JP2016167274A - 無線通信デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＲＦＩＤタグを簡素に製造すること。
【解決手段】放射導体用基材１２の上面には、第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂをそれぞれ有する放射導体１４ａおよび１４ｂが形成される。ＲＦＩＣ素子１６の下面には、第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂの間隔とほぼ同じ間隔で第１端子電極および第２端子電極が形成される。シール１８は、ＲＦＩＣ素子１６の主面のサイズを上回るサイズの粘着面を有する。ＲＦＩＣ素子１６は第１端子電極および第２端子電極が第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂにそれぞれ接触するように放射導体用基材１２の上面に配され、シール１８はＲＦＩＣ素子１６を覆うように放射導体用基材１２に貼り付けられる。
【選択図】図１

Description

この発明は、無線通信デバイスおよびその製造方法に関し、特に、放射導体が形成された主面を有する放射導体用基材と端子電極が形成された主面を有するＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）素子とを備えるＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤｅｎｔｉｆｉｅｒ）タグのような無線通信デバイスおよびその製造方法に関する。

ＲＦＩＤインレイやＲＦＩＤタグは、放射導体（放射パターン）が形成された放射導体用基材にＲＦＩＣ素子（ＲＦＩＣチップを封止したパッケージやストラップ）を搭載することによって製造される。通常、ＲＦＩＣ素子と放射導体との接続手法としては、はんだの加熱溶融による接続（特許文献１または特許文献２参照）や、超音波接合による接続（特許文献３または特許文献４参照）が採用される。

特開２００９−８７０６８号 特開２００９−１２９０９３号 特開２０１２−３２９３１号 特開２０１３−４５７８０号

しかし、はんだの加熱溶融による接続では、接続部分をはんだの融点以上に加熱する必要がある。放射導体用基材には高い耐熱性が要求されるため、ＰＥＴ等の安価な材料を放射導体用基材として採用することはできない。また、超音波接合による接続では、超音波によってバンプを溶融する必要があるため、接合が完了するまでに時間を要する。

特に、可撓性を持った放射導体用基材を利用し、ＲＦＩＤインレイやＲＦＩＤタグを曲面部材や可撓性部材に貼り付ける場合、ＲＦＩＣ素子と放射導体との接続部に応力が集中してしまい、その接続部が破壊されてしまうことがある。

それゆえに、この発明の主たる目的は、簡素に製造することができ、かつ、ＲＦＩＣ素子と放射導体との接続の信頼性が低下する懸念を軽減することができる無線通信デバイスおよびその製造方向を提供することである。

この発明に係る無線通信デバイスは、放射導体を備え、放射導体の少なくとも一部が形成された主面を有する放射導体用基材と、端子電極が形成された主面を有するＲＦＩＣ素子と、可撓性のシール用基材上に粘着面を有するシールと、を備え、ＲＦＩＣ素子は、端子電極が放射導体の一部に直接あるいは間接的かつ摺動可能に接触するように、放射導体用基材の主面に配され、シールは、粘着面にて、ＲＦＩＣ素子の少なくとも一部を覆うように、放射導体用基材の一部に貼り付けられ、ＲＦＩＣ素子を放射導体用基材に固定している。

好ましくは、ＲＦＩＣ素子は、端子電極を有した可撓性基材と、可撓性基材に搭載されたＲＦＩＣチップと、を有し、平面視でＲＦＩＣチップと端子電極とは重なっていない。

さらに好ましくは、端子電極は、可撓性基材の表面から突出している。

好ましくは、シールは、シール基材の主面に設けられた保護材を含み、平面視で保護材が端子電極と重なるように放射導体用基材に貼り付けられる。

さらに好ましくは、放射導体の一部は第１スリットを有し、シールの保護材は、第２スリットを有し、平面視で第２スリットが第１スリットと重なるように放射導体用基材に貼り付けられる。

好ましくは、粘着面は第１粘着領域と第１粘着領域を囲む第２粘着領域とを有し、第１粘着領域および第２粘着領域はそれぞれＲＦＩＣ素子および放射導体用基材に粘着する。

好ましくは、放射導体用基材、ＲＦＩＣ素子およびシールは可撓性である。

好ましくは、ＲＦＩＣ素子は、高周波信号を処理するＲＦＩＣチップと、通信周波数に相当する共振周波数を持った給電回路と、ＲＦＩＣチップを実装し、給電回路を内蔵した基板とを有し、端子電極は基板の主面に形成されかつ給電回路を介してＲＦＩＣチップに接続される。

この発明に係る無線通信デバイスの製造方法は、放射導体を備え、放射導体の少なくとも一部が形成された主面を有する放射導体用基材と、端子電極が形成された主面を有するＲＦＩＣ素子と、可撓性のシール用基材上に粘着面を有するシールとを準備する準備工程と、端子電極が露出するようにＲＦＩＣ素子をシールの粘着面の一部の領域に貼り付けてＲＦＩＣ素子付きシールを作製する第１貼り付け工程と、端子電極が放射導体の一部に直接あるいは間接的かつ摺動可能に接触するように、ＲＦＩＣ素子付きシールの粘着面の他の一部の領域を放射導体用基材の主面の一部に貼り付ける第２貼り付け工程と、を有する。

この発明に係る無線通信デバイスの製造方法は、端子電極が形成された主面を有するＲＦＩＣ素子と、可撓性のシール用基材上に粘着面を有するシールと、を備え、端子電極が露出するようにＲＦＩＣ素子を粘着面に貼り付けてなるＲＦＩＣ素子付きシールを用いて無線通信デバイスを製造する製造方法であって、放射導体を備え、放射導体の少なくとも一部が形成された主面を有する放射導体用基材を準備する準備工程と、端子電極が放射導体の一部に直接あるいは間接的かつ摺動可能に接触するように、ＲＦＩＣ素子付きシールを放射導体用基材の主面の一部に貼り付ける貼り付け工程と、を有する。

ＲＦＩＣ素子はシールを利用して放射導体に接続されるため、ＰＥＴ等の安価な材料を放射導体用基材として採用できるとともに、ＲＦＩＣ素子を放射導体に接続する時間を短縮できる。これによって、無線通信デバイスを簡素に製造することができる。

また、ＲＦＩＣ素子の端子電極は放射導体に接触するに留まるため、放射導体用基材が撓んでも端子電極と端部との接触部に応力が集中することはない。これによって、ＲＦＩＣ素子と放射導体との接続の信頼性が低下する懸念が軽減される。

この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。

（Ａ）は第１実施例のＲＦＩＤタグを斜め上から眺めた状態を示す斜視図であり、（Ｂ）は第１実施例のＲＦＩＤタグを分解して斜め上から眺めた状態を示す分解斜視図である。 （Ａ）は第１実施例の放射導体用基材を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）は第１実施例の放射導体用基材を真横から眺めた状態を示す側面図であり、（Ｃ）は第１実施例の放射導体用基材を真下から眺めた状態を示す下面図である。 （Ａ）は第１実施例のＲＦＩＣ素子を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）は第１実施例のＲＦＩＣ素子を真横から眺めた状態を示す側面図であり、（Ｃ）は第１実施例のＲＦＩＣ素子を真下から眺めた状態を示す下面図である。 （Ａ）は第１実施例のシールを真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）は第１実施例のシールを真横から眺めた状態を示す側面図であり、（Ｃ）は第１実施例のシールを真下から眺めた状態を示す下面図である。 第１実施例のＲＦＩＣ素子の構造を示す断面図である。 第１実施例のＲＦＩＣ素子付きシールを真下から眺めた状態を示す下面図である。 （Ａ）は第１実施例のＲＦＩＤタグの製造工程の一部を示す図解図であり、（Ｂ）は第１実施例のＲＦＩＤタグの製造工程の他の一部を示す図解図である。 第１実施例のＲＦＩＤタグの構造の一部を示す拡大図である。 複数のＲＦＩＣ素子付きシールが貼り付けられた台紙を真上から眺めた状態を示す上面図である。 第１実施例を変形した他の実施例の放射導体用基材を真上から眺めた状態を示す上面図である。 第１実施例を変形したその他の実施例の放射導体用基材を真上から眺めた状態を示す上面図である。 第１実施例を変形したさらにその他の実施例の放射導体用基材を斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 （Ａ）は第２実施例のＲＦＩＤタグを分解して真上から眺めた状態を示す分解平面図であり、（Ｂ）は第２実施例のＲＦＩＤタグのＡ−Ａ断面を示す断面図である。 （Ａ）は第２実施例のＲＦＩＤタグをなすＲＦＩＣ素子付きシールを真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）は第２実施例のＲＦＩＤタグをなすＲＦＩＣ素子付きシールを真下から眺めた状態を示す下面図であり、（Ｃ）は第２実施例のＲＦＩＤタグをなすＲＦＩＣ素子付きシールのＢ−Ｂ断面を示す断面図である。 第３実施例のＲＦＩＣ素子を斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 図１５に示すＲＦＩＣ素子の等価回路を示す回路図である。 （Ａ）は図１５に示すＲＦＩＣ素子を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）は図１５に示すＲＦＩＣ素子を真横から眺めた状態を示す側面図であり、（Ｃ）は図１５に示すＲＦＩＣ素子を真下から眺めた状態を示す下面図である。 （Ａ）は図１５に示すＲＦＩＣ素子をなす多層基板の上位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）は図１５に示すＲＦＩＣ素子をなす多層基板の中位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｃ）は図１５に示すＲＦＩＣ素子をなす多層基板の下位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図である。 （Ａ）は図１８（Ａ）に示す絶縁層のＡ１−Ａ１断面を示す断面図であり、（Ｂ）は図１８（Ｂ）に示す絶縁層のＢ１−Ｂ１断面を示す断面図であり、（Ｃ）は図１８（Ｃ）に示す絶縁層のＣ１−Ｃ１断面を示す断面図である。 等価回路上での磁界の発生状態の一例を示す図解図である。 （Ａ）は第３実施例を変形したその他の実施例のＲＦＩＤタグを斜め上から眺めた状態を示す斜視図であり、（Ｂ）は第３実施例を変形したその他の実施例のＲＦＩＤタグを分解して斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 図１５に示すＲＦＩＣ素子におけるリジット領域およびフレキシブル領域の分布状態を示す図解図である。 放射素子に実装されたＲＦＩＣ素子が撓んだ状態を示す図解図である。 等価回路を電流が流れる状態の一例を示す図解図である。 ＲＦＩＤタグの周波数特性の一例を示すグラフである。

［第１実施例］
図１（Ａ）〜図１（Ｂ）を参照して、第１実施例のＲＦＩＤタグ１０は、無線通信デバイスの一例として代表的には９００ＭＨｚ帯を通信周波数とするＲＦＩＤタグであり、長方形の主面を有する板状の放射導体用基材１２と、放射導体用基材１２の主面よりも格段に小さい長方形の主面を有する板状のＲＦＩＣ素子１６と、ＲＦＩＣ素子１６の主面よりも大きい真円形の主面を有する薄膜状のシール１８とを含む。

なお、第１実施例では、放射導体用基材１２の長さ方向にＸ軸が割り当てられ、放射導体用基材１２の幅方向にＹ軸が割り当てられ、放射導体用基材１２の厚み方向にＺ軸が割り当てられる。

図２（Ａ）〜図２（Ｃ）を参照して、放射導体用基材１２は可撓性を有し、その主面（詳しくは上面）には帯状の放射導体１４ａおよび１４ｂが形成される。放射導体１４ａおよび１４ｂの各々は、放射導体用基材１２の長さの半分に満たない長さと放射導体用基材１２の幅の半分に満たない幅とを有し、放射導体用基材１２の上面のＹ軸方向における中央位置をＸ軸に沿って延びる。また、放射導体１４ａはＸ軸方向における負側に配され、放射導体１４ｂはＸ軸方向における正側に配される。

放射導体１４ａのＸ軸方向における正側端部を“第１端部１４１ａ”と定義し、放射導体１４ｂのＸ軸方向における負側端部を“第２端部１４１ｂ”と定義すると、第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂの間には、放射導体１４ａおよび１４ｂのいずれもが欠落した欠落部ＣＴ１が形成される。

図３（Ａ）〜図３（Ｃ）を参照して、ＲＦＩＣ素子１６は、ＬＣＰ樹脂またはポリイミド樹脂等の耐熱性の高い熱可塑性樹脂を素材とする可撓性の基板１６ｃを有する。基板１６ｃの主面（詳しくは下面）には、第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂが形成される。第１端子電極１６ａはＸ軸方向における負側端部に設けられ、第２端子電極１６ｂはＸ軸方向における正側端部に設けられ、第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂの間隔は上述した第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂの間隔とほぼ一致する。

図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を参照して、シール１８は紙や樹脂等の可撓性のシール基材１８ａを有する。シール基材１８ａの下面にはアクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の粘着剤１８ｂが塗布され、下面は粘着面として機能する。粘着面の中央には、基板１６ｃの主面のサイズとほぼ同じサイズを有する長方形の第１粘着領域Ｒ１が割り当てられる。第１粘着領域Ｒ１の周りには第２粘着領域Ｒ２が割り当てられ、第１粘着領域Ｒ１は第２粘着領域Ｒ２によって囲まれる。

第１粘着領域Ｒ１をなす長方形の長辺および短辺はそれぞれ、Ｘ軸およびＹ軸に沿って延びる。これを踏まえて、シール基材１８ａの上面のＹ軸方向における中央には、Ｘ軸に沿って延びる目安線ＬＮ１が描かれる。また、シール基材１８ａの下面には、第１粘着領域Ｒ１の外縁を示す目安線ＬＮ２が描かれる。第１粘着領域Ｒ１の配置は、目安線ＬＮ１およびＬＮ２を参照することでシール１８の上面側および下面側から容易に把握することができる。

図１（Ａ）〜図１（Ｂ）に戻って、ＲＦＩＣ素子１６は、第１端子電極１６ａが摺動可能に第１端部１４１ａに接触しかつ第２端子電極１６ｂが摺動可能に第２端部１４１ｂに接触するように、放射導体用基材１２の上面（詳しくは欠落部ＣＴ１の上）に配される。これによって、放射導体１４ａおよび１４ｂはダイポールアンテナとして機能する。つまり、ＲＦＩＣ素子の端子電極と放射導体のＲＦＩＣ素子用接続部とは、電気的には接続されているが、機械的には接続されていない（摺動可能である）。

また、シール１８は、放射導体用基材１２の上面に配されたＲＦＩＣ素子１６を覆うように、放射導体用基材１２に貼り付けられる。このとき、第１粘着領域Ｒ１は基板１６ｃに粘着し、第２粘着領域Ｒ２は放射導体用基材１２とその上面に形成された放射導体１４ａ，１４ｂとに粘着する。第１粘着領域Ｒ１は第２粘着領域Ｒ２によって囲まれるため、ＲＦＩＣ素子１６は放射導体用基材１２に強固に固定される。またＲＦＩＣ素子１６は、端子電極１６ａ，１６ｂがシール１８に対しもっとも突起している部分になる。このシール１８を放射導体基材１２に貼り付ける場合、シール１８はＲＦＩＣ素子１６を覆うように湾曲して放射導体用基材１２に貼り付けられるので、貼り付け後はシール１８が元の平面状態に戻ろうとする応力が発生する。この応力はＲＦＩＣ素子１６の電極端子１６ａ，１６ｂを、放射導体１４ａ，１４ｂに押し付け圧力となるので、電極端子１６ａ，１６ｂと放射導体１４ａ，１４ｂ電気的接続が安定して維持される。これによりＲＦＩＣ素子１６は摺動可能でありながら、電気的な接続が安定した状態を作ることが出来る。

なお、放射導体用基材１２および／またはシール１８を透明にすれば、ＲＦＩＣ素子１６の第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂが放射導体１４ａおよび１４ｂに接続されているか否かを容易に確認することができる。

図５を参照して、ＲＦＩＣ素子１６をなす基板１６ｃには、ＲＦＩＣチップ１６ｅおよび給電回路１６ｄが実装される。ＲＦＩＣチップ１６ｅはＲＦＩＤ信号（高周波信号）を処理する回路であり、第１入出力端子および第２入出力端子（いずれも図示せず）を有する。また、給電回路１６ｄは通信周波数（キャリア周波数）に相当する共振周波数を持った共振回路を有しており、通信信号の通過帯域を広げるための回路である。

つまり、ＲＦＩＣチップ１６ｅは給電回路１６ｄを介して放射導体１４ａ，１４ｂに接続される。ここで、基板１６ｃに内蔵された給電回路１６ｄは通信周波数に相当する共振周波数を持っているため、ＲＦＩＤタグ１０の通信特性は、放射導体１４ａ，１４ｂのサイズ，ＲＦＩＤタグ１０が取り付けられる物体の材質，放射導体１４ａ，１４ｂとＲＦＩＣ素子１６との接合状態等に大きく依存しない。したがって、放射導体１４ａ，１４ｂは必ずしもλ／２の整数倍の電気長を有している必要は無い。また給電回路１６ｄは共振しており回路内で電流が集中して流れるので導電率の高い材料で構成する必要があるが、放射導体は電界（電圧）分布している導体であるので、給電回路の電極端子１６ａ，１６ｂと放射導体１４ａ，１４ｂの接触抵抗が数十Ω以下であれば、ＲＦＩＤタグ１０の電気特性が劣化しにくい。

基板１６ｃの下面に形成された第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂはそれぞれ、給電回路１６ｄを介して、ＲＦＩＣチップ１６ｅの第１入出力端子および第２入出力端子に接続される。

図６および図７（Ａ）〜図７（Ｂ）を参照して、ＲＦＩＤタグ１０の製造方法を説明する。まず、ＲＦＩＣ素子１６がシール１８の下面に貼り付けられる。詳しくは、ＲＦＩＣ素子１６をなす基板１６ｃの上面が、シール１８の第１粘着領域Ｒ１に貼り付けられる。これによって、第１端子電極１６ａおよび１６ｂが外部に露出したＲＦＩＣ素子付きシール２０が作製される。

ＲＦＩＣ素子付きシール２０はその後、放射導体用基材１２に貼り付けられる。このとき、第１端子電極１６ａは放射導体１４ａの第１端部１４１ａに接触ないし押圧され、第２端子電極１６ｂは放射導体１４ｂの第２端部１４１ｂに接触ないし押圧される。また、第２粘着領域Ｒ２は、放射導体用基材１２および放射導体１４ａ，１４ｂに粘着する。これによって、ＲＦＩＤタグ１０が完成する。なお、第１端子電極１６ａが放射導体１４ａの第１端部１４１ａに接触した状態を図８に拡大して示す。このようにシール１８ａはＲＦＩＣ素子１６を覆うように湾曲して放射導体用基材１２に貼り付けられるので、貼り付け後はシール１８が元の平面状態に戻ろうとする応力が発生する。この応力がＲＦＩＣ素子１６の電極端子１６ａを放射導体１４１ａに押し付ける圧力となり、シール貼り付け後はこの圧力により電極端子１６ａは放射導体１４１ａに電気的接続が安定して維持される。これによりＲＦＩＣ素子１６は摺動可能でありながら、電気的な接続が安定した状態を作ることが出来る。シール１８の材料はＰＥＴフィルムや紙などを用い、粘着材は強粘着剤の糊をもちいるとよい。

ＲＦＩＣ素子付きシール２０は、図９に示すように台紙２２に貼り付けられてもよい。このようなシール付き台紙２４を作製することで、ＲＦＩＣ素子付きシール２０の作製を担う事業者とＲＦＩＣ素子付きシール２０を用いてＲＦＩＤタグ１０を製造する事業者とを分けることができる。これによりＲＦＩＤタグ１０を製造する事業者はタグの形状を自由に変更することが可能となり、用途に合わせたタグ設計が可能となる。また手作業でシール２０を放射導体１４に貼り付けだけでＲＦＩＤタグが作れるので、専用設備がなくてもＲＦＩＤタグを作ることが出来る。

以上のように、ＲＦＩＣ素子１６はシール１８を利用して放射導体１４ａ，１４ｂに接続されるため、ＲＦＩＤタグ１０を簡素に製造することができる。つまり、はんだの加熱溶融による接合ではＰＥＴ等の安価な材料を放射導体用基材１２として採用することができず、超音波接合では接合が完了するまでに時間を要するところ、第１実施例のようにシール１８を採用すれば、アルミニウム箔等の安価な導体材料を放射導体として、ＰＥＴ等の安価な材料を放射導体用基材１２として採用できるとともに、ＲＦＩＣ素子１６を放射導体１４ａ，１４ｂに接続する時間を短縮できる。こうして、ＲＦＩＤタグ１０の製造工程が簡素化される。なお、放射導体用基材として紙を用い、放射導体として紙上にＡｇ等の導電材料を主成分とする導電性インクで描かれた導電性パターンを利用してもよい。

また、ＲＦＩＣ素子１６には共振周波数帯域を広げる給電回路１６ｄが設けられるため、ＲＦＩＣ素子１６をシール１８で固定するような簡素な実装方法でも、所望の通信特性が得られる。

さらに、ＲＦＩＣ素子１６の第１端子電極１６ａおよび１６ｂは放射導体１４ａの第１端部１４１ａおよび放射導体１４ｂの第２端部１４１ｂに接触するに留まる。つまり、第１端子電極１６ａおよび１６ｂは第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂに電気的には接続されているものの、物理的または機械的に接合されている訳ではない。

このため、放射導体用基材１２が撓んでも、第１端子電極１６ａと第１端部１４１ａとの接触部および第２端子電極１６ｂと第２端部１４１ｂとの接触部に応力が集中することはない。これによって、ＲＦＩＣ素子１６と放射導体１４ａ，１４ｂとの接続の信頼性が低下する懸念（ＲＦＩＣ素子１６と放射導体１４ａ，１４ｂとの接続部が破壊される懸念）が軽減される。

なお、第１実施例では、放射導体１４ａおよび１４ｂはＸ軸に沿って一直線に延びるように形成される。しかし、放射導体１４ａおよび１４ｂはＸ軸に対して蛇行するように形成してもよい（図１０参照）。

また、第１実施例では、ＲＦＩＣ素子１６は放射導体１４ａの第１端部１４１ａおよび放射導体１４ｂの第２端部１４１ｂを跨ぐように配され、放射導体１４ａおよび１４ｂはダイポールアンテナとして機能する。しかし、図１１に示すループ状の放射導体１４を放射導体用基材１２の上面に形成し、放射導体１４の両端を跨ぐようにＲＦＩＣ素子１６を配するようにすれば、放射導体１４はループアンテナとして機能する。

さらに、第１実施例では、シール１８の下面のみが粘着面とされる。しかし、放射導体用基材１２の上面のうち放射導体１４ａおよび１４ｂの形成領域以外の領域にも粘着剤を塗布し、放射導体用基材１２の上面を追加の粘着面とするようにしてもよい。これによって、ＲＦＩＤタグ１０を別の物品に貼り付けることができる。

また、放射導体用基材１２および／またはシール１８が透明でなければ、ＲＦＩＣ素子付きシール２０を放射導体用基材１２に貼り付ける際に、ＲＦＩＣ素子１６と放射導体１４ａ，１４ｂとの相対位置を確認するのに手間取る場合がある。このような問題は、図１２に示す要領で放射導体用基材１２の上面に目安線ＬＮ３を描くことで解決することができる。

さらに、第１実施例では、シール１８の主面は真円をなすが、シール１８の主面の形状を楕円形または長方形とし、長軸または長辺をＸ軸に合わせるようにしてもよい。これによって、目安線ＬＮ１がなくても、第１粘着領域Ｒ１の配置をシール１８の上面側から容易に把握することができる。

また、第１実施例では、放射導体１４ａおよび１４ｂを放射導体用基材１２の上面に形成するとともに、第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂを基板１６ｃの下面に形成するようにしている。しかし、放射導体１４ｂよりも格段に小さい別の放射導体をＲＦＩＣ素子１６の内部に形成するようにすれば、放射導体用基材１２の上面から放射導体１４ｂが省略され、基板１６ｃの下面から第２端子電極１６ｂが省略される。

なお、この実施例では、放射導体１４ａおよび１４ｂは、放射導体用基材１２の上面にのみ形成される。しかし、第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂを除いて放射導体１４ａおよび１４ｂを放射導体用基材１２の下面に形成し、第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂを放射導体用基材１２の上面に引き出すようにしてもよい。

また、この実施例では、シール１８の主面のサイズは、ＲＦＩＣ素子１６の主面のサイズを上回る。しかし、ＲＦＩＣ素子１６を放射導体用基材１２に固定できる限り、シール１８の主面のサイズは必ずしもＲＦＩＣ素子１６の主面のサイズを上回る必要はない（ＲＦＩＣ素子１６の全体を覆う必要はない）。

さらに、この実施例では、第１端子電極１６ａは放射導体１４ａの第１端部１４１ａに直接的に接触（直流的に導通）し、第２端子電極１６ｂは放射導体１４ｂの第２端部１４１ｂに直接的に接触（直流的に導通）する。しかし、第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂは、第１端部１４１ａおよび第２端部１４１ｂに間接的に接触（誘電体を介して容量結合）してもよい。
［第２実施例］

図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）および図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）を参照して、第２実施例のＲＦＩＤタグ１０´も、無線通信デバイスの一例として代表的には９００ＭＨｚ帯を通信周波数とするＲＦＩＤタグであり、長方形の主面を有する板状の放射導体用基材１２と、放射導体用基材１２の主面よりも格段に小さい長方形の主面を有する板状のＲＦＩＣ素子１６と、ＲＦＩＣ素子１６の主面よりも大きい真円形の主面を有する薄膜状のシール１８１とを含む。

第２実施例でも、放射導体用基材１２の長さ方向にＸ軸が割り当てられ、放射導体用基材１２の幅方向にＹ軸が割り当てられ、放射導体用基材１２の厚み方向にＺ軸が割り当てられる。また、後述するように、ＲＦＩＣ素子１６は、放射導体用基材１２に配される前の段階でシール１８１に貼り付けられる。したがって、ＲＦＩＣ素子１６は、シール１８１とともにＲＦＩＣ素子付きシール２０´をなす。

特に図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）を参照して、放射導体用基材１２の主面（詳しくは上面）には帯状の放射導体１４ｃが形成される。放射導体１４ｃは、放射導体用基材１２の上面の外縁近傍をループ状に延び、その両端の間にはスリットＳＬＴ１が形成される。スリットＳＬＴ１は、放射導体用基材１２の上面のうち、Ｘ軸方向の中央位置でかつＹ軸方向の正側の位置に配される。また、スリットＳＬＴ１の幅はスリットＳＬＴ１の全長にわたって均一とされる。

図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）を参照して、シール１８１は、可撓性のシール基材１８１ｂを有する。シール基材１８１ｂの上面には保護材１８１ａが設けられ、シール基材１８１ｂの下面には粘着剤１８１ｃが塗布される。

シール基材１８１ｂの主面は真円をなす。これを踏まえて、保護材１８１ａは、シール基材１８１ｂの主面のサイズと同じサイズの主面を有する保護材を準備し、主面の中心と交わって一直線に延びるスリットＳＬＴ２を保護材に形成することで作製される。ここで、スリットＳＬＴ２の幅は、好ましくはスリットＳＬＴ１の幅とほぼ一致する。こうして作製された保護材１８１ａは、その円弧がシール基材１８１ｂの外縁に沿って延び、かつスリットＳＬＴ２の形状が保たれる姿勢で、シール基材１８１ｂの上面に設けられる。

シール１８１の主面の直径は、ＲＦＩＣ素子１６の長さを僅かに上回る。ＲＦＩＣ素子１６は、その上面がシール１８１の下面と対向し、かつその長さ方向がスリットＳＬＴ２の延在方向に対して直交する姿勢で、シール１８１の下面に貼り付けられる。したがって、Ｚ軸方向から眺めたとき、第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂは、保護材１８１ａと重なる。また、ＲＦＩＣ素子１６に埋め込まれたＲＦＩＣチップ１６ｅは、Ｚ軸方向から眺めてスリットＳＬＴ２の領域に収められる。

このような構造を有するＲＦＩＣ素子付きシール２０´は、Ｚ軸方向から眺めてスリットＳＬＴ２がスリットＳＬＴ１と重なるように、放射導体用基材１２の上面に貼り付けられる。この結果、ＲＦＩＣ素子１６は、第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂが放射導体１４ｃの両端にそれぞれ接触するように、放射導体用基材１２の上面（詳しくはスリットＳＬＴ１を跨ぐ位置）に配される。これによって、放射導体１４ｃはループアンテナとして機能する。

以上の説明から分かるように、ＲＦＩＣ素子付きシール２０´を放射導体用基材１２の上面に貼り付けるとき、スリットＳＬＴ２は位置合わせマークとして用いられる。これによって、ＲＦＩＤタグ１０´の製造に掛かる作業負担が軽減される。

また、第１端子電極１６ａおよび第２端子電極１６ｂはＺ軸方向から眺めて保護材１８１ａと重なるため、ＲＦＩＣ素子付きシール２０´を放射導体用基材１２の上面に貼り付けるとき、第１端子電極１６ａ，第２端子電極１６ｂと放射導体１４ｃの両端とに強い接合力を加えることができる。この結果、使用段階で第１端子電極１６ａ，第２端子電極１６ｂが放射導体１４ｃから離れる懸念を軽減することができる。

さらに、ＲＦＩＣチップ１６ｅは、Ｚ軸方向から眺めてスリットＳＬＴ１またはＳＬＴ２の領域に収められるため、ＲＦＩＣ素子付きシール２０´を放射導体用基材１２の上面に貼り付けるときにＲＦＩＣ素子１６に過大な応力が掛かる懸念も軽減することができる。
［第３実施例］

図１５を参照して、第３実施例のＲＦＩＣ素子１００もまた、代表的には９００ＭＨｚ帯、つまりＵＨＦ帯の通信周波数に対応するＲＦＩＣ素子であり、主面が長方形をなす多層基板１２０を有する。多層基板１２０は、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性の樹脂絶縁層を積層した積層体を素体としていて、多層基板１２０自体も可撓性を示す。これらの材料からなる各絶縁層の誘電率は、ＬＴＣＣに代表されるセラミック基材層の誘電率よりも小さい。

なお、第３実施例では、多層基板１２０の長さ方向にＸ軸が割り当てられ、多層基板１２０の幅方向にＹ軸が割り当てられ、多層基板１２０の厚み方向にＺ軸が割り当てられる。また、第３実施例のＲＦＩＣ素子１００は、第１実施例または第２実施例のＲＦＩＣ素子１６として使用できることは言うまでもない。

図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ），図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）および図１９（Ａ）〜図１９（Ｃ）をさらに参照して、多層基板１２０にはＲＦＩＣチップ１６０および給電回路１８０が内蔵され、多層基板１２０の一方主面には第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂが形成される。

具体的には、ＲＦＩＣチップ１６０は、シリコン等の半導体を素材とする硬質の半導体基板に各種の素子を内蔵した構造を有し、その一方主面および他方主面は正方形を描く。また、ＲＦＩＣチップ１６０の他方主面には、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂが形成される（詳細は後述）。多層基板１２０の内部において、ＲＦＩＣチップ１６０は、正方形の各辺がＸ軸またはＹ軸に沿って延び、かつ一方主面および他方主面がそれぞれＺ軸方向の正側および負側を向く姿勢で、Ｘ軸方向，Ｙ軸方向およびＺ軸方向の各々における中央に位置する。

給電回路１８０は、コイル導体２００と層間接続導体２４０ａおよび２４０ｂ（詳細は後述）とによって形成される。また、コイル導体２００は、コイルパターン２００ａ〜２００ｃによって形成される。第１コイル部ＣＩＬ１はコイルパターン２００ａの一部をなし、第２コイル部ＣＩＬ２はコイルパターン２００ｂの一部をなし、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４はコイルパターン２００ｃの一部をなす。

このうち、第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３，層間接続導体２４０ａは、Ｘ軸方向における負側位置においてＺ軸方向に並び、第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４，層間接続導体２４０ｂは、Ｘ軸方向における正側位置においてＺ軸方向に並ぶ。

これを踏まえて、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＺ軸方向、Ｙ軸方向それぞれから見たとき、第１コイル部ＣＩＬ１と第２コイル部ＣＩＬ２との間、かつ、第３コイル部ＣＩＬ３と第４コイル部ＣＩＬ４との間に配置されている。

第１端子電極１４０ａはＸ軸方向における負側位置に配され、第２端子電極１４０ｂはＸ軸方向における正側位置に配される。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂはいずれも可撓性の銅箔を素材として短冊状に形成され、各々の主面のサイズは互いに一致する。短冊の短辺はＸ軸に沿って延び、短冊の長辺はＹ軸に沿って延びる。

したがって、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０を各絶縁層の積層方向から平面視したとき給電回路１８０の一部と給電回路１８０の他の一部とによって挟まれる。また、Ｘ軸方向から多層基板１２０を眺めたとき、ＲＦＩＣチップ１６０は給電回路１８０と重なる。さらに、多層基板１２０を平面視したとき、給電回路１８０は、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々と部分的に重なる。

なお、積層体を構成する各絶縁層は１０μｍ以上１００μｍ以下と薄いため、多層基板１２０に内蔵されたＲＦＩＣチップ１６０および給電回路１８０は、外側から透けて見える。このため、ＲＦＩＣチップ１６０および給電回路１８０の接続状態（断線の有無）を容易に確認することができる。

特に図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）および図１９（Ａ）〜図１９（Ｃ）を参照して、多層基板１２０は、積層された３つのシート状の絶縁層１２０ａ〜１２０ｃによって形成される。このうち、絶縁層１２０ａは上位層をなし、絶縁層１２０ｂは中位層をなし、絶縁層１２０ｃは下位層をなす。

絶縁層１２０ａの一方主面には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂが形成される。上述のように、第１端子電極１４０ａはＸ軸方向の負側に配され、第２端子電極１４０ｂはＸ軸方向の正側に配される。

絶縁層１２０ｂの一方主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１が形成される。ここで、貫通孔ＨＬ１のサイズはＲＦＩＣチップ１６０のサイズに合わせられる。また、絶縁層１２０ｂの一方主面のうち貫通孔ＨＬ１の周辺には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２００ｃが形成される。

コイルパターン２００ｃの一方端は、平面視で第１端子電極１４０ａと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２０ａによって第１端子電極１４０ａと接続される。また、コイルパターン２００ｃの他方端は、平面視で第２端子電極１４０ｂと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２０ｂによって第２端子電極１４０ｂと接続される。なお、層間接続導体２２０ａ，２２０ｂおよび後述する層間接続導体２４０ａ，２４０ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクである。

コイルパターン２００ｃの一方端を始端としたとき、コイルパターン２００ｃは、一方端の周りを反時計回り方向に２回転してＹ軸方向における負側の端部付近まで延在し、その後にＸ軸方向の正側に延在する。コイルパターン２００ｃは続いて、Ｘ軸方向における正側の端部付近をＹ軸方向における正側に屈曲し、他方端の周りを反時計回り方向に２回転してから他方端に達する。

絶縁層１２０ｃの一方主面には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２００ａおよび２００ｂが形成される。絶縁層１２０ｂおよび１２０ｃを平面視したとき、コイルパターン２００ａの一方端は、コイルパターン２００ｃの一方端よりもＹ軸方向やや負側の位置に配され、コイルパターン２００ａの他方端（＝第１コイル端Ｔ１）は、貫通孔ＨＬ１が描く矩形の四隅のうちＸ軸方向の負側でかつＹ軸方向の正側の隅と重なる位置に配される。

また、コイルパターン２００ｂの一方端は、コイルパターン２００ｃの他方端よりもＹ軸方向やや負側の位置に配され、コイルパターン２００ｂの他方端（＝第２コイル端Ｔ２）は、貫通孔ＨＬ１が描く矩形の四隅のうちＸ軸方向の正側でかつＹ軸方向の正側の隅に重なる位置に配される。なお、第１コイル端Ｔ１および第２コイル端Ｔ２のいずれも、絶縁層１２０ｃを平面視したとき矩形をなす。

コイルパターン２００ａの一方端を起点としたとき、コイルパターン２００ａは、一方端の周りを時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における負側に屈曲して他方端に達する。同様に、コイルパターン２００ｂの一方端を起点としたとき、コイルパターン２００ｂは、一方端の周りを反時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における負側に屈曲して他方端に達する。さらに、コイルパターン２００ａの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４０ａによってコイルパターン２００ｃの一方端と接続され、コイルパターン２００ｂの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４０ｂによってコイルパターン２００ｃの他方端と接続される。

絶縁層１２０ｂおよび１２０ｃを平面視したとき、コイルパターン２００ａの一部の区間はコイルパターン２００ｃの一部の区間と重なり、コイルパターン２００ｂの一部の区間もコイルパターン２００ｃの他の一部の区間と重なる。給電回路１８０は、こうして配されたコイルパターン２００ａ〜２００ｃと層間接続導体２４０ａおよび２４０ｂとによって形成される。

第３実施例では、コイルパターン２００ａおよび２００ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２００ａ側の区間を“第１コイル部ＣＩＬ１”と定義し、コイルパターン２００ｃ側の区間を“第３コイル部ＣＩＬ３”と定義する。また、コイルパターン２００ｂおよび２００ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２００ｂ側の区間を“第２コイル部ＣＩＬ２”と定義し、コイルパターン２００ｃ側の区間を“第４コイル部ＣＩＬ４”と定義する。さらに、コイルパターン２００ａの一方端またはコイルパターン２００ｃの一方端の位置を“第１位置Ｐ１”と定義し、コイルパターン２００ｂの一方端またはコイルパターン２００ｃの他方端の位置を“第２位置Ｐ２”と定義する。

絶縁層１２０ｃの一方主面にはまた、可撓性の銅箔を素材とする矩形のダミー導体２６０ａおよび２６０ｂが形成される。絶縁層１２０ｂおよび１２０ｃを平面視したとき、ダミー導体２６０ａおよび２６０ｂは、貫通孔ＨＬ１が描く矩形の四隅のうちＹ軸方向の負側においてＸ軸方向に並ぶ２つの隅にそれぞれ重なるように配される。

ＲＦＩＣチップ１６０は、その他方主面の四隅が第１コイル端Ｔ１，第２コイル端Ｔ２，ダミー導体２６０ａ，２６０ｂとそれぞれ対向するように、絶縁層１２０ｃに実装される。第１入出力端子１６０ａは、平面視で第１コイル端Ｔ１と重なるようにＲＦＩＣチップ１６０の他方主面に配される。同様に、第２入出力端子１６０ｂは、平面視で第２コイル端Ｔ２と重なるようにＲＦＩＣチップ１６０の他方主面に配される。

この結果、ＲＦＩＣチップ１６０は、第１入出力端子１６０ａによって第１コイル端Ｔ１と接続され、第２入出力端子１６０ｂによって第２コイル端Ｔ２と接続される。

こうして構成されたＲＦＩＣ素子１００の等価回路を図１６に示す。インダクタＬ１は第１コイル部ＣＩＬ１に対応し、インダクタＬ２は第２コイル部ＣＩＬ２に対応する。また、インダクタＬ３は第３コイル部ＣＩＬ３に対応し、インダクタＬ４は第４コイル部ＣＩＬ４に対応する。給電回路１８０によるインピーダンス整合の特性は、インダクタＬ１〜Ｌ４の値によって規定される。

インダクタＬ１の一方端およびインダクタＬ２の一方端はそれぞれ、ＲＦＩＣチップ１６０に設けられた第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂに接続される。インダクタＬ１の他方端はインダクタＬ３の一方端に接続され、インダクタＬ２の他方端はインダクタＬ４の一方端に接続される。インダクタＬ３の他方端は、インダクタＬ４の他方端に接続される。第１端子電極１４０ａはインダクタＬ１およびＬ３の接続点に接続され、第２端子電極１４０ｂはインダクタＬ２およびＬ４の接続点に接続される。

この等価回路から分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１，第２コイル部ＣＩＬ２，第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁界が同相となるように巻回されかつ互いに直列接続される。したがって、磁界は、或る時点において図２０に矢印で示す方向を向くように発生し、別の時点においてこの矢印とは反対の方向を向くように発生する。

また、図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）から分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３はほぼ同一のループ形状でかつ同一の第１巻回軸を有し、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４もほぼ同一のループ形状でかつ同一の第２巻回軸を有する。さらに、第１巻回軸および第２巻回軸は、ＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配される。

つまり、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３は磁気的かつ容量的に結合しており、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４も磁気的かつ容量的に結合している。

以上の説明から分かるように、ＲＦＩＣチップ１６０は、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂを有して多層基板１２０に内蔵される。また、給電回路１８０は、コイルパターン２００ａ〜２００ｃを含んで多層基板１２０に内蔵される。このうち、コイルパターン２００ａは第１入出力端子１６０ａに接続された他方端（＝第１コイル端Ｔ１）を有し、コイルパターン２００ｂは第２入出力端子１６０ｂに接続された他方端（＝第２コイル端Ｔ２）を有する。さらに、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、多層基板１２０の一方主面に設けられ、コイルパターン２００ａの一方端（＝第１位置Ｐ１）およびコイルパターン２００ｂの一方端（＝第２位置Ｐ２）にそれぞれ接続される。

また、第１コイル部ＣＩＬ１は第１コイル端Ｔ１から第１位置Ｐ１までの区間に存在し、多層基板１２０の一方主面と交差する方向に第１巻回軸を有する。第２コイル部ＣＩＬ２は第２コイル端Ｔ２から第２位置Ｐ２までの区間に存在し、多層基板１２０の一方主面と交差する方向に第２巻回軸を有する。第３コイル部ＣＩＬ３は平面視で第１コイル部ＣＩＬ１と重なるように配され、第４コイル部ＣＩＬ４は平面視で第２コイル部ＣＩＬ２と重なるように配される。さらに、第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３と第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４とは、多層基板１２０を平面視してＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配される。

インピーダンス整合のための給電回路１８０は多層基板１２０に内蔵されるところ、多層基板１２０にはＲＦＩＣチップ１６０も内蔵され、第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３と第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４とは、多層基板１２０を平面視してＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配される。

ＲＦＩＣチップ１６０は半導体基板で構成されているため、第１コイル部ＣＩＬ１，第２コイル部ＣＩＬ２，第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４にとってＲＦＩＣチップ１６０はグランドないしシールドとして機能し、第１コイル部ＣＩＬ１および第２コイル部ＣＩＬ２は磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなり、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４もまた磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなる。これによって、通信信号の通過帯域が狭くなる懸念を軽減することができる。

第３実施例のＲＦＩＣ素子１００が実装されたＲＦＩＤタグの一例を図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）に示す。このＲＦＩＤタグはダイポール型のＲＦＩＤタグであり、放射素子３００ａは、放射導体用基材３２０ａおよびこれに配された放射導体３４０ａ，３４０ｂからなる。

放射導体用基材３２０ａは、ＰＥＴを素材として可撓性を示す帯状の基材である。また、放射導体３４０ａおよび３４０ｂの各々は、アルミ箔または銅箔を素材として可撓性を示す帯状の導体である。ここで、放射導体３４０ａおよび３４０ｂは、共通の幅および長さを有する。ただし、放射導体３４０ａおよび３４０ｂの各々の幅は放射導体用基材３２０ａの幅よりも小さく、放射導体３４０ａおよび３４０ｂの各々の長さは放射導体用基材３２０ａの長さの半分に満たない。

放射導体３４０ａおよび３４０ｂは、放射導体用基材３２０ａの表面（＝Ｚ軸方向の負側を向く面）に設けられる。具体的には、放射導体３４０ａは、放射導体用基材３２０ａの長さ方向に沿って延びる姿勢で、放射導体用基材３２０ａの表面のうちＸ軸方向における負側の領域に設けられる。同様に、放射導体３４０ｂは、放射導体用基材３２０ａの長さ方向に沿って延びる姿勢で、放射導体用基材３２０ａの表面のうちＸ軸方向における正側の領域に設けられる。

さらに、放射導体３４０ａの一方端（＝Ｘ軸方向における正側端部）と放射導体３４０ｂの一方端（＝Ｘ軸方向における負側端部）との間隔は、ＲＦＩＣ素子１００に設けられた第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの間隔に合わせられる。

ＲＦＩＣ素子１００は、その一方主面が放射導体用基材３２０ａの表面に対向する姿勢で、放射導体用基材３２０ａの表面の中央位置に実装される。この結果、第１端子電極１４０ａは放射導体３４０ａの一方端と接続され、第２端子電極１４０ｂは放射導体３４０ｂの一方端と接続される。

なお、第１端子電極１４０ａは導電性接合材３６０ａによって放射導体３４０ａに固定され、第２端子電極１４０ｂは導電性接合材３６０ｂによって放射導体３４０ｂに固定される（図２３参照）。ただし、導電性接合材３６０ａおよび３６０ｂの代わりに絶縁性の接合材を採用し、容量を介して接続するようにしてもよい。つまり、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、電気的に放射導体３４０ａおよび３４０ｂと接続されればよい。

上述のように、多層基板１２０は、可撓性のポリイミドまたは液晶ポリマを素材とし、コイルパターン２００ａ〜２００ｃ，第１端子電極１４０ａ，第２端子電極１４０ｂは、可撓性の銅箔を素材とする。これに対して、層間接続導体２２０ａ，２２０ｂ，２４０ａ，２４０ｂはＳｎを素材とする硬質の導体であり、ＲＦＩＣチップ１６０の基板もまたシリコンを素材とする硬質の基板である。また、面積が大きな第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂでは、銅箔の可撓性が小さくなるし、さらにＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｓｎ等のめっき膜を施すことで、その可撓性が失われる。

この結果、ＲＦＩＣ素子１００には、図２２に示すようにリジッド領域およびフレキシブル領域が形成される。図２２によれば、第１端子電極１４０ａ，第２端子電極１４０ｂおよびＲＦＩＣチップ１６０の各々が配された領域がリジッド領域とされ、他の領域がフレキシブル領域とされる。特に、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々は平面視でＲＦＩＣチップ１６０から離間した位置に設けられるため、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々とＲＦＩＣチップ１６０との間にフレキシブル領域が形成される。なお、層間接続導体２２０ａ，２２０ｂ，２４０ａ，２４０ｂは、リジッド領域に配される。

したがって、ＲＦＩＤタグが曲面に貼り付けられると、ＲＦＩＣ素子１００はたとえば図２３に示すように撓む。

図２４を参照して、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂの間には、ＲＦＩＣチップ１６０自身が持つ寄生容量（浮遊容量）Ｃｐが存在し、ＲＦＩＣ素子１００では２つの共振が発生する。１つ目の共振は放射導体３４０ａ〜３４０ｂ、インダクタＬ３およびインダクタＬ４で構成される電流経路に生じる共振であり、２つ目の共振はインダクタＬ１〜Ｌ４および寄生容量Ｃｐで構成される電流経路（電流ループ）に生じる共振である。この２つの共振は、各電流経路に共有されるインダクタＬ３〜Ｌ４によって結合され、２つの共振にそれぞれ対応する２つの電流Ｉ１およびＩ２は図２４に示す要領で流れる。

また、１つ目の共振周波数および２つ目の共振周波数のいずれも、インダクタＬ３〜Ｌ４の影響を受ける。１つ目の共振周波数と２つ目の共振周波数との間には数１０ＭＨｚ（具体的には５〜５０ＭＨｚ程度）の差を生じさせている。これらの共振周波数特性は図２５において曲線ＡおよびＢで表現される。このような共振周波数を有する２つの共振を結合させることで、図２５において曲線Ｃで示すような広帯域の共振周波数特性が得られる。

なお、第１実施例ないし第３実施例およびその変形例の構成は、矛盾しない範囲で適宜組み合わせることができることは言うまでもない。

１０，１０´ …ＲＦＩＤタグ
１２ …放射導体用基材
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ …放射導体
１６，１００ …ＲＦＩＣ素子
１６ａ，１４０ａ …第１端子電極
１６ｂ，１４０ｂ …第２端子電極
１６ｃ …基板
１６ｄ …給電回路
１６ｅ，１８０ …ＲＦＩＣチップ
１８ …シール
Ｒ１ …第１粘着領域
Ｒ２ …第２粘着領域
１２０ …多層基板
１６０ａ …第１入出力端子
１６０ｂ …第２入出力端子
２００ …コイル導体
２００ａ〜２００ｃ …コイルパターン
３００ａ …放射素子
ＣＩＬ１ …第１コイル部
ＣＩＬ２ …第２コイル部
ＣＩＬ３ …第３コイル部
ＣＩＬ４ …第４コイル部

Claims (10)

1. 放射導体を備え、前記放射導体の少なくとも一部が形成された主面を有する放射導体用基材と、
   端子電極が形成された主面を有するＲＦＩＣ素子と、
   可撓性のシール用基材上に粘着面を有するシールと、
   を備え、
   前記ＲＦＩＣ素子は、前記端子電極が前記放射導体の前記一部に直接あるいは間接的かつ摺動可能に接触するように、前記放射導体用基材の前記主面に配され、
   前記シールは、前記粘着面にて、前記ＲＦＩＣ素子の少なくとも一部を覆うように、前記放射導体用基材の一部に貼り付けられ、前記ＲＦＩＣ素子を前記放射導体用基材に固定している、
   無線通信デバイス。
2. 前記ＲＦＩＣ素子は、前記端子電極を有した可撓性基材と、前記可撓性基材に搭載されたＲＦＩＣチップと、を有し、平面視で前記ＲＦＩＣチップと前記端子電極とは重なっていない、請求項１記載の無線通信デバイス。
3. 前記端子電極は、前記可撓性基材の表面から突出している、請求項２記載の無線通信デバイス。
4. 前記シールは、前記シール基材の主面に設けられた保護材を含み、平面視で前記保護材が前記端子電極と重なるように前記放射導体用基材に貼り付けられる、請求項１ないし３のいずれかに記載の無線通信デバイス。
5. 前記放射導体の前記一部は第１スリットを有し、
   前記シールの前記保護材は、第２スリットを有し、平面視で前記第２スリットが前記第１スリットと重なるように前記放射導体用基材に貼り付けられる、請求項４記載の無線通信デバイス。
6. 前記粘着面は第１粘着領域と前記第１粘着領域を囲む第２粘着領域とを有し、
   前記第１粘着領域および前記第２粘着領域はそれぞれ前記ＲＦＩＣ素子および前記放射導体用基材に粘着する、請求項１ないし５のいずれかに記載の無線通信デバイス。
7. 前記放射導体用基材、前記ＲＦＩＣ素子および前記シールは可撓性である、請求項１または６記載の無線通信デバイス。
8. 前記ＲＦＩＣ素子は、高周波信号を処理するＲＦＩＣチップと、通信周波数に相当する共振周波数を持った給電回路と、前記ＲＦＩＣチップを実装し、前記給電回路を内蔵した基板とを有し、
   前記端子電極は前記基板の主面に形成されかつ前記給電回路を介して前記ＲＦＩＣチップに接続される、請求項１ないし７のいずれかに記載の無線通信デバイス。
9. 放射導体を備え、前記放射導体の少なくとも一部が形成された主面を有する放射導体用基材と、端子電極が形成された主面を有するＲＦＩＣ素子と、可撓性のシール用基材上に粘着面を有するシールとを準備する準備工程と、
   前記端子電極が露出するように前記ＲＦＩＣ素子を前記シールの前記粘着面の一部の領域に貼り付けてＲＦＩＣ素子付きシールを作製する第１貼り付け工程と、
   前記端子電極が前記放射導体の前記一部に直接あるいは間接的かつ摺動可能に接触するように、前記ＲＦＩＣ素子付きシールの前記粘着面の他の一部の領域を前記放射導体用基材の前記主面の一部に貼り付ける第２貼り付け工程と、
   を有する、無線通信デバイスの製造方法。
10. 端子電極が形成された主面を有するＲＦＩＣ素子と、
    可撓性のシール用基材上に粘着面を有するシールと、
    を備え、
    前記端子電極が露出するように前記ＲＦＩＣ素子を前記粘着面に貼り付けてなるＲＦＩＣ素子付きシールを用いて無線通信デバイスを製造する製造方法であって、
    放射導体を備え、前記放射導体の少なくとも一部が形成された主面を有する放射導体用基材を準備する準備工程と、
    前記端子電極が前記放射導体の前記一部に直接あるいは間接的かつ摺動可能に接触するように、前記ＲＦＩＣ素子付きシールを前記放射導体用基材の前記主面の一部に貼り付ける貼り付け工程と、
    を有する、無線通信デバイスの製造方法。

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