JP2016015465A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】内部電極によるカバレッジの低下を抑制しながら、内部電極の薄層化を実現することができる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデサは、Ｂａ、Ｔｉを含み、Ｚｒ、Ｈｆを任意で含有するペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体層と、平均厚が０．５μｍ以下の内部電極とを含む。誘電体層において、Ｔｉ、ＺｒとＨｆの合計量１００モル部に対して、Ｍｇ成分が０≦Ｍｇ≦０．４（モル部）の範囲となるように調整される。また、内部電極の欠損部にＭｇ成分が存在している割合が２０％以上、すなわち（Ｍｇが存在する欠損部個数／全欠損部個数）?１００（％）≧２０（％）である。【選択図】図２

Description

この発明は、積層セラミックコンデンサに関し、特にたとえば、誘電体層と内部電極とが交互に積層されたコンデンサ本体を含む積層セラミックコンデンサに関する。

積層セラミックコンデンサは、小型で大容量の電子部品として広く用いられている。しかしながら、積層セラミックコンデンサには、更なる小型・大容量化、高信頼性化が求められている。そこで、積層セラミックコンデンサに用いられるコンデンサ本体の誘電体層を形成するための材料として、チタン酸バリウムを含む主成分と、ＡＥの酸化物（ただし、ＡＥはＭｇ、Ｃａ、ＢａおよびＳｒから選択される少なくとも１種）を含む第１の副成分と、Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、ＨｏおよびＥｒから選択される少なくとも１種）を含む第２の副成分とを有し、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、第１副成分：０モル＜第１副成分＜０．１モル、第２副成分：１モル＜第２副成分＜７モルである誘電体磁器組成物が開示されている。

このような誘電体磁器組成物を用いることにより、比誘電率が高く、絶縁抵抗の寿命を維持することができ、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能である誘電体磁器組成物を得ることができる。また、このような誘電体磁器組成物を用いることによって、小型・大容量化を実現することができ、薄層小型化対応の積層セラミックコンデンサを得ることができる（特許文献１参照）。

特開２００２−２５５６３９号公報

積層セラミックコンデンサを作製するために、誘電体磁器組成物からなる誘電体材料で形成されたセラミックグリーンシシートと、Ｎｉなどの導電材料を含む導電性ペーストとが準備される。セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを印刷し、このセラミックグリーンシートを積層した積層体を焼成することにより、誘電体層と内部電極とが積層されたコンデンサ本体が得られる。このコンデンサ本体の両端面に外部電極を形成することにより、積層セラミックコンデンサが作製される。

ここで、内部電極を薄層化するために導電性ペーストの印刷厚を小さくした場合、積層体の焼成時に、内部電極の連続性が途切れている領域である欠損部が発生しやすくなるという問題点がある。内部電極に欠損部が発生すると、内部電極によるカバレッジ（内部電極によって覆われている領域の割合）が低下して、得られる静電容量が小さくなる。

それゆえに、この発明の主たる目的は、内部電極によるカバレッジの低下を抑制しながら、内部電極の薄層化を実現することができる積層セラミックコンデンサを提供することである。

この発明は、Ｂａ、Ｔｉを含み、Ｚｒ、Ｈｆを任意で含むペロブスカイト型化合物を含有する複数の誘電体層と、誘電体層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層セラミックコンデンサであって、内部電極の平均厚が０．５μｍ以下であり、誘電体層において、Ｔｉ、ＺｒとＨｆの合計量１００モル部に対して、Ｍｇ成分が０≦Ｍｇ≦０．４（モル部）の範囲にあり、内部電極の連続性が途切れている領域である欠損部にＭｇ成分が存在している割合が２０％以上、すなわち（Ｍｇが存在する欠損部個数／全欠損部個数）×１００（％）≧２０（％）である、積層セラミックコンデンサである。
このような積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極は、導電材料としてのＮｉと副成分としてのＭｇとを含有する導電性ペーストにより形成されることが好ましい。

この発明によれば、内部電極によるカバレッジの低下を抑制しながら、内部電極の薄層化を実現することができる積層セラミックコンデンサを得ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサの内部構造を示す図解図である。 実施例において、積層セラミックコンデンサの内部電極厚および内部電極の欠損部のＭｇ成分の有無を測定する領域を示す図解図である。 実施例において、積層セラミックコンデンサの誘電体層中のＭｇ量を測定する測定点を示す図解図である。 実施例に用いられた積層セラミックコンデンサの誘電体層と内部電極の状態を示すＷＤＸ画像およびマッピングである。 積層セラミックコンデンサの内部電極の欠損部と欠損部にＭｇ成分が存在している状態を示す図解図である。

図１は、積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。積層セラミックコンデンサ１０は、コンデンサ本体１２を含む。コンデンサ本体１２は、たとえば、長さ方向（Ｌ方向）、幅方向（Ｗ方向）および厚み方向（Ｔ方向）を有する直方体状に形成される。コンデンサ本体１２は、図２に示すように、コンデンサ本体１２のＴ方向において、内部電極１４と誘電体層１６とが交互に積層された構造を有する。誘電体層１６は、Ｂａ、Ｔｉを含み、Ｚｒ、Ｈｆを任意で含有するペロブスカイト型化合物を主成分として形成される。この誘電体層１６は、たとえばＢａＴｉＯ₃を主成分とし、副成分としてＳｉ、Ｄｙ、Ｍｎ、Ｖ、Ｍｇなどを含む材料で形成される。なお、Ｍｇの含有量は、誘電体層に含まれるＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆの合計量１００モル部に対して、０≦Ｍｇ≦０．４モル部の範囲である。

内部電極１４は、たとえば導電材料としてのＮｉと副成分としてのＭｇとを含む導電性ペーストを焼成することにより形成され、その平均厚みが０．５μｍ以下となるように形成される。内部電極１４には、その製造工程において内部電極の連続性が途切れている領域である欠損部が発生するが、導電性ペーストに含まれたＭｇがその欠損部に存在する部分と、Ｍｇが欠損部に存在しない部分とがある。ここで、内部電極１４の欠損部にＭｇが存在している割合が２０％以上、すなわち（Ｍｇが存在する欠損部個数／全欠損部個数）×１００（％）≧２０（％）となるように、内部電極１４は形成される。このような構成は、内部電極１４を形成するための材料および誘電体層１６を形成するための材料に含まれるＭｇ量を調整することによって達成することができる。

複数の内部電極１４は、積層体内で互いに対向するように形成される。そして、隣接する内部電極１４は、コンデンサ本体１２の対向するＬ方向の端面に引き出される。つまり、隣接する内部電極１４は、交互にコンデンサ本体１２の対向する端面に引き出される。これらのコンデンサ本体１２の端面に外部電極１８が形成され、これらの端面に引き出された内部電極１４が外部電極１８に接続される。したがって、２つの外部電極１８間に静電容量が形成される。

この積層セラミックコンデンサ１０を作製するために、誘電体層１６の材料が準備される。まず、高純度のＢａＣＯ₃、ＴｉＯ₂が準備され、Ｂａ：Ｔｉが所定の割合となるように調合される。次に、この調合粉末がボールミルで湿式混合され、均一に分散された後、乾燥処理を施すことにより調整粉末が得られる。得られた調整粉末を１０００℃〜１２００℃の温度で仮焼して、平均粒径が０．１５μｍである主成分粉末ＢａＴｉＯ₃が得られる。

他方、副成分として、ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｎＯ₂、Ｖ₂Ｏ₅などの各粉末が準備される。次に、Ｔｉに対してＳｉ、Ｄｙ、Ｍｎ、Ｖの含有量が所定の量となるように秤量され、主成分に添加することによって混合粉末が得られる。なお、副成分として、Ｍｇなどが含まれてもよい。この混合粉末がボールミルで湿式混合され、均一に分散された後、乾燥処理を施すことにより誘電体セラミック原料が得られる。

次に、内部電極１４の材料となる導電性ペーストが準備される。まず、導電性ペーストに添加される添加粉末（いわゆる共材）が調整される。そのために、ＢａＴｉＯ₃粉末に対して、Ｄｙ₂Ｏ₃粉末とＭｇＯ粉末とＭｎＯ粉末とが混合され、８００℃で仮焼されて、添加粉末が作製される。なお、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｎＯの添加量は、ＤｙおよびＭｎの割合がＢａＴｉＯ₃中のＴｉ量に対して、所定の量となるように調整される。

さらに、導電材料であるＮｉ粉末と共材となる添加粉末とが所定の割合となるように秤量される。そして、これらの粉末が、エチルセルロースをテルピネオールに溶解させた有機ビヒクル中に３本ボールミルを使って分散され、内部電極用の導電性ペーストが作製される。なお、内部電極１４および誘電体層１６に添加されるＭｇＯの量は、最終的に得られる積層セラミックコンデンサ１０の誘電体層１６中のＭｇ量が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの合計量１００モル部に対して０≦Ｍｇ≦０．４モル部となるように調整される。

次に、誘電体セラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤および有機溶剤としてのエタノールが加えられ、これらをボールミルにより湿式混合することにより、セラミックスラリーが作製される。このスラミックスラリーをリップ方式によりシート成形することにより、矩形のセラミックグリーンシートが得られる。

このセラミックグリーンシート上に、Ｎｉを電気伝導体の主成分として含有する導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、内部電極１４となるべき導電性ペースト膜が形成される。次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートが、導電性ペースト膜の引き出された側が互い違いになるように積層され、その両側に導電性ペースト膜が形成されていないセラミックグリーンシートが積層されて、コンデンサ本体１２となるべき生の積層体が得られる。

次に、この積層体が、Ｎ₂雰囲気中において８００℃の温度で３時間加熱され、バインダが燃焼させられる。そして、積層体は、昇温速度４０℃／ｓｅｃ以上、最高温度１１００〜１３００℃、設備炉内雰囲気は酸素分圧が１ｐｐｂ〜１％の条件で焼成した後、保持時間なしで室温まで降温し、最高温度１０００〜１１００℃で再焼成することにより、焼結済みの積層体、すなわちコンデンサ本体１２が得られる。

なお、積層体の焼成過程において、内部電極１４に欠損部が発生する。このとき、内部電極１４の欠損部にＭｇ成分が存在している割合が２０％以上、すなわち、（Ｍｇが存在する欠損部個数／全欠損部個数）×１００（％）≧２０（％）となるように、誘電体セラミック原料および導電性ペーストに含まれるＭｇ量が調整される。

得られたコンデンサ本体１２の両端面に、ガラスフリットを含有するＣｕペーストが塗布され、Ｎ₂雰囲気中において８００℃の温度で焼き付けることにより、内部電極１４に接続された外部電極１８が形成される。このようにして、積層セラミックコンデンサ１０が作製される。

このようにして得られた積層セラミックコンデンサ１０では、内部電極１４に形成された欠損部にＭｇ成分が一定以上の割合で存在することにより、内部電極１４に更なる欠損部が発生することによるカバレッジの低下を小さくすることができる。これは、Ｍｇ成分が存在する部分において、ＭｇとＮｉの複合酸化物が形成され、Ｎｉのグレイン成長が抑制され、グレイン成長による内部電極の欠損部の発生が抑制されるためと推測される。

それに加えて、誘電体層１６中のＭｇ量が多い場合、内部電極１４中のＮｉが誘電体層１６中のＭｇと複合酸化物を形成しようとして誘電体層１６に拡散し、内部電極１４に欠損部が発生しやすくなる。しかしながら、この積層セラミックコンデンサ１０では、誘電体層１６中のＭｇ量が少ないため、内部電極１４中のＮｉが誘電体層１６中に拡散しにくく、内部電極１４に欠損部が発生しにくい。そのため、内部電極１４のカバレッジの低下を抑制することができる。

なお、内部電極１４の厚みが０．５μｍを超えると、Ｍｇの量に関係なく、内部電極１４のカバレッジは低下しにくくなる。そのため、Ｍｇの量を調整することにより内部電極１４のカバレッジの低下を抑制する効果は、内部電極１４の厚みが０．５μｍ以下である場合に顕著に現れる。

まず、誘電体セラミック原料を得るために、高純度のＢａＣＯ₃、ＴｉＯ₂の各粉末をＢａ：Ｔｉ＝１：１の割合で調合した。次に、この調合粉末をボールミルで湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して調整粉末を得た。得られた調整粉末を１０００℃で仮焼し、平均粒径が０．１５μｍである主成分粉末ＢａＴｉＯ₃を得た。

他方、副成分として、ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｎＯ₂、Ｖ₂Ｏ₅の各粉末を準備した。次に、ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｎＯ₂、Ｖ₂Ｏ₅の各粉末を、Ｔｉ１００モル部に対するＳｉ、Ｄｙ、Ｍｎ、Ｖの含有量が所定量（Ｓｉ：２モル部、Ｄｙ：１モル部、Ｍｎ：０．５モル部、Ｖ：０．１モル部）となるように秤量し、かつ前記主成分粉末に添加することにより、混合粉末を得た。なお、この混合粉末には、表１に示すような割合でＭｇが含まれるように、ＭｇＯ粉末を添加した。この混合粉末をボールミルで湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して、誘電体セラミック原料を得た。

また、内部電極を形成するための導電性ペーストを得るために、導電性ペーストに添加するための共材となる添加粉末の調整を行った。まず、平均粒径が０．０２μｍのＢａＴｉＯ₃粉末に対して、平均粒径が０．１μｍのＤｙ₂Ｏ₃粉末と、平均粒径が０．１μｍのＭｇＯ粉末と、平均粒径が０．１μｍのＭｎＯ粉末とを混合し、８００℃で仮焼して、添加粉末を作製した。なお、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｎＯの添加量は、ＤｙおよびＭｎの割合がＢａＴｉＯ₃中のＴｉ量１００モル部に対してそれぞれ１モル部、０．５モル部となるようにした。なお、ＭｇＯの添加量は表１に示す。

次に、平均粒径０．１μｍのＮｉ粉末と、添加粉末とを準備した。また、エチルセルロースをテルピネオールに溶解させた有機ビヒクルを準備した。そして、準備した粉末を有機ビヒクル５０ｇ中に３本ロールミルを使って分散させ、内部電極形成用の導電性ペーストを作製した。なお、添加粉末の配合量は、Ｎｉ粉末中のＮｉ量１００モル部に対して、添加粉末中のＴｉ量が３モル部となるように配合した。

次に、誘電体セラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤および有機溶剤としてのエタノールを加え、これらをボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。そして、このセラミックスラリーをリップ方式によりシート成形し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。

得られたセラミックグリーンシート上に、Ｎｉを電気伝導体の主成分として含有する導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを、導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように３００層積層し、その両側に導電性ペースト膜が形成されていないセラミックグリーンシートを積層して、コンデンサ本体となるべき生の積層体を得た。

得られた積層体をＮ₂雰囲気中において８００℃の温度で３時間加熱し、バインダを燃焼させた後、昇温速度４０℃／ｓｅｃもしくは１℃／ｓｅｃ、最高温度１１００℃〜１３００℃、設備炉内還元雰囲気の条件で焼成した。その後、保持時間なしで室温まで降温し、最高温度１０５０℃で再焼成することにより、焼結済みの積層体、つまりコンデンサ本体を得た。

次に、コンデンサ本体の両端面に、ガラスフリットを含有するＣｕペーストを塗布し、Ｎ₂雰囲気中において８００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成して、各試料となる積層セラミックコンデンサを得た。

このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法（外部電極を含む）は、長さＬ＝０．６ｍｍ、幅Ｗ＝０．３ｍｍで、セラミック層１層の厚みは０．４５μｍとし、内部電極の積層数は３００層とした。内部電極の電極厚みは表１に示す。なお、外層部のセラミック層厚みは、片側２０μｍとした。

得られた試料（積層セラミックコンデンサ）について、以下の手順で観察を行った。まず、試料を垂直になるように立てて、各試料の周囲を樹脂で固めた。このとき、試料の長さ方向（Ｌ方向）と厚み方向（Ｔ方向）とで囲まれた側面（ＬＴ側面）が露出するようにした。そして、研磨機により、試料のＬＴ側面を研磨した。試料の幅方向（Ｗ方向）の１／２程度の深さで研磨を終了し、ＬＴ断面を露出させた。そして、研磨による内部電極のダレをなくすために、研磨終了後、イオンミリングにより研磨表面を加工した。

研磨した試料について、内部電極の厚みを測定した。そのために、図３に示すように、試料のＬＴ断面のＬ方向の１／２程度の位置において、内部電極とほぼ直交する直線を決めた。次に、表１の１条件（各実施例、各参考例、各比較例）につき３個の試料を用いて、試料の内部電極が積層されている領域をＴ方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域に分割した。そして、各領域において、最外の内部電極を除いて、前記直交線上の内部電極の厚みをそれぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。ただし、内部電極が欠落している等により測定できない部分は測定対象から除いた。したがって、試料数３個×３つの領域×５層＝４５箇所における内部電極の厚みの平均値が、電極厚として表１に示されている。なお、内部電極の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。

表１の１条件につき５個の試料を用いて、Ｔ方向中央部付近で内部電極に沿って積層体を剥離した。このようにして露出した内部電極の中央部付近を倍率５００倍の顕微鏡で観察するとともに、倍率５００倍の顕微鏡写真にとり、画像処理を行うことによって、内部電極のカバレッジ（内部電極に覆われている領域の割合）を定量化し、平均値を求めた。このようにして得られたカバレッジの値を表１に示す。なお、表１において、内部電極のカバレッジが８０％以上である場合に良好「Ｇ」と判定し、内部電極のカバレッジが８０％未満である場合に不良「ＮＧ」と判定した。

また、図３に示すように、試料のＬ方向の１／２程度の位置において、試料の内部電極が積層されている領域をＴ方向に３等分に分割し、それぞれのＬ方向における中央部を上部領域、中間領域、下部領域と３つの領域に分けた。そして、それぞれの領域の中央部付近においてＷＤＸにより電極欠損部中のＭｇ成分の有無を観察した。各領域における観察の視野範囲は、縦方向（積層方向、Ｔ方向）では、内部電極が積層方向に１０層分観察できる範囲とした。横方向（積層方向に垂直な方向、Ｌ方向）の視野範囲は、積層方向（Ｔ
方向）と同じ長さとした。表１の１条件につき５個の試料を観察した。したがって、試料数５個×３つの領域＝１５箇所における内部電極の欠損部にＭｇ成分が存在している割合の平均値が、表１にＭｇの偏析検出の割合として示されている。

表１の１条件につき５個の試料を用いて、積層体のＬＷＴ方向の中央部付近を研磨により露出させ、ＬＷＴ方向の中央部付近のセラミック誘電体を薄片加工した。セラミック誘電体を薄片加工した後、ＳＴＥＭ−ＥＤＸを用いて誘電体層中のＭｇ量の測定を行った。なお、ＳＴＥＭ分析において、ＳＴＥＭはＪＥＭ−２２００ＦＳ（ＪＥＯＬ製）を用いた。加速電圧は２００ｋＶである。検出器ＥＤＳはＪＥＤ−２３００Ｔ（ＪＥＯＬ製）で６０ｍｍ²口径のＳＤＤ検出器を用い、ＥＤＳシステムはＮｏｒａｎ Ｓｙｓｔｅｍ７を用いた。薄片試料の厚みは約１００ｎｍであった。測定箇所は、図４に示すように、２つの内部電極に挟まれた誘電体層に関して、誘電体層の厚み方向を４等分する３点を測定して、その平均のＭｇ検出値を求めた。したがって、積層体５個×測定箇所３点＝１５点の測定箇所におけるＭｇ検出値の平均を求めて、誘電体層のＭｇ検出量として表１に示した。

表１には、実施例、参考例および比較例が示されている。表１の比較例１〜３、１３〜１５に示すように、内部電極欠損部中のＭｇ検出の割合が２０％未満である場合、誘電体層中のＭｇ検出量が０．４モル部以下であっても、特にＭｇ検出量が仮に０モル部であっても、内部電極厚が０．５μｍ以下の場合にカバレッジが低下する傾向が確認された。

また、比較例４〜６、１０〜１２に示すように、内部電極の電極欠損部中のＭｇ検出割合が２０％以上の場合であっても、誘電体層中のＭｇ検出量が０．４モル部よりも多い場合には、内部電極のカバレッジが低下する傾向が確認された。また、比較例７〜９に示すように、積層体の焼成時における昇温速度が遅い場合においても、内部電極のカバレッジが低下している。これは、昇温時間が長いために電極共材中のＭｇが素子中に拡散し、それとともにＮｉが素子中に拡散して、内部電極欠損部が発生しているものと推測される。

一方で、実施例１〜１８に示すように、内部電極欠損部中のＭｇ検出割合が２０％以上であり、誘電体層中のＭｇ検出量が０．４モル部以下である場合、内部電極厚０．５μｍ以下の領域でも、カバレッジが低下しないことが確認された。

なお、上述のような方法以外の方法で積層セラミックコンデンサを作製した場合においても、所定の条件を満たしていれば、このような特性を得ることができるものと考えられる。

また、表１の参考例１〜２２に示すように、内部電極厚が０．５μｍを超える場合には、Ｍｇの量などに関係なく、内部電極欠損部が発生しにくいため、良好なカバレッジを得ることができる。したがって、この発明の効果は、内部電極厚が０．５μｍ以下であるときに、顕著に現れる。

参考として、実施例４における誘電体素子および内部電極の状態を示すＷＤＸ画像およびマッピングを図５に示す。図５より、内部電極の欠損部にＭｇ成分が存在していることがわかる。
また、内部電極の欠損部と欠損部にＭｇ成分が存在している状態を示す図解図を図６に示す。図６において、Ｍｇが存在する欠損部個数は７箇所、全欠損部個数は１４箇所である。

１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ コンデンサ本体
１４ 内部電極
１６ 誘電体層
１８ 外部電極

Claims (3)

1. Ｂａ、Ｔｉを含み、Ｚｒ、Ｈｆを任意で含むペロブスカイト型化合物を含有する複数の誘電体層と、前記誘電体層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層セラミックコンデンサであって、
   前記内部電極の平均厚が０．５μｍ以下であり、
   前記誘電体層において、Ｔｉ、ＺｒとＨｆの合計量１００モル部に対して、Ｍｇ成分が０≦Ｍｇ≦０．４（モル部）の範囲にあり、
   前記内部電極の連続性が途切れている領域である欠損部にＭｇ成分が存在している割合が２０％以上、すなわち
   （Ｍｇが存在する欠損部個数／全欠損部個数）×１００（％）≧２０（％）
   であることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記内部電極は、導電材料としてのＮｉを含むものであることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記内部電極は、導電材料としてのＮｉと副成分としてのＭｇとを含有する導電性ペーストにより形成されることを特徴とする、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。