JP6623978B2 - 電子部品の接合構造および電子部品接合体の製造方法 - Google Patents
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Description
第1基材と、当該第1基材の実装面に形成された第1電極と、前記第1電極の一部を露出させる開口、および前記第1電極に重ならない位置に形成された第1凹部を有し、前記第1基材の実装面を被覆する第1絶縁膜と、を含む第1電子部品と、
第2基材と、当該第2基材の実装面に形成された第2電極と、を含む第2電子部品と、
前記第1電極と前記第2電極とが対面する状態で、前記第1電極と前記第2電極とを電気的に導通させる導電性接合材と、
前記第2電子部品の実装面と前記第1絶縁膜との間隙を封止する絶縁性接合材と、
を備える。
第1基材の実装面に複数の第1電極を形成し、前記複数の第1電極のそれぞれの一部が露出し前記複数の第1電極のうち隣接する第1電極の間が第1凹部となる第1絶縁膜を前記第1基材の実装面に被覆する、第1電子部品製造工程と、
第2基材の実装面に第2電極を形成する第2電子部品製造工程と、
前記第1電極と前記第2電極とを導電性接合材を介して電気的に導通させる接合工程と、
前記第2電子部品の実装面と前記第1絶縁膜との間隙を絶縁性接合材で封止する封止工程と、
を備える。
図1は第1の実施形態に係る電子部品接合体101の主要部の断面図である。図2は接合前の第1電子部品10および第2電子部品20の主要部の断面図である。
図3中の(1)に示すように、第1基材11の実装面S1に複数の第1電極12を形成する。例えば、ポリイミドフィルムにCu箔をラミネートし、このCu箔をフォトリソグラフィによってパターンニングすることで第1電極12を形成する。
図2に示すように、第2基材21の実装面S2に第2電極22を形成する。この例では、半導体プロセスにより、Alパッドに無電解Ni/Pd/AuめっきによるUBM(Under Bump Metal)を形成する。その後、ウェハをダイシングして個別の半導体ベアチップを得る。
図3中の(2)(3)に示すように、開口AP1にはんだ等の導電性接合材31を印刷形成する。その際、第1絶縁膜13の開口AP1ははんだペーストの流れを防止し、はんだ形成位置を規制する「堤」として作用する。
図3中の(6)に示すように、第2電子部品20の実装面S2と第1絶縁膜13との間隙を絶縁性接合材32で封止する。例えば、液状の上記コンポジットレジンを第2電子部品20の実装面S2と第1絶縁膜13との間隙に注入し、加熱硬化させる。
第2の実施形態では、絶縁性接合材の形成方法が第1の実施形態とは異なる例を示す。
第1の実施形態と同様にして、図4中の(1)(2)に示すように、第1基材11の実装面S1に複数の第1電極12を形成し、第1絶縁膜13を第1基材11の実装面S1に被覆する。
第1の実施形態と同様にして、第2基材21の実装面に第2電極22を形成する。
本実施形態では接合工程と封止工程は同時的に行われる。先ず、第1の実施形態と同様にして、図4中の(2)(3)に示すように、開口AP1にはんだ等の導電性接合材31を印刷形成する。
第3の実施形態では、絶縁性接合材による封止と導電性接合材による電気的接合を同時的に行う別の例を示す。
第1の実施形態と同様にして、図5中の(1)(2)に示すように、第1基材11の実装面S1に複数の第1電極12を形成し、第1絶縁膜13を第1基材11の実装面S1に被覆する。
第1の実施形態と同様にして、第2基材21の実装面に第2電極22を形成する。
本実施形態では接合工程と封止工程は同時的に行われる。先ず、図5中の(3)に示すように、第1絶縁膜13の表面に絶縁性接合材32を塗布する。開口AP1は開口されたままである。
第4の実施形態では、第1絶縁膜と第1電極との厚さ関係が第1の実施形態とは異なる例を示す。
第5の実施形態では、第1電極の断面形状が第1の実施形態とは異なる例を示す。
第6の実施形態では、第2凹部を含む電子部品接合体について示す。
第7の実施形態では、第1電子部品と第2電子部品との大小関係が、これまでに示した実施形態とは異なる例を示す。
DP1…第1凹部
DP2…第2凹部
S1,S2…実装面
10,10A,10B…第1電子部品
11…第1基材
12…第1電極
12S…Cu箔
13…第1絶縁膜
20…第2電子部品
21…第2基材
22…第2電極
23…第2絶縁膜
31…導電性接合材
32…絶縁性接合材
40…レジスト膜
101〜107…電子部品接合体
Claims (5)
- 第1基材と、当該第1基材の実装面に形成された第1電極と、前記第1電極の一部を露出させる開口、および前記第1電極に重ならない位置に形成された第1凹部を有し、前記第1基材の前記実装面および前記第1電極を被覆する第1絶縁膜と、を含む第1電子部品と、
第2基材と、当該第2基材の実装面に形成された第2電極と、を含む第2電子部品と、
前記第1電極と前記第2電極とが対面する状態で、前記第1電極と前記第2電極とを電気的に導通させる導電性接合材と、
前記第2電子部品の前記実装面と前記第1絶縁膜との間隙を封止する絶縁性接合材と、
を備え、
前記第1電極の厚さは前記第1絶縁膜の厚さよりも厚く、
前記第1電極の断面形状は、前記第1基材の前記実装面から離れるにしたがって幅が狭くなるテーパー形状であり、
前記第1凹部の断面形状は、前記第1基材の前記実装面に近づくにしたがって幅が狭くなるテーパー形状であり、
前記第1電子部品には、前記開口と前記開口から露出する前記第1電極の一部とによって、前記第1電極の一部を底部とする第3凹部が設けられ、
前記第1電極の一部は、前記導電性接合材に直接接合されている、電子部品の接合構造。 - 前記絶縁性接合材の線膨張係数は、前記第1基材の線膨張係数と前記第2基材の線膨張係数との間の値である、請求項1に記載の電子部品の接合構造。
- 前記第2電極の一部を露出させる開口と、前記第2電極に重ならない位置に形成された第2凹部とを有し、前記第2基材の前記実装面を被覆する第2絶縁膜を備え、前記絶縁性接合材は前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間隙を封止する、請求項1または2に記載の電子部品の接合構造。
- 第1基材の実装面に複数の第1電極を形成し、前記複数の第1電極のそれぞれの一部が露出する開口を有する第1絶縁膜を、前記第1基材の前記実装面および前記複数の第1電極に被覆して、前記複数の第1電極のうち隣接する第1電極の間に第1凹部を設ける、第1電子部品製造工程と、
第2基材の実装面に第2電極を形成する第2電子部品製造工程と、
前記第1電極のそれぞれの一部と前記第2電極とを導電性接合材を介して直接電気的に導通させる接合工程と、
前記第2基材の前記実装面と前記第1絶縁膜との間隙を絶縁性接合材で封止する封止工程と、
を備え、
前記第1電子部品製造工程は、前記第1基材の前記実装面にラミネートした金属箔の表面にレジスト膜を形成した後、エッチングすることにより、前記第1基材の前記実装面から離れるにしたがって断面形状の幅が狭くなるテーパー形状の前記複数の第1電極を形成する工程と、前記第1電極よりも厚みの薄い前記第1絶縁膜を、テーパー形状の前記複数の第1電極に沿って被覆することにより、前記第1基材の前記実装面に近づくにしたがって断面形状の幅が狭くなる形状の前記第1凹部を形成する工程と、前記第1絶縁膜の前記開口と前記開口から露出する前記複数の第1電極の一部とによって、前記複数の第1電極の一部を底部とする第3凹部が設けられる工程と、を含み、
前記第1電子部品と前記第2電子部品との接合体を製造する、電子部品接合体の製造方法。 - 前記第2電子部品製造工程は、前記第2基材の前記実装面に、前記第2電極の一部を露出させる開口と、前記第2電極に重ならない第2凹部とを有する第2絶縁膜を形成する工程を含む、請求項4に記載の電子部品接合体の製造方法。
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