JP2017011101A - Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017011101A
JP2017011101A JP2015124980A JP2015124980A JP2017011101A JP 2017011101 A JP2017011101 A JP 2017011101A JP 2015124980 A JP2015124980 A JP 2015124980A JP 2015124980 A JP2015124980 A JP 2015124980A JP 2017011101 A JP2017011101 A JP 2017011101A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
metal plate
plating layer
lead
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015124980A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6366042B2 (ja
Inventor
一則 飯谷
Kazunori Iitani
一則 飯谷
博幸 有馬
Hiroyuki Arima
博幸 有馬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SH Materials Co Ltd
Original Assignee
SH Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SH Materials Co Ltd filed Critical SH Materials Co Ltd
Priority to JP2015124980A priority Critical patent/JP6366042B2/ja
Publication of JP2017011101A publication Critical patent/JP2017011101A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6366042B2 publication Critical patent/JP6366042B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】リフレクタ樹脂部の割れや欠けがなく、反射率の低下を防止可能なLEDパッケージ、多列型LED用リードフレームの提供。
【解決手段】貫通エッチングにより、金属板から連結部17を備える所定形状に形成されたパッド部11及びリード部12と、連結部を覆い、パッド部とリード部との間に介在し、パッド部及びリード部の外周を囲むリフレクタ樹脂部15を有し、連結部がリフレクタ樹脂部とともに、多列型LEDパッケージを切断して形成された切断面の一部として露出し、金属板の上面及び下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に夫々形成されためっき層13a,13bと、金属板の少なくとも上面側のめっき層の周囲に、深さ10μm〜25μmの段差部26a,26bを有し、金属板の上面側のめっき層はエッチングマスクとして段差部形成の際にできた表面の凹凸が研磨されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、LEDパッケージ及び多列型LED用リードフレーム、並びにそれらの製造方法に関する。
LED(Light Emitting Diode、発光ダイオード)素子を搭載した光半導体装置は、一般照明やテレビ・携帯電話・OA機器等のディスプレイ等、様々な機器で使用されるようになってきた。
これらの光半導体装置において、薄型化や量産化等の要請に応えるべく開発されてきたLEDパッケージとして、従来、電気的に絶縁されたパッド部とリード部を有するリードフレームにLED素子が搭載され、LED素子が搭載された側のパッド部とリード部を囲うようにリフレクタ樹脂部が形成され、リフレクタ樹脂部に囲まれLED素子が搭載された側の内部空間が透明樹脂部によって封止されたLEDパッケージがある。
この種のLEDパッケージでは、例えば、図7(a)に示すように、リードフレーム10は、パッド部11と、パッド部11と間隔をおいて配置されたリード部12を有し、パッド部11とリード部12の上面や下面には、反射用や外部接続用のめっき層13を形成した構成となっている。また、リードフレーム10の上面側には、パッド部11上にLED素子20が搭載され、LED素子20とリード部12とがボンディングワイヤ14等を介して接続されている。また、LED素子20の周囲には、光を反射するリフレクタ樹脂部15が、パッド部11とリード部12を囲むように形成されている。そして、リフレクタ樹脂部15に囲まれ、LED素子20が搭載された側の内部空間は、透明な樹脂からなる透明樹脂部16で封止されている。
また、この種のLEDパッケージの製造に使用されるリードフレームは、図8(a)〜図8(c)に示すように、多数のLEDパッケージを一度に得るために、パッド部11とリード部12との組合せからなる個々のリードフレーム領域(図8(b)において夫々一点鎖線の矩形で示してある。)がマトリックス状に配列された多列型リードフレームとして形成されている。パッド部11、リード部12は、図8(b)に示すように、それぞれが、リードフレームの基材をなす金属板から形成された連結部17(図8(b)において斜線のハッチングをつけて示してある。)に接続されており、連結部17を介して、他のリードフレーム領域におけるパッド部11又はリード部12や、多列型リードフレーム製造用の上記金属板における外枠部18と連結されている。
そして、この種のLEDパッケージの製造では、図7(b)に示すように、多列型リードフレームにおける各リードフレーム領域に夫々対応する各リフレクタ樹脂部15を、連結部17を覆うようにして一括形成し、夫々のリフレクタ樹脂部15に囲まれたパッド部11に、LED素子20を搭載・固定、ワイヤボンディング等を行い、その内部空間に透明樹脂部16を形成後、一括形成したリフレクタ樹脂部15の一部と連結部17の一部を、各リードフレーム領域の間の切断部に沿って同時に切断する。
この切断加工により、図7(a)に示すように、LEDパッケージの下面側にパッド部11とリード部12の下面が露出し、外部基板との電気的接続が可能な個々のLEDパッケージが得られる。個々のLEDパッケージの側面には、リードフレームの連結部17がリフレクタ樹脂部15とともに切断面の一部として露出している。
このような構成を備えた従来のLEDパッケージは、例えば次の特許文献1、2に記載されている。
特開2013−232506号公報 特開2013−232508号公報
上述のように、LEDパッケージの製造においては、一度に多数のLEDパッケージを得るために、図8(b)に示したような、個々のリードフレーム領域におけるパッド部11やリード部12を、他のリードフレーム領域におけるパッド部11又はリード部12や、多列型リードフレーム製造用の金属板における外枠部18と連結させるための連結部17を介して繋げた多列型リードフレームが用いられる。
ところで、特許文献1、2に記載のLEDパッケージの製造に用いられる多列型リードフレームは、夫々のリードフレーム領域(パッド部、リード部)及び連結部が、リードフレーム基材をなす金属板からプレス加工やエッチング加工によって、所定の形状に加工され、その後にLED素子が搭載される上面側に反射用めっき層が形成され、下面側に外部接続用めっき層が形成される。しかるに、金属板を所定形状に形成後に、めっき層を形成すると、所定形状に形成された金属板の上面、側面、下面の全面にめっき層が形成されることになり、必要でない領域にめっき層を形成する貴金属が使用されてコスト高となり易い。
コスト抑制のためには、先に金属板の上面及び下面の必要な領域にめっき層を形成し、次に、エッチングを介してリードフレームの形状を形成する工程順で製造される多列型リードフレームを用いることが望まれる。
しかるに、このめっき層を形成した後に、リードフレームの形状を形成する場合、形成しためっき層の上面のみにエッチングマスクを設けてエッチングを行うと、めっき層直下の金属が溶解除去されて、金属が溶解除去された部位のめっき層が露出し、露出した部分がめっきバリとなって割れや欠けを生じ易い。特に、反射用めっき層に形成されためっきバリが割れると、めっきバリ近傍の反射用めっき層も一緒に剥がれて、反射率を低下させる等の製品の品質劣化を招く虞がある。このため、反射用めっきエリアに対するエッチングマスクは、反射用めっき層直下の金属が溶解除去されない程度、反射用めっき層を覆うように形成する必要がある。
しかし、反射用めっき層直下の金属が溶解除去されない程度、反射用めっき層を覆うように、レジストマスクを形成すると、エッチングを行ってリードフレーム形状を形成後、レジストマスクを除去したときに、反射用めっき層の周囲に金属板の上面が残存する。残存する金属板の上面は、反射用めっき層やリフレクタ樹脂部に比べて反射率が低い。このため、エッチングにより形成されたパッド部とリード部との間にリフレクタ樹脂部を形成しても、LED素子を搭載する側のパッド部及びリード部の周囲に残存する金属板の上面によって、LED素子を搭載する領域全体の反射率が低下する。
また、エッチングにより形成されたパッド部とリード部との間にリフレクタ樹脂部を形成する際に、LED素子を搭載する側のリフレクタ樹脂部の面が反射用めっき層の面と面一となるように、残存する金属板の上面をリフレクタ樹脂で覆っても、反射用めっき層の厚さが非常に薄いため、反射用めっき層の周囲に残存する金属板の上面を覆って形成されるリフレクタ樹脂部の厚さも非常に薄くなり、その部位でのリフレクタとしての十分な反射効果が得られない。
しかも、反射用めっき層の周囲に残存する金属板の上面を覆って形成されるリフレクタ樹脂部の厚さも非常に薄いと、割れや欠けを生じ易い。そして、反射用めっき層の周囲のリフレクタ樹脂部に割れや欠けを生じると、金属板の上面が露出して、LED素子を搭載する領域全体の反射率が低下する。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、製品化された個々のLEDパッケージのリフレクタ樹脂部の割れや欠けがなく、LED素子を搭載する側の反射率の低下を防止可能なLEDパッケージ、多列型LED用リードフレーム及びそれらの製造方法を提供することを目的としている。
上記の目的を達成するために、本発明によるLEDパッケージは、LEDパッケージ領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LEDパッケージを切断することによって形成された個々のLEDパッケージであって、貫通エッチングにより、金属板から、夫々連結部を備える所定形状に形成されたパッド部及びリード部と、前記連結部を覆い、前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を囲むリフレクタ樹脂部を有し、前記連結部が、前記リフレクタ樹脂部とともに、前記多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面の一部として露出し、さらに、前記金属板の上面及び下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に夫々形成されためっき層と、前記金属板の少なくとも上面側における、前記めっき層の周囲に、該めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部を有し、前記金属板の上面側の前記めっき層は、前記ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されていることを特徴としている。
また、本発明のLEDパッケージにおいては、前記段差部の面、前記貫通エッチングにより形成された前記パッド部及び前記リード部の側面の少なくともいずれかは、粗化処理が施されているのが好ましい。
また、本発明による多列型LED用リードフレームは、LED用リードフレーム領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LED用リードフレームであって、個々のリードフレーム領域は、貫通エッチングにより、金属板から、夫々前記連結部を備える所定形状に形成されたパッド部及びリード部と、前記金属板の上面及び下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に夫々形成されためっき層と、前記金属板の少なくとも上面側における、前記めっき層の周囲に、該めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部とを有し、前記金属板の上面側の前記めっき層は、前記ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されていることを特徴としている。
また、本発明の多列型LED用リードフレームにおいては、前記段差部の面、前記貫通エッチングにより形成された前記パッド部及び前記リード部の側面の少なくともいずれかは、粗化処理が施されているのが好ましい。
また、本発明の多列型LED用リードフレームにおいては、前記パッド部と前記リード部との間、及び、少なくとも側面に前記めっき層が形成されている前記段差部には、前記連結部を覆い、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部が形成されているのが好ましい。
また、本発明によるLEDパッケージの製造方法は、金属板の上面及び下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置の面に夫々めっき層が形成され、前記金属板の少なくとも上面側における前記めっき層の周囲に、該めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングによる10μm〜25μmの深さの段差部が形成され、前記金属板の上面側の前記めっき層における前記ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨され、前記金属板の両面側からの貫通エッチングにより前記パッド部と前記リード部が連結部を備えて区画された多列型LED用リードフレームを準備する工程と、前記貫通エッチングにより前記連結部を備えて区画された前記パッド部と前記リード部との間及び前記ハーフエッチングにより形成された前記段差部にリフレクタ樹脂を充填し、前記連結部を覆い、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部を形成する工程と、前記金属板の上面側において区画された前記パッド部の面にLED素子を搭載するとともに、該金属板の上面側において区画された前記リード部と前記LED素子とをワイヤボンディングする工程と、前記金属板の上面側において区画された前記パッド部及びリード部における前記リフレクタ樹脂部で囲まれ、前記LED素子が搭載された内部空間を充填する透明樹脂部を設ける工程と、前記リフレクタ樹脂部における、前記パッド部及び前記リード部の外周を囲む部位を前記連結部とともに切断する工程と、を有することを特徴としている。
また、本発明のLEDパッケージの製造方法においては、準備する多列型LED用リードフレームの前記金属板の上面側の前記めっき層には、前記表面の凹凸を研磨するエッチングが、約1μmの深さで施されているのが好ましい。
また、本発明のLEDパッケージの製造方法においては、準備する多列型LED用リードフレームの前記ハーフエッチングにより形成された前記段差部の面、前記貫通エッチングにより形成された前記パッド部及びリード部の側面の少なくともいずれかが粗化処理されているのが好ましい。
また、本発明による多列型LED用リードフレームの製造方法は、LED用リードフレーム領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LED用リードフレームの製造方法であって、金属板の上面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に反射用めっき層を形成し、該金属板の下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に外部接続用めっき層を形成する工程と、前記金属板の下面側に、全面を覆う第1のエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、前記金属板の上面に形成された前記反射用めっき層をエッチングマスクとして、該金属板の上面側から10μm〜25μmの深さでハーフエッチングを施し、該金属板における前記ハーフエッチングを施した深さにおいて、該金属板の上面における該反射用めっき層の周囲に、段差部を形成する工程と、前記ハーフエッチングの際に形成された、前記反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチングを施す工程と、前記第1のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と、前記金属板の上面側に、少なくとも前記反射用めっき層を覆う第2のエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、該金属板の下面側に、形成した前記外部接続用めっき層を覆う第2のエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、前記金属板の両面側から貫通エッチングを施し、前記連結部を備えた、前記パッド部と前記リード部とに区画する工程と、前記第2のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と、を有することを特徴としている。
また、本発明による多列型LED用リードフレームの製造方法は、LED用リードフレーム領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LED用リードフレームの製造方法であって、金属板の上面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に反射用めっき層を形成し、該金属板の下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に外部接続用めっき層を形成する工程と、前記金属板の上面に形成された前記反射用めっき層、下面に形成された前記外部接続用めっき層を夫々エッチングマスクとして、前記金属板の両面側から10μm〜25μmの深さでハーフエッチングを夫々施し、該金属板における前記ハーフエッチングを施した深さにおいて、該金属板の上面における該反射用めっき層の周囲、下面における該外部接続用めっき層の周囲に、夫々段差部を形成する工程と、前記ハーフエッチングの際に形成された、前記反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチングを施す工程と、前記金属板の上面側に、少なくとも前記反射用めっき層を覆うエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、該金属板の下面側に、形成した前記外部接続用めっき層を覆うエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、前記金属板の両面側から貫通エッチングを施し、前記連結部を備えた、前記パッド部と前記リード部とに区画する工程と、前記エッチング用のレジストマスクを除去する工程と、を有することを特徴としている。
また、本発明の多列型LED用リードフレームの製造方法においては、前記反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチングを施す深さが、約1μmであるのが好ましい。
また、本発明の多列型LED用リードフレームの製造方法においては、前記金属板の少なくとも上面側からの前記ハーフエッチングにより形成される前記段差部の面、該金属板の両面側からの前記貫通エッチングにより形成される前記パッド部及び前記リード部の側面の少なくともいずれかを粗化処理するのが好ましい。
また、本発明の多列型LED用リードフレームの製造方法においては、さらに、前記貫通エッチングにより前記連結部を備えて区画された前記パッド部と前記リード部との間、及び、前記ハーフエッチングにより形成された前記段差部にリフレクタ樹脂を充填し、前記連結部を覆い、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部を形成する工程を有するのが好ましい。
本発明によれば、製品化された個々のLEDパッケージのリフレクタ樹脂部の割れや欠けがなく、LED素子を搭載する側の反射率の低下を防止可能なLEDパッケージ、多列型LED用リードフレーム及びそれらの製造方法が得られる。
本発明の一実施形態にかかるLEDパッケージの概略構成を示す図で、(a)は切断されて一個の製品となった状態のLEDパッケージの断面図、(b)は(a)における要部の形状を示す部分拡大図、(c)は切断される前の一括製造された多列型LEDパッケージにおける切断部を示す部分断面図である。 図1に示すLEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は個々のリードフレーム領域におけるパッド部とリード部の配置を上面側からみた部分平面図、(b)は(a)のB−B断面図、(c)は(b)の要部の形状を示す部分拡大図である。 図1及び図2に示すLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。 図1の実施形態の変形例にかかるLEDパッケージの概略構成を示す図で、(a)は切断されて一個の製品となった状態のLEDパッケージの断面図、(b)は(a)における要部の形状を示す部分拡大図、(c)は切断される前の一括製造された多列型LEDパッケージにおける切断部を示す部分断面図である。 図4に示すLEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は部分断面図、(b)は(a)の要部の形状を示す部分拡大図である。 図4及び図5に示すLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。 従来のLEDパッケージの概略構成を示す図で、(a)は切断されて一個の製品となった状態のLEDパッケージの断面図、(b)は切断される前の一括製造された多列型LEDパッケージにおける切断部を示す部分断面図である。 LEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は多列型LED用リードフレームにおける個々のリードフレームの配置を概念的に示す平面図、(b)は図7に示すタイプのLEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの個々のリードフレーム領域におけるパッド部とリード部の配置を上面側からみた部分拡大平面図、(c)は(b)のA−A断面図である。
実施形態の説明に先立ち、本発明の作用効果について説明する。
本発明のLEDパッケージは、LEDパッケージ領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LEDパッケージを切断することによって形成された個々のLEDパッケージであって、貫通エッチングにより、金属板から、夫々連結部を備える所定形状に形成されたパッド部及びリード部と、連結部を覆い、パッド部とリード部との間に介在するとともに、パッド部及びリード部の外周を囲むリフレクタ樹脂部を有し、連結部が、リフレクタ樹脂部とともに、多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面の一部として露出し、さらに、金属板の上面及び下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に夫々形成されためっき層と、金属板の少なくとも上面側における、めっき層の周囲に、めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部を有し、金属板の上面側のめっき層は、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されている。
本発明のLEDパッケージのように、金属板の少なくとも上面側における、めっき層の周囲に、めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部を有し、金属板の上面側のめっき層は、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されている構成にすれば、金属板における反射用めっき層の周囲に形成される段差部の底面が、反射用めっき層の上面からある程度の深さを有するようになる。このため、LED素子を搭載する側において反射用めっき層の上面と面一となるように形成される、段差部におけるリフレクタ樹脂部がリフレクタとして十分な反射効果が得られる程度の厚さを有するようになる。また、段差部に形成されるリフレクタ樹脂部の厚さが、反射用めっき層の厚さに比べて格段に厚くなるため、割れや欠けを生じ難くなる。そして、反射用めっき層の周囲のリフレクタ樹脂部に割れや欠けを生じ難くなれば、反射用めっき層の周囲近傍の金属板の段差部が露出し難くなり、LED素子を搭載する領域全体の反射率の低下を防止できるようになる。
また、めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成される段差部の深さを、10μm〜25μmにすれば、ハーフエッチングによってめっき層直下の金属が溶解除去されず、めっきバリを生じない。
さらに、反射用めっき層を、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨された構成にすれば、ハーフエッチングにより低下した反射用めっき層の反射率を、ハーフエッチングを行う前の状態に戻すことができる。
また、本発明のLEDパッケージにおいては、段差部の面、貫通エッチングにより形成されたパッド部及びリード部の側面の少なくともいずれかは、粗化処理が施されているのが好ましい。
このようにすれば、パッド部とリード部との間、及び、段差部にリフレクタ樹脂部を形成したときの、リフレクタ樹脂部の密着性が向上する。
そして、本発明の多列型LED用リードフレームは、LED用リードフレーム領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LED用リードフレームであって、個々のリードフレーム領域は、貫通エッチングにより、金属板から、夫々連結部を備える所定形状に形成されたパッド部及びリード部と、金属板の上面及び下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に夫々形成されためっき層と、金属板の少なくとも上面側における、めっき層の周囲に、めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部とを有し、金属板の上面側のめっき層は、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されている。
本発明の多列型LED用リードフレームのように、金属板の少なくとも上面側における、めっき層の周囲に、めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部を有し、金属板の上面側のめっき層は、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されている構成にすれば、金属板における、反射用めっき層に形成される段差部の底面が、反射用めっき層の上面からある程度の深さを有するようになる。このため、パッド部とリード部との間、及び、段差部に、リフレクタ樹脂を充填し、連結部を覆い、区画されたパッド部とリード部との間に介在するとともに、パッド部及びリード部の外周をパッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部を形成したときに、LED素子を搭載する側において反射用めっき層の上面と面一となるように形成される、段差部におけるリフレクタ樹脂部がリフレクタとして十分な反射効果が得られる程度の厚さを有するようになる。また、段差部に形成されるリフレクタ樹脂部の厚さが、反射用めっき層の厚さに比べて格段に厚くなるため、割れや欠けを生じ難くなる。そして、反射用めっき層の周囲のリフレクタ樹脂部に割れや欠けを生じ難くなれば、反射用めっき層の周囲近傍の金属板の段差部が露出し難くなり、LED素子を搭載する領域全体の反射率の低下を防止できるようになる。
また、めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成される段差部の深さを、10μm〜25μmにすれば、ハーフエッチングによってめっき層直下の金属が溶解除去されず、めっきバリを生じない。
さらに、反射用めっき層を、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨された構成にすれば、ハーフエッチングにより低下した反射用めっき層の反射率を、ハーフエッチングを行う前の状態に戻すことができる。
なお、本発明の多列型LED用リードフレームにおいては、段差部の面、貫通エッチングにより形成されたパッド部及びリード部の側面の少なくともいずれかは、粗化処理が施されているのが好ましい。
このようにすれば、パッド部とリード部との間、及び、段差部にリフレクタ樹脂部を形成したときの、リフレクタ樹脂部の密着性が向上する。
また、本発明の多列型LED用リードフレームにおいては、パッド部とリード部との間、及び、少なくとも側面に反射用めっき層が形成されている段差部には、連結部を覆い、区画されたパッド部とリード部との間に介在するとともに、パッド部及びリード部の外周をパッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、リフレクタ樹脂部がパッド部及びリード部を固定するため、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージを製造する過程に用いたときの、個々のリードフレーム領域の変形が生じ難くなり、パッド部やリード部の段差、変形、反り等が生じ難く、裏面側に露出する外部接続用の端子面の平坦性が保たれ易くなる。
なお、上述した本発明のLEDパッケージは、金属板の上面及び下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置の面に夫々めっき層が形成され、金属板の少なくとも上面側におけるめっき層の周囲に、めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングによる10μm〜25μmの深さの段差部が形成され、金属板の上面側のめっき層におけるハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨され、金属板の両面側からの貫通エッチングによりパッド部とリード部が連結部を備えて区画された多列型LED用リードフレームを準備する工程と、貫通エッチングにより連結部を備えて区画されたパッド部とリード部との間及びハーフエッチングにより形成された段差部にリフレクタ樹脂を充填し、連結部を覆い、区画されたパッド部とリード部との間に介在するとともに、パッド部及びリード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部を形成する工程と、金属板の上面側において区画されたパッド部の面にLED素子を搭載するとともに、金属板の上面側において区画されたリード部とLED素子とをワイヤボンディングする工程と、金属板の上面側において区画されたパッド部及びリード部におけるリフレクタ樹脂部で囲まれ、LED素子が搭載された内部空間を充填する透明樹脂部を設ける工程と、リフレクタ樹脂部における、パッド部及びリード部の外周を囲む部位を連結部とともに切断する工程と、を有することによって製造できる。
また、上述した本発明の多列型LED用リードフレームは、金属板の上面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に反射用めっき層を形成し、金属板の下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に外部接続用めっき層を形成する工程と、金属板の下面側に、全面を覆う第1のエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、金属板の上面に形成された反射用めっき層をエッチングマスクとして、金属板の上面側から10μm〜25μmの深さでハーフエッチングを施し、金属板におけるハーフエッチングを施した深さにおいて、金属板の上面における反射用めっき層の周囲に、段差部を形成する工程と、ハーフエッチングの際に形成された、反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチングを施す工程と、第1のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と、金属板の上面側に、少なくとも反射用めっき層を覆う第2のエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、金属板の下面側に、形成した外部接続用めっき層を覆う第2のエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、金属板の両面側から貫通エッチングを施し、連結部を備えた、パッド部とリード部とに区画する工程と、第2のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と、を有することによって製造できる。
あるいは、上述した本発明の多列型LED用リードフレームは、金属板の上面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に反射用めっき層を形成し、金属板の下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に外部接続用めっき層を形成する工程と、金属板の上面に形成された反射用めっき層、下面に形成された外部接続用めっき層を夫々エッチングマスクとして、金属板の両面側から10μm〜25μmの深さでハーフエッチングを夫々施し、金属板におけるハーフエッチングを施した深さにおいて、金属板の上面における反射用めっき層の周囲、下面における外部接続用めっき層の周囲に、夫々段差部を形成する工程と、ハーフエッチングの際に形成された、反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチングを施す工程と、金属板の上面側に、少なくとも反射用めっき層を覆うエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、金属板の下面側に、形成した外部接続用めっき層を覆うエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、金属板の両面側から貫通エッチングを施し、連結部を備えた、パッド部とリード部とに区画する工程と、エッチング用のレジストマスクを除去する工程と、を有することによって製造できる。
従って、本発明によれば、製品化された個々のLEDパッケージのリフレクタ樹脂部の割れや欠けがなく、LED素子を搭載する側の反射率の低下を防止可能なLEDパッケージ、多列型LED用リードフレーム及びそれらの製造方法が得られる。
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。
図1は本発明の一実施形態にかかるLEDパッケージの概略構成を示す図で、(a)は切断されて一個の製品となった状態のLEDパッケージの断面図、(b)は(a)における要部の形状を示す部分拡大図、(c)は切断される前の一括製造された多列型LEDパッケージにおける切断部を示す部分断面図である。図2は図1に示すLEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は個々のリードフレーム領域におけるパッド部とリード部の配置を上面側からみた部分平面図、(b)は(a)のB−B断面図、(c)は(b)の要部の形状を示す部分拡大図である。図3は図1及び図2に示すLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。
本実施形態のLEDパッケージは、図1(a)に示すように、パッド部11と、リード部12と、反射用めっき層13aと、外部接続用めっき層13bと、連結部17と、LED素子20と、ボンディングワイヤ14と、リフレクタ樹脂部15と、透明樹脂部16を有して構成されている。
パッド部11及びリード部12は、貫通エッチングにより、リードフレームの基材をなす金属板から、夫々連結部17を備える所定形状に形成されている。
反射用めっき層13aは、パッド部11及びリード部12の上面側に形成されている。
金属板の上面側における、反射用めっき層13aの周囲には、図1(b)に示すように、段差部26a,26bが形成されている。段差部26a,26bは、反射用めっき層13aをエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成され、10μm〜25μmの深さを有している。
また、反射用めっき層13aは、反射用めっき層13aをエッチングマスクとするハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸が、エッチングにより研磨されている。
外部接続用めっき層13bは、パッド部11及びリード部12の下面側に形成されている。
連結部17は、図2(a)において左下がりの斜線のハッチングをつけて示したように、リードフレームの基材をなす金属板から形成され、その一端が当該リードフレーム領域におけるパッド部11及びリード部12と接続し、他端が他のリードフレーム領域におけるパッド部11又はリード部12や、多列型リードフレーム製造用の上記金属板における外枠部18と接続している。
リフレクタ樹脂部15は、図2(a)において右下がりのハッチングで示した領域に形成された後、パッケージの外形ラインが残るように切断されている。また、リフレクタ樹脂部15は、図1(a)に示すように、段差部26a,26bと、貫通エッチングにより形成されたパッド部11及びリード部12の側面並びに連結部17の表面とに密着している。そして、リフレクタ樹脂部15は、連結部17を覆い、パッド部11とリード部12との間を、面一となるように介在するとともに、パッド部11及びリード部12の外周をパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子20よりも上方に突出するように囲んでいる。
LED素子20は、反射用めっき層13aが形成されたパッド部11の面に搭載されている。
ボンディングワイヤ14は、LED素子20と反射用めっき層13aが形成されたリード部12の面とを接合している。
透明樹脂部16は、金属板の上面側において区画されたパッド部11及びリード部12におけるリフレクタ樹脂部15で囲まれ、LED素子20が搭載された内部空間を封止している。
また、本実施形態のLEDパッケージでは、連結部17が、リフレクタ樹脂部15とともに、多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面の一部として露出している。
また、本実施形態のLEDパッケージの製造に使用されるリードフレームは、図2(a)、図2(b)に示すように、多数のLEDパッケージを一度に得るために、パッド部11とリード部12の組合せからなる個々のリードフレーム領域(図2においては夫々一点鎖線の矩形で示すパッケージ外形ラインが相当する。)がマトリックス状に配列され、夫々連結部17を介して繋げられた多列型リードフレームとして形成されている。
個々のリードフレーム領域は、図2(c)に示すように、金属板の上面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に形成された反射用めっき層13aと、金属板の上面側における、反射用めっき層13aの周囲に、反射用めっき層13aをエッチングマスクとするハーフエッチングにより10μm〜25μmの深さで形成された段差部26a,26bと、金属板の下面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に形成された外部接続用めっき層13bを有している。反射用めっき層13aは、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸が、エッチングにより研磨されている。
また、本実施形態の多列型LED用リードフレームは、貫通エッチングにより、金属板から、夫々連結部17を備える所定形状に形成されたパッド部11とリード部12とに区画されるとともに、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域とに区画されている。なお、図2(a)中、18は多列型リードフレーム製造用の金属板における外枠部である。
また、段差部26a,26bの面、貫通エッチングにより形成されたパッド部11及びリード部12の側面の少なくともいずれかには、粗化処理が施されている。さらには、好ましくは、連結部17の側面及び底面にも粗化処理が施されている。
このように構成される本実施形態のLEDパッケージ、多列型LED用リードフレームは、例えば、次のようにして製造する。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、便宜上説明を省略する。
まず、基材となる金属板(例えば、Cu材)の両面にめっき用のレジストマスク30を形成し、露出している金属板の面に必要なめっき層(上側の面には反射用めっき層13a、下側の面には外部接続用めっき層13b)を形成する(図3(a)参照)。このとき、反射用めっき層13aは、後述するハーフエッチングの際にエッチングマスクとしたことにより形成される表面の凹凸を研磨する分の厚みとして、例えば、約1μm程度、厚めに形成しておく。
なお、本実施形態及び後述の実施例のLEDパッケージ、多列型LED用リードフレームの製造工程において用いるレジストマスクの形成は、金属板の両面に例えばドライフィルムレジストをラミネートし、両面のドライフィルムレジストに対し、所定位置に、パッド部及びリード部の基部を形成するパターンが形成されたガラスマスクを用いて、両面を露光・現像することによって行う。なお、露光・現像は従来公知の方法により行う。例えば、ガラスマスクで覆った状態で紫外線を照射し、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたドライフィルムレジストの部位の現像液に対する溶解性を低下させて、それ以外の部分を除去することで、レジストマスクを形成する。なお、ここでは、レジストとしてネガ型のドライフィルムレジストを用いたが、レジストマスクの形成には、ネガ型の液状レジストを用いてもよい。さらには、ポジ型のドライフィルムレジスト又は液状レジストを用いて、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたレジストの部分の現像液に対する溶解性を増大させて、その部分を除去することでレジストマスクを形成するようにしてもよい。
露出している金属板の上側及び下側の面に夫々必要なめっき層(反射用めっき層13a、外部接続用めっき層13b)を形成後、めっき用のレジストマスク30を剥離し、下面側に全面を覆う第1のエッチング用のレジストマスク31−1を形成する(図3(b)参照)。
次に、金属板の上面に形成された反射用めっき層13aをエッチングマスクとして、金属板の上面側から10μm〜25μmの深さでハーフエッチングを施し、金属板におけるハーフエッチングを施した深さにおいて、金属板の上面における反射用めっき層13aの周囲に、段差部26a,26bを形成する(図3(c)参照)。なお、金属板の上面側からのハーフエッチングは、好ましくは、形成される段差部26a、26bの面を粗化するように行う。
次に、ハーフエッチングの際に形成された、反射用めっき層13a表面の凹凸を研磨するエッチングを、約1μm程度の深さで施す(図3(d)参照)。
次に、第1のエッチング用のレジストマスク31を除去する(図3(e)参照)。
次に、金属板の上面側に、形成した反射用めっき層13aと段差部26a,26bにおける連結部17に対応する所定位置の面を覆い、連結部17を備えるパッド部11とリード部12とに区画しうる、所定のパターン形状の第2のエッチング用のレジストマスク31−2を形成するとともに、下面側には外部接続用めっき層13bを覆う第2のエッチング用のレジストマスク31−2を形成する(図3(f)参照)。なお、上面側の第2のエッチング用のレジストマスク31−2は、後述する工程において、露出した金属板を貫通エッチングしたときに、段差部26a,26bの底面の一部に形成されている反射用めっき層13a直下の金属が溶解除去されない程度、反射用めっき層13aを覆うように形成する。
露出した金属板を貫通エッチングしたときに、段差部26a,26bの底面の一部に形成されている反射用めっき層13a直下の金属が溶解除去されて、金属が溶解除去された部位の反射用めっき層13aが露出すると、反射用めっき層13aは薄いため,露出した部分がめっきバリとなって割れや欠けを生じ易くなる。そして、めっきバリが割れると、めっきバリ近傍の反射用めっき層13aも一緒に剥がれて、反射率を低下させる等の製品の品質劣化を招く虞がある。
そこで、段差部26a,26bの底面の一部に形成されている反射用めっき層13a直下の金属が溶解除去されない程度、反射用めっき層13aを覆うように上面側の第2のエッチング用のレジストマスク31−2を形成することによって、貫通エッチングしたときの、めっきバリの発生を防止する。
次に、金属板の両面側から貫通エッチングを施し、連結部17を備えたパッド部11とリード部12とが区画されるように形成する(図3(g)参照)。このとき、図3(h)に示すように、上面側の第2のエッチング用のレジストマスク31−2が、段差部26a,26bの底面の一部に形成されている反射用めっき層13a直下の金属(ここでは、Cu)が溶解除去されない程度、反射用めっき層13aを覆っているため、段差部26a,26bの底面の一部に形成されている反射用めっき層13a直下の金属は、貫通エッチングによって溶解除去されることなく残存する。
なお、金属板の両面側からの貫通エッチングは、好ましくは、形成されるパッド部11及びリード部12の側面並びに連結部17の表面を粗化処理するように行う。
次に、第2のエッチング用のレジストマスク31−2を除去する(図3(i)参照)。これにより、本実施形態の多列型LED用リードフレームが完成する。
次に、貫通エッチングにより連結部17を備えて区画されたパッド部11とリード部12との間及びハーフエッチングにより形成された段差部26a,26bにリフレクタ樹脂を充填し、連結部17を覆い、区画されたパッド部11とリード部12との間に介在するとともに、パッド部11及びリード部12の外周をパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子20よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部15を、モールド金型を用いて形成する(図3(j)参照)。これにより、本実施形態のリフレクタ樹脂部を備えた多列型LED用リードフレームとなる。
次に、金属板の上面側において区画されたパッド部11の面にLED素子20を搭載するとともに、金属板の上面側において区画されたリード部11とLED素子20とをボンディングワイヤ14を介して接続する。さらに、金属板の上面側において区画されたパッド部11及びリード部12におけるリフレクタ樹脂部15で囲まれ、LED素子20が搭載された内部空間に透明樹脂を充填し、透明樹脂部16を形成して、このリフレクタ樹脂部15で囲まれた内部空間を封止する(図3(k)参照)。
次に、リフレクタ樹脂部15における、パッド部11及びリード部12の外周を囲む部位を連結部17とともに切断する(図3(l)参照)。これにより、本実施形態のLEDパッケージが完成する。
本実施形態のLEDパッケージによれば、金属板の上面側における、反射用めっき層13aの周囲に、反射用めっき層13aをエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部26a,26bを有し、反射用めっき層13aは、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されている構成にしたので、金属板における反射用めっき層13aの周囲に形成される段差部26a,26bの底面が、反射用めっき層13aの上面からある程度の深さを有するようになる。このため、LED素子20を搭載する側において反射用めっき層13aの上面と面一となるように形成される、段差部26a,26bにおけるリフレクタ樹脂部15がリフレクタとして十分な反射効果が得られる程度の厚さを有するようになる。また、段差部26a,26bに形成されるリフレクタ樹脂部15の厚さが、反射用めっき層13aの厚さに比べて格段に厚くなるため、割れや欠けを生じ難くなる。そして、反射用めっき層13aの周囲のリフレクタ樹脂部に割れや欠けを生じ難くなる結果、反射用めっき層13aの周囲近傍の金属板の段差部26a,26bが露出し難くなり、LED素子20を搭載する領域全体の反射率の低下を防止できるようになる。
また、反射用めっき層13aをエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成される段差部26a,26bの深さを、10μm〜25μmにしたので、ハーフエッチングによって反射用めっき層13a直下の金属が溶解除去されず、めっきバリを生じない。
さらに、反射用めっき層13aを、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨された構成にしたので、ハーフエッチングにより低下した反射用めっき層13aの反射率を、ハーフエッチングを行う前の状態に戻すことができる。
また、本実施形態のLEDパッケージにおいて、段差部26a,26bの面、貫通エッチングにより形成されたパッド部11及びリード部12の側面の少なくともいずれかに、粗化処理が施されている構成にすれば、パッド部11とリード部12との間、及び、段差部26a,26bにリフレクタ樹脂部15を形成したときの、リフレクタ樹脂部15の密着性が向上する。なお、連結部17の側面及び底面にも粗化処理が施されている構成にすれば、リフレクタ樹脂部15の密着性がより向上する。
また、本実施形態の多列型LED用リードフレームによれば、金属板の上面側における、反射用めっき層13aの周囲に、めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部26a,26bを有し、反射用めっき層13aは、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されている構成にしたので、金属板における、反射用めっき層13aに形成される段差部26a,26bの底面が、反射用めっき層13aの上面からある程度の深さを有するようになる。このため、パッド部11とリード部12との間、及び、段差部26a,26bに、リフレクタ樹脂15を充填し、連結部17を覆い、区画されたパッド部11とリード部12との間に介在するとともに、パッド部11及びリード部12の外周をパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子20よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部15を形成したときに、LED素子20を搭載する側において反射用めっき層13aの上面と面一となるように形成される、段差部26a,26bにおけるリフレクタ樹脂部15がリフレクタとして十分な反射効果が得られる程度の厚さを有するようになる。また、段差部26a,26bに形成されるリフレクタ樹脂部15の厚さが、反射用めっき層13aの厚さに比べて格段に厚くなるため、割れや欠けを生じ難くなる。そして、反射用めっき層13aの周囲のリフレクタ樹脂部15に割れや欠けを生じ難くなる結果、反射用めっき層13aの周囲近傍の金属板の段差部26a,26bが露出し難くなり、LED素子20を搭載する領域全体の反射率の低下を防止できるようになる。
また、反射用めっき層13aをエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成される段差部26a,26bの深さを、10μm〜25μmにしたので、ハーフエッチングによって反射用めっき層13a直下の金属が溶解除去されず、めっきバリを生じない。
さらに、反射用めっき層13aを、ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨された構成にしたので、ハーフエッチングにより低下した反射用めっき層13aの反射率を、ハーフエッチングを行う前の状態に戻すことができる。
また、本実施形態の多列型LED用リードフレームにおいて、段差部26a,26bの面、貫通エッチングにより形成されたパッド部11及びリード部12の側面の少なくともいずれかに、粗化処理が施された構成にすれば、パッド部11とリード部12との間、及び、段差部26a,26bにリフレクタ樹脂部15を形成したときの、リフレクタ樹脂部15の密着性が向上する。なお、連結部17の側面及び底面にも粗化処理が施されている構成にすれば、リフレクタ樹脂部15の密着性がより向上する。
また、本実施形態の多列型LED用リードフレームにおいて、パッド部11とリード部12との間、及び、段差部26a,26bには、連結部17を覆い、区画されたパッド部11とリード部12との間に介在するとともに、パッド部11及びリード部12の外周をパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子20よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部15が形成されている構成にすれば、リフレクタ樹脂部15がパッド部11及びリード部12を固定するため、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージを製造する過程に用いたときの、個々のリードフレーム領域の変形が生じ難くなり、パッド部11やリード部12の段差、変形、反り等が生じ難く、裏面側に露出する外部接続用の端子面の平坦性が保たれ易くなる。
従って、本実施形態によれば、製品化された個々のLEDパッケージのリフレクタ樹脂部の割れや欠けがなく、LED素子を搭載する側の反射率の低下を防止可能なLEDパッケージ、多列型LED用リードフレーム及びそれらの製造方法が得られる。
変形例
図4は図1の実施形態の変形例にかかるLEDパッケージの概略構成を示す図で、(a)は切断されて一個の製品となった状態のLEDパッケージの断面図、(b)は(a)における要部の形状を示す部分拡大図、(c)は切断される前の一括製造された多列型LEDパッケージにおける切断部を示す部分断面図である。図5は図4に示すLEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は部分断面図、(b)は(a)の要部の形状を示す部分拡大図である。図6は図4及び図5に示すLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。なお、図1〜図3の例のLEDパッケージ、多列型LED用リードフレームと同様の構成部分については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
本変形例のLEDパッケージ及びLEDパッケージの製造に使用される多列型リードフレームにおける個々のリードフレーム領域では、図4(b)及び図5(b)に示すように、金属板の両面における夫々のめっき層(反射用めっき層13a、外部接続用めっき層13a)の周囲に、夫々のめっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより夫々形成された10μm〜25μmの深さの段差部26a,26bが形成されている。
その他の構成は、図1及び図2に示したLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームと略同じである。
このように構成される本変形例のLEDパッケージ、多列型LED用リードフレームは、例えば、次のようにして製造する。なお、図3に示す製造工程と同様の工程については、詳細な説明を省略する。
図3(a)の工程と略同様に、露出している金属板の上側及び下側の面に夫々必要なめっき層(反射用めっき層13a、外部接続用めっき層13b)を形成(図6(a)参照)後、めっき用のレジストマスク30を剥離し(図6(b)参照)、金属板の上面に形成された反射用めっき層13aと下面に形成された外部接続用めっき層13bの夫々をエッチングマスクとして、金属板の両側から10μm〜25μmの深さでハーフエッチングを施し、金属板におけるハーフエッチングを施した深さにおいて、金属板の上面における反射用めっき層13aの周囲と下面における外部接続用めっき層13bの周囲に、夫々段差部26a,26bを形成する(図6(c)参照)。なお、金属板の両側からのハーフエッチングは、好ましくは、形成される段差部26a、26bの面を粗化するように行う。
以後の本変形例の多列型LED用リードフレームの製造工程(図6(d)〜図6(i)参照)、本変形例のリフレクタ樹脂部を備えた多列型LED用リードフレームの製造工程(図6(j))及び本変形例のLED用パッケージの製造工程(図6(k)、図6(l)参照)は、図3の例におけるものと略同じである。
本変形例のLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームによれば、段差部26a,26bを金属板の下側面にも設けたので、金属板における、外部接続用めっき層13bの周囲の段差部26a,26bも、外部接続用めっき層13bの上面(図4の向きにおいては、外部接続用めっき層13bの最も下側の面)からある程度の深さを有するようになる。このため、外部接続用めっき層13bの周囲の段差部26a,26bに形成されるリフレクタ樹脂部15の厚さが、外部接続用めっき層13bの厚さに比べて格段に厚くなり、割れや欠けを生じ難くなり、製品としての品質がより向上する。
また、本変形例のLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームによれば、上面に形成された反射用めっき層13aに加えて、下面に形成された外部接続用めっき層13bを、段差部26a,26bを形成するためのハーフエッチングを行う際のエッチングマスクとしたので、図1〜図3に示す例に比べて、段差部26a,26bを形成する際に外部接続用めっき層13bを覆うハーフエッチング用のレジスト膜が不要となる分、コストを低減できる。
その他の作用効果は、図1〜図3に示した本実施形態のLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームと略同じである。
実施例
次に、本発明の実施例について、説明する。
本実施例では、洗浄処理や乾燥処理など各工程の前処理、後処理は、一般的な処理であることから記載を省略する。
実施例1
最初に、帯状で厚さ0.15mmのCu材をリードフレームの基材として準備し、外枠部における縁部にパイロットホールを形成した後、両面にレジスト層を形成した。
次に、リードフレームの基材の上面側には、反射用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、下面側には、外部接続用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の両面にめっき用のレジストマスクを形成した。
次に、Cuが露出しているリードフレームの基材の上側の面に反射用めっき層を形成するとともに、下側の面に外部接続用めっき層を形成し(図3(a)参照)、めっき層を形成後、両面に形成されためっき用のレジストマスクを剥離した。
なお、反射用のめっき層は、まず設定厚さ3μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成、最後に設定厚さ3μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、外部接続用めっき層は、まず設定厚さ3μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、最後に設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
次に、下面にレジスト層を形成し、露光・現像を行って、全面を覆う第1のエッチング用のレジストマスクを形成した(図3(b)参照)。
次に、上面に形成された反射用めっき層をエッチングマスクとして、エッチング処理を行ってリードフレームの基材の上面側から10μm〜25μmの深さとなるハーフエッチング加工を行い(図3(c)参照)、反射用めっき層の周囲に、段差部を形成した。
次に、ハーフエッチング加工の際に形成された、反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチング処理を、約1μm程度の深さで施した(図3(d)参照)。その後、下面に形成された第1のエッチング用のレジストマスクを剥離した(図3(e)参照)。
次に、再び両面にレジスト層を形成し、露光・現像を行って、上面側には形成した反射用めっき層直下のCuが溶解除去されない程度、反射用めっき層と段差部における連結部に対応する所定位置の面を覆うことで、連結部を備えた、パッド部とリード部とその他必要な形状を得るための第2のエッチング用のレジストマスクを形成し、下面側には外部接続用めっき層を覆う第2のエッチング用のレジストマスクを形成した(図3(f)参照)。
次に、エッチング処理を行って貫通エッチング加工を行い(図3(g)参照)、両面の第2のエッチング用のレジストマスクを剥離することで、両面に夫々必要なめっき層(反射用めっき層、外部接続用めっき層)が形成されるとともに、連結部を備えたパッド部とリード部とが区画された多列型LED用リードフレームを得た(図3(i)参照)。この多列型LED用リードフレームは、貫通エッチング処理後のパッド部とリード部は、反射用めっき皮膜の周辺が段差を有し、パッド部とリード部における反射用めっき層の最上面は、めっき皮膜のみが露出し、Cu材が露出した部位は存在しない。
次に、モールド金型を用いてLED用リードフレームにリフレクタ樹脂部を形成した(図3(j)参照)。リフレクタ樹脂は貫通エッチング加工部分(連結部を備えて区画されたパッド部とリード部との間)及び少なくとも側面に反射用めっき層が形成されている段差部に充填され、区画されたパッド部とリード部との間を、面一となるように介在する所定の形状に形成される。また、リフレクタ樹脂部はパッド部とリード部の外周をパッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出して囲むように形成される。なお、リフレクタ樹脂部に囲まれる、パッド部のLED素子が搭載固定される部分とリード部のボンディング部分は、先に形成しためっき層が露出した状態となっている。
次に、リフレクタ樹脂部が形成されたLED用リードフレームのパッド部にLED素子を搭載・固定するとともに、LED素子とリード部とをワイヤボンディングし、さらに、リフレクタ樹脂部に囲まれるLED素子が搭載された内部空間に透明樹脂を充填し、LED素子とボンディングワイヤを封止する透明樹脂部を形成した(図3(k)参照)。
次に、複数のLEDパッケージ領域が連結部によって繋がり、リフレクタ樹脂部によって固定された状態で形成された多列型LEDパッケージから個々のLEDパッケージを得るために、リフレクタ樹脂部における、パッド部及びリード部の外周を囲む部位を連結部とともに切断加工した(図3(l)参照)。これにより、パッド部とリード部とが独立してリフレクタ樹脂部によって固定され、連結部が、リフレクタ樹脂部とともに、多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面の一部として露出しているLEDパッケージが得られた。
実施例2
実施例1と同様のリードフレームの基材を準備し、外枠部における縁部にパイロットホールを形成した後、両面にレジスト層を形成した。実施例1と同様にリードフレーム基材の両面にめっき用のレジストマスクを形成し、実施例1と同様に、リードフレームの基材の上側の面に反射用めっき層を形成するとともに、下側の面に外部接続用めっき層を形成し(図6(a)参照)、夫々のめっき層を形成後、両面に形成されためっき用のレジストマスクを剥離した(図6(b)参照)。
次に、上面に形成された反射用めっき層、下面に形成されたレジスト層を夫々エッチングマスクとして、エッチング処理を行ってリードフレームの基材の上面側、下面側から夫々10μm〜25μmの深さとなるハーフエッチング加工を行い(図6(c)参照)、反射用めっき層の周囲、外部接続用めっき層の周囲に、夫々段差部を形成した。
以後、実施例1と略同様の製造工程(図6(d)〜図6(l)参照)を経て、多列型LED用リードフレーム(図6(i)参照)、リフレクタ樹脂部を備えた多列型LED用リードフレーム(図6(j)参照)、さらにはLED用パッケージ(図6(i)参照)を得た。
本発明のLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレーム、並びにそれらの製造方法は、表面実装型の封止樹脂型半導体装置を組み立てることが必要とされる分野に有用である。
10 リードフレーム
11 パッド部
12 リード部
13 めっき層
13a 反射用めっき層
13b 外部接続用めっき層
14 ボンディングワイヤ
15 リフレクタ樹脂部
16 透明樹脂部
17 連結部
18 外枠部
19a、19b 凹部
20 LED素子
26a,26b 段差部
30 めっき用のレジストマスク
31−1 第1のエッチング用のレジストマスク
31−2 第2のエッチング用のレジストマスク

Claims (13)

  1. LEDパッケージ領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LEDパッケージを切断することによって形成された個々のLEDパッケージであって、
    貫通エッチングにより、金属板から、夫々連結部を備える所定形状に形成されたパッド部及びリード部と、
    前記連結部を覆い、前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を囲むリフレクタ樹脂部を有し、
    前記連結部が、前記リフレクタ樹脂部とともに、前記多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面の一部として露出し、さらに、
    前記金属板の上面及び下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に夫々形成されためっき層と、
    前記金属板の少なくとも上面側における、前記めっき層の周囲に、該めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部を有し、
    前記金属板の上面側の前記めっき層は、前記ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されていることを特徴とするLEDパッケージ。
  2. 前記段差部の面、前記貫通エッチングにより形成された前記パッド部及び前記リード部の側面の少なくともいずれかは、粗化処理が施されていることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. LED用リードフレーム領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LED用リードフレームであって、
    個々のリードフレーム領域は、
    貫通エッチングにより、金属板から、夫々前記連結部を備える所定形状に形成されたパッド部及びリード部と、
    前記金属板の上面及び下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に夫々形成されためっき層と、
    前記金属板の少なくとも上面側における、前記めっき層の周囲に、該めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングにより形成された10μm〜25μmの深さの段差部とを有し、
    前記金属板の上面側の前記めっき層は、前記ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨されていることを特徴とする多列型LED用リードフレーム。
  4. 前記段差部の面、前記貫通エッチングにより形成された前記パッド部及び前記リード部の側面の少なくともいずれかは、粗化処理が施されていることを特徴とする請求項3に記載の多列型LED用リードフレーム。
  5. 前記パッド部と前記リード部との間、及び、少なくとも側面に前記めっき層が形成されている前記段差部には、前記連結部を覆い、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部が形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の多列型LED用リードフレーム。
  6. 金属板の上面及び下面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置の面に夫々めっき層が形成され、前記金属板の少なくとも上面側における前記めっき層の周囲に、該めっき層をエッチングマスクとするハーフエッチングによる10μm〜25μmの深さの段差部が形成され、前記金属板の上面側の前記めっき層における前記ハーフエッチングの際に形成された表面の凹凸がエッチングにより研磨され、前記金属板の両面側からの貫通エッチングにより前記パッド部と前記リード部が連結部を備えて区画された多列型LED用リードフレームを準備する工程と、
    前記貫通エッチングにより前記連結部を備えて区画された前記パッド部と前記リード部との間及び前記ハーフエッチングにより形成された前記段差部にリフレクタ樹脂を充填し、前記連結部を覆い、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部を形成する工程と、
    前記金属板の上面側において区画された前記パッド部の面にLED素子を搭載するとともに、該金属板の上面側において区画された前記リード部と前記LED素子とをワイヤボンディングする工程と、
    前記金属板の上面側において区画された前記パッド部及びリード部における前記リフレクタ樹脂部で囲まれ、前記LED素子が搭載された内部空間を充填する透明樹脂部を設ける工程と、
    前記リフレクタ樹脂部における、前記パッド部及び前記リード部の外周を囲む部位を前記連結部とともに切断する工程と、
    を有することを特徴とするLEDパッケージの製造方法。
  7. 準備する多列型LED用リードフレームの前記金属板の上面側の前記めっき層には、前記表面の凹凸を研磨するエッチングが、約1μmの深さで施されていることを特徴とする請求項6に記載のLEDパッケージの製造方法。
  8. 準備する多列型LED用リードフレームの前記ハーフエッチングにより形成された前記段差部の面、前記貫通エッチングにより形成された前記パッド部及びリード部の側面の少なくともいずれかが粗化処理されていることを特徴とする請求項6又は7に記載のLEDパッケージの製造方法。
  9. LED用リードフレーム領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LED用リードフレームの製造方法であって、
    金属板の上面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に反射用めっき層を形成し、該金属板の下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に外部接続用めっき層を形成する工程と、
    前記金属板の下面側に、全面を覆う第1のエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
    前記金属板の上面に形成された前記反射用めっき層をエッチングマスクとして、該金属板の上面側から10μm〜25μmの深さでハーフエッチングを施し、該金属板における前記ハーフエッチングを施した深さにおいて、該金属板の上面における該反射用めっき層の周囲に、段差部を形成する工程と、
    前記ハーフエッチングの際に形成された、前記反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチングを施す工程と、
    前記第1のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と、
    前記金属板の上面側に、少なくとも前記反射用めっき層を覆う第2のエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、該金属板の下面側に、形成した前記外部接続用めっき層を覆う第2のエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
    前記金属板の両面側から貫通エッチングを施し、前記連結部を備えた、前記パッド部と前記リード部とに区画する工程と、
    前記第2のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と、
    を有することを特徴とする多列型LED用リードフレームの製造方法。
  10. LED用リードフレーム領域が複数配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型LED用リードフレームの製造方法であって、
    金属板の上面におけるパッド部及びリード部に対応する所定位置に反射用めっき層を形成し、該金属板の下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に外部接続用めっき層を形成する工程と、
    前記金属板の上面に形成された前記反射用めっき層、下面に形成された前記外部接続用めっき層を夫々エッチングマスクとして、前記金属板の両面側から10μm〜25μmの深さでハーフエッチングを夫々施し、該金属板における前記ハーフエッチングを施した深さにおいて、該金属板の上面における該反射用めっき層の周囲、下面における該外部接続用めっき層の周囲に、夫々段差部を形成する工程と、
    前記ハーフエッチングの際に形成された、前記反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチングを施す工程と、
    前記金属板の上面側に、少なくとも前記反射用めっき層を覆うエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、該金属板の下面側に、形成した前記外部接続用めっき層を覆うエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
    前記金属板の両面側から貫通エッチングを施し、前記連結部を備えた、前記パッド部と前記リード部とに区画する工程と、
    前記エッチング用のレジストマスクを除去する工程と、
    を有することを特徴とする多列型LED用リードフレームの製造方法。
  11. 前記反射用めっき層表面の凹凸を研磨するエッチングを施す深さが、約1μmであることを特徴とする請求項9又は10に記載の多列型LED用リードフレームの製造方法。
  12. 前記金属板の少なくとも上面側からの前記ハーフエッチングにより形成される前記段差部の面、該金属板の両面側からの前記貫通エッチングにより形成される前記パッド部及び前記リード部の側面の少なくともいずれかを粗化処理することを特徴とする請求項9〜11のいずれかに記載の多列型LED用リードフレームの製造方法。
  13. さらに、前記貫通エッチングにより前記連結部を備えて区画された前記パッド部と前記リード部との間、及び、前記ハーフエッチングにより形成された前記段差部にリフレクタ樹脂を充填し、前記連結部を覆い、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部を形成する工程を有することを特徴とする請求項9〜12のいずれかに記載の多列型LED用リードフレームの製造方法。
JP2015124980A 2015-06-22 2015-06-22 Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 Active JP6366042B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015124980A JP6366042B2 (ja) 2015-06-22 2015-06-22 Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015124980A JP6366042B2 (ja) 2015-06-22 2015-06-22 Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017011101A true JP2017011101A (ja) 2017-01-12
JP6366042B2 JP6366042B2 (ja) 2018-08-01

Family

ID=57763821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015124980A Active JP6366042B2 (ja) 2015-06-22 2015-06-22 Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6366042B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019114738A (ja) * 2017-12-26 2019-07-11 株式会社三井ハイテック リードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置
KR20190098628A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광모듈
CN112652544A (zh) * 2020-12-22 2021-04-13 长电科技(滁州)有限公司 一种封装结构及其成型方法
WO2023048007A1 (ja) * 2021-09-24 2023-03-30 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024135A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Mitsui High Tec Inc 半導体装置の製造方法
JP2003078097A (ja) * 2001-06-19 2003-03-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd リードフレーム及びその製造方法
JP2003100985A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Sanyo Electric Co Ltd 回路モジュール
WO2006009030A1 (ja) * 2004-07-15 2006-01-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 半導体装置及び半導体装置製造用基板並びにそれらの製造方法
JP2007042390A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Tokai Rika Co Ltd 電気接点材料製造方法及び電気接点材料
JP2007048981A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Mitsui High Tec Inc 半導体装置の製造方法
JP2010278382A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Seiko Epson Corp リードフレーム、半導体装置及びそれらの製造方法
JP2011014691A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Mitsui High Tec Inc リードフレーム及び半導体装置の製造方法
JP2011040668A (ja) * 2009-08-18 2011-02-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体装置
WO2011158811A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 古河電気工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP2012160638A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Toppan Printing Co Ltd 半導体発光装置用リードフレーム及び半導体発光装置
JP2013058695A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法
US20140117388A1 (en) * 2012-10-29 2014-05-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light-emitting semiconductor packages and related methods
JP2014187122A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toppan Printing Co Ltd Ledパッケージとその製造方法
JP2014209663A (ja) * 2014-07-29 2014-11-06 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024135A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Mitsui High Tec Inc 半導体装置の製造方法
JP2003078097A (ja) * 2001-06-19 2003-03-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd リードフレーム及びその製造方法
JP2003100985A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Sanyo Electric Co Ltd 回路モジュール
WO2006009030A1 (ja) * 2004-07-15 2006-01-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 半導体装置及び半導体装置製造用基板並びにそれらの製造方法
JP2007042390A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Tokai Rika Co Ltd 電気接点材料製造方法及び電気接点材料
JP2007048981A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Mitsui High Tec Inc 半導体装置の製造方法
JP2010278382A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Seiko Epson Corp リードフレーム、半導体装置及びそれらの製造方法
JP2011014691A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Mitsui High Tec Inc リードフレーム及び半導体装置の製造方法
JP2011040668A (ja) * 2009-08-18 2011-02-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体装置
WO2011158811A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 古河電気工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP2012160638A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Toppan Printing Co Ltd 半導体発光装置用リードフレーム及び半導体発光装置
JP2013058695A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法
US20140117388A1 (en) * 2012-10-29 2014-05-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light-emitting semiconductor packages and related methods
JP2014187122A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toppan Printing Co Ltd Ledパッケージとその製造方法
JP2014209663A (ja) * 2014-07-29 2014-11-06 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019114738A (ja) * 2017-12-26 2019-07-11 株式会社三井ハイテック リードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置
JP6998761B2 (ja) 2017-12-26 2022-01-18 株式会社三井ハイテック リードフレームの製造方法
KR20190098628A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광모듈
KR102518578B1 (ko) 2018-02-14 2023-04-06 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광모듈
CN112652544A (zh) * 2020-12-22 2021-04-13 长电科技(滁州)有限公司 一种封装结构及其成型方法
WO2023048007A1 (ja) * 2021-09-24 2023-03-30 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6366042B2 (ja) 2018-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6455932B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6366042B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6455931B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6593842B2 (ja) Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法
US8846422B2 (en) Method for manufacturing LED package struture and method for manufacturing LEDs using the LED packange struture
JP6468600B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6537144B2 (ja) 多列型リードフレーム及びその製造方法
JP6537141B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
CN108701658B (zh) 半导体元件承载用基板、半导体装置及光半导体装置及其制造方法
JP6537136B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6322853B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6525259B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6357684B2 (ja) リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置
JP2017157643A (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6468601B2 (ja) 多列型led用リードフレーム及びその製造方法、並びにledパッケージの製造方法
JP6493975B2 (ja) 多列型led用リードフレーム及びledパッケージ、並びにそれらの製造方法
JP6593841B2 (ja) Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法
JP6610927B2 (ja) 光半導体装置及びその製造方法と、光半導体素子搭載用基板の製造方法
JP2017157644A (ja) 多列型led用リードフレーム
JP6414701B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP2012182207A (ja) Led素子用リードフレームおよびその製造方法
JP2012227254A (ja) Led素子用リードフレーム基板及びその製造方法
JP6542112B2 (ja) 多列型led用リードフレーム、並びにledパッケージ及び多列型led用リードフレームの製造方法
JP6521315B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP2017162945A (ja) 多列型led用リードフレーム及びその製造方法、並びにledパッケージ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170413

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180306

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20180315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180412

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180605

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180626

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6366042

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350