JP2016511211A - EUVリソグラフィに使用されるミラー基板用のTiO2−SiO2ガラスのブランク及びその製造方法 - Google Patents
EUVリソグラフィに使用されるミラー基板用のTiO2−SiO2ガラスのブランク及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016511211A JP2016511211A JP2015556463A JP2015556463A JP2016511211A JP 2016511211 A JP2016511211 A JP 2016511211A JP 2015556463 A JP2015556463 A JP 2015556463A JP 2015556463 A JP2015556463 A JP 2015556463A JP 2016511211 A JP2016511211 A JP 2016511211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- sio
- tio
- temperature
- blank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229910003082 TiO2-SiO2 Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 97
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 26
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 claims description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 239000002737 fuel gas Substances 0.000 claims description 7
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 7
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 abstract description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 6
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 2
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- SZKKRCSOSQAJDE-UHFFFAOYSA-N Schradan Chemical group CN(C)P(=O)(N(C)C)OP(=O)(N(C)C)N(C)C SZKKRCSOSQAJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N cyclotetrasiloxane Chemical compound O1[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]1 DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003090 exacerbative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007572 expansion measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1469—Means for changing or stabilising the shape or form of the shaped article or deposit
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B25/00—Annealing glass products
- C03B25/02—Annealing glass products in a discontinuous way
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/21—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with molecular hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/23—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/40—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
- C03B2201/42—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn doped with titanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/20—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
- C03C2201/21—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing molecular hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/20—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
- C03C2201/23—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
- C03C2201/40—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
- C03C2201/42—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn containing titanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/40—Gas-phase processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/50—After-treatment
- C03C2203/52—Heat-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
チタン濃度の局所変動によってTZCを最適化する方法は、最適化すべき構成要素の容積にわたって使用中に生じる温度分布の正確な知識を必要とし、また個々の構成要素毎に膨大な設計及び適合の労力を伴う。ここで、投影レンズ系は、平らな表面だけでなく、反射コーティングが設けられかつ外形が特定用途に合わせて適合されている凸状又は凹状に湾曲した表面を有する、異なるサイズ及び形状の複数のミラーを備えることに留意されたい。動作中に実際に達する、最適化すべき各構成要素の容積にわたる温度プロファイルは、特定の使用条件に、また環境に依存し、実際の使用条件下において、完全に実装させた投影レンズ系でのみ正確に求めることができる。しかしながら、技術的に、完全に実装させた投影レンズ系の個々の構成要素を交換することは殆ど不可能である。
ブランクに関して、上述のタイプのブランクに始まる本発明の目的は、920℃〜970℃の範囲の仮想温度Tfの平均値において、該TiO2−SiO2ガラスが、該仮想温度Tfに対するそのゼロクロス温度TZCの依存性を示し、微分商dTZC/dTfとして表されるその依存性が0.3未満である本発明により達成される。
(a)ケイ素含有出発物質とチタン含有出発物質との火炎加水分解によって、第1の酸化チタン濃度を有する、SiO2の第1の多孔質スート体を作製する、本発明による方法工程と、
(b)前記第1の酸化チタン濃度を有し、その平均ヒドロキシル基含有量が300重量ppm未満に設定される第1のTiO2−SiO2ガラスが得られるように、前記第1のスート体を乾燥及び焼結させる、本発明による方法工程と、
(c)前記TiO2−SiO2ガラスを、酸化作用を有する雰囲気中で2000℃より高い温度に加熱することによって、軟化させて、再成形した結果、5×1016分子/cm3未満の平均水素濃度がもたらされる均一化プロセスにおいて、前記第1のTiO2−SiO2ガラスを均一化させる、本発明による方法工程と、
(d)200重量ppm〜300重量ppmの範囲の平均ヒドロキシル基含有量、及び5×1016分子/cm3未満の平均水素濃度を有する前記第1のTiO2−SiO2ガラスを成形し、それによって成形体を得る、本発明による方法工程と、
(e)920℃〜970℃の範囲の仮想温度Tfの平均値において、前記TiO2−SiO2ガラスが、該仮想温度Tfに対するそのゼロクロス温度TZCの依存性を示し、微分商dTZC/dTfとして表されるその依存性が0.3未満であるように、前記成形体をアニールする、本発明による方法工程と、
を含む。
TiO2−SiO2ガラスの熱膨張係数CTE及びゼロクロス温度TZCは、チタン濃度、ヒドロキシル基含有量、及び仮想温度に依存する。
(サンプル1a):TiO2−SiO2ガラスのプレート
約8重量%のTiO2でドープされる合成TiO2−SiO2ガラスからなるスート体を、既知のOVD法を用いて、供給原料としてオクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)とチタンイソプロポキシド[Ti(OPri)4]との火炎加水分解によって作製し、SiO2−TiO2粒子を形成する。
サンプル1a:968+/-2.5℃
サンプル1b:993+/-5.1℃
サンプル1c:938+/-4.2℃
サンプル1aに関して説明したように、TiO2の濃度が異なる合成TiO2−SiO2ガラスのスート体を、OMCTSとチタンイソプロポキシド[Ti(OPri)4]との火炎加水分解によって作製する。濃度は表1に示す。
サンプル1aに関して説明したように、TiO2の濃度が異なる合成TiO2−SiO2ガラスのスート体を、OMCTSとチタンイソプロポキシド[Ti(OPri)4]との火炎加水分解によって作製する。濃度は表1に示す。
(実施例1)
図1に示されるような温度プロファイルにTZCを適合させるために、ミラー基板用ブランクは2つの層のみから構成される。サンプル1及びサンプル2は、それらの研磨した平坦な側面でオプティカルコンタクト接合によって連結されると、引力に基づき気泡のない接合部が得られる。この接合した複合体を炉内で1650℃の温度に15分間加熱する。これにより、気泡の少ない接触面を有する溶融複合体がもたらされ、この溶融複合体は、酸化チタン濃度が異なる、同一サイズの2つの帯域からなるものの、それらの平均仮想温度は略同じとなる。
図1に示されるような温度プロファイルにTZCを適合させるために、実施例1に記載される手法に基づきミラー基板用ブランクを2つの層から構築する。対して、サンプル1の代わりに、サンプル4を使用する。サンプル4の製造方法は、サンプル1のものに相当するものの、均一化は行わない。
Claims (10)
- EUVリソグラフィに使用されるミラー基板用のTiO2−SiO2ガラスから作られるブランクであって、920℃〜970℃の範囲の仮想温度Tfの平均値において、該TiO2−SiO2ガラスが、該仮想温度Tfに対するそのゼロクロス温度TZCの依存性を示し、微分商dTZC/dTfとして表されるその依存性が0.3未満であることを特徴とする、EUVリソグラフィに使用されるミラー基板用のTiO2−SiO2ガラスから作られるブランク。
- 前記微分商dTZC/dTfが0.25未満であることを特徴とする、請求項1に記載のブランク。
- 前記TiO2−SiO2ガラスが、200重量ppm〜300重量ppmの範囲の平均ヒドロキシル基含有量を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載のブランク。
- 前記TiO2−SiO2ガラスが、5×1016分子/cm3未満の平均水素濃度、好ましくは1×1016分子/cm3未満の平均水素濃度を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のブランク。
- 前記ブランクの範囲が上側面及び下側面によって定められ、上側面と下側面との間の前記TiO2−SiO2ガラスが、酸化チタン濃度の不均一なプロファイルを示すことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載のブランク。
- 前記ブランクが、第1の酸化チタン濃度を有するTiO2−SiO2ガラスの第1の成形体と、該第1の成形体に接続する第2の酸化チタン濃度を有するTiO2−SiO2ガラスの第2の成形体とを含む複合体として構成されることを特徴とする、請求項5に記載のブランク。
- 前記第1の成形体が第1の平均仮想温度を有し、前記第2の成形体が第2の平均仮想温度を有し、該第1の仮想温度及び該第2の仮想温度が互いに異なることを特徴とする、請求項6に記載のブランク。
- 前記成形体が、60mm以下の厚みを有するプレートの形態で設計されることを特徴とする、請求項5〜7のいずれか一項に記載のブランク。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載のブランク又はこのようなブランク用の一次製品としての成形体を製造する方法であって、
(a)ケイ素含有出発物質とチタン含有出発物質との火炎加水分解によって、第1の酸化チタン濃度を有する、SiO2の第1の多孔質スート体を作製する工程と、
(b)前記第1の酸化チタン濃度を有し、その平均ヒドロキシル基含有量が300重量ppm未満に設定される第1のTiO2−SiO2ガラスが得られるように、前記第1のスート体を乾燥及び焼結させる工程と、
(c)前記TiO2−SiO2ガラスを、酸化作用を有する雰囲気中で2000℃より高い温度に加熱することによって、軟化させて、再成形した結果、5×1016分子/cm3未満の平均水素濃度がもたらされる均一化プロセスにおいて、前記第1のTiO2−SiO2ガラスを均一化させる工程と、
(d)300重量ppm未満の平均ヒドロキシル基含有量、及び5×1016分子/cm3未満の平均水素濃度を有する前記第1のTiO2−SiO2ガラスを成形し、それによって成形体を得る工程と、
(e)920℃〜970℃の範囲の仮想温度Tfの平均値において、前記TiO2−SiO2ガラスが、該仮想温度Tfに対するそのゼロクロス温度TZCの依存性を示し、微分商dTZC/dTfとして表されるその依存性が0.3未満であるように、前記成形体をアニールする工程と、
を含む、方法。 - 方法工程(c)による前記均一化プロセスでは、燃料ガスと、該燃料ガスの完全燃焼にとって過剰な量の少なくとも1つの酸化成分とが供給されるバーナー炎を用いて、前記第1のTiO2−SiO2ガラスを少なくとも一時的に加熱することを特徴とする、請求項9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013101328.7 | 2013-02-11 | ||
DE102013101328.7A DE102013101328B3 (de) | 2013-02-11 | 2013-02-11 | Rohling aus TiO2-SiO2-Glas für ein Spiegelsubstrat für den Einsatz in der EUV-Lithographie sowie Verfahren für dessen Herstellung |
PCT/EP2014/052106 WO2014122111A2 (de) | 2013-02-11 | 2014-02-04 | ROHLING AUS TiO2-SiO2-GLAS FÜR EIN SPIEGELSUBSTRAT FÜR DEN EINSATZ IN DER EUV-LITHOGRAPHIE SOWIE VERFAHREN FÜR DESSEN HERSTELLUNG |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016511211A true JP2016511211A (ja) | 2016-04-14 |
JP6328665B2 JP6328665B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=49999451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015556463A Active JP6328665B2 (ja) | 2013-02-11 | 2014-02-04 | EUVリソグラフィに使用されるミラー基板用のTiO2−SiO2ガラスのブランクの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9522840B2 (ja) |
EP (1) | EP2954372A2 (ja) |
JP (1) | JP6328665B2 (ja) |
KR (1) | KR101922765B1 (ja) |
CN (1) | CN104995557B (ja) |
DE (1) | DE102013101328B3 (ja) |
TW (1) | TWI624435B (ja) |
WO (1) | WO2014122111A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013219808A1 (de) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Spiegelblank für EUV Lithographie ohne Ausdehnung unter EUV-Bestrahlung |
EP2960219B1 (de) | 2014-06-27 | 2019-01-16 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Rohling aus Titan-dotiertem Kieselglas für ein Spiegelsubstrat für den Einsatz in der EUV-Lithographie und Verfahren für seine Herstellung |
CN107074609B (zh) | 2014-09-25 | 2019-11-22 | 南通斯密特森光电科技有限公司 | 轻型大尺寸望远镜镜坯的制造方法及根据该方法制造的镜坯 |
US20170362115A1 (en) * | 2014-11-26 | 2017-12-21 | Corning Incorporated | Method of making halogen doped optical element |
CN111238461B (zh) * | 2020-03-09 | 2022-05-06 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种谐振子及其制备方法 |
CN113340504B (zh) * | 2021-07-13 | 2022-03-01 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种从熔石英假想温度分布获取残余应力分布的方法 |
CN113737278B (zh) * | 2021-07-29 | 2022-05-03 | 达高工业技术研究院(广州)有限公司 | 氧化钛掺杂旋涂玻璃固化装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1111972A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバプリフォームの溶断方法及びその溶断装置 |
JPH1143340A (ja) * | 1997-05-30 | 1999-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバプリフォームの延伸方法および延伸装置 |
JP2005022954A (ja) * | 2003-04-03 | 2005-01-27 | Asahi Glass Co Ltd | TiO2を含有するシリカガラスおよびその製造法 |
JP2011505318A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-24 | コーニング インコーポレイテッド | 低い膨張係数勾配を有する低膨張性ガラス材料 |
JP2011073961A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-04-14 | Corning Inc | 超低膨張ガラスのアニールによるTzcの調節 |
WO2011105517A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | 国立大学法人東北大学 | 超低膨張ガラスの製造方法 |
WO2011104257A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Rohling aus titan-dotiertem, hochkieselsäurehaltigem glas für ein spiegelsubstrat für den einsatz in der euv-lithographie und verfahren für seine herstellung |
JP2012046407A (ja) * | 2010-02-25 | 2012-03-08 | Corning Inc | 低膨張性かつ高透過性のチタニア・ドープ・シリカガラス |
DE102011085358B3 (de) * | 2011-10-28 | 2012-07-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung für die EUV-Lithographie und Verfahren zum Konfigurieren einer solchen optischen Anordnung |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3194667B2 (ja) | 1994-03-26 | 2001-07-30 | 信越石英株式会社 | 光学用合成石英ガラス成形体及びその製造方法 |
US6377655B1 (en) * | 1998-05-08 | 2002-04-23 | Nikon Corporation | Reflective mirror for soft x-ray exposure apparatus |
DE10359102A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Komponente umfassend ein Material mit einer vorbestimmten Homogenität der thermischen Längsausdehnung |
DE102004015766B4 (de) | 2004-03-23 | 2016-05-12 | Asahi Glass Co., Ltd. | Verwendung eines SiO2-TiO2-Glases als strahlungsresistentes Substrat |
US7506521B2 (en) * | 2004-12-29 | 2009-03-24 | Corning Incorporated | High transmission synthetic silica glass and method of making same |
US7506522B2 (en) * | 2004-12-29 | 2009-03-24 | Corning Incorporated | High refractive index homogeneity fused silica glass and method of making same |
US7928026B2 (en) * | 2005-06-30 | 2011-04-19 | Corning Incorporated | Synthetic silica material with low fluence-dependent-transmission and method of making the same |
EP2250133A1 (en) * | 2008-02-29 | 2010-11-17 | Asahi Glass Company, Limited | Tio2-containing silica glass and optical member for lithography using the same |
JP2011162359A (ja) * | 2008-05-29 | 2011-08-25 | Asahi Glass Co Ltd | TiO2を含有するシリカガラスおよびそれを用いたリソグラフィ用光学部材 |
JP2010135732A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-06-17 | Asahi Glass Co Ltd | Euvマスクブランクス用基板 |
JPWO2010131662A1 (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | 旭硝子株式会社 | TiO2−SiO2ガラス体の製造方法及び熱処理方法、TiO2−SiO2ガラス体、EUVL用光学基材 |
JP5510308B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-06-04 | 旭硝子株式会社 | Euvl光学部材用基材 |
DE102010028488A1 (de) * | 2010-05-03 | 2011-11-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Substrate für Spiegel für die EUV-Lithographie und deren Herstellung |
KR101013223B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2011-02-10 | 주식회사 정관 | 음의 열팽창 계수를 가지는 결정화 유리 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-02-11 DE DE102013101328.7A patent/DE102013101328B3/de active Active
-
2014
- 2014-01-23 TW TW103102457A patent/TWI624435B/zh active
- 2014-02-04 US US14/766,276 patent/US9522840B2/en active Active
- 2014-02-04 WO PCT/EP2014/052106 patent/WO2014122111A2/de active Application Filing
- 2014-02-04 KR KR1020157023004A patent/KR101922765B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-04 JP JP2015556463A patent/JP6328665B2/ja active Active
- 2014-02-04 CN CN201480008162.8A patent/CN104995557B/zh active Active
- 2014-02-04 EP EP14702598.5A patent/EP2954372A2/de not_active Withdrawn
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1143340A (ja) * | 1997-05-30 | 1999-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバプリフォームの延伸方法および延伸装置 |
JPH1111972A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバプリフォームの溶断方法及びその溶断装置 |
JP2005022954A (ja) * | 2003-04-03 | 2005-01-27 | Asahi Glass Co Ltd | TiO2を含有するシリカガラスおよびその製造法 |
JP2011505318A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-24 | コーニング インコーポレイテッド | 低い膨張係数勾配を有する低膨張性ガラス材料 |
JP2011073961A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-04-14 | Corning Inc | 超低膨張ガラスのアニールによるTzcの調節 |
WO2011105517A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | 国立大学法人東北大学 | 超低膨張ガラスの製造方法 |
JP2012046407A (ja) * | 2010-02-25 | 2012-03-08 | Corning Inc | 低膨張性かつ高透過性のチタニア・ドープ・シリカガラス |
WO2011104257A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Rohling aus titan-dotiertem, hochkieselsäurehaltigem glas für ein spiegelsubstrat für den einsatz in der euv-lithographie und verfahren für seine herstellung |
DE102011085358B3 (de) * | 2011-10-28 | 2012-07-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung für die EUV-Lithographie und Verfahren zum Konfigurieren einer solchen optischen Anordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104995557B (zh) | 2019-03-05 |
WO2014122111A2 (de) | 2014-08-14 |
EP2954372A2 (de) | 2015-12-16 |
CN104995557A (zh) | 2015-10-21 |
TW201446670A (zh) | 2014-12-16 |
KR101922765B1 (ko) | 2018-11-27 |
US9522840B2 (en) | 2016-12-20 |
JP6328665B2 (ja) | 2018-05-23 |
TWI624435B (zh) | 2018-05-21 |
DE102013101328B3 (de) | 2014-02-13 |
WO2014122111A3 (de) | 2014-10-23 |
KR20150117675A (ko) | 2015-10-20 |
US20150376049A1 (en) | 2015-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6328665B2 (ja) | EUVリソグラフィに使用されるミラー基板用のTiO2−SiO2ガラスのブランクの製造方法 | |
JP5202959B2 (ja) | 高屈折率均一性溶融シリカガラスおよびその製造方法 | |
JP5035516B2 (ja) | フォトマスク用チタニアドープ石英ガラスの製造方法 | |
KR101869979B1 (ko) | 티타니아 도핑 석영 유리 및 그의 제조 방법 | |
KR101513310B1 (ko) | 티타니아 도핑 석영 유리 부재 및 그의 제조 방법 | |
EP2463250B1 (en) | Methods for producing and for heat-treating a tio2-sio2 glass body | |
US8901019B2 (en) | Very low CTE slope doped silica-titania glass | |
KR102178691B1 (ko) | Euv 리소그래피용 부재 및 그의 제조 방법, 및 티타니아 도핑 석영 유리 | |
JP5661778B2 (ja) | Euvリソグラフィに使用されるミラー基板用の高シリカ含有量を有するチタンドープガラスのブランク及びその製造方法 | |
JP2003246641A (ja) | 光学部材用石英ガラスブランク、その製造方法及びその使用 | |
KR20170097108A (ko) | 도핑된 초-저 팽창 유리 및 이를 제조하기 위한 방법 | |
WO2013084978A1 (ja) | チタニア-シリカガラス製euvリソグラフィ用フォトマスク基板 | |
JP5486774B2 (ja) | 合成石英ガラス体 | |
US20130276480A1 (en) | Method for producing tio2-sio2 glass body, method for heat-treating tio2-sio2 glass body, tio2-sio2 glass body, and optical base for euvl | |
TWI651277B (zh) | 製造用於euv微影術之高矽酸含量的氟與鈦摻雜玻璃底板的方法及由該方法製造之底板 | |
JP6655008B2 (ja) | Euv照射下で膨張しないeuvリソグラフィ用ミラーブランク | |
JP5992842B2 (ja) | シリカチタニアガラスの製造方法及びシリカチタニアガラスの選別方法 | |
JP6769893B2 (ja) | Oh基拡散抑制能を有する石英ガラス材料及びその製造方法 | |
JP2014218404A (ja) | Euvリソグラフィ用の反射材用基材の製造方法 | |
JPH10324528A (ja) | 光学用石英ガラス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161028 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180411 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6328665 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |