JP2015211091A - 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品 - Google Patents
樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品 Download PDFInfo
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 350
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 350
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 52
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- -1 silicon nitride Chemical compound 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H—ELECTRICITY
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/16153—Cap enclosing a plurality of side-by-side cavities [e.g. E-shaped cap]
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
Description
(1)樹脂封止された電子部品(パッケージ)の厚みのばらつき等に起因して、基板の配線パターン上で、ビア形成孔の深さ等が正しく適切に形成されないおそれがある。
(2)樹脂材料に含まれるフィラーが、基板の配線パターンの上に残り易い。
(3)前記樹脂にビア形成孔を穿つ条件によっては、電子部品が搭載された基板上の配線パターンに損傷を与えるおそれがある。
(4)前記(3)と関連して、樹脂材料のフィラー密度が異なると、前記樹脂にビア形成孔を穿つレーザーの加工条件を変更する必要がある。すなわち、ビア形成孔の形成条件の制御が煩雑である。
(5)上記(1)〜(4)の影響により、樹脂封止電子部品製造の歩留まりが向上しにくい。
電子部品を樹脂封止した樹脂封止電子部品の製造方法であって、
製造される前記樹脂封止電子部品が、基板、電子部品、樹脂、板状部材及び突起電極を含み、かつ、前記基板上に配線パターンが形成された樹脂封止電子部品であり、
前記製造方法は、前記電子部品を前記樹脂により封止する樹脂封止工程を有し、
前記樹脂封止工程において、前記突起電極が前記板状部材の片面に固定された突起電極付き板状部材における、前記突起電極固定面と、前記基板の前記配線パターン形成面との間で、前記電子部品を前記樹脂により封止するとともに、前記突起電極を前記配線パターンに接触させることを特徴とする。
電子部品を樹脂封止した樹脂封止電子部品であって、
前記樹脂封止電子部品は、基板、電子部品、樹脂、及び前記本発明の突起電極付き板状部材を含み、
前記電子部品は、前記基板上に配置されるとともに、前記樹脂により封止されており、
前記基板上の、前記電子部品配置側に、配線パターンが形成され、
前記突起電極は、前記樹脂を貫通して前記配線パターンに接触していることを特徴とする。
(1)金属プレートのエッチングで製造する方法
(2)金属プレートと突起電極とを接合することにより製造する方法
(3)電鋳により、板状部材と突起電極とを同時に成形する方法
(4)導電性(シールド性)を持つ樹脂により、板状部材と突起電極とを同時に成形する方法
(5)導電性(シールド性)を持つ樹脂(板状部材)に突起電極を接合することにより製造する方法
(6)樹脂プレートと突起部を有したものに導電性(シールド性)の塗膜を付ける方法
(7)金属プレートを板状部材として用い、かつ前記金属プレートに抜き曲げを行い突起電極を製造する方法。
(1)樹脂にビア形成孔を穿つ必要がないため、樹脂封止された電子部品(パッケージ)の厚みのばらつき等に起因して、基板の配線パターン上で、ビア形成孔の深さ等が正しく適切に形成されないということがない。
(2)樹脂にビア形成孔を穿つ必要がないので、樹脂材料に含まれるフィラーが、基板の配線パターンの上に残ることがない。
(3)樹脂にビア形成孔を穿つ必要がないため、電子部品が搭載された基板上の配線パターンに損傷を与えることがない。
(4)樹脂にビア形成孔を穿つ必要がないため、樹脂封止電子部品の製造条件が、樹脂材料のフィラー密度の影響を受けることがない。
(5)上記(1)〜(4)の影響により、樹脂封止電子部品を簡便かつ効率的に製造できて、歩留まりが良い。さらに、基板の配線パターンと突起電極(ビア電極)との接続等が良好になるため、樹脂封止電子部品の性能向上、又は不良品発生率の低下等にも寄与する。
11 板状部材
11a 放熱フィン
11b 壁状部材
11c 樹脂収容部
12 突起電極
12a 突起電極12の下部
12b 貫通孔
12c 突起
13 孔
20 樹脂封止電子部品
21 基板
22 配線パターン
31 電子部品
41 樹脂
41a 液状樹脂
50 成形型
51 上型
52 下型
53 プランジャ
54 ポット(孔)
55 樹脂通路
56 型キャビティ
57 基板セット部
60 樹脂供給手段
61 樹脂供給部
62 下部シャッタ
100 離型フィルム
101 上型
101a クランパ
102 中間型(中間プレート)
102a Oリング
103 上型の孔(貫通孔)
104 ロール
111 下型
111a 下型キャビティ底面部材
111b 下型キャビティ
111c、111d 空隙(吸着孔)
112、113 下型外周先押え(下型本体)
107 減圧(真空引き)
114、115 減圧による吸着
116 空気
121 下型
122 上型(マウンター)
123 真空チャンバー
1001 上型
1001a クランパ
1012a Oリング
1003 上型の孔(貫通孔)
1011 下型
1011a 下型キャビティ底面部材
1011b 下型キャビティ
1011c、1011d 空隙(吸着孔)
1012 下型外周先押え(下型本体)
1007 減圧(真空引き)
1014 減圧による吸着
1016 空気
2001 上型
2001a 基板セット部
2002 上型ベースプレート
2003 上型の孔(貫通孔)
2004 上型外気遮断部材
2004a、2004b Oリング
2007 減圧(真空引き)
70 矩形状の枠(フレーム)
2010 下型ベースプレート
2011 下型
2011a 下型キャビティ底面部材
2011b 下型キャビティ
2011c 空隙(吸着孔)
2012 下型外周先押さえ
2012a 弾性部材
2013 下型外気遮断部材
2013a Oリング
2014 減圧による吸着
Claims (27)
- 電子部品を樹脂封止した樹脂封止電子部品の製造方法であって、
製造される前記樹脂封止電子部品が、基板、電子部品、樹脂、板状部材及び突起電極を含み、かつ、前記基板上に配線パターンが形成された樹脂封止電子部品であり、
前記製造方法は、前記電子部品を前記樹脂により封止する樹脂封止工程を有し、
前記樹脂封止工程において、前記突起電極が前記板状部材の片面に固定された突起電極付き板状部材における、前記突起電極固定面と、前記基板の前記配線パターン形成面との間で、前記電子部品を前記樹脂により封止するとともに、前記突起電極を前記配線パターンに接触させることを特徴とする製造方法。 - 前記突起電極の少なくとも一つが、貫通孔付き突起電極であり、
前記貫通孔付き突起電極における前記貫通孔は、前記板状部材の板面と平行方向に貫通する貫通孔であり、かつ、
前記貫通孔付き突起電極は、前記板状部材に固定された端と反対側の端に、前記板状部材の板面と垂直方向に突出する突起を有する、請求項1記載の製造方法。 - 前記突起電極の少なくとも一つが、柱状の形状を有する柱状突起電極である請求項1または2記載の製造方法。
- 前記突起電極の少なくとも一つが、板状突起電極であり、
前記電子部品が、複数であり、
前記樹脂封止工程において、前記基板を、前記板状突起電極により複数の領域に区切るとともに、それぞれの前記領域内において、前記電子部品を樹脂封止する請求項1から3のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記板状突起電極が、貫通孔及び突起を有し、
前記貫通孔は、前記板状突起電極を、前記板状部材の板面と平行方向に貫通し、
前記突起は、前記板状突起電極の、前記板状部材に固定された端と反対側の端において、前記板状部材の板面と垂直方向に突出している、
請求項4記載の製造方法。 - 前記板状部材が、放熱板又はシールド板である請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記樹脂封止工程において、トランスファ成形により前記電子部品を樹脂封止する請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記樹脂封止工程において、圧縮成形により前記電子部品を樹脂封止する請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。
- さらに、前記突起電極付き板状部材の、前記突起電極固定面上に前記樹脂を載置する樹脂載置工程と、
前記突起電極付き板状部材を、成形型の型キャビティの位置まで搬送する搬送工程とを含み、
前記型キャビティ内において、前記板状部材上に載置された前記樹脂に前記電子部品を浸漬させた状態で、前記樹脂を前記突起電極付き板状部材及び前記電子部品とともに圧縮成形することにより、前記樹脂封止工程を行う請求項8記載の製造方法。 - 前記搬送工程において、前記樹脂を、前記突起電極付き板状部材上に載置された状態で、前記突起電極付き板状部材とともに前記成形型の型キャビティの位置まで搬送する請求項9記載の製造方法。
- 前記搬送工程において、前記突起電極付き板状部材を、樹脂が載置されていない状態で、前記成形型の型キャビティの位置まで搬送し、
さらに、前記樹脂載置工程に先立ち、前記突起電極付き板状部材を、前記型キャビティ内において加熱する加熱工程を含み、
前記突起電極付き板状部材が加熱された状態で、前記型キャビティ内において前記樹脂載置工程を行う請求項9記載の製造方法。 - 前記搬送工程において、前記突起電極付き板状部材が、前記突起電極が固定された面を上に向けて離型フィルム上に載置された状態で、前記突起電極付き板状部材を前記成形型の型キャビティ内に搬送する請求項8から11のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記突起電極付き板状部材の、前記突起電極が固定された面と反対側の面が、粘着剤により前記離型フィルム上に固定されている請求項12記載の製造方法。
- 前記板状部材が、樹脂収容部を有し、
前記樹脂載置工程において、前記樹脂収容部内に前記樹脂を載置し、
前記樹脂封止工程を、前記樹脂収容部内に前記樹脂が載置された状態で行う請求項8から13のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記樹脂封止工程において、
前記配線パターン形成面に前記電子部品が配置された前記基板を、前記配線パターン形成面を上に向けて基板載置台上に載置し、さらに、前記配線パターン形成面上に前記樹脂を載置した状態で、前記樹脂を押圧する請求項8から14のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記板状部材が、放熱板であり、
前記放熱板が、前記突起電極固定面と反対側の面に、放熱フィンを有する請求項8から15のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記樹脂が、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂である請求項1から16のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記樹脂が、顆粒状樹脂、粉末状樹脂、液状樹脂、板状樹脂、シート状樹脂、フィルム状樹脂及びペースト状樹脂からなる群から選択される少なくとも一つである請求項1から17のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記樹脂が、透明樹脂、半透明樹脂、及び不透明樹脂からなる群から選択される少なくとも一つである請求項1から18のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項1から19のいずれか一項に記載の製造方法に用いる前記突起電極付き板状部材であり、
前記突起電極が、前記板状部材の片面に固定されていることを特徴とする、突起電極付き板状部材。 - 前記突起電極の少なくとも一つが、請求項4記載の前記板状突起電極である、請求項20記載の突起電極付き板状部材。
- 前記板状突起電極が、請求項5記載の前記貫通孔及び前記突起を有する板状突起電極である、請求項21記載の突起電極付き板状部材。
- 前記突起電極の少なくとも一つが、請求項2記載の前記貫通孔付き突起電極である、請求項20から22のいずれか一項に記載の突起電極付き板状部材。
- 前記突起電極の少なくとも一つが、請求項3記載の柱状突起電極である、請求項20から23のいずれか一項に記載の突起電極付き板状部材。
- 前記板状部材が、樹脂収容部を有する請求項20から24のいずれか一項に記載の突起電極付き板状部材。
- 前記板状部材の周縁部が、前記板状部材の前記突起電極固定面側に隆起することにより、前記板状部材の中央部が前記樹脂収容部を形成している請求項25記載の突起電極付き板状部材。
- 電子部品を樹脂封止した樹脂封止電子部品であって、
前記樹脂封止電子部品は、基板、電子部品、樹脂、及び請求項20から26のいずれか一項に記載の突起電極付き板状部材を含み、
前記電子部品は、前記基板上に配置されるとともに、前記樹脂により封止されており、
前記基板上の、前記電子部品配置側に、配線パターンが形成され、
前記突起電極は、前記樹脂を貫通して前記配線パターンに接触していることを特徴とする樹脂封止電子部品。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014090753A JP6017492B2 (ja) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014090753A JP6017492B2 (ja) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015211091A true JP2015211091A (ja) | 2015-11-24 |
JP6017492B2 JP6017492B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=54335448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014090753A Active JP6017492B2 (ja) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9728426B2 (ja) |
JP (1) | JP6017492B2 (ja) |
KR (1) | KR101703184B1 (ja) |
CN (1) | CN105006438B (ja) |
TW (1) | TWI618155B (ja) |
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TW201541530A (zh) | 2015-11-01 |
JP6017492B2 (ja) | 2016-11-02 |
KR101703184B1 (ko) | 2017-02-06 |
CN105006438A (zh) | 2015-10-28 |
TWI618155B (zh) | 2018-03-11 |
CN105006438B (zh) | 2018-06-08 |
KR20150123142A (ko) | 2015-11-03 |
US20150311095A1 (en) | 2015-10-29 |
US9728426B2 (en) | 2017-08-08 |
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JP2016015522A (ja) | 樹脂封止電子部品の製造方法及び樹脂封止電子部品の製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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