JP2017143116A - 電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】インダクタの特性の劣化を抑制できる電子部品を提供する。【解決手段】１以上の第１の絶縁体層を含む複数の絶縁体層１６ａ〜１６ｏが積層方向に積層されて構成されている直方体状の積層体１２と、絶縁体層上に設けられている複数のコンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊを含んでいるコンデンサと、絶縁体層上に設けられている１以上のインダクタ導体層１８ａ〜１８ｆを含み、かつ、積層方向に沿って延在する中心軸を有する螺旋状のインダクタＬと、を備えている。積層体１２の実装面は、積層体１２において積層方向に直交する第１の直交方向の一方側の端に位置する面であり、第１の絶縁体層上には、インダクタ導体層及びコンデンサ導体層が設けられており、第１の絶縁体層において、コンデンサ導体層における第１の直交方向の一方側の端部は、インダクタ導体層における第１の直交方向の一方側の端部よりも、実装面の近くに位置している。【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、コイル及びコンデンサを備えた電子部品に関する。
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のラベルが知られている。該ラベルは、上層シート、下層シート、コイル及びコンデンサを備えている。上層シートと下層シートとは、上下方向に積層される。コイルは、上側から見たときに、渦巻状をなす２つの導体パターンであり、上層シートと下層シートとに設けられている。コンデンサは、長方形状の２つのコンデンサパターンであり、上層シートと下層シートとに設けられている。このようなコイル及びコンデンサは、共振回路を構成している。以上のようなラベルは、例えば、下層シートの下面がプリンターのトナーなどに貼り付けられる。
特開２００１−１３４７３２号公報
ところで、特許文献１に記載のラベルと同じような内部構造を有し、下層シート側にコイル及びコンデンサと電気的に接続された外部電極を有する表面実装型の電子部品では、コイルの特性の劣化が問題となる。より詳細には、前記ラベルと同じような構造を有する電子部品は、回路基板に実装される。この場合、下層シートの下面が電子部品の実装面となるため、電子部品の下側に回路基板が位置することになる。コイルは、前記の通り、上側から見たときに渦巻状をなしているので、上下方向に沿って伸びる磁束を発生する。そのため、回路基板に設けられたランド電極やグランド導体層等に磁束が遮られ、ランド電極やグランド導体層等において渦電流が発生するおそれがある。このような渦電流は、コイルの特性を劣化させる原因となる。
そこで、本発明の目的は、インダクタの特性の劣化を抑制できる電子部品を提供することである。
本発明の一形態に係る電子部品は、１以上の第１の絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている直方体状の積層体と、前記絶縁体層上に設けられている複数のコンデンサ導体層を含んでいるコンデンサと、前記絶縁体層上に設けられている１以上のインダクタ導体層を含み、かつ、前記積層方向に沿って延在する中心軸を有する螺旋状のインダクタと、を備えており、前記積層体の実装面は、該積層体において前記積層方向に直交する第１の直交方向の一方側の端に位置する面であり、前記第１の絶縁体層上には、前記インダクタ導体層及び前記コンデンサ導体層が設けられており、前記第１の絶縁体層において、前記コンデンサ導体層における前記第１の直交方向の一方側の端部は、前記インダクタ導体層における該第１の直交方向の一方側の端部よりも、前記実装面の近くに位置していること、を特徴とする。
本発明によれば、インダクタの特性の劣化を抑制できる。
一実施形態に係る電子部品１０の等価回路図である。 一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。 図１Ｂの電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 絶縁体層１６ｅを前側から見た図である。 絶縁体層１６ｆを前側から見た図である。 第１のモデル、コンデンサ及びインダクタの通過特性を示したグラフである。 電子部品１０及び第２のモデルの通過特性を示したグラフである。 参考例に係る電子部品１１０の積層体１１２の分解斜視図である。
以下に、本発明の一態様である実施形態に係る電子部品について説明する。
（電子部品の構成）
以下に、一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１Ａは、一実施形態に係る電子部品１０の等価回路図である。図１Ｂは、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１Ｂの電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３Ａは、絶縁体層１６ｅを前側から見た図である。図３Ｂは、絶縁体層１６ｆを前側から見た図である。電子部品１０は、例えば、各面が長辺と短辺とを有する長方形からなる直方体状である。ただし、電子部品１０の形状はこれに限られず、等しい長さの辺を有する直方体状や、多角形柱体状や円筒体状、多角形錐台状、円錐台状などであってもよい。以下では、電子部品１０の積層方向を前後方向と定義する。また、前側から見たときに、電子部品１０の長辺に沿った方向を左右方向（第２の直交方向の一例）と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向を上下方向（第１の直交方向の一例）と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は互いに直交している。また、上下方向、左右方向及び前後方向は説明のために用いた一例である。そのため、使用時において電子部品１０の上下方向、左右方向及び前後方向が、実際の上下方向、左右方向及び前後方向と一致している必要はない。
電子部品１０は、等価回路として、インダクタＬ、コンデンサＣ及び外部電極１４ａ，１４ｂを備えている。インダクタＬ及びコンデンサＣは、互いに並列に接続されることにより、ＬＣ並列共振器を構成している。また、ＬＣ並列共振器の一端は、外部電極１４ａに接続され、ＬＣ並列共振器の他端は、外部電極１４ｂに接続されている。また、電子部品１０は、外部電極１４ａ，１４ｂ以外の外部電極を備えておらず、例えば、接地電位に接続される外部電極を備えていない。
次に、電子部品１０の構造について説明する。電子部品１０は、図１Ｂ及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ、引き出し導体層２０ａ，２０ｂ，２３ａ〜２３ｊ、コンデンサＣ及びインダクタＬを備えている。よって、引き出し導体層２０ａ，２０ｂはインダクタＬの一部ではない。また、引き出し導体層２３ａ〜２３ｊはコンデンサＣの一部ではない。
積層体１２は、図２に示すように、長方形状の絶縁体層１６ａ〜１６ｏ（複数の絶縁体層の一例）が前側から後ろ側へとこの順に並ぶように積層されて構成されており、直方体状をなしている。積層体１２の実装面は、積層体１２において下側（第１の直交方向の一方側の一例）の端に位置する面（すなわち、下面）である。実装面とは、電子部品１０が回路基板に実装される際に回路基板と対向する面である。積層体１２の下面は、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの下側の長辺が連なることにより構成されている。
絶縁体層１６ａ〜１６ｏは、図２に示すように、長方形状をなしており、例えば、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁材料により形成されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの前側の面を表面と称し、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの後ろ側の面を裏面と称す。
絶縁体層１６ａ，１６ｏの色は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｎの色と異なる。これにより、電子部品１０の前面及び後面と電子部品１０の上面及び下面とを区別することができる。従って、電子部品１０の実装時に、電子部品１０が転倒したことを認識できる。
外部電極１４ａ（第１の外部電極の一例）は、後述するインダクタＬ及びコンデンサＣに電気的に接続されている。外部電極１４ａは、前後方向から見たときに、Ｌ字型をなしており、積層体１２の下面と右面（第２の直交方向の一方側の端に位置する第１の側面の一例）とに跨っている。外部電極１４ａは、被覆層１５ａ及び外部導体層２５ａ〜２５ｊを含んでいる。
外部導体層２５ａ〜２５ｊは、図２に示すように、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍに設けられている。外部導体層２５ａ〜２５ｊは、Ｌ字型をなしており、前側から見たときに、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍの右下の角近傍に設けられている。また、外部導体層２５ａ〜２５ｊはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍを前後方向に貫通している。よって、外部導体層２５ａ〜２５ｊは、前側から見たときに、一致した状態で重なっていると共に、前後方向に隣り合うもの同士で接続されている。これにより、外部導体層２５ａ〜２５ｊは、積層体１２の右面及び下面において積層体１２から露出している。外部導体層２５ａ〜２５ｊは、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の電気抵抗の低い金属を主成分とする導電性材料により作製されている。
被覆層１５ａは、外部導体層２５ａ〜２５ｊにおいて積層体１２から露出している部分を覆っている。被覆層１５ａは、Ｎｉめっき上にＳｎめっきが施されることにより作製されている。なお、被覆層１５ａは、ＮｉやＳｎ以外に、Ｃｕ、Ａｕやこれらを含む合金等の耐はんだ性やはんだ濡れ性の高い材料により作製されていればよい。
外部電極１４ｂ（第２の外部電極の一例）は、後述するインダクタＬ及びコンデンサＣに電気的に接続されている。外部電極１４ｂは、前後方向から見たときに、Ｌ字型をなしており、積層体１２の下面と左面（第２の直交方向の他方側の端に位置する第２の側面の一例）とに跨っている。外部電極１４ｂは、被覆層１５ｂ及び外部導体層２６ａ〜２６ｊを含んでいる。
外部導体層２６ａ〜２６ｊは、図２に示すように、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍ上に設けられている。外部導体層２６ａ〜２６ｊは、Ｌ字型をなしており、前側から見たときに、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍの左下の角近傍に設けられている。また、外部導体層２６ａ〜２６ｊはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍを前後方向に貫通している。よって、外部導体層２６ａ〜２６ｊは、前側から見たときに、一致した状態で重なっていると共に、前後方向に隣り合うもの同士で接続されている。これにより、外部導体層２６ａ〜２６ｊは、積層体１２の左面及び下面において積層体１２から露出している。外部導体層２６ａ〜２６ｊは、例えば、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ等の電気抵抗の低い金属を主成分とする導電性材料により作製されている。
被覆層１５ｂは、外部導体層２６ａ〜２６ｊにおいて積層体１２から露出している部分を覆っている。被覆層１５ｂは、Ｎｉめっき上にＳｎめっきが施されることにより作製されている。なお、被覆層１５ｂは、ＮｉやＳｎ以外に、Ｃｕ、Ａｕやこれらを含む合金等の耐はんだ性やはんだ濡れ性の高い材料により作製されていればよい。
なお、外部導体層２５ａ〜２５ｊ，２６ａ〜２６ｊがそれぞれ絶縁体層１６ｄ〜１６ｍを上下方向に貫通しているので、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍの右下及び左下の角がＬ字型に切り欠かれている。従って、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍの形状は厳密には長方形ではない。このように、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍの形状は実質的に長方形状であればよい。
インダクタＬは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ（１以上のインダクタ導体層の一例）及びビアホール導体ｖ１〜ｖ６を含んでおり、前後方向に沿って延在する中心軸Ａｘ（図３Ｂ参照）を有する螺旋状のコイルである。電子部品１０では、インダクタＬは、前側から見たときに、反時計回り方向に周回しながら、前側から後ろ側へと進行する弦巻状をなしている。また、インダクタＬの径は、実質的に均一である。
インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｆ〜１６ｋの表面（主面の一例）上に設けられて（積層されて）おり、円環の一部が切り欠かれた形状（Ｃ字形状）をなす線状の導体層である。そして、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆは、前側から見たときに、互いに重なり合って円環状の軌道Ｒ（図３Ｂ参照）を形成している。軌道Ｒの中心は、前側から見たときに、中心軸Ａｘと一致しており、直線Ｌ０（図１Ｂ及び図３Ｂ参照）と重なっている。直線Ｌ０は、積層体１２の実装面の対角線の交点を通過し、かつ、上下方向に平行な直線である。
また、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆは、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の電気抵抗の低い金属を主成分とする導電性材料により作製されている。以下では、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。
また、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆには、後述するビアホール導体ｖ１〜ｖ６を接続するための接続部Ｐ１〜Ｐ１２が設けられている。接続部Ｐ１〜Ｐ１２は、円形をなしている。ただし、接続部Ｐ１〜Ｐ１２は、円形以外であってもよく、例えば、多角形や半円、扇型、楕円、これらの組み合わせなどの形状であってもよい。接続部Ｐ１〜Ｐ１２の直径は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆにおける接続部Ｐ１〜Ｐ１２を除く部分の線幅よりも大きい。接続部Ｐ１は、インダクタ導体層１８ａの下流端に設けられている。接続部Ｐ２は、インダクタ導体層１８ｂの上流端に設けられている。接続部Ｐ３は、インダクタ導体層１８ｂの下流端に設けられている。接続部Ｐ４は、インダクタ導体層１８ｃの上流端に設けられている。接続部Ｐ５は、インダクタ導体層１８ｃの下流端の近傍に設けられている。接続部Ｐ６は、インダクタ導体層１８ｃの下流端に設けられている。接続部Ｐ７は、インダクタ導体層１８ｄの上流端に設けられている。接続部Ｐ８は、インダクタ導体層１８ｄの上流端の近傍に設けられている。接続部Ｐ９は、インダクタ導体層１８ｄの下流端に設けられている。接続部Ｐ１０は、インダクタ導体層１８ｅの上流端に設けられている。接続部Ｐ１１は、インダクタ導体層１８ｅの下流端に設けられている。接続部Ｐ１２は、インダクタ導体層１８ｆの上流端に設けられている。
ビアホール導体ｖ１〜ｖ６はそれぞれ、絶縁体層１６ｆ〜１６ｊを前後方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１は、接続部Ｐ１と接続部Ｐ２とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、接続部Ｐ３と接続部Ｐ４とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、接続部Ｐ５と接続部Ｐ７とを接続している。ビアホール導体ｖ４は、接続部Ｐ６と接続部Ｐ８とを接続している。ビアホール導体ｖ５は、接続部Ｐ９と接続部Ｐ１０とを接続している。ビアホール導体ｖ６は、接続部Ｐ１１と接続部Ｐ１２とを接続している。これにより、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆは、ビアホール導体ｖ１〜ｖ６を介して、螺旋状に電気的に直列接続され、高いインダクタンスを有するインダクタＬを構成する。ビアホール導体ｖ１〜ｖ６は、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の電気抵抗の低い金属を主成分とする導電性材料により作製されている。
引き出し導体層２０ａは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられている線状の導体層である。引き出し導体層２０ａは、インダクタ導体層１８ａの上流端と外部導体層２５ｃとを接続している。引き出し導体層２０ｂは、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられている線状の導体層である。引き出し導体層２０ｂは、インダクタ導体層１８ｆの下流端と外部導体層２６ｈとを接続している。これにより、インダクタＬは、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの間に電気的に接続されている。引き出し導体層２０ａ，２０ｂは、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の電気抵抗の低い金属を主成分とする導電性材料により作製されている。
ここで、インダクタ導体層１８ａ，１８ｆと引き出し導体層２０ａ，２０ｂとの境界、及び、外部導体層２５ｃ，２６ｈと引き出し導体層２０ａ，２０ｂとの境界について説明する。以下では、引き出し導体層２０ａを例に挙げて図３Ｂを参照しながら説明する。ただし、引き出し導体層２０ｂについては、引き出し導体層２０ａと同様であるので、説明を省略する。
インダクタ導体層１８ａは、環状の軌道Ｒ上に位置している部分であり、軌道Ｒ上に位置していない導体層は、インダクタ導体層１８ａではない。従って、インダクタ導体層１８ａと引き出し導体層２０ａとの境界は、引き出し導体層２０ａが軌道Ｒに接触する部分である。また、外部導体層２５ａ〜２５ｊは、同じ形状を有しており、実質的に互いに重なり合っている。そのため、外部導体層２５ａ〜２５ｊと実質的に互いに重なり合っていない導体層は、外部導体層２５ａ〜２５ｊではない。従って、外部導体層２５ｃと引き出し導体層２０ａとの境界は、外部導体層２５ａ〜２５ｊが実質的に互いに重なり合って形成される領域に引き出し導体層２０ａが接触する部分である。なお、実質的に互いに重なるとは、製造ばらつき等により、僅かに重ならないことも許容することを意味する。
コンデンサＣは、コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊ（複数のコンデンサ導体層の一例）を含んでいる。コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊは、例えば、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕなどの電気抵抗の低い金属を主成分とする導電性材料により作製されている。コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ，２２ｅ，２２ｆ，２２ｉ，２２ｊはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ，１６ｅ，１６ｈ，１６ｉ，１６ｌ，１６ｍの表面（主面の一例）上に設けられ（積層され）ており、Ｕ字型をなしており、前側から見たときに、一致した状態で重なっている。以下に、図３Ａを参照しながら、コンデンサ導体層２２ｂを例に挙げて説明する。ただし、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｅ，２２ｆ，２２ｉ，２２ｊについては、コンデンサ導体層２２ｂと同じであるので説明を省略する。
コンデンサ導体層２２ｂは、長方形５０の一部が円５２により切り欠かれた形状をなしている。長方形５０は、左右方向に延在する長辺及び上下方向に延在する短辺を有する。また、長方形５０の対角線の交点は、前側から見たときに、直線Ｌ０上に位置している。円５２の直径は、長方形５０の長辺よりも短い。更に、円５２の中心は、長方形５０の対角線に対して上側に位置しており、軌道Ｒの中心（中心軸Ａｘ）と一致している。これにより、長方形５０の上側の長辺が円５２により切り欠かれている。また、前後方向から見たときに、コンデンサＣとインダクタＬとの間隔が一定である。
コンデンサ導体層２２ｃ，２２ｄはそれぞれ、絶縁体層１６ｆ，１６ｇの表面（主面の一例）上に設けられ（積層され）ており、Ｌ字型をなしており、前側から見たときに、一致した状態で重なっている。コンデンサ導体層２２ｃ，２２ｄは、２２ａ，２２ｂ，２２ｅ，２２ｆ，２２ｉ，２２ｊの右側の短辺が欠損した形状である。コンデンサ導体層２２ｇ，２２ｈはそれぞれ、絶縁体層１６ｊ，１６ｋの表面（主面の一例）上に設けられ（積層され）ており、Ｌ字型をなしており、前側から見たときに、一致した状態で重なっている。コンデンサ導体層２２ｇ，２２ｈは、２２ａ，２２ｂ，２２ｅ，２２ｆ，２２ｉ，２２ｊの左側の短辺が欠損した形状である。したがって、コンデンサ導体層２２ｃ，２２ｄ，２２ｇ，２２ｈは、前側から見たときに、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ，２２ｅ，２２ｆ，２２ｉ，２２ｊと重なる。このとき、各コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊは絶縁体層１６ｄ〜１６ｌを介して対向し、高いキャパシタンスを有する積層型のコンデンサＣを構成する。
引き出し導体層２３ａ〜２３ｊはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｍの表面上に設けられている線状の導体層である。引き出し導体層２３ａは、コンデンサ導体層２２ａと外部導体層２５ａとを接続している。引き出し導体層２３ｂは、コンデンサ導体層２２ｂと外部導体層２６ｂとを接続している。引き出し導体層２３ｃは、コンデンサ導体層２２ｃと外部導体層２５ｃとを接続している。引き出し導体層２３ｄは、コンデンサ導体層２２ｄと外部導体層２６ｄとを接続している。引き出し導体層２３ｅは、コンデンサ導体層２２ｅと外部導体層２５ｅとを接続している。引き出し導体層２３ｆは、コンデンサ導体層２２ｆと外部導体層２６ｆとを接続している。引き出し導体層２３ｇは、コンデンサ導体層２２ｇと外部導体層２５ｇとを接続している。引き出し導体層２３ｈは、コンデンサ導体層２２ｈと外部導体層２６ｈとを接続している。引き出し導体層２３ｉは、コンデンサ導体層２２ｉと外部導体層２５ｉとを接続している。引き出し導体層２３ｊは、コンデンサ導体層２２ｊと外部導体層２６ｊとを接続している。これにより、コンデンサＣは、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの間に電気的に接続されている。従って、インダクタＬとコンデンサＣとは、互いに並列接続されることにより、ＬＣ並列共振器を構成している。引き出し導体層２３ａ〜２３ｊは、例えば、Ａｇ、Ｃｕ，Ａｕ等の電気抵抗の低い金属を主成分とする導電性材料により作製されている。
ここで、コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊと引き出し導体層２３ａ〜２３ｊとの境界、及び、外部導体層２５ａ，２６ｂ，２５ｃ，２６ｄ，２５ｅ，２６ｆ，２５ｇ，２６ｈ，２５ｉ，２６ｊと引き出し導体層２３ａ〜２３ｊとの境界について説明する。以下では、引き出し導体層２３ｂを例に挙げて図３Ａを参照しながら説明する。ただし、引き出し導体層２３ａ，２３ｃ〜２３ｊについては、引き出し導体層２３ｂと同様であるので、説明を省略する。
コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊは、コンデンサＣの形成に寄与している部分であり、前側から見たときに、自身に対して、絶縁体層１６ｄ〜１６ｌを１層介して前後方向に隣接するコンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊのいずれかと実質的に重なり合っている部分である。従って、自身に対して、絶縁体層１６ｄ〜１６ｌを１層介して前後方向に隣接するコンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊのいずれとも実質的に互いに重なり合っていない導体層は、コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊではない。従って、コンデンサ導体層２２ｂと引き出し導体層２３ｂとの境界は、上記のようにコンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊが実質的に重なり合って形成される領域に引き出し導体層２３ｂが接触する部分である。また、外部導体層２６ａ〜２６ｊは、同じ形状を有しており、実質的に互いに重なり合っている。そのため、外部導体層２６ａ〜２６ｊと実質的に互いに重なり合っていない導体層は、外部導体層２６ａ〜２６ｊではない。従って、外部導体層２６ｂと引き出し導体層２３ｂとの境界は、外部導体層２６ａ〜２６ｊが実質的に互いに重なり合って形成される領域に引き出し導体層２３ｂが接触する部分である。
以上のように構成されたインダクタＬ及びコンデンサＣでは、コンデンサＣは、前側から見たときに、長方形５０が円５２により切り欠かれた形状をなしている。そして、円５２の中心とインダクタＬの軌道Ｒの中心とは一致している。更に、円５２の直径は、軌道Ｒの直径よりも大きい。これにより、インダクタＬは、前側から見たときに、円５２内に収まっている。ここで、絶縁体層１６ｆ〜１６ｋ（第１の絶縁体層の一例）の表面上にはそれぞれ、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ及びコンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈが設けられている。各絶縁体層１６ｆ〜１６ｋの表面上において、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈの下端Ｕ１（コンデンサ導体層における直交方向の一方側の端部の一例）は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの下端Ｕ２（インダクタにおける直交方向の一方側の端部の一例）よりも、積層体１２の下面の近くに位置している（図３Ｂ参照）。特に、本実施形態に係る電子部品１０では、コンデンサＣの下端は、インダクタＬの下端よりも積層体１２の下面の近くに位置している。また、インダクタＬとコンデンサＣとは、前側から見たときに、重なっていない。
更に、電子部品１０では、図２及び図３Ｂに示すように、絶縁体層１６ｆ〜１６ｋの表面上において、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈは、前側から見たときに、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆと積層体１２の下面との間に存在している。そのため、絶縁体層１６ｆ〜１６ｋにおいて、上下方向と平行であって中心軸Ａｘを通過する仮想線（図３Ｂでは、直線Ｌ０と一致）上において、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈ、積層体１２の下面の順に並んでいる。そして、コンデンサ導体層２２ｅ，２２ｆはそれぞれ、Ｕ字型をなしているので、前側から見たときに、インダクタ導体層１８ｃ，１８ｄと絶縁体層１６ｈ，１６ｉの左側の短辺（第１の辺の一例）面との間の領域、インダクタ導体層１８ｃ，１８ｄと絶縁体層１６ｈ，１６ｉの下側の長辺（第３の辺の一例）との間の領域及びインダクタ導体層１８ｃ，１８ｄと絶縁体層１６ｈ，１６ｉの右側の辺（第２の辺の一例）との間の領域に跨って存在している。ただし、中心軸Ａｘと絶縁体層１６ｄ〜１６ｍの上側の長辺（第４の辺の一例）との間には、コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｊが存在していない。
また、電子部品１０では、インダクタＬ及びコンデンサＣは、直線Ｌ０（軸の一例）に関して、実質的に２回回転対称な構造を有している。より詳細には、以下の組み合わせが、前側から見たときに、直線Ｌ０に関して線対称な関係にある。
コンデンサ導体層２２ａとコンデンサ導体層２２ｊ
コンデンサ導体層２２ｂとコンデンサ導体層２２ｉ
コンデンサ導体層２２ｃとコンデンサ導体層２２ｈ
コンデンサ導体層２２ｄとコンデンサ導体層２２ｇ
コンデンサ導体層２２ｅとコンデンサ導体層２２ｆ
インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｆ
インダクタ導体層１８ｂとインダクタ導体層１８ｅ
インダクタ導体層１８ｃとインダクタ導体層１８ｄ
これにより、インダクタＬ及びコンデンサＣと、直線Ｌ０を中心として１８０度回転させたインダクタＬ及びコンデンサＣとは実質的に一致する。
更に、電子部品１０では、引き出し導体層２０ａ，２０ｂ，２３ａ〜２３ｊ及び外部電極１４ａ，１４ｂも、直線Ｌ０に関して、実質的に２回回転対称な構造を有している。より詳細には、以下の組み合わせが、前側から見たときに、直線Ｌ０に関して線対称な関係にある。
引き出し導体層２０ａと引き出し導体層２０ｂ
引き出し導体層２３ａと引き出し導体層２３ｊ
引き出し導体層２３ｂと引き出し導体層２３ｉ
引き出し導体層２３ｃと引き出し導体層２３ｈ
引き出し導体層２３ｄと引き出し導体層２３ｇ
引き出し導体層２３ｅと引き出し導体層２３ｆ
外部導体層２５ａと外部導体層２６ｊ
外部導体層２５ｂと外部導体層２６ｉ
外部導体層２５ｃと外部導体層２６ｈ
外部導体層２５ｄと外部導体層２６ｇ
外部導体層２５ｅと外部導体層２６ｆ
外部導体層２５ｆと外部導体層２６ｅ
外部導体層２５ｇと外部導体層２６ｄ
外部導体層２５ｈと外部導体層２６ｃ
外部導体層２５ｉと外部導体層２６ｂ
外部導体層２５ｊと外部導体層２６ａ
これにより、引き出し導体層２０ａ，２０ｂ，２３ａ〜２３ｊ及び外部電極１４ａ，１４ｂと、直線Ｌ０を中心として１８０度回転させた引き出し導体層２０ａ，２０ｂ，２３ａ〜２３ｊ及び外部電極１４ａ，１４ｂとは実質的に一致する。
（電子部品の製造方法）
以下に、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。
まず、絶縁体層１６ｏとなるべきマザー絶縁体層を形成する。マザー絶縁体層とは、複数の絶縁体層１６ｏが繋がった状態でマトリクス状に配列された大判の絶縁体層である。８インチ角の大きさのキャリアフィルム上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布した後に、該絶縁ペーストの全体を紫外線で露光する。これにより、絶縁ペーストが硬化し、絶縁体層１６ｏとなるべきマザー絶縁体層が形成される。本実施形態では、焼成後の比誘電率が６である絶縁ペーストを用いた。また、絶縁体層１６ｏに用いられる絶縁ペーストには、絶縁体層１６ｂ〜１６ｎに用いられる絶縁ペーストと異なる着色が施されている。
次に、絶縁体層１６ｎとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層１６ｎとなるべきマザー絶縁体層の形成は、絶縁体層１６ｏとなるべきマザー絶縁体層の形成と同じであるので説明を省略する。
次に、絶縁体層１６ｍとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層１６ｎとなるべきマザー絶縁体層上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布した後に、外部導体層２５ｊ，２６ｊが形成される位置を覆うフォトマスクを介して該絶縁ペーストを紫外線で露光する。これにより、フォトマスクに覆われた部分以外の絶縁ペーストが硬化する。この後、未硬化の絶縁ペーストをアルカリ溶液などで除去する。これにより、右下及び左下の角が切り欠かれた絶縁体層１６ｍとなるべきマザー絶縁体層が形成される。
次に、フォトリソグラフィ工程により、コンデンサ導体層２２ｊ、引き出し導体層２３ｊ及び外部導体層２５ｊ，２６ｊを形成する。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストを印刷により塗布して、導電ペースト層を絶縁体層１６ｍとなるべきマザー絶縁体層上に形成する。この際、絶縁体層１６ｍとなるべきマザー絶縁体層に形成された切り欠き内にも導電ペーストが充填される。更に、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、コンデンサ導体層２２ｊ、引き出し導体層２３ｊ及び外部導体層２５ｊ，２６ｊが、絶縁体層１６ｍとなるべきマザー絶縁体層上に形成される。
この後、絶縁体層１６ｍとなるべきマザー絶縁体層を形成する工程と、コンデンサ導体層２２ｊ及び外部導体層２５ｊ，２６ｊを形成する工程と、を交互に繰り返すことにより、絶縁体層１６ｄ〜１６ｌとなるべきマザー絶縁体層、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ、引き出し導体層２０ａ，２０ｂ，２３ａ〜２３ｉ、コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｉ、外部導体層２５ａ〜２５ｉ，２６ａ〜２６ｉ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ６を形成する。なお、ビアホール導体ｖ１〜ｖ６が形成される絶縁体層１６ｆ〜１６ｊとなるべきマザー絶縁体層の形成時には、ビアホール導体ｖ１〜ｖ６が形成される位置を覆うフォトマスクを介して露光を行う。
次に、絶縁体層１６ａ〜１６ｃとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層１６ａ〜１６ｃとなるべきマザー絶縁体層の形成は、絶縁体層１６ｏとなるべきマザー絶縁体層の形成と同じであるので説明を省略する。絶縁体層１６ａに用いられる絶縁ペーストには、絶縁体層１６ｂ〜１６ｎに用いられる絶縁ペーストと異なる着色が施されている。以上の工程を経て、複数の積層体１２がつながった状態でマトリクス状に配列されたマザー積層体を得る。
次に、ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼成の積層体１２にカットする。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において外部導体層２５ａ〜２５ｊ，２６ａ〜２６ｊを積層体１２から露出させる。なお、後述する焼成において積層体１２が収縮するので、収縮を考慮してマザー積層体をカットする。
次に、未焼成の積層体１２を所定条件で焼成し、積層体１２を得る。更に、積層体１２に対してバレル加工を施す。
最後に、外部導体層２５ａ〜２５ｊ，２６ａ〜２６ｊが積層体１２から露出している部分に、Ｎｉめっき及びＳｎめっきを施す。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。なお、上記の製造方法は例示であって、電子部品１０の構造が実現できるのであれば、他の公知の製造方法で置き換えたり、追加したりしてもよい。
（効果）
電子部品１０によれば、インダクタＬの特性の劣化を抑制できる。より詳細には、積層体１２の実装面は、積層体１２の下面である。故に、電子部品１０が回路基板に実装されると、電子部品１０の下側に回路基板が位置する。これに対して、インダクタＬの中心軸Ａｘは、前後方向に延在している。インダクタＬの中心軸Ａｘ付近では、中心軸Ａｘに沿って伸びる磁束が多く発生する。故に、電子部品１０では、インダクタＬが発生した磁束が回路基板のランド電極やグランド導体層に遮られることが抑制され、渦電流の発生が抑制される。その結果、電子部品１０において、インダクタＬのインダクタンス値及びＱ値の低下が抑制され、インダクタＬの特性の劣化が抑制される。
また、電子部品１０によれば、以下の理由によっても、インダクタＬの特性の劣化を抑制できる。より詳細には、各絶縁体層１６ｆ〜１６ｋの表面上において、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈの下端Ｕ１は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの下端Ｕ２よりも、積層体１２の下面の近くに位置している。これにより、インダクタＬは、積層体１２の下面から離れるようになり、電子部品１０が実装される回路基板からも離れるようになる。よって、インダクタＬが発生した磁束が回路基板のランド電極やグランド導体層に遮られることが抑制され、渦電流の発生が抑制される。その結果、電子部品１０において、インダクタＬのインダクタンス値及びＱ値の低下が抑制され、インダクタＬの特性の劣化が抑制される。
なお、電子部品１０では、絶縁体層１６ｆ〜１６ｋの表面上において、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈは、前側から見たときに、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆと積層体１２の下面との間に存在している。これにより、インダクタＬは、積層体１２の下面からより離れるようになる。その結果、電子部品１０において、インダクタＬのインダクタンス値及びＱ値の低下がより効果的に抑制され、インダクタＬの特性の劣化がより効果的に抑制される
更に、電子部品１０によれば、インダクタＬの特性のばらつきを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載のラベルと同じような内部構造を有し、下層シート側にコイル及びコンデンサと電気的に接続された外部電極を有する表面実装型の電子部品が実装される回路基板の構造は、該電子部品が用いられる電子機器によって異なる。故に、特許文献１に記載のラベルと同じような内部構造を有し、下層シート側にコイル及びコンデンサと電気的に接続された外部電極を有する表面実装型の電子部品の周囲に存在するランド電極やグランド導体層の配置も、該電子部品が用いられる電子機器によって異なる。そのため、ランド電極やグランド導体層に遮られる磁束の数も電子機器によってばらつき、渦電流の量も電子機器によってばらつく。特に、該電子部品では、磁束が上下方向に沿って伸びるので、ランド電極やグランド導体層に遮られる可能性がある磁束の数が多く、遮蔽される磁束の数のばらつきが大きくなりやすい。よって、渦電流の量のばらつきも大きくなりやすい。その結果、特許文献１に記載のラベルと同じような内部構造を有し、下層シート側にコイル及びコンデンサと電気的に接続された外部電極を有する表面実装型の電子部品では、コイルのインダクタンス値及びＱ値のばらつきが大きくなり、コイルの特性のばらつきが大きくなる。
そこで、電子部品１０では、インダクタＬの中心軸Ａｘは、前後方向に延在している。更に、各絶縁体層１６ｆ〜１６ｋの表面上において、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈの下端Ｕ１は、前側から見たときに、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの下端Ｕ２よりも、積層体１２の下面の近くに位置している。これにより、回路基板のランド電極やグランド導体層に遮られる磁束の数が抑制される。その結果、インダクタＬのインダクタンス値及びＱ値のばらつきが抑制され、回路基板上のランド電極やグランド導体層の位置によるインダクタＬの特性のばらつきが抑制される。また、インダクタＬの特性のばらつきが少ないので、電子部品１０では、接地電位に接続されるグランド電極が不要となる。
また、電子部品１０では、インダクタＬとコンデンサＣとがＬＣ並列共振器を構成している。ＬＣ並列共振器の共振周波数における減衰量は、インダクタＬのＱ値に依存している。そのため、前記のように、インダクタＬのＱ値の低下が抑制されると、ＬＣ並列共振器の共振周波数における減衰量が大きくなる。更に、前記のように、インダクタＬのＱ値のばらつきが抑制されると、ＬＣ並列共振器の共振周波数における減衰量のばらつきが抑制される。
また、ＬＣ並列共振器の共振周波数は、インダクタＬのインダクタンス値に依存している。そのため、前記のように、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきが抑制されると、ＬＣ並列共振器の共振周波数のばらつきが抑制される。
また、電子部品１０では、電子部品１０を回路基板に実装する際に、電子部品１０の方向を考慮する必要がなくなる。以下に、第１のランド電極及び第２のランド電極を備えた回路基板に電子部品１０を実装する場合を例に挙げて説明する。
以下では、電子部品１０において、第１のランド電極と外部電極１４ａとを接続し、第２のランド電極と外部電極１４ｂとを接続した接続方法を第１の接続方法と呼ぶ。また、電子部品１０において、第２のランド電極と外部電極１４ａとを接続し、第１のランド電極と外部電極１４ｂとを接続した接続方法を第２の接続方法と呼ぶ。電子部品１０では、インダクタＬ及びコンデンサＣが直線Ｌ０に関して２回回転対称な構造を有しているので、第１の接続方法におけるインダクタＬ及びコンデンサＣの配置と、第２の接続方法におけるインダクタＬ及びコンデンサＣの配置とは、実質的に一致する。そのため、第１の接続方法においてインダクタＬが発生する磁束の分布と、第２の接続方法においてインダクタＬが発生する磁束の分布とが実質的に等しくなる。よって、第１の接続方法と第２の接続方法との間において、回路基板のランド電極やグランド導体層に遮られる磁束の数も実質的に等しくなり、インダクタＬのインダクタンス値及びＱ値の低下も実質的に等しくなる。すなわち、第１の接続方法と第２の接続方法との間において、インダクタＬの特性にばらつきが生じにくい。よって、電子部品１０を回路基板に実装する際に、電子部品１０の方向を考慮する必要がない。
また、第１の接続方法と第２の接続方法との間において、インダクタＬ及びコンデンサＣが周囲の電子部品や回路基板から受ける電気的な影響（例えば、ノイズ等）のばらつきも抑制される。かかる観点からも、電子部品１０を回路基板に実装する際に、電子部品１０の方向を考慮する必要がない。
また、電子部品１０では、インダクタＬとコンデンサＣとは前側から見たときに重なっていないので、インダクタＬが発生した磁束がコンデンサＣに遮られることが抑制される。その結果、電子部品１０において、インダクタＬのインダクタンス値及びＱ値の低下が抑制され、インダクタＬの特性の劣化が抑制される。
また、電子部品１０では、絶縁体層１６ｄ，１６ｅ，１６ｈ，１６ｉ，１６ｌ，１６ｍの表面上に設けられるコンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ，２２ｅ，２２ｆ，２２ｉの面積を大きくすることができるので、より高容量のコンデンサＣを構成することができる。
ところで、電子部品１０の下側には回路基板が存在し、電子部品の右側及び左側には電子部品等が存在する。しかしながら、電子部品１０の上側には空間が広がっており、電子部品や回路基板が存在しない場合が多い。そのため、電子部品１０の上面において磁束が遮られる可能性は低い。そこで、電子部品１０では、中心軸Ａｘと上面との間には、前側から見たときに、コンデンサＣが存在せず、インダクタＬが上面近くに設けられている。これにより、インダクタＬが発生した磁束の内の上面側を通過する磁束がコンデンサＣに遮られることが抑制されるようになる。
また、電子部品１０では、ＬＣ並列共振器の容量値を大きくすることができる。より詳細には、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈの下端Ｕ１は、前側から見たときに、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの下端Ｕ２よりも、積層体１２の下面の近くに位置している。また、積層体１２の下面には、外部電極１４ａ，１４ｂが設けられている。これにより、コンデンサＣと外部電極１４ａ，１４ｂとが近接し、これらの間に発生する容量が大きくなる。その結果、ＬＣ並列共振器の容量値を大きくすることができる。
また、電子部品１０では、ＬＣ並列共振器の容量値を大きくすることができる。より詳細には、外部電極１４ａ，１４ｂがそれぞれ、積層体１２の右面及び左面に設けられている。これにより、コンデンサＣと外部電極１４ａ，１４ｂとの対向面積が大きくなり、これらの間に発生する容量が大きくなる。その結果、ＬＣ並列共振器の容量値を大きくすることができる。
ところで、本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験及びコンピュータシミュレーションを行った。本願発明者は、コンデンサとインダクタとをディスクリート構成で組み合わせて、２．４４ＧＨｚの共振周波数を有し、約１７ｄＢの減衰量を有するＬＣ並列共振器（以下、ディスクリート構成又はディスクリート構成であるＬＣ並列共振器とも呼ぶ）の第１のモデルを作成した。そして、本願発明者は、該第１のモデルの通過特性をコンピュータに演算させた。コンデンサ及びインダクタのサイズは、以下の通りである。
コンデンサ及びインダクタの左右方向の長さ：０．４ｍｍ
コンデンサ及びインダクタの前後方向の幅：０．２ｍｍ
コンデンサ及びインダクタの上下方向の高さ：０．２ｍｍ
図４は、第１のモデル、コンデンサ及びインダクタの通過特性を示したグラフである。縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。図４では、第１のモデルが２．４４ＧＨｚの共振周波数を有し、約１７ｄＢの減衰量を有していることが分かる。
そこで、本願発明者は、第１のモデルで得られた結果（すなわち、共振周波数が２．４４ＧＨｚ・減衰量が１７ｄＢ）と同等の結果を得られる電子部品１０の構造を検討し、該構造を有する第２のモデルを作成した。そして、本願発明者は、第２のモデルの通過特性をコンピュータに演算させた。図５は、電子部品１０及び第２のモデルの通過特性を示したグラフである。縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。
図４と図５とを比較すると、第１のモデルの通過特性と第２のモデルの通過特性とが近い結果となっていることが分かる。そこで、本願発明者は、第２のモデルの構造を有する電子部品１０を作製し、該電子部品１０の通過特性を実際に測定した。図５によれば、電子部品１０の実際の測定結果と第２のモデルのシミュレーション結果とが近いことが分かる。よって、電子部品１０がディスクリート構成の第１のモデルと同等の性能を有することが分かる。すなわち、電子部品１０は、インダクタＬ及びコンデンサＣを１つの素子内に備えているにもかかわらず、ディスクリート品であるＬＣ並列共振器と同等の性能を得られることが分かる。
また、ディスクリート品では、２つの電子部品が必要であるのに対して、電子部品１０では、１つの電子部品で足りる。よって、電子部品１０では、ディスクリート品であるＬＣ並列共振器の特性と同等の特性を得つつ、小型化が図られている。
また、図６は、参考例に係る電子部品１１０の積層体１１２の分解斜視図である。電子部品１１０において、電子部品１０と同じ構成の参照符号については、電子部品１０の参照符号に１００を足したものを用いた。電子部品１１０は、図６に示すように、インダクタＬとコンデンサＣとが左右に並ぶように配置されている点において電子部品１０と相違する。特に、電子部品１１０においては、コンデンサ導体層１２２ｃ〜１２２ｈとインダクタ導体層１１８ａ〜１１８ｆとのそれぞれが設けられた絶縁体層１１６ｆ〜１１６ｋの表面上において、コンデンサ導体層１２２ｃ〜１２２ｈにおける下端がインダクタ導体層１１８ａ〜１１８ｆにおける下端よりも実装面から遠い構成となっている。すなわち、電子部品１１０には、複数の絶縁体層１１６ａ〜１１６ｏは、絶縁体層１６ｆ〜１６ｋ（第１の絶縁体層の一例）に相当する絶縁体層が存在しない。なお、電子部品１１０は、本願発明者が考え出した構造であり、公知の構造ではない。
本願発明者は、電子部品１０，１１０のサンプルを作製し、回路基板に実装した。そして、本願発明者は、各サンプルの静電容量値、共振周波数、共振周波数における減衰量を測定した。以下に、実験条件を列挙する。なお、電子部品１０，１１０は、Ｗｉｆｉに用いられる２.４４ＧＨｚ帯をトラップすることを目的として作製した。
電子部品１０，１１０の左右方向の長さ：０．４ｍｍ
電子部品１０，１１０の前後方向の幅：０．２ｍｍ
電子部品１０，１１０の上下方向の高さ：０．３ｍｍ
インダクタＬの構造：４．５ターンの６層構造
インダクタＬの線幅：１５μｍ
インダクタＬのインダクタンス値：２．０ｎＨ
コンデンサＣの構造：１０層
コンデンサＣの容量値：２．０ｐＦ
なお、インダクタＬのインダクタンス値及びコンデンサＣの容量値は、設計上の目標値である。また、インダクタンス値は、インダクタＬの自己共振周波数が共振周波数（２.４４ＧＨｚ）よりも十分に高くなるように、設定されている。
表１は、実験結果を示した表である。
Figure 2017143116
表１に記載したように、電子部品１１０では０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．３ｍｍの外形サイズにおいて、インダクタＬのインダクタンス値を２．０ｎＨ確保できる構成を取ると、コンデンサＣの静電容量値を最大１．７ｐＦまでしか取得することができなかった。これにより、電子部品１１０では共振周波数を目標とする２．４４ＧＨｚに合わせることができなかった。
また、電子部品１０の共振周波数における減衰量の方が、電子部品１１０の共振周波数における減衰量よりも大きくなっていることが分かる。これは、電子部品１０のインダクタＬにおけるＱ値の方が、電子部品１１０のインダクタＬにおけるＱ値よりも大きいためであると考えられる。すなわち、電子部品１０の構成は、電子部品１１０の構成と比較して、インダクタＬを導体で囲む領域が小さく、渦電流損が小さいため、Ｑ値が向上している。
なお、電子部品１１０では、インダクタＬ及びコンデンサＣが２回回転対称な構造を有していないので、特性に方向性が出る場合があり、この場合、実装時の電子部品１１０の向きに注意を払う必要がある。一方、電子部品１０では、インダクタＬ及びコンデンサＣが２回回転対称な構造を有しているので、特性に方向性がほぼ存在しないので、実装時の電子部品１０の向きに注意を払う必要がない。
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記電子部品１０に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
なお、電子部品１０において、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈの下端Ｕ１は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの下端Ｕ２よりも、積層体１２の下面の近くに位置していればよく、中心軸Ａｘと積層体１２の下面との間には、コンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈが存在していなくてもよい。すなわち、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆとコンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈとが左右に並んでいてもよい。このような構成であっても、インダクタＬが回路基板から離れるので、インダクタンス値及びＱ値の低下を抑制できる。
また、インダクタＬ及びコンデンサＣは、直線Ｌ０に関して、実質的に２回回転対称な構造を有していなくてもよい。
また、外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、積層体１２の下面のみに設けられ、積層体１２の右面及び左面に設けられていなくてもよい。この場合、コンデンサＣをより積層体１２の右面及び左面に近づけることができるので、コンデンサＣの面積を大きくして、コンデンサＣの容量値を大きくすることができる。
なお、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆは絶縁体層１６ｆ〜１６ｋに設けられており、絶縁体層１６ｆ〜１６ｋにはコンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈが設けられている。すなわち、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆが設けられている全ての絶縁体層はコンデンサ導体層２２ｃ〜２２ｈが設けられている絶縁体層１６ｆ〜１６ｋ（第１の絶縁体層の一例）である。しかしながら、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆが設けられている絶縁体層１６ｆ〜１６ｋの一部にコンデンサ導体層が設けられていなくてもよい。すなわち、絶縁体層１６ａ〜１６ｏは、インダクタ導体層及びコンデンサ導体層が設けられた少なくとも１以上の絶縁体層を含んでいればよい。ただし、絶縁体層１６ａ〜１６ｏは、インダクタ導体層及びコンデンサ導体層が設けられた複数の絶縁体層を含んでいることが望ましい。
なお、電子部品１０は、導体層が設けられたセラミックグリーンシートを１枚ずつ積層・圧着して未焼成の積層体を形成した後に、未焼成の積層体を焼成する逐次圧着法によって作製されてもよい。
なお、インダクタＬは、弦巻状であるとしたが、渦巻状であってもよい。弦巻状とは３次元構造の螺旋（ｈｅｌｉｘ）を意味し、渦巻状とは２次元構造の螺旋（ｓｐｉｒａｌ）を意味する。なお、インダクタＬが渦巻状をなす場合には、インダクタ導体層と引き出し導体層との境界は、渦巻状の軌跡から導体が離脱する部分を指す。
なお、コンデンサＣは、前側から見たときに、Ｕ字型をなすとしているが、コンデンサＣの形状はこれに限らない。コンデンサＣは、例えば、インダクタＬよりも下側において、左右方向に延在する長方形状をなしていてもよい。
また、コンデンサＣとインダクタＬとは、ＬＣ並列共振器を構成しているが、ＬＣ並列共振器以外のＬＣ共振器（例えば、ＬＣ直列共振器）を構成していてもよい。更に、コンデンサＣとインダクタＬとは、ＬＣ共振器を構成していなくてもよい。
また、外部電極１４ａ，１４ｂ以外に更に外部電極が設けられていてもよい。例えば、前記のように、コンデンサＣとインダクタＬとがＬＣ共振器を構成していない場合には、コンデンサＣの両端に接続される２つの外部電極とインダクタＬの両端に接続される２つの外部電極とがそれぞれ別々に設けられ合計４つの外部電極を有していてもよい。
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、インダクタの特性の劣化を抑制できる点で優れている。
１０：電子部品
１２：積層体
１４ａ，１４ｂ：外部電極
１６ａ〜１６ｏ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｆ：インダクタ導体層
２０ａ，２０ｂ，２３ａ〜２３ｊ：引き出し導体層
２０ｂ ：引き出し導体層
２２ａ〜２２ｊ：コンデンサ導体層
２５ａ〜２５ｊ，２６ａ〜２６ｊ：外部導体層
５０：長方形
５２：円
Ａｘ：中心軸
Ｃ：コンデンサ
Ｌ：インダクタ
Ｒ：軌道
Ｕ１，Ｕ２：下端

Claims (12)

  1. １以上の第１の絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている直方体状の積層体と、
    前記絶縁体層の主面上に設けられている複数のコンデンサ導体層を含んでいるコンデンサと、
    前記絶縁体層の主面上に設けられている１以上のインダクタ導体層を含み、かつ、前記積層方向に沿って延在する中心軸を有する螺旋状のインダクタと、
    を備えており、
    前記積層体の実装面は、該積層体において前記積層方向に直交する第１の直交方向の一方側の端に位置する面であり、
    前記第１の絶縁体層の主面上には、前記インダクタ導体層及び前記コンデンサ導体層が設けられており、
    前記第１の絶縁体層の主面上において、前記コンデンサ導体層における前記第１の直交方向の一方側の端部は、前記インダクタ導体層における該第１の直交方向の一方側の端部よりも、前記実装面の近くに位置していること、
    を特徴とする電子部品。
  2. 前記第１の絶縁体層の主面上において、前記インダクタ導体層と前記実装面との間に前記コンデンサ導体層が存在していること、
    を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  3. 前記第１の絶縁体層の主面上において、前記第１の直交方向と平行であって前記中心軸を通過する仮想線上において、前記インダクタ導体層、前記コンデンサ導体層、前記実装面の順に並ぶこと、
    を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
  4. 前記コンデンサと前記インダクタとは、ＬＣ共振器を構成していること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
  5. 前記コンデンサ及び前記インダクタに電気的に接続され、かつ、前記実装面に設けられている第１の外部電極及び第２の外部電極を、
    更に備えていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
  6. 前記積層方向及び前記第１の直交方向に直交する方向を第２の直交方向と定義し、
    前記積層体において前記第２の直交方向の一方側の端に位置する面を第１の側面とし、
    前記第１の外部電極は、前記実装面及び前記第１の側面に跨っていること、
    を特徴とする請求項５に記載の電子部品。
  7. 前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極以外の外部電極を備えていないこと、
    を特徴とする請求項５又は請求項６のいずれかに記載の電子部品。
  8. 前記コンデンサ及び前記インダクタは、前記実装面の対角線の交点を通過し、かつ、前記積層方向に平行な軸に関して、実質的に２回回転対称な構造を有していること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
  9. 前記積層方向及び前記第１の直交方向に直交する方向を第２の直交方向と定義し、
    前記絶縁体層の主面において前記第２の直交方向の一方側に位置する面を第１の辺とし、該絶縁体層の主面において該第２の直交方向の他方側に位置する面を第２の辺とし、該絶縁体層の主面において前記第１の直交方向の一方側に位置する面を第３の辺とし、
    前記第１の絶縁体層の主面上において、前記コンデンサ導体層は、前記積層方向から見たときに、前記インダクタ導体層と前記第１の辺との間の領域、該インダクタ導体層と前記第３の辺との間の領域及び該インダクタ導体層と前記第２の辺との間の領域に跨って存在していること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品。
  10. 前記絶縁体層において前記第１の直交方向の他方側に位置する面を第４の辺とし、
    前記中心軸と前記第４の辺との間には、前記積層方向から見たときに、前記コンデンサ導体層が存在していないこと、
    を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品。
  11. 前記複数の絶縁体層は、複数の前記第１の絶縁体層を含んでいること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の電子部品。
  12. 前記１以上のインダクタ導体層が設けられている前記絶縁体層は全て前記第１の絶縁体層であること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の電子部品。
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