JP4070780B2 - 積層型チップバリスタ - Google Patents
積層型チップバリスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4070780B2 JP4070780B2 JP2005149694A JP2005149694A JP4070780B2 JP 4070780 B2 JP4070780 B2 JP 4070780B2 JP 2005149694 A JP2005149694 A JP 2005149694A JP 2005149694 A JP2005149694 A JP 2005149694A JP 4070780 B2 JP4070780 B2 JP 4070780B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- layer
- capacitance
- internal electrodes
- zno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
(1)原料粉末のBET値が4.9〜45.0m2/gであり、焼成後のバリスタ層の素地ポア率が0.5〜3.0%であり、焼成後の層間の平均粒径が0.3〜4.9μmである場合には、125℃の静電容量変化率が7.9〜18.6%、−40℃の静電容量変化率が−2.4〜−4.2%となり、有意に静電容量の変化率を抑制できた。
(2)特に、原料粉末のBET値が14.9〜45.0m2/gであり、焼成後のバリスタ層の素地ポア率が0.5〜1.2%であり、焼成後の層間の平均粒径が0.3〜2.0μmである場合には、125℃の静電容量変化率が7.9〜9.6%、−40℃の静電容量変化率が−2.4〜−2.9%となり、より効果的に静電容量の変化率を抑制できた。
Claims (2)
- 電圧非直線特性を発現するバリスタ層と、前記バリスタ層を挟むように前記バリスタ層と交互に積層されて配置される内部電極と、前記内部電極それぞれに接続される外部電極と、を備える積層型チップバリスタであって、
前記バリスタ層は、ZnOを主成分として形成されており、ZnOの原料粉末は比表面積が4.9〜45.0m2/gであり、
前記バリスタ層における結晶粒径は0.3〜4.5μmであると共に、気孔率は0.5〜3.0%であることを特徴とする積層型チップバリスタ。 - ZnOの原料粉末の比表面積が14.9〜45.0m2/gであり、
前記バリスタ層における結晶粒径が0.3〜2.0μmであると共に、気孔率は0.5〜1.2%であることを特徴とする請求項1に記載の積層型チップバリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005149694A JP4070780B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 積層型チップバリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005149694A JP4070780B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 積層型チップバリスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006332118A JP2006332118A (ja) | 2006-12-07 |
JP4070780B2 true JP4070780B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=37553534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005149694A Active JP4070780B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 積層型チップバリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4070780B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11037709B2 (en) | 2018-03-26 | 2021-06-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Varistor and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5217984B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-06-19 | パナソニック株式会社 | 電圧非直線性抵抗体組成物および積層バリスタ |
-
2005
- 2005-05-23 JP JP2005149694A patent/JP4070780B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11037709B2 (en) | 2018-03-26 | 2021-06-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Varistor and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006332118A (ja) | 2006-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI814730B (zh) | 積層陶瓷電容器及其製造方法 | |
JP4786604B2 (ja) | 誘電体磁器及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
JP2013079183A (ja) | 誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品 | |
JPWO2014017365A1 (ja) | 積層型ptcサーミスタ素子 | |
TW201139326A (en) | Semiconductor ceramic composition for ntc thermistor and ntc thermistor | |
JP4618010B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP4070780B2 (ja) | 積層型チップバリスタ | |
JP3064659B2 (ja) | 積層型セラミック素子の製造方法 | |
JP5830715B2 (ja) | 積層バリスタ及びその製造方法 | |
JP4262141B2 (ja) | 積層型チップバリスタ及びその製造方法 | |
JP2005353845A (ja) | 積層型チップバリスタ | |
JP4683068B2 (ja) | 積層型チップバリスタ | |
JP4710560B2 (ja) | 積層型チップバリスタの製造方法 | |
JP3832071B2 (ja) | 積層バリスタ | |
JP6904505B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシター | |
JP2009246105A (ja) | 積層コンデンサ | |
KR20130027784A (ko) | 외부 전극용 도전성 페이스트, 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
JP4012915B2 (ja) | バリスタシート用ペーストの製造方法、積層型チップバリスタの製造方法、及び積層型チップバリスタ | |
JP2666605B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
JP4710654B2 (ja) | 積層型チップバリスタの製造方法 | |
JP4539671B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP4561430B2 (ja) | 積層型チップバリスタ | |
JP2006269985A (ja) | 積層型チップバリスタ | |
JP4087359B2 (ja) | 積層型チップバリスタ | |
KR100834307B1 (ko) | 적층형 칩 바리스터의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070626 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4070780 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125 Year of fee payment: 6 |