JP2016117885A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、少なくとも重合性化合物(A)と光重合開始剤(B)とを有するインプリント用光硬化性組成物であって、
前記重合性化合物(A)が多官能(メタ)アクリルモノマーを20重量%以上含み、
前記光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度が90℃以上であり、前記重合性化合物(A)が単官能(メタ)アクリルモノマーと多官能(メタ)アクリルモノマーの混合物であることを特徴とするインプリント用光硬化性組成物を提供する。
前記重合性化合物(A)が多官能(メタ)アクリルモノマーを20重量%以上含み、
前記光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度が90℃以上であり、前記重合性化合物(A)が単官能(メタ)アクリルモノマーと多官能(メタ)アクリルモノマーの混合物であることを特徴とするインプリント用光硬化性組成物を提供する。
Claims (20)
- 少なくとも重合性化合物(A)と光重合開始剤(B)とを有するインプリント用光硬化性組成物であって、
前記重合性化合物(A)が多官能(メタ)アクリルモノマーを20重量%以上含み、
前記光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度が90℃以上であり、前記重合性化合物(A)が単官能(メタ)アクリルモノマーと多官能(メタ)アクリルモノマーの混合物であることを特徴とするインプリント用光硬化性組成物。 - 前記重合性化合物(A)が前記多官能(メタ)アクリルモノマーを25重量%以上含む請求項1に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記重合性化合物(A)が少なくとも多官能(メタ)アクリルモノマーを40重量%以上含み、前記光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度が200℃以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記インプリント用光硬化性組成物の前記ガラス転移温度が90℃以上であることが、前記重合性化合物(A)100重量部と光重合開始剤(B)としてLucirin TPO 3重量部からなる光硬化性組成物を光硬化させた膜の損失正接tanδを昇温しながら測定し、tanδが極大となる温度が90℃以上であることにより特定される請求項1〜3のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記重合性化合物(A)のオオニシパラメータが、3.2以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 粘度が5mPa・s以上12mPa・s以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記重合性化合物(A)に含まれる多官能アクリルモノマーがm−キシリレンジアクリレート、フェニルエチレングリコールジアクリレート、2−フェニル−1,3−プロパンジオールジアクリレートのいずれかであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 基板上に、請求項1〜7のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物を配置する工程[1]と、
前記硬化性組成物とパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールドとを接触させる工程[2]と、
前記基板とモールドとの位置合わせを行う工程[3]と、
前記硬化性組成物に光を照射して光硬化膜とする工程[4]と、
前記硬化膜と前記モールドとを引き離す工程[5]と、
を有することを特徴とするパターン形状を有する膜の製造方法。 - 前記工程[1]〜[5]を前記基板上の異なる領域に複数回行うことを特徴とする請求項8に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記モールドの原型パターンの表面が石英であることを特徴とする請求項8または9に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記工程[2]が、凝縮性ガスを含む雰囲気下で行われることを特徴とする、請求項8〜10のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記工程[2]が、前記凝縮性ガスと非凝縮性ガスとの混合ガスの雰囲気下で行われることを特徴とする請求項11に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記非凝縮性ガスが、ヘリウムであることを特徴とする請求項12に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記凝縮性ガスが、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする請求項11〜13のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 請求項8〜14のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
- 請求項8〜14のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
- 請求項8〜14のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
- 請求項17に記載の回路基板の製造方法により回路基板を得る工程と、前記回路基板に電子部品を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物を基板上で硬化させてなるドライエッチングプロセスに用いるためのドライエッチング用光硬化膜。
- 半導体基板と、該半導体基板上にパターニングされた請求項19に記載の前記エッチング用光硬化膜と、を有するドライエッチング前処理済み半導体基板。
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