JP2014143252A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 188
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 162
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 159
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 136
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 105
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 96
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 79
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 44
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910010041 TiAlC Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 256
- 239000010408 film Substances 0.000 description 184
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 82
- 230000006870 function Effects 0.000 description 55
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 38
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N methylene hexane Natural products CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FABJBSBVCAEMTK-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[La]C1C=CC=C1 Chemical compound C(C)(C)[La]C1C=CC=C1 FABJBSBVCAEMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTVHDGGPRPDHNE-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zr]NC Chemical compound C(C)[Zr]NC KTVHDGGPRPDHNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOSBQSGUNCVAIL-UHFFFAOYSA-N CC(=C[Ru]C1(C=CC=C1)CC)C=C(C)C Chemical compound CC(=C[Ru]C1(C=CC=C1)CC)C=C(C)C XOSBQSGUNCVAIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWVDYRRUAODGNC-UHFFFAOYSA-N CCN([Ti])CC Chemical compound CCN([Ti])CC PWVDYRRUAODGNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000543381 Cliftonia monophylla Species 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H molybdenum;hexachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mo] PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JYIFRKSFEGQVTG-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotantalum Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)Cl JYIFRKSFEGQVTG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】金属元素(例えばTi)と窒素(N)とを含む第1の層(例えばTiN)を形成する処理を第1の所定回数行う工程と、上記金属元素(例えばTi)と窒素(N)と炭素(C)とを含む第2の層(例えばAlCTiN)を形成する処理を第2の所定回数行う工程と、を交互に第3の所定回数行うことで、基板上に、窒素(C)と炭素(C)とを所定の割合で含む金属膜(例えばTiAlCN)を成膜する工程を有する。
【選択図】図6
Description
図1および図2に示す通り、処理炉202にはウエハ(基板)200を加熱するための加熱手段(加熱機構、加熱系)であるヒータ207が設けられている。ヒータ207は上方が閉塞された円筒形状の断熱部材と複数本のヒータ素線とを備えており、断熱部材に対してヒータ素線が設けられたユニット構成を有している。ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応容器(処理容器)を構成する反応管203が配設されている。反応管203は例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。
Access
Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バスを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
次に、本実施形態に係る技術が適用される半導体装置の構成例について説明する。ここでは、半導体装置として、MOSFETを例に挙げる。
次いで、図5を参照し、図4に示すMOSFETのゲート製造工程例について説明する。図5は、MOSFETのゲート製造工程例を示す処理フローである。
Deposition Annealing)が行われる(「Post Deposition Annealing」工程)。このPDAは、例えば、熱処理炉(例えばRTP(Rapid
Thermal Process)装置)を用い、RTP装置の処理室内にHfO2が成膜されたSi基板を収容し、この処理室内にN2ガスを供給してアニール処理を行う。PDAは、HfO2中の不純物除去、HfO2の緻密化もしくは結晶化を目的として行う。
gas annealing)処理を行う(「FGA」工程)。
次に、上記したゲート電極を構成する金属膜の成膜工程について説明する。金属膜の成膜工程は、上述した基板処理装置10の処理炉202を用いて、半導体装置(MOSFET)の製造工程の一工程として実行される。
金属元素(例えばTi)と窒素(N)とを含む第1の層(例えばTiN)をウエハ200に形成する処理を第1の所定回数行う工程と、
上記金属元素(例えばTi)と窒素(N)と炭素(C)とを含む第2の層(例えばAlCTiN)をウエハ200に形成する処理を第2の所定回数行う工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、ウエハ200上に、窒素(C)と炭素(C)とを所定の割合で含む金属膜(例えばTiAlCN)を成膜する工程を有する。
ウエハ200に対して、金属元素(例えばTi)を含む第1原料(例えばTiCl4)と、窒素(N)を含む第2原料(例えばNH3)とを交互に第1の所定回数供給する工程と、
ウエハ200に対して、炭素(C)を含む第3原料(例えばTMA)と、上記金属元素(例えばTi)を含む第4原料(例えばTiCl4)と、窒素(N)を含む第5原料(例えばNH3)とを交互に第2の所定回数供給する工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、ウエハ200上に、窒素(N)と炭素(C)とを所定の割合で含む金属膜(例えばTiAlCN)を成膜する工程を有する。
従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面(露出面)に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層(又は膜)を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面(露出面)上に所定の層(又は膜)を直接形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層(又は膜)を形成する」ことを意味する場合がある。
なお、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「ウエハ」を「基板」に置き換えて考えればよい。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端開口を閉塞した状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。なお、真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。なお、ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によりボート217およびウエハ200の回転を開始する。なお、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
(TiCl4ガス供給)
ガス供給管310のバルブ314を開き、ガス供給管310内に第1の原料としてのTiCl4ガスを流す。ガス供給管310内を流れたTiCl4ガスは、マスフローコントローラ312により流量調整される。流量調整されたTiCl4ガスは、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はTiCl4ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ514を開き、キャリアガス供給管510内にN2ガス等の不活性ガスを流す。キャリアガス供給管510内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ512により流量調整される。流量調整されたN2ガスはTiCl4ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420、ノズル430内へのTiCl4ガスの侵入を防止するために、バルブ524、534を開き、キャリアガス供給管520、キャリアガス供給管530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320、ガス供給管330、ノズル420、ノズル430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
(残留ガス除去)
Ti含有層が形成された後、ガス供給管310のバルブ314を閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する。なお、このときバルブ514、524、534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(NH3ガス供給)
処理室201内の残留ガスを除去した後、ガス供給管330のバルブ334を開き、ガス供給管330内にNH3ガスを流す。ガス供給管330内を流れたNH3ガスは、マスフローコントローラ332により流量調整される。流量調整されたNH3ガスは、ノズル430のガス供給孔430aから処理室201内に供給される。処理室201内に供給されたNH3ガスは熱で活性化された後、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、熱で活性化されたNH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面は熱で活性化されたNH3ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ534を開き、キャリアガス供給管530内にN2ガスを流す。キャリアガス供給管530内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ532により流量調整される。N2ガスはNH3ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル410、420内へのNH3ガスの侵入を防止するために、バルブ514、524を開き、キャリアガス供給管510、520内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310、320、ノズル410、ノズル420を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
(残留ガス除去)
TiN層を形成した後、ガス供給管330のバルブ334を閉じて、NH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。なお、このときバルブ514、524、534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(TMAガス供給)
ガス供給管320のバルブ324を開き、ガス供給管320内にTMA(トリメチルアルミニウム。(CH3)3Al)ガスを流す。ガス供給管320内を流れたTMAガスは、マスフローコントローラ322により流量調整される。流量調整されたTMAガスは、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対してTMAガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はTMAガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ524を開き、キャリアガス供給管520内にN2ガスを流す。キャリアガス供給管520内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ522により流量調整される。流量調整されたN2ガスはTMAガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル410、ノズル430内へのTMAガスの侵入を防止するために、バルブ514、534を開き、キャリアガス供給管510、キャリアガス供給管530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310、ガス供給管330、ノズル410、ノズル430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
(残留ガス除去)
その後、ガス供給管320のバルブ324を閉じてTMAガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは上記したCおよびAlを含む層の形成に寄与した後のTMAガスを処理室201内から排除する。なお、このときバルブ510、520、530は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは上記したCおよびAlを含む層の形成に寄与した後のTMAガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(TiCl4ガス供給)
次に、ステップ11と同様な処理により、TiCl4ガスを処理室201内に供給する。このときAPCバルブ243を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば1〜10000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ312で制御するTiCl4ガスの供給流量は、例えば10〜10000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ512、522、532で制御するN2ガスの供給流量は、それぞれ例えば10〜10000sccmの範囲内の流量とする。TiCl4ガスをウエハ200に対して供給する時間、すなわちガス供給時間(照射時間)は、例えば0.1〜120秒の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば200〜500℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。処理室201内に供給されたTiCl4ガスは、上記したCおよびAlを含む層の少なくとも一部と反応する。これにより、CおよびAlを含む層は、炭素(C)、アルミニウム(Al)およびチタン(Ti)を含む層に改質される。
(残留ガス除去)
続いて、ステップ12等と同様な処理により、処理室201内に残留する未反応もしくは上記したC、AlおよびTiを含む層の形成に寄与した後のTiCl4ガスおよび副生成物を処理室201内から排除する。
(NH3ガス供給)
次に、ステップ13と同様な処理により、NH3ガスを処理室201内に供給する。このとき、APCバルブ243を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば1〜10000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ332で制御するNH3ガスの供給流量は、例えば10〜50000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ512、522、532で制御するN2ガスの供給流量は、それぞれ例えば10〜10000sccmの範囲内の流量とする。熱で活性化させたNH3ガスをウエハ200に対して供給する時間、すなわちガス供給時間(照射時間)は、例えば0.1〜120秒の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、ステップ11と同様、ウエハ200の温度が、例えば200〜500℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。処理室201内に供給されたNH3ガスは、上記したC、AlおよびTiを含む層の少なくとも一部と反応する。これにより、C、AlおよびTiを含む層は、上述したAlCTiN含有層に改質される。
(残留ガス除去)
続いて、ステップ14等と同様な処理により、処理室201内に残留する未反応もしくはAlCTiN含有層の形成に寄与した後のTiCl4ガスおよび副生成物を処理室201内から排除する。
所定の膜厚のTiAlCN膜を形成する成膜処理がなされると、N2等の不活性ガスが処理室201内へ供給され、排気管231から排気されることで、処理室201内が不活性ガスでパージされる(ガスパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される。
上述の説明においては、TiAlCN膜を構成する第1の層としてTiN層、すなわち、金属窒化膜を形成するようにしたが、金属窒化膜に代えて、金属炭化膜を形成してもよい。
金属元素(例えばTi)と炭素(C)とを含む第1の層(例えばTiC)をウエハ200に形成する処理を第1の所定回数行う工程と、
上記金属元素(例えばTi)と窒素(N)と炭素(C)とを含む第2の層(例えばAlCTiN)をウエハ200に形成する処理を第2の所定回数行う工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、ウエハ200上に、窒素(C)と炭素(C)とを所定の割合で含む金属膜(例えばTiAlCN)を成膜する工程を有する。
ウエハ200に対して、金属元素(例えばTi)を含む第1原料(例えばTiCl4)と、炭素(C)を含む第2原料(例えばHf[C5H4(CH3)]2(CH3)2)とを交互に第1の所定回数供給する工程と、
ウエハ200に対して、炭素(C)を含む第3原料(例えばTMA)と、上記金属元素(例えばTi)を含む第4原料(例えばTiCl4)と、窒素(N)を含む第5原料(例えばNH3)とを交互に第2の所定回数供給する工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、ウエハ200上に、窒素(N)と炭素(C)とを所定の割合で含む金属膜(例えばTiAlCN)を成膜する工程を有する。
なお、このシーケンス例においては、処理室201にHf[C5H4(CH3)]2(CH3)2を供給するためのガス供給系を基板処理装置10に追加する。
(ステップ11)
処理室内温度:350℃
処理室内圧力:45Pa
TiCl4ガス供給量:1.16g/min
TiCl4ガス照射時間:5秒
(ステップ13)
処理室内温度:350℃
処理室内圧力:65Pa
NH3ガス供給流量:7500sccm
NH3ガス照射時間:15秒
(ステップ15)
処理室内温度:350℃
処理室内圧力:65Pa
TMAガス供給量:0.6g/min
TMAガス照射時間:6秒
(ステップ17)
処理室内温度:350℃
処理室内圧力:45Pa
TiCl4ガス供給量:1.16g/min
TiCl4ガス照射時間:5秒
(ステップ19)
処理室内温度:350℃
処理室内圧力:65Pa
NH3ガス供給流量:7500sccm
NH3ガス照射時間:15秒
本発明の一態様によれば、
金属元素と窒素または炭素とを含む第1の層を形成する処理を第1の所定回数行う工程と、
前記金属元素と窒素と炭素とを含む第2の層を形成する処理を第2の所定回数行う工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して、金属元素を含む第1原料と、窒素または炭素を含む第2原料とを交互に第1の所定回数供給する工程と、
前記基板に対して、炭素を含む第3原料と、前記金属元素を含む第4原料と、窒素を含む第5原料とを交互に第2の所定回数供給する工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
付記1または2において、前記第1の所定回数、前記第2の所定回数および前記第3の所定回数は、前記金属膜に含める窒素または炭素の割合に応じて決定される。
付記1において、前記第2の層は、前記金属元素とは異なる第2金属元素を含む。
付記2において、前記第3原料は、前記金属元素とは異なる第2金属元素を含む。
付記1から5のいずれかにおいて、前記金属膜は、前記基板に形成された高誘電体膜の上に成膜される。
付記1から6のいずれかにおいて、前記金属元素は、チタン、タンタル、ハフニウム、ジルコニウム、モリブデンおよびタングステンからなる群より選択された少なくとも一つの元素を含む。
付記4または5において、前記第2金属元素は、アルミニウムを含む。
付記2において、前記第1原料及び前記第4原料は、TiCl4を含む。
付記5において、前記第3原料は、TMA(トリメチルアルミニウム)を含む。
付記1から10において、前記金属元素はチタンであり、前記金属膜の仕事関数は、TiNまたはTiAlNの仕事関数とTiAlCの仕事関数の間の値である。
付記4または5において、前記金属元素はチタンであり、前記第2金属元素はアルミニウムであり、前記金属膜の仕事関数は、TiNまたはTiAlNの仕事関数とTiAlCの仕事関数の間の値である。
本発明の他の態様によれば、
金属元素と窒素または炭素とを含む第1の層を形成する処理を第1の所定回数行う工程と、
前記金属元素と窒素と炭素とを含む第2の層を形成する処理を第2の所定回行う工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を成膜する工程を有する基板処理方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して、金属元素を含む第1原料と、窒素または炭素を含む第2原料とを交互に第1の所定回数供給する工程と、
前記基板に対して、炭素を含む第3原料と、前記金属元素を含む第4原料と、窒素を含む第5原料とを交互に第2の所定回数供給する工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、前記基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を成膜する工程を有する基板処理方法が提供される。
付記13または14において、前記第1の所定回数、前記第2の所定回数および前記第3の所定回数は、前記金属膜に含める窒素または炭素の割合に応じて決定される。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室に接続され、前記処理室に収容された前記基板に対して、金属元素を含む金属含有原料を供給する金属含有原料供給系と、
前記処理室に接続され、前記処理室に収容された前記基板に対して、窒素を含む窒素含有原料を供給する窒素含有原料供給系と、
前記処理室に接続され、前記処理室に収容された前記基板に対して、炭素を含む炭素含有原料を供給する炭素含有原料供給系と、
前記金属含有原料供給系、前記窒素含有原料供給系及び前記炭素含有原料供給系に接続されると共に、前記処理室に収容された前記基板に対して、前記金属含有原料と前記窒素含有原料または前記炭素含有原料とを交互に第1の所定回数供給する処理と、前記金属含有原料と前記窒素含有原料と前記炭素含有原料とを交互に第2の所定回数供給する処理とを、交互に第3の所定回数行うことで、前記基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を成膜する処理を、前記金属含有原料供給系、前記窒素含有原料供給系及び前記炭素含有原料供給系を制御して実行させるように構成された制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
付記16において、前記第1の所定回数、前記第2の所定回数および前記第3の所定回数は、前記金属膜に含める前記窒素または前記炭素の割合に応じて決定される。
本発明の他の態様によれば、
金属元素と窒素または炭素とを含む第1の層を形成する処理を第1の所定回数行う手順と、
前記金属元素と窒素と炭素とを含む第2の層を形成する処理を第2の所定回行う手順と、
を交互に第3の所定回数行うことで、基板上に、前記窒素と前記炭素とを所定の割合で含む金属膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
付記18において、前記第1の所定回数、前記第2の所定回数および前記第3の所定回数は、前記金属膜に含める窒素または炭素の割合に応じて決定される。
本発明の他の態様によれば、
金属元素と窒素または炭素とを含む第1の層を形成する処理を第1の所定回数行う手順と、
前記金属元素と前記窒素と前記炭素とを含む第2の層を形成する処理を第2の所定回行う手順と、
を交互に第3の所定回数行うことで、基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
付記20において、前記第1の所定回数、前記第2の所定回数および前記第3の所定回数は、前記金属膜に含める窒素または炭素の割合に応じて決定される。
200・・・ウエハ
201・・・処理室
202・・・処理炉
Claims (6)
- 金属元素と窒素または炭素とを含む第1の層を形成する処理を第1の所定回数行う工程と、
前記金属元素と窒素と炭素とを含む第2の層を形成する処理を第2の所定回数行う工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して、金属元素を含む第1原料と、窒素または炭素を含む第2原料とを交互に第1の所定回数供給する工程と、
前記基板に対して、炭素を含む第3原料と、前記金属元素を含む第4原料と、窒素を含む第5原料とを交互に第2の所定回数供給する工程と、
を交互に第3の所定回数行うことで、前記基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1の所定回数、前記第2の所定回数および前記第3の所定回数は、前記金属膜に含める窒素または炭素の割合に応じて決定される請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属元素はチタンであり、前記金属膜の仕事関数は、TiNまたはTiAlNの仕事関数とTiAlCの仕事関数の間の値である請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室に接続され、前記処理室に収容された前記基板に対して、金属元素を含む金属含有原料を供給する金属含有原料供給系と、
前記処理室に接続され、前記処理室に収容された前記基板に対して、窒素を含む窒素含有原料を供給する窒素含有原料供給系と、
前記処理室に接続され、前記処理室に収容された前記基板に対して、炭素を含む炭素含有原料を供給する炭素含有原料供給系と、
前記金属含有原料供給系、前記窒素含有原料供給系及び前記炭素含有原料供給系に接続されると共に、前記処理室に収容された前記基板に対して、前記金属含有原料と前記窒素含有原料または前記炭素含有原料とを交互に第1の所定回数供給する処理と、前記金属含有原料と前記窒素含有原料と前記炭素含有原料とを交互に第2の所定回数供給する処理とを、交互に第3の所定回数行うことで、前記基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を成膜する処理を、前記金属含有原料供給系、前記窒素含有原料供給系及び前記炭素含有原料供給系を制御して実行させるように構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 金属元素と窒素または炭素とを含む第1の層を形成する処理を第1の所定回数行う手順と、
前記金属元素と窒素と炭素とを含む第2の層を形成する処理を第2の所定回行う手順と、
を交互に第3の所定回数行うことで、基板上に、窒素と炭素とを所定の割合で含む金属膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013009577A JP6061385B2 (ja) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
PCT/JP2014/050751 WO2014112572A1 (ja) | 2013-01-18 | 2014-01-17 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US14/801,984 US20150325447A1 (en) | 2013-01-18 | 2015-07-17 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
US15/961,277 US20180247819A1 (en) | 2013-01-18 | 2018-04-24 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
US16/240,197 US10388530B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-01-04 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014143252A true JP2014143252A (ja) | 2014-08-07 |
JP6061385B2 JP6061385B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=51424342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013009577A Active JP6061385B2 (ja) | 2013-01-18 | 2013-01-22 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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