JP2016131195A - Ntcサーミスタ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明のNTCサーミスタ素子の製造方法は、NTCサーミスタ材料からなる複数のサーミスタ層が積層されてなるNTCサーミスタ素子の製造方法であって、NTCサーミスタ材料の主成分となる少なくとも2種の原料粉末を所定比率で混合し、仮焼して主成分用仮焼原料粉末を作製する工程と、該主成分用原料粉末と副成分となる1種または複数種の副成分用原料粉末を混合する工程を含むことを特徴とするものである。以下、図面を参照して本実施の形態について説明する。
(a)主成分:Mn−Ni−Fe系酸化物
副成分:Co酸化物
(b)主成分:Mn−Ni−Fe系酸化物
副成分:Fe−Co系酸化物
(c)主成分:Mn−Ni−Fe系酸化物
副成分:Fe−Ti系酸化物
(d)主成分:Mn−Co−Fe系酸化物
副成分:Ti酸化物
(e )主成分:Mn−Ni系酸化物
副成分:Al酸化物
Claims (4)
- NTCサーミスタ材料からなる複数のサーミスタ層が積層されてなるNTCサーミスタ素子の製造方法であって、
NTCサーミスタ材料の主成分となる少なくとも2種の原料粉末を所定比率で混合し、仮焼して主成分用仮焼原料粉末を作製する工程と、該主成分用仮焼原料粉末と副成分となる1種または複数種の副成分用原料粉末を混合する工程を含む、該製造方法。 - 前記主成分用仮焼原料粉末が、Mn、Ni、Fe、Co、Al、Ti、Cu、Zr、およびZnからなる群から選択される少なくとも2種の金属の酸化物である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記副成分用原料粉末が、Mn、Ni、Fe、Co、Al、Ti、Cu、Zr、およびZnからなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物であって、前記主成分用仮焼原料粉末とは異なる金属の酸化物である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記副成分用原料粉末の量が、主成分用仮焼原料粉末と副成分用原料粉末の合計量に対して、0.1重量%以上35重量%以下である、請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015004360A JP6406022B2 (ja) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | Ntcサーミスタ素子の製造方法 |
CN201511008869.1A CN105788786B (zh) | 2015-01-13 | 2015-12-29 | Ntc热敏电阻元件的制造方法 |
TW104144775A TWI587323B (zh) | 2015-01-13 | 2015-12-31 | Manufacturing method of NTC thermal resistance device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015004360A JP6406022B2 (ja) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | Ntcサーミスタ素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016131195A true JP2016131195A (ja) | 2016-07-21 |
JP6406022B2 JP6406022B2 (ja) | 2018-10-17 |
Family
ID=56390358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015004360A Active JP6406022B2 (ja) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | Ntcサーミスタ素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6406022B2 (ja) |
CN (1) | CN105788786B (ja) |
TW (1) | TWI587323B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2015
- 2015-01-13 JP JP2015004360A patent/JP6406022B2/ja active Active
- 2015-12-29 CN CN201511008869.1A patent/CN105788786B/zh active Active
- 2015-12-31 TW TW104144775A patent/TWI587323B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6406022B2 (ja) | 2018-10-17 |
TWI587323B (zh) | 2017-06-11 |
CN105788786B (zh) | 2018-11-09 |
CN105788786A (zh) | 2016-07-20 |
TW201633334A (zh) | 2016-09-16 |
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