JP2014135387A - 半導体装置の製造方法、基板処理システムおよびプログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】キャパシタのリーク電流を抑制する。
【解決手段】基板101上に形成された下部電極膜103上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110を形成し、非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110上に上部電極膜104を形成し、非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110の下面と下部電極膜103とが接触すると共に、非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110の上面と上部電極膜104とが接触した状態で、非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110を結晶化させる。
【選択図】図4
【解決手段】基板101上に形成された下部電極膜103上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110を形成し、非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110上に上部電極膜104を形成し、非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110の下面と下部電極膜103とが接触すると共に、非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110の上面と上部電極膜104とが接触した状態で、非結晶状態のキャパシタ絶縁膜110を結晶化させる。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体装置の製造方法、基板処理システムおよびプログラムに関し、特に、キャパシタを備える半導体装置の製造方法、当該半導体装置の製造に好適に使用される基板処理システム、および当該基板処理システムで好適に使用されるプログラムに関する。
DRAM等のキャパシタを製造する際に、非晶質状態のキャパシタ絶縁膜を形成し、その後、キャパシタ絶縁膜を熱処理によって結晶化させる工程を経る場合があり、そのようにして形成したキャパシタに大きなリーク電流が発生する場合がある。
本発明の主な目的は、キャパシタのリーク電流を抑制できる半導体装置の製造方法、当該半導体装置の製造に好適に使用される基板処理システム、および当該基板処理システムで好適に使用されるプログラムを提供することにある。
本発明の一態様によれば、
基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する第1の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する第2の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる第3の処理部と、
を有する基板処理システムが提供される。
基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する第1の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する第2の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる第3の処理部と、
を有する基板処理システムが提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理システムの第1の処理部で基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第2の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第3の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
基板処理システムの第1の処理部で基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第2の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第3の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
本発明によれば、キャパシタのリーク電流を抑制できる半導体装置の製造方法、当該半導体装置の製造に好適に使用される基板処理システム、および当該基板処理システムで好適に使用されるプログラムが提供される。
DRAMのキャパシタにおいては、TiO2膜の適用が検討されており、その際、下部電極としてはRuO2膜が有望視されている。
このようなDRAMのキャパシタを形成する際には、通常、下部電極であるRuO2膜を形成し、下部電極であるRuO2膜上に非晶質状態のTiO2膜のキャパシタ絶縁膜を成膜した後に、非晶質状態のTiO2膜を結晶化させる熱処理を行う。その後、上部電極であるRuO2膜を形成する。しかしながら、このようにして形成したキャパシタに大きなリーク電流が発生する場合がある。
この原因について、本発明者が鋭意研究した結果、次のような知見を得た。すなわち、このようにして、下部電極であるRuO2膜上に非晶質状態のTiO2膜を形成し、この状態でTiO2膜を結晶化させた場合、TiO2膜の結晶構造は下部電極であるRuO2膜の結晶構造の影響を受け、TiO2膜は柱状結晶を有する膜へと変化する、すなわち、柱状結晶を有するTiO2膜が形成される。また、その結晶粒界が下部電極であるRuO2膜からキャパシタ絶縁膜であるTiO2膜の上表面まで直線的に形成される。このように柱状結晶を有するTiO2膜が形成されると、柱状結晶間の結晶粒界がリークパスとなり、大きなリーク電流が発生する。
このリーク電流を抑制するためには、下部電極であるRuO2膜上に非晶質状態のTiO2膜を形成した状態でTiO2膜を結晶化させるのではなく、下部電極であるRuO2膜上に非晶質状態のTiO2膜を形成し、さらに非晶質状態のTiO2膜上に上部電極であるRuO2膜を形成した後に、非晶質状態のTiO2膜を結晶化させれば、TiO2膜の結晶構造は下部電極と上部電極のそれぞれの結晶構造の影響を受けるため、結晶粒界が分断されるような膜が形成でき、リーク電流を減らすことができるということを本発明者は見出した。
本発明の好ましい実施の形態は、この知見に基づくものである。以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1を参照すれば、本発明の好ましい一実施の形態の半導体装置はDRAMであり、キャパシタ100を備えている。キャパシタ100は、半導体基板であるシリコン基板101と、シリコン基板101上に設けられたSiO2膜102と、SiO2膜102上に設けられた下部電極であるRuO2膜103と、RuO2膜103上に設けられたキャパシタ絶縁膜としての高誘電率絶縁膜であるTiO2膜110と、TiO2膜110上に設けられた上部電極としてのRuO2膜104と、を備えている。
次に、図2を参照して、本発明の好ましい一実施の形態の半導体装置のキャパシタ100の製造方法を説明する。
まず、シリコン基板101上に酸化シリコン膜(SiO2膜)102を熱酸化等により形成する(ステップS101)。
次に、SiO2膜102上に、下部電極であるRuO2膜103を形成する(ステップS102)。具体的には、例えば、成膜装置(成膜炉)用い、成膜装置の処理室内に、SiO2膜102形成後のシリコン基板101を収容し、この処理室内への(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム(Ru(C2H5C5H4)((CH3)C5H5))、略称:DER)ガスとO2ガスとの交互供給(DERガス供給→N2パージ→O2ガス供給→N2パージを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返すこと)により、SiO2膜102上に下部電極であるRuO2膜103を形成する。処理条件は、例えば下記のとおりである。
シリコン基板101の温度:200〜450℃
処理室内圧力:10〜2000Pa
DERガス供給流量:10〜2000sccm
O2ガス供給流量:10〜5000sccm
N2パージガス供給流量:10〜10000sccm
RuO2膜103の膜厚:1〜100nm
シリコン基板101の温度:200〜450℃
処理室内圧力:10〜2000Pa
DERガス供給流量:10〜2000sccm
O2ガス供給流量:10〜5000sccm
N2パージガス供給流量:10〜10000sccm
RuO2膜103の膜厚:1〜100nm
Ruを含む原料としては、DERの他、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム(Ru(C5H4C2H5)2、略称:Ru(EtCp)2)などの有機原料を用いることができる。酸化剤としては、O2ガスの他、O3ガス等の酸化性ガス(酸素含有ガス)を用いることができる。パージガス(不活性ガス)としては、N2ガスの他、Ar、He、Ne、Xe等の希ガスを用いることができる。なお、DERのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、原料ガスとして供給することとなる。
次に、下部電極であるRuO2膜103上に、キャパシタ絶縁膜となる高誘電率絶縁膜であるTiO2膜110を形成する(ステップS103)。具体的には、例えば、成膜装置(成膜炉)を用い、成膜装置の処理室内に、RuO2膜103形成後のシリコン基板101を収容し、この処理室内へのTiCl4ガスとH2Oガスとの交互供給(TiCl4ガス供給→N2パージ→H2Oガス供給→N2パージを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返すこと)により、下部電極であるRuO2膜103上に非晶質状態(アモルファス状態)のTiO2膜110を形成する。処理条件は、例えば下記のとおりである。
シリコン基板101の温度:200〜500℃
処理室内圧力:1〜2000Pa
TiCl4ガス供給流量:10〜2000sccm
H2Oガス供給流量:10〜5000sccm
N2パージガス供給流量:10〜10000sccm
TiO膜の膜厚:2〜50nm
シリコン基板101の温度:200〜500℃
処理室内圧力:1〜2000Pa
TiCl4ガス供給流量:10〜2000sccm
H2Oガス供給流量:10〜5000sccm
N2パージガス供給流量:10〜10000sccm
TiO膜の膜厚:2〜50nm
Tiを含む原料としては、無機原料であるチタニウムテトラクロライド(TiCl4)の他、テトラキスエチルメチルアミノチタニウム(Ti[N(C2H5)(CH3)]4、略称:TEMAT)、テトラキスジメチルアミノチタニウム(Ti[N(CH3)2]4、略称:TDMAT)、テトラキスジエチルアミノチタニウム(Ti[N(C2H5)2]4、略称:TDEAT)などの有機原料を用いることができる。酸化剤としては、H2Oガスの他、O2ガス、O3ガス等の酸化性ガス(酸素含有ガス)を用いることができる。パージガス(不活性ガス)としては、N2ガスの他、Ar、He、Ne、Xe等の希ガスを用いることができる。なお、TiCl4等のように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、原料ガスとして供給することとなる。
次に、TiO2膜110上に、上部電極であるRuO2膜104を形成する(ステップS104)。上部電極であるRuO2膜104の形成方法、処理条件等は、下部電極であるRuO2膜103の形成方法、処理条件等と同じである。RuO2膜104の膜厚もRuO2膜103と同様、1〜100nmである。
上部電極であるRuO2膜104を形成後、PDA(Post Deposition Annealing)を行う(ステップS105)。PDAは、不活性ガス雰囲気下で、非結晶状態のTiO2膜をアニールにより緻密化して結晶化するために行われる。なお、PDAは、TiO2膜110の下面と下部電極であるRuO2膜103とが接触すると共に、TiO2膜110の上面と上部電極であるRuO2膜104とが接触した状態で行う。不活性ガスとしては、例えば窒素ガス(N2)が用いられる。具体的には、例えば、熱処理炉(例えばRTP(Rapid Thermal Process)装置)を用い、RTP装置の処理室内に下部電極であるRuO2膜103、キャパシタ絶縁膜となるTiO2膜110および上部電極であるRuO2膜104を形成後のシリコン基板101を収容し、この処理室内にN2ガスを供給してアニールを行う。処理条件は、例えば下記のとおりである。
シリコン基板101の温度:400〜700℃
処理室内圧力:1〜1000Pa
N2ガス供給流量:10〜10000sccm
熱処理時間:1〜60秒
シリコン基板101の温度:400〜700℃
処理室内圧力:1〜1000Pa
N2ガス供給流量:10〜10000sccm
熱処理時間:1〜60秒
次に、図3を参照して、比較例の半導体装置のキャパシタ100の製造方法を説明する。比較例の半導体装置のキャパシタ100は、図1を参照して説明した本発明の好ましい一実施の形態の半導体装置のキャパシタ100と同じ構造である。
まず、シリコン基板101上に酸化シリコン膜(SiO2膜)102を形成する(ステップS201)。次に、SiO2膜102上に、下部電極であるRuO2膜103を形成する(ステップS202)。次に、RuO2膜103上に、キャパシタ絶縁膜となる非晶質状態のTiO2膜110を形成する(ステップS203)。ここまでは、図2を参照して説明した本発明の好ましい一実施の形態の半導体装置のキャパシタ100の製造方法のステップS101〜S103と同じである。形成方法、処理条件等も同じである。
キャパシタ絶縁膜となる非晶質状態のTiO2膜110を形成後、PDA(Post Deposition Annealing)を行い(ステップS204)、アニールによってTiO2膜110を結晶化する。その後、結晶化したTiO2膜110上に、上部電極であるRuO2膜104を形成する(ステップS205)。
図1を参照して説明した本発明の好ましい一実施の形態では、非晶質状態のTiO2膜110上に、上部電極であるRuO2膜104を形成した(ステップS104)後に、PDAを行ってTiO2膜110を結晶化する(ステップS105)のに対して、比較例では、非晶質状態のTiO2膜110を形成後、上部電極であるRuO2膜104を形成する前にPDAを行ってTiO2膜110を結晶化し(ステップS204)、その後、結晶化したTiO2膜110上に、上部電極であるRuO2膜104を形成する(ステップS205)。なお、本発明の好ましい一実施の形態での、上部電極であるRuO2膜104を形成する(ステップS104)際の形成方法、処理条件等は、比較例の上部電極であるRuO2膜104を形成する(ステップS205)際の形成方法、処理条件等と同じである。また、本発明の好ましい一実施の形態での、PDAを行ってTiO2膜110を結晶化する(ステップS105)際の処理方法、処理条件等は、比較例のPDAを行ってTiO2膜110を結晶化する(ステップS204)際の処理方法、処理条件等と同じである。
本発明の好ましい一実施の形態の製造方法では、TiO2膜110の下面と下部電極であるRuO2膜103とが接触すると共に、TiO2膜110の上面と上部電極であるRuO2膜104とが接触した状態で、非晶質状態のTiO2膜110の結晶化を行う。従って、TiO2膜110の下側部分は、下部電極であるRuO2膜103の結晶構造の影響を受けて結晶化され、TiO2膜110の上側部分は、上部電極であるRuO2膜104の結晶構造の影響を受けて結晶化される。その結果、結晶化されたTiO2膜110には、図4に示すように、下部電極であるRuO2膜103と接触する下面側の結晶領域115と、上部電極であるRuO2膜104と接触し、結晶領域115と分断された上面側の結晶領域116とが形成され、下面側の結晶領域115の結晶粒界117と上面側の結晶領域116の結晶粒界118とは分断されている。このように、結晶粒界117と結晶粒界118とは分断されているので、結晶化されたTiO2膜110のリーク電流を減らすことができる。
これに対して、比較例では、TiO2膜110の下面と下部電極であるRuO2膜103とが接触しているが、TiO2膜110の上面には何も形成していない状態で、非晶質状態のTiO2膜110の結晶化を行う。従って、TiO2膜110は、下部電極であるRuO2膜103の結晶構造のみの影響を受けて結晶化される。その結果、結晶化されたTiO2膜110には、図5に示すように、柱状結晶111が形成され、柱状結晶111間の結晶粒界119は、下部電極であるRuO2膜103とTiO2膜110の界面からTiO2膜110の表面まで一直線状となる。この結晶粒界119がリークパスとなり、下部電極であるRuO2膜103と上部電極であるRuO2膜104との間に大きなリーク電流が流れてしまう。
上記本発明の好ましい実施の形態においては、キャパシタ絶縁膜として、TiO2膜を用いる例について説明したが、TiO2膜以外の高誘電率絶縁膜(High-k膜)を用いることができる。キャパシタ絶縁膜としては、例えば、酸化チタン膜(TiO2膜)、酸化ハフニウム膜(HfO2膜)、酸化ジルコニウム膜(ZrO2膜)、チタン酸バリウムストロンチウム膜(BaSrTiO膜)、酸化イットリウム膜(Y2O5膜)、酸化ランタン膜(La2O3膜)、酸化ニオブ膜(Nb2O5膜)、酸化タンタル膜(Ta2O5膜)、チタン酸ストロンチウム膜(SrTiO膜)、およびチタン酸ジルコン酸鉛膜(PZT膜)のうち少なくともいずれかの膜を含む膜が好適に用いられる。また、その膜に含まれていない所定元素が添加されてなる膜も好適に用いられる。所定元素は、好ましくは、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、およびイットリウム(Y)、およびランタン(La)のうち少なくともいずれかの元素を含む。
上記本発明の好ましい実施の形態においては、下部電極および上部電極として、RuO2膜を用いる例について説明したが、RuO2膜以外の金属膜を用いることができる。なお、本明細書では、金属膜という用語は、金属原子を含む導電性の物質で構成される膜、すなわち、導電性の金属含有膜を意味しており、これには、金属単体で構成される導電性の金属単体膜の他、導電性の金属窒化膜、導電性の金属酸化膜、導電性の金属酸窒化膜、導電性の金属炭化膜(金属カーバイド膜)、導電性の金属炭窒化膜、導電性の金属複合膜、導電性の金属合金膜、および導電性の金属シリサイド膜等も含まれ、下部電極および上部電極としては、これらのうち少なくともいずれかの膜を含む膜が好適に用いられる。下部電極および上部電極としては、例えば、酸化ルテニウム膜(RuO2膜)、ルテニウム膜(Ru膜)、酸化タングステン膜(WO膜)、タングステン膜(W膜)、プラチナ膜(Pt膜)、および窒化チタン膜(TiN膜)のうち少なくともいずれかの膜を含む膜が好適に用いられる。
上記本発明の好ましい実施の形態におけるステップS101〜S105の少なくとも一部のステップについては、基板処理システムとしてのクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよい。
例えば、ステップS101〜S102までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよく、また例えば、ステップS101〜S103までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよく、また例えば、ステップS101〜S104までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよい。また、例えば、ステップS101〜S105までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよい。
また、例えば、ステップS102〜S103までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよく、また例えば、ステップS102〜S104までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよく、また例えば、ステップS102〜S105までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよい。
また、例えば、ステップS103〜S104までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよく、また例えば、ステップS103〜S105までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよい。
また、例えば、ステップS104〜S105までをクラスタ装置を用いて連続的に行うようにしてもよい。
例えば、ステップS101〜S105のステップをクラスタ装置を用いて連続的に行う場合、図6に示すようなクラスタ装置200を用いることができる。
基板処理システムとしてのクラスタ装置200は、ウエハ10を処理する処理部としての処理室201、202、203、204、ウエハ10をクラスタ装置200に搬入する搬入室208、ウエハ10をクラスタ装置200から搬出する搬出室209、ウエハ10を冷却する冷却室206、207、処理室201、202、203、204、搬入室208、搬出室209、冷却室206、207が取り付けられ、ウエハ10をこれらの室の間で移載する移載機211が設けられた移載室210を備えている。移載室210と、処理室201、202、203、204、搬入室208、搬出室209との間には、ゲートバルブ201a、202a、203a、204a、208a、209aがそれぞれ設けられている。搬入室208、搬出室209には、ゲートバルブ208a、209aと反対側にゲートバルブ208b、209bがそれぞれ設けられている。
クラスタ装置200は、また、処理室201、202、203、204内にガス配管334を介して処理ガスや不活性ガスを供給し、移載室210、搬入室208、搬出室209、冷却室206、207内にガス配管334を介して不活性ガスを供給するガス供給系333と、処理室201、202、203、204、移載室210、搬入室208、搬出室209、冷却室206、207内を排気配管337を介して排気する排気系336と、を備えている。
図6、図7を参照すれば、クラスタ装置200は、さらに、ゲートバルブ201a、202a、203a、204a、208a、209a、208b、209bの開閉動作を制御するゲートバルブ制御部231、移載機211の動作を制御する移載機制御部232、ガス供給系333を制御するガス供給系制御部233、排気系336を制御する排気系制御部236、処理室201、202、203、204内の温度を制御する温度制御部237、処理室201、202、203、204、移載室210、搬入室208、搬出室209、冷却室206、207内の圧力を制御する圧力制御部238等を備えている。クラスタ装置200は、さらに、コントローラ220を備えている。コントローラ220については、後に詳述する。
このクラスタ装置200では、例えば、次のようにしてウエハ10を処理する。
ゲートバルブ208bを開き、搬入用予備室としての搬入室(ロードロック室)208内にシリコン基板101としてのウエハ10を搬入する。搬入後、ゲートバルブ208bを閉じ、搬入室208内を真空排気する。搬入室208内が所定の圧力になると、ゲートバルブ208aが開かれる。なお、移載室210内は予め真空排気され、所定の圧力に維持されている。
ゲートバルブ208aが開かれると、ウエハ10がウエハ移載機211によりピックアップされ、搬入室208内から移載室210内に取り出される。その後、ゲートバルブ208aが閉じられる。ゲートバルブ208aが閉じられると、ゲートバルブ201aが開かれ、ウエハ10がウエハ移載機211により、移載室210内から第1の処理室201内に搬入される。搬入後、ゲートバルブ201aが閉じられ、処理室201内でシリコン基板101上にSiO2膜102を形成する処理が行われる(ステップS101)。
その後、ゲートバルブ201aが開かれ、SiO2膜102を形成した後のウエハ10が、ウエハ移載機211によりピックアップされ、処理室201内から移載室210内に取り出される。その後、ゲートバルブ201aが閉じられる。ゲートバルブ201aが閉じられると、ゲートバルブ202aが開かれ、SiO2膜102を形成した後のウエハ10が、ウエハ移載機211により、移載室210内から処理室202内に搬入される。搬入後、ゲートバルブ202aが閉じられ、処理室202内で、ウエハ10上のSiO2膜102上にRuO2膜103を形成する処理が行われる(ステップS102)。
その後、ゲートバルブ202aが開かれ、RuO2膜103を形成した後のウエハ10が、ウエハ移載機211によりピックアップされ、処理室202内から移載室210内に取り出される。その後、ゲートバルブ202aが閉じられる。ゲートバルブ202aが閉じられると、ゲートバルブ203aが開かれ、RuO2膜103を形成した後のウエハ10が、ウエハ移載機211により、移載室210内から処理室203内に搬入される。搬入後、ゲートバルブ203aが閉じられ、処理室203内で、ウエハ10上のRuO2膜103膜上にTiO2膜110を形成する処理が行われる(ステップS103)。
その後、ゲートバルブ203aが開かれ、TiO2膜110を形成した後のウエハ10が、ウエハ移載機211によりピックアップされ、処理室203内から移載室210内に取り出される。その後、ゲートバルブ203aが閉じられる。ゲートバルブ203aが閉じられると、ゲートバルブ202aが開かれ、TiO2膜110を形成した後のウエハ10が、ウエハ移載機211により、移載室210内から処理室202内に搬入される。搬入後、ゲートバルブ202aが閉じられ、処理室202内で、ウエハ10上のTiO2膜102上にRuO2膜104を形成する処理が行われる(ステップS104)。
その後、ゲートバルブ202aが開かれ、RuO2膜104を形成した後のウエハ10が、ウエハ移載機211によりピックアップされ、処理室202内から移載室210内に取り出される。その後、ゲートバルブ202aが閉じられる。ゲートバルブ202aが閉じられると、ゲートバルブ204aが開かれ、RuO2膜104を形成した後のウエハ10が、ウエハ移載機211により、移載室210内から処理室204内に搬入される。搬入後、ゲートバルブ204aが閉じられ、処理室204内で、PDA処理が行われる(ステップS105)。
その後、ゲートバルブ204aが開かれ、PDA処理後のウエハ10が、ウエハ移載機211によりピックアップされ、処理室204内から移載室210内に取り出される。その後、ゲートバルブ204aが閉じられる。ゲートバルブ204aが閉じられると、ゲートバルブ209aが開かれ、ステップS101〜S105の一連の処理を終えたウエハ10が、ウエハ移載機211により、移載室210内から搬出用予備室としての搬出室(ロードロック室)209内に搬送される。搬送後、ゲートバルブ209aが閉じられ、搬出室209内が大気圧に戻された後、ゲートバルブ209bが開かれ、一連の処理後のウエハ10が取り出される。
なお、上記各ステップを実施した後のウエハ10は、必要に応じて、冷却室206、冷却室207内に搬送され、冷却される場合もある。その場合、ウエハ10は、所定の温度となるまで冷却室206または冷却室207内にて待機させられ、所定の温度まで冷却された後、次のステップを行うための処理室内に搬送され、あるいは搬出室209を介して搬出される。
上記一連の処理は、クラスタ装置200を構成する各部の動作を、コントローラ220により制御することで行われる。
図7を参照すれば、制御部(制御手段)であるコントローラ220は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ220には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
記憶装置121cは、例えばフラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)等で構成されている。記憶装置121c内には、クラスタ装置200の動作を制御する制御プログラムや、上述の一連のウエハ処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、上述の一連のウエハ処理における各手順(各ステップ)をコントローラ220に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、RAM121bは、CPU121aによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域(ワークエリア)として構成されている。
I/Oポート121dは、バス240を介して、上述のゲートバルブ制御部231、移載機制御部232、ガス供給系制御部233、排気系制御部236、温度制御部237、圧力制御部238等に接続されている。
CPU121aは、記憶装置121cから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置122からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置121cからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、CPU121aは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ制御部231、移載機制御部232、ガス供給系制御部233、排気系制御部236、温度制御部237、圧力制御部238等を制御して、ゲートバルブ201a、202a、203a、204a、208a、209a、208b、209b、移載機211、ガス供給系333、排気系336、処理室201、202、203、204を加熱するヒータ(図示せず)等の動作を制御するように構成されている。
なお、コントローラ220は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置(例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、CDやDVD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリやメモリカード等の半導体メモリ)123を用意し、係る外部記憶装置123を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ220を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置123を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置123を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置121cや外部記憶装置123は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置121c単体のみを含む場合、外部記憶装置123単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
なお、基板処理システムとして、クラスタ装置の代わりに、各ステップにおける処理をそれぞれ単独で行うスタンドアローンタイプの装置をそれぞれ準備して、これらの一連の処理を行うようにしてもよい。また、上述の各実施形態や各応用例等は、適宜組み合わせて用いることができる。
また、本発明は、例えば、既存の基板処理システムのプロセスレシピを変更することでも実現できる。プロセスレシピを変更する場合は、本発明に係るプロセスレシピを電気通信回線や当該プロセスレシピを記録した記録媒体を介して既存の基板処理システムにインストールしたり、また、既存の基板処理システムの入出力装置を操作し、そのプロセスレシピ自体を本発明に係るプロセスレシピに変更することも可能である。
(本発明の好ましい態様)
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記1)
本発明の一態様によれば、
基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の一態様によれば、
基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
(付記2)
付記1の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程では、前記キャパシタ絶縁膜の下側部分は下部電極膜の結晶構造の影響を受けて結晶化され、前記キャパシタ絶縁膜の上側部分は上部電極膜の結晶構造の影響を受けて結晶化される。
付記1の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程では、前記キャパシタ絶縁膜の下側部分は下部電極膜の結晶構造の影響を受けて結晶化され、前記キャパシタ絶縁膜の上側部分は上部電極膜の結晶構造の影響を受けて結晶化される。
(付記3)
付記1または2の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程では、前記下部電極膜と接触する前記キャパシタ絶縁膜の下面側に第1の結晶領域を形成し、前記上部電極膜と接触する前記キャパシタ絶縁膜の上面側に前記第1の結晶領域とは分断された第2の結晶領域を形成する。
付記1または2の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程では、前記下部電極膜と接触する前記キャパシタ絶縁膜の下面側に第1の結晶領域を形成し、前記上部電極膜と接触する前記キャパシタ絶縁膜の上面側に前記第1の結晶領域とは分断された第2の結晶領域を形成する。
(付記4)
付記1乃至3のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程では、前記下部電極膜と接触する前記キャパシタ絶縁膜の下面側に第1の結晶粒界を形成し、前記上部電極膜と接触する前記キャパシタ絶縁膜の上面側に前記第1の結晶粒界とは分断された第2の結晶粒界を形成する。
付記1乃至3のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程では、前記下部電極膜と接触する前記キャパシタ絶縁膜の下面側に第1の結晶粒界を形成し、前記上部電極膜と接触する前記キャパシタ絶縁膜の上面側に前記第1の結晶粒界とは分断された第2の結晶粒界を形成する。
(付記5)
付記1乃至4のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜は高誘電率絶縁膜(High-k膜)を含む。
付記1乃至4のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜は高誘電率絶縁膜(High-k膜)を含む。
(付記6)
付記1乃至5のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜は、酸化チタン膜、酸化ハフニウム膜、酸化ジルコニウム膜、チタン酸バリウムストロンチウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ランタン膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜、チタン酸ストロンチウム膜、およびチタン酸ジルコン酸鉛膜のうち少なくともいずれかの膜を含む。
付記1乃至5のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜は、酸化チタン膜、酸化ハフニウム膜、酸化ジルコニウム膜、チタン酸バリウムストロンチウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ランタン膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜、チタン酸ストロンチウム膜、およびチタン酸ジルコン酸鉛膜のうち少なくともいずれかの膜を含む。
(付記7)
付記1乃至5のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜は、酸化チタン膜、酸化ハフニウム膜、酸化ジルコニウム膜、チタン酸バリウムストロンチウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ランタン膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜、チタン酸ストロンチウム膜、およびチタン酸ジルコン酸鉛膜のうち少なくともいずれかの膜に、その膜に含まれていない所定元素が添加されてなる膜を含む。
付記1乃至5のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜は、酸化チタン膜、酸化ハフニウム膜、酸化ジルコニウム膜、チタン酸バリウムストロンチウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ランタン膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜、チタン酸ストロンチウム膜、およびチタン酸ジルコン酸鉛膜のうち少なくともいずれかの膜に、その膜に含まれていない所定元素が添加されてなる膜を含む。
(付記8)
付記7の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素は、アルミニウム、シリコン、イットリウム、およびのランタンうち少なくともいずれかの元素を含む。
付記7の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素は、アルミニウム、シリコン、イットリウム、およびのランタンうち少なくともいずれかの元素を含む。
(付記9)
付記1乃至8のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記下部電極膜および前記上部電極膜は金属膜を含む。
付記1乃至8のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記下部電極膜および前記上部電極膜は金属膜を含む。
(付記10)
付記1乃至9のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記下部電極膜および前記上部電極膜は、導電性の金属単体膜、導電性の金属窒化膜、導電性の金属酸化膜、導電性の金属酸窒化膜、導電性の金属炭化膜(金属カーバイド膜)、導電性の金属炭窒化膜、導電性の金属複合膜、導電性の金属合金膜、および導電性の金属シリサイド膜のうち少なくともいずれかの膜を含む。
付記1乃至9のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記下部電極膜および前記上部電極膜は、導電性の金属単体膜、導電性の金属窒化膜、導電性の金属酸化膜、導電性の金属酸窒化膜、導電性の金属炭化膜(金属カーバイド膜)、導電性の金属炭窒化膜、導電性の金属複合膜、導電性の金属合金膜、および導電性の金属シリサイド膜のうち少なくともいずれかの膜を含む。
(付記11)
付記1乃至9のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記下部電極膜および前記上部電極膜は、酸化ルテニウム膜、ルテニウム膜、酸化タングステン膜、タングステン膜、プラチナ膜、および窒化チタン膜のうち少なくともいずれかの膜を含む。
付記1乃至9のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記下部電極膜および前記上部電極膜は、酸化ルテニウム膜、ルテニウム膜、酸化タングステン膜、タングステン膜、プラチナ膜、および窒化チタン膜のうち少なくともいずれかの膜を含む。
(付記12)
付記1乃至4のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜は酸化チタン膜を含み、前記下部電極膜および前記上部電極膜は酸化ルテニウム膜を含む。
付記1乃至4のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記キャパシタ絶縁膜は酸化チタン膜を含み、前記下部電極膜および前記上部電極膜は酸化ルテニウム膜を含む。
(付記13)
本発明の他の態様によれば、
基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する第1の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する第2の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる第3の処理部と、
を有する基板処理システムが提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する第1の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する第2の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる第3の処理部と、
を有する基板処理システムが提供される。
(付記14)
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理システムの第1の処理部で基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第2の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第3の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理システムの第1の処理部で基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第2の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第3の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
(付記15)
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理システムの第1の処理部で基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第2の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第3の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理システムの第1の処理部で基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第2の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第3の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
以上、本発明の種々の典型的な実施の形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
103 下部電極であるRuO2膜
104 上部電極であるRuO2膜
110 キャパシタ絶縁膜であるTiO2膜
115、116 結晶領域
117、118 結晶粒界
104 上部電極であるRuO2膜
110 キャパシタ絶縁膜であるTiO2膜
115、116 結晶領域
117、118 結晶粒界
Claims (3)
- 基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する工程と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する第1の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する第2の処理部と、
非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる第3の処理部と、
を有する基板処理システム。 - 基板処理システムの第1の処理部で基板上に形成された下部電極膜上に非結晶状態のキャパシタ絶縁膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第2の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を形成する手順と、
前記基板処理システムの第3の処理部で非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の下面と前記下部電極膜とが接触すると共に、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜の上面と前記上部電極膜とが接触した状態で、非結晶状態の前記キャパシタ絶縁膜を結晶化させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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Family
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Country Status (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN112714945A (zh) * | 2018-09-28 | 2021-04-27 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
JP7149794B2 (ja) | 2018-09-28 | 2022-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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