JP7434863B2 - Ｎｔｃサーミスタ素子 - Google Patents

Description

本発明は、ＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタ素子に関する。

知られているＮＴＣサーミスタ素子は、サーミスタ素体と、サーミスタ素体内に配置されており、互いに対向している複数の内部電極と、を備えている（たとえば、特許文献１参照）。サーミスタ素体は、複数の内部電極のうち互いに隣り合う内部電極で挟まれる領域を含んでいる。

特許第６４２８７９７号公報

本発明の一つの態様は、抵抗値のばらつきを低減し得ると共に、強度の向上を図り得るＮＴＣサーミスタ素子を提供することを目的とする。

本発明者らは、抵抗値のばらつきが低減されているＮＴＣサーミスタ素子について、調査研究を行った。その結果、本発明者らは、以下の知見を新たに得て、本発明を想到するに至った。

本発明者らは、サーミスタ素体の上記領域に着目した。この領域は、互いに隣り合う内部電極の間を連続して並んでいる複数の結晶粒を含んでいる。複数の結晶粒は、少なくとも、互いに隣り合う内部電極のうち一方の内部電極と接している第一結晶粒と、互いに隣り合う内部電極のうち他方の内部電極と接している第二結晶粒と、を含んでいる。複数の結晶粒が、第一結晶粒と第二結晶粒とに接していない結晶粒を含んでいる構成では、複数の結晶粒が、第一結晶粒と第二結晶粒とに接していない結晶粒を含んでいない構成に比して、結晶粒の径が小さい。上記二つの構成では、互いに隣り合う内部電極間の距離（層間距離）は同等である。径が大きい結晶粒では、径が小さい結晶粒に比して、結晶粒内での組成が偏りやすい。したがって、複数の結晶粒の径が大きい構成は、複数の結晶粒の径が小さい構成に比して、抵抗値のばらつきを増大させる傾向にある。すなわち、複数の結晶粒の径が小さい構成は、複数の結晶粒の径が大きい構成に比して、抵抗値のばらつきを低減させる傾向にある。

複数の結晶粒が、第一結晶粒と第二結晶粒とに接していない結晶粒を含んでいる構成では、複数の結晶粒が、第一結晶粒と第二結晶粒とに接していない結晶粒を含んでいない構成に比して、結晶粒の数が多い。結晶粒の数が多い構成は、結晶粒の数が少ない構成に比して、結晶粒界が多く存在するので、サーミスタ素体の強度が向上する。

一つの態様は、サーミスタ素体と、サーミスタ素体内に配置されており、互いに対向している複数の内部電極と、を備えている。サーミスタ素体は、複数の内部電極のうち互いに隣り合う内部電極で挟まれる領域を含んでいる。サーミスタ素体の上記領域は、互いに隣り合う前記内部電極の間を連続して並んでいる複数の結晶粒を含んでいる。複数の結晶粒は、互いに隣り合う内部電極のうち一方の内部電極と接している第一結晶粒と、互いに隣り合う内部電極のうち他方の内部電極と接している第二結晶粒と、第一結晶粒と第二結晶粒とに接していない第三結晶粒と、を含んでいる。

上記一つの態様では、複数の結晶粒が、第一結晶粒と第二結晶粒とに接していない第三結晶粒と、を含んでいる。したがって、上記一つの態様は、抵抗値のばらつきを低減し得ると共に、強度の向上を図り得る。

上記一つの態様は、０２０１サイズであるＮＴＣサーミスタ素子であってもよい。
０２０１サイズであるＮＴＣサーミスタ素子は、０４０２サイズ以上であるＮＴＣサーミスタ素子に比して、サーミスタ素体の容積が小さい。したがって、０２０１サイズであるＮＴＣサーミスタ素子は、熱応答性に優れる。

上記一つの態様では、互いに隣り合う内部電極が対向している方向に沿った断面において、複数の結晶粒の平均粒径が、２μｍ以下であってもよい。
上記断面において、複数の結晶粒の平均粒径が、２μｍ以下である構成は、サーミスタ素体の上記領域での緻密化を促進する。したがって、この構成は、抵抗値のばらつきをより一層低減し得ると共に、強度の更なる向上を図り得る。

上記一つの態様では、サーミスタ素体の領域が、Ｚｒが存在している結晶粒界を有していてもよい。
サーミスタ素体の領域が、Ｚｒが存在している結晶粒界を有している構成は、特性の経時変化が生じがたい。したがって、この構成は、信頼性が向上するＮＴＣサーミスタ素子を実現する。

上記一つの態様は、サーミスタ素体の一端に配置されている第一外部電極と、サーミスタ素体の他端に配置されている第二外部電極と、を備えていてもよい。複数の内部電極は、第一内部電極と、第二内部電極と、第三内部電極と、を有していてもよい。この場合、第一内部電極は、第一外部電極に接続されている。第二内部電極は、第一外部電極と第二外部電極とがサーミスタ素体を挟んで対向している第一方向で第一内部電極と離間すると共に、第二外部電極に接続されている。第三内部電極は、第一内部電極と第二内部電極とに対向していると共に、第一外部電極と第二外部電極とには接続されていない。

本発明の一つの態様によれば、抵抗値のばらつきを低減し得ると共に、強度の向上を図り得るＮＴＣサーミスタ素子が提供される。

一実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子を示す斜視図である。 本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。 本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。 本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。 内部電極を示す図である。 内部電極及びダミー電極を示す図である。 サーミスタ素体の構成を示す模式図である。 サーミスタ素体の断面写真である。 サーミスタ素体の比抵抗ρと、２５℃でのゼロ負荷抵抗値Ｒ_２５との関係を示す線図である。 本実施形態の変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１～図６を参照して、本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子を示す斜視図である。図２、図３、及び図４は、本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。図５は、内部電極を示す図である。図６は、内部電極及びダミー電極を示す図である。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、図１に示されるように、直方体形状を呈しているサーミスタ素体３と、複数の外部電極５と、を備えている。本実施形態では、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、一対の外部電極５を備えている。一対の外部電極５は、サーミスタ素体３の外表面に配置されている。一対の外部電極５は、互いに離間している。直方体形状は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。

サーミスタ素体３は、互いに対向している一対の主面３ａと、互いに対向している一対の側面３ｃと、互いに対向している一対の端面３ｅと、を有している。一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一対の端面３ｅは、長方形状を呈している。一対の端面３ｅが対向している方向が、第一方向Ｄ１である。一対の主面３ａが対向している方向が、第二方向Ｄ２である。一対の側面３ｃが対向している方向が、第三方向Ｄ３である。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、たとえば、電子機器にはんだ実装される。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、一方の主面３ａが、電子機器と対向する。一方の主面３ａは、実装面を構成するように配置される。一方の主面３ａは、実装面である。他方の主面３ａが、実装面であってもよい。

第一方向Ｄ１は、各端面３ｅに直交する方向であり、第二方向Ｄ２と直交している。第二方向Ｄ２は、各主面３ａに直交する方向であり、第三方向Ｄ３は、各側面３ｃに直交する方向である。第三方向Ｄ３は、各主面３ａと各端面３ｅとに平行な方向であり、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに直交している。一対の側面３ｃは、一対の主面３ａを連結するように第二方向Ｄ２に延在している。一対の側面３ｃは、第一方向Ｄ１にも延在している。一対の端面３ｅは、一対の主面３ａを連結するように第二方向Ｄ２に延在している。一対の端面３ｅは、第三方向Ｄ３にも延在している。

サーミスタ素体３の第一方向Ｄ１での長さは、サーミスタ素体３の長さである。サーミスタ素体３の第二方向Ｄ２での長さは、サーミスタ素体３の厚みＴＨである。サーミスタ素体３の第三方向Ｄ３での長さは、サーミスタ素体３の幅である。サーミスタ素体３の長さは、０．４ｍｍ未満である。サーミスタ素体３の幅は、０．２ｍｍ未満である。サーミスタ素体３の厚みＴＨは、０．２ｍｍ未満である。
本実施形態では、サーミスタ素体３の長さは、たとえば、０．２２５ｍｍであり、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１の第一方向Ｄ１での長さは、たとえば、０．２４０ｍｍである。サーミスタ素体３の幅は、たとえば、０．１ｍｍであり、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、０．１１５ｍｍである。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、ＪＩＳ表記では、０２０１サイズである。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、ＥＩＡ表記では、００８００４サイズである。本実施形態では、サーミスタ素体３の厚みＴＨは、たとえば、０．０４４６ｍｍであり、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１の第二方向Ｄ２での長さは、たとえば、０．０５９６ｍｍである。すなわち、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、低背である。

サーミスタ素体３は、第二方向Ｄ２に複数のサーミスタ層が積層されて構成されている。サーミスタ素体３は、積層されている複数のサーミスタ層を有している。サーミスタ素体３では、複数のサーミスタ層の積層方向が第二方向Ｄ２と一致する。各サーミスタ層は、たとえば、ＮＴＣサーミスタとして機能するＮＴＣサーミスタ材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。ＮＴＣサーミスタ材料は、たとえば、半導体セラミック材料である。ＮＴＣサーミスタ材料は、たとえば、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、及び、Ｆｅなどの遷移金属元素の中から選ばれる２種あるいはそれ以上の元素を有し、スピネル構造を有する複合酸化物を主成分として含む材料である。ＮＴＣサーミスタ材料には、特性向上などのために副成分が含有されていてもよい。副成分は、たとえば、Ｃｕ、Ａｌ、又はＺｒを含む。本実施形態では、副成分は、少なくともＺｒを含んでいる。主成分及び副成分の組成、並びに、含有量は、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１に求められる特性に応じて適宜決定される。実際のサーミスタ素体３では、各サーミスタ層は、各サーミスタ層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。

外部電極５は、図１に示されるように、サーミスタ素体３の第一方向Ｄ１での両端にそれぞれ配置されている。一方の外部電極５は、サーミスタ素体３の一端に配置されている。他方の外部電極５は、サーミスタ素体３の他端に配置されている。各外部電極５は、サーミスタ素体３における、対応する端面３ｅ側に配置されている。外部電極５は、少なくとも、端面３ｅと、主面３ａとに配置されている。本実施形態では、各外部電極５は、一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一つの端面３ｅに配置されている。外部電極５は、一対の主面３ａ、一つの端面３ｅ、及び一対の側面３ｃの五つの面に形成されている。外部電極５は、図２～図４に示されるように、各主面３ａ上に位置している部分と、各側面３ｃ上に位置している部分と、端面３ｅ上に位置している部分と、を有している。たとえば、一方の外部電極５が第一外部電極を構成する場合、他方の外部電極５は第二外部電極を構成する。一対の外部電極５は、サーミスタ素体３を挟んで、第一方向Ｄ１で対向している。一対の外部電極５は、第一方向Ｄ１で離間している。

外部電極５は、焼結金属層を有している。外部電極５が有している各部分が、焼結金属層を有している。焼結金属層は、サーミスタ素体３の表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。焼結金属層は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結することにより形成されている。焼結金属層は、貴金属又は貴金属合金からなる。貴金属は、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、又はＰｔを含む。貴金属合金は、たとえば、Ａｇ－ｐｄ合金を含む。焼結金属層は、卑金属又は卑金属合金からなっていてもよい。卑金属は、たとえば、Ｃｕ又はＮｉを含む。導電性ペーストは、たとえば、上述した種類の金属粉末、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を含んでいる。

外部電極５は、めっき層を有していてもよい。めっき層は、焼結金属層を被覆するように、焼結金属層上に形成される。めっき層は、二層構造を有していてもよい。第一層は、たとえば、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層である。第一層上に形成される第二層は、たとえば、Ｓｎめっき層、Ｓｎ－Ａｇ合金めっき層、Ｓｎ－Ｂｉ合金めっき層、又はＳｎ－Ｃｕ合金めっき層である。めっき層は、三層以上の層構造を有していてもよい。

各外部電極５の第一方向Ｄ１での長さＬｅ１は、たとえば、５０～９０μｍである。各外部電極５の第二方向Ｄ２での長さＬｅ２は、たとえば、５０～１４０μｍである。各外部電極５の第三方向Ｄ３での長さＬｅ３は、たとえば、１１０～１４０μｍである。本実施形態では、長さＬｅ１は、５０μｍであり、長さＬｅ２は、５９．６μｍであり、長さＬｅ３は、１１５μｍである。本実施形態では、各外部電極５の長さＬｅ１は同等であり、各外部電極５の長さＬｅ２は同等であり、各外部電極５の長さＬｅ３は同等である。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、図５及び図６にも示されるように、複数の内部電極を備えている。複数の内部電極は、サーミスタ素体内に配置されている。複数の内部電極は、複数の内部電極１１，１３，１５を含んでいる。本実施形態では、複数の内部電極は、二つの内部電極１１、二つの内部電極１３、及び、一つの内部電極１５を含んでいる。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、複数のダミー電極１７，１９を含んでいる。本実施形態では、一つのダミー電極１７、及び、一つのダミー電極１９を含んでいる。たとえば、内部電極１１が第一内部電極を構成する場合、内部電極１３が第二内部電極を構成すると共に、内部電極１５が第三内部電極を構成する。

複数の内部電極１１，１３，１５と、複数のダミー電極１７，１９とは、外部電極５と同様に、貴金属又は貴金属合金からなる。貴金属は、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、又はＰｔを含む。貴金属合金は、たとえば、Ａｇ－ｐｄ合金を含む。複数の内部電極１１，１３，１５と、複数のダミー電極１７，１９とは、卑金属又は卑金属合金からなっていてもよい。卑金属は、たとえば、Ｃｕ又はＮｉを含む。各内部電極１１，１３，１５及び各ダミー電極１７，１９は、サーミスタ素体３内に配置されている内部導体である。各内部電極１１，１３，１５及び各ダミー電極１７，１９は、積層型電子部品の内部電極として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、卑金属を含む。導電性材料は、たとえば、Ｎｉ又はＣｕを含む。複数の内部電極１１，１３，１５と、複数のダミー電極１７，１９とは、上述した種類の導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。

内部電極１１は、第二方向Ｄ２から見て、長方形状を呈している。内部電極１１の第一方向Ｄ１での長さは、サーミスタ素体３の長さの半分未満である。内部電極１１の第三方向Ｄ３での長さは、サーミスタ素体３の幅より小さい。本明細書での「長方形状」は、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状を含む。内部電極１１の第一方向Ｄ１での長さは、たとえば、９０～１１０μｍである。内部電極１１の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、４５～７５μｍである。内部電極１１の厚みは、たとえば、０．５～３．０μｍである。本実施形態では、内部電極１１の第一方向Ｄ１での長さは、１００μｍであり、内部電極１１の第三方向Ｄ３での長さは、６０μｍであり、内部電極１１の厚みは、２．０μｍである。

二つの内部電極１１は、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されている。各内部電極１１は、一方の端面３ｅに露出する一端を有している。一方の外部電極５の、端面３ｅ上に位置している部分は、各内部電極１１の一端を覆っている。各内部電極１１は、一方の端面３ｅに露出する一端で、一方の外部電極５と直接的に接続されている。各内部電極１１は、一方の外部電極５と電気的に接続されている。

内部電極１３は、第二方向Ｄ２から見て、長方形状を呈している。内部電極１３の第一方向Ｄ１での長さは、サーミスタ素体３の長さの半分未満である。内部電極１３の第三方向Ｄ３での長さは、サーミスタ素体３の幅より小さい。内部電極１３の第一方向Ｄ１での長さは、たとえば、９０～１１０μｍである。内部電極１３の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、４５～７５μｍである。内部電極１３の厚みは、たとえば、０．５～３．０μｍである。本実施形態では、内部電極１３の第一方向Ｄ１での長さは、１００μｍであり、内部電極１３の第三方向Ｄ３での長さは、６０μｍであり、内部電極１３の厚みは、２．０μｍである。本実施形態では、内部電極１１の形状と内部電極１３の形状とは、同等である。本明細書での「同等」は、必ずしも、値が一致していることだけを意味するのではない。予め設定した範囲での微差、製造誤差、又は測定誤差が含まれている場合でも、形状が同等であるとしてもよい。

二つの内部電極１３は、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されている。各内部電極１３は、他方の端面３ｅに露出する一端を有している。他方の外部電極５の、端面３ｅ上に位置している部分は、各内部電極１３の一端を覆っている。各内部電極１３は、他方の端面３ｅに露出する一端で、他方の外部電極５と直接的に接続されている。各内部電極１３は、他方の外部電極５と電気的に接続されている。

各内部電極１３は、二つの内部電極１１のうち対応する内部電極１１と、第二方向Ｄ２において同じ位置（層）に配置されている。一つの内部電極１１と、一つの内部電極１３とが、同じ層に位置している。内部電極１１と、内部電極１３とは、第一方向Ｄ１、すなわち、一対の外部電極５がサーミスタ素体３を挟んで対向している方向で離間している。内部電極１１と内部電極１３との最短距離ＳＤ１は、たとえば、５～５８μｍである。本実施形態では、最短距離ＳＤ１は、２５μｍである。

内部電極１５は、第二方向Ｄ２から見て、長方形状を呈している。内部電極１５の第三方向Ｄ３での長さは、サーミスタ素体３の幅より小さい。内部電極１５の第一方向Ｄ１での長さは、たとえば、９０～１６８μｍである。内部電極１５の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、４５～７５μｍである。内部電極１５の厚みは、たとえば、０．５～３．０μｍである。本実施形態では、内部電極１５の第一方向Ｄ１での長さは、１１２μｍであり、内部電極１５の第三方向Ｄ３での長さは、６０μｍであり、内部電極１５の厚みは、２．０μｍである。

内部電極１５と内部電極１１，１３とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されている。内部電極１５は、サーミスタ素体３の表面に露出している端を有していない。したがって、内部電極１５は、各外部電極５には接続されていない。内部電極１５は、内部電極１１，１３と第二方向Ｄ２で対向している。内部電極１５と、内部電極１１，１３とは、サーミスタ素体３内において、第二方向Ｄ２に間隔を有して対向するように配置されている。内部電極１５は、互いに対応している一組の内部電極１１，１３が位置している層と、互いに対応している別の一組の内部電極１１，１３が位置している層との間に位置している。本実施形態では、内部電極１５が位置している層は、上記一組の内部電極１１，１３が位置している層と、上記別の一組の内部電極１１，１３が位置している層との略中間に位置している。内部電極１５は、内部電極１１と対向している部分と、内部電極１３と対向している部分と、内部電極１１，１３と対向していない部分と、を含んでいる。内部電極１１，１３と対向していない部分は、内部電極１１と対向している部分と、内部電極１３と対向している部分との間に位置している。

内部電極１１と内部電極１５との最短距離ＳＤ２は、たとえば、３．０～３１．３μｍである。本実施形態では、一方の内部電極１１と内部電極１５との最短距離ＳＤ２と、他方の内部電極１１と内部電極１５との最短距離ＳＤ２とは、同等である。本実施形態では、最短距離ＳＤ２は、９．２μｍである。

内部電極１３と内部電極１５との最短距離ＳＤ２は、たとえば、３．０～３１．３μｍである。本実施形態では、一方の内部電極１３と内部電極１５との最短距離ＳＤ３と、他方の内部電極１３と内部電極１５との最短距離ＳＤ３とは、同等である。本実施形態では、最短距離ＳＤ３は、９．２μｍであり、最短距離ＳＤ２と同等である。最短距離ＳＤ２，ＳＤ３は、内部電極１５と内部電極１１，１３との間に位置しているサーミスタ層の最小厚みでもある。最短距離ＳＤ２，ＳＤ３は、最短距離ＳＤ１より小さい。最短距離ＳＤ２，ＳＤ３は、サーミスタ素体３の厚みＴＨの１／４以下である。

内部電極１５と一方の外部電極５との最短距離ＳＤ４は、たとえば、１７．５～３０．５μｍである。本実施形態では、図６に示されるように、最短距離ＳＤ４は、内部電極１５の角と一方の外部電極５の端縁との最短距離である。内部電極１５の、一方の外部電極５寄りの一方の角と、当該一方の角と対向している一方の外部電極５の端縁との最短距離ＳＤ４と、内部電極１５の、一方の外部電極５寄りの他方の角と、当該他方の角と対向している一方の外部電極５の端縁との最短距離ＳＤ４とは、同等である。本実施形態では、最短距離ＳＤ４は、２４．４μｍである。

内部電極１５と他方の外部電極５との最短距離ＳＤ５は、たとえば、１７．５～３０．５μｍである。本実施形態では、図６に示されるように、最短距離ＳＤ５は、内部電極１５の角と他方の外部電極５の端縁との最短距離である。内部電極１５の、他方の外部電極５寄りの一方の角と、当該一方の角と対向している他方の外部電極５の端縁との最短距離ＳＤ５と、内部電極１５の、他方の外部電極５寄りの他方の角と、当該他方の角と対向している他方の外部電極５の端縁との最短距離ＳＤ５とは、同等である。本実施形態では、最短距離ＳＤ５は、２４．４μｍであり、最短距離ＳＤ４と同等である。最短距離ＳＤ２，ＳＤ３は、最短距離ＳＤ４，ＳＤ５より小さい。

ダミー電極１７は、第二方向Ｄ２から見て、長方形状を呈している。ダミー電極１７の第三方向Ｄ３での長さは、サーミスタ素体３の幅より小さい。ダミー電極１７の第一方向Ｄ１での長さＬｄ１は、たとえば、１０～６５μｍである。ダミー電極１７の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、４５～７５μｍである。ダミー電極１７の厚みは、たとえば、０．５～３．０μｍである。本実施形態では、ダミー電極１７の第一方向Ｄ１での長さＬｄ１は、３０μｍであり、ダミー電極１７の第三方向Ｄ３での長さは、６０μｍであり、ダミー電極１７の厚みは、２．０μｍである。ダミー電極１７の第三方向Ｄ３での長さは、内部電極１５の第三方向Ｄ３での長さと同等である。

ダミー電極１７は、内部電極１５と、第二方向Ｄ２において同じ位置（層）に配置されている。ダミー電極１７と、内部電極１５とは、第一方向Ｄ１、すなわち、一対の外部電極５がサーミスタ素体３を挟んで対向している方向で離間している。ダミー電極１７と、内部電極１１とは、サーミスタ素体３内において、第二方向Ｄ２に間隔を有して対向するように配置されている。ダミー電極１７は、一方の内部電極１１が位置している層と、他方の内部電極１１が位置している層との間に位置している。本実施形態では、ダミー電極１７が位置している層は、一方の内部電極１１が位置している層と、他方の内部電極１１が位置している層との略中間に位置している。第二方向Ｄ２から見て、ダミー電極１７の全体が、内部電極１１と重なっている。

ダミー電極１７は、一方の端面３ｅに露出する一端を有している。一方の外部電極５の、端面３ｅ上に位置している部分は、ダミー電極１７の一端を覆っている。ダミー電極１７は、一方の端面３ｅに露出する一端で、一方の外部電極５と直接的に接続されている。ダミー電極１７は、一方の外部電極５と電気的に接続されている。ダミー電極１７の長さＬｄ１は、ダミー電極１７が接続されている外部電極５の長さＬｅ１より小さい。ダミー電極１７の長さＬｄ１は、最短距離ＳＤ２，ＳＤ３より大きい。

ダミー電極１９は、第二方向Ｄ２から見て、長方形状を呈している。ダミー電極１９の第三方向Ｄ３での長さは、サーミスタ素体３の幅より小さい。ダミー電極１９の第一方向Ｄ１での長さＬｄ２は、たとえば、１０～６５μｍである。ダミー電極１９の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、４５～７５μｍである。ダミー電極１９の厚みは、たとえば、０．５～３．０μｍである。本実施形態では、ダミー電極１９の第一方向Ｄ１での長さＬｄ２は、３０μｍであり、ダミー電極１９の第三方向Ｄ３での長さは、６０μｍであり、ダミー電極１９の厚みは、２．０μｍである。ダミー電極１９の第三方向Ｄ３での長さは、内部電極１５の第三方向Ｄ３での長さと同等である。本実施形態では、ダミー電極１７の形状とダミー電極１９の形状とは、同等である。長さＬｄ１と長さＬｄ２とは、同等である。

ダミー電極１９は、内部電極１５と、第二方向Ｄ２において同じ位置（層）に配置されている。ダミー電極１９と、内部電極１５とは、第一方向Ｄ１、すなわち、一対の外部電極５がサーミスタ素体３を挟んで対向している方向で離間している。ダミー電極１９と、内部電極１３とは、サーミスタ素体３内において、第二方向Ｄ２に間隔を有して対向するように配置されている。ダミー電極１９は、一方の内部電極１３が位置している層と、他方の内部電極１３が位置している層との間に位置している。本実施形態では、ダミー電極１９が位置している層は、一方の内部電極１３が位置している層と、他方の内部電極１３が位置している層との略中間に位置している。第二方向Ｄ２から見て、ダミー電極１９の全体が、内部電極１３と重なっている。

ダミー電極１９は、他方の端面３ｅに露出する一端を有している。他方の外部電極５の、端面３ｅ上に位置している部分は、ダミー電極１９の一端を覆っている。ダミー電極１９は、他方の端面３ｅに露出する一端で、他方の外部電極５と直接的に接続されている。ダミー電極１９は、他方の外部電極５と電気的に接続されている。ダミー電極１９の長さＬｄ２は、ダミー電極１９が接続されている外部電極５の長さＬｅ１より小さい。ダミー電極１９の長さＬｄ２は、最短距離ＳＤ２，ＳＤ３より大きい。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、図２～図４にも示されるように、被覆層２１を備えている。被覆層２１は、サーミスタ素体３の表面（一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一対の端面３ｅ）に形成されている。被覆層２１は、サーミスタ素体３の表面を被覆している。本実施形態では、サーミスタ素体３の表面の略全体を被覆している。被覆層２１は、ガラス材料からなる層である。被覆層２１の厚みは、たとえば、０．０１～０．５μｍである。本実施形態では、被覆層２１の厚みは、０．１５μｍである。ガラス材料は、たとえば、ＳｉＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３－ＬｉＯ_２系結晶化ガラスである。ガラス材料は、非晶質ガラスであってもよい。各内部電極１１，１３と各ダミー電極１７，１９とは、被覆層２１を貫通し、対応する外部電極５と接続されている。

サーミスタ素体３は、図２～４に示されるように、複数の領域ＲＥ１，ＲＥ２を含んでいる。本実施形態では、サーミスタ素体３は、二つの領域ＲＥ１、及び、二つの領域ＲＥ２を含んでいる。領域ＲＥ１は、互いに隣り合っている内部電極１１と内部電極１５とで挟まれている。領域ＲＥ２は、互いに隣り合っている内部電極１３と内部電極１５とで挟まれている。各領域ＲＥ１，ＲＥ２は、図７に示されるように、複数の結晶粒ＣＧを含んでいる。各領域ＲＥ１，ＲＥ２は、Ｚｒが存在している結晶粒界を含んでいる。Ｚｒは、ＮＴＣサーミスタ材料の副成分に含まれるＺｒが結晶粒界に析出することによって、結晶粒界に存在している。図７は、サーミスタ素体の構成を示す模式図である。

領域ＲＥ１では、図７の（ａ）に示されるように、複数の結晶粒ＣＧは、内部電極１１と内部電極１５との間を連続して並んでいる複数の結晶粒ＣＧ１１，ＣＧ１２，ＣＧ１３，ＣＧ１４を含んでいる。複数の結晶粒ＣＧ１１，ＣＧ１２，ＣＧ１３，ＣＧ１４が連続して並んでいるとは、複数の結晶粒ＣＧ１１，ＣＧ１２，ＣＧ１３，ＣＧ１４のうち互いに隣り合っている結晶粒が直接的に接している状態である。
結晶粒ＣＧ１１は、内部電極１１と直接的に接している。結晶粒ＣＧ１２は、内部電極１５と直接的に接している。結晶粒ＣＧ１３は、内部電極１１と内部電極１５とには直接的に接していない。結晶粒ＣＧ１３は、結晶粒ＣＧ１１と結晶粒ＣＧ１２とにも直接的に接していない。結晶粒ＣＧ１１と結晶粒ＣＧ１３との間には、少なくとも一つの結晶粒ＣＧ１４が位置している。結晶粒ＣＧ１２と結晶粒ＣＧ１３との間にも、少なくとも一つの結晶粒ＣＧ１４が位置している。たとえぱ、結晶粒ＣＧ１１が第一結晶粒を構成する場合、結晶粒ＣＧ１２が第二結晶粒を構成すると共に、少なくとも結晶粒ＣＧ１３が第三結晶粒を構成する。

領域ＲＥ２では、複数の結晶粒ＣＧは、図７の（ｂ）に示されるように、内部電極１３と内部電極１５との間を連続して並んでいる複数の結晶粒ＣＧ２１，ＣＧ２２，ＣＧ２３，ＣＧ２４を含んでいる。
複数の結晶粒ＣＧ２１，ＣＧ２２，ＣＧ２３，ＣＧ２４が連続して並んでいるとは、複数の結晶粒ＣＧ２１，ＣＧ２２，ＣＧ２３，ＣＧ２４のうち互いに隣り合っている結晶粒が直接的に接している状態である。
結晶粒ＣＧ２１は、内部電極１３と直接的に接している。結晶粒ＣＧ２２は、内部電極１５と直接的に接している。結晶粒ＣＧ２３は、内部電極１３と内部電極１５とには直接的に接していない。結晶粒ＣＧ２３は、結晶粒ＣＧ２１と結晶粒ＣＧ２２とにも直接的に接していない。結晶粒ＣＧ２１と結晶粒ＣＧ２３との間には、少なくとも一つの結晶粒ＣＧ２４が位置している。結晶粒ＣＧ２２と結晶粒ＣＧ２３との間にも、少なくとも一つの結晶粒ＣＧ２４が位置している。たとえぱ、結晶粒ＣＧ２１が第一結晶粒を構成する場合、結晶粒ＣＧ２２が第二結晶粒を構成すると共に、少なくとも結晶粒ＣＧ２３が第三結晶粒を構成する。

第二方向Ｄ２に沿った断面において、複数の結晶粒ＣＧの平均粒径は、２μｍ以下である。複数の結晶粒ＣＧのうち、最も大きい結晶粒ＣＧの粒径は、たとえば、略５μｍである。複数の結晶粒ＣＧのうち、最も小さい結晶粒ＣＧの粒径は、たとえば、略０．５μｍである。本実施形態では、複数の結晶粒ＣＧの平均粒径は、各内部電極１１，１３，１５の厚みと同等以下である。

複数の結晶粒ＣＧの平均粒径は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
内部電極１１，１３，１５（領域ＲＥ１，ＲＥ２）を含む位置での、サーミスタ素体３（ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１）の断面写真を取得する（図８参照）。断面写真は、サーミスタ素体３を主面３ａに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置している平面で切断したときの、サーミスタ素体３の断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の主面３ａに平行であり、かつ、内部電極１１，１３と内部電極との間に位置している平面で切断したときの、サーミスタ素体３の断面を撮影した写真であってもよい。写真は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真であってもよい。図８は、サーミスタ素体の断面写真である。
取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、各結晶粒ＣＧの境界を判別し、各領域ＲＥ１，ＲＥ２に含まれる結晶粒ＣＧの面積を算出する。算出した結晶粒ＣＧの面積から、円相当径に換算した粒径を算出する。断面写真内の各領域ＲＥ１，ＲＥ２に含まれる、すべての結晶粒ＣＧの粒径が算出されてもよい。断面写真内の各領域ＲＥ１，ＲＥ２に含まれる結晶粒ＣＧのうち、任意の数の結晶粒ＣＧの粒径が算出されてもよい。任意の数は、たとえば、５０である。得られた結晶粒ＣＧの粒径の平均値を平均粒径とする。

第二方向Ｄ２に沿った断面において、８μｍ四方の範囲内に存在している複数の結晶粒ＣＧの数は、１４個以上である。８μｍ四方の範囲内に存在している複数の結晶粒ＣＧの数の平均値は、たとえば、１８個である。８μｍ四方の範囲内に存在している複数の結晶粒ＣＧの数の最大値は、たとえば、２４個である。

８μｍ四方の範囲内に存在している複数の結晶粒ＣＧの数は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
内部電極１１，１３，１５（領域ＲＥ１，ＲＥ２）を含む位置での、サーミスタ素体３（ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１）の断面写真を取得する。断面写真は、サーミスタ素体３を主面３ａに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置している平面で切断したときの、サーミスタ素体３の断面を撮影した写真である。断面写真は、平均粒径を得る際に撮影した断面写真であってもよい。
取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、各結晶粒ＣＧの境界を判別する。各結晶粒ＣＧの境界が判別された画像上の、任意の８μｍ四方の範囲内に存在している結晶粒ＣＧの数を求める。

サーミスタ素体３の比抵抗ρは、図９にも示されるように、サーミスタ素体３における、２５℃でのゼロ負荷抵抗値Ｒ_２５を含む関係式
ρ＝α×（Ｓ×ｎ／Ｔ）×Ｒ_２５
を満たしている。上記関係式に含まれる「Ｓ」は、第二方向Ｄ２で内部電極１１と内部電極１５とが重なっている領域の面積と、第二方向Ｄ２で内部電極１３と内部電極１５とが重なっている領域の面積と、の合計値である。上記関係式に含まれる「ｎ」は、サーミスタ素体３における、内部電極１１，１３と内部電極１５との間に位置する領域の、第二方向Ｄ２での数である。上記関係式に含まれる「Ｔ」は、内部電極１１，１３と内部電極１５との第二方向Ｄ２での間隔である。間隔Ｔは、最短距離ＳＤ２，ＳＤ３であってもよい。間隔Ｔは、第二方向Ｄ２で内部電極１１と内部電極１５とが重なっている領域と、第二方向Ｄ２で内部電極１３と内部電極１５とが重なっている領域とにおける、内部電極１１，１３と内部電極１５との第二方向Ｄ２での間隔の平均値であってもよい。上記関係式に含まれる「α」は、サーミスタ素体３以外の部位の抵抗値に起因する係数である。サーミスタ素体３以外の部位は、たとえば、内部電極１１，１３，１５及び外部電極５を含む。
本実施形態では、合計値Ｓは、５２２０μｍ^２である。数ｎは、２である。間隔Ｔは、９．２μｍである。係数αは、４０．５４である。ゼロ負荷抵抗値Ｒ_２５は、略１０００００Ωである。サーミスタ素体３の比抵抗ρは、略４６００Ω・ｍである。
サーミスタ素体３の比抵抗ρが比較的小さい場合、内部電極１１，１３と内部電極１５との間隔（層間距離）のばらつきよりも、内部電極１１，１３と内部電極１５との重なり面積のばらつきが、抵抗値のばらつきに大きな影響を与える。サーミスタ素体３の比抵抗ρが比較的大きい場合、上記重なり面積のばらつきよりも、層間距離のばらつきが、抵抗値のばらつきに大きな影響を与える。

本発明者らは、内部電極１１，１３，１５の構成を確立した上で、内部電極１１と内部電極１５との距離（層間距離）及び内部電極１３と内部電極１５との距離（層間距離）に着目した。０４０２サイズ未満であるＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、内部電極１１と内部電極１５との距離及び内部電極１３と内部電極１５との距離が以下の関係を満たすことによりはじめて、抵抗値のばらつきが低減される。すなわち、内部電極１１と内部電極１５との距離及び内部電極１３と内部電極１５との距離が以下の関係を満たされない限り、抵抗値のばらつきが低減されている、０４０２サイズ未満であるＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は実現されない。
各最短距離ＳＤ２，ＳＤ３は、最短距離ＳＤ１より小さい。各最短距離ＳＤ２，ＳＤ３は、各最短距離ＳＤ４，ＳＤ５より小さい。各最短距離ＳＤ２，ＳＤ３は、サーミスタ素体３の厚みＴＨの１／４以下である。

以上のように、本実施形態では、複数の結晶粒ＣＧが、結晶粒ＣＧ１３，ＣＧ２３を含んでいる。
複数の結晶粒ＣＧが、結晶粒ＣＧ１３，ＣＧ２３を含んでいる構成では、複数の結晶粒が、複数の結晶粒ＣＧが、結晶粒ＣＧ１３，ＣＧ２３を含んでいない構成に比して、結晶粒ＣＧの径が小さい。上記二つの構成では、内部電極１１と内部電極１５との距離（層間距離）及び内部電極１３と内部電極１５との距離（層間距離）は、同等である。領域ＲＥ１において結晶粒ＣＧ１３を含んでいない構成では、複数の結晶粒ＣＧのうち、結晶粒ＣＧ１１，ＣＧ１２以外の結晶粒は、結晶粒ＣＧ１１及び結晶粒ＣＧ１２の少なくとも一方と直接的に接している。領域ＲＥ２において結晶粒ＣＧ２３を含んでいない構成では、複数の結晶粒ＣＧのうち、結晶粒ＣＧ２１，ＣＧ２２以外の結晶粒は、結晶粒ＣＧ２１及び結晶粒ＣＧ２２の少なくとも一方と直接的に接している。
径が大きい結晶粒ＣＧでは、径が小さい結晶粒ＣＧに比して、結晶粒ＣＧ内での組成が偏りやすい。したがって、複数の結晶粒ＣＧの径が大きい構成は、複数の結晶粒ＣＧの径が小さい構成に比して、抵抗値のばらつきを増大させる傾向にある。すなわち、複数の結晶粒ＣＧの径が小さい構成は、複数の結晶粒ＣＧの径が大きい構成に比して、抵抗値のばらつきを低減させる傾向にある。
複数の結晶粒ＣＧが、結晶粒ＣＧ１３，ＣＧ２３を含んでいる構成では、複数の結晶粒ＣＧが、結晶粒ＣＧ１３，ＣＧ２３を含んでいない構成に比して、結晶粒ＣＧの数が多い。結晶粒ＣＧの数が多い構成は、結晶粒ＣＧの数が少ない構成に比して、結晶粒界が多く存在するので、サーミスタ素体３の強度が向上する。
したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、抵抗値のばらつきを低減し得ると共に、強度の向上を図り得る。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、０２０１サイズである。
０２０１サイズであるＮＴＣサーミスタ素子は、０４０２サイズ以上であるＮＴＣサーミスタ素子に比して、サーミスタ素体３の容積が小さい。したがって、０２０１サイズであるＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性に優れる。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、第二方向Ｄ２に沿った断面において、複数の結晶粒ＣＧの平均粒径が、２μｍ以下である。
第二方向Ｄ２に沿った断面において、複数の結晶粒ＣＧの平均粒径が、２μｍ以下である構成は、サーミスタ素体３の領域ＲＥ１，ＲＥ２での緻密化を促進する。したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、抵抗値のばらつきをより一層低減し得ると共に、強度の更なる向上を図り得る。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、サーミスタ素体３の領域ＲＥ１，ＲＥ２が、Ｚｒが存在している結晶粒界を有している。
サーミスタ素体３の領域ＲＥ１，ＲＥ２が、Ｚｒが存在している結晶粒界を有している構成は、特性の経時変化が生じがたい。したがって、本実施形態は、信頼性が向上するＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１を実現する。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、第二方向Ｄ２に沿った断面において、８μｍ四方の範囲内に存在している複数の結晶粒の数が、１４個以上である。
第二方向Ｄ２に沿った断面において、８μｍ四方の範囲内に存在している複数の結晶粒の数が、１４個以上である構成は、サーミスタ素体３の領域ＲＥ１，ＲＥ２での緻密化を促進する。したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、抵抗値のばらつきをより一層低減し得ると共に、強度の更なる向上を図り得る。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、０４０２サイズ未満である。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、サーミスタ素体３と、一対の外部電極５と、内部電極１１，１３，１５と、を備えている。内部電極１１と内部電極１３は、一対の外部電極５がサーミスタ素体３を挟んで対向している第一方向Ｄ１で離間している。内部電極１５は、内部電極１１，１３と対向していると共に、各外部電極５には接続されていない。各最短距離ＳＤ２，ＳＤ３は、各最短距離ＳＤ１，ＳＤ４，ＳＤ５より小さく、かつ、サーミスタ素体３の厚みＴＨの１／４以下である。
したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１が、０４０２サイズ未満であっても、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、抵抗値のばらつきをより一層低減し得る。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、被覆層２１を備えている。被覆層２１は、サーミスタ素体３の表面を被覆すると共に、ガラス材料からなる。
ガラス材料からなる被覆層２１がサーミスタ素体３の表面を被覆している構成は、サーミスタ素体３の表面の電気絶縁性を確保する。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、ダミー電極１７が、第一方向Ｄ１で内部電極１５と離間していると共に、一方の外部電極５に接続されている。ダミー電極１９が、第一方向Ｄ１で内部電極１５と離間していると共に、他方の外部電極５に接続されている。
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、ダミー電極１７，１９を備えているので、内部電極１１と内部電極１５との距離（層間距離）及び内部電極１３と内部電極１５との距離（層間距離）のばらつきを抑制する。したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、抵抗値のばらつきをより一層低減し得る。

各長さＬｄ１，Ｌｄ２が、各外部電極５の長さＬｅ１より小さく、かつ、各最短距離ＳＤ２，ＳＤ３より大きい。
したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、抵抗値のばらつきをより一層確実に低減し得る。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１を製造する際に、内部電極１１，１３，１５の先端形状が、複数の結晶粒ＣＧの径に応じて変化する。内部電極１１，１３，１５の先端が先細りする場合、第二方向Ｄ２で内部電極１１と内部電極１５とが重なっている領域の面積と、第二方向Ｄ２で内部電極１３と内部電極１５とが重なっている領域の面積とがばらつくおそれがある。内部電極１１，１３と内部電極１５との重なり面積のばらつきは、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１に、抵抗値のばらつきを生じさせる。
複数の結晶粒ＣＧの径が小さい構成は、複数の結晶粒ＣＧの径が大きい構成に比して、内部電極１１，１３，１５の先端が先細りしがたい。したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、抵抗値のばらつきをより一層低減し得る。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、図１０に示されるように、ダミー電極１７，１９を備えていなくてもよい。ダミー電極１７，１９を備えていないＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１であっても、抵抗値のばらつきが低減される。
各内部電極１１，１３の数は、二つに限られない。各内部電極１１，１３の数は、一つでもよい。各内部電極１１，１３の数は、三つ以上でもよい。この場合、内部電極１５の数は、二つ以上でもよい。
第二方向Ｄ２に沿った断面において、複数の結晶粒ＣＧの平均粒径は、２μｍより大きくてもよい。第二方向Ｄ２に沿った断面において、複数の結晶粒ＣＧの平均粒径が、２μｍ以下である構成では、上述したように、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、抵抗値のばらつきをより一層低減し得ると共に、強度の更なる向上を図り得る。
サーミスタ素体３の領域ＲＥ１，ＲＥ２が、Ｚｒが存在している結晶粒界を有していなくてもよい。サーミスタ素体３の領域ＲＥ１，ＲＥ２が、Ｚｒが存在している結晶粒界を有している構成は、上述したように、信頼性が向上するＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１を実現する。

３…サーミスタ素体、５…外部電極、１１，１３，１５…内部電極、ＣＧ，ＣＧ１１，ＣＧ１２，ＣＧ１３，ＣＧ１４，ＣＧ２１，ＣＧ２２，ＣＧ２３，ＣＧ２４…結晶粒、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向、Ｄ３…第三方向、ＲＥ１，ＲＥ２…サーミスタ素体の領域、Ｔ１…ＮＴＣサーミスタ素子。

Claims (5)

1. サーミスタ素体と、
   前記サーミスタ素体内に配置されており、互いに対向している複数の内部電極と、を備え、
   前記サーミスタ素体は、前記複数の内部電極のうち互いに隣り合う内部電極で挟まれる領域を含み、
   前記サーミスタ素体の前記領域は、互いに隣り合う前記内部電極の間を連続して並んでいる複数の結晶粒を含み、
   前記複数の結晶粒は、
   互いに隣り合う前記内部電極のうち一方の内部電極と接している第一結晶粒と、
   互いに隣り合う前記内部電極のうち他方の内部電極と接している第二結晶粒と、
   前記第一結晶粒と前記第二結晶粒とに接していない第三結晶粒と、
   前記第一結晶粒と前記第三結晶粒との間に位置し、前記第一結晶粒と前記第三結晶粒とに接している結晶粒と、
   前記第二結晶粒と前記第三結晶粒との間に位置し、前記第二結晶粒と前記第三結晶粒とに接している結晶粒と、を含んでいる、ＮＴＣサーミスタ素子。
2. ０２０１サイズである、請求項１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
3. 互いに隣り合う前記内部電極が対向している方向に沿った断面において、前記複数の結晶粒の平均粒径は、２μｍ以下である、請求項１又は２に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
4. 前記サーミスタ素体の前記領域は、Ｚｒが存在している結晶粒界を有している、請求項１～３のいずれか一項に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
5. 前記サーミスタ素体の一端に配置されている第一外部電極と、
   前記サーミスタ素体の他端に配置されている第二外部電極と、を更に備え、
   前記複数の内部電極は、
   前記第一外部電極に接続されている第一内部電極と、
   前記第一外部電極と前記第二外部電極とが前記サーミスタ素体を挟んで対向している第一方向で前記第一内部電極と離間すると共に、前記第二外部電極に接続されている第二内部電極と、
   前記第一内部電極と前記第二内部電極とに対向していると共に、前記第一外部電極と前記第二外部電極とには接続されていない第三内部電極と、を含んでいる、請求項１～４のいずれか一項に記載のＮＴＣサーミスタ素子。

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