JP2016184656A - リードフレーム、樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 153
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000135309 Processus Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
Description
LED素子を搭載するダイパッド部と、
該ダイパッド部の周辺に配置されたリード部と、を有し、
該ダイパッド部及び該リード部の外部樹脂部が形成される外部樹脂形成領域の上面に凹部が形成され、
該凹部の一部に突起が形成されている。
前記外部樹脂を有する。
該樹脂付きリードフレームの前記ダイパッド部に搭載されたLED素子と、
該LED素子と前記リード部とを電気的に接続するボンディングワイヤーと、
前記外部樹脂が形成されていない領域を封止する透明封止樹脂と、を有する。
金属板の裏面側に、前記第1の連続レジスト層形成領域又は前記縞状レジスト層形成領域と重なる領域を含むように前記レジスト層で連続的に覆った第2の連続レジスト層形成領域と、前記第1の開口領域と重なる領域を含むように前記レジスト層で覆われていない第2の開口領域とを有する第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記金属板を両面からエッチングし、前記第1の開口領域と前記第2の開口領域が重なる領域に貫通穴、前記凹部形成パターンに底面が突起と窪みが交互に配置された波状の表面を有する凹部、前記第1の連続レジスト層形成領域及び前記第2の連続レジスト層形成領域に平坦面、前記第2の開口領域に薄肉部を形成するエッチング工程と、を有する。
該LED素子の電極と前記リード部とをボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、
前記外部樹脂部が形成されていない領域を透明樹脂で封止する透明樹脂封止工程と、を有する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置用のリードフレームの一例の構成を示した図である。図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の平面図であり、図1(b)は、図1のX−X’断面における断面図である。
図5は、本発明の第2の実施形態に係るリードフレーム50aの一例を示した図である。図5(a)は、本発明の第2の実施形態に係るリードフレーム50aの一例の平面図であり、図5(b)は、図5(a)のY−Y’断面における断面図である。
図6は、本発明の第3の実施形態に係るリードフレーム50bの一例の図である。図6(a)は、本発明の第3の実施形態に係るリードフレーム50bの一例の平面図であり、図6(b)は、図6(a)のZ−Z’断面における断面図である。
次に、本発明の第1〜第3の実施形態に係るリードフレーム50、50a、50b、樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置の製造方法について説明する。
以上説明した製造方法により光半導体装置は作製されるが、次に、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法の実施例を説明する。なお、説明の便宜のため、今まで説明した構成要素に対応する構成要素には、同一の参照符号を付すものとする。
表1に実施例2〜5、比較例1〜2の各設定を示す。
11、11b LED素子搭載領域
21、21b 内部接続端子領域
13、13a、13b、23、23a、23b 凹部
14、14a、24、24a 突起
15、25 外部接続端子領域
16、26 薄肉部
20、20a、20b リード部
30 めっき層
50、50a、50b リードフレーム
60 外部樹脂部
70 外部樹脂
100 樹脂付きリードフレーム
110 LED素子
120 ボンディングワイヤー
130 封止樹脂部
131 突起
132 窪み
150、150a 光半導体装置
Claims (12)
- 光半導体装置及び光半導体装置用樹脂付きリードフレームに用いられるリードフレームであって、
LED素子を搭載するダイパッド部と、
該ダイパッド部の周辺に配置されたリード部と、を有し、
該ダイパッド部及び該リード部の外部樹脂部が形成される外部樹脂形成領域の上面に凹部が形成され、
該凹部の一部に突起が形成されたリードフレーム。 - 前記凹部の深さは、0.02mm〜0.05mmである請求項1に記載のリードフレーム。
- 前記凹部は、エッチング加工により形成されたエッチング加工面である請求項1又は2に記載のリードフレーム。
- 前記ダイパッド部及び前記リード部の裏面は、エッチング加工されていない非エッチング加工領域と、エッチング加工され該非エッチング領域よりも厚さが薄い薄肉部とを有し、
前記凹部の底面に凹凸が形成されている請求項1乃至3のいずれか一項に記載のリードフレーム。 - 前記外部樹脂部は、前記外部樹脂領域上にテーパー状の開口部を形成するように形成され、
前記凹部の内側の位置が、前記外部樹脂の前記開口部の下側位置より内側である請求項1乃至4のいずれか一項に記載のリードフレーム。 - 前記凹部の底面は、凹部と凸部が交互に形成された波状の面である請求項1乃至5のいずれか一項に記載のリードフレーム。
- 前記凹部の底面の凹凸の高さは、0.005mm以上0.02mm以内である請求項1乃至6のいずれか一項に記載のリードフレーム。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載のリードフレームと、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の外部樹脂を有する樹脂付きリードフレーム。 - 請求項8に記載の樹脂付きリードフレームと、
該樹脂付きリードフレームの前記ダイパッド部に搭載されたLED素子と、
該LED素子と前記リード部とを電気的に接続するボンディングワイヤーと、
前記外部樹脂が形成されていない領域を封止する透明封止樹脂と、を有する光半導体装置。 - 金属板の表面側に、レジスト層で連続的に覆った第1の連続レジスト層形成領域と、レジスト層で覆われていない第1の開口領域と、レジスト層を縞状に形成した縞状レジスト層形成領域とを有するとともに、前記連続レジスト層形成領域が前記縞状レジスト層形成領域に囲まれた波状凹部形成パターンを前記金属板の外側に有する第1のレジストパターンを形成する工程と、
金属板の裏面側に、前記第1の連続レジスト層形成領域又は前記縞状レジスト層形成領域と重なる領域を含むように前記レジスト層で連続的に覆った第2の連続レジスト層形成領域と、前記第1の開口領域と重なる領域を含むように前記レジスト層で覆われていない第2の開口領域とを有する第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記金属板を両面からエッチングし、前記第1の開口領域と前記第2の開口領域が重なる領域に貫通穴、前記凹部形成パターンに底面が突起と窪みが交互に配置された波状の表面を有する凹部、前記第1の連続レジスト層形成領域及び前記第2の連続レジスト層形成領域に平坦面、前記第2の開口領域に薄肉部を形成するエッチング工程と、を有するリードフレームの製造方法。 - 請求項10に記載のリードフレームの製造方法により製造されたリードフレームの前記貫通穴及び前記薄肉部を外部樹脂で充填するとともに、前記凹部上に隆起した外部樹脂部を形成する外部樹脂形成工程を有する樹脂付きリードフレームの製造方法。
- 請求項11に記載の樹脂付きリードフレームの製造方法により製造された樹脂付きリードフレームの前記ダイパッド上にLED素子を搭載する工程と、
該LED素子の電極と前記リード部とをボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、
前記外部樹脂部が形成されていない領域を透明樹脂で封止する透明樹脂封止工程と、を有する光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015064041A JP6536992B2 (ja) | 2015-03-26 | 2015-03-26 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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JP2016184656A true JP2016184656A (ja) | 2016-10-20 |
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