JP2016201300A - 燃料電池用セパレータの製造方法及び燃料電池用セパレータ - Google Patents
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Abstract
【課題】チタン基材に対する炭素膜の密着性を向上させ、かつ、耐食性の観点でも良好な燃料電池用セパレータの製造方法及び燃料電池用セパレータを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る燃料電池用セパレータの製造方法は、チタン基材40上にTiOx(1<x<2)層42を形成する工程と、TiOx層42上にプラズマCVDによって炭素膜44を形成する工程と、を有し、TiOx層42と炭素膜44との間に、Ti、O、Cを含む結合層43が形成されるものである。
【選択図】図2
【解決手段】本実施形態に係る燃料電池用セパレータの製造方法は、チタン基材40上にTiOx(1<x<2)層42を形成する工程と、TiOx層42上にプラズマCVDによって炭素膜44を形成する工程と、を有し、TiOx層42と炭素膜44との間に、Ti、O、Cを含む結合層43が形成されるものである。
【選択図】図2
Description
本発明は、燃料電池用セパレータの製造方法及び燃料電池用セパレータに関する。
燃料電池用セパレータの基材として耐食性の高いチタンを用い、このチタン基材へカーボン薄膜(炭素膜)をコーティングする技術が開発されている。この場合、チタン基材と炭素膜との間の密着性を確保することが特に重要となる。
一般的に、チタンの表層は自然酸化被膜で覆われており、これはTiO2層である。TiO2層はそれ自体が安定であり、緻密であることから耐食性に優れる保護膜として機能を果たしているが、一方このTiO2層は、Ti上に炭素膜を形成する際には、密着の阻害要因となる。
従来よりチタンと炭素膜との間の密着性を向上させるべく、様々な手法が採用されている。例えば、真空中でTiO2層をエッチングにより除去する方法や、TiCなどの中間層を予め設けておく方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。TiO2層をエッチングにより除去する方法において、TiO2層を完全に除去した後に炭素膜を形成すると、チタンと炭素膜の界面にはTiとCの化合物であるTiC又はTiCxが形成されており、これが密着層(結合層)となっている。このため、これらの従来の方法により作成された燃料電池用セパレータは、いずれもTi/TiC/Cの構造になっている。
しかしながら、この密着層としてのTiCは燃料電池環境下では酸化しやすく、TiCからTiO2に変化しやすい。燃料電池の環境を模擬した−0.2V〜0.9V(SHE)で電位走査を行うと、0.4〜0.5V付近にTiCの酸化に相当するピークが確認された。このように、TiCからなる密着層は、燃料電池環境下において酸化されてしまい、耐食性が良くない。チタン基材と炭素膜との間の密着性と耐食性を向上させる新たな手法が望まれている。
そこで、本発明は、チタン基材に対する炭素膜の密着性を向上させ、かつ、耐食性の観点でも良好な燃料電池用セパレータの製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の燃料電池用セパレータの製造方法は、チタン基材上にTiOx(1<x<2)層を形成する工程と、TiOx層上にプラズマCVDによって炭素膜を形成する工程と、を有し、TiOx層と炭素膜との間に、Ti、O、Cを含む結合層が形成されるものである。
本発明によれば、チタン基材上にTiOx層を形成し、TiOx層上にプラズマCVDにより炭素膜を形成することにより、TiOx層が炭素膜のC成分と結合し、TiO層と炭素膜との間に、Ti、O、Cを含む結合層が形成され、この結合層によりTiOx層と炭素膜との密着性が確保される。また、TiOx層の存在によって耐食性が担保される。
好ましくは、プラズマCVDを制御することによって、0.1nm以上5nm以下の結合層を形成する。プラズマCVDの制御では、例えば、プラズマCVDの時間及び直流バイアス電圧を調製すればよい。0.1nm以上としたのは、結合層によるTiOx層と炭素膜の密着性を担保するためである。5nm以下としたのは、結合層の導電性を担保するためである。結合層は、酸化条件下では徐々に酸化され絶縁性を有するようになる。しかし、結合層が5nm以下と薄ければ、トンネル効果等の影響のため、導電性を確保できる。
例えば、結合層は、さらにNを含む。プラズマCVDにおいて窒素を含むガスを用いる場合には、結合層中にNが含まれることとなる。
プラズマCVDのプロセス中におけるボンバードガス又は成膜ガスとして、窒素を含むガスを用いる。これにより、プラズマCVDのプロセス中にNに起因するプラズマ発光が生じ、TiOx層上に照射される。この結果、TiOx層は光触媒効果によって活性化されてTiOx層の表面自由エネルギーが向上し、結合層を介したTiOx層と炭素膜との密着性が向上する。
上記の目的を達成するため、本発明の燃料電池用セパレータは、チタン基材と、チタン基材上に形成されたTiOx(1<x<2)層と、TiOx層上に形成された炭素膜と、TiOx層と炭素膜との間に形成され、Ti、O、Cを含む結合層と、を有する。
本発明によれば、TiOx層上にプラズマCVDにより炭素膜を形成することにより、TiOx層が炭素膜のC成分と結合し、TiO層と炭素膜との間に、Ti、O、Cを含む結合層を備えたセパレータが構成される。この結合層によりTiOx層と炭素膜との密着性が確保される。また、TiOx層の存在によって耐食性が担保される。
結合層の厚さは、0.1nm以上5nm以下である。0.1nm以上としたのは、結合層によるTiOx層と炭素膜の密着性を担保するためである。5nm以下としたのは、結合層の導電性を担保するためである。結合層は、酸化条件下では除去に酸化され絶縁性を有するようになる。しかし、結合層が5nm以下と薄ければ、トンネル効果等の影響のため、導電性を確保できる。
結合層は、さらにNを含む。プラズマCVDにおいて窒素を含むガスを用いる場合には、結合層中にNが含まれることとなる。例えば、プラズマCVDのプロセス中におけるボンバードガス又は成膜ガスとして、窒素を含むガスを用いる。これにより、プラズマCVDのプロセス中にNに起因するプラズマ発光が生じ、TiOx層上に照射される。この結果、TiOx層は光触媒効果によって活性化されてTiOx層の表面自由エネルギーが向上し、結合層を介したTiOx層と炭素膜との密着性が向上する。
本発明によれば、チタン基材に対する炭素膜の密着性を向上させ、かつ、耐食性の観点でも良好な燃料電池用セパレータを製造することが可能となる。
以下、本発明の構成を図面に示す実施の形態の一例に基づいて詳細に説明する。以下では、一例として、燃料電池車に搭載されることが予定された燃料電池またはこれを含む燃料電池システムに本発明を適用した場合を例示して説明するが、適用範囲がこのような例に限られることはない。
図1は、燃料電池スタックの要部を断面視した図である。図1に示すように、燃料電池スタックには、基本単位であるセル(単電池)2が複数積層されている。セル2は、MEA(Membrane-Electrode Assembly)3と、MEA3を挟む一対のセパレータ4,5とを備え、MEA3は、イオン交換膜からなる電解質膜6と、電解質膜6を挟む一対の電極7,8とを備えている。一方の電極7は、燃料ガス(例えば、水素ガス)が通過する陽極、他方の電極8は、酸化ガス(例えば、空気)が通過する陰極である。
セパレータ4,5は、双方とも波形に形成されている。セパレータ4,5の形状は、波の形状が等脚台形をなし、かつ波の頂部が平坦で、この頂部の両端が等しい角度をなして角張っている。つまり、各セパレータ4,5は、表側から見ても裏側から見ても、ほぼ同じ形状である。MEA3の一方の電極7には、セパレータ4の頂部が面接触し、MEA3の他方の電極8には、セパレータ5の頂部が面接触している。
一方の電極7とセパレータ4との間に画成される空間S1は、燃料ガスが流通する流路であり、他方の電極8とセパレータ5との間に画成される空間S2は、酸化ガスが流通する流路である。
さらに、あるセル2と、それに隣接するもうひとつのセル2とは、陽極と陰極とを向き合わせて配置されており、あるセル2の陽極(すなわち一方の電極7)に沿って配置されたセパレータ4の背面側の頂部と、もうひとつのセル2の陰極(すなわち他方の電極8)に沿って配置されたセパレータ5の背面側の頂部とが、面接触している。隣接する2つのセル2間で面接触するセパレータ4,5の間に画成される空間S3には、セル2を冷却する冷媒としての水が流通する。
(第1実施形態)
図2は、セパレータ4の拡大断面図である。なお、セパレータ5の断面も、セパレータ4の断面と共通する。図2に示すように、セパレータ4は、チタン基材40と、チタン基材40上に形成されたTiOx(1<x<2)層42と、TiOx層42上にプラズマCVDによって形成された炭素膜44と、TiOx層42と炭素膜44との間に形成され、Ti、O、Cを含む結合層43と、を有する。
図2は、セパレータ4の拡大断面図である。なお、セパレータ5の断面も、セパレータ4の断面と共通する。図2に示すように、セパレータ4は、チタン基材40と、チタン基材40上に形成されたTiOx(1<x<2)層42と、TiOx層42上にプラズマCVDによって形成された炭素膜44と、TiOx層42と炭素膜44との間に形成され、Ti、O、Cを含む結合層43と、を有する。
チタン基材40は、Tiからなり、その厚さに限定はないが、例えば100μm〜20000μmの厚さである。
TiOx(1<x<2)層42は、Tiの表層に形成された比較的耐食性の良い被膜である。TiOxにより、燃料電池環境下を模擬した電位走査試験によっても特定のピークが発現せず、良好な耐食性が得られる。また、TiOx層42は、酸素が欠乏していることにより、高い導電性を示す。そのため、TiOx層42は、セパレータの厚さ方向における電気抵抗を大きく上昇させることはない。TiOx層42の厚さに限定はないが、例えば、2〜50nmであり、好ましくは5〜10nmである。
結合層43は、Ti、O、Cを含み、TiOx(1<x<2)層42と炭素膜44とを結合させるものである。結合層43は、Nを含んでいてもよい。結合層43のNは、炭素膜44に含有されるN成分、又は、後述するプラズマCVD工程中に使用するN成分由来である。結合層43は、後述するように、TiOx層42上にプラズマCVDによって炭素膜44を形成する際に、Ti層42と炭素膜43との間に介在する結合層である。結合層43は、Ti、O、C、(N)がお互いに結合されて構成される層である。
結合層43の厚さは、好ましくは、0.1nm以上5nm以下である。0.1nm以上としたのは、結合層43によるTiOx層42と炭素膜44の密着性を担保するためである。5nm以下としたのは、結合層43の導電性を担保するためである。結合層43は、酸化条件下では徐々に酸化され絶縁性を有するようになる。しかし、結合層43が5nm以下と薄ければ、トンネル効果等の影響のため、導電性を確保できる。
炭素膜44は、プラズマCVDにより形成される。炭素膜44の厚さに限定はないが、例えば10〜1000nmの厚さである。炭素膜44は、非晶質構造であっても、結晶構造(グラファイト構造)であってもよい。また、炭素膜44は、Nを含有していてもよい。プラズマCVDのプロセス中におけるボンバードガス又は成膜ガスとして、窒素を含むガスを用いた場合、炭素膜44中にNが取り込まれる。
次に、セパレータ4の製造方法について説明する。
<セパレータ4の製造工程>
図3は、セパレータ4の製造工程の概略フローを示す。セパレータ4を構成するチタン基材としては、例えばBA材(光輝焼鈍材)または酸洗材を用いることができる(ステップSP1)。酸洗材は、その表層に酸化チタン(TiO2)層からなる酸化被膜を有することが確認されている。
図3は、セパレータ4の製造工程の概略フローを示す。セパレータ4を構成するチタン基材としては、例えばBA材(光輝焼鈍材)または酸洗材を用いることができる(ステップSP1)。酸洗材は、その表層に酸化チタン(TiO2)層からなる酸化被膜を有することが確認されている。
まず、チタン基材40上にTiOx処理を施してTiOx層42を形成する(ステップSP2)。TiOx層42を得るためには、いくつかの手法が存在する。例えば、濃硫酸中でチタン表面を溶解する方法や、ゾルーゲル法により形成する方法がある。また、チタン基材40の表面に酸化チタン層が存在する場合には、その酸化チタン層を水素等の還元性を有する物質を用いてプラズマ処理することで還元する方法もある。
次に、当該チタン基材40に必要なプレス加工をし、洗浄する(ステップSP3)。なお、プレス加工及び洗浄工程は実施しなくてもよい。また、プレス加工及び洗浄工程の少なくとも一方の順序を、TiOx処理(ステップSP2)と入れ替えてもよい。
洗浄後、プラズマCVD(プラズマを用いる化学気相成長)を実施し、チタン基材40の表面のTiOx層42上に炭素膜44を成膜する(ステップSP4)。
<プラズマCVDのプロセス>
プラズマCVDの詳細について説明する(図4参照)。プラズマCVDのプロセスでは、まず、真空装置を用いた真空引きを行い、表面にTiOx層42が形成されたチタン基材40を真空雰囲気中に配置する(ステップSP4−1)。次に、ランプ加熱(単純な加熱態様の一例で、ランプ熱を利用した加熱)を利用した外部からの加熱によりチタン基材40を必要な温度、例えば約300℃まで加熱し、表面に残存している油分を除去する(ステップSP4−2)。
プラズマCVDの詳細について説明する(図4参照)。プラズマCVDのプロセスでは、まず、真空装置を用いた真空引きを行い、表面にTiOx層42が形成されたチタン基材40を真空雰囲気中に配置する(ステップSP4−1)。次に、ランプ加熱(単純な加熱態様の一例で、ランプ熱を利用した加熱)を利用した外部からの加熱によりチタン基材40を必要な温度、例えば約300℃まで加熱し、表面に残存している油分を除去する(ステップSP4−2)。
次に、前段階として、必要に応じて、ボンバード(エッチング)を行う(ステップSP4−3)。ボンバードエッチングとは、一般的にプラズマによるエッチングをいい、より具体的には、プラズマ状にした原子を物理的にぶつけることによって汚れ(酸化物)を除去するものである。アルゴンを用いるとボンバード効果が高い。本実施形態では、ボンバードガスとして、窒素を含むガスを用いることが好ましく、例えばアルゴンと窒素の混合ガスを用いる。ボンバードエッチングの際に、窒素プラズマの光がTiOx層42に照射されることにより、光触媒効果によってTiOx層42がさらに活性化されて、TiOx層42の表面自由エネルギーが向上する。なお、ボンバード(エッチング)を秒単位(数秒〜10秒程度)で行えば、TiOx層42が除去されることはない。
窒素プラズマの光がTiOx層42に照射されることにより、光触媒効果によってTiOx層42が活性化される理由は、以下のとおりである。すなわち、一般に酸化チタン(TiO2)には3種類あり、そのうちの主な2種類の一方はルチル(安定、ほとんど)型、他方はアナターゼ型である。光触媒効果は、励起状態において生じる電子、正孔があってはじめて発現する。ここで、当該励起に必要なエネルギーは、ルチル型の場合3.0eV、アナターゼ型の場合3.2eVであるから、理論的にはそれぞれ410nm、390nm以下の光を照射することで励起が生じる。TiOx層は、ルチル型又はアナターゼ型のTiO2を酸素欠乏状態にさせたものであり、励起に必要なエネルギーはTiO2と大きな差異はないものと推定される。ここで、窒素(N2)プラズマの発光ピークは410nm以下にあることから、ルチル型、アナターゼ型のいずれの酸素欠乏状態に対応するTiOx層42であっても、光触媒効果によって活性化を促し、TiOx層42の表面自由エネルギーを向上させることができる。
次に、TiOx層42の表面に炭素膜44を成膜する(ステップSP4−4)。成膜ガスとして、炭化水素系のガス(一例として、アセチレン)をベースとして用いて、炭素膜44を形成する。本実施形態では、成膜ガスとして窒素を含むガスを用いることが好ましく、例えば、アセチレンと窒素を含むガスを用いる。これにより、炭素膜44の成膜中、窒素プラズマに起因する光(390nm以下の波長の光)がTiOx層42の表面に照射される。この結果、上述した理由により、光触媒効果によってTiOx層42がさらに活性化されて、TiOx層42の表面自由エネルギーが向上する。
上述したプラズマCVDのプロセスによれば、チタン基材40上には活性なTiOx層42が形成されていることにより、TiOx層42と、その上に成膜される炭素膜44との間の密着性を向上させることができる。TiOx層42はCとの結合又は反応しやすく、成膜後には、TiOx層42と炭素膜44との間に、Ti、O、Cを含む結合層43が形成され、この結合層43によりTiOx層42と炭素膜44との密着性が確保される。結合層43は、Ti、O、C、(N)がお互いに結合されて構成される層である。結合層の厚さは、好ましくは、0.1nm以上5nm以下である。結合層43は、さらにNを含んでいてもよい。結合層43に含まれるNは、炭素膜44に含有されるN成分、又はプラズマCVDの成膜前又は成膜中に使用した窒素ガスに由来する。
ここで、TiOx層42上に炭素膜44を成膜する際に、プラズマCVDが好ましい理由について説明する。TiOx層42は活性な層であるが、その表面には結合の手が出ていない。プラズマCVDにおいて、TiOx層42はプラズマに晒されることから、プラズマによって発生したラジカルによりTiOx層42の表層における結合の手が切れて、TiOx層42の表面に結合の手が出ることとなる。一方、成膜ガス中におけるCは、プラズマによって結合の手が出た状態にある。このように、プラズマCVDでは、成膜ガス中におけるCだけでなく、TiOx層42の表層においても結合の手が出た状態となることから、TiOx層上にCが結合され、堆積されていく。プラズマCVD以外のCVDや、PVD、その他の手法では、TiOx層42の表面に結合の手を誘起できず、TiOx層42と炭素膜44との間に結合層43が形成されないことから、TiOx層42と炭素膜44との密着力を高めることができない。
成膜処理後、大気解放する(ステップSP4−5)。なお、上述の実施形態は本発明の好適な実施の一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。例えば、上記実施形態と異なる点として、ボンバートガスをアルゴンのみとすることで、結合層43をTi、O、Cからなる層とすることができる。
(第2実施形態)
図5は、第2実施形態に係るセパレータの拡大断面図である。図5に示すように、第2実施形態のセパレータは、チタン基材40上にTiO2層41が形成され、このTiO2層41上にTiOx層42が形成される点で、チタン基材40上に直接TiOx層42が形成されている第1実施形態と異なる。その他の点については、第2実施形態は第1実施形態と共通しているため、その説明は省略する。
図5は、第2実施形態に係るセパレータの拡大断面図である。図5に示すように、第2実施形態のセパレータは、チタン基材40上にTiO2層41が形成され、このTiO2層41上にTiOx層42が形成される点で、チタン基材40上に直接TiOx層42が形成されている第1実施形態と異なる。その他の点については、第2実施形態は第1実施形態と共通しているため、その説明は省略する。
上述したように、チタン基材40上には通常TiO2層からなる酸化被膜が形成されている。第2実施形態は、この酸化被膜を除去せずにTiO2層41として残しておくものである。
第2実施形態のセパレータの製造方法は、第1実施形態のセパレータの製造方法とは、ステップSP1,SP2において異なる。第2実施形態では、チタン基材として、その表面にTiO2層41が形成されたチタン基材を用い(ステップSP1)、TiOx処理において、TiO2層41の表層の一部のみをTiOx化するか、TiO2層41上にTiOxを成膜すればよい。例えば、TiO2層41の表層の一部のみを還元してTiOx層を形成する方法や、TiO2層41上にゾルーゲル法によりTiOx層を形成すれば、第2実施形態のセパレータが製造される。
上述した本実施形態に係るセパレータの製造方法による効果を確認するための試験を実施した。実施例について以下に説明する。
(実施例1)
光輝焼鈍処理済のチタン板を準備し、約200×400mmに切断して、チタン基材40とした(ステップSP1)。光輝焼鈍処理とは、非酸素雰囲気下で燃焼を実施する処理であり、これによりTiの金属表面をもつチタン基材40が得られる。セパレータ形状となるようにチタン基材40をプレスした後に、炭化水素及びアルカリ系の洗浄液にて洗浄を行った(ステップSP3)。続いて、50%H2SO4水溶液にて酸洗処理を実施し、300度の真空乾燥炉で乾燥させた。これにより、チタン基材40の表面にTiOx層42を形成した(ステップSP2)。
光輝焼鈍処理済のチタン板を準備し、約200×400mmに切断して、チタン基材40とした(ステップSP1)。光輝焼鈍処理とは、非酸素雰囲気下で燃焼を実施する処理であり、これによりTiの金属表面をもつチタン基材40が得られる。セパレータ形状となるようにチタン基材40をプレスした後に、炭化水素及びアルカリ系の洗浄液にて洗浄を行った(ステップSP3)。続いて、50%H2SO4水溶液にて酸洗処理を実施し、300度の真空乾燥炉で乾燥させた。これにより、チタン基材40の表面にTiOx層42を形成した(ステップSP2)。
続いて、プラズマCVDによって炭素膜44を形成した(ステップSP4)。プラズマCVDでは、温度300℃、圧力10Paの成膜室にチタン基材40を搬入した後、DCで2.0kVの直流バイアス電圧を印加し、チタン基材40と陽極との間にグロー放電プラズマを発生させた。陽極はチタン基材40と平行に、かつ両面に対向するように配置し、両面同時にプラズマを発生させた。また、プラズマ密度を上げる目的で、チャンバ内にサマリウムコバルト製の磁石を配置し、プラズマによって発生する電子を捕捉させた。
プラズマのプロセスは、ボンバード、成膜の順に実施し、すべて10Paに制御された状態で行った。圧力制御にはAPC(オートプレッシャコントローラ)を用いた。ボンバードガスとして、アルゴンをベースとし、窒素を含有するガスを用いた。また、成膜ガスとして、炭化水素系のガスをベースとし、窒素を含有するガスを用いた。これにより、50nmの厚さの炭素膜44を形成した。
図6は、実施例1のセパレータの断面TEM像である。図7は、図6の断面TEM像の各ポイント1〜5におけるTEM−EELS分析結果を示す図である。
図6及び図7に示すように、実施例1の製造方法によって、TiOx層42と炭素膜(カーボン薄膜)44との間に、Ti、O、N、Cを含有する結合層43が形成されていることが確認された。
(実施例2)
酸洗済のチタン板を準備し、約200×400mmに切断して、チタン基材40とした(ステップSP1)。このとき、チタン基材40の表面にはアモルファス状のTiO2層41が形成されていることを確認した。酸洗とは、冷間圧延後に主に硝フッ酸中で表面をエッチングすることをいう。セパレータ形状となるようにチタン基材40をプレスした後に、炭化水素及びアルカリ系の洗浄液にて洗浄を行った(ステップSP3)。続いて、マイクロ波プラズマ装置にて、真空中で反応ガスとしてH2ガス、キャリアガスとしてArガスを用いて、50Pa、1.5kW、2分間の処理を実施した(TiOx化処理)。これにより、TiO2層41の表層を還元してTiOx層42を形成した。その後、実施例1と同様にして、プラズマCVDによって炭素膜44を形成した(ステップSP4)。プラズマCVDにおいて、電圧は2.0kV、直流バイアスによりグロー放電を実施した。この時、ボンバード及び成膜ガス中に窒素を含有させた。
酸洗済のチタン板を準備し、約200×400mmに切断して、チタン基材40とした(ステップSP1)。このとき、チタン基材40の表面にはアモルファス状のTiO2層41が形成されていることを確認した。酸洗とは、冷間圧延後に主に硝フッ酸中で表面をエッチングすることをいう。セパレータ形状となるようにチタン基材40をプレスした後に、炭化水素及びアルカリ系の洗浄液にて洗浄を行った(ステップSP3)。続いて、マイクロ波プラズマ装置にて、真空中で反応ガスとしてH2ガス、キャリアガスとしてArガスを用いて、50Pa、1.5kW、2分間の処理を実施した(TiOx化処理)。これにより、TiO2層41の表層を還元してTiOx層42を形成した。その後、実施例1と同様にして、プラズマCVDによって炭素膜44を形成した(ステップSP4)。プラズマCVDにおいて、電圧は2.0kV、直流バイアスによりグロー放電を実施した。この時、ボンバード及び成膜ガス中に窒素を含有させた。
なお、実施例2の製造方法によっても、TiOx層42と炭素膜(カーボン薄膜)44との間に、Ti、O、N、Cを含有する結合層43が形成されていることが確認された。
次に、後述する実施例のセパレータの効果を示すための、比較例のセパレータについて説明する。
(比較例1)
図8は、比較例1のセパレータの拡大断面図である。比較例1のセパレータは、チタン基材40上にTiO2層41が形成され、このTiO2層41上に炭素膜44が形成されている。比較例1のセパレータは、常法に従って製造した。例えば、酸洗済のチタン基材40上に炭素膜44を形成することによって比較例1のセパレータを製造した。
図8は、比較例1のセパレータの拡大断面図である。比較例1のセパレータは、チタン基材40上にTiO2層41が形成され、このTiO2層41上に炭素膜44が形成されている。比較例1のセパレータは、常法に従って製造した。例えば、酸洗済のチタン基材40上に炭素膜44を形成することによって比較例1のセパレータを製造した。
(比較例2)
図9は、比較例2のセパレータの拡大断面図である。比較例2のセパレータは、チタン基材40上にTiC層45が形成され、このTiC層45上に炭素膜44が形成されている。比較例2のセパレータは、常法に従って製造した。例えば、光輝焼鈍処理済のチタン基材40上に炭素膜44を形成することによって比較例2のセパレータを製造した。
図9は、比較例2のセパレータの拡大断面図である。比較例2のセパレータは、チタン基材40上にTiC層45が形成され、このTiC層45上に炭素膜44が形成されている。比較例2のセパレータは、常法に従って製造した。例えば、光輝焼鈍処理済のチタン基材40上に炭素膜44を形成することによって比較例2のセパレータを製造した。
(評価試験1)
上記した実施例1、比較例1,2のセパレータについて、密着性、接触抵抗、耐食性の観点から評価した。各評価試験の内容について説明する。
上記した実施例1、比較例1,2のセパレータについて、密着性、接触抵抗、耐食性の観点から評価した。各評価試験の内容について説明する。
<密着性評価試験>
試験片を100mm×50mmにカットした後、プレッシャクッカ(株式会社平山製作所製)にて剥離試験を行った。ここでは、純水を用いた水蒸気中で暴露することにより、剥離を促進させた。試験条件は、130℃飽和水蒸気中に暴露し、1時間のキープ時間を設けた後、冷却し、取り出した。
試験片を100mm×50mmにカットした後、プレッシャクッカ(株式会社平山製作所製)にて剥離試験を行った。ここでは、純水を用いた水蒸気中で暴露することにより、剥離を促進させた。試験条件は、130℃飽和水蒸気中に暴露し、1時間のキープ時間を設けた後、冷却し、取り出した。
剥離の評価は、SEM(走査型電子顕微鏡)を用いた観察により、表面の剥離度合を観察し、剥離面積率によって区分けした。なお、SEMによる剥離面積率は測定者の目視による概算で求めた。密着性評価結果欄における評価基準は下記の通りである。
○:剥離面積率が1%以下
△:剥離面積率1%超5%以下
○:剥離面積率が1%以下
△:剥離面積率1%超5%以下
<接触抵抗試験>
試験片の炭素膜の表面に燃料電池の拡散層に相当するカーボンペーパ(厚さ0.5mm)を載せ、測定治具により一定荷重(1MPa)を付与しながら測定した。この状態で、電流計により試験片に流れる電流が1Aとなるように、電源からの電流を調整して流し、試験片に印加される電圧を電圧計で測定し、炭素膜と前記カーボンペーパとの接触抵抗を算出した。なお、炭素膜とカーボンペーパとの接触抵抗のみを測定するために、チタン基材40の他方の面(成膜していない面)は、SUSにAuめっきを厚膜化(1μm)したものを接触させ、これら部材間の接触抵抗が発生しないようにした。接触抵抗試験における、評価基準は下記の通りである。
○:5mΩ・cm2以下
△:5mΩ・cm2超10mΩ・cm2以下
試験片の炭素膜の表面に燃料電池の拡散層に相当するカーボンペーパ(厚さ0.5mm)を載せ、測定治具により一定荷重(1MPa)を付与しながら測定した。この状態で、電流計により試験片に流れる電流が1Aとなるように、電源からの電流を調整して流し、試験片に印加される電圧を電圧計で測定し、炭素膜と前記カーボンペーパとの接触抵抗を算出した。なお、炭素膜とカーボンペーパとの接触抵抗のみを測定するために、チタン基材40の他方の面(成膜していない面)は、SUSにAuめっきを厚膜化(1μm)したものを接触させ、これら部材間の接触抵抗が発生しないようにした。接触抵抗試験における、評価基準は下記の通りである。
○:5mΩ・cm2以下
△:5mΩ・cm2超10mΩ・cm2以下
<耐食性試験>
燃料電池の環境を模擬した−0.2V〜0.9V(SHE)で電位走査を行い、酸化ピークの有無を確認した。耐食性試験において、下記のように評価した。
○:酸化ピーク無し
×:酸化ピーク有り
燃料電池の環境を模擬した−0.2V〜0.9V(SHE)で電位走査を行い、酸化ピークの有無を確認した。耐食性試験において、下記のように評価した。
○:酸化ピーク無し
×:酸化ピーク有り
表1に、実施例1、比較例1,2のセパレータについて、密着性試験、接触抵抗試験、耐食性試験の試験結果を示す。
表1に示すように、実施例1のセパレータは、比較例1,2のセパレータに比べて、密着性試験、接触抵抗試験、耐食性試験において良好な結果が得られた。このため、実施例1のセパレータによれば、TiOx層42と炭素膜44との間に結合層43が形成されていることにより、チタン基材40に対する炭素膜44の密着性を向上させ、かつ、耐食性の観点でも良好な燃料電池用セパレータを実現できることが確認された。
(評価試験2)
評価試験2は、種々の結合層43の厚さについて、密着性試験、接触抵抗試験、耐食性試験を行ったものである。具体的には、炭素膜44のプラズマCVDを制御して、結合層43の厚さが1nm以下、5nm、15nmの試料を作成した。プラズマCVDの制御では、プラズマCVDの時間及び直流バイアス電圧を調製した。実施例1で説明したのと同様に、セパレータの断面TEM像及びTEM−EELS分析結果について結合層43を特定し、断面TEM像に基づいて結合層の厚さを求めた。
評価試験2は、種々の結合層43の厚さについて、密着性試験、接触抵抗試験、耐食性試験を行ったものである。具体的には、炭素膜44のプラズマCVDを制御して、結合層43の厚さが1nm以下、5nm、15nmの試料を作成した。プラズマCVDの制御では、プラズマCVDの時間及び直流バイアス電圧を調製した。実施例1で説明したのと同様に、セパレータの断面TEM像及びTEM−EELS分析結果について結合層43を特定し、断面TEM像に基づいて結合層の厚さを求めた。
試験片について、初期抵抗、腐食試験後抵抗、腐食試験後の結合状態変化の観点から評価した。各評価試験の内容について説明する。
<初期抵抗試験>
初期抵抗試験は、試験片についての接触抵抗を測定したものである。接触抵抗の測定方法は、評価試験1における接触抵抗試験と同様である。
初期抵抗試験は、試験片についての接触抵抗を測定したものである。接触抵抗の測定方法は、評価試験1における接触抵抗試験と同様である。
<腐食試験(耐食性試験)>
試験片に対して、日本工業規格の金属材料の電気化学的高温腐食試験法(JIS Z2294)に準じた耐食性試験(定電位腐食試験)を行った。大気解放系の装置において、温調水により80℃に温度調整された試験片を硫酸溶液(300ml,pH3)に浸した。この状態で、白金板からなる対極と試験片(試料極)とを電気的に接続することにより、対極と試料極との間に0.9Vの電位差を生じさせ、試験片を腐食させた。なお、参照電極によって試験片の電位を一定に保持した。また、試験時間は50時間程度とした。
試験片に対して、日本工業規格の金属材料の電気化学的高温腐食試験法(JIS Z2294)に準じた耐食性試験(定電位腐食試験)を行った。大気解放系の装置において、温調水により80℃に温度調整された試験片を硫酸溶液(300ml,pH3)に浸した。この状態で、白金板からなる対極と試験片(試料極)とを電気的に接続することにより、対極と試料極との間に0.9Vの電位差を生じさせ、試験片を腐食させた。なお、参照電極によって試験片の電位を一定に保持した。また、試験時間は50時間程度とした。
定電位腐食試験後に接触抵抗を測定した。接触抵抗の測定方法は、評価試験1における接触抵抗試験と同様である。また、TEM−EELS分析により、腐食試験後の結合層43の結合状態変化を調べた。
表2に、結合層43の厚さが異なる3種類のセパレータについての、初期抵抗試験、腐食試験(接触抵抗)の測定結果を示す。表2における総合判定の評価基準は下記の通りである。
○:腐食試験の前後において接触抵抗が5mΩ・cm2以下である
×:腐食試験後において接触抵抗が5mΩ・cm2を超えている
○:腐食試験の前後において接触抵抗が5mΩ・cm2以下である
×:腐食試験後において接触抵抗が5mΩ・cm2を超えている
表2に示すように、TiOx層42と炭素膜44との間に形成される結合層43の厚さは、結合層の導電性及び耐食性の観点から、1nm以上5nm以下が好ましいことがわかる。ここで、TEM−EELS分析から、結合層43は腐食試験後、C結合が減少し、O結合が増加することが分かっている。つまり、結合層43は酸化条件下では徐々に酸化され、絶縁性を有するようになることが示されている。しかし、結合層43が5nm以下と薄ければ、トンネル効果等の影響のため、導電性を確保できる。
本発明は、チタン基材に炭素膜を成膜することによりセパレータを製造する際に好ましく適用される。
2…セル、3…MEA、4,5…セパレータ(燃料電池用セパレータ)、6…電解質膜、7,8…電極、40…チタン基材40…TiO2層、42…TiOx層(1<x<2)、43…結合層、44…炭素膜、45…TiC層
Claims (7)
- チタン基材上にTiOx(1<x<2)層を形成する工程と、
前記TiOx層上にプラズマCVDによって炭素膜を形成する工程と、
を有し、
前記TiOx層と前記炭素膜との間に、Ti、O、Cを含む結合層が形成される、
燃料電池用セパレータの製造方法。 - 前記プラズマCVDを制御することによって、0.1nm以上5nm以下の結合層を形成する、
請求項1記載の燃料電池用セパレータの製造方法。 - 前記結合層は、さらにNを含む、
請求項1又は2に記載の燃料電池用セパレータの製造方法。 - 前記プラズマCVDのプロセス中におけるボンバードガス又は成膜ガスとして、窒素を含むガスを用いる、
請求項1〜3のいずれかに記載の燃料電池用セパレータの製造方法。 - チタン基材と、
前記チタン基材上に形成されたTiOx(1<x<2)層と、
前記TiOx層上に形成された炭素膜と、
前記TiOx層と前記炭素膜との間に形成され、Ti、O、Cを含む結合層と、
を有する、燃料電池用セパレータ。 - 前記結合層の厚さは、0.1nm以上5nm以下である、
請求項5記載の燃料電池用セパレータ。 - 前記結合層は、さらにNを含む、
請求項5又は6に記載の燃料電池用セパレータ。
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