JP2016131195A - Ntcサーミスタ素子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】製造コストの低減の可能なNTCサーミスタ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】NTCサーミスタ材料からなる複数のサーミスタ層が積層されてなるNTCサーミスタ素子の製造方法である。NTCサーミスタ材料の主成分となる少なくとも2種の原料粉末を所定比率で混合/粉砕し、仮焼して主成分用仮焼原料粉末を作製する工程と、該主成分用仮焼原料粉末と副成分となる1種または複数種の副成分用原料粉末を混合する工程を含んでいる。【選択図】図1

Description

本発明は、NTCサーミスタ素子の製造方法に関する。
NTCサーミスタ素子は、負の抵抗温度係数を有し、雰囲気温度、固体または液体の温度を検出するため、あるいは温度による回路や部品特性の変化を補償するために広く用いられている。
NTCサーミスタ素子は、NTCサーミスタ材料からなる少なくとも1層のサーミスタ層からなるサーミスタ素体と、そのサーミスタ素体内に各サーミスタ層を介して積層された複数内部電極と、そのサーミスタ素体の外表面に形成された第1および第2の外部電極を有している。サーミスタ素体は、内部電極を上面に形成してなるセラミックグリーンシートおよび内部電極が形成されていないセラミックグリーンシートを複数枚積層し、得られた積層体を焼結することにより製造されている(例えば、特許文献1)。NTCサーミスタ材料は、遷移金属酸化物を主成分と、さらに各種酸化物を副成分として含む酸化物セラミックである。
従来のNTCサーミスタ素子の製造方法の一例を図2に示す。原料粉末作製工程では、NTCサーミスタ素子の要求特性に応じて主成分および副成分の原料粉末を所定量秤量し、それらの原料粉末を湿式または乾式混合することにより原料粉末を作製する。仮焼工程では、その原料粉末を仮焼する。混合処理工程では、その原料粉末にバインダと溶剤を加えて混合してスラリーを調製する。成形工程では、そのスラリーを成形して複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。積層工程では、内部電極となる導電性ペースト膜をセラミックグリーンシートの表面に形成した後、その複数枚のセラミックグリーンシートを圧着等により積層してグリーンシート積層体を作製する。焼成工程では、グリーンシート積層体を焼成する。その後、焼成した積層体を所定寸法に切断して、サーミスタ素体を作製し、そのサーミスタ素体の外表面に外部電極を形成してNTCサーミスタ素子を製造している。
特開平4−130702号公報
NTCサーミスタ素子の用途の多様化に伴い、要求される特性も多様化している。しかし、その多様化した要求特性に対しても製造コストの低減の可能なNTCサーミスタ素子の製造方法が必要とされている。
上記の課題を解決するため、本発明のNTCサーミスタ素子の製造方法は、NTCサーミスタ材料からなる複数のサーミスタ層が積層されてなるNTCサーミスタ素子の製造方法であって、NTCサーミスタ材料の主成分となる少なくとも2種の原料粉末を所定比率で混合し、焼成して主成分用仮焼原料粉末を作製する工程と、該主成分用原料粉末と副成分となる1種または複数種の副成分用原料粉末を混合する工程を含む、ことを特徴とする。
本発明においては、前記主成分用仮焼原料粉末に、Mn、Ni、Fe、Co、Al、Ti、Cu、Zr、およびZnからなる群から選択される少なくとも2種の金属の酸化物を用いてもよい。所望の特性(B定数、抵抗値)を有するNTCサーミスタ素子を得ることができるからである。
また、本発明においては、前記副成分用原料粉末に、Mn、Ni、Fe、Co、Al、Ti、Cu、Zr、およびZnからなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物であって、前記主成分用仮焼原料粉末とは異なる金属の酸化物を用いてもよい。所望の特性(B定数、抵抗値)を有するNTCサーミスタ素子を得ることができるからである。
また、本発明においては、前記副成分用原料粉末の量を、主成分用仮焼原料粉末と副成分用原料粉末の合計量に対して、0.1重量%以上35重量%以下としてもよい。種類および量を適宜選択して要求される特性を実現できるからである。
本発明の製造方法によれば、主成分の仮焼原料粉末を予め一括して作製しておき、その一部に、要求特性に応じて副成分を適宜選択して加えることが可能となるので、多様化した要求特性に対しても製造コストの低減が可能な製造方法を提供できる。
本発明の製造方法の一例を示す模式図である。 従来の製造方法の一例を示す模式図である。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のNTCサーミスタ素子の製造方法は、NTCサーミスタ材料からなる複数のサーミスタ層が積層されてなるNTCサーミスタ素子の製造方法であって、NTCサーミスタ材料の主成分となる少なくとも2種の原料粉末を所定比率で混合し、仮焼して主成分用仮焼原料粉末を作製する工程と、該主成分用原料粉末と副成分となる1種または複数種の副成分用原料粉末を混合する工程を含むことを特徴とするものである。以下、図面を参照して本実施の形態について説明する。
図1は、本実施の形態の製造方法の一例を示す模式図である。その例は、主成分用仮焼原料粉末作製工程、副成分用原料粉末添加および混合処理工程、成形工程、積層工程および焼成工程を含んでいる。すなわち、従来は、NTCサーミスタ素子の要求特性に応じてNTCサーミスタ材料の主成分および副成分の原料粉末を所定量秤量し、一度に混合していたのに対し、本実施の形態では、主成分となる少なくとも2種の原料粉末を所定比率で混合して主成分用仮焼原料粉末を作製する工程を設け、後でその主成分用仮焼原料粉末と副成分用原料粉末を混合する点が異なる。
主成分用仮焼原料粉末作製工程では、複数の要求特性のNTCサーミスタ素子に共通する主成分となるように1種または複数の原料粉末を所定量秤量し、分散剤や水、アルコール等の溶媒と共にアトライターやボールミル等の混合・粉砕機に投入し、所定時間、混合および粉砕を行う。得られた混合粉を乾燥して混合粉末を得る。
次いで、乾燥した混合粉末を所定温度で仮焼する。仮焼温度は、600℃以上1000℃以下、好ましくは700℃以上1000℃以下、より好ましくは700℃以上900℃以下である。また仮焼雰囲気は、大気雰囲気または酸素雰囲気を用いることができる。また仮焼時間は、1時間以上10時間以下、好ましくは2時間以上5時間以下である。仮焼により、後の焼成工程でより短時間で焼結を完了させることが可能となる。
副成分用原料粉末添加および混合処理工程では、得られたNTCサーミスタ材料の主成分用仮焼原料粉末と副成分用原料粉末を所定量秤量し、バインダや水、アルコール等の溶媒と共にボールミル等に投入して所定時間混合処理を行ってスラリーを調製する。
成形工程では、得られたスラリーをドクターブレード法等のスラリー成形法を用いて成形加工して、複数のセラミックグリーンシートを作製する。
次いで、例えばAg−Pd等の導電性ペーストを用いて、得られたセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷により、内部電極となる導電性ペースト膜を形成する。
積層工程では、導電性ペースト膜が形成された複数のセラミックグリーンシートを積層し、その複数のセラミックグリーンシートを圧着して、セラミックグリーンシートの積層体を作製する。
焼成工程では、得られたセラミックグリーンシートの積層体を、必要に応じて所定寸法に切断した後、脱バインダ処理を行った後、所定温度で焼成処理を行い、サーミスタ素体を作製する。焼成温度は、1000℃以上1500℃以下、好ましくは1000℃以上1300℃以下である。また焼成雰囲気は、大気雰囲気または酸素雰囲気を用いることができる。また焼成時間は、1時間以上10時間以下、好ましくは2時間以上5時間以下である。
次いで、得られたサーミスタ素体の外表面に、例えばAgをベースとする導電性ペーストを塗布して焼き付け、外部電極を形成する。これにより、NTCサーミスタ素子が得られる。なお、外部電極の表面に電解メッキによりメッキ膜を形成してもよい。
本発明においては、NTCサーミスタ材料は遷移金属複合酸化物からなり、主成分と副成分を含んでいる。副成分は、要求される特性に応じて、抵抗値のバラツキの調整や、負の抵抗温度係数の調整を行うために添加される成分である。主成分には、Mn、Ni、Fe、Co、Al、Ti、Cu、Zr、およびZnからなる群から選択される少なくとも2種の金属の酸化物を用いることができる。これらの金属酸化物を用いることで、所望の特性(B定数、抵抗値)を有するNTCサーミスタ素子を製造することが可能となる。
また、副成分には、Mn、Ni、Fe、Co、Al、Ti、Cu、Zr、およびZnからなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物であって、主成分とは異なる金属の酸化物を用いることができ、要求特性に合わせて選択する。
主成分と副成分の組合せとしては、例えば、以下の組合せを挙げることができる。
(a)主成分:Mn−Ni−Fe系酸化物
副成分:Co酸化物
(b)主成分:Mn−Ni−Fe系酸化物
副成分:Fe−Co系酸化物
(c)主成分:Mn−Ni−Fe系酸化物
副成分:Fe−Ti系酸化物
(d)主成分:Mn−Co−Fe系酸化物
副成分:Ti酸化物
(e )主成分:Mn−Ni系酸化物
副成分:Al酸化物
また、副成分用原料粉末の量は、主成分用仮焼原料粉末と副成分用原料粉末の合計量に対して、0.1重量%以上35重量%以下、好ましくは0.1重量%以上20重量%以下、より好ましくは0.1重量%以上10重量%以下である。
本実施の形態によれば、主成分用仮焼原料粉末を予め一括して作製しておき、その一部に、要求特性に応じて副成分を適宜選択して加えることが可能となるので、多様化した要求特性に対しても製造コストの低減が可能な製造方法を提供できる。
また、本実施の形態で作製する主成分用仮焼原料粉末は、複数の要求特性のNTCサーミスタ素子の製造に使用できるように大量に製造し、保管し、必要に応じて小出しして使用することができる。
なお、上記の形態は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で多くの変形例が可能である。例えば、本発明の製造方法は、複数の要求特性のNTCサーミスタ素子の製造だけでなく、1種の要求特性のNTCサーミスタ素子の製造にも用いることもできる。

Claims (4)

  1. NTCサーミスタ材料からなる複数のサーミスタ層が積層されてなるNTCサーミスタ素子の製造方法であって、
    NTCサーミスタ材料の主成分となる少なくとも2種の原料粉末を所定比率で混合し、仮焼して主成分用仮焼原料粉末を作製する工程と、該主成分用仮焼原料粉末と副成分となる1種または複数種の副成分用原料粉末を混合する工程を含む、該製造方法。
  2. 前記主成分用仮焼原料粉末が、Mn、Ni、Fe、Co、Al、Ti、Cu、Zr、およびZnからなる群から選択される少なくとも2種の金属の酸化物である、請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記副成分用原料粉末が、Mn、Ni、Fe、Co、Al、Ti、Cu、Zr、およびZnからなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物であって、前記主成分用仮焼原料粉末とは異なる金属の酸化物である、請求項1または2に記載の製造方法。
  4. 前記副成分用原料粉末の量が、主成分用仮焼原料粉末と副成分用原料粉末の合計量に対して、0.1重量%以上35重量%以下である、請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962519A (zh) * 2018-07-06 2018-12-07 句容市博远电子有限公司 一种高温热敏电阻材料的制备方法
WO2021112017A1 (ja) * 2019-12-06 2021-06-10 Tdk株式会社 Ntcサーミスタ素子

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107140965B (zh) * 2017-04-25 2020-05-08 山东中厦电子科技有限公司 一种高电阻率、低b值负温度系数热敏材料及其制备方法
CN107093505A (zh) * 2017-05-11 2017-08-25 句容市博远电子有限公司 一种厚膜ntc热敏电阻的制备方法
JP6590004B2 (ja) * 2018-01-15 2019-10-16 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ素子及びその製造方法
CN115536367A (zh) * 2022-09-29 2022-12-30 肇庆市金龙宝电子有限公司 高阻值低b值热敏电阻陶瓷体、制备方法及热敏电阻
CN116283231B (zh) * 2023-01-30 2024-08-09 广东风华高新科技股份有限公司 一种ntc热敏电阻材料及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0869902A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd サーミスタ磁器の製造方法
JPH11251108A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Nippon Soken Inc サーミスタ素子およびその製造方法
JP2001143907A (ja) * 1999-08-30 2001-05-25 Nippon Soken Inc サーミスタ素子
JP2012043911A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Ngk Spark Plug Co Ltd 導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、及びこれを用いた温度センサ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001016966A1 (fr) * 1999-08-30 2001-03-08 Denso Corporation Dispositif a thermistance
CN1305197A (zh) * 2000-11-11 2001-07-25 中国科学院新疆物理研究所 圆片式氧化物热敏电阻
CN102775139B (zh) * 2012-08-20 2014-11-12 肇庆爱晟电子科技有限公司 Ntc热敏半导体陶瓷体材料的制作方法
CN102964119B (zh) * 2012-11-20 2014-01-22 桂林电子科技大学 一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法
CN104193306B (zh) * 2014-08-20 2015-12-30 华南理工大学 一种低电阻率高b值负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0869902A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd サーミスタ磁器の製造方法
JPH11251108A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Nippon Soken Inc サーミスタ素子およびその製造方法
JP2001143907A (ja) * 1999-08-30 2001-05-25 Nippon Soken Inc サーミスタ素子
JP2012043911A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Ngk Spark Plug Co Ltd 導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、及びこれを用いた温度センサ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962519A (zh) * 2018-07-06 2018-12-07 句容市博远电子有限公司 一种高温热敏电阻材料的制备方法
WO2021112017A1 (ja) * 2019-12-06 2021-06-10 Tdk株式会社 Ntcサーミスタ素子
JP2021093391A (ja) * 2019-12-06 2021-06-17 Tdk株式会社 Ntcサーミスタ素子
CN114207747A (zh) * 2019-12-06 2022-03-18 Tdk株式会社 Ntc热敏电阻元件
JP7434863B2 (ja) 2019-12-06 2024-02-21 Tdk株式会社 Ntcサーミスタ素子
US11967445B2 (en) 2019-12-06 2024-04-23 Tdk Corporation NTC thermistor element

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