JP2017005090A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017005090A JP2017005090A JP2015116991A JP2015116991A JP2017005090A JP 2017005090 A JP2017005090 A JP 2017005090A JP 2015116991 A JP2015116991 A JP 2015116991A JP 2015116991 A JP2015116991 A JP 2015116991A JP 2017005090 A JP2017005090 A JP 2017005090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing chamber
- temperature
- process condition
- purge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 387
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 70
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 626
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 333
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 287
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 189
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 97
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 44
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims abstract description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 145
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 80
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 66
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 10
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- -1 hydrogen radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXJUCLBTTSNHOF-UHFFFAOYSA-N 5-ethylcyclopenta-1,3-diene;ruthenium(2+) Chemical compound [Ru+2].CC[C-]1C=CC=C1.CC[C-]1C=CC=C1 OXJUCLBTTSNHOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJPFZRACRCONRE-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)N[W](NC(C)(C)C)(=NC(C)(C)C)=NC(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)N[W](NC(C)(C)C)(=NC(C)(C)C)=NC(C)(C)C SJPFZRACRCONRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJJNVLYPVWPOCK-UHFFFAOYSA-N C[Hf]N Chemical compound C[Hf]N KJJNVLYPVWPOCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000645 Hg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N Temazepam Chemical compound N=1C(O)C(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2C=1C1=CC=CC=C1 SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- VPFJVCJZOKOCHT-UHFFFAOYSA-N butylcyclopentane;yttrium Chemical compound [Y].CCCC[C]1[CH][CH][CH][CH]1.CCCC[C]1[CH][CH][CH][CH]1.CCCC[C]1[CH][CH][CH][CH]1 VPFJVCJZOKOCHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CIXQIEOCFNVARN-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+);5-ethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Co+2].CC[C-]1C=CC=C1.CC[C-]1C=CC=C1 CIXQIEOCFNVARN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N iodine(1+) Chemical compound [I+] OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRQNNUGOBNRKKW-UHFFFAOYSA-K trifluororuthenium Chemical compound F[Ru](F)F YRQNNUGOBNRKKW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K yttrium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Y+3] PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrafluoride Chemical compound F[Zr](F)(F)F OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02131—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being halogen doped silicon oxides, e.g. FSG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
- H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
- H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ハロゲン元素を含むクリーニングガスにより内部の部材に付着した酸化膜が除去された処理室内に、水素および酸素を含むパージガスを、第1のプロセス条件で供給して排気する工程と、パージガスを第1のプロセス条件で供給して排気する工程の後、パージガスを、第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で処理室内に供給して排気する工程と、を有し、第1のプロセス条件は第2のプロセス条件より、クリーニングガスを処理室内に供給した際に処理室内に残留するハロゲン元素とパージガスとの反応性が高いようなプロセス条件である。
【選択図】図5
Description
ハロゲン元素を含むクリーニングガスにより内部の部材に付着した酸化膜が除去された処理室内に、水素および酸素を含むパージガスを、第1のプロセス条件で供給して排気する工程と、
前記パージガスを前記第1のプロセス条件で供給して排気する工程の後、前記パージガスを、前記第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する工程と、
を有し、前記第1のプロセス条件は前記第2のプロセス条件より、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給した際に前記処理室内に残留する前記ハロゲン元素と前記パージガスとの反応性が高いようなプロセス条件である技術が提供される。
以下、本発明の好適な第1の実施形態について図1および図2を用いて説明する。基板処理装置10は、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程である基板処理工程において使用される装置の一例として構成されている。
処理炉202には加熱手段(加熱機構、加熱系)としてのヒータ207が設けられている。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端を閉塞した状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によりボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
続いて,TiO膜を形成するステップを実行する。TiO膜形成ステップは、以下に説明する原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、O含有ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを含む。
バルブ514を開き、ガス供給管510内に原料ガスであるTiCl4ガスを流す。ガス供給管510内を流れるTiCl4ガスは、MFC512により流量調整される。流量調整されたTiCl4ガスは、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はTiCl4ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ314を開き、ガス供給管310内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管310内を流れるN2ガスは、MFC312により流量調整される。流量調整されたN2ガスはTiCl4ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420、ノズル430内へのTiCl4ガスの侵入を防止するために、バルブ324,334を開き、ガス供給管320、ガス供給管330内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管520、ガス供給管530、ノズル420、ノズル430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
Ti含有層が形成された後、バルブ514を閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応又はTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する。すなわち、Ti含有層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応又はTi含有層の形成に寄与した後のTiCl4ガスを除去する。このときバルブ314,324,334は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応又はTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ524を開き、ガス供給管520内にO含有ガスであるH2Oガスを流す。ガス供給管520内を流れるH2Oガスは、MFC522により流量調整される。流量調整されたH2Oガスは、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給される。処理室201内に供給されたH2Oガスは、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、H2Oガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はH2Oガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ324を開き、ガス供給管320内にN2ガスを流す。ガス供給管320内を流れるN2ガスは、MFC322により流量調整される。N2ガスはH2Oガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル410,430内へのH2Oガスの侵入を防止するために、バルブ314,334を開き、ガス供給管310,330内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管510,530、ノズル410,430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
TiO層を形成した後、バルブ524を閉じて、H2Oガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応又はTiO層の形成に寄与した後のH2Oガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このときバルブ314,324,334は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応又はTiO層の形成に寄与した後のH2Oガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を高めることができる。
上記した原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、O含有ガス供給ステップ、残留ガス供給ステップを順に時分割して行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、すなわち、原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、O含有ガス供給ステップ、残留ガス供給ステップの処理を1サイクルとして、これらの処理をnサイクル(nは1以上の整数)だけ実行することにより、ウエハ200上に、所定の厚さのTiO膜を形成する。本明細書において、「処理(もしくは工程、サイクル、ステップ等と称する)を所定回数行う」とは、この処理等を1回もしくは複数回行うことを意味する。すなわち、処理を1回以上行うことを意味する。図4は、各処理(サイクル)をnサイクルずつ繰り返す例を示している。nの値は、最終的に形成されるTiO膜において必要とされる膜厚に応じて適宜選択される。すなわち、上述の各処理を行う回数は、目標とする膜厚に応じて決定される。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。なお、TiO膜の厚さは、例えば10〜150nmであって、好ましくは50〜120nmであり、より好ましくは70〜90nmとする。TiO膜の厚さ(膜厚)が150nmより厚いとラフネスが大きくなってしまう可能性があり、10nmより薄いと下地膜との応力差で膜剥がれが発生してしまう可能性がある。
バルブ314,324,334を開き、ガス供給管310,320,330のそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
上述の成膜処理を行うと、反応管203の内壁、ノズル410,420,430の表面、マニホールド209の内壁、ボート217の表面、シールキャップ219の上面、断熱板218等に、TiO膜等の薄膜を含む堆積物が累積する。すなわち、Oを含む堆積物(酸化膜)が、加熱された処理室201内の部材の表面等に付着して累積する。そこで、これらの堆積物の量(堆積物の厚さ)、すなわち、累積膜厚が、堆積物に剥離や落下が生じる前の所定の量(厚さ)に達する前に、クリーニング処理が行われる。
空のボート217、すなわち、ウエハ200を装填していないボート217が、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内が後述する所定のエッチング圧力となるように、真空ポンプ246によって真空排気される。真空ポンプ246は、少なくとも、後述のパージ処理におけるH2Oサイクルパージステップが終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が後述する所定のエッチング温度となるように、ヒータ207によって加熱される。また、回転機構267によるボート217の回転を開始する。ボート217の回転は、少なくともH2Oサイクルパージステップが完了するまでの間は、継続して行われる。但し、ボート217は回転させなくてもよい。
このステップでは、ウエハ200上にTiO膜を形成する処理を行った後の処理室201内、すなわち、O含有膜を含む堆積物が付着した処理室201内へ、ClF3ガスを供給する。
ClF3ガスを所定時間供給した後、バルブ534を閉じ、ClF3ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応又は堆積物のエッチング反応に寄与した後のClF3ガスを処理室201内から排除する。このときバルブ314,324,334は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応又は堆積物のエッチング反応に寄与した後のClF3ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
上述のクリーニング処理を行うと、つまり、ClF3エッチングステップを行うと、上述のように、処理室201内にTiF4等が発生する。つまり、TiF4等としてF成分が残留することとなる。このような残留F成分は、後に再びTiO膜の成膜処理を行う際に、TiO膜中にF成分が混入する要因となる。そのため、本実施形態では、クリーニング処理に引き続き、残留F成分、つまり、クリーニングガスを処理室201内に供給した際に処理室201内に残留するハロゲン元素(クリーニングガスに由来する残留ハロゲン元素)を、処理室201内から除去するためのパージ処理が行われる。
このステップでは、処理室201内をHおよびOを含むガスとしてのH2Oガスでパージする工程(H2Oパージステップ)と、処理室201内を不活性ガスとしてのN2ガスでパージする工程(N2パージステップ)と、処理室201内を減圧排気する工程(バキュームステップ)と、を交互に繰り返すことで、処理室201内の残留F成分を処理室201内から排除する。H2OパージステップとN2パージステップとバキュームステップとを交互に繰り返すこと、つまり、複数回行うことを、本明細書では、サイクルパージ、或いは、サイクリックパージとも称する。
上述のパージ処理を行い、処理室201内の温度が成膜処理の温度まで低下した後、TiO膜のプリコート処理を行う。プリコート処理では、空のボート217が処理室201内に搬入された状態で、上述の成膜処理におけるTiO膜形成ステップと同様な条件で同様な処理を行うことにより、反応管203の内壁、ノズル410,420,430の表面、マニホールド209の内壁、ボート217の表面、シールキャップ219の上面、断熱板218等の表面に、例えば40nm以上の(所定の)厚さ程度のTiO膜を形成する。これにより、H2Oサイクルパージステップにおいても除去しきれなかった残留F成分を封じ込めることが可能となる。
プリコート処理を行った後、バルブ314,324,334を開き、ガス供給管310,320,330のそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、空のボート217が、マニホールド209の下端から反応管203の外部へ搬出される(ボートアンロード)。その後、上述の成膜処理が再開されることとなる。
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果が得られる。
本実施形態におけるパージ処理は、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。なお、以下の変形例において、パージ処理以外の処理については、上述の実施形態と同様である。以下の変形例においても、上述の実施形態と同様な効果を得ることができる。
図5(b)に示すように、H2Oサイクルパージステップにおいて成膜処理時の処理温度まで降温した後に、N2ガスを用いたパージを追加してもよい。追加されたN2ガスを用いたパージにより、H2Oサイクルパージステップで用いたH2Oの除去をより確実にすることができる。
図6(a)に示すように、H2Oサイクルパージステップにおいて成膜処理時の処理温度までは降温させず、H2Oサイクルパージステップの終了後、成膜処理時の処理温度まで降温させながら行うN2ガスを用いたパージを追加してもよい。追加されたN2ガスを用いたパージにより、成膜処理時の処理温度まで降温させる工程を利用しつつ、H2Oサイクルパージステップで用いたH2Oの除去をより確実にすることができる。
なお、図6(b)に示すように、H2Oサイクルパージステップを、クリーニング処理時の処理温度と同じ一定温度で行った後に、成膜処理時の処理温度まで降温させながら行うN2ガスによるパージを追加することもできる。
例えば、図7(a)に示すように、H2OサイクルパージステップのH2OパージステップにおけるH2Oガスの供給時間を、H2Oガスの供給流量は一定に保ちつつ、H2Oサイクルパージステップの開始時から終了時に向けて、徐々に短くすることができる。
また例えば、図7(b)に示すように、H2OサイクルパージステップのH2OパージステップにおけるH2Oガスの供給流量を、H2Oガスの供給時間は一定に保ちつつ、H2Oサイクルパージステップの開始時から終了時に向けて、徐々に少なくすることができる。
以下、本発明の好適な第2〜第4の実施形態について、それぞれ、図8〜図10を用いて説明する。図8〜図10は、それぞれ、本発明の第2〜第4の実施形態で好適に用いられる基板処理装置10の処理炉202の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面図で示す図である。以下、各実施形態について、主に、第1の実施形態で説明した基板処理装置10との違いについて説明する。なお、基板処理装置10を用いた各処理は、第1実施形態で説明した各処理と同様である。第2〜第4の実施形態においても、第1の実施形態と同様な効果を得ることができる。第1〜第4の実施形態の構造は、適宜組み合わせて用いてもよい。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
ハロゲン元素を含むクリーニングガスにより内部の部材に付着した酸化膜が除去された処理室内に、水素および酸素を含むパージガスを、第1のプロセス条件で供給して排気する工程と、
前記パージガスを前記第1のプロセス条件で供給して排気する工程の後、前記パージガスを、前記第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する工程と、
を有し、前記第1のプロセス条件は前記第2のプロセス条件より、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給した際に前記処理室内に残留する前記ハロゲン元素と前記パージガスとの反応性が高いようなプロセス条件である半導体装置の製造方法、または基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2のプロセス条件における前記処理室内の温度は、前記第1のプロセス条件における前記処理室内の温度より低い。
付記2に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1のプロセス条件における前記処理室内の温度は、前記酸化膜を除去する際と同じ温度である。
付記3に記載の方法であって、好ましくは、
前記処理室内に収容された基板に対して原料ガスと酸素含有ガスとを供給して前記基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記クリーニングガスを前記処理室内に供給して、前記処理室内の部材に付着した前記酸化膜を除去する工程と、
を、前記パージガスを、前記第1のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する工程の前に行い、前記酸化膜を除去する工程は、前記基板上に前記酸化膜を形成する工程より高い温度で行う。
付記4に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸素含有ガスと前記パージガスは同じガスである。
付記4に記載の方法であって、好ましくは、
前記原料ガスは金属含有ガスである。
付記2に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2のプロセス条件は、前記処理室内の温度を徐々に低くするようなプロセス条件である。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記パージガスを前記第1のプロセス条件で供給して排気する工程を複数回行った後、前記パージガスを前記第2のプロセス条件で供給して排気する工程を複数回行う。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2のプロセス条件における前記パージガスの供給量は、前記第1のプロセス条件における前記パージガスの供給量より少ない。
付記4に記載の方法であって、好ましくは、
前記膜を形成する工程では酸素含有ガスを基板が存在する領域へ供給し、前記パージガスを前記第1のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する工程および前記パージガスを前記第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する工程では、前記パージガスを前記基板が存在する領域および処理室の下部であって前記基板が存在しない領域へ供給する。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記パージガスを前記第1のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する工程および前記パージガスを前記第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する工程では、前記処理室内の圧力を減圧制御した状態で、前記パージガスを瞬時に供給する。
付記4に記載の方法であって、好ましくは、
前記クリーニングガスは前記原料ガスを供給するラインとは独立したラインから前記処理室内に供給する。
付記12に記載の方法であって、好ましくは、
前記クリーニングガスは前記独立したラインとは別に前記原料ガスを供給するラインからも前記処理室内に供給する。
付記4に記載の方法であって、好ましくは、
前記パージガスは前記原料ガスを供給するラインとは独立したラインおよび前記原料ガスを供給するラインから前記処理室内に供給する。
付記2に記載の方法であって、好ましくは、
前記処理室内に基板を搬入する工程と、
前記基板を第1の温度とした状態で、前記基板に対して原料ガスと酸素含有ガスとを供給して前記基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜が形成された前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
前記処理室を前記第1の温度より高い第2の温度で維持した状態で、前記クリーニングガスを供給して、前記処理室内の部材に付着した前記酸化膜を除去する工程と、
前記処理室内に、前記パージガスを供給し排気して、前記処理室内に残留する前記ハロゲン元素を除去する工程であって、前記パージガスを前記第1のプロセス条件で供給して排気する工程と前記パージガスを前記第2のプロセス条件で供給して排気する工程とを含む工程と、
を有し、前記ハロゲン元素を除去する工程では、前記第2の温度から前記第1の温度に近づくように徐々に温度を低くする。
付記2に記載の方法であって、好ましくは、
前記内部の部材に酸化膜が付着した際の前記処理室内の温度を第1の温度とし、前記クリーニングガスにより前記酸化膜を除去した際の前記処理室内の温度を前記第1の温度よりも高い第2の温度とし、前記第1のプロセス条件および前記第2のプロセス条件では、前記第2の温度から前記第1の温度に近づくように徐々に温度を低くする。
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に、水素および酸素を含むパージガスを供給するパージガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
ハロゲン元素を含むクリーニングガスにより前記基板を処理した際に前記処理室内の部材に付着した酸化膜が除去された前記処理室内に、前記パージガスを、第1のプロセス条件で供給して排気する処理と、前記パージガスを、第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する処理と、行い、前記第1のプロセス条件は前記第2のプロセス条件より、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給した際に前記処理室内に残留する前記ハロゲン元素と前記パージガスとの反応性が高いようなプロセス条件であるように、前記パージガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
ハロゲン元素を含むクリーニングガスにより内部の部材に付着した酸化膜が除去された処理室内に、水素および酸素を含むパージガスを、第1のプロセス条件で供給して排気する手順と、
前記パージガスを前記第1のプロセス条件で供給して排気する手順の後、前記パージガスを、前記第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する手順と、
を有し、前記第1のプロセス条件は前記第2のプロセス条件より、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給した際に前記処理室内に残留する前記ハロゲン元素と前記パージガスとの反応性が高いようなプロセス条件である手順を行うプログラム、または該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
121 コントローラ
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
410,420,430 ノズル
510,520,530 ガス供給管
512,522,532 MFC
514,524,534 バルブ
Claims (5)
- ハロゲン元素を含むクリーニングガスにより内部の部材に付着した酸化膜が除去された処理室内に、水素および酸素を含むパージガスを、第1のプロセス条件で供給して排気する工程と、
前記パージガスを前記第1のプロセス条件で供給して排気する工程の後、前記パージガスを、前記第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する工程と、
を有し、前記第1のプロセス条件は前記第2のプロセス条件より、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給した際に前記処理室内に残留する前記ハロゲン元素と前記パージガスとの反応性が高いようなプロセス条件である半導体装置の製造方法。 - 前記第2のプロセス条件における前記処理室内の温度は、前記第1のプロセス条件における前記処理室内の温度より低い請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記内部の部材に酸化膜が付着した際の前記処理室内の温度を第1の温度とし、前記クリーニングガスにより前記酸化膜を除去した際の前記処理室内の温度を前記第1の温度よりも高い第2の温度とし、前記第1のプロセス条件および前記第2のプロセス条件では、前記第2の温度から前記第1の温度に近づくように徐々に温度を低くする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に、水素および酸素を含むパージガスを供給するパージガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
ハロゲン元素を含むクリーニングガスにより前記基板を処理した際に前記処理室内の部材に付着した酸化膜が除去された前記処理室内に、前記パージガスを、第1のプロセス条件で供給して排気する処理と、前記パージガスを、第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する処理と、行い、前記第1のプロセス条件は前記第2のプロセス条件より、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給した際に前記処理室内に残留する前記ハロゲン元素と前記パージガスとの反応性が高いようなプロセス条件であるように、前記パージガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - ハロゲン元素を含むクリーニングガスにより内部の部材に付着した酸化膜が除去された処理室内に、水素および酸素を含むパージガスを、第1のプロセス条件で供給して排気する手順と、
前記パージガスを前記第1のプロセス条件で供給して排気する手順の後、前記パージガスを、前記第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で前記処理室内に供給して排気する手順と、
を有し、前記第1のプロセス条件は前記第2のプロセス条件より、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給した際に前記処理室内に残留するハロゲン元素と前記パージガスとの反応性が高いようなプロセス条件である手順を行うプログラム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015116991A JP6023854B1 (ja) | 2015-06-09 | 2015-06-09 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US15/175,533 US11001923B2 (en) | 2015-06-09 | 2016-06-07 | Method of manufacturing semiconductor device and recording medium |
CN201610397426.4A CN106252197B (zh) | 2015-06-09 | 2016-06-07 | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
KR1020160071290A KR101788458B1 (ko) | 2015-06-09 | 2016-06-08 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015116991A JP6023854B1 (ja) | 2015-06-09 | 2015-06-09 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6023854B1 JP6023854B1 (ja) | 2016-11-09 |
JP2017005090A true JP2017005090A (ja) | 2017-01-05 |
Family
ID=57247503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015116991A Active JP6023854B1 (ja) | 2015-06-09 | 2015-06-09 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11001923B2 (ja) |
JP (1) | JP6023854B1 (ja) |
KR (1) | KR101788458B1 (ja) |
CN (1) | CN106252197B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019050236A (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-28 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2019212740A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
KR20210027333A (ko) * | 2018-02-22 | 2021-03-10 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 |
KR20210036969A (ko) * | 2018-09-05 | 2021-04-05 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 |
JP2022522964A (ja) * | 2019-01-15 | 2022-04-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Hmdso熱安定性のための方法 |
JP2022145250A (ja) * | 2021-03-19 | 2022-10-03 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、ノズルのクリーニング方法、基板処理装置、及びプログラム |
EP4209612A1 (en) | 2022-01-11 | 2023-07-12 | Kokusai Electric Corp. | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6023854B1 (ja) * | 2015-06-09 | 2016-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6484601B2 (ja) * | 2016-11-24 | 2019-03-13 | 株式会社Kokusai Electric | 処理装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2019058553A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム |
EP3476973A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-05-01 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Process chamber and method for purging the same |
US10460988B2 (en) * | 2017-12-21 | 2019-10-29 | Tokyo Electron Limited | Removal method and processing method |
JP6956660B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び成膜装置 |
JP6679642B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2020-04-15 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6773711B2 (ja) | 2018-03-27 | 2020-10-21 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
DE102018120580A1 (de) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer schicht bei atmosphärendruck |
JP6999616B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2022-01-18 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
CN111676464A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备的排气装置及半导体加工设备 |
CN115351020B (zh) * | 2022-08-17 | 2024-05-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体设备自清洁方法、系统及装置 |
CN117802582A (zh) * | 2024-03-01 | 2024-04-02 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 外延炉清洗方法和N型SiC的制备方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05331630A (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-14 | Central Glass Co Ltd | 三フッ化塩素ガスの除去方法 |
JP2003077839A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003221671A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理方法 |
US20050202167A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-15 | Dingjun Wu | Method for removing titanium dioxide deposits from a reactor |
JP2008218984A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-09-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2010147118A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Iwatani Internatl Corp | 半導体製造装置での表面腐食抑制方法 |
JP2010171389A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング制御装置及び基板処理装置 |
JP2011058067A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2011119766A (ja) * | 2011-03-07 | 2011-06-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置 |
JP2014135387A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理システムおよびプログラム |
JP2014203856A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09148255A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 反応容器内のクリーニング方法 |
US5647953A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-15 | Lam Research Corporation | Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber |
US6872323B1 (en) * | 2001-11-01 | 2005-03-29 | Novellus Systems, Inc. | In situ plasma process to remove fluorine residues from the interior surfaces of a CVD reactor |
JP4086146B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2008-05-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US7581549B2 (en) * | 2004-07-23 | 2009-09-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for removing carbon-containing residues from a substrate |
US7838072B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for monolayer deposition (MLD) |
JP2007243014A (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP4531833B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2010-08-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法 |
US20130017644A1 (en) * | 2011-02-18 | 2013-01-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Fluorine Based Chamber Clean With Nitrogen Trifluoride Backup |
JP5933375B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2016-06-08 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP6088178B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2017-03-01 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6023854B1 (ja) * | 2015-06-09 | 2016-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2015
- 2015-06-09 JP JP2015116991A patent/JP6023854B1/ja active Active
-
2016
- 2016-06-07 US US15/175,533 patent/US11001923B2/en active Active
- 2016-06-07 CN CN201610397426.4A patent/CN106252197B/zh active Active
- 2016-06-08 KR KR1020160071290A patent/KR101788458B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05331630A (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-14 | Central Glass Co Ltd | 三フッ化塩素ガスの除去方法 |
JP2003077839A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003221671A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理方法 |
US20050202167A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-15 | Dingjun Wu | Method for removing titanium dioxide deposits from a reactor |
JP2008218984A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-09-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2010147118A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Iwatani Internatl Corp | 半導体製造装置での表面腐食抑制方法 |
JP2010171389A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング制御装置及び基板処理装置 |
JP2011058067A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2011119766A (ja) * | 2011-03-07 | 2011-06-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置 |
JP2014135387A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理システムおよびプログラム |
JP2014203856A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019050236A (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-28 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
KR20210027333A (ko) * | 2018-02-22 | 2021-03-10 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 |
KR102297247B1 (ko) | 2018-02-22 | 2021-09-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 |
JP2019212740A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
KR20210036969A (ko) * | 2018-09-05 | 2021-04-05 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 |
KR102638452B1 (ko) * | 2018-09-05 | 2024-02-21 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 |
JP7317975B2 (ja) | 2019-01-15 | 2023-07-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Hmdso熱安定性のための方法 |
JP2022522964A (ja) * | 2019-01-15 | 2022-04-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Hmdso熱安定性のための方法 |
JP2022145250A (ja) * | 2021-03-19 | 2022-10-03 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、ノズルのクリーニング方法、基板処理装置、及びプログラム |
TWI826890B (zh) * | 2021-03-19 | 2023-12-21 | 日商國際電氣股份有限公司 | 噴嘴之洗淨方法、基板處理方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 |
EP4209612A1 (en) | 2022-01-11 | 2023-07-12 | Kokusai Electric Corp. | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus |
KR20230108702A (ko) | 2022-01-11 | 2023-07-18 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램, 및 기판 처리 장치 |
JP7411696B2 (ja) | 2022-01-11 | 2024-01-11 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160362784A1 (en) | 2016-12-15 |
KR20160144928A (ko) | 2016-12-19 |
US11001923B2 (en) | 2021-05-11 |
CN106252197A (zh) | 2016-12-21 |
CN106252197B (zh) | 2019-03-22 |
JP6023854B1 (ja) | 2016-11-09 |
KR101788458B1 (ko) | 2017-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6023854B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP6163524B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
US10513774B2 (en) | Substrate processing apparatus and guide portion | |
JP6448502B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP2017147262A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2016058676A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2020057769A (ja) | 半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置 | |
JP6490470B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP2019173062A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP7064577B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP6419982B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 | |
JPWO2020189205A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびノズル | |
US20200411330A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP6417051B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP6123021B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP2021027342A (ja) | 基板処理装置、基板支持具および半導体装置の製造方法 | |
JP7175375B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム。 | |
WO2021193406A1 (ja) | 基板処理装置、ガス供給装置、原料供給管の洗浄方法、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
WO2021193480A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6023854 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |