JP2016092305A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態による半導体装置の製造方法がより明確となると思われるため、本発明者らによって見いだされたウエハプロセスパッケージ技術における解決しようとする課題について詳細に説明する。
≪半導体装置≫
本実施の形態による半導体装置の構成について図1および図2を用いて説明する。図1は、本実施の形態による半導体装置の平面を示す概略図である。図2(a)および(b)はそれぞれ、本実施の形態による半導体装置の一部を拡大して示す要部平面図および要部断面図である。図2(b)は、図2(a)に示すA−A線に沿った断面図である。
本実施の形態による半導体装置の製造方法について図3〜図14を用いて工程順に説明する。図3は、本実施の形態による半導体装置の製造方法において、その製造工程の流れの一例を示す工程図である。図4(a)および(b)はそれぞれ、本実施の形態による半導体ウエハを示す要部平面図および半導体ウエハ内の一の半導体チップを拡大して示す要部平面図である。図5〜図13の各々の(a)および(b)はそれぞれ、本実施の形態による半導体装置の製造工程中の半導体装置の一部を拡大して示す要部平面図および要部断面図である。図14は、本実施の形態による半導体装置の製造工程中の半導体装置を示す要部断面図である。
まず、図4(a)に示すように、種々の半導体回路が形成された複数のデバイス領域(チップ形成領域)DRを有する半導体ウエハSWを準備する。半導体ウエハSWの主面には、例えば電界効果トランジスタ、抵抗および容量などの種々の半導体素子が形成されており、これらを、前述した配線(配線層)を介して電気的に接続することにより、メモリ回路などの種々の半導体回路が各々のデバイス領域DRに形成されている。半導体ウエハSWは、例えば平面略円形状のシリコン(Si)基板である。なお、半導体ウエハSWは、シリコン(Si)基板に限らず、ガリウムヒ素(GaAs)基板または炭化珪素(SiC)基板などの化合物半導体基板であってもよい。
次に、図6(a)および(b)に示すように、半導体ウエハSWの主面上に第2絶縁部材OLを形成する。第2絶縁部材OLは、有機絶縁膜であり、例えばポリイミド膜などからなり、この膜は、例えば回転塗布法により形成される。第2絶縁部材OLの厚さは、例えば5μm程度である。また、第2絶縁部材OLの弾性率は、第1絶縁部材IOLの弾性率よりも低く、例えばポリイミド膜のヤング率は、3GPa〜7GPa程度である。
次に、図7(a)および(b)に示すように、電極パッドEPにプローブ針PNを接触させて、半導体ウエハSWの主面に形成されたメモリ回路にデータを書き込む。データの書き込み以外にも、メモリ回路の初期故障などを調べるスクリーニングテストなども行う。スクリーニングの結果を基に、不良メモリセルのいれかえ、情報の再書き込みなどを行うことができる。
次に、図8(a)および(b)に示すように、第1絶縁部材IOLに形成された開口部OP1の開口端の内側を埋め込むように、カバー膜CFを形成する。これにより、第1絶縁部材IOLに形成された開口部OP1から露出する電極パッドEPの上面をカバー膜CFによって被覆する。
次に、図9(a)および(b)に示すように、第2絶縁部材OL上に、カバー膜CFと電気的に接続するシード層SLを形成する。シード層SLは、後の工程において形成される再配置配線RWに対するシード(Seed)としての役割を担う層であり、例えばスパッタリング法により形成される。シード層SLは、例えばチタン(Ti)膜および銅(Cu)膜を順に形成した積層膜からなり、その厚さ(総厚)は、例えば0.3μm程度である。詳しくは、チタン(Ti)膜の厚さが0.2μm程度、銅(Cu)膜の厚さが0.1μm程度である。なお、シード層SLは、無電解めっき法により形成してもよい。
次に、図12(a)および(b)に示すように、半導体ウエハSWの主面上に第3絶縁部材SRを形成する。本実施の形態における第3絶縁部材SRは、有機絶縁膜であり、具体的な材料としては、例えばポリイミド膜などである。本実施の形態では、この第3絶縁部材SRが、最表面の保護膜となる。また、後の変形例においても説明するが、ポリイミド膜に代えて、フィラー(例えばシリカ)を含有するエポキシ樹脂を第3絶縁部材SRとして用いてもよい。
次に、図13(a)および(b)に示すように、開口部OP3の内部に、バンプ電極を形成するために必要な電極層(電極)UMを形成する。電極層UMは、例えば無電解めっき法を用いて形成された銅(Cu)またはニッケル(Ni)からなる。続いて、電極層UMの上面に、フラックスまたははんだペーストを供給し、さらに、はんだボールを配置した後、リフロー処理を行う。はんだボールには、例えば鉛(Pb)を実質的に含まない鉛フリーはんだ組成を有するはんだが用いられる。上記リフロー処理を行うことにより、はんだボールの表面の酸化膜がフラックスによって除去されて、はんだボールが溶融する、または、はんだボールとはんだペーストとが溶融して一体化することにより、電極層UMと電気的に、かつ、機械的に接続するバンプ電極SBが形成される。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
変形例1による半導体装置の製造方法について図15および図16を用いて説明する。なお、前述の実施の形態で説明した内容と異なる点についてのみ、説明する。図15は、変形例1による半導体装置の製造方法において、その製造工程の流れの一例を示す工程図である。図16(a)および(b)はそれぞれ、変形例1による半導体装置の製造工程を示す要部平面図および要部断面図である。
変形例2による半導体装置について図17および図18を用いて説明する。なお、変形例1と同様、前述の実施の形態で説明した内容と異なる点についてのみ、説明する。図17は、変形例2による半導体装置の製造方法において、その製造工程の流れの一例を示す工程図である。図18は、変形例2による半導体装置を示す要部断面図である。
半導体ウエハを区画されたデバイス領域の間のスクライブ領域に沿って切断し、個々の半導体チップに分割する。
次に、図18に示すように、例えばその主面に複数の電極パッド(電極、ボンディングリード)BPが形成された配線基板(基板)MBを準備する。複数の電極パッドBPは、配線基板MBの表面上に形成された複数の配線のそれぞれの一部分で構成され、配線基板MBの表面上に形成された保護膜PFにそれぞれの電極パッドBPに対応して形成された複数の開口部OP5から、これら上面は露出している。
次に、半導体基板SUBの主面上に形成され、第3絶縁部材SRに形成された複数の開口部OP3にそれぞれ露出する複数の再配置配線RWの他端部と、配線基板MBの表面上に形成され、保護膜PFに形成された複数の開口部OP5にそれぞれ露出する複数の電極パッドBPとを、導電性ワイヤ(導電性部材、ボンディングワイヤ)BW、例えば金(Au)線を用いてそれぞれ電気的に接続する。詳細には、導電性ワイヤBWの一部は、前述の電極層UMを介して再配置配線RWの他端部と電気的に接続され、導電性ワイヤBWの他部は、配線基板MBの電極パッドBPと電気的に接続される。
次に、配線基板MB上に搭載された半導体チップを樹脂(図示は省略)によって封止して、樹脂封止体を形成する。使用する樹脂には、例えばフィラー(例えばシリカ)を含有した熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。その後、図示はしないが、配線基板MBの裏面(実装面)に外部電極である半田ボールを搭載する。変形例2でいう半導体装置SCとは、これらの工程を経て取得したものを指す。
変形例3による半導体装置について図19、図20および図21を用いて説明する。なお、変形例1および2と同様、前述の実施の形態で説明した内容と異なる点についてのみ、説明する。図19は、変形例3による半導体装置の製造方法において、その製造工程の流れの一例を示す工程図である。図20、図21の各々の(a)および(b)はそれぞれ、変形例3による半導体装置の製造工程中の半導体装置の一部を拡大して示す要部平面図および要部断面図である。
図20に示すように、電極パッドEPにプローブ針PNを接触させて、プローブ検査を行う。例えば半導体回路の電気的特性などを測定する。
次に、図21に示すように、半導体ウエハSWの主面上に第2絶縁部材OLを形成する。第2絶縁部材OLは、有機絶縁膜であり、例えばポリイミド膜などからなり、この膜は、例えば回転塗布法により形成される。第2絶縁部材OLの厚さは、例えば5μm程度である。
変形例4による半導体装置について、図22乃至図26を用いて説明する。なお、変形例1乃至3と同様、前述の実施の形態で説明した内容と異なる点についてのみ、説明する。図22は、変形例4による半導体装置の製造方法において、その製造工程の流れの一例を示す工程図である。図23〜図26の各々の(a)および(b)はそれぞれ、変形例4による半導体装置の製造工程中の半導体装置の一部を拡大して示す要部平面図および要部断面図である。図23(a)および(b)はそれぞれ、柱状電極形成工程(工程S46)を説明する要部平面図および要部断面図である。図24(a)および(b)はそれぞれ、樹脂封止工程(工程S47)を説明する要部平面図および要部断面図である。図25(a)および(b)はそれぞれ、研削工程(工程S48)を説明する要部平面図および要部断面図である。図26(a)および(b)はそれぞれ、バンプ電極形成工程(工程S49)を説明する要部平面図および要部断面図である。
まず、図23(a)および(b)に示すように、再配置配線RWのうちの第2絶縁部材OL上に位置する部分に、柱状電極(導電性部材)CEを形成する。この柱状電極CEは、例えば以下の製造方法によって形成される。まず、再配置配線RWおよび第2絶縁部材OLを絶縁部材で覆った後、柱状電極CEを形成したい箇所の絶縁部材に開口部を形成する。次に、電解メッキ法またはスパッタリング法などを用いて、絶縁部材に形成した開口部の内部に柱状電極CEを形成する。その後、マスクとして使用した絶縁部材を除去することで、図23(a)および(b)に示すような柱状電極CEが形成される。
次に、図24(a)および(b)に示すように、柱状電極CE、再配置配線RWおよび第2絶縁部材OLの表面を第3絶縁部材SRで覆う。変形例4で使用する第3絶縁部材SRの具体的な材料は樹脂であり、具体的には、例えばフィラー(例えばシリカ)を含有する熱硬化性のエポキシ樹脂である。
次に、図25(a)および(b)に示すように、柱状電極CEの一部(表面)が露出するまで、第3絶縁部材SRを研削して、第3絶縁部材SRからなる封止体を形成する。
次に、図26(a)および(b)に示すように、前述の研削工程により露出した柱状電極CEの一部(表面)に、バンプ電極SBを接続する。このとき、バンプ電極SBと柱状電極CEとの接続性を考慮した場合は、前述の実施の形態で説明したように、電極層(電極)UMを介在させておくことが好ましい。
変形例5による半導体装置について図27および図28を用いて説明する。なお、変形例1乃至4と同様、前述の実施の形態で説明した内容と異なる点についてのみ、説明する。図27は、変形例5による半導体装置の製造方法において、その製造工程の流れの一例を示す工程図である。図28(a)および(b)はそれぞれ、変形例5による半導体装置の製造工程中の半導体装置の一部を拡大して示す要部平面図および要部断面図である。図28(a)は、半導体ウエハの主面側から見た、再配置配線を覆う絶縁部材(第3絶縁部材)を透かした透過平面図である。また、図28(b)は、図28(a)に示すA−A線に沿った断面図である。
図28(a)および(b)に示すように、半導体ウエハSWの主面上に第3絶縁部材SRを形成する。
次に、第3絶縁部材SRに形成された開口部OP6の内部に、カバー膜CFの上面と接続する柱状電極(導電性部材)CEを形成する。
次に、柱状電極CEと接続する、はんだから構成されるバンプ電極BEを形成する。
変形例6による半導体装置について図29を用いて説明する。なお、変形例1乃至5と同様、前述の実施の形態で説明した内容と異なる点についてのみ、説明する。図29は、前述の実施の形態で説明したカバー膜形成工程(図3に示す工程S4)まで実施した半導体ウエハを個片化することで半導体チップを取得し、その半導体チップを配線基板の内部に埋め込んで形成された半導体装置の要部断面図である。
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
BP 電極パッド(電極、ボンディングリード)
BW 導電性ワイヤ(導電性部材、ボンディングワイヤ)
CE 柱状電極(導電性部材)
CF カバー膜(導電性部材)
CM 接着剤
DR デバイス領域(チップ形成領域)
EP 電極パッド(表面電極)
ID 層間絶縁膜
IOL 第1絶縁部材(第1絶縁膜、第1弾性率を有する絶縁膜、第1パッシベーション膜)
LR スクライブ領域(ダイシング領域)
MC 導電性部材
MB 配線基板(基板)
MBP 電極パッド(電極、ボンディングリード)
MBW 導電性部材
MI 絶縁材
MID,MIU 保護膜
MLD,MLU 配線
MS 配線基板
MSB はんだボール
MSU 基材
OL 第2絶縁部材(第2絶縁膜、第2弾性率を有する絶縁膜、第2パッシベーション膜)
OP1,OP2,OP3,OP4,OP5,OP6 開口部
PF 保護膜
PN プローブ針
RP レジストパターン
RW 再配置配線(配線、再配線)
SB バンプ電極(はんだボール)
SC 半導体装置(半導体チップ)
SCC1,SCC2 半導体チップ
SL シード層
SR 第3絶縁部材(第3絶縁膜、第3パッシベーション膜、有機材料、樹脂)
SUB 半導体基板
SW 半導体ウエハ
UM 電極層(電極)
DEP 互いに隣り合う電極パッドの間隔
DOP1 互いに隣り合う開口部の間隔
LEP 電極パッドの幅
LOP1,LOP2 開口部の幅
LRW 再配置配線の幅
WEP 電極パッドの幅
WOP1,WOP2 開口部の幅
WRW 再配置配線の幅
Claims (12)
- 以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)主面、前記主面上に形成された第1電極パッド、前記主面上に形成され、かつ、平面視において前記第1電極パッドの隣に配置された第2電極パッド、および前記第1電極パッドの上面が露出する第1開口部および前記第2電極パッドの上面が露出する第2開口部が形成された第1絶縁部材、を有する半導体ウエハを準備する工程;
(b)前記半導体ウエハの前記第1絶縁部材上に第2絶縁部材を形成した後、前記第1電極パッドの前記上面が露出する第3開口部および前記第2電極パッドの前記上面が露出する第4開口部を前記第2絶縁部材に形成する工程;
(c)前記第1電極パッドの前記上面および前記第2電極パッドの前記上面を、第1カバー膜および第2カバー膜で、それぞれ覆う工程;
(d)前記第1カバー膜の表面および前記第2カバー膜の表面に、第1配線および第2配線を、それぞれ形成する工程;
(e)前記第1カバー膜の前記表面、前記第2カバー膜の前記表面、前記第1配線および前記第2配線を第3絶縁部材で覆った後、前記第1配線の一部が露出する第5開口部および前記第2配線の一部が露出する第6開口部を前記第3絶縁部材に形成する工程、
ここで、
前記第1電極パッドおよび前記第2電極パッドは、平面視において、第1方向に沿って配置されており、
前記第1カバー膜および前記第2カバー膜のそれぞれは、導電性部材からなり、
前記第1方向における前記第1配線の幅は、前記第2絶縁部材に形成された前記第3開口部の幅よりも小さい、または同じであり、
前記第1方向における前記第2配線の幅は、前記第2絶縁部材に形成された前記第4開口部の幅よりも小さい、または同じである。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1電極パッドおよび前記第2電極パッドのそれぞれは、前記主面に形成された半導体回路と電気的に接続されており、
前記第2絶縁部材を形成する工程では熱処理を施し、
前記(b)工程の後、かつ、前記(c)工程の前に、さらに以下の工程を含む:
(f)前記第1電極パッドおよび前記第2電極パッドのそれぞれにプローブ針を接触させて、前記半導体回路に備わるメモリ回路にデータを書き込む工程。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2絶縁部材を形成する工程では熱処理を施し、
前記(c)工程の後、かつ、前記(d)工程の前に、さらに以下の工程を含む:
(g)前記第1カバー膜の前記表面および前記第2カバー膜の前記表面のそれぞれにプローブ針を接触させて、前記半導体回路に備わるメモリ回路にデータを書き込む工程。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1絶縁部材に形成された前記第1開口部の開口端が、前記第2絶縁部材に形成された前記第2開口部の開口端の内側に配置されている。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1絶縁部材は第1弾性率を有し、前記第2絶縁部材は前記第1弾性率よりも低い第2弾性率を有する。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1絶縁部材は無機絶縁膜であり、前記第2絶縁部材は有機絶縁膜である。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記カバー膜は、ニッケル膜を有する積層膜である。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
平面視において、前記第1配線は、前記第1カバー膜の前記表面から前記第2絶縁部材の表面に向かって延びており、
平面視において、前記第2配線は、前記第2カバー膜の前記表面から前記第2絶縁部材の表面に向かって延びており、
前記第1配線の前記一部は、前記第1カバー膜上ではなく、前記第2絶縁部材の前記表面上に位置しており、
前記第2配線の前記一部は、前記第2カバー膜上ではなく、前記第2絶縁部材の前記表面上に位置している。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程は、さらに以下の工程を含む:
(d1)前記第1カバー膜の前記表面および前記第2絶縁部材の前記表面に第1シード層を、前記第2カバー膜の前記表面および前記第2絶縁部材の前記表面に第2シード層を、それぞれ形成する工程;
(d2)前記第1シード層上および前記第2シード層上に、前記第1配線および前記第2配線を、それぞれ形成する工程;
(d3)前記第1シード層のうちの前記第1配線と重ならない部分および前記第2シード層のうちの前記第2配線と重ならない部分を、除去する工程。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程の後、さらに以下の工程を含む:
(h)前記第5開口部から露出する前記第1配線の前記一部および前記第6開口部から露出する前記第2配線の前記一部のそれぞれに、バンプ電極を電気的に接続する工程。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程の後、さらに以下の工程を含む:
(i)前記半導体ウエハを、区画されたデバイス領域の間のスクライブ領域に沿って切断し、複数の半導体チップを取得する工程;
(j)配線基板のチップ搭載領域に前記半導体チップを固定する工程;
(k)前記第5開口部から露出する前記第1配線の前記一部および前記第6開口部から露出する前記第2配線の前記一部と、前記配線基板の前記チップ搭載領域の周囲に形成された複数の電極とを、導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程において、前記第1配線の前記一部および前記第2配線の前記一部は、前記第1カバー膜上および前記第2カバー膜上に、それぞれ位置している。
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