JP2004040922A - 温度検出回路を備えたインバータ回路装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】インバータ回路の温度検出と共に過熱保護及び過電流保護も行えるようにする。
【解決手段】インバータ回路に複数のスイッチング素子よりなるスイッチング回路9と、ドライブ回路2に入力され負荷を制御する制御信号を発生する制御回路1とを備え、温度検出回路10にインバータ回路の温度変化を検出する温度検出素子12を設け、前記インバータ回路の温度変化に応じて変化する温度検出信号と定められた温度以上に上昇したときに出力する過熱異常信号と過電流保護用FET13にて出力される過電流異常信号とを兼用させた一つの端子から出力する。
【選択図】  図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は過熱保護及び過電流保護も行えるようにした温度検出回路を備えたインバータ回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
まず、図6を参照して、温度検出回路を備えたインバータ回路装置およびその制御回路の動作を簡単に説明する。
【0003】
マイクロコンピュータあるいはDSPにより構成された制御回路1から回転速度設定信号に応じた周波数の基準信号がドライバ回路2に出力される。この基準信号は、それぞれ120度の位相差を有する3つのパルス幅変調された矩形波とこのパルス幅変調された矩形波に対して一般的に180度位相が遅れた3つの矩形波からなっている。
【0004】
それぞれ120度の位相差を有する3つのパルス幅変調された矩形波はドライバ回路2を介して、インバータ回路を構成する上側アームのスイッチング素子Q1、Q2、Q3の制御電極に入力され、このスイッチング素子をオン・オフ制御する。
【0005】
また、このパルス幅変調された矩形波に対して180度位相が遅れたパルス幅変調された矩形波は同様にドライバ回路2を介して下側アームのスイッチング素子Q4、Q5、Q6をオン・オフ制御する。
【0006】
なお、スイッチング素子Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6に接続されたダイオードD1、D2、D3、D4、D5、D6は回生ダイオードである。
【0007】
従って、それぞれ120度の位相差を有する3つのパルス幅変調された矩形波とこのパルス幅変調された矩形波に対してそれぞれ180度位相が遅れた3つのパルス幅変調された矩形波によりオン・オフ制御されるインバータ回路の出力端子、すなわちスイッチング素子Q1とQ4、スイッチング素子Q2とQ5、スイッチング素子Q3とQ6の接続点U、V、Wには3相のパルス幅変調された電圧が得られ、モータMに流れる負荷電流は正弦波に近似したものとなる。
【0008】
前述のインバータ回路において、温度に応じてモータMの回転速度を変化させたり、あるいは必要以上に温度が上昇したとき、インバータ回路が破損しないように停止させる必要がある。そのため温度検出回路3を設け、インバータ回路の異常温度上昇を検出し、検出された加熱異常信号を制御回路に加え、前記モータMを停止させていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
インバータ回路の温度変化に伴い、前記温度検出回路で検出された温度検出信号を制御回路に加えるには制御回路に専用の端子が必要とするので、制御回路の端子数が増加する。
【0010】
またインバータ回路の温度が所定の温度以上に過熱されたときに、回路素子が破損されるのを防止するため、単にスイッチング回路等に流れる電流を制御するだけでなく、前記インバータ回路の動作を停止させる必要がある。
【0011】
さらに図7に示すように、前記温度検出回路3において温度を検出するにはサーミスタ3aが使用される。従来はインバータ回路を印刷基板4に取り付け、前記サーミスタ3aをインバータ回路が取り付けられた放熱板5に設けていた。従ってインバータ回路の正確な温度上昇を検出出来ず、またスペースを必要とした。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は過熱保護及び過電流保護も行えるようにしたもので、
インバータ回路に複数のスイッチング素子よりなるスイッチング回路と、前記スイッチング素子を駆動するドライブ回路と、過電流の異常に対し、前記ドライブ回路を駆動停止するとともに、異常信号を出力する保護回路を備え、温度検出回路に前記インバータ回路の温度変化を検出する温度検出素子を設け、前記インバータ回路の温度変化に応じて変化する温度検出信号の出力を前記保護回路の異常信号を出力する端子に共有する温度検出回路を備えたインバータ回路装置を提供する。
【0013】
本発明はインバータ回路に複数のスイッチング素子よりなるスイッチング回路と、前記スイッチング素子を駆動するドライブ回路と、過電流の異常に対し、前記ドライブ回路を駆動停止するとともに、異常信号を出力する保護回路を設け、温度検出回路に前記インバータ回路の温度変化を検出する温度検出素子を備え、前記インバータ回路の温度変化に応じて変化する温度検出信号を制御回路に加え、温度変化に応じてインバータ回路に流れる電流を変化させたり、前記インバータ回路が定められた温度以上に上昇したとき過熱保護回路からの過熱異常信号を前記制御回路やドライブ回路に加え、インバータ回路の動作を停止させる温度検出回路を備えたインバータ回路装置を提供する。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1に本発明の温度検出回路を備えたインバータ回路装置のブロック図を示す。
【0015】
本発明におけるインバータ回路は、上側アームのスイッチング素子Q1、Q2、Q3と、下側アームのスイッチング素子Q4、Q5、Q6とで構成されるスイッチング回路9と、各スイッチング素子の制御電極に入力され、このスイッチング素子をオン・オフ制御するドライバ回路2と、該ドライバ回路2に入力され制御信号を発生する制御回路1とを備える。
【0016】
前記スイッチング回路9のスイッチング素子Q1とQ4、スイッチング素子Q2とQ5、スイッチング素子Q3とQ6の接続点U、V、WにモータM等の負荷が接続されている。制御回路1からは前述したようにパルス幅変調された矩形波がドライブ回路2に出力され、スイッチング回路9の制御を行っている。
【0017】
本発明の特徴は制御回路1に温度検出回路10が接続されていることである。前記温度検出回路10は制御回路1、ドライバ回路2、スイッチング回路9からなるインバータ回路の温度変化を検出するもので、電源VDDに接続された抵抗11と、該抵抗11に一端が接続されると共に制御回路1のFAULT端子に接続されたサーミスタ12からなる。
【0018】
前記サーミスタ12に並列に過電流保護用FET13のドレイン・ソース電極が接続されている。前記過電流保護用FET13のドレイン電極はダイオード14を介して電源VDDに接続され、且つ前記サーミスタ12の一端と共にFAULT端子として制御回路1に接続されている。
【0019】
また、前記過電流保護用FET13のゲート電極は抵抗15に流れる過電流を検出する過電流検出回路16に接続されている。尚前記過電流保護用FET13は前記ドライバ回路2に組み込まれているが、前記温度検出回路10に設けてもよい。
【0020】
図2は本発明の温度検出回路を備えたインバータ回路装置に用いた温度検出回路10を放熱兼用配線基板17に取り付けた取付図である。前記放熱兼用配線基板17は表面を酸化し絶縁したアルミニュウム基板を用いている。
【0021】
前記絶縁された放熱兼用配線基板17の表面には印刷配線が施されていると共に、前記スイッチング回路9の上側アームのスイッチング素子Q1、Q2、Q3と、下側アームのスイッチング素子Q4、Q5、Q6及びドライバ回路2等が取り付けられている。
【0022】
前記サーミスタ12は放熱兼用配線基板17上の動作時温度上昇するスイッチング回路9及びドライバ回路2に出来るだけ近接して取り付けることが望ましい。しかし、本発明の場合、基板材にアルミニュウムを使用している為、その熱伝達性の良さから基板温度がほぼ均一となるので、基板内に実装すればその位置に関係なくインバータ回路の温度を正確に検出できる。
【0023】
前記制御回路1から出力されたそれぞれ120度の位相差を有する3つのパルス幅変調された矩形波はドライバ回路2を介して、スイッチング回路9を構成する上側アームのスイッチング素子Q1、Q2、Q3の制御電極に入力され、このスイッチング素子をオン・オフ制御する。
【0024】
また制御回路1からの前記パルス幅変調された矩形波に対して180度位相が遅れたパルス幅変調された矩形波は同様にドライバ回路2を介して下側アームのスイッチング素子Q4、Q5、Q6をオン・オフ制御する。
【0025】
従って、それぞれ120度の位相差を有する3つのパルス幅変調された矩形波とこのパルス幅変調された矩形波に対してそれぞれ180度位相が遅れた3つのパルス幅変調された矩形波によりオン・オフ制御されるスイッチング回路9の出力端子、すなわちスイッチング素子Q1とQ4、スイッチング素子Q2とQ5、スイッチング素子Q3とQ6の接続点U、V、Wには3相のパルス幅変調された電圧が加えられ、前記モータMに負荷電流を供給し該モータMを回転させる。
【0026】
モータMが回転し、スイッチング素子Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6及びD1、D2、D3、D4、D5、D6等の温度が上昇すると、前記放熱兼用配線基板17の温度も熱を伝達され直ぐに上昇する。図3に示すように、放熱兼用配線基板17の温度が上昇すると、サーミスタ12の抵抗値は25℃で100KΩであるのが125℃で約2.8KΩと抵抗値が低下する。
【0027】
従って図5に示す回路においては、抵抗11の抵抗値を10KΩ、抵抗19の抵抗値を5.1KΩそして電源電圧VDDを15Vとすると、図3、図4に示すように、サーミスタ12の温度検出信号V(ITRIP)は25℃のとき約0.7Vであったのが、125℃では約4.3Vまで変化する。
【0028】
この変化した温度検出信号はFAULT端子から制御回路1に加えられ、前記制御回路1によりパルス幅変調された矩形波を制御し、モータMに温度の変化に応じたモータ電流を流し、回転数を変化させることができる。
【0029】
また、図3及び図4に示すように、放熱兼用配線基板17の温度(Tc)が上昇するにつれ、V(ITRIP)電圧が上昇したとき、その電圧が設定したVref電圧を超えるとコンパレータ20が反転して、FAULT端子がLoレベルとなる。FAULT端子がLoレベルとなると、制御回路1は異常が発生したと判断し、ドライブ回路2を駆動停止すると共に、前記制御回路1から発生するパルス幅変調された矩形波を遮断して、モータ動作を停止させ、スイッチング素子の加熱による破壊を防止する。
【0030】
ところでモータMがロックする等して、ドライバ回路2及びスイッチング回路9に過電流が流れると抵抗15に流れる電流が増加する。前記抵抗15に流れる電流が設定値以上となると、過電流検出回路16より過電流検出信号が検出される。図1においては、前記過電流検出回路16に検出された過電流検出信号は過電流保護FET13のゲート電極に加わる。それにより前記過電流保護用FET13がオンしてFAULT端子がLoレベルとなる。
【0031】
前記過電流保護FET13がオンしてLoレベルとなる過電流異常信号が出力されるが、このとき前記温度検出信号を出力するのと同じFAULT端子を通じて制御回路1に異常信号を伝える。そして前記制御回路1から発生するパルス幅変調された矩形波を遮断して、モータMの動作を停止させスイッチング素子の過電流破壊やモータ故障を防止する。
【0032】
図5を用いて温度検出回路を有するインバータ回路装置の放熱兼用配線基板の温度が設定したある温度以上になったら、前記モータMに流れる電流を遮断し、過熱保護ができることを詳しく説明する。前記温度検出回路10に過熱検出用のコンパレータ20を設け、該コンパレータ20の一入力端子には前記サーミスタ12が接続され、他端子には基準電圧Vrefが加えられる。
【0033】
前述と同様に、インバータ回路装置の温度が上昇すると、サーミスタ12の抵抗値が低下して、温度検出信号を検出する。前記温度検出信号はITRIP端子から制御回路に加えられ、該制御回路1から出力されるパルス幅変調された矩形波を制御し、モータMに温度の変化に応じたモータ電流を流し、温度に応じて回転数を変化させることができる機能は同じである。
【0034】
しかし前述した図4に示すように、本回路ではある温度以上になり、サーミスタ12で検出されコンパレータ20の一入力端子に加えられる前記温度検出信号V(ITRIP)が基準電圧Vref以上となると、コンパレータ20の出力端子から過熱異常信号TTが発生する。
【0035】
前記過熱異常信号TTは制御回路1に加えられると、前記制御回路1から発生するパルス幅変調された矩形波は遮断して、モータMの動作を停止させスイッチング素子の過電流破壊やモータ故障を防止する。
【0036】
また過電流が流れる抵抗15に過電流検出回路16を接続し、抵抗19の一端に過電流検出回路16から検出される過電流検出信号を加えることにより、図1と同様に同一端子で過電流と過熱保護ができる。
【0037】
【発明の効果】
本発明は温度検出回路の温度検出素子と過電流検出素子とを接続し、検出された信号を制御回路の同一端子に加えるようにしたので、制御回路に別に端子あるいは回路を設けることなく、温度制御と過電流検出をすることができる。
【0038】
また前記温度検出回路に過熱保護信号検出回路を接続したので、回路が所定温度以上に上昇したとき動作を停止させて、過熱して回路が破壊されるのを保護できる。
【0039】
さらに回路は放熱兼用配線基板にスイッチング回路とドライブ回路とを取り付けたので、その熱伝達性の良さから基板温度がほぼ均一となる特性を利用し、スイッチング回路の温度変化が的確にサーミスタにより正確に検出でき温度変化に応じて負荷に供給される電流を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の温度検出回路を備えたインバータ回路装置を説明するブロック図である。
【図2】本発明の温度検出回路を放熱兼用配線基板に取り付けた模型図である。
【図3】本発明の温度検出回路を備えたインバータ回路装置に用いたサーミスタの温度と抵抗値及び電圧を示す表である。
【図4】本発明の温度検出回路を備えたインバータ回路装置に用いたサーミスタの温度と電圧の関係を示す特性図である。
【図5】本発明の温度検出回路を備えたインバータ回路装置の他の実施例を示すブロック図である。
【図6】従来のインバータ回路を説明するブロック図である。
【図7】従来のインバータ回路の温度検出回路を取り付けた模型図である。
【符号の説明】
Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6  スイッチング素子
1     制御回路
2     ドライバ回路
9     スイッチング回路
10    温度検出回路
12    サーミスタ
13    過電流保護用FET
17    放熱兼用配線基板
20    過熱検出用及び過電流保護用のコンパレータ

Claims (4)

  1. 複数のスイッチング素子よりなるスイッチング回路と、前記スイッチング素子を駆動するドライブ回路と、過電流の異常に対し、前記ドライブ回路を駆動停止するとともに、異常信号を出力する保護回路を備えたインバータ回路において、
    前記インバータ回路に温度検出素子を備えた温度検出回路を設け、前記温度検出素子にて検出される温度検出信号と前記保護回路の異常信号とを共有する端子に出力することを特徴とする温度検出回路を備えたインバータ回路装置。
  2. 複数のスイッチング素子よりなるスイッチング回路と、前記スイッチング素子を駆動するドライブ回路と、過電流の異常に対し、前記ドライブ回路を駆動停止するとともに、異常信号を出力する保護回路を備えたインバータ回路において、
    前記インバータ回路の温度変化を検出する温度検出素子が備えられた温度検出回路を設け、前記インバータ回路の温度変化に応じて変化する温度検出信号を制御回路に加え、温度変化に応じてインバータ回路に流れる電流を変化させると共に、前記インバータ回路が定められた温度以上にされたとき過熱検出回路から発生する過熱異常信号を前記制御回路に加え、インバータ回路の動作を停止させることを特徴とする温度検出回路を備えたインバータ回路装置。
  3. 前記インバータ回路と温度検出素子とを同一の放熱兼用配線基板に取り付けたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の温度検出回路を備えたインバータ回路装置。
  4. 前記放熱兼用配線基板は表面に酸化膜を形成したアルミニュウム基板であることを特徴とする請求項3に記載の温度検出回路を備えたインバータ回路装置。
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