JP2023072760A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】外部電極が導電性樹脂層を含む場合でも、マイグレーションの発生を抑制する電子部品を提供する。【解決手段】積層コンデンサＣ１は、素体３と、複数の外部電極５と、電気絶縁膜ＥＩと、を備える。複数の外部電極５は、素体３に配置されている。電気絶縁膜ＥＩは、素体３に配置されている。複数の外部電極５のそれぞれは、第二電極層Ｅ２を含む。電気絶縁膜ＥＩは、素体３の表面における複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する膜部分を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品に関する。

知られている電子部品は、素体と、素体に配置されている複数の外部電極と、を備えている（たとえば、特許文献１を参照）。複数の外部電極のそれぞれは、導電性樹脂層を含む。

特開２０１８－００６５０１号公報

導電性樹脂層は、一般に、複数の金属粒子と、樹脂とを含む。この場合、外部電極にマイグレーションが生じるおそれがある。マイグレーションは、たとえば、以下の事象により生じると考えられる。
電界が導電性樹脂層に含まれる金属粒子に作用し、金属粒子がイオン化する。発生した金属イオンは、外部電極間に生じる電界に引かれ、導電性樹脂層から移動する。金属粒子に作用する電界は、たとえば、外部電極間に生じる電界、又は、外部電極と、素体内に配置される内部導体との間に生じる電界を含む。導電性樹脂層から移動する金属イオンは、たとえば、素体又は外部電極から供給される電子と反応し、素体の表面上に金属として析出する。

本発明の一つの態様は、外部電極が導電性樹脂層を含む場合でも、マイグレーションの発生を抑制する電子部品を提供することを目的とする。

本発明の一つの態様に係る電子部品は、素体と、素体に配置されている複数の外部電極と、素体に配置されている電気絶縁膜と、を備える。複数の外部電極のそれぞれは、導電性樹脂層を含む。電気絶縁膜は、素体の表面における複数の外部電極の間の領域上に少なくとも位置する膜部分を含む。

上記一つの態様では、電気絶縁膜に含まれる膜部分が、素体の表面における複数の外部電極の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、導電性樹脂層に含まれる金属粒子がイオン化する場合でも、膜部分は、発生する金属イオンと、素体又は外部電極から供給される電子との反応を阻害する。すなわち、電子が金属イオンに供給されがたい。この結果、上記一つの態様は、マイグレーションの発生を抑制する。

上記一つの態様は、複数の内部電極を備えていてもよい。複数の内部電極は、互いに対向するように素体内に配置されていると共に、複数の外部電極のうち対応する外部電極と電気的に接続されていてもよい。素体は、複数の内部電極のうち、複数の内部電極が互いに対向する方向で最も外側に位置する最外内部電極と対向する第一側面を含んでいてもよい。導電性樹脂層は、第一側面上に位置する部分を含んでいてもよい。膜部分は、第一側面上に位置していてもよい。
導電性樹脂層が、第一側面上に位置する部分を含む構成では、導電性樹脂層が含むと共に第一側面上に位置する部分に含まれる金属粒子が、イオン化するおそれがある。しかしながら、電気絶縁膜に含まれる膜部分が第一側面上に位置する構成では、膜部分は、導電性樹脂層が含むと共に第一側面上に位置する部分に含まれる金属粒子から生じる金属イオンと、素体又は外部電極から供給される電子との反応を確実に阻害する。この結果、電気絶縁膜に含まれる膜部分が、第一側面上に位置する構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、素体は、複数の内部電極が互いに対向する方向に延在する第二側面を含んでいてもよい。導電性樹脂層は、第二側面上に位置する部分を含んでいてもよい。膜部分は、第二側面上に位置していてもよい。
導電性樹脂層が、第二側面上に位置する部分を含む構成では、導電性樹脂層が含むと共に第二側面上に位置する部分に含まれる金属粒子が、イオン化するおそれがある。しかしながら、電気絶縁膜に含まれる膜部分が、第二側面上に位置する構成では、膜部分は、導電性樹脂層が含むと共に第二側面上に位置する部分に含まれる金属粒子から生じる金属イオンと、素体又は外部電極から供給される電子との反応を確実に阻害する。この結果、電気絶縁膜に含まれる膜部分が第二側面上に位置する構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、素体は、複数の内部電極のうち対応する内部電極が露出する端面を含んでいてもよい。電気絶縁膜は、端面上に位置する膜部分を含んでいてもよい。
外部電極が電解めっき層を含む場合、めっき液が素体に浸入するおそれがある。めっき液が素体に浸入した場合、電子部品の電気的特性が劣化するおそれがある。しかしながら、電気絶縁膜が、端面上に位置する膜部分を含む構成では、外部電極が電解めっき層を含む場合でも、端面上に位置する膜部分が、素体へのめっき液の浸入を阻害する。したがって、電気絶縁膜が端面上に位置する膜部分を含む構成は、電子部品の電気的特性の劣化を抑制する。

上記一つの態様では、複数の外部電極のそれぞれは、電気絶縁膜上に形成されている焼結金属層を含んでいてもよい。焼結金属層は、対応する内部電極と物理的かつ電気的に接続されていてもよい。導電性樹脂層は、焼結金属層上に形成されていてもよい。
導電性樹脂層が形成される焼結金属層が、電気絶縁膜上に形成されている構成では、導電性樹脂層に含まれる金属粒子がイオン化する場合でも、電子が金属イオンにより一層供給されがたい。したがって、本構成は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

上記一つの態様では、第一側面上に位置する膜部分の平均厚みは、端面上に位置する膜部分の平均厚み以上であってもよい。
第一側面上に位置する膜部分の平均厚みが、端面上に位置する膜部分の平均厚み以上である構成は、導電性樹脂層が含むと共に第一側面上に位置する部分に含まれる金属粒子から生じる金属イオンと、素体又は外部電極から供給される電子との反応をより一層確実に阻害する。したがって、本構成は、マイグレーションの発生をより一層確実に抑制する。
電気絶縁膜が、端面上に位置する膜部分を含む構成は、互いに対応する焼結金属層と内部電極との接続性を低下させるおそれがある。しかしながら、端面上に位置する膜部分の平均厚みが、第一側面上に位置する膜部分の平均厚み未満である構成は、互いに対応する焼結金属層と内部電極との接続性の低下を抑制する。

上記一つの態様では、第一側面上に位置する膜部分の平均厚みは、０．０５μｍ以上であってもよい。
第一側面上に位置する膜部分の平均厚みが、０．０５μｍ以上である構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、端面上に位置する膜部分の平均厚みは、０より大きく０．２μｍ以下であってもよい。
端面上に位置する膜部分の平均厚みが、０より大きく０．２μｍ以下である構成は、電子部品の電気的特性の劣化と、互いに対応する焼結金属層と内部電極との接続性の低下と、を確実に抑制する。

上記一つの態様では、最外内部電極と第一側面との間隔は、１００μｍ以上４００μｍ以下であってもよい。
最外内部電極と第一側面との間隔が１００μｍ未満である構成では、電子が最外内部電極から金属イオンに供給される傾向がある。したがって、最外内部電極と第一側面との間隔が１００μｍ以上である構成では、電子が最外内部電極から金属イオンに供給されがたい。この結果、本構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。
最外内部電極と第一側面との間隔が４００μｍより大きい構成では、クラックが素体に発生する傾向がある。したがって、最外内部電極と第一側面との間隔が４００μｍ以下である構成は、クラックが素体に発生するのを抑制する。

上記一つの態様では、最外内部電極と、導電性樹脂層における第一側面上に位置する部分とは、互いに電気的に接続されていなくてもよい。第一側面上に位置する膜部分は、最外内部電極と、導電性樹脂層における第一側面上に位置する部分との間に位置していてもよい。
最外内部電極と、導電性樹脂層における第一側面上に位置する部分とが、互いに電気的に接続されていない構成では、最外内部電極と、導電性樹脂層における第一側面上に位置する部分との間に生じる電界が、導電性樹脂層に含まれる金属粒子に作用し、金属粒子がイオン化しやすい。しかしながら、第一側面上に位置する膜部分が、最外内部電極と、導電性樹脂層における第一側面上に位置する部分との間に位置する構成では、最外内部電極と、導電性樹脂層における第一側面上に位置する部分との間に、電界が生じがたい。したがって、本構成は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

上記一つの態様では、複数の外部電極のそれぞれは、導電性樹脂層を覆うように導電性樹脂層上に形成されているめっき層を含んでいてもよい。
導電性樹脂層がめっき層で覆われている構成では、導電性樹脂層に含まれる金属粒子がイオン化する場合でも、めっき層がマイグレーションの発生を抑制する。したがって、本構成は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。
導電性樹脂層がめっき層で覆われている構成では、めっき層が、導電性樹脂層の剥離を抑制する。

上記一つの態様では、電気絶縁膜と導電性樹脂層とは互いに接していてもよい。
電気絶縁膜と導電性樹脂層とは互いに接している構成は、電子が金属イオンに供給されるのを確実に抑制する。したがって、本構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、電気絶縁膜は、電気絶縁薄膜からなっていてもよい。

上記一つの態様では、電気絶縁膜は、シリコン酸化膜からなっていてもよい。
シリコン酸化膜は、電気絶縁性が高い。したがって、電気絶縁膜がシリコン酸化膜からなる構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、導電性樹脂層は、複数の銀粒子を含んでいてもよい。

本発明の一つの態様は、外部電極が導電性樹脂層を含む場合でも、マイグレーションの発生を抑制する電子部品を提供する。

図１は、一実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 図２は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図３は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図４は、外部電極、電気絶縁膜、及び内部電極を示す模式図である。 図５は、外部電極、電気絶縁膜、及び内部電極を示す模式図である。 図６は、積層コンデンサの断面構成を示す模式図である。 図７は、積層コンデンサの断面構成を示す模式図である。 図８は、各試料におけるマイグレーションの発生状況を示す図表である。 図９は、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１０は、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１～図５を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図１は、実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２及び図３は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図４及び図５は、外部電極、電気絶縁膜、及び内部電極を示す模式図である。本実施形態では、電子部品は、たとえば、積層コンデンサＣ１である。

積層コンデンサＣ１は、図１～図３に示されるように、直方体形状を呈している素体３と、複数の外部電極５と、電気絶縁膜ＥＩと、を備えている。本実施形態では、積層コンデンサＣ１は、一対の外部電極５を備えている。一対の外部電極５は、素体３の外表面に配置されている。一対の外部電極５は、互いに離間している。直方体形状は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。

素体３は、互いに対向している一対の側面３ａと、互いに対向している一対の側面３ｃと、互いに対向している一対の端面３ｅと、を有する。一対の側面３ａ、一対の側面３ｃ、及一対の端面３ｅは、長方形状を呈している。一対の側面３ａが対向している方向が、第一方向Ｄ１である。一対の側面３ｃが対向している方向が、第三方向Ｄ３である。一対の端面３ｅが対向している方向が、第二方向Ｄ２である。積層コンデンサＣ１は、電子機器にはんだ実装される。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。積層コンデンサＣ１では、一方の側面３ａが、電子機器と対向する。一方の側面３ａは、実装面を構成するように配置される。一方の側面３ａは、実装面である。一対の側面３ｃのうち、一つの側面３ｃが実装面を構成するように配置されてもよい。たとえば、側面３ａが、第一側面を構成する場合、側面３ｃは、第二側面を構成する。

第一方向Ｄ１は、各側面３ａに直交する方向であり、第三方向Ｄ３と直交している。第二方向Ｄ２は、各側面３ａと各側面３ｃとに平行な方向であり、第一方向Ｄ１と第三方向Ｄ３とに直交している。第三方向Ｄ３は、各側面３ｃに直交する方向であり、第二方向Ｄ２は、各端面３ｅに直交する方向である。本実施形態では、素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の第一方向Ｄ１での長さより大きく、かつ、素体３の第三方向Ｄ３での長さより大きい。第二方向Ｄ２が、素体３の長手方向である。素体３の第一方向Ｄ１での長さと素体３の第三方向Ｄ３での長さとは、互いに同等であってもよい。素体３の第一方向Ｄ１での長さと素体３の第三方向Ｄ３での長さとは、互いに異なっていてもよい。

素体３の第一方向Ｄ１での長さは、素体３の高さである。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の幅である。素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の長さである。本実施形態では、素体３の高さは、０．１～２．５ｍｍであり、素体３の幅は、０．１～５．０ｍｍであり、素体３の長さは、０．２～５．７ｍｍである。たとえば、素体３の高さは、２．５ｍｍであり、素体３の幅は、２．５ｍｍであり、素体３の長さは、３．２ｍｍである。

一対の側面３ｃは、一対の側面３ａを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の側面３ｃは、第二方向Ｄ２にも延在している。一対の端面３ｅは、一対の側面３ａを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の端面３ｅは、第三方向Ｄ３にも延在している。

素体３は、四つの稜線部３ｇと、四つの稜線部３ｉと、四つの稜線部３ｊと、を有する。稜線部３ｇは、端面３ｅと側面３ａとの間に位置する。稜線部３ｉは、端面３ｅと側面３ｃとの間に位置する。稜線部３ｊは、側面３ａと側面３ｃとの間に位置する。本実施形態では、各稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊは、湾曲するように丸められている。素体３には、いわゆるＲ面取り加工が施されている。端面３ｅと側面３ａとは、稜線部３ｇを介して、間接的に隣り合っている。端面３ｅと側面３ｃとは、稜線部３ｉを介して、間接的に隣り合っている。側面３ａと側面３ｃとは、稜線部３ｊを介して、間接的に隣り合っている。

素体３は、第一方向Ｄ１に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体３は、積層されている複数の誘電体層を有する。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第一方向Ｄ１と一致する。各誘電体層は、たとえば、誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。誘電体材料は、たとえば、ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系などの誘電体セラミックを含む。実際の素体３では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。

電気絶縁膜ＥＩは、図２及び図３に示されるように、素体３に配置されている。電気絶縁膜ＥＩは、素体３に直接的に配置されている。電気絶縁膜ＥＩは、複数の膜部分ＥＩａ，ＥＩｃ，ＥＩｅを含む。本実施形態では、電気絶縁膜ＥＩは、一対の膜部分ＥＩａと、一対の膜部分ＥＩｃと、一対の膜部分ＥＩｅとを含む。各膜部分ＥＩａは、一対の側面３ａのうち対応する側面３ａ上に配置されている。各膜部分ＥＩａは、対応する側面３ａを覆っており、対応する側面３ａと直接接している。各膜部分ＥＩｃは、一対の側面３ｃのうち対応する側面３ｃ上に配置されている。各膜部分ＥＩｃは、対応する側面３ｃを覆っており、対応する側面３ｃと直接接している。各膜部分ＥＩｅは、一対の端面３ｅのうち対応する端面３ｅ上に配置されている。各膜部分ＥＩｅは、対応する端面３ｅを覆っており、対応する端面３ｅと直接接している。
電気絶縁膜ＥＩは、各稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊ上にそれぞれ配置されている複数の膜部分を含む。膜部分ＥＩａと膜部分ＥＩｃとは、稜線部３ｊ上に配置されている膜部分により連結されている。膜部分ＥＩａと膜部分ＥＩｅとは、稜線部３ｇ上に配置されている膜部分により連結されている。膜部分ＥＩｃと膜部分ＥＩｅとは、稜線部３ｉ上に配置されている膜部分により連結されている。本実施形態では、電気絶縁膜ＥＩは、素体３の略全体を覆っている。

電気絶縁膜ＥＩは、たとえば、素体３の電気抵抗率より高い電気抵抗率を有する。素体３の電気抵抗率は、素体３の体積抵抗率又は素体３の表面抵抗率を含む。電気絶縁膜ＥＩは、素体３の体積抵抗率より高く、かつ、素体３の表面抵抗率より高い電気抵抗率を有していてもよい。
電気絶縁膜ＥＩは、たとえば、電気絶縁薄膜からなる。この場合、電気絶縁膜ＥＩは、スパッタ膜からなっていてもよい。電気絶縁膜ＥＩは、たとえば、シリコン酸化膜からなる。シリコン酸化膜は、たとえば、二酸化シリコン膜である。電気絶縁膜ＥＩは、たとえば、酸化アルミニウム膜からなっていてもよい。

積層コンデンサＣ１は、図２及び図３に示されるように、複数の内部電極７と複数の内部電極９とを備えている。各内部電極７，９は、素体３内に配置されている内部導体である。各内部電極７，９は、積層型電子部品の内部導体として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、卑金属を含む。導電性材料は、たとえば、Ｎｉ又はＣｕを含む。内部電極７，９は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。本実施形態では、内部電極７，９は、Ｎｉからなる。
図３では、説明のため、各内部電極７，９は、意図的に、第三方向Ｄ３に互いにずれて図示されている。

内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１において異なる位置（層）に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、素体３内において、第一方向Ｄ１に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、互いに極性が異なる。内部電極７，９の一端は、対応する端面３ｅに露出している。内部電極７，９は、対応する端面３ｅに露出している一端を有する。
複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第一方向Ｄ１で交互に並んでいる。複数の内部電極７，９は、第一方向Ｄ１に並ぶように素体３内に配置されている。各内部電極７，９は、側面３ｃと略平行な面内に位置する。内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。内部電極７と内部電極９とが対向している方向（第一方向Ｄ１）は、側面３ａと平行な方向（第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３）と直交している。
複数の内部電極７は、第一方向Ｄ１で最も外側に位置する一つの内部電極７Ａを含む。内部電極７Ａは、一対の側面３ａのうち一方の側面３ａと、第一方向Ｄ１で対向している。複数の内部電極９は、第一方向Ｄ１で最も外側に位置する一つの内部電極９Ａを含む。内部電極９Ａは、一対の側面３ａのうち他方の側面３ａと、第一方向Ｄ１で対向している。各内部電極７Ａ，９Ａは、最外内部電極である。

外部電極５は、図１～図３に示されるように、素体３に配置されている。本実施形態では、外部電極５は、電気絶縁膜ＥＩ上に配置されている。すなわち、外部電極５は、電気絶縁膜ＥＩに直接的に配置され、かつ、素体３に間接的に配置されている。
外部電極５は、素体３の第二方向Ｄ２での両端部にそれぞれ配置されている。各外部電極５は、素体３における、対応する端面３ｅ側に配置されている。本実施形態では、各外部電極５は、一対の側面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一つの端面３ｅに配置されている。外部電極５は、図２及び図３に示されるように、複数の電極部５ａ，５ｃ，５ｅを有する。電極部５ａは、側面３ａ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。各電極部５ｃは、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｅは、端面３ｅ上に配置されている。外部電極５は、稜線部３ｊ上に配置されている電極部も有する。

外部電極５は、一対の側面３ａ、一つの端面３ｅ、及び一対の側面３ｃの五つの面、並びに、稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊを覆うように、電気絶縁膜ＥＩに形成されている。互いに隣り合う電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、電気的に接続されている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９の一端を覆っている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９と直接的に接続されている。外部電極５は、対応する内部電極７，９と電気的に接続されている。外部電極５は、図２及び図３にも示されるように、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、及び第三電極層Ｅ３を有する。第三電極層Ｅ３は、外部電極５の最外層を構成している。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、及び第三電極層Ｅ３を有する。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、三層構造を有する。

電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、側面３ａ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、側面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように、電気絶縁膜ＥＩに形成されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、側面３ａの上記一部上と稜線部３ｇ上とにおいて、電気絶縁膜ＥＩに接している。すなわち、電極部５ａでは、第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩａ）と直接接している。側面３ａは、上記一部において第一電極層Ｅ１に間接的に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。側面３ａの上記一部は、側面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、側面３ａ上に位置する。第一電極層Ｅ１は、側面３ａに形成されていなくてもよい。すなわち、第一電極層Ｅ１は、側面３ａ上に配置されていなくてもよい。
電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び側面３ａ上に配置されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と側面３ｃの一部とを覆うように、第一電極層Ｅ１と電気絶縁膜ＥＩとに形成されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と電気絶縁膜ＥＩとに直接接している。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、膜部分ＥＩａの一部を直接覆っており、膜部分ＥＩａと直接接している。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、電極部５ａの第一電極層Ｅ１の全体を直接覆うように、第一電極層Ｅ１に形成されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ａとの間に位置するように、側面３ａを間接的に覆っている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、側面３ａ上に位置する。したがって、第二電極層Ｅ２は、側面３ａ上に位置する部分を含む。
電極部５ａの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。電極部５ａの第三電極層Ｅ３は、側面３ｃ上に位置する。

電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｉの全体とを覆うように、電気絶縁膜ＥＩに形成されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの上記一部上と稜線部３ｇ上とにおいて、電気絶縁膜ＥＩに接している。すなわち、電極部５ｃでは、第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩｃ）と直接接している。側面３ｃは、上記一部において第一電極層Ｅ１に間接的に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。側面３ｃの上記一部は、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に位置する。第一電極層Ｅ１は、側面３ｃに形成されていなくてもよい。すなわち、第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に配置されていなくてもよい。
電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び側面３ｃ上に配置されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と側面３ｃの一部とを覆うように、第一電極層Ｅ１と電気絶縁膜ＥＩとに形成されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と電気絶縁膜ＥＩとに直接接している。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、膜部分ＥＩｃの一部を直接覆っており、膜部分ＥＩｃと直接接している。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１の全体を直接覆うように、第一電極層Ｅ１に形成されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ｃとの間に位置するように、側面３ｃを間接的に覆っている。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、側面３ｃ上に位置する。したがって、第二電極層Ｅ２は、側面３ｃ上に位置する部分を含む。
電極部５ｃの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。電極部５ｃの第三電極層Ｅ３は、側面３ｃ上に位置する。

電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅ上に配置されている。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅの全体を覆うように、電気絶縁膜ＥＩに形成されている。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅ上において、電気絶縁膜ＥＩに接している。すなわち、電極部５ｅでは、第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩｅ）と直接接している。端面３ｅは、第一電極層Ｅ１に間接的に覆われている。
電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を覆うように、第一電極層Ｅ１に形成されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１に直接接している。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と端面３ｅとの間に位置するように、端面３ｅを間接的に覆っている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、端面３ｅ上に位置する。したがって、第二電極層Ｅ２は、端面３ｅ上に位置する部分を含む。
電極部５ｅの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。

電気絶縁膜ＥＩは、外部電極５で覆われている部分と、外部電極５から露出している部分と、を含む。膜部分ＥＩａは、電極部５ａで覆われている部分と、電極部５ａから露出している部分と、を有している。膜部分ＥＩｃは、電極部５ｃで覆われている部分と、電極部５ｃから露出している部分と、を有している。
電気絶縁膜ＥＩに含まれる、外部電極５から露出している部分は、素体３の表面における複数の外部電極５の間の領域上に位置する。したがって、電気絶縁膜ＥＩは、素体３の表面における複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する膜部分を含む。すなわち、電気絶縁膜ＥＩは、素体３の表面における複数の外部電極５から露出する領域上に少なくとも位置する膜部分を含む。

第一電極層Ｅ１は、素体３の表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、側面３ａの上記一部、側面３ｃの上記一部、一つの端面３ｅ、及び稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊを覆うように、電気絶縁膜ＥＩ上に形成されている。第一電極層Ｅ１は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粒子）が焼結することにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、素体３に形成された焼結金属層である。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、Ｃｕからなる焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、Ｎｉからなる焼結金属層であってもよい。第一電極層Ｅ１は、卑金属を含む。導電性ペーストは、たとえば、Ｃｕ又はＮｉからなる粒子、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を含む。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有する第一電極層Ｅ１は、一体的に形成されている。

図４及び図５に示されているように、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９と物理的にも接続されている。図４及び図５は、外部電極、電気絶縁膜、及び内部電極を示す模式図である。図４及び図５は、断面を示すハッチングの図示が省略されている。
電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩｅ）は、必ずしも、所定の膜厚で一様に形成されている訳ではない。すなわち、電気絶縁膜ＥＩを構成する材料成分、たとえば、酸化シリコンは、素体３の外表面に密に付着しているのではなく、疎らに付着している。このため、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９と部分的に直接接続され得る。
導電性ペーストを加熱する際に、電気絶縁膜ＥＩを構成する材料成分が導電性ペーストに拡散し、電気絶縁膜ＥＩを構成する材料成分と導電性ペーストとが混在する。このため、電気絶縁膜ＥＩを構成する材料成分が、素体３の外表面に密に付着している場合でも、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９と部分的に直接接続され得る。

第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に付与された導電性樹脂を硬化させることにより形成されている。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上と素体３上とにわたって形成されている。第一電極層Ｅ１は、第二電極層Ｅ２を形成するための下地金属層である。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１を覆う導電性樹脂層である。導電性樹脂は、たとえば、樹脂、導電性材料、及び有機溶媒を含む。樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂である。導電性材料は、たとえば、金属粒子である。金属粒子は、たとえば、銀粒子又は銅粒子である。本実施形態では、第二電極層Ｅ２は、複数の銀粒子を含む。熱硬化性樹脂は、たとえば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｊの一部と接している。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第二電極層Ｅ２は、一体的に形成されている。

第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上と、第一電極層Ｅ１（第二電極層Ｅ２から露出している部分）上とにめっき法により形成されている。第三電極層Ｅ３は、複数層構造を有していてもよい。この場合、第三電極層Ｅ３は、たとえば、Ｎｉめっき層とはんだめっき層とを有する。Ｎｉめっき層は、第二電極層Ｅ２上と第一電極層Ｅ１上とに形成される。はんだめっき層は、Ｎｉめっき層上に形成される。はんだめっき層は、Ｎｉめっき層を覆っている。Ｎｉめっき層は、第二電極層Ｅ２に含まれる金属よりも耐はんだ喰われ性に優れている。第三電極層Ｅ３は、Ｎｉめっき層の代わりに、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層を有していてもよい。はんだめっき層は、たとえば、Ｓｎめっき層、Ｓｎ－Ａｇ合金めっき層、Ｓｎ－Ｂｉ合金めっき層、又はＳｎ－Ｃｕ合金めっき層を含む。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有する第三電極層Ｅ３は、一体的に形成されている。

図２に示されるように、内部電極７Ａは、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２と、第一方向Ｄ１で対向している。内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とを第一方向Ｄ１から見たとき、内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。したがって、内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じやすい。
膜部分ＥＩａは、内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、膜部分ＥＩａが存在している状態で、互いに対向している。内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、間接的に対向している。

図２に示されるように、内部電極９Ａは、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２と、第一方向Ｄ１で対向している。内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とを第一方向Ｄ１から見たとき、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。したがって、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じやすい。
膜部分ＥＩａは、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、膜部分ＥＩａが存在している状態で、互いに対向している。内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、間接的に対向している。

図３に示されるように、複数の内部電極７のそれぞれは、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、第三方向Ｄ３で対向している。各内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とを第三方向Ｄ３から見たとき、各内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。したがって、各内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間にも、電界が生じやすい。
膜部分ＥＩｃは、各内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。各内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、各内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、膜部分ＥＩｃが存在している状態で、互いに対向している。各内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、間接的に対向している。

図３に示されるように、複数の内部電極９のそれぞれは、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、第三方向Ｄ３で対向している。各内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とを第三方向Ｄ３から見たとき、各内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。したがって、各内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間にも、電界が生じやすい。
膜部分ＥＩｃは、各内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。各内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、各内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、膜部分ＥＩｃが存在している状態で、互いに対向している。各内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、間接的に対向している。

図６及び図７を参照して、積層コンデンサＣ１の構成を説明する。上述したように、積層コンデンサＣ１は、素体３と、電気絶縁膜ＥＩと、外部電極５と、を備えている。図６及び図７は、積層コンデンサの断面構成を示す模式図である。図６及び図７では、第三電極層Ｅ３の図示が省略されている。図６及び図７は、断面を示すハッチングの図示が省略されている。図７では、図３と同様に、各内部電極７，９は、意図的に、第三方向Ｄ３に互いにずれて図示されている。
膜部分ＥＩａの平均厚みＴ_ＥＩａは、膜部分ＥＩｅの平均厚みＴ_ＥＩｅ以上である。平均厚みＴ_ＥＩａは、たとえば、０．０２μｍ以上である。平均厚みＴ_ＥＩａは、０．０５μｍ以上であってもよい。平均厚みＴ_ＥＩｅは、たとえば、０より大きく０．２μｍ以下である。

内部電極７Ａと、内部電極７Ａと対向する側面３ａとの間隔Ｔ_ＯＬは、たとえば、１００μｍ以上４００μｍ以下である。間隔Ｔ_ＯＬは、第一方向Ｄ１での、内部電極７Ａと側面３ａとの距離である。
平均厚みＴ_ＥＩａの、間隔Ｔ_ＯＬに対する比（Ｔ_ＥＩａ／Ｔ_ＯＬ）は、たとえば、１．０×１０^－４以上である。比（Ｔ_ＥＩａ／Ｔ_ＯＬ）は、２．５×１０^－４以上であってもよい。
図示は省略するが、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと対向する側面３ａとの間隔は、たとえば、１００μｍ以上４００μｍ以下である。内部電極９Ａと、内部電極９Ａと対向する側面３ａとの間隔は、間隔Ｔ_ＯＬと同等であってもよく、異なっていてもよい。
平均厚みＴ_ＥＩａの、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと対向する側面３ａとの間隔に対する比は、たとえば、１．０×１０^－４以上である。平均厚みＴ_ＥＩａの、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと対向する側面３ａとの間隔に対する比は、２．５×１０^－４以上であってもよい。

膜部分ＥＩｃの平均厚みＴ_ＥＩｃは、平均厚みＴ_ＥＩｅ以上である。平均厚みＴ_ＥＩｃは、たとえば、０．０２μｍ以上である。平均厚みＴ_ＥＩｃは、０．０５μｍ以上であってもよい。平均厚みＴ_ＥＩｃは、平均厚みＴ_ＥＩａと同等であってもよく、異なっていてもよい。
内部電極７，９と、側面３ｃとの間隔Ｔ_Ｗは、たとえば、５０μｍ以上３００μｍ以下である。
平均厚みＴ_ＥＩｃの、間隔Ｔ_Ｗに対する比（Ｔ_ＥＩｃ／Ｔ_Ｗ）は、たとえば、１．０×１０^－４以上である。比（Ｔ_ＥＩａ／Ｔ_ＯＬ）は、２．５×１０^－４以上であってもよい。

第二電極層Ｅ２（電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２）は、電気絶縁膜ＥＩと接する部分Ｅ２ａを含む。部分Ｅ２ａの最大厚みＴ_Ｅ２ａは、たとえば、２０μｍ以上６０μｍ以下である。
平均厚みＴ_ＥＩａの、最大厚みＴ_Ｅ２ａに対する比（Ｔ_ＥＩａ／Ｔ_Ｅ２ａ）は、たとえば、６．６７×１０^－４以上である。比（Ｔ_ＥＩａ／Ｔ_Ｅ２ａ）は、１．６７×１０^－３以上であってもよい。
第二電極層Ｅ２（電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２）は、電気絶縁膜ＥＩと接する部分Ｅ２ｃを含む。部分Ｅ２ｃの最大厚みＴ_Ｅ２ｃは、たとえば、２０μｍ以上６０μｍ以下である。最大厚みＴ_Ｅ２ｃは、最大厚みＴ_Ｅ２ａと同等であってもよく、異なっていてもよい。
平均厚みＴ_ＥＩｃの、最大厚みＴ_Ｅ２ｃに対する比（Ｔ_ＥＩｃ／Ｔ_Ｅ２ｃ）は、たとえば、６．６７×１０^－４以上である。比（Ｔ_ＥＩｃ／Ｔ_Ｅ２ｃ）は、１．６７×１０^－３以上であってもよい。

部分Ｅ２ａの第二方向Ｄ２での長さＬ_Ｅ２ａは、たとえば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。長さＬ_Ｅ２ａは、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２の端縁と、電極部５ａに含まれる第一電極層Ｅ１の端縁との、第二方向Ｄ２での間隔である。
平均厚みＴ_ＥＩａの、長さＬ_Ｅ２ａに対する比（Ｔ_ＥＩａ／Ｌ_Ｅ２ａ）は、たとえば、８．０×１０^－５以上である。比（Ｔ_ＥＩａ／Ｌ_Ｅ２ａ）は、２．０×１０^－４以上であってもよい。
部分Ｅ２ｃの第二方向Ｄ２での長さＬ_Ｅ２ｃは、たとえば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。長さＬ_Ｅ２ｃは、電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２の端縁と、電極部５ｃに含まれる第一電極層Ｅ１の端縁との、第二方向Ｄ２での間隔である。
平均厚みＴ_ＥＩｃの、長さＬ_Ｅ２ｃに対する比（Ｔ_ＥＩａ／Ｌ_Ｅ２ｃ）は、たとえば、８．０×１０^－５以上である。比（Ｔ_ＥＩａ／Ｌ_Ｅ２ｃ）は、２．０×１０^－４以上であってもよい。

各平均厚みＴ_ＥＩａ，Ｔ_ＥＩｅ，Ｔ_ＥＩｃは、たとえば、以下のようにして求めることができる。
各膜部分ＥＩａ，ＥＩｅを含む電気絶縁膜ＥＩの断面写真を取得する。断面写真は、積層コンデンサＣ１を側面３ａに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置する平面で切断したときの積層コンデンサＣ１の断面を撮影した写真である。取得した断面写真が、ソフトウェアにより画像処理される。この画像処理により、電気絶縁膜ＥＩ（各膜部分ＥＩａ，ＥＩｅ）の境界が判別される。取得した断面写真上での、各膜部分ＥＩａ，ＥＩｅの面積が算出される。
膜部分ＥＩａの面積を、取得した断面写真上での膜部分ＥＩａの長さで除し、得られた商を平均厚みＴ_ＥＩａとする。膜部分ＥＩｅの面積を、取得した断面写真上での膜部分ＥＩｅの長さで除し、得られた商を平均厚みＴ_ＥＩｅとする。
膜部分ＥＩｃを含む電気絶縁膜ＥＩの断面写真を取得する。断面写真は、積層コンデンサＣ１を側面３ｃに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面３ａに平行であり、かつ、一対の側面３ａから等距離に位置する平面で切断したときの積層コンデンサＣ１の断面を撮影した写真である。取得した断面写真が、ソフトウェアにより画像処理される。この画像処理により、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩｃ）の境界が判別される。取得した断面写真上での、膜部分ＥＩｃの面積が算出される。
膜部分ＥＩｃの面積を、取得した断面写真上での膜部分ＥＩｃの長さで除し、得られた商を平均厚みＴ_ＥＩｃとする。

間隔Ｔ_ＯＬ、最大厚みＴ_Ｅ２ａ、及び長さＬ_Ｅ２ａは、たとえば、以下のようにして求めることができる。
素体３と、電極部５ａを含む外部電極５との断面写真を取得する。断面写真は、積層コンデンサＣ１を側面３ａに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置する平面で切断したときの積層コンデンサＣ１の断面を撮影した写真である。取得した断面写真が、ソフトウェアにより画像処理される。この画像処理により、第二電極層Ｅ２の境界が判別される。取得した断面写真上での、最大厚みＴ_Ｅ２ａ、及び長さＬ_Ｅ２ａが求められる。上記画像処理により、側面３ａと電気絶縁膜ＥＩとの境界、及び、素体３と内部電極７Ａとの境界が判別される。取得した断面写真上での、間隔Ｔ_ＯＬが求められる。

間隔Ｔ_Ｗ、最大厚みＴ_Ｅ２ｃ、及び長さＬ_Ｅ２ｃは、たとえば、以下のようにして求めることができる。
素体３と、電極部５ｃを含む外部電極５との断面写真を取得する。断面写真は、積層コンデンサＣ１を側面３ｃに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面３ａに平行であり、かつ、一対の側面３ａから等距離に位置する平面で切断したときの積層コンデンサＣ１の断面を撮影した写真である。取得した断面写真が、ソフトウェアにより画像処理される。この画像処理により、第二電極層Ｅ２の境界が判別される。取得した断面写真上での、最大厚みＴ_Ｅ２ｃ、及び長さＬ_Ｅ２ｃが求められる。上記画像処理により、側面３ｃと電気絶縁膜ＥＩとの境界、及び、素体３と内部電極７，９との境界が判別される。取得した断面写真上での、間隔Ｔ_Ｗが求められる。

次に、平均厚みＴ_ＥＩａ、間隔Ｔ_ＯＬ、最大厚みＴ_Ｅ２ａ、及び長さＬ_Ｅ２ａの関係について詳細に説明する。
本発明者らは、平均厚みＴ_ＥＩａ、間隔Ｔ_ＯＬ、最大厚みＴ_Ｅ２ａ、及び長さＬ_Ｅ２ａの関係を明らかにするために、以下のような試験を行った。この試験では、本発明者らは、平均厚みＴ_ＥＩａが異なる試料Ｓ１～Ｓ３を用意し、各試料Ｓ１～Ｓ１０における、マイグレーションの発生状況を確認した。その結果を図８に示す。図８は、各試料におけるマイグレーションの発生状況を示す図表である。

各試料Ｓ１～Ｓ１０は、平均厚みＴ_ＥＩａが異なる点を除いて同じ構成を有している積層コンデンサである。各試料Ｓ１～Ｓ１０では、素体３の高さが１．６ｍｍであり、素体３の幅が１．６ｍｍであり、素体３の長さが３．２ｍｍである。各試料Ｓ１～Ｓ１０の静電容量は、２．２μＦである。各試料Ｓ１～Ｓ１０では、間隔Ｔ_ＯＬが２００μｍであり、最大厚みＴ_Ｅ２ａが３０μｍであり、長さＬ_Ｅ２ａが２５０μｍである。
試料Ｓ１では、平均厚みＴ_ＥＩａが０μｍである。すなわち、試料Ｓ１は、電気絶縁膜ＥＩを備えていない。
試料Ｓ２では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．００１５μｍである。試料Ｓ３では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．００５μｍである。試料Ｓ４では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．０１μｍである。試料Ｓ５では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．０２μｍである。試料Ｓ６では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．０５μｍである。試料Ｓ７では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．１μｍである。試料Ｓ８では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．１５μｍである。試料Ｓ９では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．２μｍである。試料Ｓ１０では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．５μｍである。

マイグレーションの発生状況は、以下のようにして確認される。
各試料Ｓ１～Ｓ１０に、高温バイアス試験が行われる。高温バイアス試験では、高温環境下で、各試料Ｓ１～Ｓ１０に所定の電圧が所定時間にわたり印加される。本試験では、環境温度は１５０℃であり、印加電圧は５０Ｖであり、電圧印加時間は２０００時間である。
高温バイアス試験後に、マイグレーションが発生しているか否かが確認される。マイグレーションが発生している場合、マイグレーションの最大長さが測定される。

上述した試験の結果、図８に示されるように、各試料Ｓ６～Ｓ１０では、マイグレーションの発生は認められなかった。これに対して、各試料Ｓ１～Ｓ５では、マイグレーションの発生が認められた。
試料Ｓ１～Ｓ４では、マイグレーションの最大長さが２００μｍ以上であった。これに対し、試料Ｓ５では、マイグレーションの最大長さが６２μｍであった。試料Ｓ５は、試料Ｓ１～Ｓ４に比して、マイグレーションの発生を抑制する傾向があることが確認された。
積層コンデンサが実際に使用される状況下では、マイグレーションの最大長さは、７０μｍ以下であることが求められ、５０μｍ以下であることがより一層求められる。

積層コンデンサＣ１では、電気絶縁膜ＥＩに含まれる膜部分ＥＩａが、素体３の表面における複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子がイオン化する場合でも、膜部分ＥＩａは、発生する金属イオンと、素体３又は外部電極５から供給される電子との反応を阻害する。すなわち、電子が金属イオンに供給されがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を抑制する。
積層コンデンサＣ１では、電気絶縁膜ＥＩに含まれる膜部分ＥＩｃも、素体３の表面における複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

電極部５ａが第二電極層Ｅ２を含む構成では、電極部５ａの第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子が、イオン化するおそれがある。
積層コンデンサＣ１では、膜部分ＥＩａが側面３ａ上に位置する。したがって、膜部分ＥＩａは、電極部５ａの第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子から生じる金属イオンと、素体３又は外部電極５から供給される電子との反応を確実に阻害する。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

電極部５ｃが第二電極層Ｅ２を含む構成では、電極部５ｃの第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子が、イオン化するおそれがある。
積層コンデンサＣ１では、膜部分ＥＩｃが側面３ｃ上に位置する。したがって、膜部分ＥＩｃは、電極部５ｃの第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子から生じる金属イオンと、素体３又は外部電極５から供給される電子との反応を確実に阻害する。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

外部電極５が第三電極層Ｅ３を含む場合、めっき液が端面３ｅから素体３に浸入するおそれがある。めっき液が素体３に浸入した場合、積層コンデンサＣ１の電気的特性が劣化するおそれがある。
積層コンデンサＣ１では、電気絶縁膜ＥＩが膜部分ＥＩｅを含む。したがって、外部電極５が第三電極層Ｅ３を含む場合でも、膜部分ＥＩｅが、素体３へのめっき液の浸入を阻害する。この結果、積層コンデンサＣ１は、積層コンデンサＣ１の電気的特性の劣化を抑制する。

積層コンデンサＣ１では、第一電極層Ｅ１が、電気絶縁膜ＥＩ上に形成されている。したがって、第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子がイオン化する場合でも、電子が金属イオンにより一層供給されがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、平均厚みＴ_ＥＩａが平均厚みＴ_ＥＩｅ以上である。したがって、電極部５ａの第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子から生じる金属イオンと、素体３又は外部電極５から供給される電子との反応をより一層確実に阻害する。したがって、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層確実に抑制する。
電気絶縁膜ＥＩが膜部分ＥＩｅを含む構成は、互いに対応する第一電極層Ｅ１と内部電極７，９との接続性を低下させるおそれがある。
積層コンデンサＣ１では、平均厚みＴ_ＥＩｅが平均厚みＴ_ＥＩａ未満である。したがって、積層コンデンサＣ１は、互いに対応する第一電極層Ｅ１と内部電極７，９との接続性の低下を抑制する。

積層コンデンサＣ１では、平均厚みＴ_ＥＩａが０．０５μｍ以上である。したがって、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

積層コンデンサＣ１では、平均厚みＴ_ＥＩｅが０より大きく０．２μｍ以下である。したがって、積層コンデンサＣ１は、積層コンデンサＣ１の電気的特性の劣化と、互いに対応する第一電極層Ｅ１と内部電極７，９との接続性の低下と、を確実に抑制する。

間隔Ｔ_ＯＬが１００μｍ未満である構成では、電子が内部電極７Ａ，９Ａから金属イオンに供給される傾向がある。積層コンデンサＣ１では、間隔Ｔ_ＯＬが１００μｍ以上である。したがって、積層コンデンサＣ１では、電子が内部電極７Ａ，９Ａから金属イオンに供給されがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。
間隔Ｔ_ＯＬが４００μｍより大きい構成では、クラックが素体３に発生する傾向がある。積層コンデンサＣ１では、間隔Ｔ_ＯＬが４００μｍ以下である。したがって、積層コンデンサＣ１は、クラックが素体３に発生するのを抑制する。

内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じやすい。この場合、生じる電界が、第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子に作用し、金属粒子がイオン化しやすい。
積層コンデンサＣ１では、膜部分ＥＩａが、内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。したがって、内部電極７Ａと、内部電極７Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。
積層コンデンサＣ１では、膜部分ＥＩａが、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。したがって、内部電極９Ａと、内部電極９Ａと電気的に接続されていない電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。
これらの結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じやすい。この場合、生じる電界が、第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子に作用し、金属粒子がイオン化しやすい。
積層コンデンサＣ１では、膜部分ＥＩｃが、内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。したがって、内部電極７と、内部電極７と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。
積層コンデンサＣ１では、膜部分ＥＩｃが、内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。したがって、内部電極９と、内部電極９と電気的に接続されていない電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。
これらの結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、外部電極５が第三電極層Ｅ３を含み、第二電極層Ｅ２が第三電極層Ｅ３で覆われてる。したがって、第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子がイオン化する場合でも、第三電極層Ｅ３がマイグレーションの発生を抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。
積層コンデンサＣ１では、第三電極層Ｅ３が、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。

積層コンデンサＣ１では、電気絶縁膜ＥＩと第二電極層Ｅ２とは、互いに接している。したがって、積層コンデンサＣ１は、電子が金属イオンに供給されるのを確実に抑制する。積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

積層コンデンサＣ１では、電気絶縁膜ＥＩは、シリコン酸化膜からなる。
シリコン酸化膜は、電気絶縁性が高い。シリコン酸化膜には、銀が拡散しがたい。したがって、第二電極層Ｅ２が複数の銀粒子を含んでいる構成でも、電気絶縁膜ＥＩの電気絶縁性が維持され得る。
これらの結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

第二電極層Ｅ２は、複数の銀粒子を含んでいる。銀粒子は、たとえば、銅粒子に比して、マイグレーションを生じさせやすい。
積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２が複数の銀粒子を含んでいる場合でも、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

次に、図９及び図１０を参照して、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサＣ２の構成を説明する。図９及び図１０は、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。本変形例に係る積層コンデンサＣ２は、概ね、上述した積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、本変形例は、外部電極５及び電気絶縁膜ＥＩの構成に関して、上述した本実施形態と相違する。以下、上述した本実施形態と本変形例との相違点を主として説明する。

図９及び図１０に示されるように、外部電極５は、素体３に直接的に配置されている。外部電極５は、一対の側面３ａ、一つの端面３ｅ、及び一対の側面３ｃの五つの面、並びに、稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊを覆うように、素体３に形成されている。

電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、側面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように、素体３に形成されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、側面３ａの上記一部上と稜線部３ｇ上とにおいて、素体３に接している。すなわち、電極部５ａでは、第一電極層Ｅ１は、素体３と直接接している。側面３ａは、上記一部において第一電極層Ｅ１に直接的に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。
電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と側面３ｃの一部とを覆うように、第一電極層Ｅ１と素体３とに形成されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と素体３とに直接接している。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ａとの間に位置するように、側面３ａを間接的に覆っている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、側面３ａを直接的にも覆っている。

電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｉの全体とを覆うように、素体３に形成されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの上記一部上と稜線部３ｇ上とにおいて、素体３に接している。すなわち、電極部５ｃでは、第一電極層Ｅ１は、素体３と直接接している。側面３ｃは、上記一部において第一電極層Ｅ１に直接的に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。
電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と側面３ｃの一部とを覆うように、第一電極層Ｅ１と素体３とに形成されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と素体３とに直接接している。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ｃとの間に位置するように、側面３ｃを間接的に覆っている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、側面３ｃを直接的にも覆っている。

図９及び図１０に示されるように、電気絶縁膜ＥＩは、複数の膜部分ＥＩａ，ＥＩｃを含む。電気絶縁膜ＥＩは、一対の膜部分ＥＩａと、一対の膜部分ＥＩｃとを含む。本変形例では、電気絶縁膜ＥＩは、膜部分ＥＩｅを含まない。すなわち、端面３ｅは、電気絶縁膜ＥＩから露出している。電気絶縁膜ＥＩは、各稜線部３ｊ上にそれぞれ配置されている複数の膜部分を含む。膜部分ＥＩａと膜部分ＥＩｃとは、稜線部３ｊ上に配置されている膜部分により連結されている。
膜部分ＥＩａは、側面３ａにおける、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２から露出する領域に配置されている。すなわち、膜部分ＥＩａは、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２に覆われている部分を含まない。膜部分ＥＩａは、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２から露出する領域のみを含む。膜部分ＥＩａは、第二電極層Ｅ２と接していてもよく、第二電極層Ｅ２から離間していてもよい。
膜部分ＥＩｃは、側面３ｃにおける、電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２から露出する領域に配置されている。すなわち、膜部分ＥＩｃは、電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２に覆われている部分を含まない。膜部分ＥＩｃは、電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２から露出する領域のみを含む。膜部分ＥＩｃは、第二電極層Ｅ２と接していてもよく、第二電極層Ｅ２から離間していてもよい。

積層コンデンサＣ２でも、膜部分ＥＩａが、素体３の表面における複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、積層コンデンサＣ２は、上述したように、マイグレーションの発生を抑制する。
膜部分ＥＩｃも、素体３の表面における複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、積層コンデンサＣ２は、上述したように、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

本明細書では、ある要素が他の要素上に配置されていると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接配置されていてもよく、他の要素上に間接的に配置されていてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に配置されている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接配置されている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素上に位置していると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接位置していてもよく、他の要素上に間接的に位置していてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に位置している場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接位置している場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素を覆うと記述されている場合、ある要素は、他の要素を直接覆っていてもよく、他の要素を間接的に覆っていてもよい。ある要素が他の要素を間接的に覆っている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素を直接覆っている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

本実施形態及び変形例では、電子部品として積層コンデンサを例に説明したが、適用可能な電子部品は、積層コンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、もしくは積層複合部品などの積層電子部品、又は、積層電子部品以外の電子部品である。

３…素体、３ａ，３ｃ…側面、３ｅ…端面、５…外部電極、５ａ，５ｃ，５ｅ…電極部、７，７Ａ，９，９Ａ…内部電極、Ｃ１，Ｃ２…積層コンデンサ、Ｅ１…第一電極層、Ｅ２…第二電極層、Ｅ３…第三電極層、ＥＩ…電気絶縁膜、ＥＩａ，ＥＩｃ，ＥＩｅ…膜部分。

Claims (15)

1. 素体と、
   前記素体に配置されている複数の外部電極と、
   前記素体に配置されている電気絶縁膜と、を備え、
   前記複数の外部電極のそれぞれは、導電性樹脂層を含み、
   前記電気絶縁膜は、前記素体の表面における前記複数の外部電極の間の領域上に少なくとも位置する膜部分を含む、電子部品。
2. 互いに対向するように前記素体内に配置されていると共に、前記複数の外部電極のうち対応する外部電極と電気的に接続されている複数の内部電極を更に備え、
   前記素体は、前記複数の内部電極のうち、前記複数の内部電極が互いに対向する方向で最も外側に位置する最外内部電極と対向する第一側面を含み、
   前記導電性樹脂層は、前記第一側面上に位置する部分を含み、
   前記膜部分は、前記第一側面上に位置する、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記素体は、前記複数の内部電極が互いに対向する前記方向に延在する第二側面を更に含み、
   前記導電性樹脂層は、前記第二側面上に位置する部分を含み、
   前記膜部分は、前記第二側面上に位置する、請求項２に記載の電子部品。
4. 前記素体は、前記複数の内部電極のうち対応する内部電極が露出する端面を更に含み、
   前記電気絶縁膜は、前記端面上に位置する膜部分を更に含む、請求項２又は３に記載の電子部品。
5. 前記複数の外部電極のそれぞれは、前記電気絶縁膜上に形成されていると共に、前記対応する内部電極と物理的かつ電気的に接続されている焼結金属層を更に含み、
   前記導電性樹脂層は、前記焼結金属層上に形成されている、請求項４に記載の電子部品。
6. 前記第一側面上に位置する前記膜部分の平均厚みは、前記端面上に位置する前記膜部分の平均厚み以上である、請求項５に記載の電子部品。
7. 前記第一側面上に位置する前記膜部分の前記平均厚みは、０．０５μｍ以上である、請求項６に記載の電子部品。
8. 前記端面上に位置する前記膜部分の前記平均厚みは、０より大きく０．２μｍ以下である、請求項６又は７に記載の電子部品。
9. 前記最外内部電極と前記第一側面との間隔は、１００μｍ以上４００μｍ以下である、請求項６～８のいずれか一項に記載の電子部品。
10. 前記最外内部電極と、前記導電性樹脂層における前記第一側面上に位置する前記部分とは、互いに電気的に接続されておらず、
    前記第一側面上に位置する前記膜部分は、前記最外内部電極と、前記導電性樹脂層における前記第一側面上に位置する前記部分との間に更に位置する、請求項２～９のいずれか一項に記載の電子部品。
11. 前記複数の外部電極のそれぞれは、前記導電性樹脂層を覆うように前記導電性樹脂層上に形成されているめっき層を更に含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の電子部品。
12. 前記電気絶縁膜と前記導電性樹脂層とは互いに接している、請求項１～１１のいずれか一項に記載の電子部品。
13. 前記電気絶縁膜は、電気絶縁薄膜からなる、請求項１～１２のいずれか一項に記載の電子部品。
14. 前記電気絶縁膜は、シリコン酸化膜からなる、請求項１～１３のいずれか一項に記載の電子部品。
15. 前記導電性樹脂層は、複数の銀粒子を含む、請求項１～１４のいずれか一項に記載の電子部品。

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