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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111383935A (zh) 2014-04-21 2020-07-07 日铁化学材料株式会社 半导体装置用接合线
KR101758038B1 (ko) 2015-08-12 2017-07-13 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 반도체 장치용 본딩 와이어
JP6002300B1 (ja) * 2015-09-02 2016-10-05 田中電子工業株式会社 ボールボンディング用パラジウム(Pd)被覆銅ワイヤ
JP6452661B2 (ja) * 2016-11-11 2019-01-16 日鉄マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
KR102011619B1 (ko) * 2017-02-22 2019-08-16 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 반도체 장치용 본딩 와이어
KR102167478B1 (ko) * 2017-08-09 2020-10-19 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 반도체 장치용 Cu 합금 본딩 와이어
JP6600121B2 (ja) * 2017-08-09 2019-10-30 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤ
JP7036838B2 (ja) * 2017-12-28 2022-03-15 日鉄マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP6487108B1 (ja) * 2018-11-26 2019-03-20 田中電子工業株式会社 パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ及びその製造方法
CN109599381A (zh) * 2018-11-30 2019-04-09 合肥中晶新材料有限公司 一种固定比例金基/银基键合线及其制备方法
JP6507329B1 (ja) 2019-02-08 2019-04-24 田中電子工業株式会社 パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ、ワイヤ接合構造、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP7156975B2 (ja) 2019-02-26 2022-10-19 三菱重工業株式会社 運営評価装置、運営評価方法、およびプログラム
CN113748493B (zh) 2019-03-12 2025-03-21 田中电子工业株式会社 钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、及使用了其的引线接合结构、半导体装置以及其制造方法
WO2020218968A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. Coated wire
JP7168779B2 (ja) * 2019-06-04 2022-11-09 田中電子工業株式会社 パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ、パラジウム被覆銅ボンディングワイヤの製造方法、これを用いた半導体装置及びその製造方法
DE112020004723T5 (de) * 2019-10-01 2022-06-15 Tanaka Denshi Kogyo K.K. Drahtbondstruktur, hierfür verwendeter Bonddraht und Halbleitervorrichtung
US12581982B2 (en) 2020-03-25 2026-03-17 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor devices
JP7629468B2 (ja) * 2020-10-20 2025-02-13 日鉄マイクロメタル株式会社 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ
EP4317490A1 (en) * 2021-03-26 2024-02-07 Yokowo Co., Ltd Probe
WO2023248491A1 (ja) * 2022-06-24 2023-12-28 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP7295352B1 (ja) * 2022-06-24 2023-06-20 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
CN116657207B (zh) 2023-06-25 2024-04-26 上海万生合金材料有限公司 一种铜镀钯金键合线及其电镀工艺
TW202548036A (zh) * 2024-03-28 2025-12-16 日商拓自達電線股份有限公司 接合線

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5223969B1 (enExample) 1966-12-28 1977-06-28
DE3371096D1 (en) * 1982-12-01 1987-05-27 Electrofoils Techn Ltd Treatment of copper foil
JPS60160554U (ja) 1984-03-31 1985-10-25 古河電気工業株式会社 半導体用ボンディング細線
JPS6120693A (ja) * 1984-07-06 1986-01-29 Toshiba Corp ボンデイングワイヤ−
JPS6148543A (ja) * 1984-08-10 1986-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子結線用銅合金線
JPS6152332A (ja) * 1984-08-21 1986-03-15 Toshiba Corp ボンデイングワイヤ−
JPS6152333A (ja) 1984-08-21 1986-03-15 Toshiba Corp ボンデイングワイヤ−
JPH0736431B2 (ja) * 1985-06-28 1995-04-19 三菱マテリアル株式会社 半導体装置のボンディングワイヤ用高純度銅の製造法
JPS61255045A (ja) * 1985-05-07 1986-11-12 Nippon Mining Co Ltd 半導体装置用ボンデイングワイヤ及びその製造方法
GB2181156A (en) * 1985-10-04 1987-04-15 London Scandinavian Metall Grain refining copper-bowed metals
JPS62130248A (ja) * 1985-11-29 1987-06-12 Furukawa Electric Co Ltd:The ボンデイング用銅細線
JPH01263289A (ja) 1988-04-13 1989-10-19 Hitachi Cable Ltd 高純度無酸素銅の製造方法
JP3481392B2 (ja) * 1996-06-13 2003-12-22 古河電気工業株式会社 電子部品リード部材及びその製造方法
JP3379412B2 (ja) * 1997-05-30 2003-02-24 松下電器産業株式会社 パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレーム
JP2004064033A (ja) * 2001-10-23 2004-02-26 Sumitomo Electric Wintec Inc ボンディングワイヤー
TW200414453A (en) 2002-03-26 2004-08-01 Sumitomo Electric Wintec Inc Bonding wire and IC device using the bonding wire
KR100514312B1 (ko) * 2003-02-14 2005-09-13 헤라우스오리엔탈하이텍 주식회사 반도체 소자용 본딩 와이어
JP2005167020A (ja) 2003-12-03 2005-06-23 Sumitomo Electric Ind Ltd ボンディングワイヤーおよびそれを使用した集積回路デバイス
EP1677345A1 (en) 2003-10-20 2006-07-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Bonding wire and integrated circuit device using the same
JP4158928B2 (ja) * 2004-09-02 2008-10-01 古河電気工業株式会社 ボンディングワイヤー及びその製造方法
KR101019811B1 (ko) * 2005-01-05 2011-03-04 신닛테츠 마테리알즈 가부시키가이샤 반도체 장치용 본딩 와이어
WO2009014168A1 (ja) * 2007-07-24 2009-01-29 Nippon Steel Materials Co., Ltd. 半導体装置用ボンディングワイヤおよびワイヤボンディング方法
US20090127317A1 (en) * 2007-11-15 2009-05-21 Infineon Technologies Ag Device and method for producing a bonding connection
US8389860B2 (en) * 2007-12-03 2013-03-05 Nippon Steel Materials Co., Ltd. Bonding wire for semiconductor devices
MY147995A (en) * 2008-01-25 2013-02-28 Nippon Steel & Sumikin Mat Co Bonding wire semiconductor device
JP4886899B2 (ja) * 2009-03-17 2012-02-29 新日鉄マテリアルズ株式会社 半導体用ボンディングワイヤ
KR101707244B1 (ko) 2009-07-30 2017-02-15 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 반도체용 본딩 와이어
JP5497360B2 (ja) * 2009-07-30 2014-05-21 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体用ボンディングワイヤー
JP4637256B1 (ja) * 2009-09-30 2011-02-23 新日鉄マテリアルズ株式会社 半導体用ボンディングワイヤー
SG184233A1 (en) * 2010-03-25 2012-10-30 Tanaka Densi Kogyo K K HIGH-PURITY Cu BONDING WIRE
TW201205695A (en) * 2010-07-16 2012-02-01 Nippon Steel Materials Co Ltd Bonding wire for semiconductor
JP4919364B2 (ja) 2010-08-11 2012-04-18 田中電子工業株式会社 ボールボンディング用金被覆銅ワイヤ
JP5403702B2 (ja) * 2011-04-11 2014-01-29 タツタ電線株式会社 銅ボンディングワイヤ
JP4958249B2 (ja) 2011-04-26 2012-06-20 田中電子工業株式会社 ボールボンディング用金被覆銅ワイヤ
CN102324392B (zh) * 2011-10-19 2013-03-27 广东佳博电子科技有限公司 一种防氧化的铜基键合丝的制备工艺
JP5088981B1 (ja) * 2011-12-21 2012-12-05 田中電子工業株式会社 Pd被覆銅ボールボンディングワイヤ
JP2013172032A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Nippon Micrometal Corp ボンディングワイヤの製造方法
CN203192789U (zh) 2013-02-01 2013-09-11 风青实业股份有限公司 半导体用焊线
US8680660B1 (en) * 2013-03-12 2014-03-25 Freescale Semiconductor, Inc. Brace for bond wire
CN104060281A (zh) * 2013-03-21 2014-09-24 吕传盛 固相扩散反应铜钯合金线及其制造方法
JP5546670B1 (ja) * 2013-06-13 2014-07-09 田中電子工業株式会社 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造

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