JP2018032836A - 電子部品の接合構造および電子部品接合体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】例えば基板と、それに接合される例えば半導体ベアチップ等とで構成される電子部品の接合構造において、電子部品同士の大きな接合強度が得られる、電子部品の接合構造および電子部品接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基材１１と、当該第１基材１１の実装面Ｓ１に形成された第１電極１２と、第１電極１２の一部を露出させる開口、および第１電極１２に重ならない位置に形成された第１凹部ＤＰ１を有し、第１基材１１の実装面Ｓ１を被覆する第１絶縁膜１３と、を含む第１電子部品と、第２基材２１と、当該第２基材２１の実装面に形成された第２電極２２と、を含む第２電子部品と、第１電極１２と第２電極２２とが対面する状態で、第１電極１２と第２電極２２とを電気的に導通させる導電性接合材３１と、第２電子部品の実装面と第１絶縁膜１３との間隙を封止する絶縁性接合材３２と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の電子部品が接合されて所定の回路が構成される電子部品の接合構造、および複数の電子部品が接合されて構成される電子部品接合体の製造方法に関する。

従来、基板にベアチップをフリップチップ実装する方法の一つとして、はんだバンプが形成されたベアチップを基板上にマウントし、リフロー接続する方法がある。このようにはんだバンプを用いてフリップチップ実装する場合、はんだバンプに応力が集中して破断するのを防止するために、ベアチップと基板との間にアンダーフィル用樹脂を注入し、応力を緩和させる構造が特許文献１に示されている。

特開２００８−１１３０４５号公報

特許文献１に示されるような、ベアチップと基板との間にアンダーフィル用樹脂が注入される電子部品の接続構造では、基板表面の電極の無い領域での、アンダーフィルを介した、基板とベアチップとの接合強度が不十分である場合があった。

本発明の目的は、上述のように、例えば基板と、それに接合される例えば半導体ベアチップ等とで構成される電子部品の接合構造において、電子部品同士の大きな接合強度が得られる、電子部品の接合構造および電子部品接合体の製造方法を提供することにある。

・本発明の電子部品の接合構造は、
第１基材と、当該第１基材の実装面に形成された第１電極と、前記第１電極の一部を露出させる開口、および前記第１電極に重ならない位置に形成された第１凹部を有し、前記第１基材の実装面を被覆する第１絶縁膜と、を含む第１電子部品と、
第２基材と、当該第２基材の実装面に形成された第２電極と、を含む第２電子部品と、
前記第１電極と前記第２電極とが対面する状態で、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に導通させる導電性接合材と、
前記第２電子部品の実装面と前記第１絶縁膜との間隙を封止する絶縁性接合材と、
を備える。

上記構成により、絶縁性接合材は、第１電子部品の第１絶縁膜と第２電子部品の実装面との間隙を、第１絶縁膜の第１凹部を含む大きな面積で接合する。そのため、第１電子部品と第２電子部品との接合強度が確保される。

・前記第１電極の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さより厚くてもよい。このことにより、第１の凹部が相対的に深くなり、第１電子部品と第２電子部品との接合強度がより高まる。

・前記第１電極は、前記第１基材の実装面から離れるにしたがって幅が狭くなる形状であることが好ましい。このことにより、第１基材の実装面に第１絶縁膜を被覆する際、第１絶縁膜の材料が流れやすく、空隙ができにくくなるため、第１絶縁膜の接合強度を高められる。

・前記絶縁性接合材の線膨張係数は、前記第１基材の線膨張係数と前記第２基材の線膨張係数との間の値であることが好ましい。これにより、温度変化による、第１基材と第２基材とに作用する応力が緩和され、絶縁性接合材による接合強度が維持される。また、第１電極と第２電極との電気的接続の信頼性が高まる。さらに、温度変化による変形（反り）の少ない電子部品の接合構造が得られる。

・前記第２電極の一部を露出させる開口と、前記第２電極に重ならない位置に形成された第２凹部とを有し、前記第２基材の実装面を被覆する第２絶縁膜を備え、絶縁性接合材は前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間隙を封止する構成であってもよい。このことにより、絶縁性接合材に対する第１絶縁膜および第２絶縁膜の接合面積が大きくなって、第１電子部品と第２電子部品との接合強度がより高まる。

・本発明の電子部品接合体の製造方法は、
第１基材の実装面に複数の第１電極を形成し、前記複数の第１電極のそれぞれの一部が露出し前記複数の第１電極のうち隣接する第１電極の間が第１凹部となる第１絶縁膜を前記第１基材の実装面に被覆する、第１電子部品製造工程と、
第２基材の実装面に第２電極を形成する第２電子部品製造工程と、
前記第１電極と前記第２電極とを導電性接合材を介して電気的に導通させる接合工程と、
前記第２電子部品の実装面と前記第１絶縁膜との間隙を絶縁性接合材で封止する封止工程と、
を備える。

上記構成により、第１絶縁膜を第１基材の実装面に被覆するだけで、第１凹部を形成でき、第１絶縁膜の形成が容易となる。

・前記第２電子部品製造工程は、前記第２基材の実装面に、前記第２電極の一部を露出させる開口と、前記第２電極に重ならない第２凹部とを有する第２絶縁膜を形成する工程を含むことが好ましい。このことにより、絶縁性接合材に対する第１絶縁膜および第２絶縁膜の接合面積が大きくなって、第１電子部品と第２電子部品との接合強度がより高まる。

本発明によれば、第１電子部品と第２電子部品とが強い接合強度で接合された電子部品の接合構造および電子部品接合体が得られる。

図１は第１の実施形態に係る電子部品接合体１０１の主要部の断面図である。 図２は、電子部品接合体１０１の、接合前の第１電子部品１０および第２電子部品２０の主要部の断面図である。 図３は電子部品接合体１０１の製造方法を示す図であり、図３中の（１）〜（６）は各工程での状態を表す断面図である。 図４は第２の実施形態に係る電子部品接合体１０２の製造方法を示す図であり、図４中の（１）〜（５）は各工程での状態を表す断面図である。 図５は第３の実施形態に係る電子部品接合体１０３の製造方法を示す図であり、図５中の（１）〜（５）は各工程での状態を表す断面図である。 図６は第４の実施形態に係る電子部品接合体１０４の主要部の断面図である。 図７は第５の実施形態に係る電子部品接合体１０５の主要部の断面図である。 図８は電子部品接合体１０５の第１電極１２の形成手順を示す図であり、図８中の（１）〜（３）は各工程での状態を表す断面図である。 図９は第６の実施形態に係る電子部品接合体１０６の主要部の断面図である。 図１０は、電子部品接合体１０６の、接合前の第１電子部品１０および第２電子部品２０の主要部の断面図である。 図１１は第７の実施形態に係る電子部品接合体１０７の主要部の断面図である。 図１２は電子部品接合体１０７の、接合前の第１電子部品１０および第２電子部品２０の主要部の断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る電子部品接合体１０１の主要部の断面図である。図２は接合前の第１電子部品１０および第２電子部品２０の主要部の断面図である。

本実施形態の電子部品接合体１０１は、第１電子部品１０と第２電子部品２０との接合体である。

図２に示すように、第１電子部品１０は、第１基材１１と、この第１基材１１の実装面Ｓ１に形成された複数の第１電極１２と、第１基材１１の実装面Ｓ１を被覆する第１絶縁膜１３と、を含む。第１絶縁膜１３は、複数の第１電極１２のそれぞれの一部を露出させる開口ＡＰ１、および第１電極１２に重ならない位置に形成された第１凹部ＤＰ１を有する。第２電子部品２０は、第２基材２１と、この第２基材２１の実装面Ｓ２に形成された第２電極２２と、を含む。

第１基材１１は例えばポリイミドフィルム等の多層フレキシブル基板である。第１電極１２は例えばCu箔をパターンニングしたものである。第１絶縁膜１３は例えばポリイミドフィルムの貼付または、高粘度のポリイミドスラリーの印刷により形成される。第２基材２１は例えば半導体ベアチップであり、第２電極２２は表面が例えばAuのパッド電極である。

図１に表れているように、第１電極１２と第２電極２２とは導電性接合材３１を介して接合され、第１電極１２と第２電極２２とは電気的に導通する。導電性接合材３１は例えばSnAgCu系等のＳｎ合金はんだである。

また、図１、図２に表れているように、第２電子部品２０の実装面Ｓ２と第１絶縁膜１３との間隙が絶縁性接合材３２によって封止されている。絶縁性接合材３２は、例えば、主剤と硬化剤が混合された状態の１液型エポキシ樹脂に、熱膨張係数調整用の、線膨張係数の小さなSiO₂ フィラーが含有されたコンポジットレジンである。この絶縁性接合材３２の線膨張係数は、第１基材１１の線膨張係数と第２基材２１の線膨張係数との間の値である。

図３は、電子部品接合体１０１の製造方法を示す図であり、（１）〜（６）は各工程での状態を表す断面図である。電子部品接合体１０１の製造方法は次のとおりである。

［第１電子部品製造工程］
図３中の（１）に示すように、第１基材１１の実装面Ｓ１に複数の第１電極１２を形成する。例えば、ポリイミドフィルムにCu箔をラミネートし、このCu箔をフォトリソグラフィによってパターンニングすることで第１電極１２を形成する。

次に、図３中の（２）に示すように、第１絶縁膜１３を第１基材１１の実装面Ｓ１に被覆する。第１絶縁膜１３は、複数の第１電極１２のそれぞれの一部を露出させる開口ＡＰ１と、互いに隣接する第１電極１２と第１電極１２との間が凹んだ第１凹部ＤＰ１と、を有する。例えば、ポリイミドフィルムに開口ＡＰ１を形成し、そのポリイミドフィルムを第１基材１１の実装面Ｓ１に貼付する。ポリイミドフィルムの開口ＡＰ１の内縁は第１電極１２の外縁より内側にあるので、第１電極１２の一部が開口ＡＰ１から露出する構造となる。そのため、互いに隣接する第１絶縁膜１３と第１絶縁膜１３との間が第１凹部ＤＰ１となる。すなわち、第１絶縁膜１３を第１基材１１に貼付することにより、第１凹部ＤＰ１が自動的に形成される。

上記第１絶縁膜１３は、例えば高粘度のポリイミドスラリーを第１基材１１の実装面Ｓ１に印刷することにより形成してもよい。この場合、印刷後にレベリングのための研磨を特に行わない。そのことによって、第１凹部ＤＰ１の内底面から頂部までの高さを極力大きくする。

［第２電子部品製造工程］
図２に示すように、第２基材２１の実装面Ｓ２に第２電極２２を形成する。この例では、半導体プロセスにより、Ａｌパッドに無電解Ni/Pd/AuめっきによるUBM（Under Bump Metal）を形成する。その後、ウェハをダイシングして個別の半導体ベアチップを得る。

［接合工程］
図３中の（２）（３）に示すように、開口ＡＰ１にはんだ等の導電性接合材３１を印刷形成する。その際、第１絶縁膜１３の開口ＡＰ１ははんだペーストの流れを防止し、はんだ形成位置を規制する「堤」として作用する。

その後、図３中の（４）（５）に示すように、第２電子部品２０の第２電極２２が導電性接合材（はんだ）３１を介して第１電極１２に対面するように、第２電子部品２０を第１電子部品１０に載置し、リフローソルダリングプロセスによってはんだ付けを行う。これにより、第１電極１２と第２電極２２とを導電性接合材３１を介して電気的に導通させる。

［封止工程］
図３中の（６）に示すように、第２電子部品２０の実装面Ｓ２と第１絶縁膜１３との間隙を絶縁性接合材３２で封止する。例えば、液状の上記コンポジットレジンを第２電子部品２０の実装面Ｓ２と第１絶縁膜１３との間隙に注入し、加熱硬化させる。

本実施形態によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）絶縁性接合材３２は第１凹部ＤＰ１に充填されるので、絶縁性接合材３２は、第１電子部品１０の第１絶縁膜１３と第２電子部品２０の実装面Ｓ２との間隙を、第１絶縁膜１３の第１凹部ＤＰ１を含む大きな面積で接合する。そのため、第１電子部品１０と第２電子部品２０とは、所定の大きな接合強度で接合される。

（ｂ）第１絶縁膜１３は第１電極１２の外周を覆うので、第１電極１２の剥離が防止される。

（ｃ）第１絶縁膜１３の開口ＡＰ１ははんだペーストの流れを防止し、はんだ形成位置を規制するので、より小さな第１電極１２および第２電極２２にも適用できる。

（ｄ）絶縁性接合材３２の線膨張係数は、第１基材１１の線膨張係数と第２基材２１の線膨張係数との間の値であるので、温度変化による、第１基材と第２基材とに作用する応力が緩和され、絶縁性接合材による接合強度が維持される。また、第１電極と第２電極との電気的接続の信頼性が高まる。さらに、温度変化による変形（反り）の少ない電子部品の接合構造が得られる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、絶縁性接合材の形成方法が第１の実施形態とは異なる例を示す。

図４は第２の実施形態に係る電子部品接合体１０２の製造方法を示す図であり、（１）〜（５）は各工程での状態を表す断面図である。電子部品接合体１０２の製造方法は次のとおりである。

［第１電子部品製造工程］
第１の実施形態と同様にして、図４中の（１）（２）に示すように、第１基材１１の実装面Ｓ１に複数の第１電極１２を形成し、第１絶縁膜１３を第１基材１１の実装面Ｓ１に被覆する。

［第２電子部品製造工程］
第１の実施形態と同様にして、第２基材２１の実装面に第２電極２２を形成する。

［接合工程］［封止工程］
本実施形態では接合工程と封止工程は同時的に行われる。先ず、第１の実施形態と同様にして、図４中の（２）（３）に示すように、開口ＡＰ１にはんだ等の導電性接合材３１を印刷形成する。

次に、図４中の（４）に示すように、導電性接合材３１を含む、第１絶縁膜１３の表面に絶縁性接合材３２を塗布する。

その後、図４中の（５）に示すように、第２電子部品２０の第２電極２２が導電性接合材（はんだ）３１を介して第１電極１２に対面するように、第２電子部品２０を第１電子部品１０に載置し、リフローソルダリングプロセスによってはんだ付けを行う。また、このリフローソルダリングプロセス時の熱により絶縁性接合材３２を硬化させる。

本実施形態のように、絶縁性接合材３２による封止と導電性接合材３１による電気的接合を同時的に行ってもよい。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、絶縁性接合材による封止と導電性接合材による電気的接合を同時的に行う別の例を示す。

図５は第３の実施形態に係る電子部品接合体１０３の製造方法を示す図であり、（１）〜（５）は各工程での状態を表す断面図である。電子部品接合体１０３の製造方法は次のとおりである。

［第１電子部品製造工程］
第１の実施形態と同様にして、図５中の（１）（２）に示すように、第１基材１１の実装面Ｓ１に複数の第１電極１２を形成し、第１絶縁膜１３を第１基材１１の実装面Ｓ１に被覆する。

［第２電子部品製造工程］
第１の実施形態と同様にして、第２基材２１の実装面に第２電極２２を形成する。

［接合工程］［封止工程］
本実施形態では接合工程と封止工程は同時的に行われる。先ず、図５中の（３）に示すように、第１絶縁膜１３の表面に絶縁性接合材３２を塗布する。開口ＡＰ１は開口されたままである。

次に、図５中の（４）に示すように、開口ＡＰ１にはんだ等の導電性接合材３１を印刷形成する。

その後、図５中の（５）に示すように、第２電子部品２０の第２電極２２が導電性接合材（はんだ）３１を介して第１電極１２に対面するように、第２電子部品２０を第１電子部品１０に載置し、リフローソルダリングプロセスによってはんだ付けを行う。また、このリフローソルダリングプロセス時の熱により絶縁性接合材３２を硬化させる。

本実施形態のように、絶縁性接合材３２による封止と導電性接合材３１による電気的接合を同時的に行ってもよい。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１絶縁膜と第１電極との厚さ関係が第１の実施形態とは異なる例を示す。

図６は第４の実施形態に係る電子部品接合体１０４の主要部の断面図である。全体の基本的な構造は第１の実施形態で示した電子部品接合体１０１と同じであるが、第１電極１２の厚さは、第１絶縁膜１３の厚さより厚い。図６において、第１電極１２の厚さＴ１２と、第１絶縁膜１３の厚さＴ１３は、Ｔ１２＞Ｔ１３の関係にある。

本実施形態によれば、第１凹部ＤＰ１が相対的に深くなり、第１電子部品１０と第２電子部品２０との接合強度はより高まる。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第１電極の断面形状が第１の実施形態とは異なる例を示す。

図７は第５の実施形態に係る電子部品接合体１０５の主要部の断面図である。全体の基本的な構造は第１の実施形態で示した電子部品接合体１０１と同じであるが、第１電極１２の断面形状は、第１基材１１の実装面Ｓ１から離れるにしたがって幅が狭くなるテーパー形状である。

図８は上記第１電極１２の形成手順を示す図であり、（１）〜（３）は各工程での状態を表す断面図である。先ず、図８中の（１）に示すように、第１基材１１の実装面Ｓ１にCu箔１２Ｓをラミネートし、Cu箔１２Ｓの表面にレジスト膜４０を塗布し、これをフォトリソグラフィによりパターンニングする。

次に、図８中の（２）に示すように、Cu箔１２Ｓをエッチングすることで、第１電極１２をパターンニングする。このとき、Cu箔を等方エッチングまたは低選択エッチングする。このことにより、第１電極１２の断面形状は、第１基材１１の実装面Ｓ１から離れるにしたがって幅が狭くなるテーパー形状となる。

本実施形態によれば、第１基材１１の実装面Ｓ１に第１絶縁膜１３を被覆する際、第１絶縁膜１３の材料が流れやすく、空隙ができにくくなるため、第１絶縁膜１３の接合強度を高められる。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、第２凹部を含む電子部品接合体について示す。

図９は、第６の実施形態に係る電子部品接合体１０６の主要部の断面図である。図１０は接合前の第１電子部品１０および第２電子部品２０の主要部の断面図である。

図１０に示すように、第１電子部品１０は、第１基材１１と、この第１基材１１の実装面Ｓ１に形成された複数の第１電極１２と、第１基材１１の実装面Ｓ１を被覆する第１絶縁膜１３と、を含む。第１絶縁膜１３は、複数の第１電極１２のそれぞれの一部を露出させる開口ＡＰ１、および第１電極１２に重ならない位置に形成された第１凹部ＤＰ１を有する。第２電子部品２０は、第２基材２１と、この第２基材２１の実装面Ｓ２に形成された第２電極２２と、第２基材２１の実装面Ｓ２を被覆する第２絶縁膜２３と、を含む。第２絶縁膜２３は、複数の第２電極２２のそれぞれの一部を露出させる開口ＡＰ２、および第２電極２２に重ならない位置に形成された第２凹部ＤＰ２を有する。

第１電子部品１０の構成は、これまでに示した各実施形態の第１電子部品１０と同じである。第２基材２１は例えば半導体ベアチップであり、第２電極２２は例えばAuバンプである。第２絶縁膜２３は第２基材２１の実装面Ｓ２に形成された、例えばポリイミド膜である。ポリイミド膜の開口ＡＰ２の内縁は第２電極２２の外縁より内側にあるので、第２電極２２の一部が開口ＡＰ２から露出する構造となる。そのため、互いに隣接する第２絶縁膜２３と第２絶縁膜２３との間が第２凹部ＤＰ２となる。すなわち、第２絶縁膜２３を第２基材２１に形成することにより、第２凹部ＤＰ２が自動的に形成される。

本実施形態によれば、図９に表れているように、絶縁性接合材３２に対する第１絶縁膜１３および第２絶縁膜２３の接合面積が大きくなって、第１電子部品１０と第２電子部品２０との接合強度がより高まる。

《第７の実施形態》
第７の実施形態では、第１電子部品と第２電子部品との大小関係が、これまでに示した実施形態とは異なる例を示す。

図１１は第７の実施形態に係る電子部品接合体１０７の主要部の断面図である。図１２は接合前の第１電子部品１０および第２電子部品２０の主要部の断面図である。

本実施形態の電子部品接合体１０７は、図１２に示すように、二つの第１電子部品１０Ａ，１０Ｂと単一の第２電子部品２０とを含む。第１電子部品１０Ａの構成は、これまでに示した各実施形態の第１電子部品１０と同じである。第１電子部品１０Ｂは直方体状の基体の両端に端子電極を備える所謂ドッグボーン型のチップ部品である。

第２電子部品２０は、第２基材２１と、この第２基材２１の実装面Ｓ２に形成された複数の第２電極２２と、を含む。

図１１に示すように、第１電子部品１０Ａ，１０Ｂは第２電子部品２０の第２電極２２にはんだ等の導電性接合材３１を介して接合される。その後、第２電子部品２０の実装面Ｓ２と第１電子部品１０Ａの第１絶縁膜１３との間隙、および第２電子部品２０の実装面Ｓ２と第１電子部品１０Ｂとの間隙を絶縁性接合材３２で封止する。例えば、液状のコンポジットレジンを第２電子部品２０の実装面Ｓ２と第１電子部品１０Ａ，１０Ｂとの間隙に注入し、加熱硬化させる。絶縁性接合材３２は第１凹部ＤＰ１に充填されるので、絶縁性接合材３２は、第１電子部品１０Ａの第１絶縁膜１３と第２電子部品２０の実装面Ｓ２との間隙を、第１絶縁膜１３の第１凹部ＤＰ１を含む大きな面積で接合する。そのため、第１電子部品１０Ａと第２電子部品２０とは、所定の大きな接合強度で接合される。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１，ＡＰ２…開口
ＤＰ１…第１凹部
ＤＰ２…第２凹部
Ｓ１，Ｓ２…実装面
１０，１０Ａ，１０Ｂ…第１電子部品
１１…第１基材
１２…第１電極
１２Ｓ…Cu箔
１３…第１絶縁膜
２０…第２電子部品
２１…第２基材
２２…第２電極
２３…第２絶縁膜
３１…導電性接合材
３２…絶縁性接合材
４０…レジスト膜
１０１〜１０７…電子部品接合体

Claims (7)

1. 第１基材と、当該第１基材の実装面に形成された第１電極と、前記第１電極の一部を露出させる開口、および前記第１電極に重ならない位置に形成された第１凹部を有し、前記第１基材の実装面を被覆する第１絶縁膜と、を含む第１電子部品と、
   第２基材と、当該第２基材の実装面に形成された第２電極と、を含む第２電子部品と、
   前記第１電極と前記第２電極とが対面する状態で、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に導通させる導電性接合材と、
   前記第２電子部品の実装面と前記第１絶縁膜との間隙を封止する絶縁性接合材と、
   を備える、電子部品の接合構造。
2. 前記第１電極の厚さは前記第１絶縁膜の厚さよりも厚い、請求項１に記載の電子部品の接合構造。
3. 前記第１電極は、前記第１基材の実装面から離れるにしたがって幅が狭くなる形状である、請求項１または２に記載の電子部品の接合構造。
4. 前記絶縁性接合材の線膨張係数は、前記第１基材の線膨張係数と前記第２基材の線膨張係数との間の値である、請求項１または２に記載の電子部品の接合構造。
5. 前記第２電極の一部を露出させる開口と、前記第２電極に重ならない位置に形成された第２凹部とを有し、前記第２基材の実装面を被覆する第２絶縁膜を備え、前記絶縁性接合材は前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間隙を封止する、請求項１から４のいずれか記載の電子部品の接合構造。
6. 第１基材の実装面に複数の第１電極を形成し、前記複数の第１電極のそれぞれの一部が露出し前記複数の第１電極のうち隣接する第１電極の間が第１凹部となる第１絶縁膜を前記第１基材の実装面に被覆する、第１電子部品製造工程と、
   第２基材の実装面に第２電極を形成する第２電子部品製造工程と、
   前記第１電極と前記第２電極とを導電性接合材を介して電気的に導通させる接合工程と、
   前記第２電子部品の実装面と前記第１絶縁膜との間隙を絶縁性接合材で封止する封止工程と、
   を備え、前記第１電子部品と前記第２電子部品との接合体を製造する、電子部品接合体の製造方法。
7. 前記第２電子部品製造工程は、前記第２基材の実装面に、前記第２電極の一部を露出させる開口と、前記第２電極に重ならない第２凹部とを有する第２絶縁膜を形成する工程を含む、請求項６に記載の電子部品接合体の製造方法。

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