダイオードＤ１〜Ｄ４を用いて全波整流を行う制御モードである。ダイオード整流制御は、例えば、負荷の大きさが比較的小さいときに実行されるが、これに限定されるものではない。

図３は、ダイオード整流制御における交流電源電圧ｖｓ、回路電流ｉｓ、およびスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の駆動パルスの時間的変化を示す波形図である。
なお、図３（ａ）は、交流電源電圧ｖｓ（瞬時値）の波形であり、図３（ｂ）は、回路電流ｉｓ（瞬時値）の波形である。図３（ｃ）〜（ｆ）は、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の駆動パルスである。
図３（ｃ）〜（ｆ）に示すように、コンバータ制御部１５ｄは、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の全てをオフ状態に維持することで、次に説明するように、寄生ダイオードＤ１〜Ｄ４を介して回路電流ｉｓを流す。

図４は、ダイオード整流制御において、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルに含まれるときの回路電流ｉｓの流れを示す説明図である。交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルの期間では、図４の破線矢印で示すように、交流電源Ｇ→リアクトルＬ１→寄生ダイオードＤ１→平滑コンデンサＣ１→シャント抵抗器Ｒ１→寄生ダイオードＤ４→交流電源Ｇの順に回路電流ｉｓが流れる。

また、交流電源電圧ｖｓが負の半サイクルの期間では、図示はしないが、交流電源Ｇ→寄生ダイオードＤ３→平滑コンデンサＣ１→シャント抵抗器Ｒ１→寄生ダイオードＤ２→リアクトルＬ１→交流電源Ｇの順に回路電流ｉｓが流れる。なお、回路電流ｉｓの波形は、図３（ｂ）に示す通りである。
このようなダイオード整流制御を低負荷時に行うことにより、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４におけるスイッチング損失を低減できる。

（２．同期整流制御）
同期整流制御は、平滑コンデンサＣ１を介した電流経路に含まれるスイッチング素子のうち、平滑コンデンサＣ１の正極に接続されているスイッチング素子を、ブリッジ回路１０に電流が流れている期間の少なくとも一部でオン状態とし、上述した電流経路に含まれないスイッチング素子をオフ状態に維持する制御モードである。

図５は、同期整流制御において、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルに含まれるときの電流の流れを示す説明図である。交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルの期間では、図５の破線矢印で示すように、交流電源Ｇ→リアクトルＬ１→スイッチング素子Ｑ１→平滑コンデンサＣ１→シャント抵抗器Ｒ１→スイッチング素子Ｑ４→交流電源Ｇの電流経路において回路電流ｉｓが流れる。

また、交流電源電圧ｖｓが負の半サイクルの期間では、図示はしないが、交流電源Ｇ→スイッチング素子Ｑ３→平滑コンデンサＣ１→シャント抵抗器Ｒ１→スイッチング素子Ｑ２→リアクトルＬ１→交流電源Ｇの電流経路において回路電流ｉｓが流れる。
このように同期整流制御では、電源電圧の極性に同期させてスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をスイッチング制御することで、損失の小さいオン抵抗の部分に積極的に電流を流し、寄生ダイオードＤ１〜Ｄ４には、ほとんど電流を流さないようにしている。これによって、スイッチング素子での導通損失を低減できるため高効率に電力変換を行うことができる。また、後記する部分スイッチング制御や高速スイッチング制御と比較して、同期整流制御では力率改善動作を行わない。従って、適度な力率を保ちながらもスイッチング損失を低減できるため、高効率で電力変換を行うことができる。

図６は、同期整流制御における交流電源電圧ｖｓ、回路電流ｉｓ、シャント抵抗器Ｒ１に流れる電流ｉｓｈ、およびスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の駆動パルスの時間的変化を示す説明図である。
同期整流制御において、コンバータ制御部１５ｄは、回路電流ｉｓに同期させて、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のオン／オフを切り替える。交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルの区間を例にして説明する。交流電源電圧のゼロクロスは、交流電圧検出部１２とゼロクロス判定部１５ａによって検出する。図６（ａ），（ｂ）に示すように、交流電源電圧のゼロクロスから一定時間経過後、回路電流Ｉｓが流れ始める。

さらに詳細に波形を検討すると、回路電流ｉｓが流れ始めるのは、交流電源電圧ｖｓが増大していき、直流電圧Ｖｄと等しくなった後、さらに時間ｄｔ１が経過したタイミングである。そして、直流電圧Ｖｄが交流電圧と再び等しくなった後、さらに時間ｄｔ２経過後に回路電流がゼロになる。すなわち、交流電源電圧ｖｓに対して直流電圧Ｖｄが大きいときに電流が流れ、反対に交流電源電圧ｖｓに対して直流電圧Ｖｄが大きい場合には回路電流ｉｓは流れない。但し、実際には、前述のように時間遅れｄｔ１、ｄｔ２が発生する。これらの現象は、リアクトルＬ１によって時間的遅れが発生するためである。なお、時間ｄｔ２は、以下の（数式１）で表される。

交流電源電圧ｖｓが正の極性の場合、コンバータ制御部１５ｄは、ゼロクロスのタイミングで、まずスイッチング素子Ｑ１のゲートに駆動パルスを入力し、スイッチング素子Ｑ１をオン状態にする。その後、回路電流ｉｓ＞０となり、所定のタイミングでスイッチング素子Ｑ４のゲートに駆動パルスを入力し、スイッチング素子Ｑ４をオン状態にする。次に、このスイッチング素子Ｑ４の駆動方法を説明する。

スイッチング素子Ｑ４をオン／オフさせるタイミングは、シャント抵抗器Ｒ１で検出した電流ｉｓｈ（以下、シャント電流と呼ぶ）の検出値によって判定する。
コンバータ制御部１５ｄには、二つの電流判定値すなわち判定値ａ（第１の判定閾値）と判定値ｂ（第２の判定閾値）とが予め記憶されている。図６に示すように、シャント電流ｉｓｈが判定値ａ以上となったタイミングでコンバータ制御部１５ｄはスイッチング素子Ｑ４に駆動パルスを入力して、スイッチング素子Ｑ４をオン状態にする。その後、回路電流が判定値ｂ以下になったタイミングで、コンバータ制御部１５ｄはスイッチング素子Ｑ４をオフさせる。

このように、本実施形態の電力変換装置１は、同期整流を行ううえでスイッチング素子Ｑ１とＱ４をオンさせるタイミングをずらしている。すなわち、交流電源電圧ｖｓが正の極性の場合は、スイッチング素子Ｑ１をオンさせてから所定時間経過後にスイッチング素子Ｑ４をオンさせている。これは、平滑コンデンサＣ１、すなわち直流電圧側から交流電源への電流の逆流を防ぐためである。

例えば、交流電源電圧ｖｓ＜直流電圧Ｖｄの領域でスイッチング素子Ｑ１とＱ４が共にオン状態であると、平滑コンデンサＣ１→スイッチング素子Ｑ１→リアクトルＬ１→交流電源Ｇ→スイッチング素子Ｑ４→平滑コンデンサＣ１という電流逆流のループが発生してしまう。さらに、交流電源電圧ｖｓ＞直流電圧Ｖｄかつ回路電流ｉｓ＝０の領域（図６（ａ）の時間ｄｔ１の領域）でスイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ４がオン状態になった場合も、回路電流ｉｓが通流していないため、前述の逆流ループで平滑コンデンサＣ１から交流電源Ｇへ逆流電流が発生してしまう。そのため、本実施形態ではスイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ４が共にオン状態にするのは、交流電源電圧ｖｓ＞直流電圧Ｖｄかつ回路電流ｉｓ＞０の領域としている。

さらに詳細に説明すると、本実施形態の電力変換装置１では、交流電源電圧のゼロクロス検出後、まずＱ１をオンさせ、交流電圧ｖｓ＞直流電圧Ｖｄかつｉｓ＞０となり、特定のタイミング（シャント電流ｉｓｈまたは回路電流ｉｓが前述の判定値ａ以上となったとき）でＱ４をオンさせている。すなわち、交流電源電圧ｖｓが正の極性の領域においては、スイッチング素子Ｑ４→Ｑ１の順でオンさせて同期整流を行っている。
前述のようにスイッチング素子Ｑ１とＱ４のスイッチングのタイミングを誤ると回路に逆流電流が発生してしまう。これを防ぐためにスイッチング素子Ｑ１とＱ４をオンさせるタイミングをずらすが、ここでスイッチング素子Ｑ１とＱ４の何れを先にオンさせるかが問題となる。

図７を参照して、その問題を説明する。なお、図７は、スイッチング素子Ｑ１とＱ４のドレイン逆電流と寄生ダイオードの飽和電圧の関係を示した特性図である。
ここで、ドレイン逆電流とは、スイッチング素子のソースからドレインの向きに流れる電流を意味している。寄生ダイオード飽和電圧とは、ドレイン逆電流が寄生ダイオードに通流した場合に寄生ダイオードで発生する電圧降下を意味している。
前述のようにスイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードＤ１の逆回復時間はスイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオードＤ４の逆回復時間に対して相対的に小さい。そして、それぞれの寄生ダイオードの飽和電圧は図７のような関係になる。

ドレイン逆電流が「小」の領域では寄生ダイオードの飽和電圧はほとんど変わらないが、ドレイン逆電流が「中」または「大」の領域では、スイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオードの飽和電圧に対してスイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードの飽和電圧は大きくなっている。これは、電流が大きくなるほど寄生ダイオードで発生する導通損失は、スイッチング素子Ｑ４（寄生ダイオードＤ４）に対してスイッチング素子Ｑ１（寄生ダイオードＤ１）の方が大きいことを意味している。なお、図７のグラフにおいて、ドレイン逆電流「小」の領域は電力変換装置１を備えた機器が通常使用しないような軽負荷の領域であり、ドレイン逆電流「中」の領域は電力変換装置１を備えた機器が通常運転動作で使用する領域であり、ドレイン逆電流「大」の領域は電力変換装置１を備えた機器が過負荷動作で使用する領域を意味している。

図６に戻り、回路電流ｉｓが流れ始めてからスイッチング素子Ｑ４がオンするまでの時間ｄｔ３の区間では、スイッチング素子Ｑ１はオン状態になる。これにより、スイッチング素子Ｑ１において、回路電流ｉｓは、損失の小さいオン抵抗の部分に流れる。一方、スイッチング素子Ｑ４はオフ状態になるため、回路電流ｉｓは寄生ダイオードＤ４に流れる。すなわち、時間ｄｔ３で発生する損失（面積Ｓの部分）は、スイッチング素子Ｑ１のオン抵抗で発生する通流損と、スイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオードで発生する通流損の合計値となる。

仮に、交流電源電圧ｖｓのゼロクロス検出後、スイッチング素子Ｑ４を先にオン状態とし、回路電流ｉｓ、シャント電流ｉｓｈが判定値ａに達したところでスイッチング素子Ｑ１をオン状態にする、という順番で駆動した、場合の動作を検討する。
この場合、面積Ｓの領域での損失は、スイッチング素子Ｑ４のオン抵抗の部分と、スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードでの通流損の合計である。前述したように、スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードの通流損はスイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオードの通流損よりも大きい。そのため、スイッチング素子Ｑ１→Ｑ４の順にスイッチングした場合と比較して面積Ｓの部分での損失が大きくなってしまう。

このような理由により、本実施形態では、同期整流制御時に発生する導通損をなるべく抑えるために、交流電源電圧ｖｓが正の極性時には、スイッチング素子Ｑ１→Ｑ４の順にオンさせている。交流電源電圧が負の極性の場合においても同様に、スイッチング素子Ｑ２→Ｑ３の順にスイッチングすることで、同期整流制御時の導通損をなるべく抑えることができ、高効率駆動が可能となる。

交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルの期間であってスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４が共にオン状態であれば、図５の破線矢印で示すように、交流電源Ｇ→リアクトルＬ１→スイッチング素子Ｑ１→平滑コンデンサＣ１→シャント抵抗器Ｒ１→スイッチング素子Ｑ４→交流電源Ｇの電流経路において回路電流ｉｓが流れる。このとき、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３は、オフ状態に維持される（図６（ｅ），（ｆ）参照）。また、前述したように、図６の面積Ｓの領域において、スイッチング素子Ｑ４に関して回路電流ｉｓは寄生ダイオードＤ４に流れる。

また、前述のように交流電源電圧ｖｓが負の半サイクルの期間では、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３が共にオン状態であれば、図示は省略するが、交流電源Ｇ→スイッチング素子Ｑ３→平滑コンデンサＣ１→シャント抵抗器Ｒ１→スイッチング素子Ｑ２→リアクトルＬ１→交流電源Ｇの電流経路において回路電流ｉｓが流れる。このとき、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４は、オフ状態に維持される（図６（ｄ），（ｇ）参照）。また、前述したように、図６の面積Ｓの領域において、スイッチング素子Ｑ３に関して回路電流ｉｓは寄生ダイオードＤ３に流れる。

このように、本実施形態においては、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２とは特性の異なる素子を使用している。これにより、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の寄生ダイオードの逆回復時間は、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４の寄生ダイオードの逆回復時間よりも相対的に短い。
そして、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の寄生ダイオードの飽和電圧Ｖｆは、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４の寄生ダイオードの飽和電圧Ｖｆよりも相対的に高い。さらに、同期整流制御時のスイッチング素子のオンの順番として、ゼロクロス検出後にリアクトルＬ１に接続されている側のスイッチング素子、すなわち寄生ダイオードの飽和電圧Ｖｆが高い素子スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を先にオン状態にし、その後シャント電流ｉｓｈ（若しくは回路電流ｉｓ）が判定値ａに到達したらリアクトルに接続されていない側のスイッチング素子、すなわち寄生ダイオードの飽和電圧が低い側のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４をオン状態にする。

また、本実施形態においては、同期整流制御を行うために、交流電源電圧ｖｓが正から負に切り替わるゼロクロスタイミングでスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン／オフ状態を切り替えるが、その際にスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の上下短絡を防ぐために、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の双方がオフ状態になるデッドタイムｔｄを設けている。
以上のように同期整流制御を行うことで、電力変換装置１を高効率に駆動することが可能となる。

（３．部分スイッチング制御）
部分スイッチング制御は、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のうち、リアクトルＬ１に接続されている２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を交互にオン／オフさせてリアクトルＬ１を短絡させる動作を所定回数行う制御モードである。このような制御により、電源力率の改善による高調波電流の低減と、直流電圧の昇圧を行うことができる。

図８は、部分スイッチング制御における交流電源電圧ｖｓ、回路電流ｉｓ、シャント抵抗器Ｒ１に流れる電流ｉｓｈ、およびスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の駆動パルスの時間的変化を示す説明図である。
なお、図８は、２ショットすなわち半周期あたり２回だけリアクトルＬ１を短絡させる場合の例である。

図８（ａ）に示す交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルである期間に着目すると、コンバータ制御部１５ｄは、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を所定回数・所定パルス幅で交互にオン／オフする。すなわち、コンバータ制御部１５ｄは、交流電源電圧ｖｓの正・負が切り替わったゼロクロスタイミングの直後から、図８（ｄ），（ｅ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を交互にオン／オフする動作を所定回数行う。また、図８（ｆ），（ｇ）に示すように、コンバータ制御部１５ｄは、交流電源電圧ｖｓの極性に同期して、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４のオン／オフ状態を設定する。

以下では、部分スイッチング制御ついて、理解しやすく説明するために、部分スイッチング制御を「力率改善動作」と「同期整流動作」とに分けて説明する。
まず、「力率改善動作」とは、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の双方を一時的にオン状態にすることで、リアクトルＬ１を介して力率改善電流ｉｓｐ（図８（ｂ）参照）を流す動作である。
また、「同期整流動作」とは、交流電源電圧ｖｓの極性に基づいてスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を制御し、平滑コンデンサＣ１を介して回路電流ｉｓを流す動作である。なお、上述した同期整流制御（図５、図６参照）は、この「同期整流動作」を継続的に行う制御モードである。

詳細については後記するが、部分スイッチング制御では、上述した「同期整流動作」と「力率改善動作」とが交互に所定回数行われる。
まず、「力率改善動作」について説明する。
例えば、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルの期間においてコンバータ制御部１５ｄは、スイッチング素子Ｑ３をオフ状態に維持するとともに（図８（ｆ）参照）、スイッチング素子Ｑ４をオン状態に維持する（図８（ｇ）参照）。
また、コンバータ制御部１５ｄは、交流電源電圧ｖｓのゼロクロス後から一定時間ｔｄｅｌの経過後、スイッチング素子Ｑ２をオンにするとともに（図８（ｅ）参照）、スイッチング素子Ｑ１をオフにする（図８（ｄ）参照）。このときに流れる力率改善電流ｉｓｐの経路について、図９を参照して説明する。

図９は交流電源電圧ｖｓが正の極性の半サイクルにおいて、力率改善動作を行ったときの電流の流れを示す説明図である。
交流電源電圧ｖｓが正の極性のときに力率改善動作を行うと、図９の破線矢印で示すように、交流電源Ｇ→リアクトルＬ１→スイッチング素子Ｑ２→スイッチング素子Ｑ４→交流電源Ｇ、の短絡経路において、力率改善電流ｉｓｐが流れる。なお、スイッチング素子Ｑ４は後述する同期生流動作時を想定した場合であるため、短絡電流ｉｓｐは寄生ダイオードＤ４ではなく、オン抵抗の部分に通流している。このときリアクトルＬ１には、以下の（数式２）で表されるエネルギが蓄えられる。なお、（数式２）に示すＩ_spは、短絡電流ｉｓｐの実効値である。

このように短絡電流ｉｓｐを流すことで、電流波形の歪みを小さくし、電流波形を正弦波に近づけることができる（図８（ｂ）参照）。

従って、電力変換装置１の力率を改善できるとともに、高調波電流を抑制できる。さらに、後述するようにオンしたスイッチング素子Ｑ２をオフにしたタイミングで、数式２で表されたリアクトルＬ１に蓄えられたエネルギが平滑コンデンサＣ１にチャージされることで直流電圧Ｖｄが昇圧される。
なお、交流電源電圧ｖｓが負の極性である期間では、図示は省略するが、交流電源Ｇ→スイッチング素子Ｑ３→スイッチング素子Ｑ１→リアクトルＬ１→交流電源Ｇの短絡経路において、短絡電流ｉｓｐ（力率改善電流）が流れる。

次に、「同期整流動作」について説明する。
図８（ｅ）に示すように、スイッチング素子Ｑ２によって「力率改善動作」を行った後、コンバータ制御部１５ｄは「同期整流動作」を行う。すなわち、コンバータ制御部１５ｄは、スイッチング素子Ｑ１をオフからオンに切り替えるとともに（図８（ｄ）参照）、スイッチング素子Ｑ２をオンからオフに切り替える（図８（ｅ）参照）。なお、この区間、スイッチング素子Ｑ３はオフ状態に維持される（図８（ｆ）参照）。

このように、スイッチング素子Ｑ１とＱ２のオン／オフ状態を相互に切り替えている理由は、力率改善動作と動機整流動作を切り替えているためである。例えば交流電源電圧ｖｓが正の極性の場合、スイッチング素子Ｑ１もスイッチング素子Ｑ３と同様に常時オフ状態でスイッチング素子Ｑ２のみオン／オフを行ったとすると、スイッチング素子オフ時には回路電流ｉｓはスイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードＤ１を流れるため、高効率動作ができない。そのため、スイッチング素子Ｑ２がオフのときはスイッチング素子Ｑ１をオン状態にすることで同期整流動作を行い、高効率動作を行う。

さらに、本実施形態では同期整流動作による効果を高めるために、部分スイッチング制御においてもリアクトルＬ１に接続されていない側のスイッチング素子Ｑ３またはＱ４をスイッチング制御している。
例えば交流電源電圧ｖｓが正の極性の場合を例に説明する。この場合、前述のようにスイッチング素子Ｑ３は常時オフ状態である。交流電源電圧のゼロクロス後、所定時間ｔｄｅｌが経過した後にスイッチング素子Ｑ２がオンとなって力率改善動作を行い、力率改善電流が回路に通流する。その後、スイッチング素子Ｑ４は上述した同期整流制御の場合と同様に、シャント電流ｉｓｈの検出が判定値ａを超えたタイミングでオン状態となり、その後判定値ｂを下回ったタイミングでスイッチング素子Ｑ４はオフ状態となる。
このようにスイッチング素子Ｑ４を制御することで、前述の同期整流動作の場合と同様に、部分スイッチング制御においても、スイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ４を用いて同期整流動作を行うため、高効率動作が可能である。

さらに、図８は２ショットの場合（力率改善動作を２回行った場合）を説明した図であるが、３ショット（力率改善動作を３回行う）、４ショット（力率改善動作４回行う）等、力率改善動作の回数を増やしてもよい。この場合、図８（ｇ）に示すように２ショット目以降については、スイッチング素子Ｑ４はオン状態を維持しているため、スイッチング素子Ｑ２による力率改善動作中も、短絡電流ｉｓｐは図９に示すようにスイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオードＤ４ではなく、オン抵抗の部分に流れるため、高効率動作が可能である。そして、「力率改善動作」と「同期整流動作」とを所定回数、交互に行った後、コンバータ制御部１５ｄは、回路電流ｉｓが流れている区間において、スイッチング素子Ｑ１とＱ４をオン状態にしているため、スイッチング素子Ｑ１とＱ４の導通損失を低減できるため、高効率動作が可能である。

本実施形態では、シャント電流ｉｓｈ（若しくは回路電流ｉｓ）として検出した電流値に応じてスイッチング素子Ｑ４を用いて力率改善動作と同期整流動作を行うことで電力変換装置を高効率駆動している。換言すると、前述の同期整流制御も同様であるが、力率改善動作を行っていないとき（コンバータ動作オフのとき）は回路電流ｉｓがシャント抵抗器Ｒ１に流れる。すなわち、シャント抵抗器にて電流検出（シャント電流ｉｓｈの検出）が可能となる。このようにコンバータオフ時に電流検出を行い、同期整流制御、同期整流動作を行うことで高効率駆動が可能となる。

なお、力率改善動作を行うためにスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン／オフを切り替える際には、所定のデッドタイムを設けている。これによってスイッチング素子Ｑ１とＱ２の上下短絡を防ぐことができる。
このようにスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４が制御されることで、リアクトルＬ１に蓄えられたエネルギが平滑コンデンサＣ１に放出され、平滑コンデンサＣ１の直流電圧が昇圧される。なお、同期整流動作における電流経路は、上述した同期整流モードにおける電流経路（図５の破線矢印を参照）と同様である。

例えば、負荷Ｈがモータである場合、回転速度の上昇に伴ってモータの誘起電圧が高くなり、モータが駆動しにくくなることがある。これに対して、上述した「力率改善動作」および「同期整流動作」を交互に行って昇圧することにより、モータの回転速度の許容限度を高めることができる。
なお、図８（ｇ）に示すように、スイッチング素子Ｑ４を所定のタイミングで制御している理由は、同期整流による高効率動作を行う他、前述した平滑コンデンサＣ１から交流電源へ逆流電流が流れることを防止するためでもある。なお、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を交互にオン／オフする際のタイミングや回数は、適宜設定できる。

以上、交流電源電圧ｖｓが正の極性の場合を例に挙げて説明したが、交流電源電圧ｖｓが負の極性の場合についても同様に動作する。すなわち、図７に示すようにスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をスイッチング制御することで、部分スイッチング制御を行う。
次に、部分スイッチング制御におけるスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の駆動パルスの設定について、さらに詳しく説明する。

図１０は、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルにおける部分スイッチング制御の説明図である。
なお、図１０（ａ）〜（ｅ）の横軸は、時間である。図１０（ａ）は、正の半サイクルにおける交流電源電圧ｖｓを示す。図１０（ｂ）は、回路電流ｉｓ、短絡電流ｉｓｐ、および正弦波状の理想電流である。図１０（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ４，Ｑ１の駆動パルスである。図１０（ｂ）の「理想電流」に示すように、正弦波状の回路電流ｉｓが交流電源電圧ｖｓに対して同相で流れることが理想的である。

例えば、理想電流上の点Ｐ１（図１０（ｂ）参照）に関して、この点Ｐ１での傾きをdi(P1)/dtとおく。回路電流ｉｓがゼロの状態から、スイッチング素子Ｑ２を時間ton1_Q2に亘ってオンする力率改善動作を行ったときの短絡電流ｉｓｐの傾きをdi(ton1_Q2)/dtとおく。また、その後に時間toff1_Q2に亘ってオフして同期整流動作を行ったときの回路電流ｉｓの傾きをdi(toff1_Q2)/dtとおく。ここで、傾きdi(ton1_Q2)/dtと、傾きdi(toff1_Q2)/dtとの平均値が、点Ｐ１における傾きdi(P1)/dtと等しくなるようにスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン／オフが制御される。

また、点Ｐ１と同様に、点Ｐ２での電流の傾きをdi(P2)/dtとおく。そして、スイッチング素子Ｑ２を時間ton2_Q2に亘ってオンする力率改善動作を行ったときの力率改善電流ｉｓｐの傾きをdi(ton2_Q2)/dtとおく。また、その後に時間toff2_Q2に亘ってスイッチング素子Ｑ２をオフしてスイッチング素子Ｑ１をオン状態にして同期整流動作を行ったときの回路電流ｉｓの傾きをdi(toff2_Q2)/dtとおく。点Ｐ１の場合と同様に、傾きdi(ton2_Q2)/dtと、傾きdi(toff2_Q2)/dtと、の平均値が、点Ｐ２における傾きdi(P2)/dtと等しくなるようにスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン／オフが制御される。交流電源電圧ｖｓが正の半周期において、このような処理が所定回数繰り返される。なお、スイッチング素子Ｑ２のスイッチング回数が多いほど、回路電流ｉｓを理想的な正弦波状の波形に近づけることができるが、スイッチング損失と力率の両面を考慮してスイッチング回数を設定することが望ましい。

前述のように、スイッチング素子Ｑ２がオフのときはスイッチング素子Ｑ１をオン状態にして同期整流動作を行っているため高効率動作が可能である。スイッチング素子Ｑ４に関しても、前述のように力率改善動作を行っていないとき、シャント電流ｉｓｈの検出値が判定値ａを超えたタイミングでスイッチング素子Ｑ４をオン状態にすることで同期整流を行うことで高効率動作が可能である。また、図示はしていないが、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン／オフを切り替える際は、平滑コンデンサＣ１の上下短絡を防止するために所定時間デッドタイムを設けている。
なお、交流電源電圧ｖｓが負の極性の半サイクルについても、交流電源電圧ｖｓが正の極性の場合と同様に、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の駆動パルスが設定される。これによって、力率改善動作と同期整流動作を行う。

（４．高速スイッチング制御）
高速スイッチング制御は、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のうち、リアクトルＬ１に接続されている２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を交互にオン／オフする動作を所定周期で繰り返す制御モードである。
図１１は、高速スイッチング制御における交流電源電圧ｖｓ、回路電流ｉｓ、力率改善電流ｉｓｐ、シャント電流ｉｓｈ、およびスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の駆動パルスの時間的変化を示す説明図である。
高速スイッチング制御では、部分スイッチング制御で説明した「力率改善動作」と「同期整流動作」とが所定周期で交互に繰り返される。

力率改善動作について、図１１（ａ）に示す交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルの場合を例に説明する。コンバータ制御部１５ｄは、図１１（ｄ），（ｅ）に示すように、所定の周期Ｔでスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を相互にオン／オフさせる。また、コンバータ制御部１５ｄは、図１１（ｆ）に示すように、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルにおいて、スイッチング素子Ｑ３をオフ状態に維持する。これによって、リアクトルＬ１を介して力率改善電流ｉｓｐ（図９参照）が流れるため、力率を改善できるとともに、高調波電流を抑制できる。

次に、同期整流動作について、図１１（ａ）に示す交流電源電圧ｖｓの正の半サイクルを例に説明する。コンバータ制御部１５ｄは、例えば、前述したようにスイッチング素子Ｑ１をオン状態にし、スイッチング素子Ｑ２をオフ状態にする。これによって、リアクトルＬ１に蓄えられたエネルギが平滑コンデンサＣ１に放出されるため、平滑コンデンサＣ１の直流電圧Ｖｄが昇圧される。また、寄生ダイオードＤ１を介して回路電流ｉｓを流す場合と比べて導通損失が低減されるため、電力変換を高効率で行うことができる。なお、同期整流動作時における電流経路は、図５と同様である。

また、交流電源電圧ｖｓが負の半サイクルにおいても、同様にして、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が交互にオン／オフされる（図１１（ｄ），（ｅ）参照）。また、交流電源電圧ｖｓの極性に同期して、スイッチング素子Ｑ３がオン状態（図１１（ｆ）参照）、スイッチング素子Ｑ４がオフ状態にされる（図１１（ｇ）参照）。なお、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオンデューティは、回路電流ｉｓを正弦波に近づけるように適宜設定される。

ここで、リアクトルＬ１に接続されていないスイッチング素子Ｑ４の動作について説明する。前述した同期整流制御、部分スイッチング制御の場合と同様に、直流電圧側から交流電源への電流の逆流を防ぐために、交流電源電圧のゼロクロス検出後、所定時間だけスイッチング素子Ｑ４をオフ状態にしている。そして、シャント抵抗器Ｒ１によって回路電流ｉｓを検出し、その検出値が判定値ａを超えた場合、スイッチング素子Ｑ３またはＱ４をオン状態にし、同期整流動作を行う。すなわち、例えば交流電源電圧ｖｓの正の半サイクルの初期における、交流電源電圧ｖｓ＜直流電圧Ｖｄ、回路電流Ｉｓ＝０の区間では、逆流電流を防止するためにスイッチング素子Ｑ４がオフ状態に維持される。そして、スイッチング素子Ｑ２がオン状態となって、力率改善電流ｉｓｐが通流する。

その後スイッチング素子Ｑ２がオフ状態となり、シャント電流ｉｓｈの検出値が判定値ａを超えるとスイッチング素子Ｑ４をオン状態とし、同期整流動作を行う。そして、シャント電流ｉｓｈの検出値が判定値ｂを下回ると、スイッチング素子Ｑ４をオフ状態にする。これによって直流電圧側から交流電源への逆流電流を防止しつつ、高効率で電力変換を行うことができる。
なお、高負荷時には比較的大きな回路電流ｉｓが流れるため、それに伴って高調波が発生しやすくなる。本実施形態では、高負荷時に高速スイッチング制御を行うことで、回路電流ｉｓを正弦波に近づけるようにしている。これによって、力率を改善することで高調波を抑制できる。

次に、高速スイッチング制御におけるデューティの設定について説明する。
電力変換装置１における回路電流ｉｓ（瞬時値）は、以下の（数式３）で表される。ここで、Ｖｓは交流電源電圧ｖｓの実効値であり、Ｋｐは電流制御ゲインであり、Ｖｄは直流電圧であり、ωは角周波数である。

上記の（数式３）を整理すると、以下の（数式４）になる。

また、回路電流ｉｓ（瞬時値）と、回路電流Ｉｓ（実効値）との関係は、以下の（数式５）で表される。前述したように、回路電流ｉｓ（瞬時値）はシャント抵抗器Ｒ１によって検出され、回路電流Ｉｓ（実効値）は電流検出部１１によって検出される。

（数式４）を変形して（数式５）に代入すると、電流制御ゲインＫｐは、以下の（数式６）で表される。なお、ｍは昇圧比である。

ここで、（数式６）から、昇圧比ｍの逆数を右辺に移項すると、以下の（数式７）の関係が成り立つ。

また、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルにおいて、スイッチング素子Ｑ２のオンデューティｄ（通流率）は、以下の（数式８）で表される。なお、交流電源電圧ｖｓが負の半サイクルにおけるスイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄについても同様である。

以上より、（数式７）に示したＫｐ・Ｉｓを制御することで、直流電圧Ｖｄを交流電源電圧Ｖｓ（実効値）のａ倍に昇圧できる。そのときのスイッチング素子Ｑ２（または、スイッチング素子Ｑ１）のオンデューティｄは、上述の（数式８）で与えられる。
なお、昇圧比ｍは、負荷検出部１４によって検出される負荷に基づき、昇圧比制御部１５ｂ（図９参照）によって設定される。例えば、負荷が大きいほど、昇圧比ｍも大きな値に設定される。

図１２は、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルにおいて、高速スイッチング制御でのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオンデューティを示す説明図である。
なお、図１２の横軸は、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルにおける時間（正の半サイクルの開始時からの経過時間）であり、縦軸は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオンデューティｄ_Ｑ１，ｄ_Ｑ２である。

また、図１２の破線は、デッドタイムｄｔｘを考慮しない場合のスイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄ_Ｑ１である。実線は、デッドタイムｄｔｘを考慮した場合のスイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄ_Ｑ１である。二点鎖線は、スイッチング素子Ｑ２のオンデューティｄ_Ｑ２である。
破線で示すスイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄ_Ｑ１は、例えば、交流電源電圧Ｖｓ（実効値）に比例するように設定されている。二点鎖線で示すスイッチング素子Ｑ２のオンデューティｄ_Ｑ２は、１．０からスイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄ_Ｑ１を減算した値として設定される。

（数式８）について説明したように、回路電流ｉｓが大きいほど、スイッチング素子Ｑ２のオンデューティｄ_Ｑ２は小さな値に設定され、スイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄ_Ｑ１は大きな値に設定される。換言すると、同期整流動作でオンされるスイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄ_Ｑ１は、力率改善動作でオンされるスイッチング素子Ｑ２のオンデューティｄ_Ｑ２に対して逆特性になっている。

なお、ブリッジ回路１０における上下短絡を回避するために、図１２の実線で示すように、デッドタイムｄｔｘを考慮した制御を行うことが望ましい。所定のデッドタイムｄｔｘ（図示せず）を付与すると、スイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄ_Ｑ１は、このデッドタイムｄｔｓ分だけ小さくなる。

図１３は、高速スイッチング制御における交流電源電圧ｖｓと回路電流ｉｓとの関係を示す説明図である。
図１３の横軸は、交流電源電圧ｖｓの正の半サイクルが開始された時点からの経過時間（時間）であり、縦軸は、交流電源電圧ｖｓ（瞬時値）および回路電流ｉｓ（瞬時値）である。

図１３に示すように、高速スイッチング制御を行うことにより、交流電源電圧ｖｓおよび回路電流ｉｓが正弦波状の波形になり、また、交流電源電圧ｖｓと回路電流ｉｓとがほぼ同相になっている。すなわち、高速スイッチング制御を行うことで、力率が改善されていることが解る。このような正弦波状の回路電流ｉｓを流すために、スイッチング素子Ｑ２のオンデューティｄ_Ｑ２は、以下の（数式９）で設定される。

また、スイッチング素子Ｑ１のオンデューティｄ_Ｑ１は、以下の（数式１０）で設定される。

図１４は、高速スイッチング制御において、リアクトルＬ１による電流位相の遅れ分を考慮しない場合と、電流位相の遅れ分を考慮した場合と、におけるスイッチング素子Ｑ２のオンデューティｄ_Ｑ２を示す説明図である。
図１４の横軸は、交流電源電圧ｖｓの正の半サイクルが開始された時点からの経過時間（時間）であり、縦軸は、高速スイッチング制御におけるスイッチング素子Ｑ２のオンデューティである。

また、実線は、リアクトルＬ１による電流位相の遅れを考慮しない場合のスイッチング素子Ｑ２のオンデューティである。破線は、リアクトルＬ１による電流位相の遅れを考慮した場合のスイッチング素子Ｑ２のオンデューティである。図１４の破線で示すように、スイッチング素子Ｑ２のオンデューティを設定することで、リアクトルＬ１のインダクタンスが大きい場合であっても、正弦波状の回路電流ｉｓを流すことができる。

＜過電流保護について＞
次に本実施形態の電力変換装置の過電流保護について説明する。
図１５は、同期整流制御を実行しているときに過電流が通流して、保護制御を行う場合の説明図である。図中の波形ＨＩＮ＿１は、コンバータ制御部１５ｄから駆動回路ＩＣ１のＨＩＮ端子（図２参照）に出力される、スイッチング素子Ｑ１の駆動パルスである。また、ＬＩＮ＿１は、コンバータ制御部１５ｄから駆動回路ＩＣ１のＬＩＮ端子に出力される、スイッチング素子Ｑ２の駆動パルスである。また、ＨＩＮ＿２は、コンバータ制御部１５ｄから駆動回路ＩＣ２のＨＩＮ端子に出力される、スイッチング素子Ｑ３の駆動パルスである。また、ＬＩＮ＿２は、コンバータ制御部１５ｄから駆動回路ＩＣ２のＬＩＮ端子に出力される、スイッチング素子Ｑ４の駆動パルスである。

なお、駆動回路ＩＣ１，ＩＣ２のＨＩＮ端子またはＬＩＮ端子にコンバータ制御部１５ｄからＨｉレベルの信号が入力されると、対応する駆動回路ＩＣ１，ＩＣ２の出力部であるＨｏ端子またはＬｏ端子（図２参照）からはＨｉレベルの信号が出力される。これにより、対応するスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４はオン状態となる。反対に、コンバータ制御部１５ｄから駆動回路ＩＣ１，ＩＣ２のＨＩＮ端子またはＬＩＮ端子にＬｏレベルの信号が入力されると、対応するＨｏ端子またはＬｏ端子からは、Ｌｏレベルの信号が出力される。これにより、対応するスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４はオフ状態となる。

図１５において、ｖｓは交流電源電圧（瞬時値）、ｉｓは回路電流（瞬時値）の波形である。また、ｉｓｈはシャント抵抗器Ｒ１に通流する電流波形である。また、ｖｓｈはシャント抵抗器Ｒ１に発生する電圧波形である。ｉｓｈとｖｓｈは、電流と電圧の違いはあるが、波形は略同一であり、簡略化のため１つの波形にまとめて図示している。
ｖｔｒは、駆動回路ＩＣ１のＧＮＤ端子を基準としたＩＴｒｉｐ端子の電圧波形である。実際には、点線のような負電圧が発生しているが、駆動回路ＩＣ１は、負電圧の範囲で駆動しないため（０Ｖ〜Ｖｃｃの範囲で駆動する）、ＩＴｒｉｐ端子では、点線のような負電圧は検出されない。Ｆａｕｌｔは、駆動回路ＩＣ１のＦａｕｌｔ端子の出力電圧波形である。

（パターン［１］同期整流＆定常電流）
また、図１５は同期整流制御を実行しているときに、過電流保護を行う場合の各部の波形を示す図である。
図１５の出力電圧波形Ｆａｕｌｔにおいて、区間Ｔ１は、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルの領域である。また、図１５の出力電圧波形Ｆａｕｌｔにおいて、区間Ｔ２は、交流電源電圧ｖｓが負の半サイクルの領域である。図１６は、正の半サイクルにおける回路電流ｉｓの流れを示す図である。また、図１７は、負の半サイクルにおける回路電流ｉｓの流れを示す図である。
同期整流制御を行うため、図１６に示す正の半サイクルでは、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４をオン状態にする。また、図１７に示す負の半サイクルでは、スイッチング素子Ｑ２とＱ３をオン状態にする。
その後、図１５に示す区間Ｔ３の領域になり、再び交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルになる。

但し、図１５の例において、区間Ｔ３では、負荷変動等により、回路電流ｉｓが電流閾値ｔｈａを超えている。シャント抵抗器Ｒ１、コンバータ制御部１５ｄがこれを検出すると、コンバータ制御部１５ｄは、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４にオフ信号（０Ｖ）を出力し、これによってスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオフ状態にする。実際には電流閾値ｔｈａを超える過電流を検出後した後、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がオフするまで、図１５に示す時間ｄｔ１１が経過する。これは、過電流を検出した後、制御部１５内での演算等のために経過する時間である。

以上のような制御を行うことにより、同期整流制御中に発生する過電流から電力変換装置を保護することが可能である。さらに、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオフさせることに加えて、電力変換装置１に接続されている、インバータやモータ等の負荷Ｈを停止させてもよい。

（パターン［２］力率改善＆定常電流）
図１８は、部分スイッチング制御を実行しているときに、過電流保護を行う場合の各部の波形を示す図である。
上述した図１５と同様に、区間Ｔ１，Ｔ３は交流電源電圧ｖｓの正の半サイクル、区間Ｔ２は交流電源電圧ｖｓの負の半サイクルの区間である。また、部分スイッチング制御として、２ショットの場合の例を示している。
区間Ｔ１，Ｔ２では、特に問題なく部分スイッチング制御が動作している。但し、図示の例では、区間Ｔ３において、何らかの理由により、１ショット目のオン時間が伸びてしまい、回路電流ｉｓが電流閾値ｔｈａを超えている。

また、回路電流ｉｓが電流閾値ｔｈａを超えた後、回路電流ｉｓにピークが生じるまで時間ｄｔ１２が経過し、その後さらに時間ｄｔ１３が経過した後にスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がオフ状態となる。この時間ｄｔ１２の期間は、スイッチング素子Ｑ２とＱ４とがオン状態となる力率改善動作を行っている区間であるため、シャント抵抗器Ｒ１に電流が流れず、シャント抵抗器Ｒ１での電流検出が行えない区間である。

図１９は、力率改善動作中における回路電流ｉｓの流れを示す図である。
この力率改善動作が終了し、スイッチング素子Ｑ１とＱ４がオン状態となる同期整流動作に移行すると、シャント抵抗器Ｒ１に電流が流れるようになる。従って、過電流として電流検出が可能となる。そして、この同期整流動作の区間で過電流を検出し、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオフ状態にすることで、同期整流動作や部分スイッチング制御を停止させ、各部の回路を保護する。実際には、図６の場合と同様に、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオフさせるまで時間ｄｔ１３が経過する。

以上のような制御を行うことにより、部分スイッチング制御中に発生する過電流から電力変換装置１を保護することが可能である。さらに、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオフさせることに加えて、電力変換装置１に接続されている、インバータやモータ等の負荷Ｈを停止させてもよい。

（パターン［３］平滑コンデンサＣ１が短絡した場合）
次に、平滑コンデンサＣ１の両端（直流電圧Ｖｄ）が短絡し、過電流が流れた場合の保護制御に関して説明する。
図２０は、平滑コンデンサＣ１すなわち直流電圧Ｖｄが短絡したときに、過電流保護を行う場合の第１の波形図である。

部分スイッチング制御を行い、誤って直流電圧Ｖｄが短絡した場合を例に挙げて説明する。区間Ｔ１，Ｔ２においては、正常に部分スイッチング制御が実行されている。そして、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルの区間Ｔ３において、力率改善動作をするために本来はオフになるはずのスイッチング素子Ｑ１が何らかの理由で誤ってオンになると、短絡電流ｉｓｔ（図２１参照）が発生する。

この短絡電流は前述のパターン［１］，［２］のような定常状態での過電流に比べて電流の傾きは大きく、より短時間で過大な電流が通流してしまう。このため、より素早く保護制御を行うことが好ましい。
そこで、本実施形態の電力変換装置１においては、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を駆動する駆動回路ＩＣ１の内部に、過電流を検出した場合に回路上で強制的にスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオフにする保護機能を備えている。

この保護機能を説明するため、比較例の構成を説明する。
図２１は、比較例において、直流電圧Ｖｄが短絡した場合の短絡電流ｉｓｔの電流経路を示す図である。上述した本実施形態の構成（図２参照）では、駆動回路ＩＣ２のＨＩＮ端子およびＬＩＮ端子と、駆動回路ＩＣ１のＦａｕｌｔ端子との間に、接続点Ｎ７を介してダイオードＤ５，Ｄ６（伝達素子）がそれぞれ接続されている。これに対して、図２１に示す比較例においては、ダイオードＤ５，Ｄ６が設けられていない点が相違する。

図２１においては、矢印の向きにシャント抵抗器Ｒ１に短絡電流ｉｓｔが通流する。しかし、シャント抵抗器Ｒ１に発生する電圧は、接続点Ｎ５、すなわちコンバータ制御部１５ｄの基準電位であるＧＮＤ基準では負電圧となってしまい、コンバータ制御部１５ｄでは検出電圧は０Ｖであるとみなされ、この短絡電流を検出することは不可能になる。

そこで、本比較例（および本実施形態）においては、直流電圧Ｖｄの短絡電流から各部を保護するために、前述のパターン［１］，［２］のようにコンバータ制御部１５ｄを用いて（ソフトウエア的に）保護するのではなく、駆動回路ＩＣ１が有している保護機能を使用する。換言すれば、ハードウエア的に過電流保護を行う。このため、前述した処理のように、過電流を検出した後にスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオフにするまでの時間遅れを軽減し、素早くスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオフすることができるため、直流電圧の短絡電流のような、時間的に速く、また電流値も大きい過電流が発生した場合であっても、各部の回路を確実に保護することが可能である。

図２１に示す矢印の向きに短絡電流ｉｓｔが流れると、駆動回路ＩＣ１のＩＴｒｉｐ端子には、ＧＮＤ端子を基準として、図示のように、電圧ｖｔｒが発生する。この電圧ｖｔｒが所定値を超えた場合、駆動回路ＩＣ１内の保護回路が動作し、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオフさせる。また、この保護動作が行われると同時に、駆動回路ＩＣ１のＦａｕｌｔ端子から電圧０Ｖが出力される。

本実施形態の電力変換装置は、より安価な構成とするために、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４を駆動する駆動回路ＩＣ２には、駆動回路ＩＣ１のような保護回路を省略している。しかし、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４も、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２と同様に、素早くオフさせることが好ましい。図２１に示した比較例の回路構成では短絡電流ｉｓｔが流れても、前述のようにコンバータ制御部１５ｄではこの短絡電流ｉｓｔを検出できないため、短絡電流ｉｓｔが流れた際、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４に素早くオフ指令を与えることはできない。そのため、図２０に示すように、短絡電流が通流した後、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２がオフした後においても、スイッチング素子Ｑ４（交流電源電圧ｖｓが負のサイクルの場合はスイッチング素子Ｑ３）が動作してしまい、場合によっては素子の破壊につながるおそれがある。

そこで本実施形態の電力変換装置１では、図２に示したように、ダイオードＤ５，Ｄ６を駆動回路ＩＣ１のＦａｕｌｔ端子と駆動回路ＩＣ２のＨＩＮ端子、ＬＩＮ端子の間にそれぞれ接続することによって、短絡電流が通流してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を回路的にオフさせるのとほぼ同時に、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４もオフさせている。

図２２は、本実施形態の電力変換装置１（図２参照）において、直流電圧Ｖｄが短絡した場合の短絡電流ｉｓｔの電流経路を示す図である。また、図２３は、図２２に示す状態すなわち直流電圧Ｖｄの短絡状態における、各部の波形図である。
図２３において区間Ｔ１，Ｔ２では、部分スイッチング制御が正常に実行されている。但し、交流電源電圧ｖｓが正の半サイクルである区間Ｔ３において、力率改善動作をするために本来はオフになるはずのスイッチング素子Ｑ１が何らかの理由で誤ってオンになり、短絡電流ｉｓｔ（図２２参照）が発生する。

短絡電流ｉｓｔは図中のシャント抵抗器Ｒ１に矢印の向きに通流する。しかし、前述の通り、コンバータ制御部１５ｄはこの短絡電流をシャント抵抗器Ｒ１によって検出することができない。一方、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２については、前述の通り駆動回路ＩＣ１内の保護回路を用いてオフさせることができる。この保護回路が作動すると、ほぼ同時に駆動回路ＩＣ１のＦａｕｌｔ端子は０Ｖを出力する。そのため、駆動回路ＩＣ２のＨＩＮ端子とＬＩＮ端子の電位は、仮にポートＰ５，Ｐ６から駆動パルスが出力されていたとしても、ダイオードＤ５，Ｄ６を経由して０Ｖとなり、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４は強制的にオフ状態となる。

以上のように、本実施形態の電力変換装置は、直流電圧Ｖｄが短絡し短絡電流ｉｓｔが発生すると、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を素早くオフさせることで、確実に保護動作を行うことが可能である。さらに、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオフさせることに加えて、電力変換装置１に接続されている、インバータやモータ等の負荷Ｈを停止させてもよい。

以上のように、本実施形態の電力変換装置は、スピードの遅い定常的な過電流については、シャント抵抗器Ｒ１を用いて電流検出を行い、コンバータ制御部１５ｄによってスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオフさせることで保護を行っている（ソフトウエア的に保護を行う）。
一方、立ち上がりのスピードの速い短絡電流ｉｓｔに対しては、回路的に素早くスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオフさせることで保護を行っている。
このように本実施形態の電力変換装置は、過電流や短絡電流から素子を確実に保護することが可能である。そして、駆動回路ＩＣ２のように保護機能の無い安価な駆動回路ＩＣを使用しつつも、素子の保護を行うことができる。

＜制御モードの切替制御＞
コンバータ制御部１５ｄ（図１参照）は、例えば、負荷が比較的小さい低負荷領域では同期整流制御を行い、定格運転領域では部分スイッチング制御を行い、負荷が比較的大きい高負荷領域では高速スイッチング制御を行う。なお、負荷が非常に小さいときにダイオード整流制御を行ってもよいし、また、ダイオード整流を行わないようにしてもよい。

図２４（ａ）は、部分スイッチング制御における正の半サイクルでの交流電源電圧ｖｓおよび回路電流ｉｓの波形図である。図２４（ａ）において、示すピーク値ｉｓ１は、部分スイッチング制御における回路電流ｉｓのピーク値である。
また、図２４（ｂ）は、高速スイッチング制御における正の半サイクルでの交流電源電圧ｖｓおよび回路電流ｉｓの波形図である。図２４（ｂ）に示すピーク値ｉｓ２は、高速スイッチング制御における回路電流ｉｓのピーク値である。
図２４（ｂ）に示すように、高速スイッチング制御における回路電流ｉｓのピーク値ｉｓ２は、部分スイッチング制御における回路電流ｉｓのピーク値ｉｓ１よりも小さくなっている。

仮に、前述したピーク値ｉｓ１，ｉｓ２が略同一になるように制御すると、部分スイッチング制御における力率よりも高速スイッチング制御における力率が高いため、高速スイッチング制御において直流電圧Ｖｄが昇圧されすぎてしまう。これに対して本実施形態では、ピーク値ｉｓ１＞ピーク値ｉｓ２となるように、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオンデューティが調整される。すなわち、コンバータ制御部１５ｄは、部分スイッチング制御および高速スイッチング制御の一方から他方に切り替える際、平滑コンデンサＣ１の直流電圧Ｖｄの変動を抑制するように、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオンデューティを徐々に変化させるように調整する。これによって、部分スイッチング制御および高速スイッチング制御の一方から他方に移行する際、直流電圧Ｖｄの変動が抑制され、直流電圧Ｖｄが徐々に変化する。

また、コンバータ制御部１５ｄは、交流電源電圧ｖｓのゼロクロスタイミングで、制御モードの切替えを行うことが好ましい。例えば、コンバータ制御部１５ｄは、交流電源電圧ｖｓのゼロクロスタイミングで、部分スイッチング制御から高速スイッチング制御に切り替える。これによって、制御モードの切替時に、制御が不安定になることや、直流電圧Ｖｄが変動することを抑制できる。

＜第１実施形態の効果＞
以上のように、本実施形態よれば、低負荷時には同期整流制御を行うことで、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４に積極的に電流を流すようにしている。これによって、寄生ダイオードＤ１〜Ｄ４での損失を抑制し、電力変換を高効率で行うことができる。

また、定格負荷時には部分スイッチング制御が行われ、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が所定回数、交互にスイッチングされる。これによって、昇圧、力率の改善、および高調波の抑制を行うことができる。また、高速スイッチング制御と比べてスイッチング回数が少ないため、スイッチング損失を低減できる。

また、高負荷時には高速スイッチング制御を行って、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を所定周期で交互にスイッチングするようにしている。これによって、昇圧、力率の改善、および高調波の抑制を行うことができる。高速スイッチング制御では、前述したように、回路電流ｉｓが正弦波状になるため（図１１（ｂ）参照）、特に力率の改善や高調波の抑制に効果がある。

［第２実施形態］
＜空気調和機の構成＞
次に、本発明の第２実施形態による空気調和機Ｗの構成を説明する。以下の説明において、図１〜図２４の各部に対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図２５は、第２実施形態に係る空気調和機Ｗの概略構成図である。図示のように、空気調和機Ｗは、室内機Ｕ１と、室外機Ｕ２と、両者を接続する配管ｋと、リモコンＲｅと、を有している。空気調和機Ｗは、周知のヒートポンプサイクルで冷媒を循環させることによって、空調（冷房運転、暖房運転、除湿運転等）を実行する機器である。リモコンＲｅは、室内機Ｕ１との間で所定の各種信号（運転／停止指令、設定温度の変更、タイマの設定、運転モードの変更等）を送受信するものである。

図２６は、空気調和機Ｗの冷却系統図である。図示のように、室内機Ｕ１は、室内熱交換器４４と、室内ファンＦ２とを備えている。また、室外機Ｕ２は、電力変換装置１と、インバータ２と、モータ４１ａを内蔵する圧縮機４１と、室外熱交換器４２と、膨張弁４３と、を備えている。ここで、室内機Ｕ１と室外機Ｕ２とは、冷媒が通流する配管ｋを介して接続されるとともに、図示はしないが、通信線を介して接続されている。室外機Ｕ２内の電力変換装置１は、交流電源Ｇから供給された交流電圧を直流電圧に変換し、インバータ２に供給する。インバータ２は、該直流電圧を、例えばＰＷＭ制御（Pulse Width Modulation）によって任意の周波数の交流電圧に変換し、モータ４１ａを回転駆動する。

圧縮機４１は、モータ４１ａが回転駆動されることによって冷媒を圧縮する。室外熱交換器４２は、室外ファンＦ１から送り込まれる室内空気と、冷媒との間で熱交換を行う。膨張弁４３は、室外熱交換器４２または室内熱交換器４４から流れ込む冷媒を膨張させて減圧する。室内熱交換器４４は、室内ファンＦ２から送り込まれる室内空気と、冷媒との間で熱交換を行う。上述した構成要素のうち、圧縮機４１、室外熱交換器４２、膨張弁４３、室内熱交換器４４および配管ｋは、環状に接続され、ヒートポンプサイクルで冷媒を循環させるようになっている。そこで、これらを総称して、「冷媒回路４」と呼ぶ。
なお、空気調和機Ｗは、冷房用であってもよいし、また、暖房用であってもよい。また、冷房時と暖房時とで冷媒の流れる向きを切り替える四方弁（図示せず）を設けてもよい。

＜電力変換装置の構成および動作＞
次に、本実施形態における電力変換装置１の構成および動作について説明する。
本実施形態における電力変換装置１のハードウエア構成は、第１実施形態のもの（図１，図２参照）と同様であるが、図１に示した負荷Ｈは、本実施形態においてはモータ４１ａに対応する。また、本実施形態においては、制御部１５は、電流検出部１１（図１参照）で検出される回路電流Ｉｓ（実効値）と、所定の閾値Ｉ１（第１閾値），Ｉ２（第２閾値）との大小を比較し、その結果に応じて電力変換装置１の制御モードを切り替える点が第１実施形態とは異なる。そこで、制御モードを切り替える処理について説明する。

図２７は、第２実施形態において、負荷の大きさ、制御モード、および機器の運転領域の関係を示す図である。
図２７において、回路電流Ｉｓが閾値Ｉ１未満である領域は、負荷の大きさ（すなわち、実効値である回路電流Ｉｓ）が比較的小さい領域であり、空気調和機Ｗにおいては「中間運転領域」と呼ぶ。この領域において、制御部１５は、制御モードとして「同期整流制御」を選択し、高効率化を図るようにしている。

また、回路電流Ｉｓが閾値Ｉ１以上であって閾値Ｉ２未満である領域は、中間運転領域よりも負荷が大きく、圧縮機４１のモータ４１ａ（すなわち、図１に示す負荷Ｈ）を定格運転できる領域である。空気調和機Ｗにおいては、この領域を「定格運転領域」と呼ぶ。この領域において、制御部１５は、制御モードとして「部分スイッチング制御」を選択し、昇圧、力率の改善、および高調波電流の抑制を実現するようにしている。

また、回路電流Ｉｓが閾値Ｉ２以上である領域は、負荷の大きさが比較的大きい領域である。例えば、外気温が非常に低いときに暖房運転を行う場合や、外気温が非常に高いときに冷房運転を行う場合の運転領域が相当する。空気調和機Ｗにおいては、この領域を「低温暖房・高負荷領域」と呼ぶ。但し、図２７において、「低温暖房・高負荷領域」は、その一部が「定格運転領域」に重なっている。回路電流Ｉｓが閾値Ｉ２以上になると、制御部１５は、制御モードとして「高速スイッチング制御」を選択し、「同期整流制御」を選択し、昇圧、力率の改善、および高調波の抑制を行うようにしている。なお、上述した閾値Ｉ１，Ｉ２の大きさは、事前の実験やシミュレーションに基づいて適宜設定するとよい。

＜電力変換装置の動作＞
図２８は、電力変換装置１の制御部１５が実行する制御プログラムのフローチャートである。なお、図２８の「ＳＴＡＲＴ」時において、モータ４１ａ（図２６参照）が駆動しているものとする。
ステップＳ１０１において制御部１５は、電流検出部１１が検出した回路電流Ｉｓ（実効値）を読み込む。
ステップＳ１０２において制御部１５は、ステップＳ１０１で読み込んだ回路電流Ｉｓが閾値Ｉ１（第１閾値）未満であるか否かを判定する。すなわち、制御部１５は、回路電流Ｉｓが「中間運転領域」（図２７参照）に含まれるか否かを判定する。

回路電流Ｉｓが閾値Ｉ１未満である場合（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）、制御部１５の処理はステップＳ１０３に進み、制御部１５は、同期整流制御を実行する。このように中間運転領域において同期整流制御を行うことで、第１実施形態で説明したように、電力変換を高効率で行うことができる。

また、ステップＳ１０２において回路電流Ｉｓが閾値Ｉ１以上である場合（Ｓ１０２：Ｎｏ）、制御部１５の処理はステップＳ１０４に進む。ステップＳ１０４において、制御部１５は、回路電流Ｉｓが閾値Ｉ２（第２閾値）未満であるか否かを判定する。すなわち、制御部１５は、回路電流Ｉｓが「定格運転領域」（図２７参照）に含まれるか否かを判定する。なお、前述したように、閾値Ｉ２は閾値Ｉ１よりも大きな値である。

回路電流Ｉｓが閾値Ｉ２未満である場合（Ｓ１０４：Ｙｅｓ）、制御部１５の処理はステップＳ１０５に進む。ステップＳ１０５において制御部１５は、部分スイッチング制御を実行する。このように、定格運転領域において部分スイッチング制御を行うことで、第１実施形態で説明したように、昇圧、力率の改善、および高調波の抑制を行うことができる。

また、ステップＳ１０４において回路電流Ｉｓが閾値Ｉ２以上である場合（Ｓ１０４：Ｎｏ）、制御部１５の処理はステップＳ１０６に進む。ステップＳ１０６において制御部１５は、高速スイッチング制御を実行する。これによって、高負荷運転領域で大きな回路電流ｉｓが流れたとしても、力率を改善できるとともに、高調波を抑制できる。
ステップＳ１０３，Ｓ１０５，Ｓ１０６のうち何れかの処理を行った後、制御部１５の処理は「ＳＴＡＲＴ」に戻る（ＲＥＴＵＲＮ）。
なお、回路電流Ｉｓが非常に小さい場合には、第１実施形態で説明したダイオード整流制御（図３，４参照）を行うようにしてもよい。

＜第２実施形態の効果＞
本実施形態によれば、負荷の大きさすなわち回路電流Ｉｓの大きさに応じて制御モードを切り替えることで、電力変換装置１の高効率化を図るとともに、高調波を抑制できる。このような電力変換装置１を備えることで、エネルギ効率（すなわち、ＡＰＦ：Annual Performance Factor）が高く、省エネ化を図った空気調和機Ｗを提供できる。

［変形例］
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。上述した実施形態は本発明を理解しやすく説明するために例示したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について削除し、若しくは他の構成の追加・置換をすることが可能である。また、図中に示した制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上で必要な全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には殆ど全ての構成が相互に接続されていると考えてもよい。上記実施形態に対して可能な変形は、例えば以下のようなものである。

＜第１の変形例＞
図２９は、第１の変形例に係る電力変換装置１Ａのブロック図である。
図２９に示す電力変換装置１Ａは、第１実施形態の電力変換装置１（図１参照）において、電流検出部１１と交流電源Ｇとの間にリアクトルＬ２を追加した構成になっている。リアクトルＬ２は、接続点Ｎ２と交流電源Ｇとを接続する配線ｈｂに設けられている。このようにリアクトルＬ２を設けることで、第１実施形態で説明した「力率改善動作」に伴うノイズを低減できる。

＜第２の変形例＞
図３０は、第２の変形例に係る電力変換装置１Ｂのブロック図である。
図３０に示す電力変換装置１Ｂは、接続点Ｎ１を介してリアクトルＬ１に接続されるスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２として、ＭＯＳＦＥＴではなく、ＩＧＢＴ（Insulated-Gate-Bipolar-Transistor）を用いている点が、第１実施形態（図１参照）とは異なっている。このようにスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２としてＩＧＢＴを用いても、第１実施形態と同様の効果が奏される。なお、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２に並列に接続されるダイオードＤ１，Ｄ２として、ＦＲＤ（Fast-Recovery-Diode）やＳｉＣ−ＳＢＤ（Silicon-Carbide-Schokky Barrier-Diodes）を用いてもよい。

その他、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４として、オン抵抗の小さいスーパージャンクションＭＯＳＦＥＴ（ＳＪＭＯＳＦＥＴ）を用いてもよい。特に、逆回復時間（time of reverse recovery：ｔｒｒ）が比較的短い高速ｔｒｒタイプのものを用いることが好ましい。前述した「逆回復時間」とは、逆回復電流が流れる時間であり、「逆回復電流」とは、寄生ダイオードＤ１〜Ｄ４に印加される電圧が順方向電圧から逆方向電圧に切り替わった瞬間に流れる電流である。例えば、逆回復時間が３００ｎｓｅｃ以下のＳＪＭＯＳＦＥＴをスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４として用いることで損失を低減し、さらなる高効率化を図ることができる。
また、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４として、オン抵抗が０．２Ω以下のものを用いることが好ましい。これによって、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４における導通損失を低減できる。

また、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の逆回復時間は、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４よりも短いことが好ましい。前述したように、同期整流制御、部分スイッチング制御、高速スイッチングでは、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン／オフが、交流電源電圧ｖｓの半サイクルごとに所定回数行われる。従って、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２として逆回復時間の短いものを用いることで、逆回復電流が小さくなるため、スイッチング損失を低減できる。なお、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４については、力率改善動作時に逆回復電流が発生しないため、逆回復時間が比較的長く、オン抵抗がスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２に対して相対的に小さい素子を用いてもよい。

また、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４として、例えば、ＳｉＣ（Silicon Carbide）−ＭＯＳＦＥＴや窒化ガリウム（ＧａＮ；Gallium nitride）素子を用いてもよい。これによって、電力変換装置１のエネルギ損失をさらに低減し、高効率化を図ることができる。

＜第３の変形例＞
図３１は、第３の変形例に係る電力変換装置１Ｃのブロック図である。
図３１に示す電力変換装置１Ｃは、図１に示した第１実施形態の電力変換装置１に対して、配線ｈａに新たに電流センサＣＴを追加した構成となっている。例えば、電流センサＣＴには、カレントトランスやホール素子を用いるとよい。この位置に電流センサＣＴを配置することで、同期整流（全波整流）時の回路電流だけでなく、力率改善動作時の短絡電流ｉｓｐも検出可能となる。

図１の構成ではシャント抵抗器Ｒ１によって検出した電流値を用いて、逆流電流が発生しないようにスイッチング素子Ｑ３とＱ４の同期整流制御を行っていた。図１の構成では力率改善動作時の電流は検出できないため、力率改善動作オフ時に電流検出を行っていた。そのため、上述したように、交流電源側への電流の逆流を防ぐためにシャント抵抗器によって電流検出を行い、確実に回路電流が通流している状態を検出したうえでスイッチング素子Ｑ３またはＱ４の同期生流動作を行っていた。そのため、最初の１ショット目は同期整流を行っていない。

これに対して、本変形例にあっては、電流センサＣＴによって電流検出を行うことによって、力率改善電流も検出できるため、１ショット目の力率改善電流通流開始と同時にスイッチング素子Ｑ３またはＱ４をオンすることで、１ショット目も同期整流を実行することができ、さらなる高効率動作が可能である。
図３２は、図３１の回路構成で部分スイッチング制御（２ショット）を行った場合における交流電源電圧ｖｓ、回路電流ｉｓ、力率改善電流ｉｓｐ、シャント電流ｉｓｈおよびスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の駆動パルスの時間的変化を示す波形図である。

＜第４の変形例＞
図３３は、第４の変形例に係る電力変換装置の制御系統等のブロック図である。第１実施形態の構成（図２参照）と比較すると、伝達素子であるダイオードＤ５，Ｄ６に代えて、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を適用した点が異なっている。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、駆動回路ＩＣ１が出力する出力電圧波形Ｆａｕｌｔが０Ｖになると、オン状態になり、駆動回路ＩＣ２のＨＩＮ端子およびＬＩＮ端子に電圧０Ｖを印加する。なお、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に代えて、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等、他のスイッチング素子を適用してもよい。このような構成においても、平滑コンデンサＣ１に発生する短絡電流に対して、各部の保護を迅速に行うことが可能である。

＜制御モードの選択の変形例＞
図３４は、他の種々の変形例に係る電力変換装置の制御モードの切替えに関する説明図である。図中の制御方法Ｘ１〜Ｘ８は、他の種々の変形例における制御モードの選択方法を示したものである。なお、これら変形例における電力変換装置のハードウエア構成は、第１，第２実施形態のものと同様である。

図３４において、「同期整流」は、制御モードとして「同期整流制御」を選択することを意味している。また、「同期整流＋部分ＳＷ」は、部分スイッチング制御に、前述した同期整流制御を含ませる（すなわち、力率改善動作と同期整流制御とを交互に行う）ことを意味している。また、「同期整流＋高速ＳＷ」とは、高速スイッチング制御に同期整流制御が含まれることを意味している。

また、「ダイオード整流＋部分ＳＷ」とは、部分スイッチング制御にダイオード整流制御を含ませることを意味している。上述したように、「ダイオード整流制御」とは、寄生ダイオードＤ１等を介して回路電流ｉｓを流す動作である。すなわち、「ダイオード整流＋部分ＳＷ」とは、力率改善動作とダイオード整流制御とを交互に行うことで、部分スイッチング制御を行うことを意味している。「ダイオード整流＋高速ＳＷ」とは、高速スイッチング制御にダイオード整流制御を含ませることを意味している。

例えば、制御方法Ｘ１に示すように、負荷（例えば、電流検出部１１が検出する回路電流Ｉｓ）が閾値Ｉ１以上である場合には、同期整流制御を含む部分スイッチング制御を行い、負荷が閾値Ｉ１未満である場合には、同期整流制御を行うようにしてもよい。
また、例えば、制御方法Ｘ２で示すように、負荷が閾値Ｉ１以上である場合には、同期整流制御を含む高速スイッチング制御を行い、負荷が閾値Ｉ１未満である場合には、同期整流制御を行うようにしてもよい。

図３４に示す制御方法Ｘ３は、第２実施形態で説明した制御方法（図２７、図２８参照）と同様である。
また、例えば、制御方法Ｘ４に示すように、負荷が閾値Ｉ１以上である場合には、ダイオード整流制御を含む部分スイッチング制御を行い、負荷が閾値Ｉ１未満である場合には、同期整流制御を行うようにしてもよい。このようにダイオード整流制御を行うことで、交流電源電圧ｖｓの半サイクルにおいて、オン状態にするスイッチング素子が１つで済むため、制御の簡略化を図ることができる。

図３４に示す他の制御方法Ｘ５〜Ｘ８については説明を省略するが、効率・高調波の抑制・昇圧等を考慮して、制御方法を適宜設定すればよい。例えば、高効率化、高調波電流の抑制、および昇圧が主目的である場合には、制御方法Ｘ１〜Ｘ３のいずれかを選択すればよい。また、高効率化は主目的でなく、高調波電流の抑制および昇圧が主目的である場合には、制御方法Ｘ４〜Ｘ６を選択すればよい。

＜他の変形例＞
上記各実施形態では、電流検出部１１（図１参照）の検出値である回路電流Ｉｓに基づいて制御モードを切り替える場合について説明したが、制御モードを切り替えるために他の検出値を用いてもよい。例えば、配線ｈａ，ｈｂ（図１参照）に流れる電流と正の相関を有する「負荷」を、負荷検出部１４（図１参照）によって検出し、この「負荷」の大きさに基づいて制御モードを切り替えるようにしてもよい。例えば、直流電圧検出部１３の検出値（出力電圧）に基づいて、制御モードを切り替えるようにしてもよい。なお、負荷が大きくなるにつれて出力電圧も高くなるため、複数の閾値によって分けられる負荷領域と出力電圧との関係は、図２７と同様になる。

また、平滑コンデンサＣ１（図１参照）の出力側に接続されるインバータ２（図２６参照）の電流値や、このインバータ２に接続されるモータ４１ａ（図２６参照）の回転速度、モータ電圧とインバータの印加電圧との比率である変調率に基づいて、制御モードを切り替えるようにしてもよい。なお、負荷が大きくなるにつれてインバータ２に流れる電流（モータ４１ａの回転速度、変調率）も大きくなる。従って、複数の閾値によって分けられる負荷領域と、インバータ２に流れる電流（モータ４１ａの回転速度、変調率）との関係は、図２７と同様になる。

また、各実施形態では、シャント抵抗器Ｒ１（図１参照）によって回路電流ｉｓを検出する構成について説明したが、これに限らない。例えば、シャント抵抗器Ｒ１に代えて、高速の電流トランスを用いてもよい。
また、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４に、それぞれ、整流ダイオード（図示せず）を逆並列に接続してもよい。また、各実施形態では、電力変換装置１が２レベルのコンバータである構成について説明したが、例えば、３レベルや５レベルのコンバータにも適用できる。

また、各実施形態では、負荷の大きさに応じて制御モードを切り替える処理について説明したが、電力変換装置１の用途や仕様によっては、負荷の大きさに関わらず、所定の制御モード（例えば、部分スイッチング制御）を実行するようにしてもよい。

また、各実施形態や変形例は、適宜組み合わせることができる。例えば、制御方法Ｘ１〜Ｘ８（図３４参照）の何れかを用いて電力変換を行うことで、第２実施形態で説明した圧縮機４１（図２６参照）のモータ４１ａを駆動するようにしてもよい。

また、第２実施形態では、電力変換装置１が空気調和機Ｗ（図２５，図２６参照）に搭載される場合について説明したが、電力変換装置１を適用できる装置はこれに限らない。例えば、電車や自動車等の車両、冷蔵庫、給湯機、洗濯機、船舶や航空機等の乗り物、バッテリへの充電設備等に電力変換装置１を搭載してもよい。

また、前述した各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部または全部を、例えば集積回路等のハードウエアで実現してもよい。上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈して実行することにより、ソフトウエアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報を、メモリ、ハードディスク等の記録装置、または、フラッシュメモリカード、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等の記録媒体に記録してもよい。

１ 電力変換装置
２ インバータ
１０ ブリッジ回路
１１ 電流検出部
１５ 制御部
１５ｄ コンバータ制御部（電流センサ）
４１ａ モータ
４２ 室外熱交換器
４３ 膨張弁
４４ 室内熱交換器
Ｃ１ 平滑コンデンサ
Ｄ５，Ｄ６ ダイオード（伝達素子）
ａ 判定値（第１の判定閾値）
ｂ 判定値（第２の判定閾値）
Ｔｒ１，Ｔｒ２ （伝達素子）
Ｉ１ 閾値（第１閾値）
Ｉ２ 閾値（第２閾値）
ＩＣ１ 駆動回路（第１の駆動回路）
ＩＣ２ 駆動回路（第２の駆動回路）
Ｊ１ 第１レグ
Ｊ２ 第２レグ
Ｋｐ 電流制御ゲイン
Ｌ１ リアクトル
Ｑ１ スイッチング素子（第１スイッチング素子）
Ｑ２ スイッチング素子（第２スイッチング素子）
Ｑ３ スイッチング素子（第３スイッチング素子）
Ｑ４ スイッチング素子（第４スイッチング素子）
Ｑ４（第４スイッチング素子） スイッチング素子
Ｒ１ シャント抵抗器（電流センサ）
Ｖｄ 直流電圧
Ｖｆ 飽和電圧
Ｗ 空気調和機
ｉｓ 回路電流（電流）
ｉｓｔ 短絡電流（所定電流）
ＬＩＮ端子（入力端子）
ＨＩＮ端子（入力端子）

Claims (17)

1. 第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続され前記第１スイッチング素子とともに第１レグを構成する第２スイッチング素子と、第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子に直列に接続され前記第３スイッチング素子とともに第２レグを構成する第４スイッチング素子と、を有し、前記第１レグと前記第２レグとを並列接続したブリッジ回路と、
   交流電源と前記第１レグ間に設けられたリアクトルと、
   前記ブリッジ回路に接続され、前記ブリッジ回路から印加される電圧を平滑化し、直流電圧として出力する平滑コンデンサと、
   前記第１ないし第４スイッチング素子を制御する制御部と、
   前記平滑コンデンサの負極と前記第２スイッチング素子との間に設けられた電流センサと、
   前記第１および第２スイッチング素子を駆動するとともに、前記ブリッジ回路に流れる電流における過電流の有無を検出し、前記過電流を検出した場合に所定の電圧信号を出力する出力端子を有する第１の駆動回路と、
   前記第３および第４スイッチング素子を駆動する第２の駆動回路と、
   前記第１の駆動回路の前記出力端子と、前記第２の駆動回路の入力端子との間に接続され、前記電圧信号を前記入力端子に伝達する伝達素子と、
   を有することを特徴とする電力変換装置。
2. 前記電流センサは、前記平滑コンデンサの負極と、前記第２および第４スイッチング素子の接続点との間に接続されたシャント抵抗器を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
3. 前記制御部は、
   前記第１または第２スイッチング素子のうち電流が流れる側のスイッチング素子である第１レグ内通流素子をオン状態にし、しかる後に前記第３または第４スイッチング素子のうち電流が流れる側のスイッチング素子である第２レグ内通流素子をオン状態にする機能と、
   前記第２レグ内通流素子をオン状態にした後に前記第２レグ内通流素子をオフ状態にし、しかる後に前記第１レグ内通流素子をオフ状態にする機能と、
   前記第１ないし第４スイッチング素子のうち前記第１レグ内通流素子および前記第２レグ内通流素子以外のスイッチング素子をオフ状態に維持する機能と、
   を有し、これによって前記ブリッジ回路に同期整流を実行させる
   ことを特徴とする請求項２に記載の電力変換装置。
4. 前記制御部は、
   前記ブリッジ回路に通流する電流が第１の判定閾値以上になると、前記第２レグ内通流素子をオン状態にする機能と、
   前記電流が第２の判定閾値以下になると、前記第２レグ内通流素子をオフ状態にする機能と、
   を有する
   ことを特徴とする請求項３に記載の電力変換装置。
5. 前記制御部は、
   前記第１および第２スイッチング素子のオン／オフ状態を交互に切り替える力率改善動作を実行する機能を有する
   ことを特徴とする請求項２ないし４の何れか一項に記載の電力変換装置。
6. 前記制御部は、少なくとも前記力率改善動作を実行していない状態で、前記ブリッジ回路に通流する瞬時電流を検出する機能を有する
   ことを特徴とする請求項５に記載の電力変換装置。
7. 前記第１の駆動回路は、前記シャント抵抗器に前記第２スイッチング素子から前記平滑コンデンサの負極の向きに所定電流が通流すると、過電流保護動作を実行する機能を有し、
   前記制御部は、前記シャント抵抗器に前記平滑コンデンサの負極から前記第２スイッチング素子の向きに所定電流が通流すると、前記第１ないし第４スイッチング素子をオフにする機能を有する
   ことを特徴とする請求項２ないし６の何れか一項に記載の電力変換装置。
8. 前記制御部は、前記ブリッジ回路に流れる電流の大きさが第１閾値未満である場合は制御モードとして同期整流制御を選択し、前記ブリッジ回路に流れる電流の大きさが前記第１閾値以上であって、かつ、前記第１閾値よりも大きい第２閾値未満である場合は前記制御モードとして部分スイッチング制御を選択し、前記ブリッジ回路に流れる電流の大きさが前記第２閾値以上である場合は前記制御モードとして高速スイッチング制御を選択する機能を有し、
   前記同期整流制御は、前記第１または第２スイッチング素子のうち電流が流れる側のスイッチング素子である第１レグ内通流素子をオン状態にし、しかる後に前記第３または第４スイッチング素子のうち電流が流れる側のスイッチング素子である第２レグ内通流素子をオン状態にし、前記第１ないし第４スイッチング素子のうち前記第１レグ内通流素子および前記第２レグ内通流素子以外のスイッチング素子をオフ状態に維持する制御モードであり、
   前記部分スイッチング制御は、前記第１および第２スイッチング素子を交互にオン／オフする動作を、前記交流電源の電圧の半サイクルごとに所定回数行う制御モードであり、
   前記高速スイッチング制御は、前記第１および第２スイッチング素子を、前記部分スイッチング制御におけるオン／オフ周期よりも短い周期で、交互にオン／オフする動作を所定周期で繰り返す制御モードである
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項７の何れか一項に記載の電力変換装置。
9. 前記制御部は、過電流を検出した場合に、前記同期整流制御、前記部分スイッチング制御または前記高速スイッチング制御を停止する機能を有する
   ことを特徴とする請求項８に記載の電力変換装置。
10. 前記制御部は、前記過電流を検出した場合に、前記直流電圧を供給している負荷を停止させる機能を有する
    ことを特徴とする請求項９に記載の電力変換装置。
11. 前記伝達素子は、制御信号に応じてオン／オフ状態を切り替えられる素子である
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項１０の何れか一項に記載の電力変換装置。
12. 前記第１ないし第４スイッチング素子は、スーパージャンクションＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ、または窒化ガリウム素子である
    ことを特徴とする請求項１ないし１１の何れか一項に記載の電力変換装置。
13. 前記制御部は、前記力率改善動作を実行する際に、前記第１または第２スイッチング素子と、前記第３または第４スイッチング素子とを同時にオン状態にする機能を有する
    ことを特徴とする請求項６に記載の電力変換装置。
14. 前記制御部は、前記第１および第２スイッチング素子を交互にオン／オフする動作を、前記交流電源の電圧の半サイクルごとに所定回数行う機能を有する
    ことを特徴とする請求項６または１３に記載の電力変換装置。
15. 前記制御部は、前記第１および第２スイッチング素子を、交互にオン／オフする動作を所定周期で繰り返す機能を有する
    ことを特徴とする請求項６または１３に記載の電力変換装置。
16. 前記制御部は、
    前記部分スイッチング制御および前記高速スイッチング制御のうち一方から他方に制御モードを切り替える際、前記直流電圧の変動を抑制するように、複数の前記第１ないし第４スイッチング素子のオンデューティを徐々に変化させる
    ことを特徴とする請求項１０に記載の電力変換装置。
17. 直流電圧を出力する電力変換装置と、
    前記直流電圧を交流電圧に変換するインバータと、
    前記交流電圧によって駆動されるモータを有する圧縮機と、室外熱交換器と、膨張弁と、室内熱交換器と、室外熱交換器と、を有する冷媒回路と、
    を有し、前記電力変換装置は、
    第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続され前記第１スイッチング素子とともに第１レグを構成する第２スイッチング素子と、第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子に直列に接続され前記第３スイッチング素子とともに第２レグを構成する第４スイッチング素子と、を有し、前記第１レグと前記第２レグとを並列接続したブリッジ回路と、
    交流電源と前記第１レグ間に設けられたリアクトルと、
    前記ブリッジ回路に接続され、前記ブリッジ回路から印加される電圧を平滑化し、直流電圧として出力する平滑コンデンサと、
    前記第１ないし第４スイッチング素子を制御する制御部と、
    前記平滑コンデンサの負極と前記第２スイッチング素子との間に設けられた電流センサと、
    前記第１および第２スイッチング素子を駆動するとともに、前記ブリッジ回路に流れる電流における過電流の有無を検出し、前記過電流を検出した場合に所定の電圧信号を出力する出力端子を有する第１の駆動回路と、
    前記第３および第４スイッチング素子を駆動する第２の駆動回路と、
    前記第１の駆動回路の前記出力端子と、前記第２の駆動回路の入力端子との間に接続され、前記電圧信号を前記入力端子に伝達する伝達素子と、
    を有することを特徴とする空気調和機。

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