JP2017531919A - 集積回路ダイが埋設された可撓性電子回路並びにその製造方法及び使用方法 - Google Patents

集積回路ダイが埋設された可撓性電子回路並びにその製造方法及び使用方法 Download PDF

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Abstract

可撓性集積回路(IC)モジュール、可撓性ICデバイス、及び可撓性ICモジュールを製造及び使用する方法が提示される。可撓性集積回路モジュールが開示され、これは、可撓性基板と可撓性基板に取り付けられた半導体ダイを含む。熱可塑性樹脂及び/又はポリイミド接着剤を含み、中に半導体ダイを封入する封止層が可撓性基板に取り付けられる。封止層は、アクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤であってもよい。任意に、封止層は、B−ステージFR−4ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー又はコポリマー又はブレンドであってもよい。ダイは2つの可撓性基板の間に埋設されてもよく、各可撓性基板はポリイミドシート等の可撓性ポリマーの層と、可撓性ポリマーの層の両側に配置された、銅張り等の導電性材料の2つの層とを含む。

Description

本開示は、一般に、プリント回路基板(PCB)及び集積回路(IC)に関する。より詳細には、本開示の態様は、ICダイが埋設された可撓性集積回路に関する。
集積回路(IC)は、情報化時代の要であり、今日の情報技術産業の基盤である。集積回路(別名「チップ」又は「マイクロチップ」)は、シリコンやゲルマニウムなどの半導体材料の小さなウェハ上にエッチング又はインプリントされたトランジスタ、キャパシタ、及びレジスタなどの相互接続された電子部品のセットである。集積回路は、非限定的な例として、マイクロプロセッサ、増幅器、フラッシュメモリ、特定用途向け集積回路(ASIC)、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、書き換え可能な読み出し専用メモリ(EPROM)、及びプログラマブルロジックを含む様々な形を取る。集積回路は、パーソナルコンピュータ、ラップトップコンピュータ及びタブレットコンピュータ、スマートフォン、フラットスクリーンテレビ、医療機器、電気通信及びネットワーク機器、航空機、船舶及び自動車を含む無数の製品に使用されている。
集積回路技術及びマイクロチップ製造の進歩により、チップサイズが着実に減少し、回路密度及び回路性能が向上している。半導体集積の規模は、1つの半導体チップが、1セント銅貨よりも小さいスペースに何千万個から十億個以上までのデバイスを保持できるまでに進歩している。さらに、最新のマイクロチップにおける各導線の幅は、1ナノメートルの数分の1の狭さにすることができる。半導体チップの動作速度及び全体的な性能(例えば、クロック速度及び信号ネットのスイッチング速度)は、集積度とともに増加する。オンチップの回路スイッチング周波数及び回路密度の増加に対応するために、半導体パッケージは現在、ほんの数年前のパッケージよりも多いピン数、より大きな電力損失、より高い保護及び速度を提供する。
従来のマイクロチップは、通常の動作環境において湾曲や伸張されるようには設計されていない剛性の構造体である。加えて、ほとんどのICは通常、ICと同程度に又はそれ以上に厚く、同様に剛性のプリント回路基板(PCB)に実装される。厚く剛性のプリント回路基板を使用するプロセスは、一般に、伸張可能又は屈曲可能な回路を必要とする用途には適合しない。そのため、マイクロチップを可撓性ポリマー基板の上又は中に埋設するための多くの方策が提案されている。これは、剛性のシリコンベースの電子デバイスでは他の態様では不可能な、多くの有用なデバイス構成を可能にする。しかしながら、これらの方策の多くは、PCBを構成する可撓性ポリマーの個々の層よりも、埋設チップがかなり厚いという前提に基づいている。そのような方策は、「薄いチップ」構成には適合しない。さらに、可撓性回路を製造するための利用可能なプロセスは、しばしば高価な材料の多数の層を必要とし、材料及び製造のコストを増大させるだけでなく、好ましくない厚い複合構造をもたらす。
本明細書では、半導体ダイが埋設された可撓性電子回路、その製造方法及び使用方法が開示される。本開示の実施形態は、集積回路のシリコン(Si)ダイ(又は、ガリウムヒ素(GaAs)から製造されたものや光発電用途向けのものを含む他の半導体ダイ)を、可撓性ポリマー、ポリイミド接着剤、又は他の可撓性ポリマー接着剤の層に埋設することを対象とする。本開示の態様は、シリコンICチップを基板に直接埋設する際に使用される可撓性基板材料の積層体を記載する。いくつかの構成は、例えば、ダイをポリイミド(PI)接着剤の層中に固定する。他の構成は、ダイを熱可塑性樹脂の層中に固定する。前述の例のいずれの場合でも、ダイが埋設された基板は、導電性金属コーティングを有する熱硬化性ポリマーシートの複数の層の間に挟み込まれてもよい。例えば2枚の両面銅張ポリイミドフィルムが、埋設基板材料を取り囲むことができる。その結果、4金属層可撓性プリント回路基板が得られる。
本開示の態様は、可撓性集積回路(IC)モジュールを対象とする。可撓性ICモジュールは、半導体ダイが取り付けられた可撓性基板を含む。可撓性ICモジュールはまた、可撓性基板に取り付けられ又は結合された封止層を含む。封止層は、熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤、又はそれらの両方を含み、その中に半導体ダイを封入する。封止層は、アクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤であってもよい。任意選択で、封止層は、BステージFR−4ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー、コポリマー又はブレンドであってもよい。ダイは2つの可撓性基板の間に埋設されてもよく、各可撓性基板はポリイミドシート等の可撓性ポリマーの層を含み、可撓性ポリマーの各層は銅張り等の2層の導電性材料を両面に有する。より多い又はより少ない層を有するモジュールもまた、本開示の範囲及び趣旨の範囲内にあると見込まれる。
本開示の他の態様によれば、非常に可撓性の電子デバイス用の可撓性集積回路(IC)パッケージが提示される。可撓性ICモジュールは、可撓性ポリマーの第1の層と導電性材料の第1の対の層とを有する第1の可撓性基板を含む。導電性材料の各層は、可撓性ポリマーの層のそれぞれの側に配置される。シリコンダイは第1の可撓性基板に取り付けられている。シリコンダイは、集積回路が形成されている電子グレードのシリコンのウェハを含む。可撓性ICモジュールはまた、可撓性ポリマーの第2の層と導電性材料の第2の対の層とを有する第2の可撓性基板を含む。導電性材料の各層は、可撓性ポリマーのそれぞれの側に配置される。封止層が、第1及び第2の可撓性基板の間に配置され、それらの両方に積層される。封止層は、熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤、又はそれらの両方を含み、その中にシリコンダイを封入する。
本開示の他の態様は、可撓性集積回路を製造する方法及び使用する方法を対象とする。一態様では、可撓性集積回路モジュールを組み立てる方法が開示される。この方法は、第1及び第2の可撓性基板を提供する工程であって、可撓性基板の各々は、可撓性ポリマーの層及び導電性材料の2つの層を含み、導電性材料の層の各々が可撓性ポリマーの層のそれぞれの側に配置されている、工程と;半導体ダイを第2の可撓性基板に取り付ける工程と;熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤又はそれらの両方を含む封止層を第1の可撓性基板に積層する工程と;熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤又はそれらの両方が半導体ダイの周りを流れて半導体ダイを封入するように、封止層及び第2の可撓性基板を第1の可撓性基板に積層する工程とを含む。熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤を使用することによって、接着材料の更なる層を必要とせずに、封止層を一方の基板にヒートセット積層し、続いて他方の基板にヒートセット積層することができる。これにより、製造コストと材料コストが削減され、モジュールの厚さと全体の体積が最小限に抑えられる。
上記概要は、本開示の各実施形態や全ての態様を表すことを意図するものではない。むしろ、前述の概要は、単に本明細書に記載された新規な態様及び特徴のいくつかの例示を提供するに過ぎない。本開示の上記の特徴及び利点、ならびに他の特徴及び利点は、以下の代表的な実施形態及び本発明を実施するための態様の詳細な説明を、添付の図面及び添付の特許請求の範囲と関連付けて参照すれば容易に明らかになるであろう。
本開示の態様による、柔軟なワイヤボンド相互接続によって接続された集積回路(IC)パッケージを有する可撓性電子回路システムの一例の斜視図である。 本開示の態様による多層ICモジュールを有する代表的な可撓性電子回路の断面側面図である。 本開示の態様による多層ICモジュールを有する別の代表的な可撓性電子回路システムの断面側面図である。
本開示は、様々な改変及び代替形態が可能であり、いくつかの代表的な実施形態は、図面において例として示されており、本明細書において詳細に記載される。しかしながら、本発明は開示された特定の形態に限定されるものではないことを理解されたい。むしろ、本開示は、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の趣旨及び範囲内に含まれるすべての改変物、均等物、組合せ、サブコンビネーション及び代替物を包含する。
本発明の実施形態の詳細な説明
本開示は、多くの異なる形態の実施形態が可能である。代表的な実施形態が図面に示され、本明細書において詳細に説明されるが、本開示は本開示の原理の具体化とみなされるべきであり、本開示の広範な態様を例示された実施形態に限定することを意図したものではないと理解されるものとする。その点で、例えば要約、概要、及び詳細な説明の欄に開示されているが、特許請求の範囲には明示的に記載されていない要素及び限定は、推測、推定その他によって、単独でも集合的にも、特許請求の範囲に包含されない。本詳細な説明の目的に関して、特に断らない限り、又は理論的に禁止されない限り:単数は複数を含み、その逆も同様である;「含む」又は「備える」又は「有する」という用語は、「限定せずに含む」を意味する。さらに、「約」、「ほぼ」、「実質的に」、「おおよそ」等の概算の用語は、本願において「丁度、付近、又は大体丁度」又は「3〜5%以内」又は「許容される製造公差内で」、又はそれらの任意の論理的組合せの意味で使用することができる。
語幹及びその派生語を含めた「可撓性」及び「伸張可能」及び「屈曲可能」という用語は、電気回路、電気システム、及び電気デバイス又は電気機器を修飾する形容詞として使用される場合、回路が裂けたり破損したり、電気的特性を損なうことなく、回路をそれぞれ撓め、伸張させ、及び/又は屈曲させることができるような柔軟性又は弾性特性を有する少なくともいくつかのコンポーネントを含む電子機器を包含することを意味する。これらの用語はまた、伸張可能、屈曲可能、膨張可能、又は他の態様の柔軟性を有する表面に適用された時に、適合して機能性を維持するように構成されたコンポーネント(コンポーネント自体が個々に伸張可能、可撓性又は屈曲可能であるか否かは問わない)を有する回路を包含することを意味する。「非常に伸張性の」とみなされる構成では、回路は、非伸張状態で見られる電気的性能を実質的に維持しながら、破壊することなく、−100%〜100%の範囲、いくつかの実施形態では、最大−100,000%〜+100,000%等の範囲で、かつ/又は、例えば180°以上の程度までの高回転ひずみで伸張及び/又は圧縮及び/又は屈曲可能である。
本明細書で言及される別個の「アイランド」又は「パッケージ」は、例えば「デバイスアイランド」構成で配置された個別の動作デバイスであり、それ自体が本明細書に記載の機能又はその一部を実行することができる。動作デバイスのそのような機能には、例えば、集積回路、物理的センサ(例えば、温度、pH、光、放射線など)、生物学的センサ、化学センサ、増幅器、A/D及びD/Aコンバータ、光コレクタ、電気機械変換器、圧電アクチュエータ、発光エレクトロニクス(例えば、LED)、及びそれらの任意の組合せが含まれる。1つ以上の標準IC(例えば、単結晶シリコン上のCMOS)を使用する目的と利点は、容易に入手できかつ周知の方法で大量生産された高品質、高性能、高機能の回路部品を使用することであり、これにより、受動的手段によってもたらされるものよりも遥かに勝る様々な機能性及びデータの生成が提供される。個々のアイランドの大きさは、限定するものではないが、端部又は直径で測定して約10〜100マイクロメートル(μm)の範囲とすることができる。
ここで図面を参照する。いくつかの図を通して同様の参照番号は同様の構成要素を示す。図1は、「非常に伸張性の」IC装置として適合されるか集積化することが可能な可撓性集積回路(IC)システムの例を、全体として10で示す。開示された概念の多くは、図面に示される代表的なシステムを参照して説明される。しかしながら、本明細書に例示されるシステムは、本開示の様々な本発明の態様及び特徴を適用することができる例示的な用途としてのみ提供される。したがって、本開示の新規な態様及び特徴それ自体は、図面に提示される特定の構成及び構成要素に限定されない。さらに、システムの選択された構成要素のみが示されており、以下でさらに詳細に説明される。しかしながら、本明細書で論じるシステム及びデバイスは、例えば、本明細書で開示される様々な方法及び機能を実行するための、多数の追加の及び代替の特徴、及び他の周知の周辺コンポーネントを含むことができる。図示された構成要素のいくつかは任意であり、したがって除外することができる。
図1の可撓性ICシステム10は、積層バッテリ12、マイクロチップ14のセット、センサ16、センサハブ18、アンテナ20、及び集積受動素子(IPD)22A、22B及び22Cの組合せ等の様々な電子部品(総称して「回路」と呼ぶ)を含む。この回路は、本明細書で説明するような可撓性の(例えば、伸張可能、屈曲可能及び/又は圧縮可能な)基板24に適用、固定、埋め込み又は他の方法で取り付けられる。そのため、基板24は、プラスチック材料又はエラストマー材料、又はそれらの組合せから作成することができる。IC基板材料に適した可撓性エラストマーの例には、ポリジメチルシロキサン(PDMS)を含む高分子有機ケイ素化合物(一般に「シリコーン」と呼ばれる)が挙げられる。基板24に適した材料の他の非限定的な例には、ポリイミド、光パターン形成可能なシリコン、SU8ポリマー、PDSポリダストレン、パリレン(登録商標)及びその誘導体及びコポリマー(パリレン(登録商標)−N)、超高分子量ポリエチレン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリウレタン、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、ポリマー複合体、シリコーン/シロキサン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアミド酸、ポリメチルアクリレート、及びそれらの組合せが挙げられる。基板24は、任意の可能な数の形状、大きさ、及び構成とすることができる。図示の例では、基板は実質的に平坦であり、いくつかの実施形態では、細長いシート又は片として構成される。
図1の回路は、様々なパラメータのいずれかを検出するための1つ又は複数のセンサ16(「センサデバイス」とも呼ばれる)を含む。これらのパラメータは、熱的パラメータ(例えば温度)、光学的パラメータ(例えば赤外線エネルギー)、電気化学的及び生化学的パラメータ、例えばpH、酵素活性、血液成分(例えばグルコース)、イオン濃度、及びタンパク質濃度、電気的パラメータ(例えば、抵抗、導電率、インピーダンス等)、音響パラメータ、触覚パラメータ(例えば、圧力、表面特性、又は他のトポグラフィー特徴)等を任意の組合せで含み得る。これに関し、センサ16の1つ以上は熱電対、シリコンバンドギャップ温度センサ、薄膜抵抗温度デバイス、LEDエミッタ、光検出器、圧電センサ、超音波センサ、イオン感受性電界効果トランジスタ等であってもよい。いくつかの実施例では、センサ16の1つ以上は、差動増幅器及び/又はバッファ及び/又はアナログ−デジタルコンバータに結合することができる。センサハブ18は、マイクロコントローラ又はデジタル信号プロセッサ(DSP)の性質を有することができ、センサ16からのデータ信号を統合してそのような信号を処理するように動作する。センサ16からの信号は、多重化技術を用いて処理することができ、1つ以上のマイクロチップ14を含む1つ又は数個の増幅器/論理回路に切り替えて処理することができる。
バッテリ12は、図1の可撓性ICシステム10の回路に電力を供給するための電源として働く。サイズが小さく、適切なアンペア時の容量で十分に長い寿命を有する任意の適切なバッテリを採用することができる。システム10に電力を供給するために、外部電源を含む代替手段を使用することも本開示の範囲内である。いくつかの実施形態によれば、可撓性ICシステム10はまた、外部装置と無線通信するためのRFアンテナ20を備えたデータ伝送設備を含む。アンテナ20は、低周波、高周波又は超高周波アンテナとして動作可能な、ビア付きのプリントされたトレースアンテナコイルを含む様々な形態をとることができる。有線及び無線信号伝送の他の形態も、本開示の範囲内である。各集積受動デバイス(IPD)22A〜22Cは、いくつかの非限定的な例として、フィルタ、変圧器、フォトダイオード、LED、TUFT、電極、半導体、デュプレクサ、カプラ、位相シフタ、薄膜デバイス、回路要素、制御要素、マイクロプロセッサ、キャパシタ、レジスタ、インダクタ、バッファ又は他の受動素子を含む。
基板24が伸張可能又は圧縮可能である実施形態では、例示される回路は、伸張可能又は圧縮可能であるように、かつ/又は基板24のそのような伸張/圧縮に適合するように、本明細書に記載されたような適用可能な方法で構成される。同様に、基板24が屈曲可能であるが、必ずしも伸張可能ではない実施形態では、図示された回路は、屈曲可能かつ/又は基板のそのような屈曲に適合するように、本明細書に記載されたような適用可能な方法で構成される。例えば、例示されるモジュール又は「アイランド」の各々は、1つ又は複数の隣接するモジュールに、ワイヤボンディングされた可撓性の相互接続で接続され、その一部は図1では全体として26で示されている。個々の相互接続部のデバイスアイランドへの接続点は、デバイスアイランドの縁に沿ったどこにあってもよく、又はデバイスアイランドの上面の点(すなわち、基板24と反対側の面)にあってもよい。ボンドワイヤ26は、モジュール上の外部実装ボンドパッド28に取り付けられ、隣接するモジュール上の対応する外部実装ボンドパッド28まで延在する。ボンドワイヤは、任意の既知のワイヤボンディング技術、例えば:圧力と超音波振動バーストの組合せを使用して金属冷間圧接を形成する超音波ボンディング;圧力と高温との組合せを使用して溶接を形成する熱圧着;高温、及び超音波振動バーストの組合せを使用して溶接接合部を形成するサーモソニックボンディングにより取り付けられ得る。
次に図2を参照すると、1つ又は複数の多層ICモジュールを有する代表的な可撓性電子回路システム(全体として100で示される)の断面図が示されている。外観が異なるが、図2の可撓性ICシステム100は、図1及び図3に示された例に関して本明細書に記載された様々な形態、任意選択の構成、及び機能的な代替形態のいずれをも取ることができ、よって、対応する選択肢及び特徴のいずれをも含むことができる。図1のシステム10と同様に、例えば、図2のシステム100は、超薄型の、極めて伸張性のある集積回路システムとして構成することができる。さらに、システム100は、複数の別個のデバイス(そのうちの1つが図2に、可撓性ICモジュール102によって示されている)の組合せを含むことができ、これらは「デバイスアイランド」構成に配置され、例えば柔軟な電気的相互接続によって電気的に結合されている。システム100は、図面に示されている別個のデバイスの数よりも多い又は少ない数を含むことが考えられ、その各々は代替の形態及び構成を取ることができる。
図2の実施形態において、ICモジュール102は、必ずしも限定されないが、本明細書に記載の機能の1つ以上を実行可能な可撓性の多層集積回路(IC)パッケージ又は「積層体」を含む。モジュール102は、少なくとも2つの可撓性基板106A及び106Bの間に配置された少なくとも1つの半導体ダイ104を含む。図示されるように、半導体ダイ104(本明細書では「シリコンダイ」とも呼ぶ)は、集積回路(又はマイクロチップ)105が(例えば、フォトリソグラフィ又は業界で認められている任意の他の既知の技術により)形成された電子グレードのシリコン103のウェハを含む。いくつかの実施形態では、半導体ダイ104は、第2の可撓性基板106Bに直接接着される。マイクロチップ105は、約2〜7μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約5〜7μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約3〜5μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約2〜3μmの厚さの「薄いチップ」構成であってもよい。比較すると、半導体ダイ104は例えば、約10〜50μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約35〜50μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約15〜25μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約10〜15μmの厚さを有する。本明細書で説明する代表的なシステム、方法及びデバイスでは、薄いチップの各々は、1つ又は複数の受動電子デバイス及び/又は1つ又は複数の能動電子デバイスとすることができる。本明細書に記載の原理のいずれかに従って埋設することができるデバイスの非限定的な例には、増幅器、トランジスタ、フォトダイオードアレイ、光検出器、センサ、発光デバイス、光起電デバイス、半導体レーザアレイ、光学イメージングデバイス、論理ゲートアレイ、マイクロプロセッサ、光電子デバイス、微小電気機械デバイス、微小流体デバイス、ナノ電気機械デバイス、熱デバイス、又は他のデバイス構造が挙げられる。
シリコンダイ104が図2に示されており、第1及び第2の可撓性基板106A、106Bの間に挟まれており、これらはそれぞれ、1つ以上の可撓性導電層が差し挟まれた1つ以上の可撓性ポリマー層を含む。図示されているように、第1の可撓性基板106Aは、可撓性ポリマー112Aの(第1の)層のそれぞれの側に配置された導電性材料の2つの(第1の)層110Aを含む。同様に、第2の可撓性基板106Bは、可撓性ポリマー112Bの(第2の)層のそれぞれの側に配置された導電材料の2つの(第2の)層110Bを含む。可撓性ポリマー112A、112Bの層は、熱硬化性ポリイミドポリマーのシートとして製造することができ、導電性材料の層110A、110Bは、金属のシート又はコーティングとして製造することができる。1つの特定の実施例では、可撓性ポリマー層112A、112Bは、デュポン(DuPont)から入手可能なKAPTON(登録商標)フィルム等の液晶ポリマー又はポリイミドポリマーから製造される。別例として、可撓性ポリマー層112A、112Bは、図1の基板24に関して上述した材料又は可撓性電子回路に適した他の材料のいずれからも製造することができる。ポリマー層112A、112Bはそれぞれ、約7μm〜約85μm、又はいくつかの実施形態では約60μm〜約85μm、又はいくつかの実施形態では約25μm〜約50μm、又はいくつかの実施形態では約7μmから約10μmの厚さを有することができる。モジュール102は、図2に示される層よりも多い又は少ない層を含むことが想定される。
第1及び第2の導電性の(ポリマー又は金属の)層110A、110Bは、図2に示すように、可撓性ポリマー層112A、112Bの対向する側に配置される。一例では、銅張りの層が、例えば、電気メッキ、ボンディング、又は他の既知のクラッディング技術を介して、細長い平坦なポリイミドシートの対向する面に適用される。その後、両面銅張りポリイミドのシートを、アブレーション、エッチング又は他の類似のパターニング方法を用いて回路とともにパターニングすることができる。各導電層110A、110Bは、約5μm〜約20μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約15μm〜約20μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約10μm〜約12μmの厚さ、又はいくつかの実施形態では約5μm〜約8μmの厚さを有することができる。導電層は、例えば、アルミニウム又は銅とアルミニウムの組合せを含む他の金属材料、ならびに非金属材料から製造することもできる。
封止層108は、図2の2つの可撓性基板106A、106Bの間に配置され、それらに取り付けられ又は結合される。封止層108は、ダイ104が可撓性基板106Bと封止層108との間に封入されるように、半導体ダイ104を覆うポリイミド(PI)接着剤であってもよい。いくつかの実施形態では、封止層108は、アクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤であり、最初に1つの可撓性基板106B上に積層され、ダイ104上を流れて包囲し、続いて別の基板106Aに積層されて多層積層体を形成する。封止層108は、約15μm〜約65μm、又はいくつかの実施形態では約20μm〜約55μm、又はいくつかの実施形態では約25μm〜約50μmの厚さを有することができる。封止層108の厚さは、少なくともいくつかの実施形態では16μmである。封止層108は、組み立て及び処理の温度に耐えるように構成された導電性接着剤又は非導電性(誘電性)接着剤であってもよい。いくつかの任意かつ代替の構成では、封止層108は、フルオロポリマー接着剤、ポリイミド混合接着剤、エポキシ接着剤、又はデュポン(DuPont)から入手可能なPYRALUX(登録商標)Bond−Ply等のアクリル系接着剤、あるいはこれらの組合せであってもよい。
ポリイミド接着剤は、熱的酸化安定性、高い使用温度性能(例えば575°F+(302℃))、耐湿性及び耐環境性を維持しながら、複合材ラミネートと、銅、ステンレス鋼及びチタン等の様々な高温金属基板とを結合させることができる非金属有機接着剤である。集積回路用途に適した他の多くの利用可能な接着剤組成物とは異なり、PI接着剤は、結果として生じる接着の構造的完全性を損なうことなく積層及び再積層することができる。ポリイミド接着剤又は熱可塑性樹脂(図3で後述する)を使用することによって、封止層を1つの基材にヒートセット積層し、続いて追加の接着剤材料の層を必要とせずに別の基材にヒートセット積層することができる。これにより、製造コストと材料コストが削減され、モジュールの厚さと全体の体積が最小限に抑えられる。
多層積層体の異なる層の間の導電性接続を可能にするために、例えばレーザドリルを用いて、可撓性ICパッケージの外層を貫通するチャネルとして1つ以上のビアを形成することができる。例えば図2では、可撓性ICモジュール102は、モジュール102(例えば、3層基板106A)の最上層を貫通してマイクロチップ105まで延在する一対のビア116を含む。これらのビア116が形成されると、ビア116は上部導電層110Aからダイの1つ以上の電気コンタクトパッドへの電気的接続を形成するために、電気メッキされるか、又はスパッタリング又は他の既知の技術によって充填され得る。次いで、導電層をパターニングし、各導電層の外面にオーバーレイを適用することができる。いくつかの実施例では、オーバーレイは非導電性ポリマーである。
例示された多層ICパッケージは、図2に示されるサンドイッチ構造よりも多くの、又はより少ない層を含むことが企図される。また、明細書及び特許請求の範囲における用語「層」の使用は、特許請求の範囲において、そうでないことが明示的に記載されない限り、必ずしもサンドイッチ構造の特定のセグメントが、連続的であることや他の全ての層全体に及ぶ(すなわち、同一の広がりを持つ)ことを必要としない点にも留意されたい。いくつかの用途では好ましいことであるが、一方の可撓性基板の層が他方の可撓性基板の層と同じ材料から製造されることは、実際には必ずしも必要ではない。いくつかの実施例では、多層パッケージは、1つ以上の隣接するデバイスとの電気的結合に先立って、別個の統一された構造として真空積層されることが望ましい場合がある。
図3は、別の代表的な可撓性電子回路システムを、1つ又は複数の多層ICモジュールと共に全体として200で示す。図3では、図2と同様の構造を示すために同様の参照番号が使用されている。例えば、図3のシステム200は可撓性ICモジュール202を含む個別のデバイスの組合せを含むことができ、これらは「デバイスアイランド」構成に配置され、例えば、可撓性の電気的相互接続によって電気的に結合されている。さらに、可撓性ICシステム200は、明示的に又は理論的に禁止されない限り、図面に示された他の例に関して本明細書に記載された(逆の場合も同様)様々な形態、任意選択の構成、及び機能的代替物のいずれをも取ることができる。
図2に例示された例と同様に、図3のICモジュール202は、少なくとも2つの可撓性基板206A及び206Bの間に配置された少なくとも1つの半導体ダイ204を有する可撓性多層集積回路(IC)パッケージを含む。いくつかの実施形態では、半導体ダイ204は第2の可撓性基板206Bに直接接着される。第1及び第2の可撓性基板206A、206Bの各々は、1つ又は複数の可撓性の導電層に挟み込まれた1つ又は複数の可撓性ポリマー層を含む。本明細書に開示される本発明の態様を実施するためにそれ自体は必要とされないが、図3の半導体ダイ204及び可撓性基板206A、206Bは、図2に示されるそれらの対応物と構造及び機能が同一であり得る。したがって、簡潔にするため、これらの要素の重複した説明は省略する。
封止層208は、図3の2つの可撓性基板206A、206Bの間に配置され、それらに取り付けられている。図2に記載されたポリイミド接着剤に加えて、又はそれに代えて、図3の封止層208は、半導体ダイ204が可撓性基板206Bと封止層208との間に封入されるように、ダイ204を覆う熱可塑性ポリマー、コポリマー又はポリマーブレンド(まとめて「熱可塑性樹脂」と称する)であってもよい。いくつかの実施形態では、封止層208は、BステージFR−4ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー又はコポリマー又はブレンドであり、最初に1つの可撓性基板206B上に積層され、ダイ204上を流れて包囲し、次いで別の基板206Aに積層されて多層積層体を形成する。いくつかの非限定的な例において、熱可塑性樹脂には、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレン(PET)、及びポリウレタン(PU)、ならびにこれらの材料の任意の複合体又はコポリマーブレンドが挙げられる。コポリマーブレンドは、これらの熱可塑性ポリマーのうちの1つの上にポリイミド層を含むことができる。封止層208は、約15μm〜約65μm、又はいくつかの実施形態では約20μm〜約55μm、又はいくつかの実施形態では約25μm〜約50μmの厚さを有することができる。
ダイを封入するために熱硬化性コア上に熱可塑性コアを使用することの機能上の利点は、熱硬化性プラスチックが恒久的な固体状態を維持するのに対して、熱可塑性ポリマーは溶融させ、さらに再溶融させて可塑化状態又は液体状態に戻すことができる点にある。熱可塑性樹脂は、加熱すると軟化し、更に熱が加えられるにつれてより流動性になる。また、化学的結合が生じないため、硬化の過程は可逆的である。この特性により、材料の物理的性質に悪影響を与えることなく、熱可塑性樹脂を再加熱及び再成形することが可能になる。様々な性能上の利点をもたらす多数の熱可塑性樹脂があるが、ほとんどの材料が共通して高強度、耐収縮性、及び容易な曲げ性を提供する。
可撓性集積回路の製造方法も本明細書に開示される。これらの方法は、図面の図1〜3に示す様々な構成及び特徴を参照して説明される。そのような参照は、純粋に説明及び明確化のために提供される。一例では、方法300が図4に示されており、ここでは先ずステップ301で第1及び第2の可撓性基板(例えば図2の基板106A,B又は図3の基板206A,B)を提供する。上記で示したように、各基板は、可撓性ポリマーの層(例えば、図2の可撓性ポリマー層112A,B)と、可撓性ポリマー層の両側に配置された導電性材料の層(例えば、図2の導電性材料層110A,B)とを含むことができる。上記で示したように、可撓性基板は、両面銅張ポリイミドフィルムのシートを含むことができる。方法300は、次いでステップ303において、両方の基板に回路をパターニングすることを必要としてもよい。
ステップ305において、シリコンベースの半導体ダイ(例えば、図2及び3の半導体ダイ104及び204)を続いて一方の可撓性基板(例えば、図2及び3の第2の可撓性基板106B又は206B)上に直接配置し、例えば無調整のエポキシによって、その外側金属層に直接取り付け又は結合させる。図4に示すように、方法300はその後ステップ307において、他方の可撓性基板(例えば、図2及び3の第1の可撓性基板106A又は206A)に封止層(例えば、PI接着剤又は熱可塑性樹脂)を積層することを含む。ステップ3−9において、封止層を有する可撓性基板は続いて、封止層の熱可塑性樹脂及び/又はポリイミド接着剤が半導体ダイの周りを流れて半導体ダイを封入するように、シリコンダイを有する他方の可撓性基板に積層される。ステップ311において、次に、1つ以上のビアを、半導体ダイ上のコンタクトまで第2の可撓性基板及び封止層を貫通して穿孔するか、又は他の方法で形成することができる。方法300は、その後、第1の可撓性基板を半導体ダイに接続するためにビアを電気メッキすることを含んでもよい。その後、追加の回路パターニングを実行して保護ソルダーマスクを積層体の外面に適用してもよい。
いくつかの実施形態において、前述の方法は、少なくとも上記に列挙したステップを含む。ステップを省略し、追加のステップを含み、かつ/又は本明細書に提示された順序を変更することも、本開示の範囲及び趣旨の範囲内である。前述の方法の各々は、関連するステップの1つの順序の代表例であり得るが、これらの方法の各々は、体系的かつ反復的に実施されることも想定されることにさらに留意すべきである。
本開示は、本明細書に開示される厳密な構造及び組成物に限定されず、前述の説明から明らかな任意の及び全ての改変、変更及び変形は、添付の特許請求の範囲に定義される本開示の趣旨及び範囲に含まれる。さらに、本発明の概念は、前述の要素及び態様の任意の及び全ての組合せ及びサブコンビネーションを明白に含む。

Claims (22)

  1. 可撓性集積回路(IC)モジュールであって、
    可撓性基板と、
    可撓性基板に取り付けられた半導体ダイと、
    可撓性基板に取り付けられているとともに、熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤、又はそれらの組合せを含む封止層と
    を含み、封止層は半導体ダイを封入しているか、又は封止層に半導体ダイが挟まれている、可撓性集積回路モジュール。
  2. 封止層がポリイミド接着剤である、請求項1に記載の可撓性集積回路モジュール。
  3. ポリイミド接着剤は、アクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤を含む、請求項2に記載の可撓性集積回路モジュール。
  4. 封止層が熱可塑性樹脂である、請求項1に記載の可撓性集積回路モジュール。
  5. 熱可塑性樹脂は、BステージFR−4ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー又はコポリマー又はブレンドである、請求項4に記載の可撓性集積回路モジュール。
  6. 半導体ダイは、集積回路が取り付けられた電子グレードのシリコンウェハを含む、請求項1に記載の可撓性集積回路モジュール。
  7. 可撓性基板は可撓性ポリマーの層及び導電性材料の2つの層を含み、導電性材料の層の各々が可撓性ポリマーの層のそれぞれの側に配置されている、請求項1に記載の可撓性集積回路モジュール。
  8. 可撓性ポリマーの層は熱硬化性ポリイミドポリマーのシートを含み、導電性材料の各層は銅コーティングを含む、請求項7に記載の可撓性集積回路モジュール。
  9. 銅コーティングの各層は、熱硬化性ポリイミドポリマーのシートのそれぞれの側においてパターニングされている、請求項8に記載の可撓性集積回路モジュール。
  10. 封止層の、前記可撓性基板とは反対側に取り付けられた第2の可撓性基板を更に含む、請求項7に記載の可撓性集積回路モジュール。
  11. 第2の可撓性基板は、可撓性ポリマーの第2の層及び導電性材料の2つの第2の層を含み、導電性材料の第2の層の各々が可撓性ポリマーの第2の層のそれぞれの側に配置されている、請求項10に記載の可撓性集積回路モジュール。
  12. 可撓性ポリマーの第2の層は熱硬化性ポリイミドポリマーのシートを含み、導電性材料の第2の層の各々は銅コーティングを含む、請求項11に記載の可撓性集積回路モジュール。
  13. 第2の可撓性基板は、それを貫通して半導体ダイまで延在する1つ以上のビアを更に含む、請求項10に記載の可撓性集積回路モジュール。
  14. 封止層がポリウレタンから製造されている、請求項1に記載の可撓性集積回路モジュール。
  15. 極めて可撓性の電子デバイスのための可撓性集積回路(IC)パッケージであって、
    可撓性ポリマーの第1の層、及び、前記可撓性ポリマーの第1の層のそれぞれの側に各々配置されている導電性材料の第1の対の層を含む第1の可撓性基板と、
    第1の可撓性基板に取り付けられ、集積回路が形成された電子グレードのシリコンウェハを含むシリコンダイと、
    可撓性ポリマーの第2の層、及び、前記可撓性ポリマーの第2の層のそれぞれの側に各々配置されている導電性材料の第2の対の層を含む第2の可撓性基板と、
    第1及び第2の可撓性基板の間に配置されるとともにそれらに積層され、かつ前記シリコンダイを封入している熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤、又はそれらの両方を含む封止層と
    を含む、可撓性集積回路パッケージ。
  16. 可撓性回路(IC)モジュールを組み立てる方法であって、
    第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板を提供する工程であって、可撓性基板の各々は、可撓性ポリマーの層及び導電性材料の2つの層を含み、導電性材料の層の各々が可撓性ポリマーの層のそれぞれの側に配置されている、工程と、
    半導体ダイを第2の可撓性基板に取り付ける工程と、
    熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤、又はそれらの両方を含む封止層を、第1の可撓性基板に積層する工程と、
    前記熱可塑性樹脂又は前記ポリイミド接着剤、又はそれらの両方が、半導体ダイの周りを流れて半導体ダイを封入するように、封止層及び第1の可撓性基板を第2の可撓性基板に積層する工程と
    を含む、方法。
  17. 第1及び第2の可撓性基板の導電性材料の層の1つ又は複数に回路をパターニングする工程を更に含む、請求項16に記載の方法。
  18. 1つ以上のビアを、第1の可撓性基板を貫通させて半導体ダイまでレーザ穿孔する工程を更に含む、請求項16に記載の方法。
  19. 第1の可撓性基板を半導体ダイに接続するために前記1つ以上のビアを電気メッキする工程を更に含む、請求項18に記載の方法。
  20. 前記封止層がポリイミド接着剤であり、前記ポリイミド接着剤が、アクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤を含む、請求項16に記載の方法。
  21. 封止層が熱可塑性樹脂であり、前記熱可塑性樹脂がBステージFR−4ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー又はコポリマー又はブレンドを含む、請求項16に記載の方法。
  22. 封止層がポリウレタン材料から製造されている、請求項16に記載の方法。
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US9123614B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US9226402B2 (en) 2012-06-11 2015-12-29 Mc10, Inc. Strain isolation structures for stretchable electronics
US9295842B2 (en) 2012-07-05 2016-03-29 Mc10, Inc. Catheter or guidewire device including flow sensing and use thereof
WO2014058473A1 (en) 2012-10-09 2014-04-17 Mc10, Inc. Conformal electronics integrated with apparel
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US9706647B2 (en) 2013-05-14 2017-07-11 Mc10, Inc. Conformal electronics including nested serpentine interconnects
EP3030873A4 (en) 2013-08-05 2017-07-05 Mc10, Inc. Flexible temperature sensor including conformable electronics
CN105705093A (zh) 2013-10-07 2016-06-22 Mc10股份有限公司 用于感测和分析的适形传感器系统
US9949691B2 (en) 2013-11-22 2018-04-24 Mc10, Inc. Conformal sensor systems for sensing and analysis of cardiac activity
KR102396850B1 (ko) 2014-01-06 2022-05-11 메디데이타 솔루션즈, 인코포레이티드 봉지형 컨포멀 전자 시스템 및 디바이스, 및 이의 제조 및 사용 방법
CN106063392B (zh) 2014-03-04 2020-06-02 Mc10股份有限公司 电子器件的多部分柔性包封壳体
US9899330B2 (en) * 2014-10-03 2018-02-20 Mc10, Inc. Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die
USD781270S1 (en) 2014-10-15 2017-03-14 Mc10, Inc. Electronic device having antenna
CN206976318U (zh) * 2014-11-21 2018-02-06 株式会社村田制作所 模块
US10299379B2 (en) * 2014-11-27 2019-05-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Sheet-shaped stretchable structure, and resin composition for stretchable resin sheet and stretchable resin sheet used for the structure
CN107530004A (zh) 2015-02-20 2018-01-02 Mc10股份有限公司 基于贴身状况、位置和/或取向的可穿戴式设备的自动检测和构造
US10653332B2 (en) 2015-07-17 2020-05-19 Mc10, Inc. Conductive stiffener, method of making a conductive stiffener, and conductive adhesive and encapsulation layers
CN107851212B (zh) * 2015-07-30 2021-09-24 索尼公司 电路、通信设备和用于制造电路的方法
US10709384B2 (en) 2015-08-19 2020-07-14 Mc10, Inc. Wearable heat flux devices and methods of use
WO2017059215A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Mc10, Inc. Method and system for interacting with a virtual environment
US10532211B2 (en) 2015-10-05 2020-01-14 Mc10, Inc. Method and system for neuromodulation and stimulation
EP3420732B8 (en) 2016-02-22 2020-12-30 Medidata Solutions, Inc. System, devices, and method for on-body data and power transmission
WO2017147053A1 (en) 2016-02-22 2017-08-31 Mc10, Inc. System, device, and method for coupled hub and sensor node on-body acquisition of sensor information
EP3445230B1 (en) 2016-04-19 2024-03-13 Medidata Solutions, Inc. Method and system for measuring perspiration
US10447347B2 (en) 2016-08-12 2019-10-15 Mc10, Inc. Wireless charger and high speed data off-loader
US20190287881A1 (en) 2018-03-19 2019-09-19 Stmicroelectronics S.R.L. Semiconductor package with die stacked on surface mounted devices
KR102538704B1 (ko) * 2018-12-04 2023-06-01 에스케이하이닉스 주식회사 플렉시블 브리지 다이를 포함한 스택 패키지
US11076491B2 (en) 2019-10-16 2021-07-27 Compass Technology Company Limited Integrated electro-optical flexible circuit board
US11464451B1 (en) 2020-03-11 2022-10-11 Huxley Medical, Inc. Patch for improved biometric data capture and related processes
US11123011B1 (en) 2020-03-23 2021-09-21 Nix, Inc. Wearable systems, devices, and methods for measurement and analysis of body fluids
US11239150B2 (en) 2020-03-25 2022-02-01 International Business Machines Corporation Battery-free and substrate-free IoT and AI system package
US11145580B1 (en) 2020-03-25 2021-10-12 International Business Machines Corporation IoT and AI system package with solid-state battery enhanced performance
US11610851B2 (en) 2020-04-29 2023-03-21 Stmicroelectronics, Inc. Die embedded in substrate with stress buffer
US11660005B1 (en) 2021-06-04 2023-05-30 Huxley Medical, Inc. Processing and analyzing biometric data
TWI824277B (zh) * 2021-08-06 2023-12-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195904A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体素子の組立方法
JP2013128060A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
WO2014059032A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-17 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer

Family Cites Families (281)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3716861A (en) 1971-03-22 1973-02-13 J Root Serpentine antenna mounted on a rotatable capacitive coupler
US3805427A (en) 1972-12-18 1974-04-23 H Epstein Medical alarm bracelet
CA1105565A (en) 1978-09-12 1981-07-21 Kaufman (John G.) Hospital Products Ltd. Electrosurgical electrode
US4416288A (en) 1980-08-14 1983-11-22 The Regents Of The University Of California Apparatus and method for reconstructing subsurface electrophysiological patterns
US4658153A (en) 1984-06-18 1987-04-14 Amnon Brosh Planar coil apparatus for providing a frequency output vs. position
US4859571A (en) * 1986-12-30 1989-08-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Embedded catalyst receptors for metallization of dielectrics
KR960000980B1 (ko) * 1990-03-27 1996-01-15 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 무전해도금용 기재 접착제, 이 접착제를 사용한 프린트 회로판 및 이의 용도
US6387052B1 (en) 1991-01-29 2002-05-14 Edwards Lifesciences Corporation Thermodilution catheter having a safe, flexible heating element
EP0578748B1 (en) 1991-04-05 1996-05-01 Medtronic, Inc. Subcutaneous multi-electrode sensing system
JPH0587511A (ja) 1991-07-24 1993-04-06 Yamaha Corp 曲げ検出装置
US5374469A (en) * 1991-09-19 1994-12-20 Nitto Denko Corporation Flexible printed substrate
US5272375A (en) 1991-12-26 1993-12-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic assembly with optimum heat dissipation
US5491651A (en) 1992-05-15 1996-02-13 Key, Idea Development Flexible wearable computer
US5306917A (en) 1992-08-12 1994-04-26 Reliant Laser Corporation Electro-optical system for measuring and analyzing accumulated short-wave and long-wave ultraviolet radiation exposure
US6233491B1 (en) 1993-03-16 2001-05-15 Ep Technologies, Inc. Cardiac mapping and ablation systems
US5617870A (en) 1993-04-29 1997-04-08 Scimed Life Systems, Inc. Intravascular flow measurement system
US5326521A (en) 1993-05-26 1994-07-05 East Douglas A Method for preparing silicone mold tooling
EP0722563A4 (en) 1993-08-24 1998-03-04 Metrika Lab Inc NEW ELECTRONIC DISPOSABLE ANALYSIS DEVICE
US5360987A (en) 1993-11-17 1994-11-01 At&T Bell Laboratories Semiconductor photodiode device with isolation region
US5426263A (en) * 1993-12-23 1995-06-20 Motorola, Inc. Electronic assembly having a double-sided leadless component
EP1213754A3 (en) * 1994-03-18 2005-05-25 Hitachi Chemical Co., Ltd. Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package
US5454270A (en) 1994-06-06 1995-10-03 Motorola, Inc. Hermetically sealed pressure sensor and method thereof
US5567975A (en) 1994-06-30 1996-10-22 Santa Barbara Research Center Group II-VI radiation detector for simultaneous visible and IR detection
US6023638A (en) 1995-07-28 2000-02-08 Scimed Life Systems, Inc. System and method for conducting electrophysiological testing using high-voltage energy pulses to stun tissue
US5612513A (en) 1995-09-19 1997-03-18 Micron Communications, Inc. Article and method of manufacturing an enclosed electrical circuit using an encapsulant
US5567657A (en) * 1995-12-04 1996-10-22 General Electric Company Fabrication and structures of two-sided molded circuit modules with flexible interconnect layers
SE9600334D0 (sv) 1996-01-30 1996-01-30 Radi Medical Systems Combined flow, pressure and temperature sensor
JP3957803B2 (ja) 1996-02-22 2007-08-15 キヤノン株式会社 光電変換装置
US5880369A (en) 1996-03-15 1999-03-09 Analog Devices, Inc. Micromachined device with enhanced dimensional control
US5817008A (en) 1996-10-31 1998-10-06 Spacelabs Medical, Inc. Conformal pulse oximetry sensor and monitor
US6063046A (en) 1997-04-11 2000-05-16 Allum; John H. Method and apparatus for the diagnosis and rehabilitation of balance disorders
US5972152A (en) * 1997-05-16 1999-10-26 Micron Communications, Inc. Methods of fixturing flexible circuit substrates and a processing carrier, processing a flexible circuit and processing a flexible circuit substrate relative to a processing carrier
US20050096513A1 (en) 1997-11-11 2005-05-05 Irvine Sensors Corporation Wearable biomonitor with flexible thinned integrated circuit
DE59803887D1 (de) 1998-01-22 2002-05-23 Fraunhofer Ges Forschung Mikrosystem und verfahren zum herstellen eines mikrosystems
SG86345A1 (en) * 1998-05-14 2002-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit board and method of manufacturing the same
US7209787B2 (en) 1998-08-05 2007-04-24 Bioneuronics Corporation Apparatus and method for closed-loop intracranial stimulation for optimal control of neurological disease
IT1310000B1 (it) 1999-01-26 2002-02-05 Consiglio Nazionale Ricerche Sensore a fibra ottica e trasduttore fotocromico per fotometria eradiometria e relativo metodo
US20020082515A1 (en) 1999-07-01 2002-06-27 Campbell Thomas H. Thermography catheter
GB2355116B (en) 1999-10-08 2003-10-08 Nokia Mobile Phones Ltd An antenna assembly and method of construction
US6641860B1 (en) 2000-01-03 2003-11-04 T-Ink, L.L.C. Method of manufacturing printed circuit boards
US6489178B2 (en) 2000-01-26 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
EP1272117A2 (en) 2000-03-31 2003-01-08 Rita Medical Systems, Inc. Tissue biopsy and treatment apparatus and method
US20040106334A1 (en) 2000-06-14 2004-06-03 Tatsuo Suzuki Microparticle arrangement film, electrical connection film, electrical connection structure, and microparticle arrangement method
US6511478B1 (en) 2000-06-30 2003-01-28 Scimed Life Systems, Inc. Medical probe with reduced number of temperature sensor wires
US6640120B1 (en) 2000-10-05 2003-10-28 Scimed Life Systems, Inc. Probe assembly for mapping and ablating pulmonary vein tissue and method of using same
US6775906B1 (en) 2000-10-20 2004-08-17 Silverbrook Research Pty Ltd Method of manufacturing an integrated circuit carrier
US6421016B1 (en) 2000-10-23 2002-07-16 Motorola, Inc. Antenna system with channeled RF currents
US6743982B2 (en) 2000-11-29 2004-06-01 Xerox Corporation Stretchable interconnects using stress gradient films
US6603440B2 (en) 2000-12-14 2003-08-05 Protura Wireless, Inc. Arrayed-segment loop antenna
US20030017848A1 (en) 2001-07-17 2003-01-23 Engstrom G. Eric Personalizing electronic devices and smart covering
US6944482B2 (en) 2001-01-22 2005-09-13 Wildseed Ltd. Visualization supplemented wireless mobile telephony
DE60207216T2 (de) 2001-03-08 2006-07-06 Medtronic, Inc., Minneapolis Leitung mit zwischen elektroden einstellbaren winkel- und raumpositionen
JP3788917B2 (ja) * 2001-04-02 2006-06-21 日東電工株式会社 フレキシブル多層配線回路基板の製造方法
US6600363B2 (en) 2001-04-05 2003-07-29 Cornell Research Foundation, Inc. Folded floating-gate differential pair amplifier
US6477417B1 (en) 2001-04-12 2002-11-05 Pacesetter, Inc. System and method for automatically selecting electrode polarity during sensing and stimulation
KR100380107B1 (ko) 2001-04-30 2003-04-11 삼성전자주식회사 발열체를 갖는 회로 기판과 기밀 밀봉부를 갖는 멀티 칩패키지
US6410971B1 (en) 2001-07-12 2002-06-25 Ferrotec (Usa) Corporation Thermoelectric module with thin film substrates
US6770966B2 (en) 2001-07-31 2004-08-03 Intel Corporation Electronic assembly including a die having an integrated circuit and a layer of diamond to transfer heat
JP4638626B2 (ja) 2001-08-01 2011-02-23 北川工業株式会社 磁性体の成形方法、磁性体、およびプリント基板
JP2003059979A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 電子部品実装用積層フィルム及び電子部品実装用フィルムキャリアテープ
AU2002330718A1 (en) 2001-09-03 2003-03-18 National Microelectronic Research Centre University College Cork - National University Of Ireland Co Integrated circuit structure and a method of making an integrated circuit structure
TW545092B (en) * 2001-10-25 2003-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Prepreg and circuit board and method for manufacturing the same
US7146221B2 (en) 2001-11-16 2006-12-05 The Regents Of The University Of California Flexible electrode array for artifical vision
US20040006264A1 (en) 2001-11-20 2004-01-08 Mojarradi Mohammad M. Neural prosthetic micro system
US20040092806A1 (en) 2001-12-11 2004-05-13 Sagon Stephen W Microelectrode catheter for mapping and ablation
DE10202123A1 (de) 2002-01-21 2003-07-31 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Integration von Elektronik in Textilien
US20030162507A1 (en) 2002-02-20 2003-08-28 Vatt Gregory B. Semiconductor structure for high speed digital and radio frequency processing
JP3889700B2 (ja) * 2002-03-13 2007-03-07 三井金属鉱業株式会社 Cofフィルムキャリアテープの製造方法
US20060134713A1 (en) 2002-03-21 2006-06-22 Lifescan, Inc. Biosensor apparatus and methods of use
US6930608B2 (en) 2002-05-14 2005-08-16 Motorola, Inc Apparel having multiple alternative sensors and corresponding method
US6906415B2 (en) * 2002-06-27 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor device assemblies and packages including multiple semiconductor devices and methods
US6980777B2 (en) 2002-07-31 2005-12-27 Nokia Corporation Smart pouch cover for mobile device
US6965160B2 (en) 2002-08-15 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Semiconductor dice packages employing at least one redistribution layer
US7698909B2 (en) 2002-10-01 2010-04-20 Nellcor Puritan Bennett Llc Headband with tension indicator
US7045884B2 (en) * 2002-10-04 2006-05-16 International Rectifier Corporation Semiconductor device package
US6703114B1 (en) * 2002-10-17 2004-03-09 Arlon Laminate structures, methods for production thereof and uses therefor
US20040085469A1 (en) 2002-10-30 2004-05-06 Eastman Kodak Company Method to eliminate bus voltage drop effects for pixel source follower amplifiers
CA2505743A1 (en) 2002-11-14 2004-06-03 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Methods and devices for detecting tissue cells
JP2004179258A (ja) 2002-11-25 2004-06-24 Hamamatsu Photonics Kk 紫外線センサ
JP4554152B2 (ja) * 2002-12-19 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体チップの作製方法
CA2513275A1 (en) 2003-01-16 2004-07-29 Galil Medical Ltd. Device, system, and method for detecting, localizing, and characterizing plaque-induced stenosis of a blood vessel
US6894265B2 (en) 2003-01-31 2005-05-17 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group and semiconductor integrated circuit fabrication method for fabricating same
US20040149921A1 (en) 2003-02-05 2004-08-05 Alexander Smyk Personal solar adviser
US7187060B2 (en) * 2003-03-13 2007-03-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device with shield
US7491892B2 (en) 2003-03-28 2009-02-17 Princeton University Stretchable and elastic interconnects
US7337012B2 (en) 2003-04-30 2008-02-26 Lawrence Livermore National Security, Llc Stretchable polymer-based electronic device
US7265298B2 (en) 2003-05-30 2007-09-04 The Regents Of The University Of California Serpentine and corduroy circuits to enhance the stretchability of a stretchable electronic device
US7536199B2 (en) 2003-06-12 2009-05-19 Nokia Corporation Mobile communication device cover and method for its operation
US7413919B2 (en) 2003-06-20 2008-08-19 Acellent Technologies, Inc. Method of manufacturing a structural health monitoring layer
CN1577819A (zh) * 2003-07-09 2005-02-09 松下电器产业株式会社 带内置电子部件的电路板及其制造方法
CA2539547A1 (en) 2003-08-20 2005-03-03 Philometron, Inc. Hydration monitoring
JP4050682B2 (ja) 2003-09-29 2008-02-20 日東電工株式会社 フレキシブル配線回路基板の製造方法
US20050113744A1 (en) 2003-11-21 2005-05-26 Cyberkinetics, Inc. Agent delivery systems and related methods under control of biological electrical signals
KR20050066128A (ko) 2003-12-26 2005-06-30 주식회사 팬택앤큐리텔 체인지 커버를 이용한 메모리카드의 교체구조 및 방법
KR100798537B1 (ko) * 2003-12-26 2008-01-28 토요 보세키 가부시기가이샤 폴리이미드 필름
US7575955B2 (en) * 2004-01-06 2009-08-18 Ismat Corporation Method for making electronic packages
US7150745B2 (en) 2004-01-09 2006-12-19 Barrx Medical, Inc. Devices and methods for treatment of luminal tissue
US20060003709A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Nokia Corporation Protective enclosure for a mobile terminal
WO2005083546A1 (en) 2004-02-27 2005-09-09 Simon Richard Daniel Wearable modular interface strap
US20050203366A1 (en) 2004-03-12 2005-09-15 Donoghue John P. Neurological event monitoring and therapy systems and related methods
US7727228B2 (en) 2004-03-23 2010-06-01 Medtronic Cryocath Lp Method and apparatus for inflating and deflating balloon catheters
US7259030B2 (en) 2004-03-29 2007-08-21 Articulated Technologies, Llc Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
US7302751B2 (en) 2004-04-30 2007-12-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of fabricating a rat's nest RFID antenna
WO2005109503A2 (en) * 2004-05-06 2005-11-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of assembly and assembly thus made
US7656673B1 (en) * 2004-05-25 2010-02-02 University Of South Florida Wireless micro-electro-opto-fluidic-mechanical foldable flex system
JP4471735B2 (ja) * 2004-05-31 2010-06-02 三洋電機株式会社 回路装置
EP1605502A1 (en) 2004-06-08 2005-12-14 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Transfer method for the manufacturing of electronic devices
US8217381B2 (en) 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
US7521292B2 (en) 2004-06-04 2009-04-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates
KR101368748B1 (ko) 2004-06-04 2014-03-05 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치
US6987314B1 (en) 2004-06-08 2006-01-17 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package with solder on pads on which second semiconductor package is stacked
WO2005124380A2 (en) 2004-06-17 2005-12-29 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Flexible and wearable radio frequency coil garments for magnetic resonance imaging
US7045897B2 (en) * 2004-07-28 2006-05-16 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Electrical assembly with internal memory circuitized substrate having electronic components positioned thereon, method of making same, and information handling system utilizing same
JP4196901B2 (ja) * 2004-08-11 2008-12-17 ソニー株式会社 電子回路装置
US20080114228A1 (en) 2004-08-31 2008-05-15 Mccluskey Joseph Method Of Manufacturing An Auto-Calibrating Sensor
KR100643756B1 (ko) 2004-09-10 2006-11-10 삼성전자주식회사 유연소자, 유연압력센서, 및 이들의 제조방법
JP2006108431A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Sharp Corp 半導体装置
US7183140B2 (en) * 2004-11-08 2007-02-27 Intel Corporation Injection molded metal bonding tray for integrated circuit device fabrication
FI20041525A (fi) * 2004-11-26 2006-03-17 Imbera Electronics Oy Elektroniikkamoduuli ja menetelmä sen valmistamiseksi
JP4517845B2 (ja) 2004-12-13 2010-08-04 日本電気株式会社 フレキシブルケーブル及び電子機器の製造方法
US8118740B2 (en) 2004-12-20 2012-02-21 Ipventure, Inc. Moisture sensor for skin
KR100688826B1 (ko) * 2005-01-20 2007-03-02 삼성전기주식회사 리지드-플렉시블 인쇄회로기판 제조방법
US20090291508A1 (en) 2008-05-20 2009-11-26 Rapid Pathogen Screening Inc. Nanoparticles in diagnostic tests
WO2006087503A1 (en) 2005-02-15 2006-08-24 Vodafone Group Plc Improved security for wireless communication
GB0505826D0 (en) 2005-03-22 2005-04-27 Uni Microelektronica Ct Vsw Methods for embedding of conducting material and devices resulting from said methods
US7300631B2 (en) 2005-05-02 2007-11-27 Bioscale, Inc. Method and apparatus for detection of analyte using a flexural plate wave device and magnetic particles
JP2008541246A (ja) 2005-05-13 2008-11-20 インビボ・インコーポレイテッド 電子デバイスのカバーのカスタマイズするための方法
US8688189B2 (en) 2005-05-17 2014-04-01 Adnan Shennib Programmable ECG sensor patch
US20060266475A1 (en) 2005-05-24 2006-11-30 American Standard Circuits, Inc. Thermally conductive interface
US20070031283A1 (en) 2005-06-23 2007-02-08 Davis Charles Q Assay cartridges and methods for point of care instruments
US7226821B2 (en) * 2005-06-24 2007-06-05 Cardiac Pacemakers, Inc. Flip chip die assembly using thin flexible substrates
WO2007000697A2 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an assembly and assembly
JP4880681B2 (ja) 2005-07-01 2012-02-22 ケイ.ユー.ルーヴェン リサーチ アンド デベロップメント 損傷した神経系を機能回復させるための手段
US20070027485A1 (en) 2005-07-29 2007-02-01 Kallmyer Todd A Implantable medical device bus system and method
US7769472B2 (en) 2005-07-29 2010-08-03 Medtronic, Inc. Electrical stimulation lead with conformable array of electrodes
JPWO2007034647A1 (ja) * 2005-09-20 2009-03-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2007040064A1 (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. シート状複合電子部品とその製造方法
CN101288348A (zh) 2005-10-13 2008-10-15 Nxp股份有限公司 电子器件或电路及其制造方法
JP2007105316A (ja) 2005-10-14 2007-04-26 Konica Minolta Sensing Inc 生体情報測定器
US7271393B2 (en) 2005-11-15 2007-09-18 Nokia Corporation UV radiation meter using visible light sensors
US7759167B2 (en) 2005-11-23 2010-07-20 Imec Method for embedding dies
AT503191B1 (de) 2006-02-02 2008-07-15 Austria Tech & System Tech Leiterplattenelement mit wenigstens einem eingebetteten bauelement sowie verfahren zum einbetten zumindest eines bauelements in einem leiterplattenelement
IL174211A0 (en) 2006-03-09 2007-07-04 Rotschild Carmel Method and system for using a cellular phone in water activities
EP2008303B1 (en) 2006-04-07 2010-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Elastically deformable integrated-circuit device
CA2652565A1 (en) 2006-05-18 2007-11-29 Ndi Medical, Llc Portable assemblies, systems, and methods for providing functional or therapeutic neurostimulation
US20080046080A1 (en) 2006-07-07 2008-02-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for forming packaged microelectronic devices and devices thus obtained
US20080036097A1 (en) 2006-08-10 2008-02-14 Teppei Ito Semiconductor package, method of production thereof and encapsulation resin
US8786033B2 (en) * 2006-09-01 2014-07-22 IVI Holdings, Ltd. Biometric sensor and sensor panel, method for detecting biometric pattern using the same, and method for manufacturing the same
MY149475A (en) 2006-09-06 2013-08-30 Univ Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
US20080074383A1 (en) 2006-09-27 2008-03-27 Dean Kenneth A Portable electronic device having appearance customizable housing
JP2008103503A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Shinwa Frontech Corp 回路基板の製造方法
US8046039B2 (en) 2006-10-20 2011-10-25 Lg Electronics Inc. Mobile terminal and case for mobile terminal
US8979755B2 (en) 2006-12-08 2015-03-17 The Boeing Company Devices and systems for remote physiological monitoring
DE102006060411B3 (de) 2006-12-20 2008-07-10 Infineon Technologies Ag Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
US20100117660A1 (en) 2007-01-19 2010-05-13 Douglas Malcolm F Cable for a capacitive proximity sensor
US9944031B2 (en) 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
US7851906B2 (en) 2007-03-26 2010-12-14 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Flexible circuit electronic package with standoffs
US8761846B2 (en) 2007-04-04 2014-06-24 Motorola Mobility Llc Method and apparatus for controlling a skin texture surface on a device
US7964961B2 (en) * 2007-04-12 2011-06-21 Megica Corporation Chip package
US7729570B2 (en) * 2007-05-18 2010-06-01 Ibiden Co., Ltd. Photoelectric circuit board and device for optical communication
US7693167B2 (en) 2007-05-22 2010-04-06 Rockwell Collins, Inc. Mobile nodal based communication system, method and apparatus
US7918018B2 (en) * 2007-06-12 2011-04-05 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a semiconductor device
US8877565B2 (en) 2007-06-28 2014-11-04 Intel Corporation Method of forming a multilayer substrate core structure using sequential microvia laser drilling and substrate core structure formed according to the method
US20090000377A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Shipps J Clay Brain impact measurement system
US20090015560A1 (en) 2007-07-13 2009-01-15 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling a display of a device
US8258620B2 (en) * 2007-08-10 2012-09-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device, method of manufacturing the circuit device, device mounting board and semiconductor module
WO2009026139A1 (en) 2007-08-17 2009-02-26 Isis Biopolymer Llc Iontophoretic drug delivery system
US20090088750A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Tyco Healthcare Group Lp Insulating Boot with Silicone Overmold for Electrosurgical Forceps
US7739791B2 (en) 2007-10-26 2010-06-22 Delphi Technologies, Inc. Method of producing an overmolded electronic module with a flexible circuit pigtail
KR100919642B1 (ko) 2007-12-17 2009-09-30 한국전자통신연구원 지향성 음향 생성 장치 및 그를 이용한 휴대용 단말기
JP2009170173A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Denso Corp El素子及びその製造方法
JP4530180B2 (ja) 2008-01-22 2010-08-25 Okiセミコンダクタ株式会社 紫外線センサおよびその製造方法
KR101755207B1 (ko) 2008-03-05 2017-07-19 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 펴고 접을 수 있는 전자장치
US9107592B2 (en) 2008-03-12 2015-08-18 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Flexible and scalable sensor arrays for recording and modulating physiologic activity
US7619416B2 (en) 2008-04-17 2009-11-17 Universität Zürich Prorektorat Forschung Eidgenössische Technische Hochschule Coil assembly and multiple coil arrangement for magnetic resonance imaging
US8207473B2 (en) 2008-06-24 2012-06-26 Imec Method for manufacturing a stretchable electronic device
US20090322480A1 (en) 2008-06-30 2009-12-31 Robert Leon Benedict Rfid tag and method of vehicle attachment thereof
US8223325B2 (en) 2008-09-19 2012-07-17 Sensors For Medicine & Science, Inc. Optical sensor assembly
WO2010036807A1 (en) 2008-09-24 2010-04-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Arrays of ultrathin silicon solar microcells
EP2349440B1 (en) 2008-10-07 2019-08-21 Mc10, Inc. Catheter balloon having stretchable integrated circuitry and sensor array
US8372726B2 (en) 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US20100271191A1 (en) 2008-10-07 2010-10-28 De Graff Bassel Systems, devices, and methods utilizing stretchable electronics to measure tire or road surface conditions
US9119533B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US8886334B2 (en) 2008-10-07 2014-11-11 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US9123614B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
WO2010042957A2 (en) 2008-10-07 2010-04-15 Mc10, Inc. Systems, devices, and methods utilizing stretchable electronics to measure tire or road surface conditions
US8056819B2 (en) 2008-10-14 2011-11-15 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Miniature and multi-band RF coil design
FR2937511B1 (fr) 2008-10-23 2014-05-16 Oreal Dispositif de distribution d'un produit avec ajustement automatique ou semi-automatique des proprietes du produit grace a un capteur d'ambiance integre
CN102150263A (zh) * 2008-11-06 2011-08-10 松下电器产业株式会社 引线、布线部件、封装部件、带有树脂的金属部件和树脂封装半导体装置以及它们的制造方法
EP2356680B1 (en) 2008-11-12 2015-04-08 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US20110101789A1 (en) 2008-12-01 2011-05-05 Salter Jr Thomas Steven Rf power harvesting circuit
EP2378956A4 (en) 2008-12-11 2017-12-27 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
EP2386117A4 (en) 2009-01-12 2017-12-27 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
GR1006723B (el) 2009-01-16 2010-03-09 ������������ ������������-������� ����������� ����������� ��������� ������� (���� ������� 5%) Ολοκληρωμενο ή τυπωμενο πηνιο σε σχημα μαργαριτας
WO2010086033A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Stretchable electronic device
PL2392196T3 (pl) 2009-01-30 2019-05-31 Imec Vzw Rozciągliwe urządzenie elektroniczne
WO2010102310A2 (en) 2009-03-03 2010-09-10 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
KR101706915B1 (ko) 2009-05-12 2017-02-15 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 변형가능 및 반투과 디스플레이를 위한 초박형, 미세구조 무기발광다이오드의 인쇄 어셈블리
US8593256B2 (en) 2009-06-23 2013-11-26 Avery Dennison Corporation Washable RFID device for apparel tracking
US20100327387A1 (en) 2009-06-26 2010-12-30 Ichiro Kasai Avalanche Photodiode
JP4788850B2 (ja) 2009-07-03 2011-10-05 株式会社村田製作所 アンテナモジュール
WO2011003181A1 (en) 2009-07-06 2011-01-13 Autonomous Identity Management Systems Inc. - Aims Gait-based authentication system
JP2011018805A (ja) 2009-07-09 2011-01-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
EP2275805A1 (en) 2009-07-16 2011-01-19 Acreo AB Moister sensor
US20110019370A1 (en) * 2009-07-27 2011-01-27 Gainteam Holdings Limited Flexible circuit module
US8319334B2 (en) * 2009-08-10 2012-11-27 Infineon Technologies Ag Embedded laminated device
US20110218756A1 (en) 2009-10-01 2011-09-08 Mc10, Inc. Methods and apparatus for conformal sensing of force and/or acceleration at a person's head
WO2011127331A2 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Mc10, Inc. Methods and apparatus for measuring technical parameters of equipment, tools and components via conformal electronics
US20130192356A1 (en) 2009-10-01 2013-08-01 Mc10, Inc. Methods and apparatus for measuring technical parameters of equipment, tools, and components via conformal electronics
WO2011041727A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Mc10, Inc. Protective cases with integrated electronics
US20120065937A1 (en) 2009-10-01 2012-03-15 Mc10, Inc. Methods and apparatus for measuring technical parameters of equipment, tools and components via conformal electronics
US8390516B2 (en) 2009-11-23 2013-03-05 Harris Corporation Planar communications antenna having an epicyclic structure and isotropic radiation, and associated methods
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
EP2513953B1 (en) * 2009-12-16 2017-10-18 The Board of Trustees of the University of Illionis Electrophysiology using conformal electronics
WO2011084709A2 (en) 2009-12-17 2011-07-14 Mc10, Inc. Methods and apparatus for conformal sensing of force and/or change in motion
US20120261174A1 (en) * 2009-12-24 2012-10-18 Toshiaki Chuma Conductive connecting material, method for producing electronic component, electronic member with conductive connecting material and electronic component
US20110168784A1 (en) * 2010-01-14 2011-07-14 Rfmarq, Inc. Wireless Communication Device for Remote Authenticity Verification of Semiconductor Chips, Multi-Chip Modules and Derivative Products
US8872663B2 (en) 2010-01-19 2014-10-28 Avery Dennison Corporation Medication regimen compliance monitoring systems and methods
WO2011094307A1 (en) 2010-01-26 2011-08-04 Meggitt ( San Juan Capistrano) , Inc. Measurement system using body mounted physically decoupled sensor
SG182787A1 (en) * 2010-01-29 2012-08-30 Sumitomo Bakelite Co Conductive connection sheet, method for connecting terminals, method for forming connection terminal, semiconductor device, and electronic device
JP6087810B2 (ja) 2010-05-20 2017-03-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フレキシブル回路カバーフィルム接着強化
US9343651B2 (en) * 2010-06-04 2016-05-17 Industrial Technology Research Institute Organic packaging carrier
US8715204B2 (en) 2010-07-14 2014-05-06 Prima Temp, Inc. Wireless vaginal sensor probe
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
US8143530B1 (en) * 2010-09-17 2012-03-27 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Liquid crystal polymer layer for encapsulation and improved hermiticity of circuitized substrates
US8836101B2 (en) 2010-09-24 2014-09-16 Infineon Technologies Ag Multi-chip semiconductor packages and assembly thereof
US8506158B2 (en) 2010-10-12 2013-08-13 P.S.L. Limited Watch
JPWO2012049895A1 (ja) * 2010-10-15 2014-02-24 日本電気株式会社 部品内蔵モジュール及びこれを備える電子機器並びに部品内蔵モジュールの製造方法
DE102010042567B3 (de) 2010-10-18 2012-03-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines Chip-Package und Chip-Package
ES2751156T3 (es) 2010-10-20 2020-03-30 Medtronic Ardian Luxembourg Aparatos de catéter que tienen estructuras de malla expansibles para neuromodulación renal
EP2632373B1 (en) 2010-10-25 2018-07-18 Medtronic Ardian Luxembourg S.à.r.l. System for evaluation and feedback of neuromodulation treatment
US8456021B2 (en) 2010-11-24 2013-06-04 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit device having die bonded to the polymer side of a polymer substrate
US8391947B2 (en) 2010-12-30 2013-03-05 Biosense Webster (Israel), Ltd. Catheter with sheet array of electrodes
EP2484750A1 (en) 2011-02-07 2012-08-08 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Monitoring system for cell culture
US8581731B2 (en) 2011-02-16 2013-11-12 Connor Kent Purks Circuits, systems, and methods for monitoring and reporting foot impact, foot placement, shoe life, and other running/walking characteristics
WO2012125494A2 (en) 2011-03-11 2012-09-20 Mc10, Inc. Integrated devices to facilitate quantitative assays and diagnostics
JP2012218147A (ja) 2011-04-11 2012-11-12 Imec マイクロキャビティを封止するための方法
JP2014523633A (ja) 2011-05-27 2014-09-11 エムシー10 インコーポレイテッド 電子的、光学的、且つ/又は機械的装置及びシステム並びにこれらの装置及びシステムを製造する方法
US20120316455A1 (en) 2011-06-10 2012-12-13 Aliphcom Wearable device and platform for sensory input
EP2729067A4 (en) 2011-07-14 2014-10-29 Mc10 Inc DETECTION OF A FORCE EXERCISED ON A FOOT OR A FOOTWEAR ARTICLE
US9757050B2 (en) 2011-08-05 2017-09-12 Mc10, Inc. Catheter balloon employing force sensing elements
JP6320920B2 (ja) 2011-08-05 2018-05-09 エムシーテン、インコーポレイテッド センシング素子を利用したバルーン・カテーテルの装置及び製造方法
US8702619B2 (en) 2011-08-26 2014-04-22 Symap Holding Limited Mapping sympathetic nerve distribution for renal ablation and catheters for same
WO2013033724A1 (en) 2011-09-01 2013-03-07 Mc10, Inc. Electronics for detection of a condition of tissue
US20140221160A1 (en) 2011-09-08 2014-08-07 Paofit Holdings Pte. Ltd. Sensor Device and System for Fitness Equipment
US20130200268A1 (en) 2011-09-28 2013-08-08 Mc10, Inc. Electronics for detection of a property of a surface
DE112012004146T5 (de) 2011-10-05 2014-11-06 Mc10, Inc. Herzkatheter mit Verwendung oberflächentreuer Elektronik zur Abbildung
EP2626755B1 (en) 2012-02-10 2019-04-10 Nxp B.V. Calibration method, calibration device and measurement device
EP2817708B1 (en) 2012-02-21 2020-08-26 Zebra Technologies Corporation Method and apparatus for implementing near field communications with a printer
US9184798B2 (en) 2012-03-12 2015-11-10 Broadcom Corporation Near field communications (NFC) device having adjustable gain
US20140121540A1 (en) 2012-05-09 2014-05-01 Aliphcom System and method for monitoring the health of a user
US20130321373A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, program, and recording medium
US9226402B2 (en) 2012-06-11 2015-12-29 Mc10, Inc. Strain isolation structures for stretchable electronics
US9247637B2 (en) 2012-06-11 2016-01-26 Mc10, Inc. Strain relief structures for stretchable interconnects
EP2866645A4 (en) 2012-07-05 2016-03-30 Mc10 Inc CATHETER DEVICE WITH FLOW MEASUREMENT
US9295842B2 (en) 2012-07-05 2016-03-29 Mc10, Inc. Catheter or guidewire device including flow sensing and use thereof
WO2014058473A1 (en) 2012-10-09 2014-04-17 Mc10, Inc. Conformal electronics integrated with apparel
US20140188426A1 (en) 2012-12-27 2014-07-03 Steven FASTERT Monitoring hit count for impact events
JP2016506281A (ja) 2013-01-08 2016-03-03 エムシー10 インコーポレイテッドMc10,Inc. 表面の特性のモニタリングの応用
US9706647B2 (en) 2013-05-14 2017-07-11 Mc10, Inc. Conformal electronics including nested serpentine interconnects
WO2014197443A1 (en) 2013-06-03 2014-12-11 Kacyvenski Isaiah Motion sensor and analysis
KR20160022375A (ko) 2013-06-21 2016-02-29 엠씨10, 인크 정합성 전자기기를 구비한 밴드
EP3030873A4 (en) 2013-08-05 2017-07-05 Mc10, Inc. Flexible temperature sensor including conformable electronics
CA2924005A1 (en) 2013-10-09 2015-04-16 Mc10, Inc. Utility gear including conformal sensors
US9949691B2 (en) 2013-11-22 2018-04-24 Mc10, Inc. Conformal sensor systems for sensing and analysis of cardiac activity
JP6282451B2 (ja) * 2013-12-03 2018-02-21 新光電気工業株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法
JP2017502752A (ja) 2014-01-03 2017-01-26 エムシー10 インコーポレイテッドMc10,Inc. 流量センシングを含むカテーテルまたはガイドワイヤデバイスおよびその使用
US20150194817A1 (en) 2014-01-03 2015-07-09 Mc10, Inc. Integrated devices for low power quantitative measurements
KR102396850B1 (ko) 2014-01-06 2022-05-11 메디데이타 솔루션즈, 인코포레이티드 봉지형 컨포멀 전자 시스템 및 디바이스, 및 이의 제조 및 사용 방법
TWI501363B (zh) * 2014-01-10 2015-09-21 Sfi Electronics Technology Inc 一種小型化表面黏著型二極體封裝元件及其製法
EP3111477A4 (en) 2014-02-24 2017-10-18 Mc10, Inc. Conformal electronics with deformation indicators
KR102175723B1 (ko) * 2014-02-25 2020-11-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지
CN106063392B (zh) 2014-03-04 2020-06-02 Mc10股份有限公司 电子器件的多部分柔性包封壳体
WO2015138712A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Mc10, Inc. Quantification of a change in assay
DE102014007510A1 (de) * 2014-05-23 2015-11-26 Airbus Defence and Space GmbH Sandwichbauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines Sandwichbauteils
US20160059535A1 (en) * 2014-08-29 2016-03-03 Materion Corporation Conductive bond foils
US9899330B2 (en) * 2014-10-03 2018-02-20 Mc10, Inc. Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die
US10297572B2 (en) * 2014-10-06 2019-05-21 Mc10, Inc. Discrete flexible interconnects for modules of integrated circuits
US10603886B2 (en) * 2016-02-25 2020-03-31 Ford Motor Company Method of manufacturing a lightweight laminate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195904A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体素子の組立方法
JP2013128060A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
WO2014059032A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-17 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer

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