JP2001143907A - サーミスタ素子 - Google Patents

サーミスタ素子

Info

Publication number
JP2001143907A
JP2001143907A JP2000242285A JP2000242285A JP2001143907A JP 2001143907 A JP2001143907 A JP 2001143907A JP 2000242285 A JP2000242285 A JP 2000242285A JP 2000242285 A JP2000242285 A JP 2000242285A JP 2001143907 A JP2001143907 A JP 2001143907A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor element
metal oxide
temperature
thermistor
mixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000242285A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3776691B2 (ja
Inventor
Ippei Ogata
逸平 緒方
Tasuke Makino
太輔 牧野
Kaoru Kuzuoka
馨 葛岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Soken Inc
Original Assignee
Denso Corp
Nippon Soken Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp, Nippon Soken Inc filed Critical Denso Corp
Priority to JP2000242285A priority Critical patent/JP3776691B2/ja
Publication of JP2001143907A publication Critical patent/JP2001143907A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3776691B2 publication Critical patent/JP3776691B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 室温から1000℃の高温域までの広い温度
範囲にわたって温度が検知でき、熱履歴等による抵抗値
変化の小さいワイドレンジ型サーミスタ素子を得る。 【解決手段】 サーミスタ素子の素子部を(MM´)O
3 で表される複合ペロブスカイト酸化物と、AOx で表
される金属酸化物との混合焼結体(MM´)O3・AO
x で構成する。 金属酸化物AOx として、1300℃
以上の融点を有し、サーミスタ素子形状におけるAOx
単体の抵抗値(1000℃)が1000Ω以上である高
抵抗の耐熱性金属酸化物を用いると、室温〜1000℃
の温度範囲において抵抗値が100Ω〜100kΩの範
囲となり、抵抗値変化も小さくできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、サーミスタ素子、
特に室温から約1000℃程度の高温域までの広い温度
領域にわたって温度検知可能であり、温度センサとして
好適なワイドレンジ型サーミスタ素子とその製造方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、サーミスタ素子を用いた温度
センサが広く用いられている。サーミスタ素子は、温度
によって抵抗値が変化する特徴を有しており、その特性
は、一般に、抵抗値と抵抗温度係数(抵抗値の温度依存
性)によって示される。温度センサとして用いられる場
合、サーミスタ素子の抵抗値は、温度センサを構成する
温度検出回路の抵抗値範囲に対応していることが必要で
あり、通常、使用温度範囲において、100Ω〜100
kΩの範囲にあることが望ましい。また、サーミスタ素
子に熱履歴を与えた場合に、初期抵抗値に対する熱履歴
後の抵抗値変化が小さく、安定した特性を示すことが要
求される。
【0003】サーミスタ素子の抵抗値特性は、素子を構
成する材料によって異なり、使用目的に応じた抵抗値特
性を示す種々の材料が開発されている。例えば、自動車
用排ガス温度、ガス給湯器のガス火炎温度、加熱炉の温
度等、1000℃程度の高温域を検知するサーミスタ素
子には、例えば、特開平7−201528号公報に記載
されるような、ペロブスカイト系材料が主に用いられて
いる。ペロブスカイト系材料は、一般に(MM´)O3
で表されるペロブスカイト構造の複合酸化物よりなり、
上記公報には、Y、Sr、Cr、Fe、Ti等の酸化物
を所定の組成割合で混合し、焼成して完全固溶体とした
サーミスタ素子用の磁器組成物が、高温域で使用されて
安定した特性を示すことが記載されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、室温
から1000℃以上の高温域までの広い温度領域にわた
って温度検知可能な、いわゆるワイドレンジ型サーミス
タ素子の開発が望まれている。しかしながら、上記公報
に記載される従来のサーミスタ素子は、400〜130
0℃程度の中温から高温域の測定には適しているもの
の、室温から400℃程度の低中温域において抵抗値が
増大するために、絶縁との判別ができず、温度検出がで
きないという問題があった。一方、複合ペロブスカイト
酸化物の組成や置換割合を変更することにより、抵抗値
特性を調整することも可能であるが、、低中温域を検出
可能とするために低抵抗値としたサーミスタ素子は、高
温域における抵抗値が低くなりすぎて、所望の抵抗値範
囲(100Ω〜100kΩ)を満足させることができな
い、あるいは、熱履歴等による抵抗値の変化が10〜3
0%程度と大きく安定性に欠ける、といった問題が生じ
ることが判明した。
【0005】このように、室温から1000℃程度の高
温域までの広い温度範囲にわたって温度が検知でき、し
かも、熱履歴等による抵抗値変化の小さいサーミスタ素
子の開発が要求されている。さらに、1000℃程度の
高温に常時晒されるような条件下での使用に耐えるに
は、1400〜1500℃程度まで温度が上昇しても抵
抗値変化がない、高い耐熱性を有することが望ましい。
また、サーミスタ素子と同時焼成されるリード線材料へ
のダメージを小さくするには、焼成温度は低い方がよ
く、例えば1600℃より低い温度で焼成可能な易焼結
性のサーミスタ素子が望まれている。
【0006】そこで、本発明は、室温〜1000℃の温
度範囲において抵抗値が100Ω〜100kΩの範囲に
あり、かつ、熱履歴等に対して抵抗値変化が小さく安定
した特性を示す、低抵抗値特性と抵抗値安定性の両方を
兼ね備えたワイドレンジ型サーミスタ素子を得ることを
第1の目的とする。また、これに加えて、1400〜1
500℃程度の高温でも抵抗値変化がなく高い耐熱性を
示し、あるいは1600℃より低い温度で焼成可能で易
焼結性に優れるサーミスタ素子を得ることを第2の目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1のサー
ミスタ素子は、(MM´)O3 で表される複合ペロブス
カイト酸化物と、AOx で表される金属酸化物との混合
焼結体(MM´)O3・AOx からなり、上記複合ペロ
ブスカイト酸化物(MM´)O3 において、Mが周期律
表第2A族およびLaを除く第3A族の元素から選択さ
れる1種ないしそれ以上の元素であり、M´が周期律表
第3B族、第4A族、第5A族、第6A族、第7A族お
よび第8族の元素から選択される1種ないしそれ以上の
元素であるとともに、上記金属酸化物AOx が、130
0℃以上の融点を有し、サーミスタ素子形状におけるA
Ox単体の抵抗値(1000℃)が1000Ω以上であ
る、高抵抗値の耐熱性金属酸化物であることを特徴とす
る。
【0008】従来の完全固溶体からなるペロブスカイト
型構造のサーミスタ素子は、室温〜1000℃の温度範
囲における抵抗値特性と、熱履歴による安定性の2つの
特性を両立させることができない。そこで、本発明で
は、完全固溶体ではなく、室温〜1000℃の温度範囲
において比較的低い抵抗値特性を有する上記複合ペロブ
スカイト酸化物(MM´)O3 と、高抵抗値かつ高耐熱
性の上記金属酸化物AO x との混合焼結体を用いること
で、両者の特性をそれぞれ有する新規なサーミスタ素子
を実現した。
【0009】すなわち、上記金属酸化物AOx は高抵抗
値であるので、上記複合ペロブスカイト酸化物(MM
´)O3 の高温域における抵抗値を高くすることがで
き、また、融点が高く耐熱性に優れるので、サーミスタ
素子の高温安定性を高めることができる。よって、室温
〜1000℃の温度範囲における抵抗値が100Ω〜1
00kΩの範囲にあり、しかも、熱履歴等による抵抗値
の変化を小さい、安定性に優れるワイドレンジ型サーミ
スタ素子を得ることができ、温度センサ等に好適に使用
されて、広い温度範囲で高い性能を発揮することができ
る。
【0010】請求項2では、上記混合焼結体における上
記複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 のモル分率
をa、上記金属酸化物AOx のモル分率をbとした時
に、aとbが、0.05≦a<1.0、0.05<b≦
0.95、a+b=1の関係を満足するものとする。好
ましくは、上記複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O
3 と上記金属酸化物AOx のモル分率a、bが上記関係
にあると、より確実に上記効果を達成することができ
る。
【0011】請求項3のように、上記効果を得るために
は、上記複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 にお
いて、Mが、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ce、P
r、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb
およびScから選択される1種ないしそれ以上の元素で
あり、M´が、Al、Ga、Ti、Zr、Hf、V、N
b、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、
Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、IrおよびPt
から選択される1種ないしそれ以上の元素であることが
実用上、好ましい。
【0012】請求項4のように、上記金属酸化物AOx
における金属Aとしては、B、Mg、Si、Ca、S
c、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Zn、Ga、G
e、Sr、Zr、Nb、Sn、Ce、Pr、Nd、S
m、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Y
b、Lu、HfおよびTaから選択される1種ないしそ
れ以上の元素が用いられる。
【0013】請求項5のように 具体的には、上記金属
酸化物AOx として、MgO、SiO2 、Sc2 3
TiO2 、Cr2 3 、MnO、Mn2 3 、Fe2
3 、Fe3 4 、NiO、ZnO、Ga2 3 、ZrO
2 、Nb2 5 、SnO2 、CeO2 、Pr2 3 、N
2 3 、Sm2 3 、Eu2 3 、Gd2 3 、Tb
2 3 、Dy2 3 、Ho2 3 、Er2 3 、Tm2
3 、Yb2 3 、Lu2 3 、HfO2 、Ta2 5
から選ばれる一種ないしそれ以上の金属酸化物が挙げら
れる。これら金属酸化物は、いずれも高抵抗値かつ高耐
熱性を示し、サーミスタ素子の性能向上に寄与する。
【0014】請求項6のように、上記金属酸化物AOx
として、Mg、Y、AlおよびSiから選ばれる一種ま
たは二種以上を含む複合金属酸化物を用いることもでき
る。具体的には、請求項7のように、上記金属酸化物A
x として、MgAl2 4、Y2 SiO5 、3Al2
3 ・2SiO2 、YAlO3 、Y3 Al5 12、2M
gO・SiO2 、CaSiO3 およびMgCrO4 から
選ばれる一種ないしそれ以上の複合金属酸化物が挙げら
れ、いずれも、高抵抗値と高耐熱性を示してサーミスタ
素子の性能向上に寄与する。
【0015】請求項8のように、上記金属酸化物AOx
として、MgO、Sc2 3 、ZrO2 、Lu2 3
HfO2 、Cr2 3 、Pr2 3 、Nd2 3 、Sm
2 3 、Eu2 3 、Gd2 3 、Tb2 3 、Dy2
3 、Ho2 3 、Er2 3 、Tm2 3 、Yb2
3 、CeO2 およびMgCrO4 から選ばれる一種ない
しそれ以上の金属酸化物を用いると、耐熱性を向上する
効果が大きく、1400〜1500℃程度の高温にも十
分耐えることができる。
【0016】請求項9のように、上記金属酸化物AOx
として、SiO2 、TiO2 、MnO、Mn2 3 、F
2 3 、Fe3 4 、NiO、ZnO、Ga2 3
Nb 2 5 、SnO2 、Ta2 5 、2MgO・SiO
2 、MgAl2 4 、CaSiO3 、Y2 SiO5 、3
Al2 3 ・2SiO2 、YAlO3 およびY3 Al 5
12から選ばれる一種ないしそれ以上の金属酸化物を用
いると、1600℃より低い温度で焼成可能であり、易
焼結性に優れる。
【0017】請求項10のように、上記混合焼結体に、
焼結助剤としてCaO、CaCO3、SiO2 およびC
aSiO3 のうちの少なくとも一種を添加することもで
きる。これら焼結助剤は、上記混合焼結体の焼結密度を
高め、素子特性を向上させる。
【0018】請求項11の発明は、上記請求項1ないし
請求項10のいずれか記載のサーミスタ素子からなる温
度センサを提供するものである。上記各請求項の構成を
有するサーミスタ素子は、広い温度範囲にわたって温度
が検知でき、安定した特性を有するので、高性能でしか
も耐久性に優れる温度センサを実現することができる。
【0019】請求項12の発明は、上記請求項1ないし
請求項10のいずれか記載のサーミスタ素子を製造する
方法であり、上記複合ペロブスカイト酸化物(MM´)
3と上記金属酸化物AOx とを混合して粉砕し、粉砕
後の混合物の平均粒径を、混合前の上記金属酸化物AO
x の平均粒径以下とした後、所定形状に成形、焼成する
ことを特徴とする。
【0020】本発明のサーミスタ素子を用いた温度セン
サについて、その検出温度精度を調べたところ、室温〜
1000℃の温度域で±20〜30℃の範囲でばらつき
を生じることがわかった。そこで、サーミスタ素子の製
造工程における各条件について調べた結果、上記温度精
度のばらつきが、仮焼成により得られる上記複合ペロブ
スカイト酸化物(MM´)O3 (または(MM´)O3
・AOx )の平均粒径が、これと混合される上記金属酸
化物AOx の平均粒径より大きいために、両者が均一に
混合せずに混合焼結体の組成がばらつき、その結果とし
て、サーミスタ素子の抵抗値がばらつくことに起因する
ことが判明した。そして、上記請求項10の製造方法に
より、両者を混合、粉砕して微粒化し、その平均粒径
を、混合前の上記金属酸化物AOx の平均粒径以下とす
ることで、この組成変動を低減し、抵抗値のばらつきを
低減できることを見出した。よって、この方法によれ
ば、より温度精度のばらつきの少ないワイドレンジ型サ
ーミスタ素子を実現できる。
【0021】請求項13の方法では、上記複合ペロブス
カイト酸化物(MM´)O3 におけるMの原料とM´の
原料とを混合して粉砕し、粉砕後の混合物の平均粒径
を、混合前の上記Mの原料の平均粒径以下でかつO.5
μm以下とした後、仮焼成することにより上記複合ペロ
ブスカイト酸化物(MM´)O3 とし、これを上記金属
酸化物AOx と混合した後、所定形状に成形、焼成す
る。
【0022】上記温度精度のばらつきに影響する他の要
因に、上記複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3
(または(MM´)O3 ・AOx )の仮焼成体自体のば
らつきがあることがわかった。そこで、これを低減する
他の方法として、上記仮焼成体を調製する工程におい
て、Mの原料とM´の原料とを混合、粉砕して微粒化
し、その平均粒径を、所定値以下とすることで、サーミ
スタ素子の抵抗値のばらつきを低減できることを見出し
た。よって、この方法によっても、より温度精度のばら
つきの少ないワイドレンジ型サーミスタ素子を実現でき
る。
【0023】請求項14の方法では、上記複合ペロブス
カイト酸化物(MM´)O3 におけるMの原料とM´の
原料とを混合して粉砕し、粉砕後の混合物の平均粒径
を、混合前の上記Mの原料の平均粒径以下でかつO.5
μm以下とした後、仮焼成することにより上記複合ペロ
ブスカイト酸化物(MM´)O3 とし、得られた上記複
合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 と上記金属酸化
物AOx とを混合して粉砕し、粉砕後の混合物の平均粒
径を、混合前の上記金属酸化物AOx の平均粒径以下と
した後、所定形状に成形、焼成する。
【0024】この方法は、上記請求項12、13の方法
を組み合わせたものであり、両方法の効果を組み合わせ
ることで、さらに温度精度のばらつきを低減したワイド
レンジ型サーミスタ素子を実現できる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のサーミスタ素子は、(MM´)O3で表される
複合ペロブスカイト酸化物と、AOx で表される金属酸
化物とを混合して、焼成した混合焼結体からなり、下記
一般式(1)で示される。 a(MM´)O3 ・bAOx ・・・(1) 式中、aは(MM´)O3 のモル分率を、bはAOx
モル分率を示す。本発明のサーミスタ素子を構成する
(MM´)O3 は、ペロブスカイト構造を有する複合酸
化物で、Mは周期律表第2A族およびLaを除く第3A
族の元素から選択される1種ないしそれ以上の元素を、
M´は周期律表第3B族、第4A族、第5A族、第6A
族、第7A族および第8族の元素から選択される1種な
いしそれ以上の元素を示す。ここで、Laは吸湿性が高
く、大気中の水分と反応して不安定な水酸化物を形成
し、サーミスタ素子を破壊する等の問題があるため、M
として用いない。
【0026】具体的には、Mとなる第2A族の元素とし
ては、例えば、Mg、Ca、Sr、Baが、第3A族の
元素としては、例えば、Y、Ce、Pr、Nd、Sm、
Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Scが挙げられ
る。また、M´となる第3B族の元素としては、例え
ば、Al、Gaが、第4A族の元素としては、例えば、
Ti、Zr、Hfが、第5A族の元素としては、例え
ば、V、Nb、Taが、第6A族の元素としては、例え
ば、Cr、Mo、Wが、第7A族の元素としては、例え
ば、Mn、Tc、Reが、第8族の元素としては、例え
ば、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、I
r、Ptが好適に使用される。
【0027】MとM´の組み合わせは、所望の抵抗値特
性が得られるように、任意に組み合わせることができ、
これらM、M´を適正に選択した複合ペロブスカイト酸
化物(MM´)O3 は、低抵抗値および低抵抗温度係数
(例えば1000〜4000(K))を示す。このよう
な複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 としては、
例えば、Y(Cr,Mn)O3 等が好適に使用される。
なお、MまたはM´として複数の元素を選択した場合、
各元素のモル比は、所望の抵抗値特性に応じて、適宜設
定することができる。
【0028】ただし、複合ペロブスカイト酸化物(MM
´)O3 を単独でサーミスタ材料として用いた場合、抵
抗値の安定性が不十分であり、また、高温域の抵抗値が
低くなる傾向にあるため、本発明では、サーミスタ素子
の抵抗値を安定化し、かつ所望の範囲とする材料とし
て、金属酸化物AOx を混合使用する。従って、金属酸
化物AOx に必要な特性としては、高温域において高
い抵抗値を有すること、かつ耐熱性に優れ、高温にお
いて安定であること、が挙げられる。具体的には、に
ついては、センサとして使用される通常のサーミスタ素
子の寸法形状で、AOx 単体(複合ペロブスカイト酸化
物を含まない)の1000℃での抵抗値が1000Ω以
上であること、については、融点が1300℃以上で
あり、センサの常用最高温度である1000℃よりも十
分高いこと、を満たしていればよい。
【0029】上記、の特性を満足するために、金属
酸化物AOx における金属Aとして、B、Mg、Si、
Ca、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Zn、G
a、Ge、Sr、Zr、Nb、Sn、Ce、Pr、N
d、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Yb、Lu、Hf、Taから選択される1種ないし
それ以上の元素が好適に用いられる。具体的には、金属
酸化物AOx として、MgO、SiO2 、Sc2 3
TiO2 、Cr2 3 、MnO、Mn2 3 、Fe 2
3 、Fe3 4 、NiO、ZnO、Ga2 3 、ZrO
2 、Nb2 5 、SnO2 、CeO2 、Pr2 3 、N
2 3 、Sm2 3 、Eu2 3 、Gd23 、Tb
2 3 、Dy2 3 、Ho2 3 、Er2 3 、Tm2
3 、Yb23 、Lu2 3 、HfO2 、Ta2 5
から選ばれる一種ないしそれ以上の金属酸化物を用いる
ことができる。
【0030】あるいは、金属酸化物AOx として、M
g、Y、AlおよびSiから選ばれる一種または二種以
上を含む複合金属酸化物を用いることもできる。この具
体例としては、MgAl2 4 、Y2 SiO5 、3Al
2 3 ・2SiO2 、YAlO 3 、Y3 Al5 12、2
MgO・SiO2 、CaSiO3 およびMgCrO4
が挙げられ、これらのうちの一種ないしそれ以上の複合
金属酸化物を用いることによっても、上記、の特性
を満足させることができる。
【0031】これら金属酸化物AOx は、その融点で以
下の2つのグループに分類することができる。グループ
1は、融点が2000℃以上の金属酸化物AOx のグル
ープであり、上述した効果(所望の抵抗値特性と抵抗値
安定性)に加えて、サーミスタ素子の耐熱性を大きく向
上させる効果がある。このグループ1に属する金属酸化
物AOx としては、MgO、Sc2 3 、ZrO2 、L
2 3 、HfO2 、Cr2 3 、Pr2 3 、Nd2
3 、Sm2 3 、Eu2 3 、Gd2 3 、Tb2
3 、Dy2 3 、Ho2 3 、Er2 3 、Tm
2 3 、Yb2 3 、CeO2 、MgCrO4 が挙げら
れ、これら金属酸化物を混合したサーミスタ素子は、1
400〜1500℃程度まで温度上昇させても抵抗値が
ほとんど変化することがない。これらの中でも、特に、
MgO、Sc2 3 、ZrO2 、Lu23 、HfO2
は、融点が2400℃以上と高く、サーミスタ素子の耐
熱性を向上させる効果が高いので、1000℃付近の高
温に常時晒されるような環境下で使用される場合に有効
である。
【0032】グループ2は、融点が2000℃より低い
金属酸化物AOx のグループであり、上述した効果(所
望の抵抗値特性と抵抗値安定性)に加えて、サーミスタ
素子の易焼結性を大きく向上させる効果がある。このグ
ループ2に属する金属酸化物AOx としては、Si
2 、TiO2 、MnO、Mn2 3 、Fe2 3 、F
3 4 、NiO、ZnO、Ga2 3 、Nb2 5
SnO2 、Ta2 5 、2MgO・SiO2 、MgAl
2 4 、CaSiO3 、Y2 SiO5 、3Al2 3
2SiO2 、YAlO3 、Y3 Al5 12が挙げられ
る。これら金属酸化物をを混合使用すると、1600℃
より低い温度で焼成が可能になるので、焼成によるリー
ド線材料のダメージを小さくできる利点がある。また、
焼成温度の低下による製作コストの低減が可能である。
【0033】上記(1)に示される混合焼結体におい
て、aは複合酸化物(MM´)O3 のモル分率を、bは
金属酸化物AOx のモル分率を示している。本発明で
は、これらaとbが、0.05≦a<1.0、0.05
<b≦0.95、a+b=1の関係を満足することが望
ましく、この範囲で、aとbを適宜選択することによ
り、所望の低抵抗値と低抵抗温度係数を実現することが
できる。このように、広い範囲でa、bを変えることが
できるので、これら抵抗値特性を広い範囲で種々制御す
ることができる。
【0034】また、この混合焼結体は、焼結助剤として
CaO、CaCO3 、SiO2 、CaSiO3 のうちの
少なくとも一種を含有することもできる。これら焼結助
剤は、複合酸化物(MM´)O3 と金属酸化物AOx
混合物の焼成温度において液相を形成し、焼結を促進す
る効果がある。これにより、得られる混合焼結体の焼結
密度が向上し、サーミスタ素子の抵抗値を安定化すると
ともに、焼成温度の変動に対して抵抗値のばらつきが低
減できる。これら焼結助剤の添加量は、その種類に応じ
て適宜調製される。
【0035】図1、2に、上記混合焼結体よりなるサー
ミスタ素子1およびこれを用いた温度センサSの一例を
示す。図1のように、サーミスタ素子1は、平行な2本
のリード線11、12の各端部が素子部13に埋設され
た形状を有し、上記混合焼結体を、例えば外径1.60
mmの円柱形に成形して素子部13となしている。この
サーミスタ素子1を、図2に示す一般的な温度センサア
ッシーに組み込んで温度センサSとする。図2(a)に
示すように、温度センサSは、筒状の耐熱性金属ケース
2を有し、サーミスタ素子1は、その左半部内に配置さ
れている。金属ケース2の右半部には、外部より延びる
金属パイプ3の一端が位置している。金属パイプ3は、
図2(b)に示すように、内部にリード線31、32を
保持しており、これらリード線31、32は、金属パイ
プ3の内部を通って金属ケース2内に至り、サーミスタ
素子1のリード線11、12にそれぞれ接続される(図
2(a))。リード線11、12は、例えば、線径0.
3mm、長さ10.5mmとし、材質はPt100(純
白金)とする。なお、図2(b)に示すように、金属パ
イプ3の内部には、マグネシア粉体33が充填されてお
り、金属パイプ3内のリード線31、32の絶縁を確保
している。
【0036】ここで、リード線11、12の線径、長さ
等は、温度センサの形状、寸法および温度センサの使用
環境条件に応じて、任意に選択できる。また、リード線
11、12の材質もPt100(純白金)以外に、サー
ミスタ素子1の焼成温度に耐え得る融点を持ち、リード
線としての導電性が得られる他の材質、例えば、Pt8
0Ir20(白金80%イリジウム20%)等の高融点
金属を用いてもよい。さらに、リード線抜けを防止する
目的で、その断面形状を、円形以外の、例えば矩形、半
円等の形状としたり、リード線11、12表面にローレ
ット加工等で凹凸を付与することも可能である。
【0037】次に、上記サーミスタ素子1を製造する方
法について述べる。以下に、基本的な製造方法(1)と
その一部を変更した製造方法(2)、(3)を示すが、
いずれの方法においても、その製造工程は大きく、仮焼
成により(MM´)O3 または(MM´)O3 ・AOx
の仮焼成体を得る第1の調製工程と、得られた仮焼成体
とAOx を調合して所定形状の混合焼結体とし、サーミ
スタ素子を得る第2の調製工程に分かれる。
【0038】基本的な製造方法(1)において、第1の
調製工程では、まず、MおよびM´の原料となるこれら
元素の酸化物(MOx 、M´Ox )等の粉末を準備し、
これらを所望の組成となるように調合する(調合(1)
工程)。次いで、この調合物に水等を加え、ボールミル
等で混合した後(混合工程)、熱風乾燥し、ライカイ機
等を用いて粗粉砕して混合粉体を得る。この混合粉体を
仮焼成して、仮焼成体(MM´)O3 とする(仮焼成工
程)。仮焼成温度は、通常、1000〜1500℃程度
とする。なお、組成の均一性を図るために、混合工程で
バインダーを添加し、スプレードライヤーにより造粒、
乾燥した混合粉体を用いて仮焼成を行ってもよく、仮焼
成を2回以上実施することもできる。また、MおよびM
´の原料としては酸化物以外の化合物を用いることもで
きる。
【0039】そして、第2の調製工程では、得られた仮
焼成体とAOx を、所望の抵抗値と抵抗温度係数となる
ようなモル分率a、bで調合し(調合(2)工程)、
水、バインダー等を加えて混合、粉砕する(混合・粉砕
工程)。これをスプレードライヤー等を用いて造粒、乾
燥し(造粒・乾燥工程)、Pt等よりなるリード線を組
み込んだ所定形状に金型成形した後(成形工程)、焼成
することにより(焼成工程)、混合焼結体(MM´)O
3 ・AOx からなるサーミスタ素子が得られる。焼成温
度は、通常、1200〜1700℃程度とし、サーミス
タ特性が最も安定するような温度を適宜選択する。
【0040】成形工程では、予めリード線をインサート
した金型を用いて成形を行っても、成形後に、リード線
を付与するための穴を開け、リード線を装填して焼成し
てもよい。また、焼成後にリード線を接合形成すること
もできる。あるいは、サーミスタ素子の原料に、バイン
ダー、樹脂材料等を混合添加して、押出成形に適当な粘
度、硬さに調整し、押出成形して、リード線を付与する
ための穴が形成されたサーミスタ素子の成形体を得、リ
ード線を装填して焼成することで、リード線が形成され
たサーミスタ素子を得ることができる。
【0041】このようにして得られるサーミスタ素子
は、ペロブスカイト系化合物である(MM´)O3 と金
属酸化物AOx とが粒界を介して均一混合された混合焼
結体となっている。このサーミスタ素子は、室温(例え
ば27℃)から1000℃程度の高温域において、温度
センサに必要な100Ωから100kΩの低抵抗値を示
し、また、抵抗温度係数βが、2000から4000
(K)の範囲に調整可能であるので、温度変動に伴う抵
抗値のばらつきを小さくできる。さらに、室温から10
00℃程度の熱履歴における抵抗変化率ΔRは、数%程
度のレベルを安定して実現することができる。よって、
室温から1000℃の広い温度範囲で温度を検知可能
で、熱履歴による抵抗値変化が小さく、安定した特性を
有するワイドレンジ型サーミスタ素子となる。 さら
に、グループ1の金属酸化物AOx を選択した場合に
は、1400〜1500℃程度の高温にも耐え得る高い
耐熱性が得られ、グループ1の金属酸化物AOx を選択
した場合には、易焼結性が向上し1600℃より低い温
度で焼成が可能になる。
【0042】なお、混合焼結体(MM´)O3 ・AOx
において、Mとなる成分元素にAが含まれる場合には、
第1の調製工程中、MおよびM´の原料粉末を調合する
工程で、予めMの酸化物としてのAOx を過剰に加えて
混合、仮焼成し、仮焼成体(MM´)O3 ・AOx を得
るようにしてもよい。この場合には、次いで、第2の調
製工程で、所望のモル比(a:b)の混合焼結体となる
ように、仮焼成体に適宜AOx 等を混合し、造粒、成形
した後、焼成して、混合焼結体とする。
【0043】製造方法(2)は、上記基本的な製造方法
(1)の工程を一部変更したものである。すなわち、こ
の製造方法(2)では、上記第2の調製工程中、仮焼成
体とAOx 等を混合、粉砕する工程において、粉砕後に
おける混合物の平均粒径が、混合前のAOx の平均粒径
以下となるようにする。得られる混合物を微粒化するた
めの、具体的手段としては、媒体攪拌ミル等を使用する
ことができる。粉砕媒体としては、例えばZrO2 製ボ
ール(φ0.5mm程度)が用いられる。その後、同様
にして、造粒・乾燥、成形、焼成の各工程を経てサーミ
スタ素子とする。
【0044】上記製造方法(1)に基づいて作製した多
数の温度センサの抵抗値−温度データから、その温度精
度を評価したところ、温度精度のばらつき幅(±A℃)
が、±20〜30℃にばらついていることがわかった。
一方、サーミスタ材料をSEM、EPMA等により観察
したところ、第1の調製工程にて得られる仮焼成体の平
均粒径(例えば(MM´)O3 の場合、2〜5μm)
が、これと混合されるAOx の平均粒径(例えばDy2
3 の場合、1.0μm以下)よりも大きく、このため
に両者が均一に混合せず、混合焼結体の組成分布がばら
つくことがわかった。
【0045】そこで、製造方法(2)のように、混合、
粉砕工程において、仮焼成体とAO x 等の混合物を微粒
化する。これにより、各成分の均一混合が図られて、混
合焼結体の組成変動を低減することができ、その結果、
サーミスタ素子の抵抗値のばらつきを低減できる。この
方法により、温度精度のばらつき幅(±A℃)は、±1
0℃以下に低減でき、従って、上記製造方法(1)の効
果に加えて、より良好なセンサ温度精度を示す(センサ
毎の温度精度のばらつきの少ない)、信頼性の高いワイ
ドレンジ型サーミスタ素子が得られる。
【0046】さらに、製造方法(3)のように、上記第
1の調製工程中、調合したM´の酸化物およびMの酸化
物等の原料粉末を混合する工程において、M´の原料を
Mの原料とともに混合、粉砕して、混合粉砕物の平均粒
径が、混合前のMの原料の平均粒径以下で、かつ0.5
μm以下となるようにすることもできる。得られる混合
物を微粒化するための、具体的手段としては、上記製造
方法(2)で用いた媒体攪拌ミル等を使用することがで
きる。その後、同様にして、仮焼成を行い、第2の調製
工程を経てサーミスタ素子とする。
【0047】この方法では、MおよびM´の混合物を微
粒化することにより、各成分の均一混合が図られて、仮
焼結体の組成のばらつきを低減するとともに、原料の未
反応物が仮焼結体内に残留するのを抑制して、サーミス
タ素子の抵抗値のばらつきを低減できる。従って、この
方法によれば、上記製造方法(1)の効果に加えて、よ
り良好なセンサ温度精度を示す(センサ毎の温度精度の
ばらつきの少ない)、信頼性の高いワイドレンジ型サー
ミスタ素子を実現できる。
【0048】なお、上記製造方法(3)において、第2
の調製工程中、調合したM´の酸化物における混合、粉
砕工程は、製造方法(1)のように、通常のボールミル
等による粉砕でもよいが、製造方法(2)と同様の、媒
体攪拌ミル等を用いて微粒化する方法を採用してもよ
い。これによって、本方法による上記効果に加えて、第
2の調製工程の混合、粉砕工程の後工程(成形、焼成工
程)において、仮焼成体とAOx 等との均一混合が図ら
れるという、上記製造方法(2)の効果が付与され、よ
り高いレベルでサーミスタ素子の抵抗値のばらつきを低
減できる。
【0049】また、上記製造方法(2)、(3)により
得られるサーミスタ素子を用いた温度センサは、温度精
度が±10℃以下に抑制されるので、高度な温度精度を
要求されるマップ制御装置、例えば自動車の排気ガス用
酸素センサの温度モニタ等に好適に用いられる。
【0050】
【実施例】(実施例1)図3に示す製造工程に基づき、
複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 におけるMを
Y、M´をCrおよびMnとし、金属酸化物AOx をD
2 3 とした、混合焼結体aY(Cr0.5 Mn0.5
3 ・bDy2 3 よりなるサーミスタ素子を試作し
た。この時、表1に示すように、Y(Cr0.5
0.5 )O3 とDy2 3 のモル比(a:b,a、bは
モル分率)を36:64とした(実施例1)。また、同
様にしてモル比(a:b)を95:5、95:5に変更
したサーミスタ素子を製作し、それぞれ実施例1A、1
Bとした。なお、この製造工程は、上述した製造方法
(1)に対応し、Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 の仮焼成
物を得る第1の調製工程と、得られた仮焼成物とDy2
3 とからサーミスタ素子を得る第2の調製工程とに分
かれている。
【0051】第1の調製工程では、まず、出発原料とし
て、いずれも純度99.9%以上のY2 3 、Cr2
3 およびMn2 3 の粉末を用意し、Y:Cr:Mnの
モル比が2:1:1となるように、それぞれ秤量して、
全量を500gとした(調合(1)工程)。なお、Y2
3 、Cr2 3 およびMn2 3 の平均粒径は、それ
ぞれ1.0μm、2.0〜4.0μm、7.0〜15.
0μmであった。次いで、この秤量物を混合するための
ボールミルとして、Al2 3 またはZrO2製の玉石
(φ15:2.5kg、φ20:2.5kg)を入れた
樹脂製ポット(容量5リットル)を用い、この中に秤量
物の全量と、純水1500mlを加えた後、回転数60
rpmで6〜12時間混合した(混合工程)。混合処理
後の混合スラリーをレーザ式粒度計で評価した結果、平
均粒径は1.7μmであった(表2参照)。
【0052】得られたY2 3 、Cr2 3 およびMn
2 3 を含む混合スラリーを磁器製の蒸発皿に移し、熱
風乾燥機にて150℃で12時間以上乾燥した。続い
て、ライカイ機で粗粉砕し、#30メッシュの篩いを通
して、Y2 3 、Cr2 3 およびMn2 3 の混合粉
体を得た。この混合粉体を、99.3%Al2 3 製の
ルツボに入れ、大気中、高温炉にて1100〜1300
℃で1〜2時間仮焼成した(仮焼成工程)。これによ
り、塊状のY(Cr0.5 Mn0.5 )O3 の仮焼成体が得
られ、これをさらにライカイ機で粗粉砕した後、#30
メッシュの篩いを通して粉体とした。
【0053】次に、第2の調製工程において、上記第1
の調製工程で得られたY(Cr0.5Mn0.5 )O3 の粉
体と、市販のDy2 3 の粉体(純度99.9%以上、
平均粒径1.0μmを、モル比が表1に示す所定比とな
るように、それぞれ秤量して、全量を500gとした。
この時、Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 、Dy2 3 のモ
ル分率をそれぞれa、b(a+b=1)とすれば、モル
比=a:bであり、例えばモル比が36:64の実施例
1では、a=0.36、b=0.64となる。また、焼
結助剤として、焼成時に1500〜1650℃の範囲で
液相となるSiO2 とCaCO3 を用い、上記Y(Cr
0.5 Mn0.5 )O3 とDy2 3 の全量(500g)に
対して、SiO2 を3重量%、CaCO3 を4.5重量
%添加した(調合(2)工程)。
【0054】次いで、これらY(Cr0.5 Mn0.5 )O
3 、Dy2 3 、SiO2 およびCaCO3 を、上記第
1の調製工程の混合工程で使用したのと同様のボールミ
ルに入れ、純水1500mlと、バインダーとしてポリ
ビニルアルコール(PVA)を加えた後、回転数60r
pmで4時間以上混合、粉砕した(混合・粉砕工程)。
なお、バインダーとしてのポリビニルアルコール(PV
A)は、Y(Cr0.5Mn0.5 )O3 とDy2 3 の混
合粉体100g当たり1g添加した。得られた混合粉砕
スラリーをレーザ式粒度計で評価した結果、平均粒径は
2.5μmであった(表2参照)。
【0055】この混合粉砕スラリーを、スプレードライ
ヤーで造粒、乾燥し、Y(Cr0.5Mn0.5 )O3 とD
2 3 を含む混合粉体を得た(造粒・乾燥工程)。こ
の混合粉体をサーミスタ原料とし、上記図1に示したの
と同様の形状のサーミスタ素子1を作製した。リード線
11、12は、外径0.3mm、長さ10.5mmの純
白金(Pt100)製のものとし、これをインサートし
た外径1.74mmの金型を用いて、圧力約1000k
gf/cm2 で成形することにより、リード線が埋設さ
れた外径1.75mmの成形体を得た(成形工程)。
【0056】サーミスタ素子1の素子部13となるこの
成形体を、次に、Al2 3 製波型セッタに並べ、大気
中、1600℃で1時間焼成した。このようにして、混
合焼結体aY(Cr0.5 Mn0.5 )O3 ・bDy2 3
よりなる外径1.60mmのサーミスタ素子1を得た
(焼成工程)。このようにして得られた、調合モル比
(a:b)の異なる実施例1、1A、1Bのサーミスタ
素子1を、それぞれ、上記図2に示す一般的な温度セン
サアッシーに組み込んで温度センサSとした。
【0057】次に、実施例1、1A、1Bのサーミスタ
素子を組み込んだ温度センサを、高温炉に入れ、室温
(27℃)から1000℃における抵抗値の温度特性を
評価した。結果を表1に併記する。ここで、抵抗温度係
数βは、下記式(2) β(K)=ln(R/R0 )/(1/K−1/K0 )・・・(2) で表される。式中、lnは自然対数、RおよびR0 はそ
れぞれ大気中で室温(300K)および1000℃(1
273K)におけるサーミスタ素子の抵抗値を示す。ま
た、抵抗変化率ΔRは、各温度センサを、大気中110
0℃で100時間放置の高温耐久試験に供した時の、温
度センサの抵抗値変化を示すものであり、下記式(3)
で表される。 ΔR(%)=(R´t /Rt )×100−100・・・(3) 式中、Rt は所定温度t(例えば500℃)における初
期抵抗値、R´t は100時間放置後の所定温度tにお
ける抵抗値を示す。
【0058】表1の結果に示されるように、室温〜10
00℃の温度範囲において、抵抗値が110Ω〜100
kΩの範囲にあり、抵抗温度係数βが2200〜248
0Kと望ましい範囲内にある。また、抵抗変化率ΔRも
数%程度のレベルを安定して実現できることが確認でき
た。よって、室温〜1000℃の広い温度範囲にわたっ
て温度を検知可能で、室温〜1000℃の熱履歴におけ
る抵抗変化率ΔRが小さく安定した特性を有するサーミ
スタ素子を得ることができる。
【0059】また、実施例1のサーミスタ素子を組み込
んだ温度センサについて、温度精度を評価した結果を表
2に併記した。評価方法は、以下のようにした。同様の
方法で作製した多数(例えば100台)の温度センサの
抵抗値−温度データから、所定温度(例えば500℃)
の抵抗値の標準偏差σ(シグマ)を算出し、標準偏差σ
の6倍を抵抗値のばらつき幅(両側)とし、この抵抗値
ばらつき幅を温度換算した値を半分にした値Aとして、
温度精度±A℃と表記する。表2にはこのA値を記載し
ており、その結果、センサ毎の温度精度を示す±A℃
は、±23℃であり、ばらつきの範囲は十分実用的な値
であることがわかった。
【0060】
【表1】
【0061】
【表2】
【0062】(実施例2)図4に示す製造工程に基づ
き、上記実施例1と同じ組成の混合焼結体aY(Cr
0.5 Mn0.5 )O3 ・bDy2 3 よりなるサーミスタ
素子を、異なる方法で試作した。この時、表1に示すよ
うに、Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 とDy2 3 のモル
比(a:b)を36:64とした(実施例2)。また、
同様に、モル比(a:b)を95:5、95:5とした
サーミスタ素子を作製し、それぞれ実施例2A、2Bと
した。なお、この製造工程は、上述した製造方法(2)
に対応し、第2の調製工程における混合・粉砕工程をボ
ールミルでなく媒体攪拌ミルで行う点で実施例1の方法
と異なっている。
【0063】第1の調製工程では、上記実施例1と同様
に原料となるY2 3 、Cr2 3およびMn2 3
秤量(調合(1)工程)、ボールミルによる混合(混合
工程)を行って混合スラリーを得た。この混合スラリー
をレーザ式粒度計で評価した結果、平均粒径は1.7μ
mであり(表2参照)、混合前のDy2 3 の平均粒径
(1.0μm)よりも大きい。
【0064】このY2 3 、Cr2 3 およびMn2
3 を含む混合スラリーを磁器製の蒸発皿に移し、熱風乾
燥機にて100〜150℃で12〜17時間乾燥した。
続いて、ライカイ機で粗粉砕し、#30メッシュの篩い
を通して、Y2 3 、Cr23 およびMn2 3 の混
合粉体を得た。この混合粉体を、99.3%Al2 3
製のルツボに入れ、大気中で高温炉にて1100℃で2
時間仮焼成した(仮焼成工程)。これにより、塊状のY
(Cr0.5 Mn0.5 )O3 の仮焼成体が得られ、これを
さらにライカイ機で粗粉砕した後、#30メッシュの篩
いを通して粉体とした。
【0065】次に、第2の調製工程において、上記第1
の調製工程で得られたY(Cr0.5Mn0.5 )O3 の粉
体(平均粒径2〜5μm)と、市販のDy2 3 の粉体
(純度99.9%以上、平均粒径1.0μmを、モル比
(a:b)が所定比となるように、それぞれ秤量して、
全量を2000gとした。また、焼結助剤として、焼成
時に1500〜1650℃の範囲で液相となるSiO2
とCaCO3 を用い、上記Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3
とDy2 3 の全量(2000g)に対して、SiO2
を3重量%の60g、CaCO3 を4.5重量%の90
gを添加した(調合(2)工程)。
【0066】次いで、これらY(Cr0.5 Mn0.5 )O
3 、Dy2 3 、SiO2 およびCaCO3 の微粒化
を、媒体攪拌ミルとしてパールミル装置(アシザワ
(株)製RV1V、有効容積:1.0リットル 実容
量:0.5リットル)を使用して行った。この工程で
は、粉砕媒体としてZrO2 製ボール(直径0.5m
m)3.0kgを使用して攪拌槽体積の80%を充填
し、粉砕原料2150gに対して分散媒としての蒸留水
4.5リットルと、バインダー、離型剤および分散剤を
添加して、10時間の混合・粉砕を行った。操作条件
は、周速12m/sec、回転数転3110rpmと
し、バインダーとしてポリビニルアルコール(PVA)
を、粉砕原料100g当たり1g添加した。得られた混
合粉砕スラリーをレーザ式粒度計で評価した結果、平均
粒径は0.4μmであった(表2参照)。
【0067】この混合粉砕スラリーを、スプレードライ
ヤーで乾燥室入口温度200℃、出口温度120℃の条
件で造粒、乾燥した(造粒・乾燥工程)。得られた造粒
粉は平均粒径30μmの球状であり、この造粒粉をサー
ミスタ原料として、実施例1と同様にサーミスタ素子の
成形を行った(成形工程)。得られたサーミスタ素子の
成形体を、Al2 3 製の波型セッタに配し、大気中、
1600℃で1時間焼成してサーミスタ素子を得た(焼
成工程)。このようにして得た実施例2、2A、2Bの
サーミスタ素子を、さらに、上記実施例1と同様の方法
で、温度センサに組み込み、各温度センサの抵抗値の温
度特性を評価して結果を表1に併記した。また、実施例
2のサーミスタ素子について、温度精度を評価した結果
を表2に併記した。
【0068】表1のように、実施例2、2A、2Bのサ
ーミスタ素子は、抵抗値の温度特性において、実施例
1、1A、1Bとそれぞれ同様の値を示し、低抵抗値、
低抵抗温度係数の同様の効果を有する。このように、異
なる製法であっても、調合モル比毎に同様の抵抗値温度
特性が得られることがわかる。また、温度精度について
は、表2に明らかなように、実施例1では±23℃であ
った温度精度が、実施例2では、±10℃に低減してお
り、本実施例の方法により、ばらつきを小さくできるこ
とがわかる。
【0069】(実施例3)図5に示す製造工程に基づ
き、上記実施例1と同じ組成の混合焼結体aY(Cr
0.5 Mn0.5 )O3 ・bDy2 3 よりなるサーミスタ
素子を、異なる方法で試作した。この時、表1に示すよ
うに、Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 とDy2 3 のモル
比(a:b)を36:64とした。また、同様に、モル
比(a:b)を95:5、95:5としたサーミスタ素
子を作製し、それぞれ実施例3A、3Bとした。なお、
この製造工程は、上述した製造方法(2)と製造方法
(3)を組み合わせたもので、第1の調製工程における
混合工程と、第2の調製工程における混合・粉砕工程に
おいて、ともに媒体攪拌ミルを用いる。
【0070】第1の調製工程では、上記実施例1と同様
に原料となるY2 3 、Cr2 3およびMn2 3
秤量して、全量2000gを混合原料とした(調合
(1)工程)。次いで、この混合原料を、媒体攪拌ミル
を用いて微粒化した。媒体攪拌ミルには、上記実施例2
で用いたのと同様のパールミル装置を用い、混合原料2
036gに対して分散媒として蒸留水4.5リットル
と、バインダー、離型剤および分散剤を添加して、10
時間の混合・粉砕を行った(混合工程)。操作条件は、
周速12m/sec、回転数転3110rpmとし、バ
インダーとしてポリビニルアルコール(PVA)を、混
合原料2036g当たり20g添加した。この混合・粉
砕処理した原料スラリーをレーザ式粒度計で評価した結
果、平均粒径は0.3μmであった(表2参照)。これ
は、混合前のY2 3 の平均粒径(1.0μm)よりも
小さく、かつ0.5μmより小さい。
【0071】得られた原料スラリーを、スプレードライ
ヤーで乾燥室入口温度200℃、出口温度120℃の条
件で乾燥した。得られた原料粉は平均粒径30μmの球
状であり、この原料粉を99.3%Al2 3 製のルツ
ボに入れ、大気中で高温炉にて1100〜1300℃で
1〜2時間仮焼成した(仮焼成工程)。仮焼成で塊状の
固形となったY(Cr0.5 Mn0.5 )O3 を、ライカイ
機で粗粉砕し、#30メッシュの篩いを通して粉体とし
た。
【0072】次いで、第2の調製工程で、得られたY
(Cr0.5 Mn0.5 )O3 を含む粉体とDy2 3 の粉
体(平均粒径1.0μm)を所定比となるように秤量し
て、全量を2000gとした。また、焼結助剤として、
SiO2 を3重量%の60g、CaCO3 を4.5重量
%の90gを添加した(調合(2)工程)。これを、媒
体攪拌ミルとしてのパールミル装置を用いて微粒化した
(混合・粉砕工程)。この工程における混合、粉砕条件
は、上記第1の調製工程の混合工程と同じである。得ら
れた混合粉砕スラリーをレーザ式粒度計で評価した結
果、平均粒径は0.3μmであった(表2参照)。これ
は、混合前のDy2 3 の平均粒径(1.0μm)より
も小さい。
【0073】この混合粉砕スラリーを、上記実施例1と
同様の方法で、スプレードライヤーで造粒、乾燥し(造
粒・乾燥工程)、成形した後(成形工程)、焼成してサ
ーミスタ素子とした(焼成工程)。このようにして得た
実施例3、3A、3Bのサーミスタ素子を、さらに、同
様にして温度センサに組み込み、各温度センサの抵抗値
の温度特性を評価して結果を表1に併記した。また、実
施例3のサーミスタ素子について、温度精度を評価した
結果を表2に併記した。
【0074】表1のように、実施例3、3A、3Bのサ
ーミスタ素子は、抵抗値の温度特性において、実施例
1、1A、1Bとそれぞれ同様の値を示した。このよう
に、本実施例の方法によっても、抵抗値の温度特性に関
して上記各実施例と同様の効果が得られ、抵抗値の温度
特性が調合モル比に依存することがわかる。また、温度
精度について、表2に明らかなように、実施例2では±
10℃であった温度精度が、実施例3では、±5℃とさ
らに低減しており、本実施例の方法により、ばらつきを
より小さくできることがわかる。
【0075】(実施例4)図6に示す製造工程に基づ
き、上記実施例1と同じ組成の混合焼結体aY(Cr
0.5 Mn0.5 )O3 ・bDy2 3 よりなるサーミスタ
素子を、異なる方法で試作した。この時、表1に示すよ
うに、Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 とDy2 3 のモル
比(a:b)を36:64とした(実施例4)。また、
同様にモル比(a:b)を95:5、95:5としたサ
ーミスタ素子を作製し、それぞれ実施例4A、4Bとし
た。なお、この製造工程は、上述した製造方法(3)に
対応するもので、第1の調製工程における混合工程にお
いて媒体攪拌ミルを用いる。つまり、第2の調製工程に
おける混合・粉砕工程で媒体攪拌ミルに代わりにボール
ミルを用いる点で、上記実施例3と異なっている。
【0076】第1の調製工程は、上記実施例3と同様で
あり、原料の秤量(調合(1)工程)、媒体攪拌ミルに
よる混合・粉砕を行った後(混合工程)、仮焼成した
(仮焼成工程)。なお、本実施例においても、混合・粉
砕処理した原料スラリーをレーザ式粒度計で評価した結
果、平均粒径は0.3μmであり(表2参照)、混合前
のY2 3 の平均粒径(1.0μm)よりも小さく、か
つ0.5μmより小さいことが確認された。
【0077】第2の調製工程では、Y(Cr0.5 Mn
0.5 )O3 の粉体とDy2 3 の粉体(平均粒径1.0
μm)を所定比となるように秤量して、全量を2000
gとしし(調合(2)工程)、次いで、この秤量物をボ
ールミル装置を用いて混合、粉砕した。ボールミル装置
としては、Al2 3 製の玉石(φ15:10kg、φ
20:10kg)を入れた樹脂製ポット(容量20リッ
トル)を用い、この中に秤量物の全量と、純水6000
mlを加えた後、回転数60rpmで6時間混合、粉砕
した(混合・粉砕工程)。得られた混合粉砕スラリーを
レーザ式粒度計で評価した結果、平均粒径は1.6μm
であった(表2参照)。これは、混合前のDy2 3
平均粒径(1.0μm)よりも大きい。
【0078】この混合粉砕スラリーを、上記実施例1と
同様にスプレードライヤーで造粒、乾燥し(造粒・乾燥
工程)、成形した後(成形工程)、焼成してサーミスタ
素子とした(焼成工程)。このようにして得た実施例
4、4A、4Bのサーミスタ素子を、同様にして温度セ
ンサに組み込み、各温度センサの抵抗値の温度特性を評
価して結果を表1に併記した。また、実施例4のサーミ
スタ素子について、温度精度を評価した結果を表2に併
記した。
【0079】表1のように、実施例4、4A、4Bのサ
ーミスタ素子は、抵抗値の温度特性において、実施例
1、1A、1Bとそれぞれ同様の値を示した。このよう
に、本実施例の方法によっても、抵抗値の温度特性に関
して上記各実施例と同様の効果が得られ、抵抗値の温度
特性が調合モル比に依存することがわかる。また、温度
精度は、表2のように、実施例3では±9℃と良好な値
が得られ、第1の調製工程で微粒化を行うことによって
も、実施例1の±23℃に対しばらつきを小さくできる
ことがわかる。
【0080】(比較例1)比較のために、抵抗値を安定
化するDy2 3 を用いずに、Y(Cr0.5 Mn 0.5
3 の単独組成としたサーミスタ素子を試作した。Dy
2 3 を添加しない以外は、実施例1と同様の方法で、
Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 よりなるサーミスタ素子を
作製し、温度センサとして評価した。評価方法は実施例
1と同様とし、結果を表3に示す。表3から明らかなよ
うに、Dy2 3 を用いない場合には、1000℃の高
温域での抵抗値(40Ω)が低すぎるため温度を検出で
きない。また、高温耐久試験(抵抗変化率)の結果から
も、抵抗変化率ΔRが、±20%を越え、安定化した抵
抗値の温度特性を持つサーミスタ素子を得ることができ
ない。
【0081】(比較例2)比較のために、抵抗値を安定
化するDy2 3 を用いず、YTiO3 の単独組成とし
たサーミスタ素子を試作した。出発原料として、Y2
3 、TiO2 を用い、Dy2 3 を添加しない以外は、
実施例1と同様の方法で、YTiO3 よりなるサーミス
タ素子を作製し、温度センサとして評価した。評価方法
は実施例1と同様とし、結果を表3に示した。表3から
明らかなように、Dy2 3 を用いない場合には、室温
(27℃)の低温域での抵抗値が著しく高く、1000
KΩより大となるため、温度を検出できなかった。ま
た、高温耐久試験(抵抗変化率)の結果からも、抵抗変
化率ΔRが、±20%を越え、安定化した抵抗値の温度
特性を持つサーミスタ素子を得ることができない。
【0082】
【表3】
【0083】(実施例5〜8)図7に示す製造工程に基
づき、複合ペロブスカイト酸化物Y(Cr0.5
0. 5 )O3 と、表2に示す種々の金属酸化物AOx
らなるサーミスタ素子を試作した。AOx としては、P
2 3 (実施例5)、Sm2 3 (実施例6)、Nd
2 3 (実施例7)、MgO(実施例8)をそれぞれ用
いた。本実施例の製造工程は、基本的に上記実施例3と
同様であり、第1の調製工程における混合工程と、第2
の調製工程における混合・粉砕工程において、ともに媒
体攪拌ミルを用いて材料の微粒化処理を行う。
【0084】第1の調製工程では、上記実施例3と同様
の方法で、Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 の粉体を得た。
第2の調製工程は、調合(2)工程において、Dy2
3 に代えて上記各種金属酸化物AOx を用いた以外は、
上記実施例3と同様とした。ここで、これら金属酸化物
とY(Cr0.5 Mn0.5 )O3 のモル比は、それぞれ表
4〜7に示すようにし、上記実施例3と同様の方法でサ
ーミスタ素子を作製した(実施例5〜8)。なお、原料
として使用したPr2 3 、Sm2 3 、Nd 2 3
MgOはいずれも純度99.9%以上であり、平均粒径
はPr2 3 が1.0μm、Sm2 3 が1.0μm、
Nd2 3 が1.0μm、MgOが2μmであった。
【0085】また、同様の方法で、実施例5〜8の各金
属酸化物とY(Cr0.5 Mn0.5 )O3 のモル比を、そ
れぞれ表4〜7に示すように変更した、種々のサーミス
タ素子を作製した(実施例5A〜8A、5B〜8B)。
このようにして得られたサーミスタ素子を、温度センサ
に組み込んで、その抵抗値温度特性をそれぞれ評価し
た。評価方法は実施例1と同様とし、結果を表4〜7に
示した。表4〜7から明らかなように、上記各実施例の
サーミスタ素子は、抵抗値温度特性に関して、実施例3
とほぼ同様の効果を有している。
【0086】また、実施例5〜8の各サーミスタ素子の
温度精度を評価した結果を表2に示した。なお、表2の
温度精度欄において括弧内に示した数値は、第1の調製
工程および第2の調製工程における混合にいずれもボー
ルミルを用いる、上記実施例1と同様の方法でサーミス
タ素子を作製した場合の温度精度である。両者を比較し
て明らかなように、本実施例の方法では、温度精度のば
らつき(±A℃)が、いずれも±5℃と良好な値を示し
ており、実施例1の方法で作製した場合(±23℃〜2
5℃)に比べて、ばらつきが小さくなっていることがわ
かる。また、表2には、第1の調製工程の混合工程後の
平均粒径、第2の調製工程の混合・粉砕工程後の平均粒
径を併せて示した。
【0087】
【表4】
【0088】
【表5】
【0089】
【表6】
【0090】
【表7】
【0091】(実施例9)表2のように、金属酸化物A
xとして、複合金属酸化物である3Al2 3・2Si
2 (ムライト)を用い、上記実施例5と同様の方法
で、サーミスタ素子を試作した。表8に示すように、複
合ペロブスカイト酸化物Y(Cr0.5 Mn 0.5 )O3
のモル比(a:b)を39:1となるようにし、図7に
示す工程中、第2の調製工程の調合(2)工程で、Pr
2 3 に代えて3Al2 3 ・2SiO2 を用いた以外
は、上記実施例5と同様にしてサーミスタ素子を作製し
た。(実施例9)。また、同様の方法で、モル比(a:
b)を95:5、95:5としたサーミスタ素子を作製
し、それぞれ実施例9A、9Bとした。なお、使用した
3Al2 3 ・2SiO2 は、99.9%以上の純度を
有し、平均粒径は2μmであった。
【0092】得られたサーミスタ素子を、温度センサに
組み込んで、その抵抗値温度特性をそれぞれ評価した。
評価方法は実施例1と同様とし、結果を表8に示した。
表8に明らかなように、本実施例のサーミスタ素子は、
抵抗値温度特性に関して、実施例3とほぼ同様の効果を
有している。また、実施例9のサーミスタ素子の温度精
度を評価した結果を表2に示した。本実施例によれば、
温度精度が±5℃と良好な値を示しており、ばらつきが
小さいことがわかる。
【0093】
【表8】
【0094】(実施例10〜13)実施例5と同様の方
法で、複合酸化物Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 と、表9
〜12に示す種々の金属酸化物AOx からなるサーミス
タ素子を試作した。AOxとしては、複合酸化物である
YAlO3 (実施例10)、Y3 Al5 12(実施例1
1)、MgAl2 3 (実施例12)、Y2 SiO
5 (実施例13)をそれぞれ用いた。複合ペロブスカイ
ト酸化物Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 とのモル比(a:
b)を表9〜12に示すようにし、図7に示す工程中、
第2の調製工程の調合(2)工程で、Pr2 3 に代え
て上記各種複合酸化物を用いた以外は、上記実施例5と
同様にしてサーミスタ素子を作製した。(実施例10〜
13)。また、同様の方法で、モル比(a:b)を表9
〜12に示すように変更したサーミスタ素子を作製し、
それぞれ実施例10A〜13A、10B〜13Bとし
た。なお、使用した原料は、いずれも99.9%以上の
純度を有し、平均粒径は1〜3μmであった。
【0095】得られたサーミスタ素子を、温度センサに
組み込んで、その抵抗値温度特性をそれぞれ評価した。
評価方法は実施例1と同様とし、結果を表9〜12に示
した。表9〜12に明らかなように、本実施例のサーミ
スタ素子は、抵抗値温度特性に関して、実施例3とほぼ
同様の効果を有している。また、実施例10〜13のサ
ーミスタ素子の温度精度を評価したところ、いずれの実
施例も温度精度が±5℃と良好な値を示した。
【0096】
【表9】
【0097】
【表10】
【0098】
【表11】
【0099】
【表12】
【0100】(実施例14〜41)図7に示す製造工程
に基づき、実施例5〜8と同様にして、複合ペロブスカ
イト酸化物Y(Cr0.5 Mn0.5 )O3 と、表13、1
4に示す種々の金属酸化物AOx からなるサーミスタ素
子を試作した。本実施例の製造工程は、第2の調製工程
の調合(2)工程において、表13、14に示す各種金
属酸化物AOx を用い、これら金属酸化物とY(Cr
0.5 Mn0.5 )O3 のモル比を、それぞれ表15〜42
に示すようにした以外は、上記実施例5〜8と同様とし
てサーミスタ素子を作製した(実施例14〜41)。な
お、原料として使用した金属酸化物AO x はいずれも純
度99.9%以上であり、平均粒径は、MgCr
2 4 、2MgO・SiO2、CaSiO3 は2μm
で、その他はいずれも1.0μmであった。
【0101】
【表13】
【0102】
【表14】
【0103】また、同様の方法で、実施例14〜41の
各金属酸化物とY(Cr0.5 Mn0. 5 )O3 のモル比
を、それぞれ表15〜42に示すように変更した、種々
のサーミスタ素子を作製した(実施例14A〜41A、
14B〜41B)。このようにして得られたサーミスタ
素子を、温度センサに組み込んで、その抵抗値温度特性
をそれぞれ評価した。評価方法は実施例1と同様とし、
結果を表15〜42に示した。表15〜42から明らか
なように、実施例14〜41のサーミスタ素子は、抵抗
値温度特性に関して、上記各実施例同様の効果を有して
いる。
【0104】
【表15】
【0105】
【表16】
【0106】
【表17】
【0107】
【表18】
【0108】
【表19】
【0109】
【表20】
【0110】
【表21】
【0111】
【表22】
【0112】
【表23】
【0113】
【表24】
【0114】
【表25】
【0115】
【表26】
【0116】
【表27】
【0117】
【表28】
【0118】
【表29】
【0119】
【表30】
【0120】
【表31】
【0121】
【表32】
【0122】
【表33】
【0123】
【表34】
【0124】
【表35】
【0125】
【表36】
【0126】
【表37】
【0127】
【表38】
【0128】
【表39】
【0129】
【表40】
【0130】
【表41】
【0131】
【表42】
【0132】また、実施例14〜41の各サーミスタ素
子の温度精度を評価した結果を表13、14に示した。
なお、表13、14の温度精度欄において括弧内に示し
た数値は、第1の調製工程および第2の調製工程におけ
る混合にいずれもボールミルを用いる、上記実施例1と
同様の方法でサーミスタ素子を作製した場合の温度精度
である。両者を比較して明らかなように、本実施例の方
法では、温度精度のばらつき(±A℃)が、いずれも±
5℃と良好な値を示しており、実施例1の方法で作製し
た場合(±23℃〜25℃)に比べて、ばらつきが小さ
くなっていることがわかる。また、表2には、第1の調
製工程の混合工程後の平均粒径、第2の調製工程の混合
・粉砕工程後の平均粒径を併せて示した。
【0133】以上のように、本発明によれば、低抵抗値
および低抵抗温度係数を示す複合ペロブスカイト酸化物
(MM´)O3 と、高温域の抵抗値が高く、耐熱性に優
れる金属酸化物AOx とを適宜混合、焼成することによ
り、サーミスタ素子の抵抗値および抵抗温度係数を所望
の範囲に制御し、かつその特性を安定化することができ
る。よって、室温から1000℃の広い温度域にわたっ
て温度を検知可能で、室温から1000℃の熱履歴等に
よる抵抗値の変化がない、安定した特性を有するサーミ
スタ素子を実現でき、温度センサの信頼性、耐久性を大
きく向上させることができる。
【0134】また、本発明のサーミスタ素子の製造方法
によれば、混合工程においてサーミスタ原料を微粒化
し、その平均粒径を所定の範囲に制御することで、組成
の均一混合を図り、室温から1000℃での温度精度の
ばらつき(±A℃)を10℃以下にすることができるの
で、温度センサの高精度化が可能である。
【0135】ここで、上記実施例1〜41で使用した種
々の金属酸化物AOx を、2000℃以上の融点を有す
るグループ1と、融点が2000℃より低いグループ2
とに分類し、上記実施例1〜41におけるサーミスタ素
子の焼成温度と、耐熱性の評価結果を表43〜45に示
した。表43は、グループ1の中でも融点が2400℃
以上とより高いグループ、表44は、融点が2000℃
以上2400℃未満のグループである。また、表45
は、融点が2000℃より低いグループ2のものであ
る。焼成温度は、上記実施例1〜41の各サーミスタ組
成において最も安定した抵抗値特性が得られる温度を示
した。また、サーミスタ素子の耐熱性の評価方法は以下
の通りで、各組成のサーミスタ素子を高温炉に入れ、評
価温度(1200℃、1400℃、1500℃)で10
0時間保持した時の、素子の抵抗値変化率を測定し、下
記の判定基準に従って評価した。 抵抗値変化率(%)=((耐久後抵抗値/耐久前(初
期)抵抗値)−1)×100 判定基準○:抵抗値変化率5%未満 △:抵抗値変化率5%〜10% ×:抵抗値変化率10%以上
【0136】
【表43】
【0137】
【表44】
【0138】
【表45】
【0139】表43、44に明らかなように、融点が2
000℃以上と高いグループ1の金属酸化物AOx を用
いたサーミスタ素子は、いずれも1500℃まで抵抗値
変化率が5%未満と高く、優れた耐熱性を示す。これら
金属酸化物AOx は融点が高い程、耐熱性を高める効果
が高いことが予測されるが、融点が2400℃以上の表
43のグループは焼成温度が1650℃とやや高く、エ
ネルギーコストの面では、焼成温度が1600℃ないし
1650℃と低めである表44のグループの方が有利で
ある。また、表45に明らかなように、融点が2000
℃より低いグループ2の金属酸化物AOx を用いたサー
ミスタ素子は、1400℃、1500℃における抵抗値
変化率はグループ1より劣るが、1200℃での抵抗値
変化率はいずれも5%未満で実用上十分な耐熱性を有
し、しかも1200〜1500℃という比較的低温での
焼成が可能で、優れた易焼結性を示す。従って、本発明
によりサーミスタ素子を作製する際には、リード線への
影響や製作コスト、使用環境等を鑑みて必要な特性が得
られるように、金属酸化物AOx を選択すればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したサーミスタ素子の全体概略図
である。
【図2】(a)は本発明のサーミスタ素子を組み込んだ
温度センサの全体概略図、(b)はその断面図である。
【図3】本発明の製造方法(1)に基づく、実施例1の
サーミスタ素子の製造工程図である。
【図4】本発明の製造方法(2)に基づく、実施例2の
サーミスタ素子の製造工程図である。
【図5】本発明の製造方法(2)および(3)を組み合
わせた、実施例3のサーミスタ素子の製造工程図であ
る。
【図6】本発明の製造方法(3)に基づく、実施例4の
サーミスタ素子の製造工程図である。
【図7】本発明の製造方法(3)に基づく、実施例5の
サーミスタ素子の製造工程図である。
【符号の説明】
1 サーミスタ素子 11、12 リード線 13 素子部 2 金属ケース 3 金属パイプ 31、32 リード線 S 温度センサ
フロントページの続き (72)発明者 牧野 太輔 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 葛岡 馨 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 Fターム(参考) 4G030 AA07 AA08 AA09 AA10 AA11 AA12 AA14 AA15 AA16 AA17 AA18 AA19 AA20 AA21 AA22 AA23 AA24 AA25 AA26 AA27 AA28 AA29 AA32 AA34 AA35 AA36 AA37 AA38 AA39 AA61 BA21 CA01 GA03 GA09 GA11 5E034 BA09 BB01 BC01 BC18 BC19 DA05 DC02 DE02

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (MM´)O3 で表される複合ペロブス
    カイト酸化物と、AOx で表される金属酸化物との混合
    焼結体(MM´)O3 ・AOx からなるサーミスタ素子
    であって、 上記複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 におい
    て、Mが周期律表第2A族およびLaを除く第3A族の
    元素から選択される1種ないしそれ以上の元素であり、
    M´が周期律表第3B族、第4A族、第5A族、第6A
    族、第7A族および第8族の元素から選択される1種な
    いしそれ以上の元素であるとともに、 上記金属酸化物AOx が、1300℃以上の融点を有
    し、サーミスタ素子形状におけるAOx 単体の抵抗値
    (1000℃)が1000Ω以上の金属酸化物であるこ
    とを特徴とするサーミスタ素子。
  2. 【請求項2】 上記混合焼結体における上記複合ペロブ
    スカイト酸化物(MM´)O3 のモル分率をa、上記金
    属酸化物AOx のモル分率をbとした時に、aとbが、
    0.05≦a<1.0、0.05<b≦0.95、a+
    b=1の関係を満足する請求項1記載のサーミスタ素
    子。
  3. 【請求項3】 上記複合ペロブスカイト酸化物(MM
    ´)O3 におけるMが、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、
    Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H
    o、YbおよびScから選択される1種ないしそれ以上
    の元素であり、M´が、Al、Ga、Ti、Zr、H
    f、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、R
    e、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir
    およびPtから選択される1種ないしそれ以上の元素で
    ある請求項1または請求項2記載のサーミスタ素子。
  4. 【請求項4】 上記金属酸化物AOx において、金属A
    が、B、Mg、Si、Ca、Sc、Ti、Cr、Mn、
    Fe、Ni、Zn、Ga、Ge、Sr、Zr、Nb、S
    n、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D
    y、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、HfおよびTaか
    ら選択される1種ないしそれ以上の元素である請求項1
    ないし請求項3のいずれか記載のサーミスタ素子。
  5. 【請求項5】 上記金属酸化物AOx が、MgO、Si
    2 、Sc2 3 、TiO2 、Cr2 3 、MnO、M
    2 3 、Fe2 3 、Fe3 4 、NiO、ZnO、
    Ga2 3 、ZrO2 、Nb2 5 、SnO2 、CeO
    2 、Pr2 3 、Nd2 3 、Sm2 3 、Eu
    2 3 、Gd2 3 、Tb2 3 、Dy2 3 、Ho2
    3 、Er2 3 、Tm2 3 、Yb2 3 、Lu2
    3 、HfO2およびTa2 5 から選ばれる一種ないし
    それ以上の金属酸化物である請求項4記載のサーミスタ
    素子。
  6. 【請求項6】 上記金属酸化物AOx が、Mg、Y、A
    lおよびSiから選ばれる一種または二種以上を含む複
    合金属酸化物である請求項1ないし請求項3のいずれか
    記載のサーミスタ素子。
  7. 【請求項7】 上記金属酸化物AOx が、MgAl2
    4 、Y2 SiO5 、3Al2 3 ・2SiO2 、YAl
    3 、Y3 Al5 12、2MgO・SiO2、CaSi
    3 およびMgCrO4 から選ばれる一種ないしそれ以
    上の金属酸化物である請求項6記載のサーミスタ素子。
  8. 【請求項8】 上記金属酸化物AOx が、MgO、Sc
    2 3 、ZrO2 、Lu2 3 、HfO2 、Cr
    2 3 、Pr2 3 、Nd2 3 、Sm2 3 、Eu2
    3 、Gd2 3 、Tb2 3 、Dy2 3 、Ho2
    3 、Er2 3 、Tm2 3 、Yb2 3 、CeO2
    よびMgCrO4 から選ばれる一種ないしそれ以上の金
    属酸化物である請求項4記載のサーミスタ素子。
  9. 【請求項9】 上記金属酸化物AOx が、SiO2 、T
    iO2 、MnO、Mn2 3 、Fe2 3 、Fe
    3 4 、NiO、ZnO、Ga2 3 、Nb2 5、S
    nO2 、Ta2 5 、2MgO・SiO2 、MgAl2
    4 、CaSiO3、Y2 SiO5 、3Al2 3 ・2
    SiO2 、YAlO3 およびY3 Al5 12から選ばれ
    る一種ないしそれ以上の金属酸化物である請求項4記載
    のサーミスタ素子。
  10. 【請求項10】 焼結助剤としてCaO、CaCO3
    SiO2 およびCaSiO3 のうちの少なくとも一種を
    含有する請求項1ないし請求項9のいずれか記載のサー
    ミスタ素子。
  11. 【請求項11】 請求項1ないし請求項10のいずれか
    記載のサーミスタ素子からなる温度センサ。
  12. 【請求項12】 請求項1ないし請求項10のいずれか
    記載のサーミスタ素子を製造する方法において、上記複
    合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 と上記金属酸化
    物AOx とを混合して粉砕し、粉砕後の混合物の平均粒
    径を、混合前の上記金属酸化物AOx の平均粒径以下と
    した後、所定形状に成形、焼成することを特徴とするサ
    ーミスタ素子の製造方法。
  13. 【請求項13】 請求項1ないし請求項10のいずれか
    記載のサーミスタ素子を製造する方法において、上記複
    合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 におけるMの原
    料とM´の原料とを混合して粉砕し、粉砕後の混合物の
    平均粒径を、混合前の上記Mの原料の平均粒径以下でか
    つO.5μm以下とした後、仮焼成することにより上記
    複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 とし、これを
    上記金属酸化物AOx と混合した後、所定形状に成形、
    焼成することを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
  14. 【請求項14】 請求項1ないし請求項10のいずれか
    記載のサーミスタ素子を製造する方法において、上記複
    合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 におけるMの原
    料とM´の原料とを混合して粉砕し、粉砕後の混合物の
    平均粒径を、混合前の上記Mの原料の平均粒径以下でか
    つO.5μm以下とした後、仮焼成することにより上記
    複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 とし、得られ
    た上記複合ペロブスカイト酸化物(MM´)O3 と上記
    金属酸化物AOx とを混合して粉砕し、粉砕後の混合物
    の平均粒径を、混合前の上記金属酸化物AOx の平均粒
    径以下とした後、所定形状に成形、焼成することを特徴
    とするサーミスタ素子の製造方法。
JP2000242285A 1999-08-30 2000-08-10 サーミスタ素子 Expired - Lifetime JP3776691B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000242285A JP3776691B2 (ja) 1999-08-30 2000-08-10 サーミスタ素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-242946 1999-08-30
JP24294699 1999-08-30
JP2000242285A JP3776691B2 (ja) 1999-08-30 2000-08-10 サーミスタ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001143907A true JP2001143907A (ja) 2001-05-25
JP3776691B2 JP3776691B2 (ja) 2006-05-17

Family

ID=26536000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000242285A Expired - Lifetime JP3776691B2 (ja) 1999-08-30 2000-08-10 サーミスタ素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3776691B2 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006117990A1 (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電体磁器組成物、及び該圧電体磁器組成物の製造方法、並びに圧電セラミック電子部品
JP2008078576A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Tdk Corp Ntc組成物及びntc素子
EP1630149A4 (en) * 2003-05-29 2009-01-21 Ngk Spark Plug Co PIEZOELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND PIEZOELECTRIC ELEMENT COMPRISING SAID COMPOSITION
WO2009125871A1 (ja) * 2008-04-10 2009-10-15 住友化学株式会社 焼結体および熱電変換材料
US7633371B2 (en) 2006-02-16 2009-12-15 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Thermistor element, thermistor element production method and thermistor temperature sensor
US7656269B2 (en) 2005-04-11 2010-02-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Sintered electroconductive oxide, thermister element using sintered electroconductive oxide, and temperature sensor using thermister element
JP2012043910A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Ngk Spark Plug Co Ltd 導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、及びこれを用いた温度センサ
KR101220312B1 (ko) 2012-06-28 2013-01-10 태성전장주식회사 써미스터 온도센서용 세라믹 조성물 및 그 조성물로 제조된 써미스터 소자
JP2016131195A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ素子の製造方法
JP2016196392A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 日本特殊陶業株式会社 導電性酸化物焼結体、それを用いたサーミスタ素子及び温度センサ
JP2019504491A (ja) * 2015-12-16 2019-02-14 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag Ntcセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法
CN110451960A (zh) * 2019-09-25 2019-11-15 中国科学院新疆理化技术研究所 一种钕掺杂的白钨矿结构负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
CN110911070A (zh) * 2019-12-04 2020-03-24 句容市博远电子有限公司 一种添加氧化钛的热敏电阻及其制备方法
WO2020090309A1 (ja) 2018-10-30 2020-05-07 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子
WO2020090489A1 (ja) 2018-10-31 2020-05-07 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子
WO2021210203A1 (ja) * 2020-04-17 2021-10-21 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子
US11313735B2 (en) 2018-10-31 2022-04-26 Shibaura Electronics Co., Ltd. Thermistor sintered body and temperature sensor element

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009173484A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Mitsubishi Materials Corp サーミスタ用金属酸化物焼結体及びサーミスタ素子並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1630149A4 (en) * 2003-05-29 2009-01-21 Ngk Spark Plug Co PIEZOELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND PIEZOELECTRIC ELEMENT COMPRISING SAID COMPOSITION
US7656269B2 (en) 2005-04-11 2010-02-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Sintered electroconductive oxide, thermister element using sintered electroconductive oxide, and temperature sensor using thermister element
WO2006117990A1 (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電体磁器組成物、及び該圧電体磁器組成物の製造方法、並びに圧電セラミック電子部品
JPWO2006117990A1 (ja) * 2005-04-28 2008-12-18 株式会社村田製作所 圧電体磁器組成物、及び該圧電体磁器組成物の製造方法、並びに圧電セラミック電子部品
US7633371B2 (en) 2006-02-16 2009-12-15 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Thermistor element, thermistor element production method and thermistor temperature sensor
JP2008078576A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Tdk Corp Ntc組成物及びntc素子
JP4492598B2 (ja) * 2006-09-25 2010-06-30 Tdk株式会社 Ntc組成物及びntc素子
JP2009249264A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Sumitomo Chemical Co Ltd 焼結体および熱電変換材料
WO2009125871A1 (ja) * 2008-04-10 2009-10-15 住友化学株式会社 焼結体および熱電変換材料
CN101983182A (zh) * 2008-04-10 2011-03-02 住友化学株式会社 烧结体及热电转换材料
JP2012043910A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Ngk Spark Plug Co Ltd 導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、及びこれを用いた温度センサ
KR101220312B1 (ko) 2012-06-28 2013-01-10 태성전장주식회사 써미스터 온도센서용 세라믹 조성물 및 그 조성물로 제조된 써미스터 소자
WO2014003322A1 (ko) * 2012-06-28 2014-01-03 태성전장주식회사 써미스터 온도센서용 세라믹 조성물 및 그 조성물로 제조된 써미스터 소자
US20150041732A1 (en) * 2012-06-28 2015-02-12 Taesung Electro-Circuit Systems Ceramic composition for thermistor temperature sensor and thermistor device manufactured using the composition
JP2016131195A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ素子の製造方法
JP2016196392A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 日本特殊陶業株式会社 導電性酸化物焼結体、それを用いたサーミスタ素子及び温度センサ
US11189404B2 (en) 2015-12-16 2021-11-30 Epcos Ag NTC ceramic part, electronic component for inrush current limiting, and method for manufacturing an electronic component
JP2020174189A (ja) * 2015-12-16 2020-10-22 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag Ntcセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法
JP2019504491A (ja) * 2015-12-16 2019-02-14 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag Ntcセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法
JP7475987B2 (ja) 2015-12-16 2024-04-30 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト Ntcセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法
WO2020090309A1 (ja) 2018-10-30 2020-05-07 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子
WO2020090489A1 (ja) 2018-10-31 2020-05-07 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子
US11313735B2 (en) 2018-10-31 2022-04-26 Shibaura Electronics Co., Ltd. Thermistor sintered body and temperature sensor element
CN110451960A (zh) * 2019-09-25 2019-11-15 中国科学院新疆理化技术研究所 一种钕掺杂的白钨矿结构负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
CN110451960B (zh) * 2019-09-25 2021-12-07 中国科学院新疆理化技术研究所 一种钕掺杂的白钨矿结构负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
CN110911070A (zh) * 2019-12-04 2020-03-24 句容市博远电子有限公司 一种添加氧化钛的热敏电阻及其制备方法
WO2021210203A1 (ja) * 2020-04-17 2021-10-21 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子
JP2021170612A (ja) * 2020-04-17 2021-10-28 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP3776691B2 (ja) 2006-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001143907A (ja) サーミスタ素子
EP1137016A1 (en) Thermistor device
US6306315B1 (en) Thermistor device thermistor device manufacturing method and temperature sensor
JP3555767B2 (ja) ワイドレンジサーミスタ材料およびその製造方法
WO2006109792A1 (ja) 導電性酸化物焼結体、導電性酸化物焼結体を用いたサーミスタ素子、及びサーミスタ素子を用いた温度センサ
CN107793153B (zh) 一种复合型热敏电阻材料及其制备方法和应用
US6878304B2 (en) Reduction resistant thermistor, method of production thereof, and temperature sensor
JP4527347B2 (ja) サーミスタ用焼結体
US6663794B2 (en) Reducing-atmosphere-resistant thermistor element, production method thereof and temperature sensor
JP3362651B2 (ja) サーミスタ素子およびその製造方法
JPH0799103A (ja) サーミスタ用磁器組成物およびサーミスタ素子
EP0866472B1 (en) Thermistor element and temperature sensor
JP3362659B2 (ja) サーミスタ素子およびその製造方法
JP3928244B2 (ja) サーミスタ素子およびその製造方法
KR100427900B1 (ko) 희토류금속원소함유의고온서미스터
JP2004221519A (ja) サーミスタ素子用焼結体及びその製造方法、並びにサーミスタ素子、温度センサ
US6261480B1 (en) Wide-range type thermistor element and method of producing the same
JP2010025603A (ja) 複合温度センサ素子、及びその製造方法
CN100541674C (zh) 用于热敏电阻的负温度系数的陶瓷混合物和其制备方法
JP3826494B2 (ja) ワイドレンジ型サーミスタ素子
TW406061B (en) Indium-containing, oxide-ceramic thermistor
WO2004046061A1 (ja) サーミスタ素子用焼結体及びその製造方法、並びにサーミスタ素子、温度センサ
JP2004104093A (ja) 負特性サーミスタの製造方法
TW200940475A (en) Process for producing semiconductor porcelain composition and heater employing semiconductor porcelain composition
JP2013199396A (ja) 導電性酸化物焼結体、サーミスタ素子及び温度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050621

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050818

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20051019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060223

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3776691

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110303

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120303

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120303

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130303

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140303

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term